METHOD FOR MANUFACTURING A MOS TRANSISTOR OF REDUCED GRID LENGTH, AND INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING SUCH A TRANSISTOR
Номер патента: FR2840453B1
Опубликовано: 24-06-2005
Автор(ы): Damien Lenoble, Isabelle Guilmeau
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, STMICROELECTRONICS SA
Опубликовано: 24-06-2005
Автор(ы): Damien Lenoble, Isabelle Guilmeau
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, STMICROELECTRONICS SA
Method for fabricating a MOS transistor with reduced channel length variation and related structure
Номер патента: US20110089490A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-04-21.