Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of forming trenches in monocrystalline silicon carbide

Method of forming trenches in monocrystalline silicon carbide

Номер патента: US5436174A
Опубликовано: 25-07-1995
Автор(ы): Bantval J. Baliga, Dev Alok
Принадлежит: North Carolina State University
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Silicon carbide cmos and method of fabrication

Номер патента: AU2667597A. Автор: David B. Slater Jr.,Lori A. Lipkin,John W Palmour,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-11-07.

Silicon carbide switching devices including P-type channels

Номер патента: US09552997B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon

Номер патента: EP1935007A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Matt Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-25.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US20090170264A1. Автор: Masahiro Niizato. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of forming graphene nanopattern by using mask formed from block copolymer

Номер патента: US09748108B2. Автор: Seongjun Park,Yunseong LEE,Seongjun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US9966442B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20170345903A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US09966442B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020076938A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020066920A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2721306C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-05-18.

Method for producing a semiconductor structure comprising a useful layer made of silicon carbide, with improved electrical properties

Номер патента: US20240312831A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Gweltaz Gaudin,Emmanuel Rolland,Julie Widiez,Alexis Drouin,Séverin Rouchier. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-09-19.

Silicon carbide crystal and method of manufacturing silicon carbide crystal

Номер патента: US09725823B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of Manufacturing a Silicon Carbide Semiconductor Device by Removing Amorphized Portions

Номер патента: US20170103894A1. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-13.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device by removing amorphized portions

Номер патента: US09934972B2. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming an isolation trench in a semiconductor substrate

Номер патента: US4390393A. Автор: Mario Ghezzo,Bruce F. Griffing. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-06-28.

Method of Etching a device using a hard mask and etch stop layer

Номер патента: US20090166330A1. Автор: Gary Yama. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2009-07-02.

Methods of manufacturing thin film transistor, biometric device, and display apparatus

Номер патента: US11830763B2. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Shan ZHANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device that includes forming dummy patterns in an isolation region prior to filling with insulating material

Номер патента: US7074691B2. Автор: Akira Takamatsu,Norio Suzuki,Hidenori Sato,Takeshi Saikawa,Hiroyuki Maruyama,Katsuhiko Hotta,Hiroyuki Ichizoe. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor apparatus and silicon carbide semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: US09768260B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Composite silicon carbide substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP4411788A1. Автор: Chao Guo,Fengwen MU. Владелец: Tj Innovative Semiconductor Substrate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Carbon based contact structure for silicon carbide device technical field

Номер патента: US09917170B2. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Controlled Ion Implantation into Silicon Carbide Using Channeling and Devices Fabricated Using Controlled Ion Implantation into Silicon Carbide Using Channeling

Номер патента: US20180069083A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP3025372A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Controlled ion implantation into silicon carbide using channeling and devices fabricated using controlled ion implantation into silicon carbide using channeling

Номер патента: US09768259B2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming a silicon-carbide device with a shielded gate

Номер патента: US09577073B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating

Номер патента: US20020034852A1. Автор: Dev Alok. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: WO2013140122A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-09-26.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP4009380A2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-06-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160163853A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250082A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138708A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799515B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09680006B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Edge termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09515135B2. Автор: Allan Ward,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating

Номер патента: EP1157412A1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide

Номер патента: WO2003071605A3. Автор: William Alan Doolittle. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-11-29.

Methods of Forming Buried Junction Devices in Silicon Carbide Using Ion Implant Channeling and Silicon Carbide Devices Including Buried Junctions

Номер патента: US20170084700A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing thereof, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11201218B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: WO2015013628A2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: US09484413B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Preparation method of crystalline silicon film based on layer transfer

Номер патента: US09502240B2. Автор: Wei Zhang,Cong Wang,Xiaoyuan Chen,Hui Yang,Dongfang Liu,Linfeng LU. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of preparing a silicon carbide wafer

Номер патента: EP4214741A2. Автор: Michael Cooke,Andrew Newton,Samantha MAZZAMUTO,Matthew LOVEDAY. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Fabrication of a high temperature silicon carbide transistor device

Номер патента: US11823899B1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Aysanew Abate. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240088258A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7508000B2. Автор: Bart J. Van Zeghbroeck,John T. Torvik. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Methods of fabricating silicon carbide power devices by at least partially removing an n-type silicon carbide substrate, and silicon carbide power devices so fabricated

Номер патента: EP2149154A2. Автор: Mrinal Kanti Das,Matthew Donofrio,Qingchun Zhang,John M. Clayton, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9040402B2. Автор: Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro,Masahide Goto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US11682553B2. Автор: Hasan Naser. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893177B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of Forming Semiconductor Devices in a Layer of Epitaxial Silicon Carbide

Номер патента: US20230361196A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: Infineon Techmologies Ag. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide device with compensation region and method of manufacturing

Номер патента: US11764063B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Romain Esteve,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09923062B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device including forming a protective film with a 2-layer structure comprised of silicon and carbon

Номер патента: US09748149B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09466675B2. Автор: Chikayuki Okamoto,Tomihito Miyazaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods for silicon carbide gate formation

Номер патента: US20230207638A1. Автор: Yi Zheng,Er-Xuan Ping. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods of forming power semiconductor devices using boule-grown silicon carbide drift layers and power semiconductor devices formed thereby

Номер патента: CA2542704A1. Автор: Calvin H. Carter, Jr.,Michael James Paisley,Joseph John Sumakeris,Hudson McDonald Hobgood,Jason Ronald Jenny,Valeri Fedorovich Tsvetkov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-06.

Silicon carbide mosfet device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234536A9. Автор: Hui Chen,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Silicon carbide semiconductor apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US09490338B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Seiji Suzuki,Kazuhiro Adachi,Kenji Fukuda,Shinsuke Harada,Tsutomu Yatsuo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods of forming power semiconductor devices using boule-grown silicon carbide drift layers and power semiconductor devices formed thereby

Номер патента: EP1683201A1. Автор: Michael James Paisley,Joseph John Sumakeris,Hudson McDonald Hobgood,Jason Ronald Jenny,Jr. Calvin H. Carter,Valeri Fedorovich Tsvetkov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-07-26.

Methods of forming uniformly doped deep implanted regions in silicon carbide and silicon carbide layers including uniformly doped implanted regions

Номер патента: US20230420575A1. Автор: Steven Rogers,Edward Robert Van Brunt,Rahul R. Potera. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20150311076A1. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Carbon Based Contact Structure for Silicon Carbide Device Technical Field

Номер патента: US20170309720A1. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-26.

Method of fabricating silicon carbide material

Номер патента: US20220024773A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258424A1. Автор: Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140299886A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09922822B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793357B2. Автор: Hiroshi Kono,Yoichi Hori,Atsuko Yamashita,Tomohiro Nitta,Kohei MORIZUKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09640610B2. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Method of fabricating silicon carbide ingot

Номер патента: US20240271322A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10186575B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Ryoji Kosugi,Hidenori Koketsu,Shiyang Ji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793376B2. Автор: Toshimasa Yamamoto,Jun Morimoto,Yukihiko Watanabe,Narumasa Soejima,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11735654B2. Автор: Shuhei Mitani,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Yusuke Yamashita,Aiko KAJI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Silicon carbide material

Номер патента: US20240359991A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09490328B2. Автор: Koji Fujisaki,Takashi Takahama,Keisuke Kobayashi,Naoki Tega. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11264240B2. Автор: Haruo Nakazawa,Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: EP4179575A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Schottky barrier structure for silicon carbide (SiC) power devices

Номер патента: US09960247B2. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Bochao Huang,Da Teng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716157B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide-based electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12051731B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Fabrizio Roccaforte,Patrick FIORENZA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Method of forming trenches

Номер патента: US12033891B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming trenches

Номер патента: US09728501B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of forming metal line of inductor

Номер патента: US20100038341A1. Автор: Ki-Jun Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-02-18.

Method of preventing trench distortion

Номер патента: US09741614B1. Автор: Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide using a feed material including a surface layer containing a polycrystalline silicon carbide with a 3C crystal polymorph

Номер патента: US09725822B2. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for forming trench isolation using a gas cluster ion beam growth process

Номер патента: WO2010090903A2. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2010-08-12.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Substrate material for mounting a semiconductor device, substrate for mounting a semiconductor device, semiconductor device, and method of producing the same.

Номер патента: MY139560A. Автор: Makoto Imamura,Akira Fukui,Yoshishige Takano,Yoshiyuki Hirose,Shinichi Yamagata,Takatoshi Takikawa,Yugaku Abe. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2009-10-30.

Substrate material for mounting a semiconductor device substrate for mounting a semiconductor devicesemiconductor device and method of producing the same

Номер патента: SG63717A1. Автор: Makoto Imamura,Akira Fukui,Yoshishige Takano,Yoshiyuki Hirose,Shinichi Yamagata,Takatoshi Takikawa,Yugaku Abe. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of forming stressed semiconductor layer

Номер патента: US09543214B2. Автор: Pierre Morin,Olivier Nier,Denis Rideau,Emmanuel Josse,Elise Baylac. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-10.

Substrate, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490132B2. Автор: Keiji Ishibashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Relaxed semiconductor layers with reduced defects and methods of forming the same

Номер патента: US09773906B2. Автор: Christopher Bowen,Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Ganesh Hedge. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods of forming air gaps in metallization layers on integrated circuit products

Номер патента: US09768058B2. Автор: Christian Witt,Qiang Fang,Zhiguo Sun. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of concurrently forming source/drain and gate contacts and related device

Номер патента: US09837402B1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of co-integration of strained silicon and strained germanium in semiconductor devices including fin structures

Номер патента: US09735160B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing a silicon-carbide-based semiconductor structure and intermediate composite structure

Номер патента: US20240145294A1. Автор: Gweltaz Gaudin,Hugo BIARD. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-05-02.

Microelectrode array unit having liquid crystal polymer, and method of making said unit

Номер патента: RU2488914C2. Автор: Сун Джун КИМ,Сеун Воо ЛИ,Чоон Джае ЛИ,Соонкван АН. Владелец: Нуро Био-Системз Корп.. Дата публикации: 2013-07-27.

Method of depositing a silicon dioxide-comprising layer in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming trench isolation in the fabrication of integrated circuitry, Method of depositing silicon dioxide-comprising layers in the fabrication of integrated circuitry, and methods of forming bit line over capacitor arrays of memory cells

Номер патента: US20060160375A1. Автор: Gurtej Sandhu,Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Methods of depositing silicon dioxide comprising layers in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming trench isolation, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US7053010B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Weimin Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Method of forming via hole, array substrate and method of forming the same and display device

Номер патента: US20180233379A1. Автор: Zhidong Yuan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of semiconductor fabrication with height control through active region profile

Номер патента: US09978652B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

FinFET device and method of forming

Номер патента: US09837539B1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth

Номер патента: US4946547A. Автор: John A. Edmond,Hua-Shuang Kong,John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1990-08-07.

Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth

Номер патента: WO1991006116A1. Автор: John A. Edmond,Hua-Shuang Kong,John W. Palmour. Владелец: Cree Research, Inc.. Дата публикации: 1991-05-02.

Epitaxial structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230360909A1. Автор: Po-Jung Lin,Han-Zong Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Epitaxial structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230360910A1. Автор: Po-Jung Lin,Han-Zong Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of forming a deep trench in Semiconductor device

Номер патента: KR101147383B1. Автор: 박근주. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-05-23.

Methods of forming bulb-shaped trenches in silicon

Номер патента: US9117759B2. Автор: Cheng-Shun Chen,Sanjeev Sapra,Sheng-Wei Yang,Hung-Ming Tsai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-25.

Method of forming shallow trench

Номер патента: US6514817B1. Автор: Yung-Ching Wang,Nien-Yu Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Method of forming deep trench and deep trench isolation structure

Номер патента: US20170110409A1. Автор: Shih-Chi Kuo,Tsung-Hsien Lee,Fu-Chiang KUO,Ying-Hsun CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Method of forming deep trench and deep trench isolation structure

Номер патента: US09659874B2. Автор: Shih-Chi Kuo,Tsung-Hsien Lee,Fu-Chiang KUO,Ying-Hsun CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100167493A1. Автор: Keiji Sakamoto,Takashi Ogura,Masashige Moritoki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Damascene manufacturing process capable of forming borderless via

Номер патента: US6077770A. Автор: Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Methods of forming varying depth trenches in semiconductor devices

Номер патента: US20130217173A1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Howard E. Rhodes,Hsin-Chih Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Method of forming a deep trench in semiconductor device

Номер патента: KR100708941B1. Автор: 박근주. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-04-17.

Method of forming a deep trench in Semiconductor device

Номер патента: KR101167195B1. Автор: 박근주. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-07-31.

Methods of forming varying depth trenches in semiconductor devices

Номер патента: TWI502734B. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Howard E Rhodes,Hsin Chih Tai. Владелец: Omnivision Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of Controlling Critical Dimensions of Trenches in a Metallization System of a Semiconductor Device During Etch of an Etch Stop Layer

Номер патента: US20120028376A1. Автор: Johann Steinmetz,Mohammed Radwan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of forming trench cut

Номер патента: US09490136B1. Автор: Chia-Tien Wu,Yung-Hsu WU,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods of fabricating voltage breakdown resistant monocrystalline silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US5635412A. Автор: Bantval J. Baliga,Dev Alok. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1997-06-03.

Structures, lithographic mask forming solutions, mask forming methods, field emission display emitter mask forming methods, and methods of forming plural field emission display emitters

Номер патента: US20020006557A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductive substrate processing methods and methods of processing a semiconductive substrate

Номер патента: US20030022076A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Method of forming microcrystalline silicon-containing silicon carbide film

Номер патента: US5021103A. Автор: Yoshihiro Hamakawa,Hiroaki Okamoto,Yutaka Hattori. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1991-06-04.

Sublimation growth of silicon carbide crystals

Номер патента: EP1143493A2. Автор: Charles Eric Hunter,Robert F. Davis,Calvin H. Carter Jr.. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2001-10-10.

Method of Forming a Transistor, Method of Patterning a Substrate, and Transistor

Номер патента: US20160093706A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of forming a transistor, method of patterning a substrate, and transistor

Номер патента: US09954068B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09368345B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Technique for Forming Cubic Silicon Carbide and Heterojunction Silicon Carbide Device

Номер патента: US20240047207A1. Автор: Hans Weber,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Andreas Voerckel,Christian Zmoelnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods of forming graphene contacts on source/drain regions of FinFET devices

Номер патента: US09972537B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming a layer of silicon carbide on a silicon wafer

Номер патента: US20070101928A1. Автор: Andre Leycuras. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2007-05-10.

Silicon carbide epitaxy

Номер патента: US09520285B2. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150079758A1. Автор: Toshifumi NISHIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Electronic devices comprising silicon carbide materials

Номер патента: US20240332002A1. Автор: Santanu Sarkar,Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing silicon carbide structure

Номер патента: US8865519B2. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Methods of forming layers over substrates; and methods of forming trenched isolation regions

Номер патента: US20040266197A1. Автор: Demetrius Sarigiannis,Cem Basceri,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of forming silicon layer in manufacturing semiconductor device and recording medium

Номер патента: US09941119B2. Автор: Kotaro Murakami,Atsushi Moriya,Yugo Orihashi,Naoharu Nakaiso. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US09631296B2. Автор: Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi,Tsutomu Hori,Naoki Ooi,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20150010726A1. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Semi-insulating silicon carbide monocrystal and method of growing the same

Номер патента: US09893152B2. Автор: Yu Liu,BO Wang,Gang Wang,Xiaolong Chen,Wenjun Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Longyuan Li. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US09799735B2. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Epitaxial growth method for silicon carbide

Номер патента: US20180266012A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US20160087101A1. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Hoi-sung Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for producing polycrystalline silicon carbide substrate

Номер патента: EP4421220A1. Автор: Kuniaki Yagi. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09741855B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Hoi-sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09537009B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Hoi-sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09520497B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Hoi-sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of increasing size of diamonds

Номер патента: RU2585634C1. Автор: Дмитрий Николаевич Борисенко,Сергей Константинович Брантов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2016-05-27.

Silicon carbide epitaxy

Номер патента: EP2771903A2. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2014-09-03.

Silicon carbide epitaxy

Номер патента: WO2013061047A2. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-05-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Silicon carbide wafer and method of manufacturing same

Номер патента: US12037704B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332011A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439630A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Methods of depositing an alpha-silicon-carbide-containing film at low temperature

Номер патента: US09546420B1. Автор: Scott D. Habermehl. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Capacitors for high temperature systems, methods of forming same, and applications of same

Номер патента: US20220376120A1. Автор: Pijush Kanti Ghosh,Xiangbo Meng,Rohith Allaparthi,Mirsaeid Sarollahi,Morgan Ware. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2022-11-24.

Epitaxial structure and fabrication method of epitaxial structure

Номер патента: US20240304442A1. Автор: Po-Jung Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Substrates and methods of fabricating epitaxial silicon carbide structures with sequential emphasis

Номер патента: WO2011022520A1. Автор: LI Wang,Fred Kong,Leonie Hold,Sima Dimitrijev,Jisheng Han,Alan Iacopi,Herbert Barry Harrison,Philip Tanner. Владелец: Qs Semiconductor Australia Pty Ltd.. Дата публикации: 2011-02-24.

Method of forming cavity based on deep trench erosion

Номер патента: US20200243342A1. Автор: Changfeng Xia,Xinwei Zhang,Guoping ZHOU,Jiale SU. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of forming a trench using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: US09768273B2. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09431406B1. Автор: Yao-Fu Chan,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Buffer layer on silicon carbide substrate, and method for forming buffer layer

Номер патента: US20230118623A1. Автор: Xiang Li,Xuanjie Liu,Zhiping Xie,Maojie CONG,Zhiguo KAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2023-04-20.

Silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US20240136403A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of producing high quality silicon carbide crystal in a seeded growth system

Номер патента: US09790619B2. Автор: Valeri F. Tsvetkov,Adrian Powell,Robert Tyler Leonard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09691609B2. Автор: Kotaro Murakami,Atsushi Moriya,Yugo Orihashi,Naoharu Nakaiso. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods of forming electronic devices comprising silicon carbide materials

Номер патента: US12027363B2. Автор: Santanu Sarkar,Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US20240234509A9. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Insulating film and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20020153565A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takeshi Fukuda,Hiroshi Uehara,Mitsunori Sakama,Yukiko Uehara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of forming buffer architecture (versions) and microelectronic structure formed thus

Номер патента: RU2468466C2. Автор: Манту К. ХАДЕЙТ,Питер Г. ТОЛЧИНСКИ,Лорен А. ЧОУ,Дмитрий ЛОУБЫЧЕВ,Жоэль М. ФАСТЕНО,Ами В.К. ЛИУ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2012-11-27.

Construction Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming An Elevationally-Extending Conductor Laterally Between A Pair Of Structures

Номер патента: US20190139893A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of forming shape on mask based on deep learning, and mask manufacturing method using the method of forming the shape on mask

Номер патента: US11747721B2. Автор: Mincheol Kang,Useong KIM,Woojoo SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Polycrystalline silicon carbide substrate with density gradient and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439628A1. Автор: Carlo Riva,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Methods of forming vertical memory strings, and methods of forming vertically-stacked structures

Номер патента: US09627550B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Processing method of substrate and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US09552984B2. Автор: Ryoji Kanri,Atsushi Hiramoto,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09466612B2. Автор: Jung Ho Kim,Dongwoo Kim,Yong-Hoon Son,Daehyun Jang,Myoungbum Lee,Kihyun Hwang,Sangryol Yang,Ju-Eun Kim,Sunghae Lee,JinGyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

FinFET device structure and methods of making same

Номер патента: US09379220B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Cheng-Han Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Eric Chih-Fang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of obtaining epitaxial layer of binary semiconductor material on monocrystalline substrate by organometallic chemical vapour deposition

Номер патента: RU2548578C2. Автор: Валерий Анатольевич Буробин,Андрей Владимирович Зверев,Алексей Андреевич Арендаренко. Владелец: Алексей Андреевич Арендаренко. Дата публикации: 2015-04-20.

Preparation method of additive with positive pyramid structure for N-type monocrystalline silicon

Номер патента: CN111394797A. Автор: 彭晓晨. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-10.

Method of forming trenches with different depths

Номер патента: US09779984B1. Автор: Mei-Yun Wang,Chao-Hsun Wang,Hsien-Cheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Trench isolation and method of fabricating trench isolation

Номер патента: US20090045468A1. Автор: James Spiros Nakos,Terence Blackwell Hook,Jeffrey Bowman Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Method of forming trenches

Номер патента: US20160358813A1. Автор: Chin-Lung Lin,Yi-Hsiu Lee,Harn-Jiunn Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Methods of forming alternative channel materials on a non-planar semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09627245B2. Автор: Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US8907423B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US20130087854A1. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12020935B2. Автор: Koichi Nishi,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607841B2. Автор: Hyojoong Kim,Songha Oh,Changgoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits

Номер патента: US09490169B2. Автор: Helmut Hagleitner,Zoltan Ring,Scott Thomas Sheppard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of forming trench in semiconductor device

Номер патента: US20050009264A1. Автор: Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of forming semiconductor devices

Номер патента: US20100144113A1. Автор: Soo Jin Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-10.

Standard cell device and method of forming an interconnect structure for a standard cell device

Номер патента: US20200328109A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070259507A1. Автор: Satoshi Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Double Patterning Method Of Forming Semiconductor Active Areas And Isolation Regions

Номер патента: US20150206788A1. Автор: Chien-Sheng Su,Jeng-Wei Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US20130183807A1. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US9012301B2. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Devices with backside metal structures and methods of formation thereof

Номер патента: US09960076B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Iris Moder,Thomas Christian Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of forming a protection layer on an isolation region of IC products comprising FinFET devices

Номер патента: US09876077B1. Автор: Christopher M. Prindle,Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming metal interconnection

Номер патента: US09613856B1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Tz-Jun Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Methods of etching trenches into silicon of a semiconductor substrate

Номер патента: US09524875B2. Автор: Krupakar M. Subramanian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180151410A1. Автор: Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Hybrid interconnects and method of forming the same

Номер патента: US09748173B1. Автор: Chih-Chao Yang,Conal E. Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices having a convex active region and methods of forming the same

Номер патента: US7544565B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Won-Cheol Jeong,Yong-Sik Yim,Dong-Hwa Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-09.

Method of forming composite opening and method of dual damascene process using the same

Номер патента: SG145607A1. Автор: Hong Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-09-29.

Method of forming metal interconnection

Номер патента: US09972529B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Tz-Jun Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing a semiconductor device with an isolation region and a device manufactured by the method

Номер патента: US09793348B2. Автор: Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-17.

Structure and method of producing isolation with non-dopant implantation

Номер патента: SG150429A1. Автор: Lindsay Richard,Lee Yong Meng,Manfred Eller. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US8753955B2. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-17.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Isolation structure of semiconductor and method of forming the same

Номер патента: US20210376074A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Vertical devices and methods of forming

Номер патента: US09356095B2. Автор: Marcello Mariani,Andrea Filippini,Luca Ferrario. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Methods of forming buried bit line DRAM circuitry

Номер патента: US20070087498A1. Автор: Michael Westphal,Ann Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Methods of electrically contacting to conductive plugs, methods of forming contact openings, and methods of forming dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20010012657A1. Автор: Martin Roberts,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US6201291B1. Автор: Srdjan Kordic,Mareike K. Klee,Wilhelm A. Groen,Cornelis A. H. A. Mutsaers. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-03-13.

Methods of forming a through-substrate-via (TSV) and a metallization layer after formation of a semiconductor device

Номер патента: US09917009B2. Автор: Daniel Smith,Maxwell Lippitt,Vimal Kumar Kamineni,Himani Suhag Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of providing electrical interconnect between two layers within a silicon substrate, semiconductor apparatus, and method of forming apparatus for testing semiconductor circuitry for operability

Номер патента: US5419807A. Автор: Salman Akram,Warren M. Farnworth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-05-30.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Methods of forming contacts,methods of contacting lines,methods of operating integrated circuitry , and integrated circuits

Номер патента: US20020016053A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Robert Kerr,Luan C. Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of forming contacts, methods of contacting lines, methods of operating integrated circuitry, and integrated circuits

Номер патента: US20030075810A1. Автор: Robert Kerr,Tyler Lowrey,Luan Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Method of forming a silicide interconnect over a silicon comprising substrate and method of forming a stack of refractory metal nitride over refractory metal silicide over silicon

Номер патента: US20010014532A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO1999030363A3. Автор: Srdjan Kordic,Cornelis Adrianus Hen Mutsaers,Wilhelm Albert Groen,Mareike Katharine Klee. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-08-26.

Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein

Номер патента: SG152150A1. Автор: Zuo Biao,LUN Zhao,PARK Jae Eon,Richard Anthony Conti,William C Wille,Johnny Widodo,Kim Jun Jung,Kim Joo Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-29.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09870990B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09466531B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method to form trench structure for replacement channel growth

Номер патента: US09401310B2. Автор: Ying Zhang,Hua Chung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Method of reparation of cadmium sulfide films on a monocrystalline silicon

Номер патента: RU2651212C1. Автор: Виктор Николаевич Семенов,Александр Владимирович Наумов,Светлана Юрьевна Васильева,Анастасия Валерьевна Сергеева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2018-04-18.

Construction of thin-film solar module and method of its manufacture

Номер патента: RU2648341C2. Автор: Евгений Иванович Теруков,Александр Вячеславович Семенов,Алексей Валерьевич Кукин,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ". Дата публикации: 2018-03-23.

Method of producing light-absorbing silicon structure

Номер патента: RU2600076C1. Автор: Александр Васильевич Бобыль,Алексей Викторович Нащекин,Сергей Евгеньевич Никитин,Екатерина Евгеньевна Терукова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2016-10-20.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Charge accumulator, method of its manufacturing, method for manufacturing of electroconductive structure for charge accumulator, mobile electronic device using charge accumulator and microelectronic device containing charge accumulator

Номер патента: RU2553981C2. Автор: Дональд С. ГАРДНЕР,Эрик К. ХАННА,Джон Л. ГУСТАФСОН,Жун ЧЭН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-20.

Method of forming a double-layer light-absorbing electroconductive structure

Номер патента: RU2714273C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Андрей Андреевич Петров,Сергей Анатольевич Фатеев,Алексей Борисович Тарасов,Николай Андреевич Белич,Алексей Юрьевич Гришко,Наталья Николаевна Шлёнская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Method of manufacturing a chip package

Номер патента: US20200161182A1. Автор: Hung-Wen Lin,Chien-Chih Lai. Владелец: Comchip Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US09818699B2. Автор: Bongchan Kim,Young-ja KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of forming electric heating element by method of plasma sputtering metal and/or metal oxide matrix

Номер патента: RU2383956C2. Автор: Джефри БОРДМАН. Владелец: 2Д Хит Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Aluminum composite material of low-thermal expansion and high-thermal conductivity and method of producing same

Номер патента: US6077327A. Автор: Satoshi Fukui,Shigeyuki Hamayoshi,Kenichiro Shimizu,Masahiko Ohshima. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190123158A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Method of forming hexagonal silicon phase by implanting krypton ions in a film of silicon oxide on a monocrystalline silicon wafer

Номер патента: RU2710479C1. Автор: Давид Исаакович Тетельбаум,Алексей Николаевич Михайлов,Дмитрий Сергеевич Королев,Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин,Валерий Константинович Васильев,Алёна Андреевна Никольская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-12-26.

Methods for forming trench structures in substrates

Номер патента: US12125714B2. Автор: Taichou Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US7696043B2. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of surface modification of silicon carbide crystals

Номер патента: RU2745736C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2021-03-31.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device by Plasma Doping

Номер патента: US20170062587A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-02.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Method of processing surface of silicon carbide plates in low-temperature inductively coupled plasma

Номер патента: RU2708812C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Артём Арменакович Осипов,Екатерина Вячеславовна Ендиярова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2019-12-11.

Method of forming a buried plate

Номер патента: EP1005080A3. Автор: Paul Wensley,Guenther Koffler. Владелец: Siemens PLC. Дата публикации: 2005-12-14.

Method of manufacture of elastic elements of micromechanical sensors

Номер патента: RU2648287C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2018-03-23.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor constructions, methods of forming semiconductor constructions, and methods of recessing materials within openings

Номер патента: US20080169504A1. Автор: David K. Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190214288A1. Автор: Cheng-Chi Wang,Chin-Lung Ting,Chia-Chieh FAN,Ming-Tsang Wu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583610B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027590B2. Автор: Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of fabricating silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US5907783A. Автор: Jin-Hyoung Kim,Kyoon-Hyoung Kim,Han-Sub Yoon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-25.

Singulation of silicon carbide semiconductor wafers

Номер патента: US20240234155A1. Автор: Aira Lourdes VILLAMOR. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method of forming channels in a heat-exchanging device

Номер патента: WO2004083759A2. Автор: Mark McMaster,James Lovette,Thomas W. Kenny, Jr.. Владелец: Cooligy, Inc.. Дата публикации: 2004-09-30.

Method of forming epitaxial array of monocrystalline nanoislands of silicon on sapphire substrate in vacuum

Номер патента: RU2600505C1. Автор: Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2016-10-20.

Method for gas-phase carbidisation of surface of monocrystalline silicon of orientation (111), (100)

Номер патента: RU2578104C1. Автор: Владислав Андреевич Кондрашов,Владимир Кириллович Неволин,Константин Анатольевич Царик. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-03-20.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240258428A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20210119034A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method of making micromechanical elastic elements

Номер патента: RU2601219C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2016-10-27.

Silicon carbide Schottky diode and method of making the same

Номер патента: US20070293001A1. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Chip Integration Tech Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of forming a submicron t-shaped gate

Номер патента: RU2724354C1. Автор: Евгений Викторович Ерофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-06-23.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Silicon fixtures for supporting wafers during thermal processing and method of fabrication

Номер патента: EP1297558A2. Автор: Robert L. Davis,Raanan Y. Zehavi,James E. Boyle,Laurence D. Delaney. Владелец: Integrated Materials Inc. Дата публикации: 2003-04-02.

Method for producing heteroepitaxial layers of iii-n compounds on monocrystalline silicon with 3c-sic layer

Номер патента: RU2750295C1. Автор: Владимир Николаевич Стаценко,Сергей Дмитриевич Федотов,Константин Анатольевич Царик,Андрей Вадимович Бабаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ОНСИ". Дата публикации: 2021-06-25.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Fabrication method of forming silicon carbide mosfet

Номер патента: US20230261085A1. Автор: Seungchul Lee,Youngchul CHOI,Chaohsin Huang. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of fabricating a sige semiconductor structure

Номер патента: EP1716598A1. Автор: Peter Deixler,Roy Colclaser,Brian Wroblewski. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-02.

Method of plasma etching

Номер патента: US20020011464A1. Автор: Makoto Nawata,Tomoyuki Tamura,Mamoru Yakushiji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of forming electromagnetic interference shielding layer of ball grid array semiconductor package and base tape for the method

Номер патента: US09613913B2. Автор: Sung Hwan Choi,Tae Sup HAN. Владелец: Protec Co Ltd Korea. Дата публикации: 2017-04-04.

Methods of adjusting carbon and silica content in rice hull ash (rha) byproducts to control carbothermal reduction forming nanostructured silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride nanocomposites

Номер патента: EP4399180A1. Автор: Richard Laine,Mengjie Yu,Eleni TEMECHE. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-07-17.

Catalyst material and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2413406A3. Автор: Shuichi Suzuki,Makoto Morishima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-05-13.

Methods of forming biocompatible rechargable energisation elements for biomedical devices

Номер патента: RU2675797C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Шивкумар МАХАДЕВАН,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-12-25.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Photosensitive device and method of its manufacture

Номер патента: RU2685032C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Генадий Викторович Святец,Константин Павлович Котляр,Родион Романович Резник,Илья Петрович Сошников,Георгий Эрнстович Цырлин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-16.

Methods of forming trenches in packages structures and structures formed thereby

Номер патента: US20160381800A1. Автор: Pramod Malatkar,Robert Nickerson,Prasanna Raghavan,Naga Sivakumar Yagnamurthy,Huiyang FEI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Methods of forming trenches in packages structures and structures formed thereby

Номер патента: WO2016209475A1. Автор: Pramod Malatkar,Robert Nickerson,Prasanna Raghavan,Naga Sivakumar Yagnamurthy,Huiyang FEI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of forming trench semiconductor device having multiple trench depths

Номер патента: US09859449B2. Автор: Mohammed Tanvir Quddus,Michael Thomason,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180047821A1. Автор: Shinya Iwasaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor component that includes a clamping structure and method of manufacturing the semiconductor component

Номер патента: US09917184B2. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Cathodo-/electro-luminescent device and method of fabricating a cathodo-/electro-luminescent device using porous silicon/porous silicon carbide as an electron emitter

Номер патента: US20030218416A1. Автор: Mohamed Hasan,Deirdre Elqaq. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHARLOTTE. Дата публикации: 2003-11-27.

Method of forming a fixed distribution of induced magnetic field in a magnetic structure formed in an integrated circuit, and an integrated circuit comprising a magnetic structure

Номер патента: RU2723233C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Евгений Викторович Данилкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2020-06-09.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Semi-insulating silicon carbide without vanadium domination

Номер патента: EP1392895A2. Автор: Stephan Mueller,Mark Brady,Calvin H. Carter, Jr.,Valeri F. Tsvetkov,Hudson M. Hobgood. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-03.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP4345908A1. Автор: ANKIT Kumar,Hungjin Kim. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-03.

Manufacturing method of semi-insulating single-crystal silicon carbide powder

Номер патента: US12098477B2. Автор: Bo-Cheng Lin,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu. Владелец: Taisic Materials Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11791358B2. Автор: Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: EP4212480A2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: US20230203707A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Trench power MOSFET in silicon carbide and method of making the same

Номер патента: US20050266623A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Yen Chuo,Yung-Chung Lee,Tsung-Ming Pan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09768300B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09548301B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Methods of forming replacement fins for a FinFET device using a targeted thickness for the patterned fin etch mask

Номер патента: US09536990B2. Автор: Bruce Doris,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of calculating thickness of graphene layer and method of measuring content of silicon carbide by using xps

Номер патента: EP3916348A1. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-01.

Method of calculating thickness of graphene layer and method of measuring content of silicon carbide by using xps

Номер патента: US20240151522A1. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices

Номер патента: CA2962602C. Автор: Ashish P. Diwanji,Andrew R. Hopkins,Walter J. Sherwood,Douglas M. Dukes,Mark S. Land,Brian L. Benac,Glenn Sandgren. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Superjunction silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing superjunction silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347587A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method of forming inductor over insulating material filled trench in substrate

Номер патента: SG185341A1. Автор: Seung Uk Yoon,YongTaek Lee,Meenakshi Padmanathan. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Sige hbt and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240304707A1. Автор: Patrick SEBEL,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-12.

A sige hbt and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4428923A1. Автор: Patrick SEBEL,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332363A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09704973B2. Автор: Ruilong Xie,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming trench semiconductor device having multiple trench depths

Номер патента: US20170288027A1. Автор: Mohammed Tanvir Quddus,Michael Thomason,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-05.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060234457A1. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Method of forming top select gate trenches

Номер патента: US12021126B2. Автор: ZHIPENG Wu,Meng Xiao,LU Zhang,Pan Wang,HUI Zhang,Hang Yin,Jingjing Geng,Kai HAN,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Metal terminal edge for semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20210091177A1. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Da Teng. Владелец: AZ Power Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194741A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7344949B2. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-18.

Method of forming top select gate trenches

Номер патента: US20240304693A1. Автор: ZHIPENG Wu,Meng Xiao,LU Zhang,Pan Wang,HUI Zhang,Hang Yin,Jingjing Geng,Kai HAN,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Conductivity modulation in a silicon carbide bipolar junction transistor

Номер патента: EP2593967A1. Автор: Martin Domeij,Benedetto Buono. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8154074B2. Автор: Takeshi Endo,Kensaku Yamamoto,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-04-10.

Methods of forming an isolated nano-sheet transistor device and the resulting device

Номер патента: US09984936B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Robinhsinku Chao,Pietro Montanini,Siva P. Adusumilli. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicon carbide single-crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing them

Номер патента: US09896781B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of utilizing a top conductive layer in isolating pixels of an image sensor array

Номер патента: US6841411B1. Автор: Ronnie P. Varghese. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-01-11.

Power semiconductor devices including a trenched gate and methods of forming such devices

Номер патента: EP4238136A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Matt N. MCCAIN,Joe Mcpherson. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Method of joining electrical and mechanical components using laminated modular preforms

Номер патента: WO2023138902A8. Автор: Bawa Singh,Oscar Khaselev,Matthew SIEBENHUHNER,Maurizio FENECH,Andres SOCARRAS. Владелец: Setna, Rohan, P.. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide device and method of making thereof

Номер патента: US09899512B2. Автор: Peter Almern Losee,Ljubisa Dragoljub Stevanovic,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Gregory Thomas Dunne. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-02-20.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact, non-nitride buffer layer and methods of fabricating same

Номер патента: US5679965A. Автор: Jan Frederick Schetzina. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1997-10-21.

Method of forming a trench capacitor

Номер патента: US20080286934A1. Автор: Chiang-Lin Shih,Wen-Bin Wu,Jen-Jui HUANG,Kuo-Yao CHO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Manufacturing method of silicon carbide thin film for transparent solar cell

Номер патента: US20240120433A1. Автор: Jae Kwang YOON,Chan Uk JON,Jun Yong Bak. Владелец: ARCHE Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110266634A1. Автор: Hae-Jung Lee,Yong-Tae Cho,Eun-Mi Kim,Kyeong-Hyo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Tunnel junction field effect transistors having self-aligned source and gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US09356129B2. Автор: Saptharishi Sriram,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10269910B2. Автор: Shinya Iwasaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20020045313A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20010001489A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Methods of forming capacitors, methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: EP1589575A3. Автор: Tyler A Lowrey,Luan C Tran,D Mark Durcan,Alan R Reinburg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8618555B2. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Hideo Matsuki,Masahiro Sugimoto,Jun Morimoto,Naohiro Suzuki,Yukihiko Watanabe,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-12-31.

A method of forming nano-patterns on a substrate

Номер патента: SG11201901931UA. Автор: Arseniy KUZNETSOV,Yefeng YU,Kwang Wei Joel Yang,Zhaogang DONG,Ramon Paniagua-Dominguez. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2019-04-29.

Self-aligned silicon carbide semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: NZ549359A. Автор: Igor Sankin,Janna B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Method of Forming Bump, Method of Forming Image Sensor Using the Method, Semiconductor Chip and the Sensor so Formed

Номер патента: US20070105360A1. Автор: Jong-Wook Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of producing different types of silicon carbide surface morphology

Номер патента: RU2724142C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-06-22.

Vacuum arc method of coating application

Номер патента: RU2685913C1. Автор: Владимир Васильевич Береговский,Дмитрий Владимирович Духопельников,Михаил Константинович Марахтанов,Светлана Александровна Щуренкова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Центральный научно-исследовательский институт технологии машиностроения", АО "НПО "ЦНИИТМАШ". Дата публикации: 2019-04-23.

Method of obtaining intermetallic anti-emissive coating

Номер патента: RU2643851C2. Автор: Александр Сергеевич Киселев,Александр Аркадьевич Лисенков,Дмитрий Константинович Кострин,Ангелина Николаевна Семенова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2018-02-06.

Composition and method of producing material which absorbs electromagnetic radiation

Номер патента: RU2707656C1. Автор: Ольга Викторовна Казьмина,Валерия Игоревна Семенова,Валентин Иванович Сусляев,Кирилл Валерьевич Дорожкин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-11-28.

Method of forming magnetic tunnel junction device

Номер патента: RU2461082C2. Автор: Ся ЛИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-09-10.

Method of producing composite electric contact material of cu-sic

Номер патента: RU2739493C1. Автор: Александр Сергеевич Рогачев,Дмитрий Олегович Московских,Андрей Александрович Непапушев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2020-12-24.

Method of forming insulated electric conductor

Номер патента: RU2648996C2. Автор: Аллан Рой ГЕЙЛ,Ларри Дин ЭЛИ,Клей Уэсли МАРАНВИЛЛ,Джон Мэттью ДЖИНДЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of forming direction finding radiation patterns in a circular electronic scanning antenna

Номер патента: RU2680729C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2019-02-26.

Hot surface igniters and methods of making same

Номер патента: US09951952B2. Автор: Craig Andrew Willkens,Frederick Taylor Fernandez. Владелец: Specialized Component Parts Ltd Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of transverse pumping of working medium of laser

Номер патента: RU2714781C1. Автор: Сергей Григорьевич Гаранин,Григорий Николаевич Качалин,Станислав Михайлович Куликов,Станислав Александрович Сухарев,Николай Александрович Кирдяев,Кирилл Викторович Комаров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-02-19.

Method of forming differential direction diagrams in antennas of circular electronic scanning

Номер патента: RU2680732C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2019-02-26.

Method of forming a transmitting and receiving radiation pattern in an antenna of circular electronic scanning

Номер патента: RU2714533C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2020-02-18.

Method of forming elliptical direction diagram for active phased antenna array

Номер патента: RU2642515C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Александр Федотович Крячко,Таджидин Экберович Саркаров,Александр Сергеевич Шкурко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-25.

Method of forming relief from electronic or photonic material

Номер патента: RU2495515C2. Автор: Хеннинг ЗИРРИНГХАУС,Цзуй-Фэнь ЧАН. Владелец: Кембридж Энтерпрайз Лимитед. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of forming parameters of electric signals for digital electrical substations and device for its implementation

Номер патента: RU2706723C1. Автор: Ильдар Ахатович Гиниятуллин,Глеб Борисович Гублер. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие Марс-Энерго". Дата публикации: 2019-11-20.

Method of forming a laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers, and method of forming a substrate-attached laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers

Номер патента: US9732439B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of producing polyimide composite fibre based on carbon reinforced by nanostructured silicon carbide

Номер патента: RU2644906C2. Автор: Виталий Сергеевич Иванов,Антон Сергеевич Егоров,Алена Игоревна Возняк,Ксения Валерьевна Царькова,Алексей Вячеславович Антипов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ИРЕА). Дата публикации: 2018-02-14.

Method of making thermal-shock resistant molded articles on the basis of silicon carbide

Номер патента: US4514346A. Автор: Hartmut Luhleich,Francisco J. Dias. Владелец: Kernforschungsanlage Juelich GmbH. Дата публикации: 1985-04-30.

Method of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices

Номер патента: US3634149A. Автор: Wilhelmus Francisc Knippenberg,Gerrit Verspui. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-01-11.

Method of and apparatus for the drawing of bars of monocrystalline silicon

Номер патента: CA1241257A. Автор: Eduard Pinkhasov. Владелец: Wedtech Corp. Дата публикации: 1988-08-30.

Method of producing silicon carbide sintered body for heater

Номер патента: US20070117722A1. Автор: Toshikazu Shinogaya,Fumio Odaka,Mari Miyano. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Comb MEMS Device and Method of Making a Comb MEMS Device

Номер патента: US20170073213A1. Автор: Alfons Dehe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-16.

Comb MEMS device and method of making a comb MEMS device

Номер патента: US09487386B2. Автор: Alfons Dehe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of producing a conductive silicon carbide-based sintered compact

Номер патента: AU7288596A. Автор: Helmut Schmidt,Mesut Aslan,Rüdiger Nass. Владелец: Leibniz Institut fuer Neue Materialien Gemeinnuetzige GmbH. Дата публикации: 1997-04-30.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240237195A1. Автор: Chung-Jyh Lin,Ker-Yih Kao,Chin-Ming Huang,Chien-Lin Lai. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

A Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240098982A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies, Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of formation of microstructural devices with cross-metalized holes on single crystalline silicon surface

Номер патента: RU2676240C1. Автор: Игорь Петрович Смирнов,Александр Александрович Тевяшов,Елена Владимировна Ветрова,Андрей Владимирович Капустян. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2018-12-26.

Method of forming common secret key of two remote subscribers

Номер патента: RU2719554C1. Автор: Дмитрий Николаевич Молдовян. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2020-04-21.

Streaming dot pattern, method of forming streaming dot pattern, method for information input/output using streaming dot pattern and dot pattern

Номер патента: RU2568308C2. Автор: Кенджи ЙОШИДА. Владелец: Кенджи ЙОШИДА. Дата публикации: 2015-11-20.

Hinged MEMS diaphragm, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09906869B2. Автор: Ronald N. Miles,Weili Cui. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of making bulk metallic glass from powder and foils

Номер патента: US20180080109A1. Автор: Naoto Matsuyuki,Yoshihiko Yokoyama,Theodore A. Waniuk. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

A method of providing a marking to a solid-state material, markings formed from such a method and solid-state materials marked according to such a method

Номер патента: WO2022127759A9. Автор: Jianxing Huang,Yingnan WANG. Владелец: GOLDWAY TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2022-10-13.

The wet chemical method of uniform inverted pyramid matte is prepared in monocrystalline silicon surface

Номер патента: CN105070772B. Автор: 孙霞,符黎明,杨立功. Владелец: Changzhou Shichuang Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of producing nozzles in monocrystalline silicon wafer

Номер патента: CA1037519A. Автор: Ernest Bassous. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-08-29.

Method of depositing aluminium oxide coating on silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2468361C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ,Пьер БЕРТРАН,Себастьен ЛЮКА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-27.

Nozzles formed in monocrystalline silicon

Номер патента: US3921916A. Автор: Ernest Bassous. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-11-25.

Ceramic element for packing and method of forming layer of packing elements

Номер патента: RU2281156C2. Автор: Томас Жимански,Хассан С. НИКНАФС,Ричард Н. РОБИНЕТТ,Стивен Л. ДАХАР,Джон РЕЙД. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of incorporating carbon nanotubes in a medical appliance, a carbon nanotube medical appliance, and a medical appliance coated using carbon nanotube technology

Номер патента: WO2006052538A3. Автор: Shrirang V Ranade. Владелец: Shrirang V Ranade. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of forming silicon carbide film on aluminum nitride, film structure and silicon carbide film

Номер патента: US6617059B1. Автор: Hiromichi Kobayashi,Hirotake Yamada,Hiroshi Furukubo. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-09-09.

Composite material (variants) and method or preparing thereof, method of treating fibrous semi-finished product (variants)

Номер патента: RU2176628C2. Автор: Сэй-Куин ЛАУ,Салаваторе Дж. КАЛАНДРА,Роджер В. ОНСОРГ. Владелец: Сент-Гобэн Индастриал Керамикс, Инк.. Дата публикации: 2001-12-10.

Method of coating silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2466116C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Себастьян ЛЮКА,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-10.

Method of treating joint in ceramic assembly

Номер патента: US09868276B2. Автор: Paulo Gaspar Jorge Marques,Khaled LAYOUNI,Yanxia Ann Lu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Seed material for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon

Номер патента: US09447517B2. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of producing composite material with metal matrix

Номер патента: RU2536847C2. Автор: Изабелль БУРЕШ,Вернер КРЕММЕР. Владелец: Виланд-Верке Аг. Дата публикации: 2014-12-27.

System For Producing Patterned Silicon Carbide Structures

Номер патента: US20120321854A1. Автор: Joel M. Therrien,Daniel F. SCHMIDT. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2012-12-20.

Complex structures in refractory bodies and methods of forming

Номер патента: US20180010718A1. Автор: Paulo Gaspar Jorge Marques. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Complex structures in refractory bodies and methods of forming

Номер патента: EP2785446A1. Автор: Gaspar Paulo Jorge Marques. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-10-08.

Complex structures in refractory bodies and methods of forming

Номер патента: US09714729B2. Автор: Paulo Gaspar Jorge Marques. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Apparatus for producing bulk silicon carbide

Номер патента: US20210087706A1. Автор: Santhanaraghavan Parthasarathy,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Sealing method for silicon carbide parts used at high temperatures

Номер патента: US09702490B2. Автор: Nicolas Leblond,Mehrdad Mahmoudi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Bulk silicon carbide having low defect density

Номер патента: US09512542B2. Автор: Parthasarathy Santhanaraghavan,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of preparing silicon carbide powder comprising converting a liquid SiC precursor to a B-phase SiC particulate material

Номер патента: US09551086B2. Автор: Kyoung Seok MIN. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Silicon carbide monofilaments for improved composite properties and method

Номер патента: CA2001984A1. Автор: Raymond Loszewski. Владелец: Avco Corp. Дата публикации: 1990-05-28.

Silicon carbide powder and method for manufacturing the same

Номер патента: US09534316B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han,Bum Sup Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing honeycomb structure and silicon carbide particles used for producing honeycomb structure

Номер патента: US20060154068A1. Автор: Takashi Harada,Shuichi Ichikawa,Aiko Otsuka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US09844893B2. Автор: Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Abrasive grain mixes, method of their fabrication and their use for making abrasive materials

Номер патента: RU2468907C1. Автор: Кнут ГЕБХАРДТ. Владелец: Сентер Фор Эбрейсивз Энд Рифрэкториз Рисерч Энд Девелопмент С.А.Р.Р.Д. Гмбх. Дата публикации: 2012-12-10.

Carbon nanotubes conformally coated with diamond nanocrystals or silicon carbide, methods of making the same and methods of their use

Номер патента: US09458017B2. Автор: Fabrice Piazza. Владелец: Pontificia Universidad Catolica Madre Y Maestra. Дата публикации: 2016-10-04.

Silicon carbide manufacturing device and method of manufacturing silicon carbide

Номер патента: US20080053371A1. Автор: Fusao Hirose,Masao Nagakubo,Yasuo Kitoh. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of producing structural component from composite material reinforced by fibers using formed core, and formed core

Номер патента: RU2445206C2. Автор: Торбен ЯКОБ,Йоахим ПИПЕНБРОК. Владелец: Эйрбас Оперейшинз Гмбх. Дата публикации: 2012-03-20.

Perfected method of producing composite materials

Номер патента: RU2451601C2. Автор: Бенджамин ФЭРМЕР,Марсель БАКЛИ. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Лимитед. Дата публикации: 2012-05-27.

Silicon carbide manufacturing device and method of manufacturing silicon carbide

Номер патента: US7879150B2. Автор: Fusao Hirose,Masao Nagakubo,Yasuo Kitoh. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Coloured silicon carbide

Номер патента: WO2001074951A1. Автор: Adrian John Shortland. Владелец: ALTRO LIMITED. Дата публикации: 2001-10-11.

Coloured silicon carbide

Номер патента: EP1268676A1. Автор: Adrian John Shortland. Владелец: Altro Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of forming three-dimensional images in coatings

Номер патента: RU2590880C2. Автор: Петер КЛАУТЕР,Томас ГЁТЦ. Владелец: Мерк Патент Гмбх. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of making component of fibrous composite for aircraft and space engineering

Номер патента: RU2492046C2. Автор: Кристиан НИТШ. Владелец: Эйрбас Оператионс Гмбх. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of separating discrete portion from web

Номер патента: RU2601220C2. Автор: Джеффри Алан ДЕБРО,Эрик Луис ШРЁДЕР,Кирк Джон ДЕМПСИ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of sandwiched panel assembly and shaping

Номер патента: RU2516508C2. Автор: Эндрю ЛЕВЕРС,Гари УИЛЕС. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Лимитед. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of forming nanopattern and substrate having pattern formed using the method

Номер патента: EP1999513A1. Автор: Seung-Tae Oh,Sang-Choll Han,Deok-Joo Kim,Matthias Henyk. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Carbon fiber composite coated with silicon carbide and production method for same

Номер патента: US09631067B2. Автор: Dong Jin Lee,So Youn Mun,Hyung Mi Lim,Kwang Yeon Cho. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2017-04-25.

Multi-layer fabric and its method of its manufacture

Номер патента: RU2507332C2. Автор: Роберт А. ХЭНСЕН. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of production of tight heat-resistant butts in vessel for metal and vessel with such butts

Номер патента: RU2542038C2. Автор: Роберт Брюс ВАГСТАФФ,Эрик У. РИВЗ,Джеймс Е. БОРМАН,Рэнди ВОМЭК. Владелец: Новелис Инк.. Дата публикации: 2015-02-20.

Method of making ceramics based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibres

Номер патента: RU2718682C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-04-13.

Method of producing mould from material with heat-resistant polymer matrix

Номер патента: RU2604285C2. Автор: Леонид Викторович Воронцов,Георгий Виликович Оганесов,Андрей Викторович Буянкин. Владелец: Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега". Дата публикации: 2016-12-10.

Method of obtaining articles of complex shape based on reaction-bonded silicon carbide

Номер патента: RU2735471C1. Автор: Владимир Сергеевич Зайцев,Михаил Юрьевич Русин,Наталья Александровна Голубева,Андрей Олегович Забежайлов,Илья Геннадьевич Михайлов,Максим Геннадьевич Лисаченко,Любовь Александровна Соловьёва. Владелец: Акционерное общество «Обнинское научно-производственное предприятие «Технология» им. А.Г.Ромашина». Дата публикации: 2020-11-02.

Method of producing powder containing silicon carbide and aluminum nitride from natural coal ash

Номер патента: RU2731094C1. Автор: Геннадий Яковлевич Мамонтов,Владимир Евгеньевич Губин,Александр Яковлевич Пак,Юлия Захаровна Васильева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2020-08-28.

Method of producing textile silicon carbide materials

Номер патента: RU2694340C1. Автор: Елена Иннокентьевна Истомина,Павел Валентинович Истомин,Владислав Эвальдович Грасс,Александр Вениаминович Надуткин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Коми научного центра Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of producing composite material

Номер патента: RU2687343C1. Автор: Евгений Акимович Богачев,Анатолий Николаевич Тимофеев,Иван Анатольевич Тимофеев,Юрий Евгеньевич Скуратовский,Иван Александрович Коломийцев,Алексей Яковлевич Сафонов. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит". Дата публикации: 2019-05-13.

Method of impregnation with silicon of hollow articles from porous material containing silicon carbide and device for its implementation

Номер патента: RU2623391C2. Автор: Геннадий Иванович Бабаянц,Константин Геннадьевич Бабаянц. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Керамические технологии". Дата публикации: 2017-06-26.

Method of producing an intermediate of silicon dioxide particles coated with carbon to be used in the production of silicon or silicon carbide

Номер патента: CA1156520A. Автор: Gert-Wilhelm Lask. Владелец: International Minerals and Chemical Luxembourg SA. Дата публикации: 1983-11-08.

Method of making micromechanical components

Номер патента: US5254209A. Автор: Steffen Schmidt,Hans-Peter Trah,Franz Riedinger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1993-10-19.

Method of preparing polycarbosilanes

Номер патента: CA1160393A. Автор: Takashi Kawahito,Tadashi Iwai,Masahiro Tokuse. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 1984-01-10.

Silicon wafers having controlled distribution of defects, methods of preparing the same, and czochralski pullers for manufacturing monocrystalline silicon

Номер патента: TW501177B. Автор: Jae-Gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-01.

Method of coating a component, method of forming cooling holes and a water soluble aperture plug

Номер патента: US09518317B2. Автор: Canan Uslu Hardwicke,Lawrence Matthew Levy,Cem Murat Eminoglu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-12-13.

Fuel element for pressurised water reactors and method of making said fuel element

Номер патента: RU2481654C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Людмила Михайловна Иванова,Константин Дмитриевич Демаков,Сергей Григорьевич Шемардов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2013-05-10.

Reprocessing method of manganous waste slags

Номер патента: RU2374336C1. Автор: Виктор Михайлович ЕРМОЛОВ,Александр Николаевич Серегин,Наталья Викторовна Серегина,Татьяна Павловна Москвина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный государственный научно-исследовательский институт черной металлургии им. И.П. Бардина". Дата публикации: 2009-11-27.

Crude mixture for making light concrete aggregates and method of making said aggregates

Номер патента: RU2412125C1. Автор: Владислав Алексеевич Кутолин,Валентина Алексеевна Широких,Амир Данилович Шулояков,Лев Григорьевич Бернштейн,Михаил Михайлович Лаврентьев,Надежда Ефимовна Берегова. Владелец: Закрытое акционерное общество "Интерстройпроект". Дата публикации: 2011-02-20.

Method of making nuclear reactor microfuel rods

Номер патента: RU2603358C1. Автор: Николай Викторович Морозов,Андрей Владимирович Белеевский,Игорь Евгеньевич Голубев,Андрей Анатольевич Перцев. Владелец: Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара". Дата публикации: 2016-11-27.

Method for processing of nuclear fuel containing silicone carbide and decanning of nuclear fuel particles

Номер патента: RU2447522C2. Автор: Стефан БУРГ,Фредерик ПЕРОН,Стефан БУРГ (FR),Фредерик ПЕРОН (FR). Владелец: Коммиссариат А Л`Энержи Атомик. Дата публикации: 2012-04-10.

Method of reinforcing porous ceramic articles and articles made using said method

Номер патента: RU2401821C2. Автор: Роберт Т. НИЛССОН,Робин П. ЗИЕБАРТ. Владелец: Дау Глобал Текнолоджиз Инк.. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of forming hydraulic curtain (embodiments), method of protecting fish from ingress into water intake (embodiments), method of antifouling protection (embodiments), fish-protection device, complex fish-protective device (embodiments), protective element

Номер патента: RU2697091C2. Автор: Сергей Николаевич Салиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Осанна" (ООО "Осанна"). Дата публикации: 2019-08-12.

Treatment method of wood biomass in form of combustive chips with receiving of bio-oil and wood coal and drying-retort module for treatment of wood biomass in form of combustive chips with receiving of bio-oil and wood coal

Номер патента: RU2338770C1. Автор: Владимир Николаевич Пиялкин,лкин Владимир Николаевич Пи,Юрий Николаевич Пильщиков,Сергей Анатольевич Прокопьев,Валентин Михайлович Глуховский,Алексей Яковлевич Киповский,Иль Игоревич Белоусов,Илья Игоревич Белоусов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АРС Группа". Дата публикации: 2008-11-20.

Method of identifying elastic afterworking cause, method of displaying influence of elastic afterworking, method of identifying location of elastic afterworking cause, method of identifying position of elastic afterworking preventer, devices for their implementation and programmes

Номер патента: RU2424074C2. Автор: Ясухару ТАНАКА,Тосиюки НИВА,Сеиити ДАИМАРУ,Юкихиса КУРИЯМА,Такаси АРИГА,Тору Ёсида,Сундзи ХИВАТАСИ,Сатору ОКАЯМА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-07-20.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: US09511417B2. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-12-06.

Small crystal ferrierite and method of making the same

Номер патента: RU2640072C9. Автор: Хун-синь ЛИ,Антон ПЕТУШКОВ,Уильям Е. КОРМАЙЕР. Владелец: ПиКью КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-05-30.

Method of metals extraction form oil dross

Номер патента: RU2348707C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий В чеславович Тен,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2009-03-10.

Method of forming anti-friction coating by the automated device of powder material supply in the laser processing area

Номер патента: RU2652335C1. Автор: Евгений Викторович Харанжевский,Алексей Геннадьевич Ипатов,Юлия Юрьевна Матвеева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФторКОМ". Дата публикации: 2018-04-25.

Nuclear fuel pellet and method of its production

Номер патента: RU2713619C1. Автор: Владимир Владимирович Новиков,Александр Владимирович Лысиков,Евгений Николаевич Михеев,Олег Александрович Бахтеев,Никита Александрович Дегтярев. Владелец: Акционерное Общество "Твэл". Дата публикации: 2020-02-05.

Method of forming hydraulic resistance lengthwise fish conduit and fish pass implementing the method

Номер патента: RU2245415C1. Автор: А.А. Чистяков,ков А.А. Чист. Владелец: Новочеркасская государственная мелиоративная академия НГМА. Дата публикации: 2005-01-27.

Method of producing metal parts, in which deposition of material is used, and device for realizing said method

Номер патента: RU2723496C2. Автор: Ян СМОЛИК,Иван ДИВИС,Томас ФОРМУСЕК,Франтисек КОМАРЕК,Ян МАЛЫ,Станислав ХОСНЕДЛ. Владелец: Ковосвит Мас, А.С.. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of oxidative dehydration with improved regulatibility for obtaining butadiene

Номер патента: RU2628519C2. Автор: Джозеф Г. ДАФФ,Лиана КАСИУЛА,Элизабет БАЛЛАРД,Сириша ЧАДА,Сесил Дж. МакФАРЛАНД. Владелец: ТиПиСи ГРУП ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-08-17.

Method of producing powder of uranium and molybdenum-based alloy

Номер патента: RU2586373C2. Автор: Мерил БРОТЬЕР,Жером АЛЛЕНУ,Франсуа ШАРОЛЛЕ,Ксавье ИЛТИ,Оливье ТУГЭ,Матье ПАСТЮРЕЛЬ,Анри НОЭЛЬ. Владелец: Юниверсите Де Ренн 1. Дата публикации: 2016-06-10.

Catalyst for photo-chemical reactions on base of titanium dioxide and method of production of such catalyst

Номер патента: RU2287365C2. Автор: Наталия Ивановна Ермохина,Владимир Георгиевич Ильин,Петр Андреевич Манорик,Натали Ивановна Ермохина,Валентина Ивановна Литвин,Степан Ярославович Кучмий,Александр Леонидович Строюк,Май Альбертовна Федоренко,Майя Альбертовна Федоренко,Анна Васильевна Коржак,ров Виктор Кимович Бухти,Виктор Кимович Бухтияров,Василий Михайлович Гранчак,Александр Васильевич Шульженко. Владелец: Александр Васильевич Шульженко. Дата публикации: 2006-11-20.

Method of adaptive control of active power and frequency of hydraulic unit with kaplan turbine

Номер патента: RU2531068C1. Автор: Анатолий Сергеевич Гольцов,Сергей Анатольевич Гольцов. Владелец: Сергей Анатольевич Гольцов. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of producing monocrystalline sic

Номер патента: RU2736814C1. Автор: Наталья Владимировна Андреева,Дмитрий Дмитриевич Авров,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2020-11-20.

MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SiC AND METHOD OF ITS PRODUCTION (VERSIONS)

Номер патента: RU2162902C1. Автор: Кити Танино,Кития Танино. Владелец: Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2001-02-10.

Method of growing diamond layers on monocrystalline silicon substrate

Номер патента: RU2722136C1. Автор: Сергей Константинович Брантов,Виктор Борисович Ефимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2020-05-26.

Method of making composite articles from silicon carbide

Номер патента: US20200040449A1. Автор: William F Fischer, III,Walter Wrigglesworth, III,Lauren Montgomery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: EP4414344A1. Автор: John E Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: US20240270652A1. Автор: John E. Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Method for modification of silicon carbide

Номер патента: RU2600065C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Виталий Сергеевич Лифанов,Вера Павловна Шабанова,Никита Викторович Писарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-10-20.

Silicon carbide mems structures and methods of forming the same

Номер патента: WO2006020674A1. Автор: Chien-Hung Wu,Jeffrey M. Melzak. Владелец: Flx Micro, Inc.. Дата публикации: 2006-02-23.

Method of forming bonding structure

Номер патента: NZ626984B2. Автор: Norio Matsubara,Fujio Yamazaki,Ryo Shimizu. Владелец: Fuji Bolt Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Article with silicon carbide coating and method for manufacturing of article with silicon carbide coating

Номер патента: RU2684128C1. Автор: Алексей Викторович Редьков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Александр Сергеевич Гращенко,Генадий Викторович Святец,Сергей Дмитриевич Федотов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-04.

Article from graphite with modified near-surface layer and method of modification of article surface, having base from graphite

Номер патента: RU2695423C1. Автор: Алексей Викторович Редьков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Александр Сергеевич Гращенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-07-23.

Method of applying gas-tight coating of silicon carbide

Номер патента: RU2601049C1. Автор: Владимир Николаевич Курлов,Ирина Алексеевна Шикунова,Сергей Леонидович Шикунов,Антон Евгеньевич Ершов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2016-10-27.

Method for production of silicon carbide

Номер патента: RU2747988C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2021-05-18.

Method of separate long-term storage, loading, transportation and unloading of rectangular section wooden structures for railway facilities

Номер патента: RU2741971C1. Автор: Денис Владимирович Шувалов. Владелец: Федеральное государственное казённое военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия материально-технического обеспечения им. генерала армии А.В. Хрулёва" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2021-02-01.

Method of measuring temperature

Номер патента: RU2691766C1. Автор: Андрей Николаевич Анисимов,Роман Андреевич Бабунц,Марина Викторовна Музафарова,Виктор Андреевич Солтамов,Павел Георгиевич Баранов,Анна Павловна Бундакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2019-06-18.

Method of producing metal composite material with a carbide-based disperse phase

Номер патента: RU2707055C1. Автор: Владимир Михайлович Смирнов,Борис Николаевич Семенов,Елена Георгиевна Земцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ)". Дата публикации: 2019-11-21.

Method of measuring magnetic field

Номер патента: RU2601734C1. Автор: Андрей Николаевич Анисимов,Роман Андреевич Бабунц,Марина Викторовна Музафарова,Виктор Андреевич Солтамов,Павел Георгиевич Баранов,Анна Павловна Бундакова,Данил Олегович Толмачев,Георгий Владимирович Астахов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2016-11-10.

Method of producing silicon composite material and device for producing silicon composite material

Номер патента: RU2714070C1. Автор: Такеси НАКАМУРА,Ясутомо ТАНАКА,Кодзуе АКАДЗАКИ,Ясуюки ФУКУСИМА,Кадзума АКИКУБО,Юкихиро СИМОГАКИ,Такеси МОМОСЕ,Нобору САТО,Кохеи СИМА,Юити ФУНАТО. Владелец: Дзе Юниверсити Оф Токио. Дата публикации: 2020-02-11.

Method of repairing and/or protecting a surface in a reactor

Номер патента: US09687876B2. Автор: Brad Jason Werner. Владелец: Hemlock Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for curing of green polysilazane-based silicon carbide precursor fibers

Номер патента: US09587331B2. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Ryan Christopher Mills,Matthew Hal Littlejohn,Peter Kennedy Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-03-07.

METHOD OF CONVERTING SYNTHETIC GAS INTO HYDROCARBON IN PRESENCE OF SiC BETA AND EFFLUENT, FORMED FROM THIS METHOD

Номер патента: RU2356934C2. Автор: Куонг ФАМ-ХУУ,Беранж МАДАНИ,Жак БУСКЕ,Сабин САВЭН-ПОНСЕ,Марк Жак ЛЕДУ. Владелец: Тоталь Франсе. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of making part from composite material by means of self-propagating high-temperature synthesis

Номер патента: RU2696955C2. Автор: Эрик ФИЛИПП,Эрик БУЙОН,Франсис ТЕЙССАНДЬЕ,Брис ТАЙЕ,Рене Пайе. Владелец: Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьянтифик. Дата публикации: 2019-08-07.

METHOD OF OBTAINING COMPOSITE SiC-TiN MATERIAL

Номер патента: RU2681332C1. Автор: Александр Владимирович Леонов,Алексей Георгиевич Колмаков,Антон Сергеевич Лысенков,Михаил Анатольевич Севостьянов,Константин Владимирович Сергиенко,Александр Сергеевич Баикин,Елена Олеговна Насакина,Алена Михайловна Царева,Ирина Борисовна Опарина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-03-06.

Leak-tight product of high-temperature composite material, reinforced with long-length fibers, and method of its manufacture

Номер патента: RU2641748C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Федор Викторович Трубин. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2018-01-22.

Method of growing high-quality single crystal silicon carbide

Номер патента: AU2022233830A1. Автор: Li Dong,Kassem ALASSAAD,Johan Ekman. Владелец: Kiselkarbid I Stockholm Ab. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of growing high-quality single crystal silicon carbide

Номер патента: CA3212482A1. Автор: Li Dong,Kassem ALASSAAD,Johan Ekman. Владелец: Kiselkarbid I Stockholm Ab. Дата публикации: 2022-09-15.

Method of growing high-quality single crystal silicon carbide

Номер патента: US20240150929A1. Автор: Li Dong,Kassem ALASSAAD,Johan Ekman. Владелец: Kiselkarbid I Stockholm Ab. Дата публикации: 2024-05-09.

Ceramic body comprising silicon carbide and method of forming same

Номер патента: US09540283B2. Автор: Nikolas J. Ninos,Diana R. TIERNEY. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of producing cast steel by centrifugal casting

Номер патента: RU2647975C1. Автор: Валерий Иванович Чуманов,Илья Валерьевич Чуманов,Андрей Николаевич Аникеев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)" (ФГАОУ ВО "ЮУрГУ" (НИУ)"). Дата публикации: 2018-03-21.

Method of manufacturing a part from carbide-based refractory composite material

Номер патента: RU2235704C2. Автор: Дональд К. ГИДТ,Уэйд Р. ШМИДТ. Владелец: Юнайтид Текнолоджиз Копэрейшн. Дата публикации: 2004-09-10.

Method of producing nanopowders of porous silicon

Номер патента: RU2722098C1. Автор: Александр Сергеевич Леньшин,Павел Владимирович Середин,Владимир Михайлович Кашкаров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2020-05-26.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Method of forming bonding structure

Номер патента: NZ626984A. Автор: Norio Matsubara,Fujio Yamazaki,Ryo Shimizu. Владелец: Fuji Bolt Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-29.

Method of producing silicon carbide

Номер патента: RU2689586C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2019-05-28.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: US20230183075A1. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A9. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A3. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A2. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of producing an epitaxially coated semiconductor wafer of monocrystalline silicon

Номер патента: US20240352620A1. Автор: Walter Heuwieser,Karl Mangelberger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-10-24.

Polycrystalline compacts, earth-boring tools including such compacts, and methods of fabricating polycrystalline compacts

Номер патента: US09498867B2. Автор: Valery N. Khabashesku,Vladimir P. Filonenko. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

CATALYST SYSTEM AND METHOD OF REDUCING NOx

Номер патента: RU2386475C2. Автор: Каидонг Чен,Григорий Лев Соловейчик,Джонатан Ллойд МЭЙЛ,Элисон Лиана ПАЛМАТЬЕ,Тереза Гросела РОША,Дан ХАНКУ,Грегори Ли УОРНЕР,Дженнифер Кэтлин РЕДЛАЙН,Эрик Джордж БУДЕШЕЙМ,Стенли Тереза БАДДЛ. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2010-04-20.

Method of conducting material electrochemical deposition of silicon-carbon films

Номер патента: RU2676549C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2019-01-09.

Method of producing monocrystalline sic

Номер патента: RU2603159C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Юрий Михайлович Таиров,Алексей Юрьевич Фадеев,Дмитрий Дмитриевич Авров,Андрей Олегович Лебедев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (СПбГЭТУ "ЛЭТИ"). Дата публикации: 2016-11-20.

Method of electrochemical deposition of silicon-carbon films alloyed with atoms of transition metals on electroconductive materials

Номер патента: RU2711066C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2020-01-15.

Method for determining types of defects in monocrystalline silicon wafer

Номер патента: US20240183797A1. Автор: XING Wei,HAO WANG,Minghao LI,Yuehui Yu. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Extreme ultraviolet pellicles and method of manufacturing

Номер патента: US20240248391A1. Автор: Feng Q. Liu,Jeffrey W. Anthis,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of producing silicon carbide: heating and lighting elements

Номер патента: US20020104984A1. Автор: Gady Golan. Владелец: Silbid Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Method of forming a nozzle and an ink chamber of an ink jet device by etching a single-crystal substrate

Номер патента: EP2300235A1. Автор: Gerardus Johannes Burger,Henricus Johannes Adrianus Van De Sande,Willem Maurits HIJMANS,Dionysius Antionius Petrus OUDEJANS. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2011-03-30.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240337044A1. Автор: Takeshi Okamoto,Nobuyuki Oya,Akiyoshi HORIAI. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Joint design for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor

Номер патента: US09446367B2. Автор: Michael V. Spangler,Walter J. Stupin,Matthew J. Miller,Gerald A. Zeininger,William J. Onstot. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of producing silicon carbide

Номер патента: RU2627428C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин,Дмитрий Константинович Ёлкин,Сергей Петрович Яковлев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2017-08-08.

Method of nepheline concentrate desiliconization and device for its implementation

Номер патента: RU2688083C1. Автор: Андрей Анатольевич Николаев,Анатолий Владимирович Николаев,Дмитрий Евгеньевич Кирпичев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-05-17.

Method of extra-furnace alloying of iron-carbon alloys in ladle

Номер патента: RU2247158C1. Автор: Михаил Иванович Гасик,Анатолий Николаевич Овчарук,А.Д. Подольчук,Владимир Викторович Сербин,Игорь Александрович Семенов,Игорь Владимирович Деревянко,Игорь Михайлович Щербань,Михаил Иванович Гасик (UA),Владимир Викторович Сербин (UA),Анатолий Николаевич Овчарук (UA),Игорь Александрович Семенов (UA),нко Игорь Владимирович Дерев (UA),Игорь Михайлович Щербань (UA),А.Д. Подольчук (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АМЮС". Дата публикации: 2005-02-27.

Diamond-containing adhesive for joining reaction-bonded silicon-carbide parts

Номер патента: EP4365153A1. Автор: Glenn Evans,Sam Salamone,Sean Mcanany. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Extreme ultraviolet pellicles and method of manufacturing

Номер патента: WO2024155654A1. Автор: Feng Q. Liu,Jeffrey W. Anthis,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-contaminating bonding material for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor

Номер патента: US09662628B2. Автор: Michael V. Spangler,Barry Wemp,Matthew J. Miller,Sefa Yilmaz,Stein Julsrud. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Hollow wide-chord blade of the fan and method of its manufacture

Номер патента: RU2622682C1. Автор: Александр Иванович Ермаков,Изольд Давидович Эскин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева". Дата публикации: 2017-06-19.

Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures

Номер патента: US11827999B2. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan,Yen Lin Leow,Kirk Allen Fisher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures

Номер патента: US20240052521A1. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan,Yen Lin Leow,Kirk Allen Fisher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of forming silicon carbide by spark plasma sintering, methods of forming articles including silicon carbide by spark plasma sintering, and related structures

Номер патента: US20170369381A1. Автор: Henry S. Chu,Robert C. O'Brien,Michael P. Bakas,Steven K. Cook. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2017-12-28.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20220213617A1. Автор: Rimpei Kindaichi,Nobutoshi SUDOH. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of forming a nozzle and an ink chamber of an ink jet device by etching a single-crystal substrate

Номер патента: US20110132872A1. Автор: Gerardus Johannes Burger,Henricus Johannes Adrianus Van De Sande,Willem Maurits HIJMANS,Dionysius Antionius Petrus OUDEJANS. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2011-06-09.

Preparation method of p-type high-resistance and ultra-high-resistance czochralski monocrystalline silicon substrate

Номер патента: US20240141547A1. Автор: XING Wei,ming hao Li,Rong Wang Dai,Zi Wen Wang,Zhong Ying Xue. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of obtaining porous glass material with low content of manganese from poor and highly phosphorous manganese ores

Номер патента: RU2365546C2. Автор: Борис Николаевич Нефедов,Вячеслав Фролович Павлов,Василий Филиппович Шабанов,Игорь Вячеславович Павлов. Владелец: СПЕЦИАЛЬНОЕ КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ БЮРО "НАУКА" КРАСНОЯРСКОГО НАУЧНОГО ЦЕНТРА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (СКТБ "Наука" КНЦ СО РАН). Дата публикации: 2009-08-27.

Needle for insertion of implant and method of its implementation

Номер патента: RU2685765C2. Автор: Оливер КУБЕ,Штефан-Михаэль ФРАЙ,Андреа РИТТИНГХАУС. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-04-23.

Method of production of silicon-carbide singe crystals

Номер патента: RU2157864C2. Автор: Рупп Роланд,ШТАЙН Рене,ФЕЛЬКЛ Йоханнес. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2000-10-20.

Design of form to make stairs and stair platforms, method to manufacture such form and method of its usage

Номер патента: RU2525407C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Пластедиль С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

A method of treating a silicon carbide bearing

Номер патента: WO2023175535A1. Автор: Dayle Robert FLYNN,Beverly Ann PLUMB. Владелец: Sibanye Stillwater Limited. Дата публикации: 2023-09-21.

Silicon carbide direct silicon surface polish

Номер патента: WO2024091508A1. Автор: Shandon T. Fullingim,Hugo VARGAS. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-05-02.

Silicon carbide direct silicon surface polish

Номер патента: US20240262757A1. Автор: Shandon T. Fullingim,Hugo VARGAS. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09845549B2. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods of forming solid-woven multilayer shells of variable thickness (embodiments)

Номер патента: RU2765455C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2022-01-31.

Method of production of polyethyleneterephthalate containers with a shifted from its center nozzle

Номер патента: RU2261176C2. Автор: Мауро ФИББЬЯ,Альберто АРМЭЛЛИН. Владелец: Сипа С.П.А.. Дата публикации: 2005-09-27.

Method of forming pressurized lubricating circuit in engine component (versions)

Номер патента: RU2697295C2. Автор: Энтони Джордж ШЕПАК,Клифф Е. МАКИ,Мэтью Леонард ХИНТЦЕН,Марк В ТИБОЛЬТ. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-08-13.

Method and apparatus for growing high purity single crystal silicon carbide

Номер патента: US5985024A. Автор: Godfrey Augustine,Vijay Balakrishna,R. Noel Thomas,Richard H. Hopkins,H. McDonald Hobgood. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Method of producing isosorbide di(meth)acrylate

Номер патента: RU2703461C2. Автор: Мартин КАЛЛЕР,Кристоф ФЛЕККЕНШТАЙН,Андреа Мисске,Фридерике Фляйшхакер,Ритеш НАИР,Ульрик ШТЕНГЕЛЬ,Матие БЛАНХОТ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-10-17.

Method of forming thin films, device for forming thin films, and thin film forming process monitoring method

Номер патента: RU2324765C2. Автор: Тосиаки КАКЕМУРА,Хирото КАСИМА,Манабу ЦУДЗИНО. Владелец: Топпан Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-05-20.

Absorbing cores and methods of their formation

Номер патента: RU2680946C1. Автор: Майкл Б. ВЕНТУРИНО,Джозеф Дж. СИНА. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of producing a polyorganosiloxane-based stamp, a polyorganosiloxane-based die, use thereof for the printing process and a method for imprinting using it

Номер патента: RU2741506C2. Автор: Маркус Антониус ВЕРСХЮИРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-01-26.

Method of obtaining population of cells, expressing puripotency markers and markers, characteristic of formed endoderm line

Номер патента: RU2553538C2. Автор: Алиреза РЕЗАНИА. Владелец: Сентокор Орто Байотек Инк.. Дата публикации: 2015-06-20.

Methods of forming articles including silicon carbide by spark plasma sintering, and related structures

Номер патента: US20190062221A1. Автор: Henry S. Chu,Robert C. O'Brien,Michael P. Bakas,Steven K. Cook. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2019-02-28.

An Aluminum Hybrid Metal Matrix Composite And Method Of Preparation Thereof

Номер патента: AU2021104792A4. Автор: Anshuman Das,Santosh Kumar Sahu,Ayusman Behera,Rajesh Behera,Sudhansu Ranjan Das,Bishnu Prasad Mishra,Kamalakanta Muduli,Noorhafiza Binti Muhammad,Sarat Chandra Panigrahi,Arun Kumar Parida,Debabrata Rath,Karthi S.,Ananya SAMAL,Birajendu Samal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of processing monocrystalline cvd-diamond and the obtained product

Номер патента: RU2580916C1. Автор: Ризван Уддин Ахмад ХАН,Дэниэл Джеймс ТВИТЧЕН,Сара Луиз ГЕЙГАН,Нил ПЕРКИНС. Владелец: Элемент Сикс Лимитед. Дата публикации: 2016-04-10.

Method of foarming the skill of constructing symmetrical images in connection with the training of the eye and the device for its implementation

Номер патента: RU2749251C1. Автор: Сергей Аркадьевич Новоселов,Лариса Ивановна Львова,Лидия Сергеевна Попова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный педагогический университет" (УрГПУ). Дата публикации: 2021-06-07.

Overmolded medical connector tubing and method of producing same

Номер патента: RU2649471C2. Автор: Майкл А. СПОН,Кори Дж. ПРАЙС,Эндрю В. МЕЙЕР. Владелец: БАЙЕР ХелсКер ЛЛСи. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of producing a collagen-based coating by aerosol spraying from an aqueous dispersion

Номер патента: RU2730839C1. Автор: Алексей Валентинович Ромашкин,Денис Дмитриевич Левин,Юрий Александрович Поликарпов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-08-26.

Method of forming an element of x-ray optics

Номер патента: RU2707766C1. Автор: Валерий Васильевич Савин,Анатолий Александрович СНИГИРЕВ,Виктория Чайка,Иван Сергеевич Жеребцов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" (БФУ им. И. Канта). Дата публикации: 2019-11-29.

Method of determining inclination angles of reflecting boundaries in a geological environment from profile seismic survey data 2d

Номер патента: RU2692001C1. Автор: Владимир Иванович Бондарев,Сергей Михайлович Крылатков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный горный университет" (ФГБОУ ВО "УГГУ"). Дата публикации: 2019-06-19.

Coaxial regular nano-mesostructures, a method for production thereof and a method of producing microcapsules from said structures

Номер патента: RU2703624C2. Автор: Алексей Владимирович Макунин,Николай Гаврилович Чеченин,Кирилл Александрович Букунов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-10-21.

Electrode for electric discharge surface treatment, method of electric discharge surface treatment, and device for electric discharge surface treatment

Номер патента: RU2325468C2. Автор: Акихиро ГОТО,Масао АКИЁСИ,Кацухиро МАЦУО,Хироюки ОТИАИ,Мицутоси ВАТАНАБЕ,Такаси ФУРУКАВА. Владелец: Исикавадзима-Харима Хеви Индастриз Ко., Лтд. Дата публикации: 2008-05-27.

METHOD OF SIMULTANEOUS REDUCTION OF AMOUNT OF NOx, CO AND CARBON IN ASH AND ADDITIVE FOR COAL

Номер патента: RU2268915C1. Автор: Стефен А. ФЭКТОР,Томмасо ДИДЖИАМБЕРАРДИНО. Владелец: Афтон Кемикал Корпорейшн. Дата публикации: 2006-01-27.

Method of forming a silicon carbide article - III

Номер патента: US4044110A. Автор: Hiroshi Sato,Jack E. Noakes,Leslie L. Terner. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1977-08-23.

Method of forming ecoceramic-based silicon-carbide tooling for composites and method for forming composites

Номер патента: EP1465845A1. Автор: Slade H. Gardner. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2004-10-13.

Method of manufacturing capacitive deionization (cdi) device, cdi device and apparatus for treating water, electrode for capacitive deionization and method of forming same

Номер патента: SG11201903410XA. Автор: Cheng Zhou,Meng Ding,Hui Ying YANG,Zhi Yi LEONG,Francois Zaviska,Xianfen Wang. Владелец: Univ Singapore Technology & Design. Дата публикации: 2019-05-30.

Method of hardening an interface of carbon material using nano silicon carbide coating

Номер патента: US20120210823A1. Автор: Young Woo Park,Eun Sun Kim,Young Hee Lee,Kang Pyo So. Владелец: Dayou Smart Aluminium Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

An abrasive aggregate including silicon carbide and a method of making same

Номер патента: WO2013003814A3. Автор: Guan Wang,Russell Krause,Yves Boussant-Roux. Владелец: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: EP3074366A2. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-05.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: WO2015112232A2. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMAPNY. Дата публикации: 2015-07-30.

Method of manufacturing semiconductor chips for liquid discharge head

Номер патента: US09925776B2. Автор: Masataka Kato,Toru Kawaguchi,Tomohiro Takahashi,Toshiyasu Sakai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Cyclosporine suspensions a of form 2

Номер патента: RU2641963C2. Автор: Анурадха В. ГОР,Прем Сваруп МОХАНТИ,Э. Квинн ФАРНЕС. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming articles of composite material

Номер патента: RU2603798C1. Автор: Николай Викторович Степанов,Галина Михайловна Разина,Татьяна Петровна Асеева,Елена Юрьевна Зайцева. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2016-11-27.

Method of forming porous fibres

Номер патента: RU2739906C1. Автор: Василий А. ТОПОЛКАРАЕВ,Райан Дж. МАКИНИНИ,Юэвень СЮЙ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2020-12-29.

Method of forming recommended routes for railway cars

Номер патента: RU2745549C1. Автор: Александр Владимирович Докучаев,Андрей Петрович Котенко,Андрей Андреевич Котенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2021-03-26.

Method of determining humidity threshold for formation of gas hydrate in samples of natural coal

Номер патента: RU2725047C1. Автор: Валерий Васильевич Дырдин,Вячеслав Геннадьевич Смирнов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева" (КузГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Method of forming a gingival cuff in the dental implant area from autogenous tissue of the patient attached on the bone

Номер патента: RU2750275C1. Автор: Сергей Сергеевич ЕДРАНОВ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Профессорская клиника Едранова". Дата публикации: 2021-06-25.

Method of obtaining agent for the treatment of solid-hoofed animals with parasitosis

Номер патента: RU2681214C1. Автор: Шахаб Вахидович Вацаев,Владислав Евгеньевич Абрамов,Виктор Васильевич Гришин,Маулды Баудинович Мусаев,Иван Алексеевич Архипов,Ирина Евгеньевна Шумакович,Надежда Борисовна Емельянова,Павел Павлович Кочетков,Имран Русланович Салгириев,Айшет Зеудыевна Джамалова,Хеди Имрановна Берсанова,Виктория Владимировна Защепкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной ветеринарии имени К.И. Скрябина и Я.Р. Коваленко Российской академии наук. Дата публикации: 2019-03-05.

Method of forming and apparatus for generating satellite constellation

Номер патента: RU2719067C2. Автор: Дзунити АМИМОТО,Масанобу ФУДЗИМУРА. Владелец: АйЭйчАй АЭРОСПЕЙС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2020-04-17.

Method of shaping profile of specified shape for stretch ceilings

Номер патента: RU2735136C1. Автор: Руслан Тимихович Бекоев. Владелец: ПИНЧУК Алексей Геннадьевич. Дата публикации: 2020-10-28.

Method of forming ocular lens and lenses thus formed

Номер патента: RU2495749C2. Автор: Питер В. САЙТС,Майкл Ф. УИДМЭН,Джон Б. ЭННС,П. Марк ПАУЭЛЛ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2013-10-20.

Method of forming bidomain structure in ferrielectric monocrystal plates

Номер патента: RU2566142C2. Автор: Александр Сергеевич Быков,Юрий Николаевич Пархоменко,Дмитрий Александрович Киселев,Михаил Давыдович Малинкович,Роман Николаевич Жуков,Илья Викторович Кубасов,Седрак Гургенович Григорян. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-10-20.

Method of forming transport road (versions)

Номер патента: RU2582685C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of forming steps of resistance increment in a four-wire simulator of signals of strain gauges and a simulator of signals of strain gauges

Номер патента: RU2724321C1. Автор: Евгений Георгиевич Зубов,Геннадий Андреевич Витютин,Шамиль Магамедович Загидуллин,Михаил Александрович Левченко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2020-06-22.

Vibration isolator "double bell" (versions) and method of manufacturing of its elastic hysteresis elements from wire material

Номер патента: RU2626787C2. Автор: Александр Иванович Ермаков,Изольд Давидович Эскин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming and structuring an electronic database

Номер патента: RU2696295C1. Автор: Алексей Викторович Морозов. Владелец: Алексей Викторович Морозов. Дата публикации: 2019-08-01.

Respirator made of one or more webs of material, airlaid, manufactured on place of forming respirator

Номер патента: RU2564624C1. Автор: Тьен Т. ВУ,Джон Т. ТУШАУС,Джерри А. ХОФФДАЛ. Владелец: 3М Инновэйтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2015-10-10.

Method of forming fiber bragg grating with phase shift

Номер патента: RU2676191C1. Автор: Сергей Владимирович Варжель,Алексей Иванович Грибаев,Кирилл Александрович Коннов,Виктория Александровна Новикова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-12-26.

Method of producing adiponitrile

Номер патента: RU2373191C2. Автор: Филипп Леконт,Беатрис БАРАТО. Владелец: Родиа Шими. Дата публикации: 2009-11-20.

Method of making element from fibrous composite material and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2584739C2. Автор: Гернот ШНАЙДЕРБАУЭР,Олаф КОХ. Владелец: Фасс Аг. Дата публикации: 2016-05-20.

Method of producing stereoscopic images with a synthesized stereo base value

Номер патента: RU2703611C1. Автор: Аркадий Сергеевич Фомкин,Леонид Семёнович Капелюшник. Владелец: Акционерное общество "Стелла-К". Дата публикации: 2019-10-21.

SiC growth apparatus comprised of a base having a plurality of graphite plates having anisotropy of a thermal expansion coefficient and method of manufacturing a SiC crystal using the apparatus

Номер патента: US11708645B2. Автор: Rimpei Kindaichi,Nobutoshi SUDOH. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-07-25.

Method of forming photo-alignment film and method of forming liquid crystal layer

Номер патента: US12124061B2. Автор: Hiroshi Sato,Yukito Saitoh,Fumitake Mitobe,Katsumi SASATA,Akiko Watano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of providing data relating to the patients of medical institution

Номер патента: RU2586854C1. Автор: Олег Николаевич Бодин,Касымбек Адильбекович Ожикенов,Фагим Касымович Рахматуллов,Виталий Германович Полосин,Максим Игоревич Сафронов,Антон Сергеевич Сергеенков,Светлана Александровна Балахонова,Антон Александрович Иванчуков,Абдуразак Оразгелдиевич Касимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-06-10.

Method of forming of composite material of empty aerodynamic surfaces - 1

Номер патента: RU2674972C2. Автор: Виктор Степанович Ермоленко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фирма "МВЕН". Дата публикации: 2018-12-13.

Confectionery product with filling (options) and method of its making

Номер патента: RU2647280C2. Автор: Лок Яан Амброзе ЧАН,ШоМенг ЧИН,Луис БОРДЕРА,Деннис АБАД,Венди ЛАУ. Владелец: Вм. Ригли Джр. Компани. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of forming composite image, system for realising said method, method of calculating mismatch value and data medium

Номер патента: RU2475850C2. Автор: Джини А. ГРИНДСТАФФ,Шейла Дж. УАЙТЭКЕР. Владелец: Интегрэф Софтвеа Текнолоджис Кампэни. Дата публикации: 2013-02-20.

Method of forming blade edge

Номер патента: RU2725946C2. Автор: Сергей Георгиевич Бирюков. Владелец: Сергей Георгиевич Бирюков. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of forming dump

Номер патента: RU2667395C2. Автор: Сергей Павлович Вострецов,Эльвира Вагизовна Пономарева. Владелец: Акционерное общество "ВНИИ Галургии" (АО "ВНИИ Галургии"). Дата публикации: 2018-09-19.

Surgical treatment method of hypospadias

Номер патента: RU2738557C1. Автор: Герман Владимирович Козырев,Дина Тамазиевна МАНАШЕРОВА,Радош Джинович. Владелец: Дина Тамазиевна МАНАШЕРОВА. Дата публикации: 2020-12-14.

Method of forming coating on metal with electron-beam surfacing of ceramic powder

Номер патента: RU2735688C1. Автор: Илья Юрьевич Бакеев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2020-11-05.

Method of erecting building cover or overfly structure

Номер патента: RU2582682C1. Автор: Александр Павлович Белоглазов,Владимир Лазаревич Чернявский,Гаяне Ашотовна Искандарян,Татьяна Евгеньевна Чернявская. Владелец: Татьяна Евгеньевна Чернявская. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of forming medium of specified temperature in working chamber of 3d printer

Номер патента: RU2736449C1. Автор: Евгений Владимирович Матвеев,Дмитрий Николаевич Трушников,Игорь Игоревич Безукладников,Александр Андреевич Осколков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ф2 ИННОВАЦИИ". Дата публикации: 2020-11-17.

Method of forming an image of an augmented reality that provides the correlation of visual characteristics of real and virtual objects

Номер патента: RU2667602C2. Автор: Андрей Леонидович Горбунов,Андрей Юрьевич Зелинский,Андрей Иванович Кауров,Александра Андреевна Горбунова,Марина Федоровна Козлова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АВИАРЕАЛ". Дата публикации: 2018-09-21.

Method of selecting an object on a distant background with optical systems from an air carrier

Номер патента: RU2714701C1. Автор: Владимир Аминович Подгорнов,Семён Владимирович Подгорнов,Алексей Евгеньевич Кипкаев,Георгий Анатольевич Крестьянинов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2020-02-19.

Esters of hyaluronic acid with rhein, method of preparing said esters and composition containing said esters

Номер патента: RU2383554C2. Автор: Антонелло ПЬЕТРАНДЖЕЛО,Вальтер ТРАВАЛЬ. Владелец: Лаборатуар Медидом С.А.. Дата публикации: 2010-03-10.

Method of holographic recording remote formation

Номер патента: RU2707582C1. Автор: Сергей Александрович Шойдин. Владелец: Сергей Александрович Шойдин. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of automated establishment and use of the basis of electronic information data of remote sensing of the earth and a multifunctional ground complex for its implementation

Номер патента: RU2646370C1. Автор: Анатолий Васильевич Шишанов,Владимир Васильевич Ромашкин,Михаил Ефимович Синькевич,Павел Алексеевич Лошкарев,Александр Игоревич Макеров,Валерий Александрович Заичко,Овнан Олегович Тохиян,Валерий Павлович Поселяничев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точных приборов". Дата публикации: 2018-03-02.

Method of surgical treatment of the chronic lateral instability of the ankle joint with the anteromedial access

Номер патента: RU2680179C1. Автор: Гурген Абавенович Кесян,Александр Алексеевич Очкуренко,Авет Гагикович Ширмазанян,Артак Мацакович Мацакян,Бутай Гайдарович Бутаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр травматологии и ортопедии имени Н.Н. Приорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ ТО им. Н.Н. Приорова" Минздрава России). Дата публикации: 2019-02-18.

Method of treating fresh ruptures of the thigh quadriceps muscle tendon

Номер патента: RU2723218C1. Автор: Илья Вячеславович Сутягин,Евгений Александрович Дудко,Сергей Петрович Бойчук. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр травматологии и ортопедии имени академика Г.А. Илизарова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-06-09.

Method of forming mismatch parameters in a radio-electronic system for controlling an air-to-air missile with its self-homing on an aircraft of a pair of them according to its functional purpose on the principle of "master-slave"

Номер патента: RU2695762C1. Автор: Александр Викторович Богданов,Валентин Александрович Голубенко,Александр Александрович Кучин,Сергей Александрович Горбунов,Александр Григорьевич Коваленко,Александр Александрович Лобанов. Владелец: Федеральное государственное казённое военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия воздушно-космической обороны имени Маршала Советского Союза Г.К. Жукова" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-07-25.

Device for forming and freezing tissue samples of a patient or animal and a method of forming and freezing tissue samples of a patient or animal

Номер патента: RU2769506C2. Автор: Дмитрий В. КРАВЦОВ,Норман ГРЭЙ. Владелец: Ванесса Рисерч, Инк.. Дата публикации: 2022-04-01.

Cartridge, components and methods of the inhaled environment generating

Номер патента: RU2664376C1. Автор: Колин ДИККЕНС,Доминик ТЁРНЕР. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of determining workpiece shape, workpiece molded with pressed article, method of forming by pressing, computer program and recording medium

Номер патента: RU2682735C1. Автор: Тосиюки НИВА,Сигеру ЙОНЕМУРА,Тохру ЙОСИДА,Дзун НИТТА. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of making impeller of centrifugal compressor from composite material

Номер патента: RU2652269C2. Автор: Владимир Александрович Грибановский,Владимир Сергеевич Жернаков,Сергей Николаевич Никитин,Виктор Леонидович Юрьев,Арсен Маратович Ахметов. Владелец: Акционерное общество "Институт технологии и организации производства" (АО НИИТ). Дата публикации: 2018-04-25.

Stack of sheets of paper, a dispenser having such a pile, and a method of forming such pile

Номер патента: RU2709394C1. Автор: Иоанн Дени,Магнус ФАЛЬК,Пол КАРЛСОН. Владелец: Эссити Хайджин Энд Хелт Актиеболаг. Дата публикации: 2019-12-17.

Methods of moulding chewing gum and caramel confectionery material (versions)

Номер патента: RU2585462C2. Автор: Бхарат ДЖАНИ,Леонард СКАРОЛА,НИКЕРК Майлз ВАН,Кришна АДИВИ,Джесси КИФЕР. Владелец: ИНТЕРКОНТИНЕНТАЛ ГРЕЙТ БРЭНДЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2016-05-27.

Method of electrochemical deposition of silicon-carbon films on dielectric substrates

Номер патента: RU2711072C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2020-01-15.

Device and method of forming and filling container structures in sterile conditions

Номер патента: RU2401780C2. Автор: Дэниел ПАЙ. Владелец: Медикал Инстилл Текнолоджис, Инк.. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of forming wear-resistant surface layer in cobalt-containing hard-alloyed article in the form of die

Номер патента: RU2599315C1. Автор: Анатолий Борисович Коршунов,Валерий Константинович Ковальков,Тамара Борисовна Сагалова,Лариса Николаевна Корсунская,Валентина Егоровна Рысева,Эльвира Анатольевна Карнажицкая,Владимир Анатольевич Коршунов,Илья Викторович Николаев,Татьяна Васильевна Носова. Владелец: Валерий Константинович Ковальков. Дата публикации: 2016-10-10.

Method of calculation of the molding sand properties, method of calculation of component composition of molding and/or core mixtures, device for calculation of the properties of molding sand and/or component composition of forming and/or core mixtures, automated data medium for its implementation

Номер патента: RU2654384C2. Автор: Илья Александрович Кузнецов,Андрей Викторович Лоптев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Уралвагонзавод" имени Ф.Э. Дзержинского". Дата публикации: 2018-05-17.

System and method of forming training set for machine learning algorithm

Номер патента: RU2711125C2. Автор: Александр Александрович Чигорин,Константин Викторович Лахман,Виктор Сергеевич Юрченко. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс". Дата публикации: 2020-01-15.

Method of forming coating from ultra-high molecular polyethylene on tillage working tools

Номер патента: RU2725548C1. Автор: Яков Петрович Лобачевский,Сергей Иванович Старовойтов,Андрей Юрьевич Измайлов,Николай Георгиевич Кынев,Бадри Хутаевич Ахалая,Игорь Анатольевич Пехальский,Юлия Сергеевна Ценч,Сергей Андреевич Квас,Юлия Александровна Лопатина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2020-07-02.

Method of forming a competence model

Номер патента: RU2701993C1. Автор: Михаил Валерьевич Митрофанов,Юрий Иванович Стародубцев,Ольга Владимировна Ильина,Евгения Александровна Алисевич,Малика Абдимуратовна Давлятова. Владелец: Михаил Валерьевич Митрофанов. Дата публикации: 2019-10-02.

Method of forming ink ejection adjustment pattern, ink ejection adjustment method for inkjet head and inkjet printer

Номер патента: US20140009524A1. Автор: Masanobu Ogawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Method of drying panels and other building structures

Номер патента: WO2013171475A2. Автор: Robert Bresnahan,David MAYLE,Max BURBIDGE,Piers ASHLEY-CARTER,Mark PATTEN,Ian PRITCHETT. Владелец: Lime Technology Limited. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of forming ink ejection adjustment pattern, ink ejection adjustment method for inkjet head and inkjet printer

Номер патента: US20150174895A1. Автор: Masanobu Ogawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A3. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Limited. Дата публикации: 2008-12-24.

Thin film magnetic head, method of manufacturing the same and method of forming magnetic layer pattern

Номер патента: US20020034045A1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Mats of glass fibers and pulp fibers and their method of manufacture

Номер патента: EP1218595A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 2002-07-03.

Method of forming mask pattern, method of forming thin film pattern and method of forming magnetoresistive element

Номер патента: US20090294403A1. Автор: Hideyuki Yatsu,Akifumi Kamijima,Hitoshi Hatate. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: EP2158562A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Method of forming crystalline ito thin film and method of forming on-cell type touch panel

Номер патента: US20190086704A1. Автор: Shaoqing LV. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of producing calcium carbonate

Номер патента: RU2676292C1. Автор: Елена Александровна Вилкай,Игорь Александрович Кабанов,Луиза Яковлевна Коноплина,Александр Павлович Шушкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Комбинат "Электрохимприбор". Дата публикации: 2018-12-27.

Method of forming nonround perforations in underground bed bearing hydrocarbons, non-linear cumulative perforator, firing perforator (versions)

Номер патента: RU2358094C2. Автор: Эрнест Л. БЕЙКЕР,Дейвид К. ДЕЙНИЭЛ,Дейвид С. ВЕССОН,Джон Л. БЁРБА III,Артур С. ДЕЙНИЭЛС,Роберт И. ДЕЙВИС. Владелец: Моликорп, Инк.. Дата публикации: 2009-06-10.

Thermal transfer printing method and a method of forming an image on ink ribbon during thermal transfer printing

Номер патента: RU2709564C1. Автор: Александр Евгеньевич Виршке. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Виршке". Дата публикации: 2019-12-18.

Method of forming a control signal of a steering drive of an uncleaned aircraft and a device for its implementation

Номер патента: RU2681823C1. Автор: Андрей Борисович Петров,Анатолий Сергеевич Сыров,Александр Михайлович Пучков,Дмитрий Григорьевич Тацюк,Артем Владимирович Хлопкин,Надежда Николаевна Кедрова,Валерия Львовна Сухова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2019-03-12.

Method for choosing a method of surgical treatment of stage ii keratoconus

Номер патента: RU2747248C1. Автор: Александр Владимирович Терещенко,Сергей Константинович Демьянченко,Екатерина Николаевна Вишнякова,Максим Александрович Тимофеев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of packing solid materials during underground treatment operations

Номер патента: RU2679934C1. Автор: Раджеш К. САИНИ,Клейтон С. СМИТ,Мэтью М. СЭМЮЭЛ,Керн Л СМИТ,Чин-Чау ХВАН,Леонид Вигдерман,Дуэйн ТРЕЙБИГ. Владелец: Зе Лубризол Корпорейшн. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of obtaining protection elements and hologram

Номер патента: RU2640711C2. Автор: Николай А. ГРИГОРЕНКО,Мишель РИШЕР,Ролан ФЛЕРИ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-01-11.

Containers made from aluminium scrap processed by method of impact compaction

Номер патента: RU2593799C2. Автор: Джон Л. САЙЛС,Сэмьюэл МЕЛАНКОН,Энтони ШАТЕ,Стенли М. ПЛАТЕК. Владелец: Болл Корпорейшн. Дата публикации: 2016-08-10.

Device, plant and method of sheet metal workpiece forming, and part, produced according to this method

Номер патента: RU2634830C2. Автор: Петер КЕНИГ,Михаэль ВОЛЬФ,Оттмар ЛЕР,Клаус ЛЯЙНМЮЛЛЕР,Дитер ВАЙДМАНН. Владелец: Алльгайер Верке Гмбх. Дата публикации: 2017-11-03.

Method of making abrasive tool

Номер патента: RU2523863C2. Автор: Сергей Александрович Рябцев,Владислав Георгиевич Боровский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2014-07-27.

Method of production of the hollow heaters with the preset electrical resistance and made out of the carbon-carbide-silicon composite material

Номер патента: RU2286317C1. Автор: Сергей Константинович Брантов,Виктор Семенович Ефремов,Сергей Константинович Брантов (RU),Виктор Семенович Ефремов (RU). Владелец: ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН. Дата публикации: 2006-10-27.

Method of preparing ceramic coating by flame heat spray painting thermit packaged silicon carbide particles

Номер патента: CN101054299A. Автор: 张欣,蒋向军,杨建桥,杨保兴,段素霞. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-10-17.

Preparation method of single-granularity high-mass-fraction SiCp/Al composite material and silicon carbide stirring and adding device

Номер патента: CN107604191B. Автор: 吕国锋,陈铨. Владелец: Keda Clean Energy Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Method of working and filling-up trenches in freezing soil

Номер патента: SU846654A1. Автор: Николай Самилович Коваленко,Иван Иванович Кривцов. Владелец: За витель. Дата публикации: 1981-07-15.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making light-emitting element

Номер патента: RU2488919C1. Автор: Николай Геннадьевич Галкин,Дмитрий Львович Горошко,Евгений Анатольевич Чусовитин,Тимур Сезгирович Шамирзаев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-07-27.

Method of making light-emitting element

Номер патента: RU2485631C1. Автор: Николай Геннадьевич Галкин,Дмитрий Львович Горошко,Евгений Анатольевич Чусовитин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-06-20.

Method of making light-emitting element

Номер патента: RU2488918C1. Автор: Николай Геннадьевич Галкин,Дмитрий Львович Горошко,Евгений Анатольевич Чусовитин,Антон Константинович Гутаковский. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-07-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing silicon carbide nanofibre

Номер патента: RU2393112C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Владимир Георгиевич Севастьянов,Николай Тимофеевич Кузнецов,Владимир Анатольевич Ермаков,Алексей Вячеславович Антипов,Елизавета Петровна Симоненко,Роман Георгиевич Павелко. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Общей И Неорганической Химии Им. Н.С. Курнакова Ран (Ионх Ран). Дата публикации: 2010-06-27.

Method of forming domain structure in monocrystalline wafer of nonlinear-optic ferroelectric material

Номер патента: RU2439636C1. Автор: Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Андрей Ришатович Ахматханов,Михаил Владимирович Конев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер". Дата публикации: 2012-01-10.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Carbon-silicon carbide composite material and method for manufacturing products from thereof

Номер патента: RU2573141C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Елена Юрьевна Турбина. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2016-01-20.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming thin-film protective coating on bases of removable dentures, obturators and components of maxillofacial prostheses

Номер патента: RU2540227C2. Автор: Андрей Леонидович Калинин,Евгений Аркадьевич Митрофанов,Сергей Борисович Симакин. Владелец: Сергей Борисович Симакин. Дата публикации: 2015-02-10.

DIESEL PARTICULATE FILTER AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000171A1. Автор: Zheng Jing,Maxey Kirk. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Polishing Chalcogenide Alloy

Номер патента: US20120003834A1. Автор: Reddy Kancharla-Arun Kumar,Liu Zhendong,Koo Ja-Ho,Sawant Kaveri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing refractory material based on silicon carbide and silicon

Номер патента: RU2439032C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of conducting panels production, primary furnace for conducting panels production and conducting filler based on natural zeolite-containing effusive sedimentation ashy deposits

Номер патента: RU2353012C1. Автор: Валерия Валерьевна Строкова,Александр Викторович Мосьпан,Евгения Александровна Лопанова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Белгородский государственный университет им. В.Г. Шухова (БГТУ им. В.Г. Шухова). Дата публикации: 2009-04-20.

Method of primary annealing for processing silicon-carbide tubes

Номер патента: RU2376675C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-12-20.

Method of product manufacture containing silicon substrate with film from carbide of silicon on its surface

Номер патента: RU2352019C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл". Дата публикации: 2009-04-10.

METHOD OF SELF-ORGANISING ENDOTAXY OF MONO 3C-SiC ON Si SUBSTRATE

Номер патента: RU2370851C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СиЦ-сенсор". Дата публикации: 2009-10-20.

Method of making current conducting panels, raw mixtutre for making current conducting panels and current conducting filler for them, based on crushed crystalline glass

Номер патента: RU2353992C2. Автор: Валерия Валерьевна Строкова,Валерий Станиславович Лесовик,Виктор Иванович Мосьпан,Евгения Александровна Лопанова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова (БГТУ им. В.Г. Шухова). Дата публикации: 2009-04-27.

Method of producing metal composite materials and article made of such material

Номер патента: RU2261780C1. Автор: Е.Н. Каблов,Ю.А. Абузин,С.В. Маринин,Н.М. Варрик. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2005-10-10.

Method of carbothermal synthesis of disperse silicin carbide powders

Номер патента: RU2537616C1. Автор: Всеволод Николаевич Анфилогов,Алексей Сергеевич Лебедев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт минералогии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of producing steel tube billets

Номер патента: RU2443505C1. Автор: Валерий Иванович Чуманов,Илья Валерьевич Чуманов,Андрей Николаевич Аникеев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный университет" (ГОУ ВПО "ЮУрГУ"). Дата публикации: 2012-02-27.

Method of achieving combination of high hardness and crack resistance of high-density nanostructured tungsten carbide articles

Номер патента: RU2548252C2. Автор: Юрий Вячеславович Благовещенский,Владимир Николаевич Чувильдеев,Сергей Викторович Шотин,Максим Сергеевич Болдин,Никита Владимирович Сахаров,Алексей Владимирович Нохрин,Анна Владимировна Москвичева,Наталья Вячеславовна Исаева. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2015-04-20.

Method of producing titanium dioxide and silicon carbide from abrasive processing waste

Номер патента: RU2281912C2. Автор: Адольф Николаевич Трубин,Галина Ивановна Гиль. Владелец: Галина Ивановна Гиль. Дата публикации: 2006-08-20.

Ceramic-matrix composite material having hardened reinforcing component and method of making said material

Номер патента: RU2457192C2. Автор: Владимир Игоревич Румянцев,Роман Леонидович Сапронов,Владимир Александрович Мех. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Вириал". Дата публикации: 2012-07-27.

Nanostructured ceramic matrix composite material and method of producing said material

Номер патента: RU2415109C1. Автор: Владимир Игоревич Румянцев,Роман Леонидович Сапронов,Владимир Александрович Мех. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Вириал". Дата публикации: 2011-03-27.

Material for absorbing electromagnetic waves and method of making said material

Номер патента: RU2375793C1. Автор: Лев Евсеевич Гуревич,Анатолий Васильевич Куликов,Борис Алексеевич Николаичев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-12-10.

Method of nanopolished silicon carbide wafer fabrication

Номер патента: RU2345442C2. Автор: Владимир Михайлович Каневский,Александр Николаевич Дерябин,Евгений Олегович Тихонов,бин Александр Николаевич Дер. Владелец: Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-01-27.

Method of obtaining finely dispersive polycrystalline silicon carbide

Номер патента: RU2516547C1. Автор: Иван Иванович Иванов,Ольга Владимировна Зырянова,Дмитрий Викторович Шмидт,Олег Александрович Дубовиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный минерально-сырьевой университет "Горный". Дата публикации: 2014-05-20.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2341847C1. Автор: Елена Николаевна Федорова,Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Николай Владимирович Черников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-12-20.

Method of obtaining nanostructured silicon-carbide ceramics

Номер патента: RU2556599C1. Автор: Валентин Александрович Авраменко,Евгений Константинович Папынов,Владимир Георгиевич Севастьянов,Олег Олегович Шичалин,Николай Тимофеевич Кузнецов,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН). Дата публикации: 2015-07-10.

Method of making airgtight articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2480433C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Сергей Евгеньевич Бутузов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский государственный технический университет". Дата публикации: 2013-04-27.

Method of production of composite materials

Номер патента: RU2266268C2. Автор: С.К. Гордеев,С.С. Орданьян,И.Б. Пантелеев,н С.С. Ордань,И.С. Гордеев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Карбид". Дата публикации: 2005-12-20.

METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC

Номер патента: RU2433213C1. Автор: Юрий Михайлович Таиров,Дмитрий Дмитриевич Авров,Сергей Иванович Дорожкин,Андрей Олегович Лебедев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Гранник". Дата публикации: 2011-11-10.

Method of soldering silicon carbide-based chips

Номер патента: RU2460168C2. Автор: Владимир Иванович Бойко,Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,Александр Валерьевич Кочергин,Андрей Владимирович Строгонов. Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка". Дата публикации: 2012-08-27.

Method of measuring spatial distribution gas temperature

Номер патента: RU2466362C2. Автор: Владимир Александрович Карачинов,Дмитрий Владимирович Карачинов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого. Дата публикации: 2012-11-10.

Manufacturing method of corrugated plate for heat exchanger from composite materials

Номер патента: RU2562274C1. Автор: Александр Павлович Белоглазов,Евгений Акимович Богачев,Александр Борисович Елаков,Леонид Владимирович Быков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) (МАИ). Дата публикации: 2015-09-10.

Application method of heat-protective wear-resistant coating onto parts from cast iron and steel

Номер патента: RU2521780C1. Автор: Владимир Евдокимович Жидков,Вячеслав Александрович Соловьев,Владимир Петрович Панков,Вячеслав Данилович Ковалев,Денис Владимирович Панков,Анатолий Вячеславович Баженов,Игорь Алексеевич Соболев,Петр Тимофеевич Коломыцев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственное предприятие "Плазма" ООО НПП "Плазма". Дата публикации: 2014-07-10.

Method of making light optical mirrors

Номер патента: RU2591209C1. Автор: Александр Федорович Ильющенко,Евгений Владимирович Звонарев,Галина Александровна Миронович,Владимир Анатольевич Осипов,Владимир Иванович Беляковский,Юрий Михайлович Поташников. Владелец: Государственное научное учреждение "Институт порошковой металлургии". Дата публикации: 2016-07-20.

Method of bipolar transistor manufacturing

Номер патента: RU2351036C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2009-03-27.

Method of producing silicon carbide nano powder

Номер патента: RU2327638C1. Автор: Геннадий Владиславович Галевский,Виктория Владимировна Руднева,Сергей Геннадьевич Галевский,Виктори Владимировна Руднева,х Ольга Анатольевна Пол,Ольга Анатольевна Полях. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования СИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНДУСТРИАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. Дата публикации: 2008-06-27.

Method of production of efficient inner getter in monocrystalline location-free silicon plates

Номер патента: RU2512258C1. Автор: Михаил Валерьевич Меженный,Владимир Яковлевич Резник. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2014-04-10.

Method of measuring fluence of slow neutrons using monocrystalline silicon

Номер патента: RU2472181C1. Автор: Валерий Александрович Варлачев,Евгений Семенович Солодовников,Евгений Геннадьевич Емец. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2013-01-10.

Method of production of silicon carbide powder from rice husk

Номер патента: RU2299177C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Владимир Васильевич Викулин,Татьяна Васильевна Гурина,Тать на Васильевна Гурина,Мухаммад-Султан Саидивалиханович Пайзулаханов,Шавкат Адилович Файзиев,Гайрат Тышабаевич Адылов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2007-05-20.

Method of producing monosilane

Номер патента: RU2466089C1. Автор: Владимир Александрович Ольшанский. Владелец: Владимир Александрович Ольшанский. Дата публикации: 2012-11-10.

Method of technical silicon melting

Номер патента: RU2570153C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин,Дмитрий Константинович Ёлкин,Ольга Борисовна Иванова,Алексей Евгеньевич Черевко,Михаил Анатольевич Кириллов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2015-12-10.

Method of producing articles from sintered composites

Номер патента: RU2554645C2. Автор: Павел Аркадьевич Киселёв. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Керамет-Пермь". Дата публикации: 2015-06-27.

Method of thin film transistor manufacturing

Номер патента: RU2522930C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Марьям Мустафаевна Уянаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2014-07-20.

Method of producing porous nanostructured silicon carbide

Номер патента: RU2484017C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина. Владелец: Светлана Борисовна Корчагина. Дата публикации: 2013-06-10.

Method of making self-scaled self-aligned transistor structure

Номер патента: RU2408951C2. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа,Александр Николаевич Сауров (RU),Николай Михайлович Манжа (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ФГУ "НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2011-01-10.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Electrostatically depositing powder and the method of production of the abrasive flexible tool

Номер патента: RU2261262C2. Автор: Гво Шин СВЕИ,Силвэйн ПЕТИГНИ. Владелец: Сент-Гобэн Абразивс, Инк.. Дата публикации: 2005-09-27.

Method of making thin-walled articles from composite material based on carbon-ceramic matrix with gradient thickness properties

Номер патента: RU2593508C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Сергей Геннадьевич Лунегов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Method of producing protective coating on articles with silicon carbide, silicon nitride and carbon-containing base

Номер патента: RU2520310C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2014-06-20.

Method of manufacturing products from composite material

Номер патента: RU2531503C1. Автор: Павел Аркадьевич Киселёв. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Керамет-Пермь". Дата публикации: 2014-10-20.

Method of making light-emitting element

Номер патента: RU2488917C1. Автор: Николай Геннадьевич Галкин,Дмитрий Львович Горошко,Евгений Анатольевич Чусовитин,Антон Константинович Гутаковский,Тимур Сезгирович Шамирзаев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-07-27.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of machine parts reconditioning

Номер патента: RU2166421C1. Автор: А.И. Каширин,О.Ф. Клюев,В.И. Михеев,А.В. Шкодкин,А.К. Недайвода,В.А. Половцев,Е.А. Перминов,В.Н. Косолапов. Владелец: Государственный космический научно-производственный центр им. М.В. Хруничева. Дата публикации: 2001-05-10.

Method of making heat-resistant concrete

Номер патента: RU2374209C1. Автор: Вера Владимировна Русина,Анна Владимировна Метляева,Елена Николаевна Меркель. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Братский государственный университет". Дата публикации: 2009-11-27.

Method of steel production

Номер патента: RU2533071C1. Автор: Петр Александрович Мишнев,Александр Иванович Зайцев,Филипп Иосифович Мезин,Алексей Владимирович Краснов,Ирина Гавриловна Родионова,Сергей Викторович Никонов,Михаил Валерьевич Жиронкин,Владимир Александрович Шерстнев,Олег Александрович Лаушкин,Никита Владимирович Алалыкин,Роман Владимирович Сухарев,Андрей Дмитриевич Хорошилов. Владелец: Открытое акционерное общество "Северсталь" (ОАО "Северсталь"). Дата публикации: 2014-11-20.

Method of siliconizing large-size articles and a retort of a device for its implementation with seams of low permeability

Номер патента: RU2705185C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Михаил Владимирович Никитин. Владелец: Михаил Владимирович Никитин. Дата публикации: 2019-11-05.

Method of making highly porous cellular ceramic articles

Номер патента: RU2475464C2. Автор: Владимир Николаевич Грунский,Александр Валентинович Беспалов,Микаэл Давидович Гаспарян,Евгений Степанович Лукин,Юрий Владимирович Гаврилов,Владимир Иванович Игнатенков,Валентина Владимировна Игнатенкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2013-02-20.

Method of producing articles from carbon-silicon-carbide composite

Номер патента: RU2561101C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-08-20.

Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film

Номер патента: RU2556183C2. Автор: Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Александр Михайлович Возгорьков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-07-10.

Method of making ceramic filter element from composite material

Номер патента: RU2386605C1. Автор: Борис Лазаревич Красный,Александр Борисович Красный,Юрий Андреевич Сербиков. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-технический центр "Бакор". Дата публикации: 2010-04-20.

Fire-proof mass and method of obtaining fire-proof mass

Номер патента: RU2365562C2. Автор: Александр Алексеевич Афанасьев,Борис Александрович Чаплыгин,Владимир Владимирович Дятлов,Татьяна Мопровна Лонзингер,Вадим Анатольевич Скотников,Надежда Петровна Нецветаева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Торговый дом "Абразивные заводы Урала". Дата публикации: 2009-08-27.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPANION ANIMAL COMPOSITIONS INCLUDING PYRUVIC ACID AND SALTS THEREOF AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004291A1. Автор: Yamka Ryan Michael,Frantz Nolan Zebulon,Zicker Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2494043C1. Автор: Александр Сергеевич Воробьев,Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Владимир Юрьевич Чунаев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2013-09-27.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING A TERNARY ALLOY CATALYST FOR FUEL CELL

Номер патента: US20120003569A1. Автор: Protsailo Lesia V.,Kawamura Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING THIN EPITAXIAL LAYERS OF β-SIC ON MONOCRYSTALLINE SILICON

Номер патента: RU2524509C1. Автор: Александр Сергеевич Гусев,Николай Иванович Каргин,Сергей Михайлович Рындя,Андрей Владимирович Зенкевич,Елена Павловна Павлова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-07-27.

Method of forming ice dam on river

Номер патента: RU2263181C2. Автор: А.Б. Бутуханов,В.П. Аюшинов,А.Б. Бутуханов (RU),В.П. Аюшинов (RU). Владелец: Бурятская государственная сельскохозяйственная академия им. В.Р. Филиппова. Дата публикации: 2005-10-27.

Method of carbon-containing adsorbent producing

Номер патента: RU2071827C1. Автор: Г.К. Ивахнюк,Н.Ф. Глухарев,В.Г. Левинсон,Н.Ф. Федоров,В.А. Штабной,О.Э. Бабкин. Владелец: Акционерное общество закрытого типа "Экофор". Дата публикации: 1997-01-20.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF NON-AQUEOUS INKJET COMPOSITE PRINTING AND INK SET

Номер патента: US20120001979A1. Автор: WATANABE Yoshifumi,YAMAMOTO Akiko. Владелец: RISO KAGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Process forming membranes in monocrystalline silicon substrate

Номер патента: RU2099813C1. Автор: В.Д. Скупов,В.А. Перевощиков,В.Г. Шенгуров. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1997-12-20.

Method of making highly porous cellular ceramic objects

Номер патента: RU2377224C1. Автор: Александр Иванович Козлов,Иван Александрович Козлов,Владимир Александрович Колесников,Владимир Николаевич Грунский,Александр Валентинович Беспалов,Евгений Степанович Лукин,Владимир Павлович Градов. Владелец: Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева. Дата публикации: 2009-12-27.

Method of production of powder material based on iron with silicon carbide

Номер патента: RU2090645C1. Автор: А.И. Макаров,В.Н. Кусков. Владелец: Тюменский государственный нефтегазовый университет. Дата публикации: 1997-09-20.

Method of composite material obtainment

Номер патента: RU2392090C2. Автор: Юрий Алексеевич Абузин,Андрей Иванович Наймушин,Игорь Евгеньевич Гончаров,Владимир Николаевич Кочетов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2010-06-20.

Method of fabricating item out of composite material

Номер патента: RU2357835C1. Автор: Юрий Алексеевич Абузин,Сергей Александрович Прокофьев,Андрей Иванович Наймушин,Игорь Евгеньевич Гончаров,Наталья Мироновна Варрик,Сергей Валентинович Маринин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2009-06-10.

Method of melting steel in converter

Номер патента: RU2228366C1. Автор: Анатолий Яковлевич Наконечный,В.Н. Урцев,С.И. Платов,Д.М. Хабибулин,С.Н. Аникеев,А.В. Капцан. Владелец: ООО "Сорби стил". Дата публикации: 2004-05-10.

SUPPORT PLATFORM AND METHOD OF CONSTRUCTION THEREOF

Номер патента: US20120000020A1. Автор: Newton John Reginald. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making metallocarbon nanocoatings

Номер патента: RU2391358C2. Автор: Александр Викторович Еремин,Александр Валентинович Емельянов,Евгений Валерьевич Гуренцов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Объединенный институт высоких температур РАН (ОИВТ РАН). Дата публикации: 2010-06-10.

Method of producing articles from composite materials

Номер патента: RU2448808C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Сергей Михайлович Вдовин,Сергей Александрович Прокофьев,Андрей Александрович Шавнев,Борис Владимирович Щетанов,Владимир Васильевич Чибиркин,Борис Васильевич Пряжников,Андрей Николаевич Няфкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2012-04-27.

Method of packing piece goods and device for its implementation

Номер патента: RU2523852C1. Автор: Сергей Викторович Полежаев,Петр Владимирович Мочалов,Павел Сергеевич Милык. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Фудлайн". Дата публикации: 2014-07-27.

Method of obtaining anode aluminium oxide with highly ordered porous structure and method of forming arrays of anisotropic nanostructures on its base

Номер патента: RU2555366C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Юрий Дмитриевич Третьяков,Илья Владимирович Росляков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-07-10.

Method of manufacturing products from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2469950C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский государственный технический университет". Дата публикации: 2012-12-20.

Method of forming of volumetric and curvilinear components for an article

Номер патента: RU2266863C1. Автор: В.И. Стельмашенко,Е.В. Баранова,Л.Н. Лисиенкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет сервиса" (ГОУВПО "МГУС"). Дата публикации: 2005-12-27.

Method of the thermal treatment of the forming rollers

Номер патента: RU2298043C1. Автор: Олег Юрьевич Ефимов,Алексей Борисович Юрьев,Валерий Яковлевич Чинокалов,Олег Валерьевич Дикань,Вадим Петрович Симаков,Виктор Васильевич Саломыкин,Сергей Александрович Дубинин,Владимир Михайлович Никиташев,Семен Прохорович Некипелов,кин Сергей Валентинович Затеп,Сергей Валентинович Затепякин. Владелец: Открытое акционерное общество "Западно-Сибирский металлургический комбинат" ОАО "ЗСМК". Дата публикации: 2007-04-27.

Method of forming multidimensional image of cardiovascular system state and its visualisation

Номер патента: RU2496409C2. Автор: Валерий Михайлович Никитин,Виктор Митрофанович Довгаль,Елена Андреевна Липунова,Инесса Андреевна Кочеткова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет". Дата публикации: 2013-10-27.

Abrasive articles and methods of forming

Номер патента: WO2024226990A1. Автор: Naresh Saha,Nilanjan Sarangi,Guangyong Lin,Soumalya BHATTACHARYA. Владелец: SAINT-GOBAIN ABRASIFS. Дата публикации: 2024-10-31.

ELECTROLYTIC METHOD OF FUEL

Номер патента: US20120000788A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DIESEL ENGINE AND METHOD OF CONTROLLING THE DIESEL ENGINE

Номер патента: US20120004826A1. Автор: . Владелец: MAZDA MOTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Punching method of liquid metal of cutters on die casting machine with horizontal chamber of pressing and facility for its implementation

Номер патента: RU2353468C2. Автор: Вениамин Константинович Гребешков,Виктор Юрьевич Пирайнен. Владелец: Виктор Юрьевич Пирайнен. Дата публикации: 2009-04-27.

Method of forming the system of forces of flying vehicle and flying vehicle-ground-air-amphibian for realization of this method

Номер патента: RU2317220C1. Автор: Сергей Михайлович Семенов,Валентин Васильевич Назаров,Дмитрий Валентинович Назаров,Евгений Алексеевич Лозовик. Владелец: Валентин Васильевич Назаров. Дата публикации: 2008-02-20.

Manufacturing method of thin films based on samarium monosulphide

Номер патента: RU2459012C2. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Андрей Владимирович Зенкевич,Юрий Юрьевич Лебединский,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Олег Евгеньевич Парфёнов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2012-08-20.

Method of forming waterproof screen in cracked watercut mountain arrays using bridging

Номер патента: RU2531410C1. Автор: Александр Порфирович Андриевский,Алексей Евгеньевич Зуев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук (ИХХТ СО РАН). Дата публикации: 2014-10-20.

Retained form assembly, method of assembly production and method of wall erection with the use of above assembly

Номер патента: RU2253719C1. Автор: С.Г. Степанюк,А.Г. Дорофеев. Владелец: Дорофеев Александр Григорьевич. Дата публикации: 2005-06-10.

Method of forming areflux esophageal-enteric anastomosis

Номер патента: RU2437623C2. Автор: Игорь Александрович Ли. Владелец: Игорь Александрович Ли. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of forming articles out of explosive composition

Номер патента: RU2346918C1. Автор: Исак Гасинович Гатаулин,Геннадий Васильевич Куценко,Геннадий Эдуардович Кузьмицкий,Николай Сергеевич Божья-Воля,Рафис Фассахович Салахов,Анатолий Михайлович Кранидов,Валентина Алексеевна Ступникова,-Вол Николай Сергеевич Божь,Владимир Михайлович Лисовский,Нина Ивановна Куркина,Ирина Викторовна Артемова,Юрий Васильвич Замахаев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2009-02-20.

Method of producing diamond-like carbon and device to this end

Номер патента: RU2567770C2. Автор: Александр Петрович Семенов,Ирина Александровна Семенова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физического материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of system processing of leucoxene concentrate

Номер патента: RU2090509C1. Автор: Н.А. Ватолин,Л.И. Леонтьев,Г.Н. Кожевников,А.Г. Водопьянов,нов А.Г. Водопь. Владелец: Институт металлургии Уральского отделения РАН. Дата публикации: 1997-09-20.

Organic-inorganic nanostructures and materials, consisting nanoparticles of noble metals, and methods of its receiving

Номер патента: RU2364472C2. Автор: Геннадий Борисович Хомутов. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of distal blocking of intramedullary rods in osteosynthesis of long tubular bones and device for its realisation

Номер патента: RU2387401C2. Автор: Валерий Михайлович Никитин,Виктор Михайлович Воронин,Михаил Викторович Воронин,Елена Андреевна Липунова. Владелец: ООО "ВМВ-Медицина". Дата публикации: 2010-04-27.

Method of forming ordered structures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2593633C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Method of localisation of explosions of methan-air mixture and/or coal dust in underground mine workings and facility for implementation of this method (versions)

Номер патента: RU2342535C1. Автор: Виктор Прокопьевич Тациенко,Дмитрий Иванович Адамидзе,Анатолий Владимирович Джигрин,Андрей Юрьевич Горлов,Юрий Владимирович Горлов,Константин Владимирович Горлов. Владелец: ЗАО "Межведомственная комиссия по взрывному делу при Академии горных наук" (ЗАО "МВК по ВД при АГН"). Дата публикации: 2008-12-27.

Method of forming and trimming vines

Номер патента: RU2478278C1. Автор: Николай Васильевич Матузок. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-04-10.

Method of automatic control of crop condition

Номер патента: RU2537912C2. Автор: Илья Михайлович Михайленко. Владелец: Государственное научное учреждение Агрофизический научно-исследовательский институт Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ АФИ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2015-01-10.

Crystalline form ii of tilorone and method of obtaining thereof (versions)

Номер патента: RU2521595C2. Автор: Александр Сергеевич Семенов,Олег Александрович Игнатенко,Сергей Викторович Пирогов,Игорь Алексеевич Концевой,Александр Фуатович Габитов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Активный Компонент". Дата публикации: 2014-06-27.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots on vine plantation (version of russian logic - version 9)

Номер патента: RU2537572C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

IMAGE SCANNING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF DOCUMENT SIZE DETECTION LIGHT SOURCE

Номер патента: US20120002247A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of surgical treatment of tongue and oral cavity floor

Номер патента: RU2391923C1. Автор: Павел Викторович Светицкий,Абдуаваз Абдулахатович Ганиев,Василий Васильевич Калий,Мамука Важаевич Баужадзе. Владелец: Мамука Важаевич Баужадзе. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of stitch formation in pyelitis and pyelitisuretroanastomosis

Номер патента: RU2369343C1. Автор: Валерий Иргюнович Ким,Илья Иосифович Каган,Игорь Владимирович Семенякин,Айнур Мухаметгалеевич Хазимов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургская государственная медицинская академия" Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО ОрГМА Росздрава). Дата публикации: 2009-10-10.

Fabrication method of seamless hot-deformed tubes of large and mean diametres on tube-forming installations with pilger mills

Номер патента: RU2387498C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Валерий Александрович Головинов,Владимир Сергеевич Баричко,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Дмитрий Всеволодович Марков,Юрий Борисович Белокозович,Сергей Геннадьевич Чикалов,Константин Николаевич Бубнов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-27.

Method of forming rectangular groove for mounting open shed in wooden structure members joined by said groove and milling cutter for working rectangular groove

Номер патента: RU2278023C1. Автор: Владимир Яковлевич Нагорный. Владелец: Владимир Яковлевич Нагорный. Дата публикации: 2006-06-20.

Method of forming switching jumper

Номер патента: RU2579166C2. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of manufacturing vermicompost and device for its implementation

Номер патента: RU2546893C1. Автор: Владимир Яковлевич Спевак,Николай Владимирович Спевак,Роман Максимович Медведев,Владислав Васильевич Лифатов,Анастасия Александровна Никульникова,Ирина Геннадьевна Шарапова,Евгений Владимирович Моисеев. Владелец: Николай Владимирович Спевак. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots (version of russian logic - version 10)

Номер патента: RU2537569C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of forming carbon nano-objects on glass-ceramic substrates

Номер патента: RU2601044C2. Автор: Владимир Николаевич Чернышов,Виктор Прокопьевич Шелохвостов,Алексей Геннадьевич Стивкин,Максим Николаевич Дутов,Денис Владимирович Образцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ФГБОУ ВПО ТГТУ. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of forming proton images obtained by magnetic optics operating with magnification

Номер патента: RU2536103C1. Автор: Константин Леонидович Михайлюков,Игорь Васильевич Храмов. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ", Российская Федерация. Дата публикации: 2014-12-20.

Highly productive method of depositing carbon nanotubes and composite films

Номер патента: RU2342316C2. Автор: Станислав Викторович Хартов,Владимир Кириллович Неволин,Сергей Владимирович Бараш. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-12-27.

Method of producing microoptical raster

Номер патента: RU2554595C1. Автор: Вадим Павлович Вейко,Галина Кирилловна Костюк,Максим Михайлович Сергеев,Евгений Борисович Яковлев,Роман Алексеевич Заколдаев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2015-06-27.

Method of forming fabric with variable density of filling thread

Номер патента: RU2495168C2. Автор: Владимир Юрьевич Селиверстов,Александр Павлович Гречухин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Костромской государственный технологический университет". Дата публикации: 2013-10-10.

Method of forming frameless centrifugal structure (versions) and device for realization of this method

Номер патента: RU2309875C1. Автор: Виталий Михайлович Мельников,Владимир Александрович Комков,Виталий Михайлович Мельников (RU),Владимир Александрович Комков (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "ТехКом". Дата публикации: 2007-11-10.

Method of forming magnetic tunnel junction based on nanosize metal-insulator-metal structures and magnetic tunnel junction strucure based on nanosize metal-insulator-metal structures (versions)

Номер патента: RU2394304C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2010-07-10.

Method of forming vines

Номер патента: RU2478279C1. Автор: Николай Васильевич Матузок,Петр Пантелеевич Радчевский. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-04-10.

Method of surgical correction of myopic astigmatism

Номер патента: RU2376964C1. Автор: Александр Иванович Мягких. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ост-Оптик К". Дата публикации: 2009-12-27.

Method of forming profile of rail head by forming cutters furnished with change polyhedral blades and milling cutters for rail forming

Номер патента: RU2291929C2. Автор: Сергей Геннадьевич Емельянов,Сергей Александрович Чевычелов,нов Сергей Геннадьевич Емель. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-01-20.

METHOD OF PRODUCING SILICON p-i-n PHOTODIODE

Номер патента: RU2541416C1. Автор: Сергей Иванович Денисов,Станислав Стефанович Демидов,Евгений Алексеевич Климанов,Марина Александровна Нури. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of and device for orientation of different-shape articles at transportation

Номер патента: RU2288871C2. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2006-12-10.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

Device and method of forming absorbing cores which are obtained by pneumostacking

Номер патента: RU2405516C2. Автор: Хенрик КАРЛЕН,Гуннар ЭДВАРДССОН. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2010-12-10.

Acoustic horn and method of making same (versions)

Номер патента: RU2519852C1. Автор: Алексей Юрьевич Химичев. Владелец: Алексей Юрьевич Химичев. Дата публикации: 2014-06-20.

Method of forming epitaxial copper nanostructures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2522844C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2014-07-20.

Electrolyte for forming black ceramic coat on rectifying metals and their alloys; method of forming such coat and coat formed by this method

Номер патента: RU2285066C1. Автор: Анатолий Иванович Мамаев,Павел Игоревич Бутягин,ков Евгений Васильевич Хохр,Евгений Васильевич Хохряков,гин Павел Игоревич Бут. Владелец: Анатолий Иванович Мамаев. Дата публикации: 2006-10-10.

Method of forming high brightness and contrast location image and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2483323C1. Автор: Игорь Леонидович Мисюченко,Николай Тимофеевич Ничипоренко,Антон Александрович Булатов,Игорь Евгеньевич Маренич,Иван Елисеевич Ушаков,Борис Сергеевич Трофимов,Вадим Георгиевич Яковлев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Морские комплексы и системы". Дата публикации: 2013-05-27.

Method of forming decorative vinegrove head

Номер патента: RU2473206C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2013-01-27.

Method of rolling metal billet

Номер патента: RU2488455C2. Автор: Евгений Николаевич Чумаченко,Николай Николаевич Грунин,Сергей Алексеевич Аксенов,Ирина Валентиновна Логашина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики". Дата публикации: 2013-07-27.

Method of forming of electronic documents and device for its realisation

Номер патента: RU2365047C2. Автор: Александр Иванович Иванов,Вячеслав Александрович Фунтиков. Владелец: Вячеслав Александрович Фунтиков. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of preparing combined fish mass

Номер патента: RU2255612C2. Автор: В.Д. Богданов,Л.П. Ольхова,Л.П. Ольховая,Л.Д. Петрова. Владелец: Тихоокеанский государственный экономический университет. Дата публикации: 2005-07-10.

Method of forming aggregated data structure and method of searching for data through aggregated data structure in data base management system

Номер патента: RU2433467C1. Автор: Сергей Павлович Маркин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное предприятие "Реляционные экспертные системы". Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming objects on surface of materials using focused ion beam

Номер патента: RU2457573C1. Автор: Евгений Владиславович Пустовалов,Владимир Сергеевич Плотников,Борис Николаевич Грудин,Алексей Петрович Глухов,Алексей Валерьевич Кириллов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2012-07-27.

METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC

Номер патента: RU2454491C2. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Юрий Михайлович Таиров,Алексей Юрьевич Фадеев,Дмитрий Дмитриевич Авров,Сергей Иванович Дорожкин,Андрей Олегович Лебедев,Олеся Валерьевна Посредник. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛАДЛТИ-рост". Дата публикации: 2012-06-27.

Method of teaching subject "physical education" to students of special medical group

Номер патента: RU2411906C1. Автор: Нина Геннадьевна Коновалова,Анна Исмагиловна Яруллина,Елена Владимировна Красильникова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кузбасская государственная педагогическая академия. Дата публикации: 2011-02-20.

Method of maintenance of thermal conditions in space rocket head module and device for realization of this method

Номер патента: RU2293044C2. Автор: Вячеслав Михайлович Филин,Михаил Викторович Рожков,Виктор Николаевич Веселов,Владимир Петрович Клиппа,Виктор Иванович Негодяев,В чеслав Михайлович Филин,ев Виктор Иванович Негод. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2007-02-10.

Method of forming coatings of tantalum pentoxide on substrate

Номер патента: RU2518257C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Михаил Азарьевич Медков,Кирилл Николаевич Килин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2014-06-10.

WALL FORMED IN SOIL, THE WALL INCLUDING A HOLLOW PREFABRICATED ELEMENT, AND A METHOD OF MAKING SUCH A WALL

Номер патента: US20120000148A1. Автор: MATHIEU Fabrice,BOREL Serge,HAMELIN Jean Pierre,CANO Joël. Владелец: SOLETANCHE FREYSSINET. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming nanowires from colloidal natural material

Номер патента: RU2533330C1. Автор: Александр Павлович Кузьменко,Владимир Владимирович Чаков,Ньен Аунг Чан,Валерия Александровна Башкатова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2014-11-20.

Method of forming of furrow slices and device for its implementation

Номер патента: RU2537554C1. Автор: Адаман Габдинагимович Габдуллин,Станислав Степанович Литвинов,Иван Иванович Вирченко. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт овощеводства Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of forming divided charges in flooded wells

Номер патента: RU2306522C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2007-09-20.

Method of treating obesity in case of external type of eating behavior disorder

Номер патента: RU2264232C2. Автор: О.И. Хвостова,Е.Н. Лобыкина,В.З. Колтун. Владелец: Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей. Дата публикации: 2005-11-20.

Method of forming divided charges in flooded wells

Номер патента: RU2306523C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2007-09-20.

Method of forming vessels, activating lifting force of overwater transport performing cargo transportation (version of russian logic - version 4)

Номер патента: RU2582735C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of repeated producing formation exposing and device for its implementation

Номер патента: RU2365743C1. Автор: Сергей Сергеевич Яковлев,Максим Павлович Копотилов. Владелец: Максим Павлович Копотилов. Дата публикации: 2009-08-27.

Method of obtaining calcium apatite

Номер патента: RU2473461C2. Автор: Альберт Семенович Алой,Николай Константинович Мокин,Анастасия Вадимовна Макарова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2013-01-27.

Method of forming vertically oriented vegetable crops (version of russian logic - version 1)

Номер патента: RU2476065C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2013-02-27.

Method of forming single-crystal nanowires in matrix of native oxide

Номер патента: RU2503084C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Кирилл Евгеньевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2013-12-27.

Method of determining parameters of heart rhythm variability

Номер патента: RU2546103C9. Автор: Игорь Анатольевич Ермоленко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Калининградский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-01-27.

Method of forming three-dimensional image of earth's surface and air environment using antenna array

Номер патента: RU2539558C1. Автор: Владимир Константинович Клочко,Алексей Николаевич Усачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-01-20.

Method of forming neck of urinary bladder after prostatectomy

Номер патента: RU2462201C1. Автор: Валерий Иргюнович Ким,Михаил Иванович Васильченко,Игорь Владимирович Семенякин,Айнур Мухаметгалеевич Хазимов,Дмитрий Александрович Зеленин,Евгений Александрович Яшин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ГОУ ВПО ОрГМА Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2012-09-27.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots (version of russian logic - version 1)

Номер патента: RU2537571C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of floors repair

Номер патента: RU2381344C1. Автор: Анатолий Сергеевич Ведяшкин,Николай Леонидович Великанов,Юрий Михайлович Сапрыкин. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Калининградский государственный технический университет". Дата публикации: 2010-02-10.

Method of forming antifriction coating on thin-walled steel shells of sliding supports

Номер патента: RU2319049C1. Автор: Лев Борисович Леонтьев,Ванда Болиславовна Хмелевская,Надежда Анатольевна Рассказова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Морской государственный университет имени адмирала Г.И. Невельского". Дата публикации: 2008-03-10.

Method of decomposing sludge, formed after processing of utilised emulsion cutting fluids

Номер патента: RU2537293C1. Автор: Игорь Александрович Малыхин,Сергей Марциянович Совка,Олег Владимирович Пелипенко,Геннадий Васильевич Сазонов. Владелец: Сергей Марциянович Совка. Дата публикации: 2014-12-27.

Method of forming data support aircraft flight path and device for its implementation

Номер патента: RU2597309C1. Автор: Валерий Иванович Петунин,Любовь Михайловна Неугодникова,Валерий Дмитриевич Елисеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2016-09-10.

Method of separating layer of stems of flax fibre into portions

Номер патента: RU2584123C1. Автор: Михаил Михайлович Ковалев,Юрий Федорович Лачуга,Вячеслав Анатольевич Романов,Федор Владимирович Зубов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт механизации льноводства" (ФГБНУ ВНИИМЛ). Дата публикации: 2016-05-20.

Manufacturing method of formed fish product

Номер патента: RU2360541C2. Автор: Владимир Александрович Гроховский,Ольга Федоровна Низковская. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Мурманский государственный технический университет. Дата публикации: 2009-07-10.

Method of controlled change of form of frontal eye cornea surface by creation of pseudo membrane in ablation zone

Номер патента: RU2504354C1. Автор: Владимир Анатольевич Семчишен,Антон Владимирович Семчишен. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук. Дата публикации: 2014-01-20.

Method of differential diagnostics of form of erectile dysfunction

Номер патента: RU2460462C1. Автор: Пётр Витальевич Глыбочко,Юрий Михайлович Есилевский,Армаис Альбертович Камалов,Петр Витальевич Глыбочко (RU),Армаис Альбертович Камалов (RU),Юрий Михайлович Есилевский (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Первый Московский государственный медицинский университет им. И.М. Сеченова Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ГОУ ВПО Первый МГМУ им. И.М. Сеченова Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2012-09-10.

Method of arc welding or building-up

Номер патента: RU2490101C2. Автор: Алексей Алексеевич Казинский,Роман Юрьевич Ещенко,Никита Алексеевич Казинский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2013-08-20.

Method of forming cavitation jets for treatment of surfaces submerged in liquid

Номер патента: RU2271300C2. Автор: Анатолий Иванович Харламов,Валерий Борисович Мустафин,Бандула ВИДЖАЯРАТХНА. Владелец: Анатолий Иванович Харламов. Дата публикации: 2006-03-10.

Method of surface hardening

Номер патента: RU2375465C1. Автор: Святослав Феоктистович Кукин,Олег Георгиевич Девойно,Александр Алексеевич Баркун,Александр Святославович Кукин. Владелец: Республиканское унитарное предприятие "Минский тракторный завод". Дата публикации: 2009-12-10.

Method of forming protective coat (versions)

Номер патента: RU2292325C2. Автор: ров Александр Петрович Стол,Александр Петрович Столяров. Владелец: Александр Петрович Столяров. Дата публикации: 2007-01-27.

Method of forming end-side oesophageal-gastric anastomosis after proximal stomach resection

Номер патента: RU2535075C2. Автор: Илья Иосифович Каган,Анатолий Андреевич Третьяков,Петр Владимирович Самойлов,Валерий Иванович Ким. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации /ГБОУ ВПО ОрГМА Минздравсоцразвития России/. Дата публикации: 2014-12-10.

METHOD OF FORMING CONTACT PADS ON YBA2CU3O7-x FILMS

Номер патента: RU2538932C2. Автор: Сергей Александрович Сычев,Александр Геннадьевич Петров,Денис Викторович Федосов,Геннадий Михайлович Серопян,Ирина Станиславовна Позыгун. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерные решения". Дата публикации: 2015-01-10.

Method of suture fixation of intraocular lens in ciliary sulcus

Номер патента: RU2472474C1. Автор: Виктор Петрович Фокин,Александр Михайлович Марухненко,Наталья Валентиновна Кадатская. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи". Дата публикации: 2013-01-20.

Method of producing abrasive wheel by water-ice jet

Номер патента: RU2407625C2. Автор: Юрий Сергеевич Степанов,Андрей Викторович Киричек,Борис Иванович Афанасьев,Дмитрий Сергеевич Фомин,Михаил Анатольевич Бурнашов,Михаил Алексеевич Степанищев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2010-12-27.

Method of forming information space-time field

Номер патента: RU2492517C2. Автор: Владимир Степанович Телешевский,Анатолий Павлович Арцебарский,Арман Анетович Кульбеков. Владелец: Акционерное общество "Национальная компания "Казакстан Ғарыш Сапары". Дата публикации: 2013-09-10.

Method of catalytic purification of hydrogen-containing gaseous mixture from carbon oxides

Номер патента: RU2534249C1. Автор: Алексей Викторович Дульнев,Анатолий Васильевич Обысов,Мария Александровна Круглова,Валерий Иванович Головков,Татьяна Ивановна Мозгунова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НИАП-КАТАЛИЗАТОР". Дата публикации: 2014-11-27.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of forming active layer of tubular catalyst

Номер патента: RU2401699C1. Автор: Юрий Терентьевич Синяпкин. Владелец: Юрий Терентьевич Синяпкин. Дата публикации: 2010-10-20.

Liana-shaped method of forming vines

Номер патента: RU2535734C1. Автор: Александр Юрьевич Ваулин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Челябинская государственная агроинженерная академия" (ФГБОУ ВПО ЧГАА). Дата публикации: 2014-12-20.

Method of laparoscopic anti-reflux operation of fundoplication

Номер патента: RU2463004C1. Автор: Михаил Владимирович Бурмистров,Евгений Иосифович Сигал,Алексей Владимирович Бердников,Том Леонидович Шарапов,Антон Александрович Морошек,Ксения Владимировна Семенова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2012-10-10.

Method of forming vessels with sliding devices, activating lifting force of overwater transport performing cargo transportation (version of russian logic - version 2)

Номер патента: RU2580387C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of forming single information pattern from interlinked fragments for display thereof in viewing window of demonstration stand

Номер патента: RU2530854C2. Автор: Сергей Евгеньевич Маркин. Владелец: Сергей Евгеньевич Маркин. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of forming vessels, activating lifting force of overwater transport performing cargo transportation (version of russian logic - version 2)

Номер патента: RU2582724C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of forming crown of vineyard at lower part of poplar woody plants (version of russian logic - version 3)

Номер патента: RU2532426C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-11-10.

Method of hip joint endoprosthesis in case of juvenile arthritis in combination with osteoporosis in teenagers

Номер патента: RU2482810C1. Автор: Олег Алексеевич Малахов,Олег Олегович Малахов,Сергей Юрьевич Морев,Екатерина Иосифовна Алексеева. Владелец: Учреждение Российской академии медицинских наук Научный центр здоровья детей РАМН (НЦЗД РАМН). Дата публикации: 2013-05-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.