Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound

Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound

Номер патента: TW385555B
Опубликовано: 21-03-2000
Автор(ы): Masayoshi Koike, Shinya Asami
Принадлежит: Toyoda Gosei Kk
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound

Номер патента: EP0732754B1. Автор: Masayoshi Koike,Shinya Asami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-31.

Near-ultraviolet light-emitting semiconductor light-emitting element and group iii nitride semiconductor template used therefor

Номер патента: US20190140140A1. Автор: Sung Min Hwang,In Sung Cho,Doo Soo Kim,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Producing a light-emitting semiconductor component by connecting first and second semiconductor bodies

Номер патента: US09853186B2. Автор: Patrick Rode,Matthias Sabathil,Hans-Jürgen Lugauer,Andreas Plöβl,Alexander Linkov. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-26.

Light emitting semiconductor devices

Номер патента: US20030205713A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Light emitting semiconductor devices

Номер патента: US20020125489A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Red-light-emitting semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240274751A1. Автор: Dongwook Kim,DongHun Kang,Sukkoo JUNG,Daesung KANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-15.

Light-emitting semiconductor heterostructure

Номер патента: RU2306634C1. Автор: Дмитрий Александрович Закгейм,Игорь Владимирович Рожанский. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Светлана - Оптоэлектроника". Дата публикации: 2007-09-20.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride compound semiconductor

Номер патента: US6423984B1. Автор: Hiroshi Watanabe,Norikatsu Koide,Shinya Asami,Hisaki Kato. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-23.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride compound semiconductor

Номер патента: US20040026705A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Norikatsu Koide,Shinya Asami,Hisaki Kato. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-12.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride compound semiconductor

Номер патента: US6853009B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Norikatsu Koide,Shinya Asami,Hisaki Kato. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-08.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: CA2441310A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group iii nitride based quantum well structures and group iii nitride based superlattice structures

Номер патента: MY137396A. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-01-30.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: WO2002097904A3. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: US9112083B2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: EP2259347A2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby Jr.,Amber Christine Salter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Group-iii nitride structure

Номер патента: US20150144869A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Fredrik Karlsson,Anders Lundskog. Владелец: POLAR LIGHT TECHNOLOGIES AB. Дата публикации: 2015-05-28.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: EP2259341A2. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Group iii nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: CA2567739C. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-09-16.

Group III nitride based light emitting diode

Номер патента: EP2237334A3. Автор: David Emerson,James Ibbetson,Michael Bergmann,Kathleen Doverspike,Michael O'Loughlin,Howard Nordby,Amber Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-04-27.

Group iii nitride led with undoped cladding layer.

Номер патента: MY128599A. Автор: Michael John Bergmann,John Adam Edmond,Hua-Shuang Kong,Kathleen Marie Doverspike. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2054242C. Автор: Masahiro Kotaki,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-06-25.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2037198C. Автор: Shiro Yamazaki,Masafumi Hashimoto,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Akira Mabuchi,Norikatsu Koide,Hisaki Kato,Michinari Sassa. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-04-23.

Optical tuning of light emitting semiconductor junctions

Номер патента: US09614122B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound

Номер патента: US5652438A. Автор: Masayoshi Koike,Masami Yamada,Naoki Shibata,Makoto Tamaki,Michinari Sassa,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-29.

Light emitting semiconductor device for enhancing light extraction efficiency

Номер патента: US11961943B2. Автор: Youn Joon Sung,Min Sung KIM,Eun Dk LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Substrate for nitride semiconductor device and production method thereof, and red light emitting semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US9455376B2. Автор: Atsushi Koizumi,Yasufumi Fujiwara,Yoshikazu Terai. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2016-09-27.

NEAR-ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE USED THEREFOR

Номер патента: US20190140140A1. Автор: HWANG Sung Min,KIM Doo Soo,CHO In Sung,LIM Won Taeg. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Light-emitting semiconductor chip

Номер патента: US09799797B2. Автор: Tetsuya Taki,Alexander Walter,Joachim Hertkorn,Tobias Meyer,Matthias Peter,Rainer Butendeich,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-24.

Light-emitting semiconductor chip

Номер патента: US09530931B2. Автор: Tetsuya Taki,Alexander Walter,Joachim Hertkorn,Tobias Meyer,Matthias Peter,Rainer Butendeich,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-12-27.

NITRIDE BASED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DESIRABLE CARBON TO ALUMINUM CONCENTRATION RATIO

Номер патента: US20170194529A1. Автор: Li Yun-Li,Wang Shen-Jie,Lin Ching-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT BY CONNECTING FIRST AND SECOND SEMICONDUCTOR BODIES

Номер патента: US20160247966A1. Автор: Lugauer Hans-Jürgen,Rode Patrick,Sabathil Matthias,Linkov Alexander,Plößl Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Light emitting semiconductor device including hole injection layer

Номер патента: CN104425665B. Автор: 朴永洙,金峻渊,金在均,金柱成,卓泳助. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-04.

Light emitting semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN104508842B. Автор: 安相贞. Владелец: 安相贞. Дата публикации: 2017-06-09.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104508841B. Автор: 安相贞. Владелец: 安相贞. Дата публикации: 2018-05-22.

Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20170025570A1. Автор: Peter Matthias,Meyer Tobias,Taki Tetsuya,Walter Alexander,Hertkorn Joachim,Off Juergen,Butendeich Rainer. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20170324001A1. Автор: Peter Matthias,Meyer Tobias,Taki Tetsuya,Walter Alexander,Hertkorn Joachim,Off Juergen,Butendeich Rainer. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

Light emitting semiconductor parts

Номер патента: JP2014507811A. Автор: パトリック ローデ,マティアス サバシル,アレクサンダー リンコフ,アンドレアス プルーセル,ハンス−ユルゲン ルガウアー. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of manufacturing iii-nitride semiconductor light emitting structure

Номер патента: US20240250213A1. Автор: Sung Min Hwang,Doo Soo Kim,In Seong Cho,Hyung Kyu Choi,Sung Woon HEO,Sung Ju MUN,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound

Номер патента: US6936859B1. Автор: Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-30.

Epitaxy wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component, and methods for producing the epitaxy wavelength conversion element and the light-emitting semiconductor component

Номер патента: US20200411731A1. Автор: Tansen Varghese,Martin Rudolf Behringer,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-31.

Light-emitting semiconductor element

Номер патента: DE60143342D1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Osamu Oda,Yuji Hori,Tomohiko Shibata. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Nonpolar or semipolar group III-nitride substrates

Номер патента: US12106959B2. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8594145B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Group iii-nitride light emitting devices including a polarization junction

Номер патента: US20220077349A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Group iii nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses

Номер патента: EP2532033A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,Daniel Carleton Driscoll,Ashonita Chavan,Pablo Cantu-Alejandro. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-12-12.

Nitride epitaxial structure and semiconductor device

Номер патента: EP4207247A1. Автор: Zhibin Chen,Ruihong Luo. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Nitride epitaxial structure and semiconductor device

Номер патента: US20230290742A1. Автор: Zhibin Chen,Ruihong Luo. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Group III Nitride Semiconductor Light Emitting Element And Wafer Containing Element Structure

Номер патента: US20180040770A1. Автор: Toshiyuki Obata,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers

Номер патента: US12094998B2. Автор: Brian T. Collins,Daniel Carleton Driscoll,Thomas A. Kuhr,Robert David Schmidt. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Patterned layer design for group III nitride layer growth

Номер патента: US09806228B2. Автор: Rakesh Jain,Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Wenhong Sun,Jinwei Yang. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Efficient group iii-nitride led devices and method of fabrication

Номер патента: US20240079525A1. Автор: Iulian Gherasoiu,Haralabos Efstathiadis. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-03-07.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and epitaxial wafer

Номер патента: EP2144306A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-01-13.

Group III-nitride light emitting devices including a polarization junction

Номер патента: US11799057B2. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Group iii-nitride light emitting devices including a polarization junction

Номер патента: US20200411722A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150041758A1. Автор: Yoshiki Saito,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150083997A1. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20160260868A1. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Group iii-v nitride-based light emitting devices having multilayered p-type contacts

Номер патента: US20180277715A1. Автор: Dong Liu,Zhenqiang Ma. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-09-27.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972745B2. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09570656B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09564552B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Group-iii nitride laminated substrate and semiconductor element

Номер патента: US20210184080A1. Автор: Takeshi Kimura,Hajime Fujikura,Taichiro Konno. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Group-III nitride laminated substrate and semiconductor element

Номер патента: US12002903B2. Автор: Takeshi Kimura,Hajime Fujikura,Taichiro Konno. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Light emitting semiconductor component including an absorptive layer

Номер патента: US20160284931A1. Автор: Ivar Tangring,Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-09-29.

Light emitting semiconductor component including an absorptive layer

Номер патента: US09685584B2. Автор: Ivar Tangring,Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-20.

Group III-V type nitride compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US5917196A. Автор: Nobuaki Teraguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-06-29.

Light emitting device with transparent conductive group-iii nitride layer

Номер патента: US20190148587A1. Автор: Marco Rossetti,Nicolas Pierre Grandjean,Marco MALINVERNI,Antonino Francesco CASTIGLIA. Владелец: EXALOS AG. Дата публикации: 2019-05-16.

Light emitting device with transparent conductive group-iii nitride layer

Номер патента: US20170236974A1. Автор: Marco Rossetti,Nicolas Pierre Grandjean,Marco MALINVERNI,Antonino Francesco CASTIGLIA. Владелец: EXALOS AG. Дата публикации: 2017-08-17.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE USING GROUP III NITROGEN COMPOUND

Номер патента: US20140239313A1. Автор: Yamazaki Shiro,Shibata Naoki,KOIKE Masayoshi,Kato Hisaki,Asai Makoto,Manabe Katsuhide,Sassa Michinari. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-28.

Light-emitting semiconductor device using group III nitrogen compound

Номер патента: US20060118821A1. Автор: Shiro Yamazaki,Masayoshi Koike,Katsuhide Manabe,Makoto Asai,Hisaki Kato,Naoki Shibata,Michinari Sassa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Light-emitting semiconductor device using group III nitrogen compound

Номер патента: US7332366B2. Автор: Shiro Yamazaki,Masayoshi Koike,Katsuhide Manabe,Makoto Asai,Hisaki Kato,Naoki Shibata,Michinari Sassa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity

Номер патента: US6265726B1. Автор: Shiro Yamazaki,Masayoshi Koike,Katsuhide Manabe,Makoto Asai,Hisaki Kato,Naoki Shibata,Michinari Sassa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-24.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE, LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180166854A1. Автор: STRITTMATTER André,Dadgar Armin,Berger Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor device

Номер патента: US10673207B2. Автор: Christoph Berger,Armin Dadgar,Andre Strittmatter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-06-02.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting device and method for manufacturing a light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE112016002493B4. Автор: Christoph Berger,Armin Dadgar,Andre Strittmatter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-12-15.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR FABRICATING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150115312A1. Автор: Kyono Takashi,YANASHIMA Katsunori,Tokuyama Shinji,Katayama Koji,HAMAGUCHI TATSUSHI,SUMIYOSHI Kazuhide,Saga Nobuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Light-Emitting Semiconductor Chip, Light-Emitting Component and Method for Producing a Light-Emitting Component

Номер патента: US20190115510A1. Автор: Herrmann Siegfried,VÖLKL Michael. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-18.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING CHIP

Номер патента: US20170331257A1. Автор: Lell Alfred,Eichler Christoph,Stojetz Bernhard,Somers André,Loeffler Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

Red light emitting semiconductor element and method for manufacturing red light emitting semiconductor element

Номер патента: JP5388041B2. Автор: 直樹 古川,敦 西川,隆志 川崎,康文 藤原,慶和 寺井. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2014-01-15.

Red light-emitting semiconductor element and method for manufacturing red light-emitting semiconductor element

Номер патента: KR101383489B1. Автор: 야스후미 후지와라,타카시 카와사키,나오키 후루카와,아츠시 니시카와,요시카즈 테라이. Владелец: 오사카 유니버시티. Дата публикации: 2014-04-08.

Substrate for nitride semiconductor device and production method thereof, and red light emitting semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US20150214434A1. Автор: Atsushi Koizumi,Yasufumi Fujiwara,Yoshikazu Terai. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2015-07-30.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: EP0444630B1. Автор: Shiro Yamazaki,Masafumi Hashimoto,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Akira Mabuchi,Norikatsu Koide,Hisaki Kato,Michinari Sassa. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1997-05-21.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: TWI449224B. Автор: Hao Chung Kuo,Chao Hsun Wang,Zhen Yu Li. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2014-08-11.

Light-emitting semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20030183835A1. Автор: Masaaki Kikuchi,Tetsuji Moku,Kohji Ohtsuka,Masataka Yanagihara. Владелец: Masataka Yanagihara. Дата публикации: 2003-10-02.

The method for manufacturing light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104518062B. Автор: 崔承奎,金材宪,郑廷桓,郭雨澈,张三硕. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD

Номер патента: DE69533511D1. Автор: Minoru Kubo,Akihiko Ishibashi,Yuzaburo Ban,Isao Kidoguchi,Kiyoshi Ohnaka,Hideto Adachi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Nitride semiconductor element substrate and manufacturing method thereof, and red light-emitting semiconductor element and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI597861B. Автор: 小泉淳,藤原康文,寺井慶和. Владелец: 國立大學法人大阪大學. Дата публикации: 2017-09-01.

Light emitting semiconductor device and method for manufacturing

Номер патента: EP2438628A1. Автор: Vladislav E. Bougrov,Maxim A. Odnoblyudov,Mikael Mulot. Владелец: Optogan Oy. Дата публикации: 2012-04-11.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US11569416B2. Автор: Youn Joon Sung,Min Sung KIM,Eun Dk LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Multi-wavelength light-emitting semiconductor devices

Номер патента: EP4131678A3. Автор: Andrew Johnson. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2023-05-03.

Multi-wavelength light-emitting semiconductor devices

Номер патента: TW202320438A. Автор: 安德魯 大衛 約翰遜. Владелец: 英商Ｉｑｅ有限公司. Дата публикации: 2023-05-16.

Multi-wavelength light-emitting semiconductor devices

Номер патента: US20230040688A1. Автор: Andrew David Johnson. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2023-02-09.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE112007001235B4. Автор: Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Motoaki Iwaya. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-09.

WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT, METHOD OF MAKING, AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING SAME

Номер патента: US20160268488A1. Автор: Piquette Alan,Goeoetz Britta,Tarry Christopher A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

OPTICAL TUNING OF LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR JUNCTIONS

Номер патента: US20160308090A1. Автор: Atanackovic Petar. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Optical tuning of light emitting semiconductor junctions

Номер патента: US9412911B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Light emitting semiconductor chip with diffision barrier

Номер патента: EP1739758A2. Автор: Norbert Linder. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-01-03.

Manufacturing method of light emitting semiconductor chip

Номер патента: JP6618952B2. Автор: レフラー アンドレアス,アイヒラー クリストフ,レル アルフレート,シュトイェッツ ベアンハート,ゾーマース アンドレ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-12-11.

Light-emitting semiconductor structure and optoelectronic component therefrom

Номер патента: US20130223464A1. Автор: Tzanimir Arguirov,Manfred Reiche,Martin Kittler. Владелец: IHP-GmbH- Innovations for High Performance Microelectronics. Дата публикации: 2013-08-29.

Light emitting semiconductor device having multilayer structure

Номер патента: US5296718A. Автор: Shigeo Fujita,Shizuo Fujita. Владелец: Seiwa Electric Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1994-03-22.

Light emitting semiconductor diode

Номер патента: US4032945A. Автор: Kazuhiro Ito,Mitsuhiro Mori,Makoto Morioka,Yuichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-06-28.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US4701774A. Автор: Atsushi Kurobe,Hideto Furuyama,Paul W. A. McIlroy. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-10-20.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP1246264A3. Автор: Hirokazu Pioneer Corporation Takahashi,Hiroyuki Pioneer Corporation Ota,Atsushi Pioneer Corporation Watanabe. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Group III nitride compound semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100244042A1. Автор: Yoshiki Saito,Yasuhisa Ushida. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Group-III-nitride structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12095002B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide

Номер патента: WO2003071605A3. Автор: William Alan Doolittle. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-11-29.

Group iii nitride light-emitting device, group iii nitride epitaxial wafer, and method for producing group iii nitride light-emitting device

Номер патента: EP4401158A1. Автор: Takao Nakamura,Hideto Miyake,Kenjiro Uesugi. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for improving internal quantum efficiency of Group-III nitride-based light emitting device

Номер патента: US20110089398A1. Автор: Chang-Chi Pan,Ching-Hwa Chang Jean,Jang-Ho Chen. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2011-04-21.

Production method for group III nitride semiconductor and group III nitride semiconductor

Номер патента: US09837494B2. Автор: Hiroshi Amano,Koji Okuno,Naoki Shibata,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Group III nitride semiconductor optical device, epitaxial substrate, and method of making group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8148716B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

Iii group nitride crystal and method for preparation thereof, and iii group nitride crystal substrate and semiconductor device

Номер патента: EP1754811A1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki,Seiji Itami Works of SUMITOMO E.I. LTD NAKAHATA,Ryu Itami Works of SUMITOMO E.I. LTD HIROTA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-02-21.

Integrated circuit die having reduced defect group iii-nitride structures and methods associated therewith

Номер патента: EP3235008A1. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-25.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09755107B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Group iii nitride nanorod light emitting device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20130252363A1. Автор: Jung Ja YANG,Han Kyu Seong,Cheol Soo Sone,Hun Jae CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-26.

Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime

Номер патента: US5523589A. Автор: Vladimir Dmitriev,John A. Edmond,Gary E. Bulman,Hua-Shuang Kong. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1996-06-04.

Zincblende structure group iii-nitride

Номер патента: SG11201908884QA. Автор: David John Wallis,Martin Frentrup,Menno Johannes Kappers,Suman-Lata Sahonta. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2019-10-30.

Zincblende structure group III-nitride

Номер патента: US11817315B2. Автор: David John Wallis,Martin Frentrup,Menno Johannes Kappers,Suman-Lata Sahonta. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Group III nitride compound semiconductor light emitting element

Номер патента: US20030151357A1. Автор: Toshiya Uemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Zincblende Structure Group III-Nitride

Номер патента: US20200402790A1. Автор: David John Wallis,Martin Frentrup,Menno Johannes Kappers,Suman-Lata Sahonta. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Zincblende structure group iii-nitride

Номер патента: EP3602607A1. Автор: David John Wallis,Martin Frentrup,Menno Johannes Kappers,Suman-Lata Sahonta. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2020-02-05.

Zincblende Structure Group III-Nitride

Номер патента: US20220384181A1. Автор: David John Wallis,Martin Frentrup,Menno Johannes Kappers,Suman-Lata Sahonta. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Integrated circuit die having reduced defect group iii-nitride structures and methods associated therewith

Номер патента: US20180315659A1. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Group-III Nitride Devices and Systems on IBAD-Textured Substrates

Номер патента: US20190221712A1. Автор: Vladimir Matias,Christopher Yung. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160247962A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09711684B2. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Group iii nitride light-emitting element and method for producing the light-emitting element

Номер патента: US20190386177A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for removing a device using an epitaxial lateral overgrowth technique

Номер патента: EP4136678A1. Автор: Masahiro Araki,Takeshi Kamikawa,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-02-22.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09577156B2. Автор: Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Iii-nitride p-n junction device using porous layer

Номер патента: WO2021150688A1. Автор: Shuji Nakamura,Christian J. ZOLLNER. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-07-29.

Group-III nitride devices and systems on IBAD-textured substrates

Номер патента: USRE49869E1. Автор: Vladimir Matias,Christopher Yung. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Group-III Nitride Devices and Systems on IBAD-Textured Substrates

Номер патента: US20180351040A1. Автор: Vladimir Matias. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for classifying light-emitting semiconductor components and image sensor application having an image sensor and a semiconductor element

Номер патента: US20170100751A1. Автор: Peter Brick,Felix Kimme. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-13.

Light-emitting semiconductor device with planar structure

Номер патента: US6054726A. Автор: Hiroshi Hamano,Yukio Nakamura,Masumi Taninaka,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Flip tip type of light-emitting semiconductor device using group III nitride compound

Номер патента: TW419836B. Автор: Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi. Владелец: Toyoda Gosei Kk. Дата публикации: 2001-01-21.

Light-emitting semiconductor device using Group III nitride compound

Номер патента: US7045829B2. Автор: Masayoshi Koike,Shinya Asami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-16.

Near-Ultraviolet Light-Emitting Semiconductor Light-Emitting Element And Group III Nitride Semiconductor Template Used Therefor

Номер патента: US20200058827A1. Автор: HWANG Sung Min,KIM Doo Soo,CHO In Sung,LIM Won Taeg. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Light-emitting semiconductor element

Номер патента: US20020038866A1. Автор: Hiroshi Nakatsu,Takahisa Kurahashi,Shouichi Ohyama,Tetsurou Murakami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Light-emitting semiconductor element

Номер патента: TWI236158B. Автор: Hiroshi Nakatsu,Takahisa Kurahashi,Shouichi Ohyama,Tetsurou Murakami. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-07-11.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN108550671A. Автор: 全水根,朴恩铉,金勈德. Владелец: Generation Mai Keliuming Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-18.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE602004021460D1. Автор: Jae-hee Cho,Joon-seop Kwak. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode

Номер патента: US20030006422A1. Автор: Takashi Udagawa,Mineo Okuyama,Hisayuki Miki,Noritaka Muraki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2003-01-09.

Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode

Номер патента: US20040173809A1. Автор: Takashi Udagawa,Mineo Okuyama,Hisayuki Miki,Noritaka Muraki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2004-09-09.

Electrode for light emitting semiconductor device

Номер патента: DE19820777A1. Автор: Takashi Udagawa,Mineo Okuyama,Hisayuki Miki,Noritaka Muraki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 1998-11-12.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT INCLUDING AN ABSORPTIVE LAYER

Номер патента: US20160284931A1. Автор: Tangring Ivar,Sundgren Petrus. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Blue-green light-emitting semiconductor and phosphor for same

Номер патента: US20090152576A1. Автор: Soshchin Naum,Wei-Hung Lo,Chi-Ruei Tsai. Владелец: Chi-Ruei Tsai. Дата публикации: 2009-06-18.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US11398586B2. Автор: Britta Göötz,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-07-26.

Method for producing group-iii nitride crystal, group-iii nitride crystal, semiconductor device, and device for producing group-iii nitride crystal

Номер патента: US20170073839A1. Автор: Takehiro Yoshida,Masatomo Shibata,Akira Usui,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Mamoru Imade,Masashi Isemura. Владелец: Itochu Plastics Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: US09638741B2. Автор: Tom Marivoet,Steven Boeykens. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Apparatus and method for profiling a beam of a light emitting semiconductor device

Номер патента: EP3080568A1. Автор: Vincent Brennan,Christopher Percival. Владелец: Infiniled Ltd. Дата публикации: 2016-10-19.

Method for producing injection type light emitting semiconductor devices having an epitaxial layer of nitrogen-doped gallium phosphide

Номер патента: US3687744A. Автор: Masahiko Ogirima,Hazime Kusumoto,Toshimitu Shinoda. Владелец: Dynamit Nobel AG. Дата публикации: 1972-08-29.

Device for a light source of a printing machine with a plurality of light-emitting semiconductor components of a first type and at least one light-emitting semiconductor component of a further type on a substrate

Номер патента: US20200385590A1. Автор: Andreas Stahl. Владелец: HERAEUS NOBLELIGHT GMBH. Дата публикации: 2020-12-10.

Light source having at least one first light-emitting semiconductor component, a first carrier element and a distributing element

Номер патента: US20220072871A1. Автор: Stefan Meyer,Andreas Stahl,Jochen Grade,Janek Desgronte,Nico PEIFER. Владелец: HERAEUS NOBLELIGHT GMBH. Дата публикации: 2022-03-10.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: WO2011071864A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-16.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: EP2510557A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2012-10-17.

Method for producing light emitting semiconductor device

Номер патента: US09666758B2. Автор: Dagobert Michel De Leeuw,Frank Verbakel,Wilhelmus Cornelis Keur,Johannes Franciscus Maria Cillessen,Kamal Asadi,Patrick John Baesjou,Cornelis Eustatius Timmering. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-05-30.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CA1108739A. Автор: Kazuhiro Ito,Mitsuhiro Mori,Makoto Morioka,Masaaki Aoki,Yuichi Ono,Kazuhiro Kurata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-09-08.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CA1292549C. Автор: Masamichi Yamanishi,Ikuo Suemune,Yasuo Kan. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 1991-11-26.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: Tobias Gebuhr,Kathy Schmidtke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: US5043774A. Автор: Masatoshi Shiki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-08-27.

Near-infrared light emitting semiconductor element and method for manufacturing same

Номер патента: US20220278249A1. Автор: Naoki Yoshioka,Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2022-09-01.

Light emitting semiconductor chip and method for manufacturing a plurality of light emitting semiconductor chips

Номер патента: US20230268468A1. Автор: David O'Brien. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-08-24.

Light emitting semiconductor chip and method for manufacturing a plurality of light emitting semiconductor chips

Номер патента: WO2023160934A1. Автор: David O'Brien. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-08-31.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US4675710A. Автор: Nobuyuki Takagi,Hiroshi Ishikawa,Hajime Imai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-06-23.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US4183039A. Автор: Kazuhiro Ito,Makoto Morioka,Masaaki Aoki,Yuichi Ono,Kazuhiro Kurata,Mitshiuro Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-08.

Overlay circuit structure for interconnecting light emitting semiconductors

Номер патента: US20150108513A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Shakti Singh Chauhan,Donald Paul Cunningham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-04-23.

Overlay circuit structure for interconnecting light emitting semiconductors

Номер патента: US20130062630A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Shakti Singh Chauhan,Donald Paul Cunningham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-03-14.

Patterned substrate of light emitting semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130207143A1. Автор: Jun-Rong Chen,Hsiu-Mei CHOU. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

P-type group III-nitride semiconductor device

Номер патента: US6150672A. Автор: Yawara Kaneko. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2000-11-21.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007049946A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-05-03.

Iii-nitride compound semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007037654A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110175103A1. Автор: Masahiro Adachi,Yoshihiro Saito,Takashi Kyono,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-21.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20090200563A1. Автор: Koichi Goshonoo,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Group iii nitride semiconductor light-emitting element and wafer including such element configuration

Номер патента: US20190198714A1. Автор: Tomoaki Sato. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Light-emitting device with improved flexural resistance and electrical connection between layers, production method therefor, and device using light-emitting device

Номер патента: US09837587B2. Автор: Keiichi MAKI. Владелец: Toshiba Hokuto Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Light emitting semiconductor device using nanocrystals

Номер патента: US6157047A. Автор: Atsushi Kurobe,Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

GROUP III NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер патента: DE60233478D1. Автор: Jun Ito,Hiroshi Watanabe,Shinya Asami,Naoki Shibata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Light-emitting device with improved flexural resistance and electrical connection between layers, production method therefor, and device using light-emitting device

Номер патента: US11784290B2. Автор: Keiichi MAKI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Light emitting heterojunction semiconductor device

Номер патента: US5010376A. Автор: Kazuo Sakai,Kohsuke Nishimura. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1991-04-23.

Side light emitting semiconductor device and method for manufacturing side light emitting semiconductor device

Номер патента: JP4362125B2. Автор: 健 中原. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-11-11.

EPITAXY WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT, LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND METHODS FOR PRODUCING THE EPITAXY WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT AND THE LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20200411731A1. Автор: Varghese Tansen,Behringer Martin Rudolf,Tonkikh Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Side surface light emitting semiconductor element and method for manufacturing side surface light emitting semiconductor element

Номер патента: CN101401223A. Автор: 中原健. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-04-01.

II-VI BASED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150340559A1. Автор: Cillessen Johannes Franciscus Maria,Asadi Kamal,Baesjou Patrick John,Keur Wilhelmus Cornelis,VERBAKEL Frank,TIMMERING CORNELIS EUSTATIUS,DE LEEUW DAGOBERT MICHAEL. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

Light emitting semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN104241486B. Автор: 金基石,李相奭,李守烈,林璨默. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-25.

A kind of preparation method of III races light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104576851B. Автор: 许顺成. Владелец: Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US10020423B2. Автор: Stephen John Sweeney. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2018-07-10.

Light-emitting semiconductor devices having a multiple quantum barrier structure

Номер патента: EP0996171A2. Автор: Hiroyuki Kano. Владелец: Canare Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-26.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE202009018441U1. Автор: . Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-06.

Light emitting semiconductor device and manufacture method thereof

Номер патента: CN1099190A. Автор: 野崎秀树,海野和美. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-02-22.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: EP0902978A1. Автор: Gerard Argant Alphonse. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 1999-03-24.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS6066881A. Автор: 舜平 山崎,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1985-04-17.

Light emitting semiconductor device, its assembly manufacture method and electronic equipment

Номер патента: CN101859730A. Автор: 小林新. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-13.

OPTICAL TUNING OF LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR JUNCTIONS

Номер патента: US20150014723A1. Автор: Atanackovic Petar. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Components comprising a light emitting semiconductor chip

Номер патента: US20180175237A1. Автор: Thomas Schwarz,Siegfried Herrmann,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Alexander Linkov,Matthias Bruckschloegl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-06-21.

Component with end-side mounted light emitting semiconductor chip

Номер патента: US11107945B2. Автор: Thomas Schwarz,Siegfried Herrmann,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Alexander Linkov,Matthias Bruckschloegl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-08-31.

Use of a superlattice structure comprising a plurality of heterojunction layer layers arranged one behind the other to improve the lateral current propagation in a light-emitting semiconductor diode

Номер патента: DE19741609C2. Автор: Christian Geng,Jochen Gerner. Владелец: Vishay Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2003-02-27.

Light emitting semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: CN113782658B. Автор: 刘芳,徐晓丽,杨丹,李惠芸,孙雷蒙. Владелец: Huayinxin Wuhan Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-02-11.

Light emitting semiconductor diode, comprises primary and secondary silicon containing layers of one conductivity, and a third of the opposite conductivity

Номер патента: DE102004042997A1. Автор: Tzanimir Arguirov,Armin Dr. Fischer,Winfried Dr. Seifert,Martin Dr. Kittler. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2005-12-08.

Light-emitting semiconductor component and method of producing light-emitting semiconductor components

Номер патента: US09837591B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Frank Singer,Alexander Linkov,Wolfgang Mönch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-05.

Overvoltage-protected light-emitting semiconductor device, and method of fabrication

Номер патента: US7897497B2. Автор: Junji Sato,Mikio Tazima,Yasuhiro Kamii,Arei Niwa. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-01.

Light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor component

Номер патента: US09954150B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-04-24.

Filament with light-emitting semiconductor chips, lighting means and method of producing a filament

Номер патента: US20190113181A1. Автор: Ivar Tangring,Thomas Schlereth,Michael Bestele,Elena Rachkova. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-18.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US20030227030A1. Автор: Toshio Hata,Masahiro Konishi,Masaki Tatsumi,Mayuko Fudeta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-11.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US11444224B2. Автор: Ulrich Streppel,Hailing Cui,Desiree Queren,Dajana DURACH. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-09-13.

Light-Emitting Semiconductor Chip and Display Device

Номер патента: US20200273907A1. Автор: Peter Brick,Frank Singer,Hubert Halbritter,Mikko Perala. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-08-27.

Multi-directional light emitting semiconductor device

Номер патента: US5844257A. Автор: Tony K. T. Chen. Владелец: Quarton Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Two part flexible light emitting semiconductor device

Номер патента: US20160043294A1. Автор: Alejandro Aldrin Ii Agcaoili Narag,Ravi Palaniswamy,Justine A. Mooney,Jian Xia Gao. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-02-11.

Display device using light-emitting semiconductor elements

Номер патента: US3886581A. Автор: Hiroshi Fujita,Hiroshi Katsumura,Kei Kaneda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1975-05-27.

Light emitting semiconductor

Номер патента: US9224719B2. Автор: Shih-Peng Chen,Ching-Chuan Shiue,Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Light emitting semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US8882313B2. Автор: Shih-Peng Chen,Ching-Chuan Shiue,Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Light emitting semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130314931A1. Автор: Shih-Peng Chen,Ching-Chuan Shiue,Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Light emitting semiconductor

Номер патента: US20150014714A1. Автор: Shih-Peng Chen,Ching-Chuan Shiue,Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Process for producing light-emitting semiconductor device

Номер патента: US20090176323A1. Автор: Shinetsu Fujieda,Akiko Suzuki,Hideo Tamura,Toshihide Takahashi,Kazuaki Ootsuka,Tatsuoki Kono,Hiroaki Oshio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-09.

Light-emitting semiconductor structure and light-emitting semiconductor substrate

Номер патента: US20210399174A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Hsin-Chiao Fang. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Multi-layer highly reflective ohmic contacts for light-emitting semiconductor devices

Номер патента: EP1163702A1. Автор: Michael R. Krames,Jonathan J. Wierer, Jr.,Serge L. Rudaz. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2001-12-19.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US6784027B2. Автор: Klaus Streubel,Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2004-08-31.

Light-emitting semiconductor chip and optoelectronic component

Номер патента: US10522718B2. Автор: Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-12-31.

Light-emitting semiconductor chip and optoelectronic component

Номер патента: US20190044032A1. Автор: Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-02-07.

Light emitting semiconductor component

Номер патента: US4170018A. Автор: Hartmut Runge. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-10-02.

Light emitting semiconductor device having an electrical confinement barrier near the active region

Номер патента: WO2008016829A2. Автор: Ralph H. Johnson,James K. Guenter,James R. Biard. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Group-III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US6153894A. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2000-11-28.

Optoelectronic Component And Method For Producing A Light-Emitting Semiconductor Body

Номер патента: US20240030275A1. Автор: Norwin von Malm,Peter Stauss,Adrian Stefan Avramescu. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

METHOD FOR PRODUCING GROUP-III NITRIDE CRYSTAL, GROUP-III NITRIDE CRYSTAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICE FOR PRODUCING GROUP-III NITRIDE CRYSTAL

Номер патента: US20170073839A1. Автор: Mori Yusuke,Yoshimura Masashi,Yoshida Takehiro,IMADE Mamoru,ISEMURA Masashi,USUI Akira,SHIBATA Masatomo. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

High-efficiency, overvoltage-protected, light-emitting semiconductor device

Номер патента: TW200805715A. Автор: Nobuhisa Sugimori. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device and Light-Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20200194631A1. Автор: Raukas Madis,Kundaliya Darshan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Light-emitting semiconductor structure and method for fabricating light-emitting diode device

Номер патента: US9570653B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Chih-Hao Yang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

A light-emitting semiconductor chip, light-emitting component and method for producing a light-emitting component

Номер патента: DE102016106571A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-12.

METHOD FOR PRODUCING LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20200083401A1. Автор: Von Malm Norwin,"OBrien David",Goeoetz Britta. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Light-emitting semiconductor element and composite semiconductor device of protection element

Номер патента: CN100524790C. Автор: 加藤隆志,佐藤纯治,大塚康二,杢哲次,丹羽爱玲,神井康宏. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-05.

Light-emitting semiconductor structure and method for fabricating light-emitting diode device

Номер патента: CN102956766A. Автор: 陈俊荣,方国龙,杨智皓,郭奇文. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Light-emitting semiconductor component e.g. light emitting diode, for integrated circuit, has silicon layers with lattice structures that are inclined at tilting angle around axis, so that dislocation network is formed in interface area

Номер патента: DE102006008025A1. Автор: Tzanimir Arguirov,Martin Prof. Dr. Kittler,Manfred Dr. Reiche,Winfried Dr. Seifert. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2007-09-06.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN103367593B. Автор: 林祐湜,秋圣镐. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-03.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: JPS5922375A. Автор: Susumu Furuike,Toshiharu Kawabata,Hitoo Iwasa,仁雄 岩佐,進 古池,川端　敏治. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-02-04.

Light emitting semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101248624B1. Автор: 전경남. Владелец: 주식회사 케이이씨. Дата публикации: 2013-03-28.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: DE10162914B4. Автор: Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2010-06-24.

Solid state light emitting semiconductor device

Номер патента: EP2590234A1. Автор: Cheng-Hung Chen,Chia-Hung Hou,Der-Lin Hsia. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7199401B2. Автор: Masahiro Sato,Tetsuji Matsuo,Hidekazu Aoyagi,Mikio Tazima. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-03.

A kind of light emitting semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: CN104157765B. Автор: 何鹏,许顺成,付宏威. Владелец: Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-09.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING IT

Номер патента: DE2826486A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Masafumi Hashimoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1979-01-25.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104471727B. Автор: 全水根,朴恩铉. Владелец: Generation Mai Keliuming Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-05.

The method for manufacturing light emitting semiconductor device

Номер патента: CN105489715B. Автор: 韩尚宪,李尚准,李东律,金承贤,尹晳胡,金长美. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

layered product for thin pattern formation, fabrication methods, fabrication of a thin pattern structure, light emitting semiconductor device, and thin pattern

Номер патента: BR112013026132A2. Автор: Maeda Masatoshi,Yamaguchi Fujito,ARIHISA Shinji,Jun Koike. Владелец: Asahi Chemical Ind. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods, materials, and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: US20190067499A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20150194570A1. Автор: Peter Matthias,Meyer Tobias,Taki Tetsuya,Walter Alexander,Off Juergen,Butendeich Rainer,Hertkorm Joachim. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US6710374B2. Автор: Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2004-03-23.

INDEX-GUIDED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: DE69507438D1. Автор: Marcel Schemmann,Der Poel Carolus Van,Gerard Acket. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 1999-03-04.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: DE10162914A1. Автор: Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2003-07-03.

Method to manufacture a light-emitting semiconductor-component

Номер патента: TWI224875B. Автор: Stefan Illek,Andreas Ploessl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2004-12-01.

Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip

Номер патента: EP2702833A1. Автор: Norwin von Malm,Madis Raukas,Darshan KUNDALIYA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-03-05.

Light-receiving or light-emitting semiconductor apparatus

Номер патента: CA2469002C. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-13.

Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method

Номер патента: US6412971B1. Автор: Robert John Wojnarowski,William Paul Kornrumpf,Barry Scott Whitmore. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2002-07-02.

Epoxy/silicone mixed resin composition and light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7498085B2. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-03.

Efficient light emitting semiconductor device

Номер патента: US8258537B2. Автор: Hiroyuki Fujiwara,Takahito Suzuki,Mitsuhiko Ogihara,Hironori Furuta,Yusuke Nakai,Tomoki Igari,Tomohiko Sagimori. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-09-04.

Surface mountable optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing a surface mountable optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US12068281B2. Автор: Michael Schumann,Christian Leirer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Ii-vi based light emitting semiconductor device

Номер патента: EP2867928A2. Автор: Dagobert Michel De Leeuw,Frank Verbakel,Wilhelmus Cornelis Keur,Johannes Franciscus Maria Cillessen,Kamal Asadi,Patrick John Baesjou,Cornelis Eustatius Timmering. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-05-06.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US09614134B2. Автор: Tobias Gebuhr,Michael Zitzlsperger,Christian Ziereis. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-04.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US20160043291A1. Автор: Tobias Gebuhr,Michael Zitzlsperger,Christian Ziereis. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-02-11.

Improvements in or relating to light emitting semiconductor devices

Номер патента: IE35169B1. Автор: . Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1975-11-26.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: TW201140876A. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-11-16.

METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150228870A1. Автор: Sabathil Matthias,Goeoetz Britta,Moosburger Juergen,Ploessl Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Method and light emitting semiconductor device that a kind of light emitting semiconductor device makes

Номер патента: CN106816508A. Автор: 刘硕,刘治,万小承. Владелец: GUANGDONG QUANTUM WAFER PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-09.

A method of fabricating a laterally monolithically integrated light emitting semiconductor device and light emitting semiconductor device

Номер патента: DE19943405B4. Автор: Volker Dr. Härle. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-12-20.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: SCHMIDTKE Kathy,Gebuhr Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

LAYERING METHOD, VACUUM PROCESSING DEVICE, PRODUCTION METHOD OF A LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT, LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LIGHTING DEVICE

Номер патента: DE112012004463T5. Автор: Yoshiaki Daigo. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

A light-emitting semiconductor chip, light-emitting component and method for producing a light-emitting component

Номер патента: DE102016106570A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-12.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD OF PRODUCING LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Номер патента: US20160087177A1. Автор: SCHWARZ Thomas,Illek Stefan,Linkov Alexander,Singer Frank,Mönch Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor component

Номер патента: US20200343420A1. Автор: Siegfried Herrmann,Adrian Stefan Avramescu,Alexander Behres. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-29.

Light-emitting semiconductor component and method for producing light-emitting semiconductor components

Номер патента: CN105210202A. Автор: 托马斯·施瓦茨,斯特凡·伊莱克,弗兰克·辛格,沃尔夫冈·门希,亚历山大·林科夫. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-12-30.

Light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2019115344A1. Автор: Siegfried Herrmann,Adrian Stefan Avramescu,Alexander Behres. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for producing a light-emitting semiconductor component and light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2014029642A1. Автор: Andreas Plossl,Britta Göötz,Jürgen Moosburger,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-02-27.

COMPOSITE PARTICLE, METHOD OF PRODUCING SAME, RESIN COMPOSITION CONTAINING THE PARTICLE, REFLECTOR FORMED FROM THE COMPOSITION, AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE REFLECTOR

Номер патента: US20150060919A1. Автор: SHIOBARA Toshio,TSUTSUMI Yoshihiro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO. LTD.. Дата публикации: 2015-03-05.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: KR101813315B1. Автор: 톰 마리보에트,스티븐 보이켄스. Владелец: 케이엘에이-텐코 코포레이션. Дата публикации: 2017-12-28.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: CN103765567A. Автор: 史蒂文·布伊肯斯,汤姆·马里富特. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2014-04-30.

Method for manufacturing a semiconductor device and in particular light emitting semiconductor diodes

Номер патента: DE1964837A1. Автор: Henderson George Arthur,Pittman Gary Edmond. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-09-03.

Light emitting semiconductor device for generation of short light pulses

Номер патента: US20200154544A1. Автор: Georg Roehrer,Robert Kappel,Nenad Lilic. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2020-05-14.

Light-emitting semiconductor device for generating short light pulses

Номер патента: CN110998874A. Автор: 罗伯特·卡佩尔,格奥尔格·勒雷尔,内纳德·利利奇. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2020-04-10.

Light-emitting semiconductor component, includes active zone, mirror layer and semiconductor converter generating light of greater wavelength than produced in active zone

Номер патента: DE10354936A1. Автор: Stefan Illek,Klaus Streubel,Herbert Brunner,Ines Pietzonka. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2005-04-28.

Use the display device of light emitting semiconductor device

Номер патента: CN105684069B. Автор: 金治璇,李炳俊,金银惠,方圭铉. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-12-18.

WHITE LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140042896A1. Автор: Kagawa Kazuhiko,SAKUTA Hiroaki,SATOU Yoshihito,Hiraoka Shin,Okagawa Hiroaki. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES WITH GETTER LAYER

Номер патента: US20170063031A1. Автор: Weichmann Ulrich,Moench Holger,ENGELHARDT ANDREAS PETER,KOLB JOHANNA SOPHIE,SCHEMMANN MARCEL FRANZ CHRISTIAN. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2017-03-02.

II-VI BASED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170256676A1. Автор: Cillessen Johannes Franciscus Maria,De Leeuw Dagobert Michel,Asadi Kamal,Baesjou Patrick John,Keur Wilhelmus Cornelis,VERBAKEL Frank,TIMMERING CORNELIS EUSTATIUS. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

II-VI BASED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160293799A1. Автор: Cillessen Johannes Franciscus Maria,De Leeuw Dagobert Michel,Asadi Kamal,Baesjou Patrick John,Keur Wilhelmus Cornelis,VERBAKEL Frank,TIMMERING CORNELIS EUSTATIUS. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Light-emitting semiconductor component manufacturing method has semiconductor layer structure with metal layer structured for providing contacts combined with carrier having further contact layer

Номер патента: DE10017337A1. Автор: Matthias Braun. Владелец: Vishay Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2001-10-18.

Manufacture of light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS6156473A. Автор: Toshio Matsuda,Nagataka Ishiguro,永孝 石黒,俊夫 松田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-03-22.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN102820399B. Автор: 李尚烈,文智炯,丁焕熙,崔光基,宋俊午. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

White light-emitting semiconductor devices

Номер патента: US8581488B2. Автор: Yoshihito Satou,Kazuhiko Kagawa,Hiroaki Okagawa,Hiroaki Sakuta,Shin Hiraoka. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2013-11-12.

White light-emitting semiconductor devices

Номер патента: US8829778B2. Автор: Yoshihito Satou,Kazuhiko Kagawa,Hiroaki Okagawa,Hiroaki Sakuta,Shin Hiraoka. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Light-emitting semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20050110029A1. Автор: Masahiro Sato,Koji Otsuka,Hidekazu Aoyagi. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7456435B2. Автор: Masahiro Sato,Koji Otsuka,Hidekazu Aoyagi. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-25.

Rib-wave guide type light emitted semiconductor device

Номер патента: KR920005132B1. Автор: 모토유키 야마모토. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1992-06-26.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: ATA224878A. Автор: . Владелец: Chikovani Rafael Iraklievich. Дата публикации: 1980-02-15.

A light emitting semiconductor device

Номер патента: EP0276140A3. Автор: Masamichi Yamanishi,Ikuo 1-104 Hirodai-Gagara-Daiichi Suemune,Yasuo B-206 Iwata Apartment Kan. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 1989-07-26.

Light emitting semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: JPS56101785A. Автор: Susumu Furuike,Hitoo Iwasa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-08-14.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: JPS59145581A. Автор: Kazuhiro Ito,Mitsuhiro Mori,Hitoshi Nakamura,Yuichi Ono,Kazuhiro Kurata,Masahiko Kawada,伊藤和弘,中村均,河田雅彦,小野佑一,森光廣,倉田一宏. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-08-21.

A light-emitting semiconductor device

Номер патента: EP0301893A3. Автор: Masato C/O Semiconductor Laboratory Of Yamada,Shinji C/O Semiconductor Laboratory Of Orimo,Takao C/O Semiconductor Laboratory Of Takenaka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1990-07-04.

Light-emitting semiconductor devices with a getter layer

Номер патента: RU2672776C2. Автор: Хольгер МЁЕНХ,Ульрих ВАЙХМАНН,Йоханна Софи КОЛЬБ,Андреас Петер ЭНГЕЛХАРДТ,Марсель Франц Кристиан ШЕММАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-11-19.

Light Receiving or Light Emitting Semiconductor Module

Номер патента: US20090025780A1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Kyosemi Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

By the method for substrate engagement to light emitting semiconductor device

Номер патента: CN108269756A. Автор: P.S.马丁,G.巴辛,J.E.伊普勒. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2018-07-10.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: EP0061938B1. Автор: Nobuyuki Takagi,Hiroshi Ishikawa,Hajime Imai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-06-08.

Light emitting semiconductor devices with getter layer

Номер патента: CN106030938A. Автор: H.梅恩奇,J.S.科布,U.维奇曼恩,A.P.恩格哈德特,M.F.C.谢曼恩. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2016-10-12.

The light emitting semiconductor device of sealing

Номер патента: CN109994586A. Автор: S.施亚夫菲诺,雷继谱,A.H.尼克. Владелец: Lumileds Holding BV. Дата публикации: 2019-07-09.

Light-emitting semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1581525A. Автор: 秋田胜史. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE202010017388U1. Автор: . Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-17.

Light-emitting semiconductor device substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP0439644B1. Автор: Masato Yamada,Takao Takenaka,Shinji Orimo. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-19.

Light-emitting semiconductor device based on elements of ii-vi groups

Номер патента: RU2639605C2. Автор: Вильхельмус Корнелис КЕУР,ЛЕУ Дагоберт Михел ДЕ,Франк ВЕРБАКЕЛ,Камал АСАДИ,Йоханнес Франсискус Мария СИЛЛЕССЕН,Патрик Джон БАШАУ,Корнелис Эстатиус ТИММЕРИНГ. Владелец: Люмиледс Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2017-12-21.

Ii-vi based light emitting semiconductor device

Номер патента: WO2014002069A3. Автор: Dagobert Michel De Leeuw,Frank Verbakel,Wilhelmus Cornelis Keur,Johannes Franciscus Maria Cillessen,Kamal Asadi,Patrick John Baesjou,Cornelis Eustatius Timmering. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2014-03-06.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS5861684A. Автор: Susumu Furuike,Toshio Matsuda,俊夫 松田,進 古池. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1983-04-12.

OHMIC LOCALIZER CONTACT IN THE CONTACT LAYER OF A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2530080B1. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1985-11-08.

II-VI based light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104428910A. Автор: K.阿萨迪,D.M.德里尤,J.F.M.斯勒斯森,W.C.科尔,F.维巴克,P.J.巴伊斯乔,C.E.蒂梅宁. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2015-03-18.

Overlay circuit structure for interconnecting light emitting semiconductors

Номер патента: US20130062630A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Shakti Singh Chauhan,Donald Paul Cunningham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-03-14.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20160043291A1. Автор: Zitzlsperger Michael,Gebuhr Tobias,Ziereis Christian. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

OVERLAY CIRCUIT STRUCTURE FOR INTERCONNECTING LIGHT EMITTING SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20150108513A1. Автор: Gowda Arun Virupaksha,Chauhan Shakti Singh,Cunningham Donald Paul. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

Near-infrared light emitting semiconductor element and method for manufacturing same

Номер патента: US20220278249A1. Автор: Naoki Yoshioka,Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2022-09-01.

SILICONE-ORGANIC RESIN COMPOSITE LAMINATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20180190890A1. Автор: SHIOBARA Toshio,AKAHANE Saiko,YAMAGUCHI Shigeo. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2018-07-05.

Surface light emitting semiconductor laser

Номер патента: JPS59181079A. Автор: Tomoo Yanase,Hiroyoshi Rangu,博義 覧具,柳瀬　知夫. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-10-15.

Light-emitting semiconductor component with luminescence conversion element

Номер патента: KR100751692B1. Автор: 클라우스 횐,페터 슐로터,위르겐 슈나이더,롤프 슈미트,귄터 바이틀,노르베르트 슈타트,울리케 레. Владелец: 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁. Дата публикации: 2007-08-23.

Light-emitting semiconductor component with luminescence conversion element

Номер патента: KR100643442B1. Автор: 클라우스 횐,페터 슐로터,위르겐 슈나이더,롤프 슈미트,귄터 바이틀,노르베르트 슈타트,울리케 레. Владелец: 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁. Дата публикации: 2006-11-10.

Method for the production of light-emitting semiconductor diodes

Номер патента: US20070117248A1. Автор: Thorsten Ricking,Cem Olkay,Thomas Manth,Jochen Kunze,Veit Schwegler. Владелец: Odelo Led GmbH. Дата публикации: 2007-05-24.

Fabrication method of optically transparent substrate and fabrication method of light emitting semiconductor chip

Номер патента: JP2001244499A. Автор: Klaus Streubel,シュトロイベル クラウス. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2001-09-07.

Solid state light emitting semiconductor structure and epitaxy growth method thereof

Номер патента: US8409894B2. Автор: Chang-Chin Yu,Mong-Ea Lin. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-02.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2014167021A1. Автор: Tobias Gebuhr,Michael Zitzlsperger,Christian Ziereis. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-10-16.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR

Номер патента: DD136781A1. Автор: Revaz A Charmakadze. Владелец: Chikovani Rafael I. Дата публикации: 1979-07-25.

Light emitting semiconductor

Номер патента: JPS55158683A. Автор: Junichi Nishizawa. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1980-12-10.

Light emitting semiconductor apparatus

Номер патента: TW201027786A. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang,Wei-Yo Chen,Chih-Chiang Lu,Wei-Chih Peng,Shiau-Huei San. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2010-07-16.

Group iii nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09917004B2. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20120086027A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-04-12.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US9379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Group iii nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20150255958A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Patterned layer design for group III nitride layer growth

Номер патента: US09691939B2. Автор: Rakesh Jain,Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Wenhong Sun,Jinwei Yang. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Group-iii nitride laminated substrate and semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210217927A1. Автор: Takeshi Kimura,Hajime Fujikura,Taichiro Konno. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Group III nitride semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US11955581B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Patterned layer design for group III nitride layer growth

Номер патента: US09680061B2. Автор: Rakesh Jain,Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Dilute-Antimonide group-III-Nitride nanostructure optoelectronic devices

Номер патента: US10727372B2. Автор: Zetian Mi,Mohammad Faqrul Alam CHOWDHURY. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120049231A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120181564A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Flexible light emitting semiconductor device

Номер патента: US09716061B2. Автор: Andrew J. Ouderkirk,Ravi Palaniswamy,Siang Sin Foo,Fong Liang Tan,Arokiaraj Jesudoss,Wei Meng PEE,Justine A. Mooney,Alejandro Aldrin Il Agcaoili Narag. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-07-25.

Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element, method for producing a wavelength conversion element and method for producing a light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element

Номер патента: US09806240B2. Автор: Britta Goeoetz,Christopher A. Tarry. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-31.

Double heterostructure light-emitting semiconductor device

Номер патента: US4625223A. Автор: Tetsuo Sadamasa,Tadashi Komatsubara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-11-25.

HEAT-CURABLE SILICONE RESIN SHEET HAVING PHOSPHOR-CONTAINING LAYER AND WHITE PIGMENT-CONTAINING LAYER, METHOD OF PRODUCING LIGHT EMITTING DEVICE USING SAME AND ENCAPSULATED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20140175488A1. Автор: Kashiwagi Tsutomu,SHIOBARA Toshio. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

Heat-curable silicone resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, method of producing light emitting device using same and encapsulated light emitting semiconductor device produced thereby

Номер патента: CN103879099A. Автор: 柏木努,盐原利夫. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-25.

Heat-curable silicon resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, and method for producing light emitting device and encapsulated light emitting semiconductor device using the same

Номер патента: KR20140081736A. Автор: 도시오 시오바라,츠토무 가시와기. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2014-07-01.

Light emitting semiconductor device and substrate therefore

Номер патента: US09754869B2. Автор: Alejandro Aldrin Ii Agcaoili Narag,Ravi Palaniswamy,Bee Leng TAN,Antonny Enojo Flor. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-09-05.

A method of manufacturing a semiconductor light emitting device and light emitting semiconductor device

Номер патента: DE102011016935A1. Автор: Richard Baisl,Dr. Engl Karl,Dr. Höppel Lutz,Sebastian Taeger,Dr. Gärtner Christian,Dr. Schlenker Tilman. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-10-18.

Light-emitting semiconductor component, particularly light emitting diode, has substrateless light emitting diode semiconductor chip, and two connections are provided for contacting of semiconductor chip

Номер патента: DE102007040874A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-03-05.

Light-emitting semiconductor device, optoelectronic component, projection device and electronic device

Номер патента: WO2023247720A1. Автор: Joerg Erich Sorg,Bilal SAIF. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Arrangement of light-emitting semiconductor chips and light-emitting means with light-emitting semiconductor chips

Номер патента: DE102016206896A1. Автор: Kok Eng Ng,Manfred Scheubeck,Tilman Eckert,Anuarul Ikhwan Mat Nazri. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-26.

Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device

Номер патента: KR100848861B1. Автор: 시오바라도시오,가시와기츠토무. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-07-29.

Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device

Номер патента: TWI373150B. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2012-09-21.

Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device

Номер патента: US20050006794A1. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

HEAT-CURABLE SILICONE RESIN SHEET HAVING PHOSPHOR-CONTAINING LAYER AND PHOSPHOR-FREE LAYER, METHOD OF PRODUCING LIGHT EMITTING DEVICE UTILIZING SAME AND LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED BY THE METHOD

Номер патента: US20130200413A1. Автор: Kashiwagi Tsutomu,SHIOBARA Toshio,Tanaka Hayato. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-08.

Light-Emitting Semiconductor Chip and Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20190019921A1. Автор: Höppel Lutz. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

Light-Emitting Semiconductor Chip, Light-Emitting Component and Method for Producing a Light-Emitting Component

Номер патента: US20200135705A1. Автор: Herrmann Siegfried. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

A light-emitting semiconductor device having a densely packed phosphor layer on a light-emitting surface

Номер патента: DE112011103158T5. Автор: James Ibbetson,Peter S. Andrews. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Light especially white light emitting semiconductor device - has luminescence conversion element for wavelength conversion of initial emitted radiation

Номер патента: DE19655185B4. Автор: Rolf Schmidt,Dr. Schlotter Peter,Dr. Schneider Jürgen. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2011-11-24.

Light-emitting semiconductor element has light-emitting chip encapsulated in plastics block providing total internal reflection of light component emitted at angle to required main radiation direction

Номер патента: DE10345515A1. Автор: Uwe Straus. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2005-05-04.

Light-emitting semiconductor device possessing light-emitting conversion element

Номер патента: CN1917240B. Автор: J·施奈德,R·施米特,U·雷,K·赫恩,N·斯塔施,G·韦特,P·施洛特. Владелец: PATRA Patent Treuhand Munich. Дата публикации: 2012-05-23.

Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Component and Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20130313604A1. Автор: Gaertner Christian,Engl Karl,Hoeppel Lutz,Schlenker Tilman,Baisl Richard,Taeger Sebastian. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-11-28.

Light-Emitting Semiconductor Component and Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20150041845A1. Автор: SCHWARZ Thomas,Illek Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT, LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT INCLUDING A WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING A WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT INCLUDING A WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT

Номер патента: US20170062672A1. Автор: Goeoetz Britta,Tarry Christopher A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2013149772A1. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-10-10.

Light-emitting semiconductor chip and method for producing a light-emitting semiconductor chip

Номер патента: WO2017158046A1. Автор: Lutz Höppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-21.

Light-emitting semiconductor component and method for manufacturing a light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2012013435A1. Автор: Dirk Buchhauser,Chee Jia Chang. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-02-02.

Light-emitting semiconductor device and surface-emitting device

Номер патента: CN1364319A. Автор: 根井正美. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-14.

Light-emitting semiconductor device and surface-emitting device

Номер патента: WO2001069693A1. Автор: Masami Nei. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2001-09-20.

Light-emitting semiconductor device and surface-emitting device

Номер патента: KR100708511B1. Автор: 네이마사미. Владелец: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-04-16.

Light emitting member having a wiring board with through hole exposing a light emitting semiconductor element with a light reflecting member covering a peripheral wall portion of the through hole

Номер патента: US9472738B2. Автор: Shigeo Takeda,Hiroyuki Tajima,Shota Shimonishi,Yosuke Tsuchiya,Tomohiro Miwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Light- emitting semiconductor element

Номер патента: TW386317B. Автор: Herbert Brunner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-04-01.

Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor structure

Номер патента: TW544954B. Автор: Godefridus Johannes Verhoeckx,Michael R Krames,William David Collins Iii,Leth Nicolaas Joseph Marti Van. Владелец: Lumileds Lighting Llc. Дата публикации: 2003-08-01.

Edge-emitting light-emitting semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20020123163A1. Автор: Takehiro Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-09-05.

Edge-emitting light-emitting semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: CN1189951C. Автор: 藤井健博. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-02-16.

Edge-emitting light-emitting semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP1204151A4. Автор: Takehiro Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-10-18.

Luminescent diode, comprises a light-emitting semiconductor chip embedded in a casting composition transparent for the emitted light

Номер патента: DE10135190A1. Автор: Johannes Baur. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2003-02-06.

Light emitting semiconductor device and car light

Номер патента: CN103066187B. Автор: 横林裕介. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

A cooling device for a light-emitting semiconductor device and a method of manufacturing such a cooling device

Номер патента: KR101240999B1. Автор: 요한 마라,잔 드 그라프,셀린 씨. 에스. 니콜,마르쿠스 에이. 버슈우렌,한스 반 스프랑,테오 에이. 코프,로날드 엠. 볼프. Владелец: 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2013-03-08.

Light emitting device e.g. LED, has layer of three-dimensional photonic crystals provided on light emitting semiconductor die and serving as index-matching interface layer between die and encapsulant

Номер патента: DE102005050317A1. Автор: Janet Bee Yin Loveland Chua,Yue Hoong Loveland Lau. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

Use the display device and manufacture method of light emitting semiconductor device

Номер патента: CN107211504A. Автор: 李勇翰,朴晟镇,崔桓准. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-09-26.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING LUMINANCE CONVERSION ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, LED LIGHTING DEVICE, LIGHT SOURCE

Номер патента: JP5290368B2. Автор: イェーガー ハラルト,ヴァイトル ギュンター,ブルナー ヘルベルト,デブライ アレクサンドラ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-09-18.

Light-emitting semiconductor device and package thereof

Номер патента: US20120299043A1. Автор: Chia-Liang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

FLEXIBLE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130320390A1. Автор: OUDERKIRK Andrew J.,Palaniswamy Ravi,Jesudoss Arokiaraj,Narag,II Alejandro Aldrin Agcaoili,Foo Siang Sin,Tan Fong Liang,Pee Wei Meng,Mooney Justine A.. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2013-12-05.

TWO PART FLEXIBLE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160043294A1. Автор: Palaniswamy Ravi,Mooney Justine A.,Narag Alejandro Aldrin II Agcaoili,Gao Jian Xia. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

TWO PART FLEXIBLE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140153263A1. Автор: Palaniswamy Ravi,Mooney Justine A.,Narag Alejandro Aldrin II Agcaoili,Gao Jian Xia. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2014-06-05.

FILAMENT WITH LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIPS, LIGHTING MEANS AND METHOD OF PRODUCING A FILAMENT

Номер патента: US20190113181A1. Автор: Schlereth Thomas,Tangring Ivar,Rachkova Elena,Bestele Michael. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

Light Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20170125643A1. Автор: Markus Maute,Christian Leirer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-05-04.

ELECTRONICS PACKAGE FOR LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20200127178A1. Автор: Kapusta Christopher James,Nagarkar Kaustubh Ravindra,Tuominen Risto Ilkka Sakari. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

FLEXIBLE CIRCUITS FOR MOUNTING LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180219136A1. Автор: Palaniswamy Ravi,Narag,II Alejandro Aldrin A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Flexible light emitting semiconductor device with large area conduit

Номер патента: US20160276319A1. Автор: Andrew J. Ouderkirk,Ravi Palaniswamy,Nathan P. Kreutter,II Alejandro Aldrin A. Narag,Jian Xia Gao. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-09-22.

FLEXIBLE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170290212A1. Автор: OUDERKIRK Andrew J.,Palaniswamy Ravi,Jesudoss Arokiaraj,Foo Siang Sin,Tan Fong Liang,Pee Wei Meng,Mooney Justine A.,Narag Alejandro Aldrin II Agacaoili. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE THEREFORE

Номер патента: US20150318237A1. Автор: Palaniswamy Ravi,Narag Alejandro Aldrin II Agcaoili,Flor Antonny Enojo. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2015-11-05.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200295240A1. Автор: Linkov Alexander,HALBRITTER Hubert. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS6098687A. Автор: Kiyoshi Inoue,喜義 井上. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-06-01.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: JPH10261818A. Автор: Kazuhiko Horino,和彦 堀野. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-09-29.

Light emitting semiconductor device e.g. an LED component

Номер патента: DE19901918A1. Автор: Shinji Isokawa,Hidekazu Toda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-07-29.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE102014108295A1. Автор: Markus Maute,Christian Leirer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-12-17.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN109935676A. Автор: 外山智一郎,安齐秀晃,桥本健矢,谷田贝亮. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-06-25.

MULTICRISTAL LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2520934A1. Автор: Jacques Thillays. Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1983-08-05.

Light emitting semiconductor device and substrate therefore

Номер патента: WO2014113045A1. Автор: Alejandro Aldrin Ii Agcaoili Narag,Ravi Palaniswamy,Bee Leng TAN,Antonny E. FLOR. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2014-07-24.

Be included in light emitting semiconductor device and the assembly method thereof of the flexible membrane wherein with optical element

Номер патента: CN102544332B. Автор: G.H.内格利. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2015-07-29.

A light-emitting semiconductor device and package with a wavelength conversion structure

Номер патента: TWI478370B. Автор: Chia Liang Hsu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-03-21.

Manufacture of light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS60130822A. Автор: 舜平 山崎,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1985-07-12.

Electrode for light emitting semiconductor device - has high contact resistance wire bonding electrode overlying transparent electrode

Номер патента: DE19861007B4. Автор: Mineo Chiba Okuyama,Hisayuki Chichibu Miki,Takashi Chichibu Udagawa,Noritaka Chichibu Muraki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-07-13.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: DE19845477A1. Автор: Shinji Isokawa,Hidekazu Toda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-04-08.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US20100052006A1. Автор: Shigeo Takeda,Hiroyuki Tajima,Shota Shimonishi,Yosuke Tsuchiya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Flexible light emitting semiconductor device

Номер патента: WO2012112873A3. Автор: Andrew J. Ouderkirk,Ravi Palaniswamy,Siang Sin Foo,Fong Liang Tan,Arokiaraj Jesudoss,Alejandro Aldrin Agcaoili II NARAG,Wei Meng PEE,Justine A. Mooney. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2012-12-27.

Light-emitting semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20060001032A1. Автор: Yoshihiko Uchida,Shiro Takeda,Hitoshi Murofushi,Hidekazu Aoyagi. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN100546061C. Автор: 押尾博明,松本岩夫,苗代光博. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-30.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: TWM327548U. Автор: Tzu-Hao Chao,Chun-Peng Chen. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Light emitting semiconductor device with a surface-mounted and flip-chip package structure

Номер патента: US20030010986A1. Автор: Ming-Der Lin,Kwang-Ru Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Light emitting semiconductor device* method of producing same and method of driving same

Номер патента: JPS53128289A. Автор: Runge Harutomuuto. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-11-09.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE102018101786A1. Автор: Ulrich Streppel,Hailing Cui,Desiree Queren,Dajana DURACH. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-08-01.

Light emitting semiconductor device and manufacture method thereof

Номер патента: CN100557836C. Автор: 田嶋未来雄,多田善纪. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-04.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: TW200836379A. Автор: Katsuyuki Okimura. Владелец: NEC Lighting Ltd. Дата публикации: 2008-09-01.

Multi-layer highly reflective ohmic contacts for light-emitting semiconductor devices

Номер патента: AU2454501A. Автор: Michael R. Krames,Jonathan J. Wierer Jr.,Serge L. Rudaz. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2001-07-03.

Flexible circuits for mounting light emitting semiconductor device

Номер патента: WO2017040478A1. Автор: Ravi Palaniswamy,Alejandro Aldrin II A. Narag. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2017-03-09.

Flexible circuits for mounting light emitting semiconductor device

Номер патента: US20180219136A1. Автор: Ravi Palaniswamy,II Alejandro Aldrin A. Narag. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-08-02.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20140070246A1. Автор: Lugauer Hans-Jürgen,Rode Patrick,Sabathil Matthias,Linkov Alexander,Plößl Andreas. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-03-13.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20150014714A1. Автор: LIAO Wen-Chia,Lin Li-Fan,Shiue Ching-Chuan,Chen Shih-Peng. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP AND OPTOELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20190044032A1. Автор: Tangring Ivar. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20210057617A1. Автор: Streppel Ulrich,Cui Hailing,Queren Désirée,DURACH Dajana. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20210074893A1. Автор: Göötz Britta,Tonkikh Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20140191260A1. Автор: Kuo Wu-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-10.

SILICONE-ORGANIC RESIN COMPOSITE LAMINATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20140199909A1. Автор: SHIOBARA Toshio,AKAHANE Saiko,YAMAGUCHI Shigeo. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-17.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US20150243855A1. Автор: Alexander Wilm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-08-27.

Light-Emitting Semiconductor Chip and Display Device

Номер патента: US20200273907A1. Автор: Brick Peter,HALBRITTER Hubert,Singer Frank,Perälä Mikko. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-08-27.

Light-emitting semiconductor display system

Номер патента: JPS5511356A. Автор: Seiichi Hara. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-01-26.

Mixed-color light-emitting semiconductor component with luminescence conversion element

Номер патента: DE19638667A1. Автор: Juergen Dr Schneider,Rolf Schmidt,Peter Dr Schlotter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-04-02.

Overlay circuit structure for interconnecting light emitting semiconductors

Номер патента: KR102085649B1. Автор: 아룬 비루파크샤 고우다,도날드 폴 커닝햄,샤크티 싱 차우한. Владелец: 제너럴 일렉트릭 캄파니. Дата публикации: 2020-03-06.

Light Emitting Semiconductor Bonding Structure And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20060199290A1. Автор: Shyi-Ming Pan,Fen-Ren Chien. Владелец: Fen-Ren Chien. Дата публикации: 2006-09-07.

Light emitting semiconductor bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US7374958B2. Автор: Shyi-Ming Pan,Fen-Ren Chien. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2008-05-20.

Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component

Номер патента: CN1567608A. Автор: K·霍恩,R·施米特,A·德布雷,P·施洛特尔,J·施奈登. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2005-01-19.

Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component

Номер патента: US7276736B2. Автор: Jürgen Schneider,Ralf Schmidt,Klaus Hohn,Alexandra Debray,Peter Schlotter. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2007-10-02.

Methods for producing a light emitting semiconductor body with a luminescence converter element

Номер патента: EP1259990B1. Автор: Georg Bogner,Günther Waitl,Alexandra Debray. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-12-25.

Methods for producing a light emitting semiconductor body with a luminescence converter element

Номер патента: EP1259990A1. Автор: Georg Bogner,Günther Waitl,Alexandra Debray. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2002-11-27.

Method to produce a light-emitting semiconductor-body with a luminescence-conversion element

Номер патента: TW519771B. Автор: Georg Bogner,Guenther Waitl,Alexandra Debray. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2003-02-01.

Light emitting semiconductor bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060081859A1. Автор: Shyi-Ming Pan,Fen-Ren Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Mixed-color light-emitting semiconductor component with luminescence conversion element

Номер патента: DE19638667C2. Автор: Juergen Schneider,Rolf Schmidt,Peter Schlotter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2001-05-17.

Light emitting semiconductor structure

Номер патента: CN102738135A. Автор: 郭武政. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-17.

DISPLAYING DEVICE CONTAINING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT IN A MASSIVE HOUSING CONTAINED IN INSULATING MATERIAL WITH TWO-MULTIPLE STRIPED CONTACT DEVICES.

Номер патента: NL174307B. Автор: . Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1983-12-16.

Wavelength conversion element and light-emitting semiconductor component comprising wavelength conversion element

Номер патента: WO2013041465A1. Автор: Johannes Baur,Berthold Hahn,Stefan Grötsch,Guido Weiss,Simone KIENER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-03-28.

Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component

Номер патента: US7709852B2. Автор: Jürgen Schneider,Ralf Schmidt,Klaus Hohn,Alexandra Debray,Peter Schlotter. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2010-05-04.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US9373759B2. Автор: Alexander Wilm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-06-21.

Light-emitting semiconductor packages and related methods

Номер патента: US9059379B2. Автор: Yu-Fang Tsai,Ping-Cheng Hu,Yen-Ting Kuo. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2015-06-16.

Light Emitting Semiconductor Apparatus

Номер патента: US20070262340A1. Автор: Kazunori Sumi,Dai Aoki. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-15.

Multi-layer packaging substrate, method for making the packaging substrate, and package structure of light-emitting semiconductor

Номер патента: TW201037803A. Автор: wen-zhong Jiang,geng-zhong Wu,Ying-Ji Xie,zheng-gang Lv,Ming-Huang Fu. Владелец: High Conduction Scient Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-16.

FILAMENT WITH LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR CHIPS, LAMPS AND METHOD OF MAKING A FILAMENT

Номер патента: DE112017001510B4. Автор: Ivar Tangring,Thomas Schlereth,Michael Bestele,Elena Rachkova. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-02-16.

Light-emitting semiconductor component and transceiver device

Номер патента: WO2011117303A1. Автор: Frank Möllmer,Martin Haushalter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-09-29.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: CN106463582A. Автор: 马库斯·毛特,克里斯蒂安·莱雷尔. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-02-22.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: DE3129967A1. Автор: Werner Dipl.-Phys. 8150 Holzkirchen Späth,Walter Ing.(grad.) 8130 Starnberg Wegleiter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-02-17.

Light-Emitting Semiconductor Chip and Method for Manufacturing Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20240030686A1. Автор: Christoph Eichler,Lars Nähle. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Surface light emitting semiconductor laser element

Номер патента: US10578819B2. Автор: Yoshinori Yamauchi,Yoshiyuki Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Hironobu Narui,Yuichi Kuromizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Method for manufacturing a light emitting semiconductor chip and light emitting semiconductor chip

Номер патента: US20240186765A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for manufacturing group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20100051980A1. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasumasa Sasaki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-03-04.

Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor device, and method for fabricating the device

Номер патента: US12100936B2. Автор: Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for producing group III nitride crystal, group III nitride crystal, and semiconductor device

Номер патента: US09834859B2. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Masayuki Imanishi,Mamoru Imade,Mihoko Hirao. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2017-12-05.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, laminated group III nitride composite substrate, and group III nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923063B2. Автор: Keiji Ishibashi,Yoshiyuki Yamamoto,Koji Uematsu,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of growing nitride single crystal and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09871162B2. Автор: Min Ho Kim,William SOLARI,Heon Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of fabricating non-polar and semi-polar devices using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: EP3776672A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Hongjian Li,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-02-17.

Light emitting semiconductor methods and devices

Номер патента: CA2758595A1. Автор: Han Wui Then,Milton Feng,Gabriel Walter,Nick Holonyak,Chao-Hsin Wu. Владелец: Quantum Electro Opto Systems Sdn Bhd. Дата публикации: 2010-10-21.

Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element

Номер патента: US20030119239A1. Автор: Seiji Nagai,Toshio Hiramatsu,Masayoshi Koike,Yuta Tezen. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Group-III nitride structure including a fine wall-shaped structure containing a group-III nitridesemiconductor crystal and method for producing a group-III nitride structure including a fine wall-shaped structure containing a group-III nitride semiconductor crystal

Номер патента: US09680058B2. Автор: Katsumi Kishino,Akihiko Kikuchi. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Layered substrate with a miscut angle comprising a silicon single crystal substrate and a group-III nitride single crystal layer

Номер патента: US09728609B2. Автор: Kenji Ito,Masaki Matsui,Kazuyoshi Tomita,Nobuyuki Otake,Tetsuo Narita,Shinichi Hoshi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Group iii nitride semiconductor single crystal, method for producing the same, self-standing substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20140070370A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Nitride crystal substrate, semiconductor laminate, method of manufacturing semiconductor laminate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200208297A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Plasma-assisted mocvd fabrication of p-type group iii-nitride materials

Номер патента: WO2012122331A3. Автор: Olga Kryliouk,Karl Brown,David Bour,Kevin Griffin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Process for producing laminate comprising al-based group iii nitride single crystal layer, laminate produced by the process, process for producing al-based group iii nitride single crystal substrate using the laminate, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: EP2243866A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2010-10-27.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148C. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2012-08-07.

Group iii-nitride excitonic heterostructures

Номер патента: US20230033526A1. Автор: Yuanpeng Wu,Zetian Mi. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-02-02.

Group iii nitride semiconductor multilayer structure

Номер патента: EP1709670A1. Автор: Yasuhito Showa Denko K.K. URASHIMA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-10-11.

Group iii nitride substrate and method for producing group iii nitride crystal

Номер патента: US20170275780A1. Автор: Yoshio Okayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

P-Type Group III Nitride Semiconductor and Production Method Thereof

Номер патента: US20080246053A1. Автор: Hitoshi Takeda,Hisayuki Miki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor light emitting element, group iii nitride semiconductor substrate and method for manufacturing such group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1981093A1. Автор: Hisashi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. MINEMOTO,Yasuo c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KITAOKA,Yasutoshi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KAWAGUCHI,Yasuhito c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. TAKAHASHI,Yoshiaki c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. HASEGAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Group iii nitride stacked body, and semiconductor device having the stacked body

Номер патента: US20190229237A1. Автор: Toru Kinoshita,Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Epitaxial Structure and Growth Method of Group-III Nitrides

Номер патента: US20160153119A1. Автор: Jianming Liu,Wenyu Lin,Chen-Ke Hsu,Chih-Wei Chao,Meng-hsin YEH,Yanhao Du,Yi-Shin Ye,Jen-Chun Yang. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Group iii nitride semiconductor, and method for producing same

Номер патента: US20170338101A1. Автор: Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of manufacturing and group iii nitride crystal

Номер патента: US20220325437A1. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Junichi TAKINO,Shigeyoshi USAMI. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Group III nitride semiconductor, and method for producing same

Номер патента: US09899213B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

High efficiency group III nitride LED with lenticular surface

Номер патента: US8878209B2. Автор: Matthew Donofrio,David B. Slater, Jr.,John Adam Edmond,Jayesh Bharathan. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-11-04.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US8669129B2. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Method of fabricating group-iii nitride-based semiconductor device

Номер патента: WO2000016378A2. Автор: Soo-Jin Chua,Xiong Zhang. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2000-03-23.

Light emitting ceramic substrate including group-III nitride

Номер патента: US9373687B2. Автор: Akihiro Nomura,Kazuhiro Ohkawa,Akira Hirako. Владелец: Tokyo University of Science. Дата публикации: 2016-06-21.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor layer, method for manufacturing group iii nitride semiconductor light-emitting device, and group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20110163350A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for Fabrication Group III Nitride Semiconductor

Номер патента: US20080076200A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP1794780A1. Автор: Masato c/o Showa Denko K.K. KOBAYAKAWA,Hisayuki c/o SHOWA DENKO K.K. MIKI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-06-13.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: WO2006030918A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-03-23.

Group III nitride based layer sequence, semiconductor device comprising a group III nitride based layer sequence and methods of fabrication

Номер патента: DE102010056409A1. Автор: Dr. Dadgar Armin,Prof. Dr. Krost Alois. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2012-06-28.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device and Method for Producing the Same

Номер патента: US20140264415A1. Автор: Koji Okuno,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE)

Номер патента: US9431477B2. Автор: Hidehiro Kojiri,Tetsuya Ishikawa,Olga Kryliouk,Yuriy Melnik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Group III Nitride Semiconductor Multilayer Structure

Номер патента: US20080230780A1. Автор: Yasuhito Urashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-25.

Method for producing group III nitride-based compound semiconductor device

Номер патента: US20100248404A1. Автор: Masahiro Ohashi,Toshiya Umemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190067512A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Group iii nitride substrate, method of making, and method of use

Номер патента: US20230317444A1. Автор: Mark P. D'Evelyn,Dirk Ehrentraut,Wenkan Jiang,Derrick S. Kamber,Jonathan D. Cook,James Wenger. Владелец: SLT Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP3712925A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200075810A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Group iii nitride substrate and method of making

Номер патента: WO2023178322A1. Автор: Mark P. D'Evelyn,Wenkan Jiang,Motoi Tamaki,Keiji Fukutomi. Владелец: Slt Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-09-21.

Group iii nitride substrate and method of making

Номер патента: US20230295839A1. Автор: Mark P. D'Evelyn,Wenkan Jiang,Motoi Tamaki,Keiji Fukutomi. Владелец: SLT Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Group III nitride single crystal substrate

Номер патента: US11767612B2. Автор: Masayuki Fukuda,Toru Nagashima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09647170B2. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Substrate for removal of devices using void portions

Номер патента: EP3939069A1. Автор: Masahiro Araki,Takeshi Kamikawa,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-01-19.

Integrated heterostructures of group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact comprising multiple quantum well

Номер патента: US6046464A. Автор: Jan Frederick Schetzina. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2000-04-04.

METHOD FOR CLASSIFYING LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND IMAGE SENSOR APPLICATION HAVING AN IMAGE SENSOR AND A SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20170100751A1. Автор: Brick Peter,Kimme Felix. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-13.

BLUE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS AND DEVICES

Номер патента: US20170327740A1. Автор: Bawendi Moungi G.,Bulovic Vladimir,Halpert Jonathan E.,Anikeeva Polina O.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-16.

Silicone-organic resin composite laminate and manufacturing method thereof, and light-emitting semiconductor apparatus using the same

Номер патента: CN103935095A. Автор: 塩原利夫,山口茂雄,赤羽纱以子. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-23.

Blue light emitting semiconductor nanocrystal materials

Номер патента: US20110229998A1. Автор: Moungi G. Bawendi,Vladimir Bulovic,Seth Coe-Sullivan,Jonathan S. Steckel,Nathan E. Stott,John P. Zimmer. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2011-09-22.

Blue light emitting semiconductor nanocrystal materials

Номер патента: US20050258418A1. Автор: Vladimir Bulovic,Seth Coe-Sullivan,Moungi Bawendi,Nathan Stott,John Zimmer,Jonathan Steckel. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2005-11-24.

Blue light emitting semiconductor nanocrystal materials

Номер патента: EP1730783A4. Автор: Vladimir Bulovic,Seth Coe-Sullivan,Moungi G Bawendi,John P Zimmer,Jonathan S Steckel,Nathan E Stott. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2010-12-01.

Group III Nitride Semiconductor Device and Method for Manufacturing Group III Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20090257467A1. Автор: Koichi Naniwae,Ichiro Masumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Semiconductor component having group III nitride semiconductor device mounted on substrate and interconnected to lead frame

Номер патента: US09818677B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Process for producing a group-III nitride crystal and process for producing a light-emitting semiconductor element or a semiconductor device comprising a group-III nitride crystal

Номер патента: US9428386B2. Автор: Kenji Fujito,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for producing group III nitride compounds semiconductor

Номер патента: US20040169192A1. Автор: Makoto Asai,Hisaki Kato,Katsuhisa Sawazaki,Naoki Kaneyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-02.

Method of forming a P-type ohmic contact in group-III nitride semiconductors

Номер патента: US09947537B2. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device encapsulated by silicone resin composition, and silicone resin tablet for encapsulating semiconductor device

Номер патента: US20080021136A1. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180019129A1. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device and method for manufacturing structure

Номер патента: US20220384614A1. Автор: Osamu Ichikawa,Noboru Fukuhara,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip

Номер патента: TW201246596A. Автор: Malm Norwin von,Madis Raukas,Darshan KUNDALIYA. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2012-11-16.

Wavelength conversion sheet filled with large amount of phosphor, method of producing light emitting semiconductor device using the sheet, and light emitting semiconductor device

Номер патента: US20130113008A1. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi,Miyuki Wakao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Wavelength conversion sheet filled with large amount of phosphor, method of producing light emitting semiconductor device using the sheet, and light emitting semiconductor device

Номер патента: US9147818B2. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi,Miyuki Wakao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-29.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7023019B2. Автор: Kei Sakanoue,Hiromi Kitahara,Katsuaki Iwama,Hidenori Kamei,Toshihide Maeda,Shozo Oshio,Tadaaki Ikeda,Yasuyuki Hanada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-04.

METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL, SEMICONDUCTOR DEVICE AND APPARATUS FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE CRYSTAL

Номер патента: US20160268129A1. Автор: Mori Yusuke,Yoshimura Masashi,IMADE Mamoru,ISEMURA Masashi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Method for producing group iii nitride crystal, group iii nitride crystal, semiconductor device and apparatus for producing group iii nitride crystal

Номер патента: EP3056592A1. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Mamoru Imade,Masashi Isemura. Владелец: Itochu Plastics Inc. Дата публикации: 2016-08-17.

Method for producing group iii nitride crystal, group iii nitride crystal, semiconductor device and apparatus for producing group iii nitride crystal

Номер патента: WO2015053341A1. Автор: 森　勇介,吉村　政志,完 今出,雅士 伊勢村. Владелец: 伊藤忠プラスチックス株式会社. Дата публикации: 2015-04-16.

Fluorescence height fills wavelength conversion sheet, the manufacture method using the light-emitting semiconductor device of this wavelength conversion sheet and this light-emitting semiconductor device

Номер патента: CN103094460B. Автор: 柏木努,盐原利夫,若尾幸. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-21.

Resin composition, reflector for light-emitting semiconductor device, and light-emitting semiconductor unit

Номер патента: KR101831974B1. Автор: 유스케 타구치,토시오 시오바라. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2018-02-23.

Resin composition, reflector for light-emitting semiconductor device, and light-emitting semiconductor unit

Номер патента: CN102329501B. Автор: 盐原利夫,田口雄亮. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-18.

Resin composition, reflector for light-emitting semiconductor device, and light-emitting semiconductor unit

Номер патента: EP2371888A3. Автор: Toshio Shiobara,Yusuke Taguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-18.

Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device

Номер патента: TW200427111A. Автор: Toshio Shiobara,Masachika Yoshino. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2004-12-01.

Semiconductor Device

Номер патента: US20180158941A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-07.

COMPOSITE GaN SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE GaN SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130175543A1. Автор: Okahisa Takuji,Matsubara Hideki,Kiyama Makoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09991373B1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20190245045A1. Автор: NARITA Tetsuo,KATAOKA Keita. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2019-08-08.

Light-emitting semiconductor device packaged with light-emitting diode and current-driving integrated circuit

Номер патента: KR100586731B1. Автор: 충-유 우. Владелец: 매크로블록 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for controlling color accuracy in a light-emitting semiconductor-based device and process for producing a light-emitting semiconductor-based device with controlled color accuracy

Номер патента: US8222652B2. Автор: David Hum,Shane Harrah. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2012-07-17.

Light-emitting semiconductor device packaged with light-emitting diode and current-driving integrated circuit

Номер патента: US20050012457A1. Автор: Chung Wu. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2005-01-20.

Group III nitride semiconductor device and method of manufacturing group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: US11101351B2. Автор: Tetsuo Narita,Keita KATAOKA. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2021-08-24.

Method for controlling color accuracy in a light-emitting semiconductor-based device and process for producing a light-emitting semiconductor-based device with controlled color accuracy

Номер патента: US20110254027A1. Автор: David Hum,Shane Harrah. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Composite particle, method of producing same, resin composition containing the particle, reflector formed from the composition, and light-emitting semiconductor device using the reflector

Номер патента: US20150060918A1. Автор: Toshio Shiobara,Yoshihiro Tsutsumi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Group III-V Semiconductor Device with Strain-Relieving Layers

Номер патента: US20160233327A1. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Group III-V semiconductor device with strain-relieving layers

Номер патента: US09741841B2. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Use the display device of light emitting semiconductor device

Номер патента: CN105051804B. Автор: 李炳俊. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-09-29.

Use the display device of light emitting semiconductor device

Номер патента: CN105684070B. Автор: 方圭铉. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-01-18.

Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor device and display apparatus therewith, and method for producing a wavelength conversion element

Номер патента: US20150048392A1. Автор: Mikael Ahlstedt. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-02-19.

Use the display equipment of light emitting semiconductor device

Номер патента: CN107211502B. Автор: 金治璇,李炳俊,沈奉柱. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-05-21.

Translucent electrode for light emitting semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: JP3807020B2. Автор: 隆 宇田川,峰夫 奥山,久幸 三木. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-08-09.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US7265374B2. Автор: Stephen Lee,Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane,Ruslan Ivanovich Gorbunov. Владелец: Arima Computer Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

light emitting semiconductor device

Номер патента: US20110026558A1. Автор: Reddy Raju,Xiangdong Qiu,Richard L. Duesterberg,Jay A. Skidmore,Prasad Yalamanchili. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Multicolored light emitting semiconductor device and its manufacture

Номер патента: JPS5728371A. Автор: Yasuaki Masuko. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 1982-02-16.

Epoxy-organosilicon mixed resin composition and method for preparing same, and light-emitting semiconductor device

Номер патента: CN1837284A. Автор: 柏木努,儿玉欣也. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-27.

Epoxy-silicone hybrid resin composition, process for the preparation thereof and light-emitting semiconductor device

Номер патента: KR101252301B1. Автор: 쯔또무 가시와기,긴야 고다마. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2013-04-08.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN102034915A. Автор: 立入英史,大山利彦. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-27.

Light emitting semiconductor device and method

Номер патента: JP2003243704A. Автор: Paul S Martin,Daniel A Steigerwald,エス マーティン ポール,Steven A Maranowski,エイ マラノフスキー スティーヴン,Michael J Ludowise,ジェイ ルドワイス マイケル,エイ スタイガーウォルド ダニエル. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2003-08-29.

Light-receiving or light-emitting semiconductor apparatus

Номер патента: CA2469002A1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Light-receiving or light-emitting semiconductor apparatus

Номер патента: EP1717867B1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-06.

Epoxy / silicone hybrid resin composition, method for producing the same, and light emitting semiconductor device

Номер патента: JP4614075B2. Автор: 努 柏木,欣也 児玉. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-19.

Epoxy. Polysiloxane mixed resin composition and its manufacturing method and light emitting semiconductor device

Номер патента: TWI418591B. Автор: Tsutomu Kashiwagi,Kinya Kodama. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2013-12-11.

Light-emitting semiconductor device capable of being surface mounted and with composite packing structure

Номер патента: CN1189950C. Автор: 林明德,王冠儒. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-02-16.

Opto-electronic light emitting semiconductor device

Номер патента: EP0406506A1. Автор: Bart Jozef Van Zeghbroeck,Willi Walter,Christoph Stephan Dr. Harder,Heinz Peter Dr. Meier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-01-09.

Light-emitting semiconductor device having an overvoltage protector, and method of fabrication

Номер патента: CN100423307C. Автор: 青柳秀和,松尾哲二. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-01.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN101986178B. Автор: 邱向东,普拉萨德·雅拉曼丘里,瑞迪·拉贾,杰伊·A.·斯基德莫尔,理查德·L.·杜斯特博格. Владелец: Flex Products Inc. Дата публикации: 2015-05-13.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS6189683A. Автор: Tetsuya Muranaka,哲也 村中. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-05-07.

Deposition of a temperable multilayer contact coating onto a semiconductor material useful for production of light emitting semiconductor chips

Номер патента: DE10261364A1. Автор: Walter Wegleiter,Wilhelm Dr. Stein,Andreas Dr. Plößl,Alexander Heindl,Stefan Janes. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2004-08-19.

Epoxy-silicone mixed resin composition and light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7276562B2. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

A light-emitting semiconductor device with a flip-chip package structure

Номер патента: TW573330B. Автор: Ming-Der Lin,Kwang-Ru Wang,Chi-Tang Chuang. Владелец: Highlink Technology Corp. Дата публикации: 2004-01-21.

Manufacture of light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS59134882A. Автор: Yoichi Yasuda,洋一 安田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-08-02.

Flexible light emitting semiconductor device having a three dimensional structure

Номер патента: TW201329382A. Автор: Ravi Palaniswamy,Arokiaraj Jesudoss,Justine Anne Mooney,Alejandro Aldrin Agcaoili II NARAG. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2013-07-16.

Apparatus and method for controlling the output of a light emitting semiconductor device

Номер патента: US3483397A. Автор: Robert C Miller,Frederick M Ryan. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1969-12-09.

LUMINESCENT-SUBSTANCE MIXTURE, LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A LUMINESCENT-SUBSTANCE MIXTURE, AND STREETLAMP HAVING A LUMINESCENT-SUBSTANCE MIXTURE

Номер патента: US20160304780A1. Автор: Lange Stefan,Cui Hailing,Huckenbeck Barbara,RÖMER Rebecca. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Light emitting semiconductor module with by-path turn-on switch

Номер патента: CN100521200C. Автор: 林荣宗,刘兴富. Владелец: Juji Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-29.

Luminescent-substance mixture, light-emitting semiconductor component having a luminescent-substance mixture, and streetlamp having a luminescent-substance mixture

Номер патента: EP3077478B9. Автор: Stefan Lange,Rebecca Römer,Barbara Huckenbeck,Hailing Cui. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-08-25.

Light emitting semiconductor package

Номер патента: AU2002218871B2. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2004-03-04.

Method for manufacturing translucent electrode for light emitting semiconductor element

Номер патента: JP3230463B2. Автор: 久幸 三木. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2001-11-19.

Light emitted semiconductor assembly package structure and producing method thereof

Номер патента: CN100463239C. Автор: 庄世任,周大为,张嘉显,吴易座. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-18.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A PROTECTIVE DIODE

Номер патента: DE502004008664D1. Автор: Peter Brick,Tony Albrecht,Marc Philippens,Glenn-Yves Plaine. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-01-22.

Light emitting semiconductor element capable of suppressing change of driving current

Номер патента: TW404077B. Автор: Kenji Endo,Masateru Oya. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2000-09-01.

Nitride-based semiconductor devices with recesses for dicing and methods of fabricating the same

Номер патента: US11854887B2. Автор: Yulong Zhang,Weixing DU,Jue Ouyang,Minghong Chang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Optical semiconductor device, method for manufacturing the same, and optical module and optical communication apparatus provided with the optical semiconductor device

Номер патента: US20020003914A1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Resin composition for sealing a semiconductor device, device using this semiconductor device, and mounting structure of this semiconductor device

Номер патента: DE60104784T2. Автор: Tadaaki Ibaraki-shi HARADA. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Light emitting diode device having III-nitride nanowires, a shell layer and a continuous layer

Номер патента: US09947831B2. Автор: Jonas Ohlsson,Werner Seifert,Lars Ivar Samuelson,Zhaoxia Bi,Damir Asoli. Владелец: QUNANO AB. Дата публикации: 2018-04-17.

Group iii nitride wafers and fabrication method and testing method

Номер патента: EP2900850A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2015-08-05.

Group iii nitride wafers and fabrication method and testing method

Номер патента: US20150329361A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Method of manufacture of group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200365462A1. Автор: Yoshio Okayama,Takatoshi Okamoto,Ayako Iwasawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of cleaning a group III-nitride single crystal substrate comprising cleaning a nitrogen-polar face with a detergent including a fluoroorganic compound

Номер патента: US11859312B2. Автор: Masayuki Fukuda,Reo Yamamoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of cleaning group iii nitride single crystal substrate, and method of producing the same

Номер патента: US20230313413A1. Автор: Masayuki Fukuda,Reo Yamamoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for manufacturing group-iii nitride substrate and group-iii nitride substrate

Номер патента: US20180114692A1. Автор: Takehiro Yoshida,Masatomo Shibata,Toshio Kitamura. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Group-III nitride laminate

Номер патента: US11584693B2. Автор: Takeshi Tanaka,Ryota Isono. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Group-iii nitride laminate

Номер патента: US20200399184A1. Автор: Takeshi Tanaka,Ryota Isono. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Group-iii nitride semiconductor nanoparticles, core-shell-type particles, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230357011A1. Автор: Kenji Moriyama,Atsushi Muramatsu,Yasuyuki Miyake,Kiyoshi Kanie,Wataru Tamura,Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Group-iii nitride nanoparticles, core-shell-type particles, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4223692A1. Автор: Kenji Moriyama,Atsushi Muramatsu,Yasuyuki Miyake,Kiyoshi Kanie,Wataru Tamura,Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Method for manufacturing semiconductor device using etchant composition having high etching selectivity

Номер патента: US20230260797A1. Автор: Fang-Wei Lee,Huan-Chieh Su,Meng-Huan Jao,Chia-Chien Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Light-emitting semiconductor device producing red wavelength optical radiation

Номер патента: US20030138015A1. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Takashi Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-24.

Light emitting semiconductor element

Номер патента: JPS6376390A. Автор: Mitsunori Sugimoto,杉本　満則. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-04-06.

Light emitting semiconductor methods and devices

Номер патента: WO2010120372A2. Автор: Han Wui Then,Milton Feng,Gabriel Walter,Nick Holonyak,Chao-Hsin Wu. Владелец: Quantum Electro Opto Systems Sdn. Bhd.. Дата публикации: 2010-10-21.

Light emitting semiconductor method and device

Номер патента: JP5789597B2. Автор: ガブリエル ウォルター,ミルトン フォン,ニック ホロニャック,ハン ウィー ゼン,ハン ウィー ゼン,チャオ−シン ウー. Владелец: Quantum Electro Opto Systems Sdn Bhd. Дата публикации: 2015-10-07.

Group iii nitride compound semiconductor device

Номер патента: US20100184273A1. Автор: Hong Jae Yoo,Jae Bin CHOI. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-22.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Electronic device using group III nitride semiconductor and its fabrication method and an epitaxial multi-layer wafer for making it

Номер патента: US09685327B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device structure with recessed ohmic contacts and method for producing the same

Номер патента: WO2023001762A1. Автор: Ding-Yuan Chen,Jr-Tai Chen,Niklas RORSMAN. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device structure with recessed ohmic contacts and method for producing the same

Номер патента: EP4123721A1. Автор: Ding Yuan Chen,Jr-Tai Chen,Niclas Rorsman. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2023-01-25.

Semiconductor device structure with recessed ohmic contacts and method for producing the same

Номер патента: EP4374429A1. Автор: Ding-Yuan Chen,Jr-Tai Chen,Niklas RORSMAN. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-05-29.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130168734A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Group iii nitride crystal substrate, method for producing same, and group iii nitride semiconductor device

Номер патента: EP1736572B1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki,Ryu c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. HIROTA,Seiji c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. NAKAHATA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Field Reducing Structures for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240304702A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Field reducing structures for nitrogen-polar group iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2024186528A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device with high electron mobility transistor (HEMT) having source field plate

Номер патента: US09704982B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing semiconductor substrate having group-iii nitride compound layer

Номер патента: US20190225731A1. Автор: Yasunobu Someya,Masaru Hori,Keisuke Hashimoto,Makoto Sekine. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2019-07-25.

Epitaxial metallic transition metal nitride layers for compound semiconductor devices

Номер патента: US20160035851A1. Автор: David J. Meyer,Brian P. Downey,Douglas S. Katzer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-02-04.

Vias for Semiconductor Devices Formed from Multiple Etching

Номер патента: US20240274507A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080083933A1. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-10.

Group iii nitrides on nanopatterned substrates

Номер патента: US20140191283A1. Автор: Devendra K. Sadana,Can Bayram,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Group III nitride semiconductor and method for producing same

Номер патента: US10923346B2. Автор: Hiroshi Ono,Akihiko Ishibashi,Kenya Yamashita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040227153A1. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Electronic device using group iii nitride semiconductor and its fabrication method and an epitaxial multi-layer wafer for making it

Номер патента: US20150014818A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Group iii - nitride double-heterojunction field effect transistor

Номер патента: US20180204940A1. Автор: Eduardo M. Chumbes,Brian D. Schultz. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-07-19.

Group III nitride crystals, their fabrication method, and method of fabricating bulk group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09670594B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Nitride based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168688A1. Автор: Jae Hoon Lee,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Electronic device using group iii nitride semiconductor and its fabrication method and an epitaxial multi-layer wafer for making it

Номер патента: US20160293415A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits including static random access memory blocks with associated addressing and buffering circuits

Номер патента: US20230361059A1. Автор: Jeremy Fisher. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20210313462A1. Автор: Oliver Haeberlen,Walter Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4310918A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-24.

Epitaxial substrate for semiconductor device, method for manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20130181327A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Sota Maehara,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Group iii nitride crystal and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130028826A1. Автор: Akihiro Fuse,Seiji Sarayama,Hirokazu Iwata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-31.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of fabricating group III nitride with gradually degraded crystal structure

Номер патента: US09822465B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of fabricating bulk group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09790616B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Group III nitride integration with CMOS technology

Номер патента: US09660069B2. Автор: Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Can Bayram,William J. Gallagher,Christopher Peter D'Emic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Group iii nitride semiconductor device and epitaxial substrate

Номер патента: EP1876649A1. Автор: Kouhei c/o Osaka Works of Sum.Elec.Ind Ltd. MIURA,Makoto c/o Itami Works of Sum.Ele.Ind. Ltd KIYAMA,Takashi c/o Osaka Works of S.E.I. Ltd SAKURADA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-01-09.

Method for manufacturing group iii nitride substrate, and group iii nitride substrate

Номер патента: EP4089212A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-16.

Group iii nitride crystal production method and group iii nitride crystal

Номер патента: US20140035103A1. Автор: Kenji Fujito,Hajime Matsumoto,Satoru Nagao,Kunitada SUZAKI. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Group iii-nitride polarization junction diodes

Номер патента: US20210005759A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Group iii nitride crystal, group iii nitride semiconductor, group iii nitride substrate, and method for producing group iii nitride crystal

Номер патента: US20230399770A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Switching circuit, gate driver for a group iii nitride-based enhancement mode transistor device and method of operating the group iii nitride-based enhancement mode transistor device

Номер патента: US20230139374A1. Автор: QIN LEI,Alain Charles,Mohamed Imam,Hyeongnam Kim,Chunhui Liu. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of implanting dopants into a group iii-nitride structure and device formed

Номер патента: US20190131416A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Group III nitride device and method of fabricating a Group III nitride-based device

Номер патента: US12087830B2. Автор: John Twynam,Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Sidewall spacer for integration of group III nitride with patterned silicon substrate

Номер патента: US09935175B1. Автор: Devendra K. Sadana,Ko-Tao Lee,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Group III nitride substrates and their fabrication method

Номер патента: US09673044B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20240030217A1. Автор: Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Group iii-nitride structure having successively reduced crystallographic dislocation density regions

Номер патента: WO2018183176A1. Автор: William E. Hoke,Theodore D. Kennedy,Brian D. Schultz,Amanda Kerr. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-10-04.

Group iii-nitride structure having successively reduced crystallographic dislocation density regions

Номер патента: EP3602608A1. Автор: William E. Hoke,Theodore D. Kennedy,Brian D. Schultz,Amanda Kerr. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-02-05.

Method of Implanting Dopants into a Group III-Nitride Structure and Device Formed

Номер патента: US20210184011A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of Implanting Dopants into a Group III-Nitride Structure and Device Formed

Номер патента: US20230163183A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Group iii nitride substrates and their fabrication method

Номер патента: US20160163801A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Group III nitride crystal, group III nitride substrate, and method of manufacturing group III nitride crystal

Номер патента: US11713516B2. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Yoshio Okayama,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

In-situ p-type activation of iii-nitride films grown via metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20210151329A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-05-20.

Low dislocation density III-nitride semiconductor component

Номер патента: US09954089B2. Автор: Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Chan Kyung Choi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09847394B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Ohmic contact structure for semiconductor device and method

Номер патента: US09842923B2. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Layer structure for a group-III-nitride normally-off transistor

Номер патента: US09773896B2. Автор: Stephan Lutgen,Saad MURAD. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2017-09-26.

Group III nitride substrates and their fabrication method

Номер патента: US09754782B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Group-III nitride semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09722042B2. Автор: Wen-Jang Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09666664B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Satoshi Nakazawa,Yoshiharu Anda,Naohiro Tsurumi,Ryo KAJITANI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Ohmic contact structure for group III nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features

Номер патента: US09548206B2. Автор: Helmut Hagleitner,Jason Gurganus. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Normally-off semiconductor devices

Номер патента: US7985986B2. Автор: Sten Heikman,Yifeng Wu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-07-26.

Group III Nitride-Based Transistor Device

Номер патента: US20220271147A1. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Manuel Stabentheiner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for manufacturing group iii nitride substrate, and group iii nitride substrate

Номер патента: US20230018136A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Group iii-nitride transistors with back barrier structures and buried p-type layers and methods thereof

Номер патента: EP4342000A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Jia GUO. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Group III Nitride-Based Transistor Device and Method of Fabricating a Gate Structure for a Group III Nitride-Based Transistor Device

Номер патента: US20200321447A1. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Manuel Stabentheiner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor structure having a test structure formed in a group III nitride layer

Номер патента: US09947600B2. Автор: Clemens Ostermaier,Bernhard Brunner,Franz Heider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Group III nitride bulk crystals and their fabrication method

Номер патента: US09790617B2. Автор: Tadao Hashimoto,Edward Letts. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Deposition of group III-nitrides on Ge

Номер патента: US7964482B2. Автор: Stefan Degroote,Ruben Lieten. Владелец: Vrije Universiteit Brussel VUB. Дата публикации: 2011-06-21.

Group iii nitride-based transistor device

Номер патента: US20220199815A1. Автор: Luca Sayadi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Group iii-nitride high-electron mobility transistors and process for making the same

Номер патента: EP4292132A1. Автор: Saptharishi Sriram,Jia GUO. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Group III-nitride high-electron mobility transistors with buried p-type layers and process for making the same

Номер патента: US11862719B2. Автор: Saptharishi Sriram,Thomas Smith,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Group iii-nitride high-electron mobility transistors with buried p-type layers and process for making the same

Номер патента: US20240105829A1. Автор: Saptharishi Sriram,Thomas J. Smith,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Group III-Nitride High-Electron Mobility Transistors with Buried P-Type Layers and Process for Making the Same

Номер патента: US20190237569A1. Автор: Saptharishi Sriram,Thomas Smith,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Group iii nitride transistor device

Номер патента: US20240170487A1. Автор: Kennith Kin Leong,Clemens Ostermaier,Anthony Sanders,Thomas Beer,Bhargav Pandya. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Group iii-nitride high-electron mobility transistors with buried p-type layers and process for making the same

Номер патента: EP3918636A1. Автор: Saptharishi Sriram,Thomas Smith,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Group iii nitride transistor device

Номер патента: EP4372820A1. Автор: Kennith Kin Leong,Clemens Ostermaier,Anthony Sanders,Thomas Beer,Bhargav Pandya. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-22.

Group III-Nitride-Based Enhancement Mode Transistor Having a Multi-Heterojunction Fin Structure

Номер патента: US20160247905A1. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-25.

High pressure reactor and method of growing group iii nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US20160376726A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Group III nitride device having an ohmic contact

Номер патента: US11728389B2. Автор: Albert Birner,Jan Ropohl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-15.

Hybrid deposition chamber for in-situ formation of group iv semiconductors & compounds with group iii-nitrides

Номер патента: WO2011133351A2. Автор: Jie Su. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-10-27.

Integrated circuit die having reduced defect group III-nitride layer and methods associated therewith

Номер патента: US09922826B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

High pressure reactor and method of growing group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09885121B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Group III-nitride-based enhancement mode transistor having a multi-heterojunction fin structure

Номер патента: US09837520B2. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-05.

High pressure reactor and method of growing group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09783910B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing group III nitride semiconductor layer bonded substrate

Номер патента: EP2154709A3. Автор: Akihiro Hachigo. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Group iii-nitride high-electron mobility transistors and process for making the same

Номер патента: WO2022173571A8. Автор: Saptharishi Sriram,Jia GUO. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-02-16.

Group iii nitride semiconductor crystal, group iii nitride semiconductor substrate, group iii nitride semiconductor freestanding substrate, nitride semiconductor device, and rectifier diode

Номер патента: US20140070371A1. Автор: TADAYOSHI TSUCHIYA,Naoki Kaneda. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits having multi-layer metal-insulator-metal capacitors

Номер патента: US20230291367A1. Автор: Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Dan Namishia. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09929107B1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Group III-nitride-based enhancement mode transistor having a heterojunction fin structure

Номер патента: US09647104B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for producing a group III nitride semiconductor crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09691610B2. Автор: Seiji Nagai,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Backside stress compensation for gallium nitride or other nitride-based semiconductor devices

Номер патента: US20110140118A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Circuits and group III-nitride high-electron mobility transistors with buried p-type layers improving overload recovery and process for implementing the same

Номер патента: US11929428B2. Автор: Saptharishi Sriram,Thomas J. Smith, Jr.,Charles W. Richards, Iv. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatus for manufacturing group iii nitride single crystal, method for manufacturing group iii nitride single crystal using the apparatus, and aluminum nitride single crystal

Номер патента: US20170330745A1. Автор: Masayuki Fukuda,Toru Nagashima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Enhancement mode Group III nitride-based transistor device

Номер патента: US11417758B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-08-16.

Method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal, and method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20100233870A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Circuits and group iii-nitride transistors with buried p-layers and controlled gate voltages and methods thereof

Номер патента: EP4341989A1. Автор: Saptharishi Sriram,Jr. Thomas J. Smith. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Circuits and group iii-nitride transistors with buried p-layers and controlled gate voltages and methods thereof

Номер патента: WO2022245417A1. Автор: Saptharishi Sriram,Jr. Thomas J. Smith. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-11-24.

Enhancement Mode Group III Nitride-Based Transistor Device

Номер патента: US20210050439A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-02-18.

Epitaxial structure of N-face group III nitride, active device, and method for fabricating the same with integration and polarity inversion

Номер патента: US10833163B2. Автор: Chih-Shu Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-10.

Group iii nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US20230260988A1. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Group iii nitride-based transistor device having a conductive redistribution structure

Номер патента: US20240258382A1. Автор: John Twynam,Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-01.

Passivation of group iii-nitride heterojunction devices

Номер патента: US20150111371A1. Автор: Jing Chen,Zhikai Tang,Qimeng JIANG,Sen Huang. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2015-04-23.

Group III nitride-based radio frequency transistor amplifiers having source, gate and/or drain conductive vias

Номер патента: US12113490B2. Автор: Qianli MU,Michael E. Watts,Mario Bokatius,Jangheon Kim,Basim Noori,Kwangmo Chris LIM,Marvin Marbell. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: US20240363745A1. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: WO2024226212A2. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

Monolithic integration of group III nitride epitaxial layers

Номер патента: US09954090B1. Автор: Keisuke Shinohara,Miroslav Micovic,David F. Brown,Andrea Corrion. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing aluminum-based group III nitride single crystal by hydride vapor phase epitaxy

Номер патента: US09708733B2. Автор: Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Reiko OKAYAMA,Akinori Koukitsu. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Patterned back-barrier for III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09559161B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Group III nitride crystal and method for producing the same

Номер патента: US8524575B2. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-03.

Group iii nitride-based semiconductor device

Номер патента: EP4310899A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Jan Ropohl,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-24.

Methods and apparatus to form silicon-based transistors on group iii-nitride materials using aspect ratio trapping

Номер патента: US20190181265A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10868124B2. Автор: Tetsuo Narita,Hiroko Iguchi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20190181230A1. Автор: Tetsuo Narita,Hiroko Iguchi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Group iii nitride semiconductor substrate and method of manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200032418A1. Автор: HIROKI Goto,Yujiro Ishihara. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Group iii nitride crystal, group iii nitride substrate, and method of manufacturing group iii nitride crystal

Номер патента: US20210388528A1. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Yoshio Okayama,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Group iii nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20240030334A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Jan Ropohl,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Group iii nitride composite substrate

Номер патента: US20130032928A1. Автор: Hiroaki Yoshida,Yoshiyuki Yamamoto,Hideki Matsubara,Issei Satoh,Akihiro Hachigo. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Method of manufacturing group III nitride crystal by reacting an oxidizing gas containing nitrogen with a group III element droplet and growing a group III nitride crystal on a seed substrate

Номер патента: US11795573B2. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Yoshio Okayama,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated III-Nitride D-Mode HFET with Cascoded Pair Half Bridge

Номер патента: US20150014698A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-01-15.

Group iii nitride substrates and their fabrication method

Номер патента: US20160163541A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Group iii nitride stack

Номер патента: US20230167585A1. Автор: Takeshi Tanaka,Ryota Isono. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243179A1. Автор: Hui Sun,Zhibin Chen,Yong Hou,Biao Gao. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Group iii nitride based flip-chip integrated circuit and method for fabricating

Номер патента: CA2511005C. Автор: Primit Parikh,Yifeng Wu,Umesh K. Mishra. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Method for growing group-III nitride semiconductor heterostructure on silicon substrate

Номер патента: US20050106849A1. Автор: Shangir Gwo. Владелец: Shangir Gwo. Дата публикации: 2005-05-19.

Low Dislocation Density III-Nitride Semiconductor Component

Номер патента: US20170365699A1. Автор: Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Chan Kyung Choi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Large-diameter substrate for group-iii nitride epitaxial growth and method for producing the same

Номер патента: US20230257905A1. Автор: Masato Yamada,Yoshihiro Kubota,Minoru Kawahara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Group iii nitride bulk crystals and their fabrication method

Номер патента: US20150337453A1. Автор: Tadao Hashimoto,Edward Letts. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Substrate for group-iii nitride epitaxial growth and method for producing the same

Номер патента: US20230340694A1. Автор: Masato Yamada,Yoshihiro Kubota,Minoru Kawahara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Device and method for manufacturing group iii nitride substrate

Номер патента: EP3951024A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Group iii - nitride structure having successively reduced crystallographic dislocation density regions

Номер патента: US20180286954A1. Автор: William E. Hoke,Theodore D. Kennedy,Brian D. Schultz,Amanda Kerr. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-10-04.

Group iii-nitride schottky diode

Номер патента: EP3688818A1. Автор: Richard Geiger,Stephan Leuschner,Peter Baumgärtner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Harald Gossner,Uwe Hodel,Domagoj Siprak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Group iii-nitride schottky diode

Номер патента: US20200411699A1. Автор: Richard Geiger,Stephan Leuschner,Peter Baumgärtner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Harald Gossner,Uwe Hodel,Domagoj Siprak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of manufacturing group iii-nitride semiconductor

Номер патента: US20240266168A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Masahiro Miyagi,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor Device Having Semiconductor Structure with Polarity Inverting Layer

Номер патента: US20240266419A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Silicide for group III-nitride devices and methods of fabrication

Номер патента: US12080763B2. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Walid Hafez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having semiconductor structure with polarity inverting layer

Номер патента: WO2024163583A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

High-power component based on iii nitride compound semiconductors, intermediate product and process for production of a high-power component

Номер патента: US20240347629A1. Автор: Richard Reiner,Philipp Döring. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for reducing dislocation in group iii nitride crystal and substrate for epitaxial growth

Номер патента: EP2045835A1. Автор: Tomohiko DOWA SEMICONDUCTOR AKITA CO. LTD. SHIBATA,Shigeaki NGK INSULATORS LTD. SUMIYA. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Aluminum free group iii-nitride based high electron mobility transistors and methods of fabricating same

Номер патента: EP1875514A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-09.

Method for growing group iii nitride crystal

Номер патента: US20120031324A1. Автор: Hiroaki Yoshida,Shinsuke Fujiwara,Koji Uematsu,Yuki Hiromura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Group III nitride laminate, semiconductor element, and method for producing group III nitride laminate

Номер патента: US11908902B2. Автор: Osamu Goto,Takeshi Kimura,Hajime Fujikura,Taichiro Konno. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated circuit die having reduced defect group iii-nitride layer and methods associated therewith

Номер патента: WO2016099494A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-23.

Scandium-Containing III-N Etch-Stop Layers for Selective Etching of III-Nitrides and Related Materials

Номер патента: US20180130883A1. Автор: David J. Meyer,Matthew T. Hardy,Brian P. Downey. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-05-10.

Integrated circuit die having reduced defect group iii-nitride layer and methods associated therewith

Номер патента: EP3234996A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-25.

Low aluminum concentration aluminum gallium nitride interlayer for group iii-nitride (iii-n) devices

Номер патента: US20240204091A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Samuel BADER,Heli Vora,Michael Beumer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Iii-nitride device passivation and method

Номер патента: EP1690295A2. Автор: Robert Beach. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2006-08-16.

Method and apparatus for producing group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20240153765A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Kei Suzuki,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-05-09.

N-polar III-nitride transistors

Номер патента: US09490324B2. Автор: Umesh Mishra,Srabanti Chowdhury,Carl Joseph Neufeld. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Monolithic Vertically Integrated Composite Group III-V and Group IV Semiconductor Device and Method for Fabricating same

Номер патента: US20100301396A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2010-12-02.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor laminate, program for selecting substrate, program for outputting substrate data, nitride semiconductor substrate with program for outputting substrate data, off-angle coordinate map, nitride semiconductor substrate with off-angle coordinate map, program for selecting semiconductor device, method for producing nitride semiconductor substrate, method for producing semiconductor laminate, method for producing semiconductor device, and method for...

Номер патента: US20210184003A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: EP4391065A1. Автор: Hu Liang,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: WO2024132524A1. Автор: Hu Liang,Jens Baringhaus,Kevin Dannecker,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-06-27.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: US20080237632A1. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-10-02.

Group iii-nitride semiconductor array with heterogeneous electrodes for radio frequency processing

Номер патента: EP4156245A1. Автор: Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: US09923052B2. Автор: Thomas Herman. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09852925B2. Автор: Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11817482B2. Автор: Carsten Ahrens,Helmut Brech,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-14.

Device and method for manufacturing group iii nitride substrate

Номер патента: US20220220634A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for producing a group III compound crystal by hydride vapor phase epitaxy on a seed substrate formed on a group III nitride base substrate

Номер патента: US11932936B2. Автор: Yoshihiro Kubota,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of implanting dopants into a group III-nitride structure and device formed

Номер патента: US11984486B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Group-iii nitride substrate

Номер патента: US20210087707A1. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Yoshio Okayama,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11107691B2. Автор: Hideya Yamadera,Toru Ikeda,Tomohiko Mori,Narumasa Soejima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-08-31.

Group III nitride single crystal substrate and method for production thereof

Номер патента: US12116697B2. Автор: Toru Nagashima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Vertical III-nitride semiconductor device with a vertically formed two dimensional electron gas

Номер патента: US09490357B2. Автор: Karim S. Boutros,Andrea Corrion,Sameh G. Khalil. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Group iii nitride-based radio frequency amplifiers having back side source, gate and/or drain terminals

Номер патента: WO2021202199A1. Автор: Qianli MU,Michael E. Watts,Mario Bokatius,Jangheon Kim,Basim Noori,Kwangmo Chris LIM,Marvin Marbell. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2021-10-07.

Monolithic integration of group III nitride epitaxial layers

Номер патента: US8796736B1. Автор: Keisuke Shinohara,Miroslav Micovic,David F. Brown,Andrea Corrion. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2014-08-05.

Methodology for annealing group III-nitride semiconductor device structures using novel weighted cover systems

Номер патента: US10460955B2. Автор: Michael A. Derenge. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2019-10-29.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240071756A1. Автор: Toshiaki Ono,Koji Matsumoto,Hiroshi Amano,Yoshio Honda. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for treating group III nitride semiconductor

Номер патента: US8563437B2. Автор: Kuei-Ming Chen,Wei-I Lee,Yen-Hsien Yeh,Ying-Chia Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-10-22.

Method for Producing Group III Nitride Semiconductor, Seed Substrate and Group III Nitride Semiconductor Crystal

Номер патента: US20180097142A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180286685A1. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka,Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Ohmic contact structure for group iii nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features

Номер патента: US20170077254A1. Автор: Helmut Hagleitner,Jason Gurganus. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Integrated Circuit Structure of Group III Nitride Semiconductor, Manufacturing Method Thereof, and Use Thereof

Номер патента: US20230044911A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Group III nitride-based radio frequency transistor amplifiers having source, gate and/or drain conductive vias

Номер патента: US11863130B2. Автор: Qianli MU,Michael E. Watts,Mario Bokatius,Jangheon Kim,Basim Noori,Kwangmo Chris LIM,Marvin Marbell. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Group III nitride-based radio frequency amplifiers having back side source, gate and/or drain terminals

Номер патента: US11837559B2. Автор: Qianli MU,Michael E. Watts,Mario Bokatius,Jangheon Kim,Basim Noori,Kwangmo Chris LIM,Marvin Marbell. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Group III nitride-based transistor device having a field plate

Номер патента: US11929405B2. Автор: John Twynam,Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-12.

Group iii nitride-based radio frequency transistor amplifiers having source, gate and/or drain conductive vias

Номер патента: US20240088838A1. Автор: Qianli MU,Michael E. Watts,Mario Bokatius,Jangheon Kim,Basim Noori,Kwangmo Chris LIM,Marvin Marbell. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Group III nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US11810910B2. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of forming group-III nitride crystal, layered structure and epitaxial substrate

Номер патента: US7445672B2. Автор: Tomohiko Shibata. Владелец: Dowa Mining Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Production Method of an Aluminum Based Group III Nitride Single Crystal

Номер патента: US20130319320A1. Автор: Toru Nagashima,Keiichiro Hironaka. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Method for treating group III nitride semiconductor

Номер патента: US20120052691A1. Автор: Kuei-Ming Chen,Wei-I Lee,Yen-Hsien Yeh,Ying-Chia Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-03-01.

Epitaxial structure of n-face group iii nitride, active device, and method for fabricating the same with integration and polarity inversion

Номер патента: US20210013317A1. Автор: Chih-Shu Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for Producing Group III Nitride Semiconductor and Group III Nitride Semiconductor

Номер патента: US20140353804A1. Автор: Hiroshi Amano,Koji Okuno,Naoki Shibata,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for manufacturing aluminum-based group iii nitride single crystal

Номер патента: US20160108554A1. Автор: Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Reiko OKAYAMA,Akinori Koukitsu. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Group-III nitride substrate

Номер патента: US11713517B2. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Yoshio Okayama,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Forming iii nitride alloys

Номер патента: US20200402791A1. Автор: Kaikai LIU,Xiaohang Li. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-12-24.

Epitaxial structure of n-face group iii nitride, active device, and gate protection device thereof

Номер патента: US20210083086A1. Автор: Chih-Shu Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-18.

Group-III nitride substrate

Номер патента: US12049710B2. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Yoshio Okayama,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Planar nonpolar group-III nitride films grown on miscut substrates

Номер патента: US09828695B2. Автор: Makoto Saito,Shuji Nakamura,Hisashi Yamada,Kenji Iso,Asako Hirai,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Zhongyuan Jia. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-11-28.

III-Nitride semiconductors with recess regions and methods of manufacture

Номер патента: US09614069B1. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Group-iii nitride substrate

Номер патента: US20240352623A1. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Yoshio Okayama,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Stacked group iii-nitride transistors for an rf switch and methods of fabrication

Номер патента: WO2018125211A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030222276A1. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Katsunori Nishii. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits having multi-layer metal-insulator-metal capacitors

Номер патента: WO2023172403A1. Автор: Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Dan Namishia. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Group iii-nitride silicon controlled rectifier

Номер патента: US20200203518A1. Автор: Richard Geiger,Stephan Leuschner,Peter Baumgärtner,Harald Gossner,Uwe Hodel,Domagoj Siprak. Владелец: Santa Clara. Дата публикации: 2020-06-25.

Mix doping of a semi-insulating group iii nitride

Номер патента: EP4254506A2. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Group iii-nitride devices with improved rf performance and their methods of fabrication

Номер патента: US20200212211A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Ibrahim Ban. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Mix doping of a semi-insulating group iii nitride

Номер патента: EP4254506A3. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Crystal laminate, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200227262A1. Автор: Takehiro Yoshida,Tomoyoshi Mishima,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Silicide for group iii-nitride devices and methods of fabrication

Номер патента: US20200105880A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Walid Hafez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US12027514B2. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Double heterojunction iii-nitride structures

Номер патента: EP3195365A1. Автор: Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes,Gerhard Sollner,Shahed Reza. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-07-26.

Epitaxial buffer layers for group III-N transistors on silicon substrates

Номер патента: US09583574B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Field-effect transistor, semiconductor device, a method for manufacturing them, and a method of semiconductor crystal growth

Номер патента: US7981744B2. Автор: Koji Hirata,Naoki Shibata,Masanobu Senda,Masayoshi Kosaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-19.

Tunable monolithic group iii-nitride filter banks

Номер патента: US20220085795A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Eduardo M. Chumbes,Jason C. SORIC,Adam E. Peczalski. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-03-17.

Tunable monolithic group III-nitride filter banks

Номер патента: US11848662B2. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Eduardo M. Chumbes,Jason C. SORIC,Adam E. Peczalski. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-12-19.

Tunable monolithic group iii-nitride filter banks

Номер патента: WO2022056138A2. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Eduardo M. Chumbes,Jason C. SORIC,Adam E. Peczalski. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-03-17.

Tunable monolithic group iii-nitride filter banks

Номер патента: EP4211797A2. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Eduardo M. Chumbes,Jason C. SORIC,Adam E. Peczalski. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-07-19.

Method for producing group iii-nitride semiconductor

Номер патента: EP4379775A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Masahiro Miyagi,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-06-05.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Semiconductor device

Номер патента: US10825908B2. Автор: Hironori Aoki. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor device, method for manufacturing the same and power converter

Номер патента: US09905432B2. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing a semiconductor device including a gate electrode on a protruding group III-V material layer

Номер патента: US09666706B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee,Ki-ha Hong,Kyoung-Yeon Kim,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

SYSTEM-ON-CHIP (ONE-CHIP-SYSTEM) WITH POWER MANAGEMENT CIRCUIT AND HIGH FREQUENCY CIRCUIT HAVING A GROUP III-N TRANSISTOR

Номер патента: DE112011105978B4. Автор: Gilbert Dewey,Valluri Rao,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Robert Chau,Marko Radsosavljevic,Jack Kavalieros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Ramo4 substrate and method of manufacture thereof, and group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200181801A1. Автор: Akihiko Ishibashi,Masaki Nobuoka,Kentaro Miyano,Naoya Ryoki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Method for improving Mg doping during group-III nitride MOCVD

Номер патента: US7449404B1. Автор: George T. Wang,J. Randall Creighton. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2008-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4383346A1. Автор: Hui Sun,Zhibin Chen,Yong Hou,Biao Gao. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Schottky diodes on semipolar planes of group III-N material structures

Номер патента: US10672884B2. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

Ferroelectric semiconductor device and method for producing a memory cell

Номер патента: US20210151445A1. Автор: Fabian LOFINK,Bernhard Wagner,Simon Fichtner. Владелец: Christian Albrechts Universitaet Kiel. Дата публикации: 2021-05-20.

Ferroelectric semiconductor device and method for producing a memory cell

Номер патента: US11672127B2. Автор: Fabian LOFINK,Bernhard Wagner,Simon Fichtner. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-06-06.

Group iii compound substrate production method and substrate produced by this production method

Номер патента: US20220267897A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Iii-nitride enhancement mode devices

Номер патента: WO2007006001A9. Автор: Robert Beach. Владелец: Robert Beach. Дата публикации: 2007-03-29.

Integrated semiconductor device

Номер патента: US09793259B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

System including light emitting semiconductors for dissipating power

Номер патента: US20190013751A1. Автор: Brian J. Tillotson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-01-10.

System including light emitting semiconductors for dissipating power

Номер патента: US09979335B1. Автор: Brian J. Tilotson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: EP1841024B1. Автор: Tsutomu Ishikawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-09-10.

Electrodes for light emitting semiconductor devices

Номер патента: GB2333896A. Автор: Jan Jonsson,Vilhelm Oscarsson. Владелец: Mitel Semiconductor AB. Дата публикации: 1999-08-04.

Light emitting semiconductor element and semiconductor device using the same

Номер патента: JPS59193081A. Автор: Masaaki Sawai,沢井　雅明. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-11-01.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS59208886A. Автор: Atsushi Sasayama,Takeo Takahashi,健夫 高橋,Toyohiko Takahashi,佐々山　厚,高橋　豊彦. Владелец: Hitachi Iruma Electronic Co Ltd. Дата публикации: 1984-11-27.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF.

Номер патента: DE3782704T2. Автор: Jun Ichi C O Patent Kinoshita,Motoyasu C O Patent D Morinaga,Hideto C O Patent Div Furuyama,Yuzo C O Patent Divis Hirayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-05-06.

Solid-state laser with light emitting semiconductor devices

Номер патента: DE3943722C2. Автор: Masaki Kuzumoto,Shigenori Yagi,Yutaka Mihashi,Kazuki Kuba,Yoshito Seiwa,Toshitaka Aoyagi,Yasuhito Myoi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-01-18.

GaN base light emitting semiconductor device and preparation method thereof with AlGaN insert layer

Номер патента: CN110401106A. Автор: 张峰,刘建平,杨辉,张立群,张书明,李德尧,池田昌夫. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2019-11-01.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE102017121480A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Bernhard Stojetz,Muhammad Ali. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-03-21.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND OPTOELECTRONIC COMPONENT THEREFROM

Номер патента: US20130223464A1. Автор: Kittler Martin,Arguirov Tzanimir,Reiche Manfred. Владелец: IHP-GmbH- Innovations for High Performance Microelectronics. Дата публикации: 2013-08-29.

SYSTEM INCLUDING LIGHT EMITTING SEMICONDUCTORS FOR DISSIPATING POWER

Номер патента: US20190013751A1. Автор: Tillotson Brian J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

SURFACE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

Номер патента: US20180059344A1. Автор: TANAKA Yoshiyuki,Watanabe Yoshiaki,Narui Hironobu,Yamauchi Yoshinori,Kuromizu Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20200259309A1. Автор: Lell Alfred,König Harald,Ali Muhammad,Stojetz Bernhard. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

SURFACE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

Номер патента: US20150293319A1. Автор: TANAKA Yoshiyuki,Watanabe Yoshiaki,Narui Hironobu,Yamauchi Yoshinori,Kuromizu Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

SURFACE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

Номер патента: US20180341076A1. Автор: TANAKA Yoshiyuki,Watanabe Yoshiaki,Narui Hironobu,Yamauchi Yoshinori,Kuromizu Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Surface light emitting semiconductor laser

Номер патента: JPS5934687A. Автор: Haruhisa Soda,Tomoji Terakado,Kenichi Iga,知二 寺門,晴久 雙田,伊賀　健一. Владелец: Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan. Дата публикации: 1984-02-25.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2450519A1. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-09-26.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2019053053A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Bernhard Stojetz,Muhammad Ali. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-03-21.

Ring resonator type of surface light emitting semiconductor laser, and its manufacture

Номер патента: JPH10303497A. Автор: Yukio Furukawa,幸生 古川. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-11-13.

Surface light emitting semiconductor laser element

Номер патента: US9983375B2. Автор: Yoshinori Yamauchi,Yoshiyuki Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Hironobu Narui,Yuichi Kuromizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Surface light emitting semiconductor laser element

Номер патента: US10025051B2. Автор: Yoshinori Yamauchi,Yoshiyuki Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Hironobu Narui,Yuichi Kuromizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Temperature dependent constant-current generating circuit and light emitting semiconductor element driving circuit using the same

Номер патента: US6037832A. Автор: Katsuji Kaminishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Improvements relating to temperature control arrangements for light emitting semiconductor junction device

Номер патента: GB8820104D0. Автор: . Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1988-09-28.

System including light emitting semiconductors for dissipating power

Номер патента: EP3425787A1. Автор: Brian J. Tillotson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-01-09.

Lamp has lamp base and at least one light-emitting semiconductor element having electrical contacts and connecting parts

Номер патента: DE202006018985U1. Автор: . Владелец: Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH. Дата публикации: 2007-03-29.

Light Emitting Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20240179815A1. Автор: Faquan Liang. Владелец: Nanning Wang Choi Lighting Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Group III Nitride Compound Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20080303017A1. Автор: Masaki Ohya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Group III nitride compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US7737431B2. Автор: Masaki Ohya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130308670A1. Автор: Koji Katayama,Hiroshi Nakajima,Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takatoshi Ikegami,Katsunori Yanashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20130208747A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Takashi Kyono,Kunihiko Tasai,Katsunori Yanashima,Yohei Enya,Noriyuki Futagawa,Tetsuya Kumano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130280837A9. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065336A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US9036671B2. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor device

Номер патента: US9231375B2. Автор: Hiroshi Nakajima,Takashi Kyono,Kunihiko Tasai,Katsunori Yanashima,Yohei Enya,Noriyuki Futagawa,Tetsuya Kumano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065337A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Group III nitride compound semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020150136A1. Автор: ATSUSHI Watanabe,Toshiyuki Tanaka,Hiroyuki Ota,Yoshinori Kimura,Hirokazu Takahashi,Atsuya Ito,Mamoru Miyachi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2002-10-17.

Non-c-plane group iii-nitride-based vcsels with nanoporous distributed bragg reflector mirrors

Номер патента: US20210273412A1. Автор: Daniel F. Feezell,Morteza MONAVARIAN,Saadat M. Mishkat-Ul-Masabih. Владелец: UNM Rainforest Innovations. Дата публикации: 2021-09-02.

Preferred volumetric enlargement of iii-nitride crystals

Номер патента: WO2015054430A1. Автор: Peng Lu,Jason SCHMITT. Владелец: Nitride Solutions, Inc.. Дата публикации: 2015-04-16.

Laminar flow mocvd apparatus for iii-nitride films

Номер патента: US20230070825A1. Автор: Kye Jin Lee. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Laminar flow MOCVD apparatus for III-nitride films

Номер патента: US11827977B2. Автор: Kye Jin Lee. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Light-emitting semiconductor components function monitoring method for e.g. light signals at level crossings, involves detecting change of power input for recognition of failure of semiconductor components

Номер патента: DE102006056147A1. Автор: Christoph Dr. Roth,Rudolf Schierjott. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2008-06-05.

Solid state lighting system and a driver integrated circuit for driving light emitting semiconductor devices

Номер патента: EP2177081B1. Автор: Gian Hoogzaad,Franciscus A. C. M. Schoofs. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-06-12.

Method and device for color locus control of a light emitted by a light-emitting semiconductor component

Номер патента: DE102011114192A8. Автор: Dirk Berben. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-06-06.

Light Source Driving Circuit of Light Emitting Semiconductor and Backlight Module

Номер патента: US20150294615A1. Автор: Zhang Hua,Zhang Xianming. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE102012206101A1. Автор: Kilian Regau,Christoph Gaerditz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-10-17.

STROBE APPARATUS HAVING LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR MODULE DRIVEN BY TWO-STEPPED DRIVE CURRENT

Номер патента: US20190261479A1. Автор: SEKIDO Keizo. Владелец: STANLEY ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-08-22.

Method and apparatus for setting operating current of light emitting semiconductor element

Номер патента: TW200841768A. Автор: Shun Kei Mars Leung,Chin Tung Derek Lau,Chong Yiu Dennis Lui. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-10-16.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2013153202A1. Автор: Kilian Regau,Christoph Gärditz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-10-17.

System and device for reception of color television and three-dimensional color television using light emitting semiconductor screen

Номер патента: JPS55132189A. Автор: Kiyoshi Nagata. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-10-14.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Near-infrared light-emitting semiconductor single-layer carbon nanotube

Номер патента: US20170335185A1. Автор: Jaeho Kim,Hajime Sakakita,Toshiya Okazaki,Yoko IIZUMI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-23.

DEVICE FOR A LIGHT SOURCE OF A PRINTING MACHINE WITH A PLURALITY OF LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENTS OF A FIRST TYPE AND AT LEAST ONE LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT OF A FURTHER TYPE ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20200385590A1. Автор: Stahl Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Light for use in activating light-activated materials, the light having a plurality of light emitting semiconductor chips emitting light of differing peak wavelengths to provide a wide light spectrum profile

Номер патента: US20020190659A1. Автор: Densen Cao. Владелец: Cao Group Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Handle for e.g. rear door of motor car, has transparent converter cover located at distance from monochromatic light emitting semiconductor crystal and converting light emitted by crystal into to longer wavelength white wideband light

Номер патента: DE102010016522A1. Автор: wird später genannt werden Erfinder. Владелец: Huf Huelsbeck and Fuerst GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-10-20.

LIGHT SOURCE HAVING AT LEAST ONE FIRST LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT, A FIRST CARRIER ELEMENT AND A DISTRIBUTING ELEMENT

Номер патента: US20220072871A1. Автор: Meyer Stefan,Stahl Andreas,Grade Jochen,PEIFER Nico,DESGRONTE Janek. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

METHOD FOR PREPARING A NANOSIZED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20200079996A1. Автор: NEYSHTADT Shany,DAVIDI Inbal,GRUMBACH Nathan. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2020-03-12.

NEAR-INFRARED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR SINGLE-LAYER CARBON NANOTUBE

Номер патента: US20170335185A1. Автор: Kim Jaeho,Sakakita Hajime,OKAZAKI Toshiya,IIZUMI Yoko. Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for preparing a nanosized light emitting semiconductor material

Номер патента: TW201839091A. Автор: 珊妮 內施塔特,納坦 克朗巴,印巴 達衛迪. Владелец: 德商馬克專利公司. Дата публикации: 2018-11-01.

WHITE THERMOSETTING SILICONE RESIN COMPOSITION FOR A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND A CASE FOR INSTALLING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20150353733A1. Автор: TSUTSUMI Yoshihiro,TOMITA Tadashi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2015-12-10.

Optical filter and optical device using same

Номер патента: US4790614A. Автор: Minoru Maeda,Katsuyuki Imoto,Hirohisa Sano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-12-13.

Light reflection defect detection apparatus and method using pulsed light-emitting semiconductor devices of different wavelengths

Номер патента: US5000569A. Автор: Steven L. Nylund. Владелец: Lamb Weston Inc. Дата публикации: 1991-03-19.

FLEXIBLE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A THREE DIMENSIONAL STRUCTURE

Номер патента: US20140321126A1. Автор: Palaniswamy Ravi,Jesudoss Arokiaraj,Mooney Justine A.,Narag Alejandro Aldrin II Agcaoili. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

APPARATUS AND METHOD FOR PROFILING A BEAM OF A LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160313180A1. Автор: Brennan Vincent,Percival Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS5619684A. Автор: Katsutoshi Soejima. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-02-24.

Assembling method of light emitting semiconductor device with optical fiber

Номер патента: JPS55166973A. Автор: Makoto Sakamoto,Kazuo Hatori,Yoichi Yasuda,Masahiro Ichiki,Atsushi Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-12-26.

Hazard detector with a projection unit based on a light emitting semiconductor for projecting user information away from the hazard detector

Номер патента: DE202014002931U1. Автор: . Владелец: SIEMENS SCHWEIZ AG. Дата публикации: 2014-05-06.

High brightness yellow-orange phosphor powder for using in warm white light emitting semiconductor

Номер патента: TW200925248A. Автор: Soshchin Naum,qi-rui Cai,wei-hong Luo. Владелец: wei-hong Luo. Дата публикации: 2009-06-16.

Method for producing group iii nitride crystal, and apparatus for producing the same

Номер патента: US20160090304A1. Автор: Yusuke Mori,Yoshio Okayama,Tomio Yamashita,Mamoru Imade,Ryo Kuwabara. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-31.

Group-III nitride semiconductor nanoparticles and production method thereof

Номер патента: US11767469B2. Автор: Takayuki Omori,Atsushi Muramatsu,Yasuyuki Miyake,Kiyoshi Kanie,Wataru Tamura,Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for growing high quality group-III nitride thin film by metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20020192373A1. Автор: Ok-Hyun Nam,Cheol-soo Sone,Hyeong-soo Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200299857A1. Автор: Takayuki Sato,Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20230257902A1. Автор: Takayuki Sato,Miki Moriyama,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Seed selection and growth methods for reduced-crack group III nitride bulk crystals

Номер патента: US09909230B2. Автор: Tadao Hashimoto,Edward Letts,Daryl Key. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

III-nitride single-crystal ingot, III-nitride single-crystal substrate, method of manufacturing III-nitride single-crystal ingot, and method of manufacturing III-nitride single-crystal substrate

Номер патента: US8845992B2. Автор: Takuji Okahisa,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-09-30.

Method for manufacturing a group III-nitride crystal comprising supplying a group III-element oxide gas and a nitrogen element-containng gas at a supersation ratio of greater than 1 and equal to or less than 5

Номер патента: US11753739B2. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Group-iii nitride substrate and method of manufacturing group-iii nitride crystal

Номер патента: US20200017993A1. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Yoshio Okayama,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2020-01-16.

Apparatus for manufacturing Group III nitride semiconductor and method for manufacturing Group III nitride semiconductor

Номер патента: US20080295763A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Process for the preparation of a group III nitride semipolar crystal, substrate, free-standing semipolar substrate and use of the substrates

Номер патента: DE102010011895B4. Автор: Stephan SCHWAIGER,Ferdinand Scholz,Thomas Wunderer,Frank LIPSKI,Ilona ARGUT,Rudolph Rösch. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2013-07-25.

Device and method for producing group iii nitride crystal

Номер патента: US20240271323A1. Автор: Masayuki Hoteida,Shunichi Matsuno,Junichi TAKINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of growing group III nitride crystals

Номер патента: US8449672B2. Автор: Boris N. Feigelson,Richard L. Henry. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2013-05-28.

Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device

Номер патента: US7221037B2. Автор: Yasuo Kitaoka,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Hisashi Minemoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Method for producing group III nitride single crystal

Номер патента: US9234299B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

Manufacturing apparatus for a group-III nitride crystal comprising a raw material chamber and a nurturing chamber in which a group III-element oxide gas and a nitrogen element-containing gas react to produce a group-III nitride crystal on a seed substrate

Номер патента: US11879184B2. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Masayuki Imanishi,Masayuki Hoteida,Shunichi Matsuno,Junichi TAKINO,Shigeyoshi USAMI. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Group III nitride semiconductor manufacturing system

Номер патента: US20090106959A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Group iii nitride crystal manufacturing apparatus and manufacturing method

Номер патента: US20220341056A1. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Akira Kitamoto,Masayuki Imanishi,Masayuki Hoteida,Shunichi Matsuno,Junichi TAKINO,Shigeyoshi USAMI. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Manufacturing method for a group-III nitride crystal that requires a flow amount of a carrier gas supplied into a raw material chamber at a temperature increase step satisfies two relational equations (I) and (II)

Номер патента: US11859311B2. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Masayuki Imanishi,Shunichi Matsuno,Junichi TAKINO,Shigeyoshi USAMI. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Group III nitride crystal substrate having a diameter of 4 inches or more and a curved c-plane with a radius of curvature of 15 m or more

Номер патента: US11718927B2. Автор: Takashi Sato,Takehiro Yoshida,Masatomo Shibata,Akishige Murakami,Seiji Sarayama,Naoya Miyoshi. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for producing group iii nitride crystal, and ramo4-containing substrate

Номер патента: US20170260648A1. Автор: Yoshio Okayama,Masaki Nobuoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use

Номер патента: US12091771B2. Автор: Mark P. D'Evelyn,Drew W. CARDWELL. Владелец: SLT Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and apparatus for producing group iii nitride based compound semiconductor

Номер патента: WO2007117032A1. Автор: Shiro Yamazaki,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Makoto Iwai,Takatomo Sasaki,Takanao Shimodaira. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2007-10-18.

Apparatus for Producing Group III Nitride Based Compound Semiconductor

Номер патента: US20090169444A1. Автор: Shiro Yamazaki,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Makoto Iwai,Takatomo Sasaki,Takanao Shimodaira. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Preferred volumetric enlargement of iii-nitride crystals

Номер патента: EP3055889A1. Автор: Peng Lu,Jason SCHMITT. Владелец: NITRIDE SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2016-08-17.

Light-emitting semiconductor target diode

Номер патента: RU2031485C1. Автор: Михаил Александрович Васильев. Владелец: Михаил Александрович Васильев. Дата публикации: 1995-03-20.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE USING GROUP III NITROGEN COMPOUND

Номер патента: US20120217510A1. Автор: Yamazaki Shiro,Shibata Naoki,KOIKE Masayoshi,Kato Hisaki,Asai Makoto,Manabe Katsuhide,Sassa Michinari. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-30.

Light Resistant Primer Composition, Method of Producing Light Emitting Semiconductor Device using the Primer Composition, and Light Emitting Semiconductor Device obtained using the Method

Номер патента: KR101295493B1. Автор: 쯔또무 가시와기,긴야 고다마,가즈야 아리마,가쯔유끼 이마자와. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2013-08-09.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: USD531140S1. Автор: Kuniaki Konno,Hiroaki Oshio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

RED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD OF RED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120077299A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

Light-resistant primer composition, method for producing light-emitting semiconductor apparatus using the primer composition and light-emitting semiconductor apparatus obtained by the method

Номер патента: TW200806765A. Автор: Tsutomu Kashiwagi,Katsuyuki Imazawa,Kinya Kodama,Kazuya Arima. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2008-02-01.

Method for the Producing of a Light-Emitting Semiconductor Chip, Method for the Production of a Conversion Die and Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20120273807A1. Автор: Von Malm Norwin,Raukas Madis,Kundaliya Darshan. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTION OF LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES USING PHOTOLUMINESCENCE IMAGING

Номер патента: US20130027543A1. Автор: Boeykens Steven,Marivoet Tom. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-31.

Monolithic seven-segment light-emitting semiconductor chip

Номер патента: CA33912S. Автор: . Владелец: Solutia Inc. Дата публикации: 1971-05-17.

Bonding structure of light-emitting semiconductor and its method

Номер патента: TWI239109B. Автор: Shyi-Ming Pan,Fen-Ren Chien. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Bonding structure of light-emitting semiconductor and its method

Номер патента: TW200608592A. Автор: Shyi-Ming Pan,Fen-Ren Chien. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-03-01.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE

Номер патента: US20130048945A1. Автор: YANG CHIH-HAO,Chen Jun-Rong,Kuo Chi-Wen,Fang Kuo-Lung. Владелец: LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-28.

A kind of light emitting semiconductor device that can improve light efficiency

Номер патента: CN204596827U. Автор: 梅劲,王冬雷,金振模. Владелец: Yangzhou Dehao Runda Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-26.

Method for manufacturing of semiconductor device

Номер патента: RU2368031C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Юрий Владимирович Колковский,Виктор Григорьевич Ральченко,Виталий Иванович Конов,Владимир Алексеевич Сидоров,Александр Андреевич Арендаренко,Валентин Николаевич Данилин,Андрей Георгиевич Васильев,Татьяна Александровна Жукова. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-09-20.

Display device using light-emitting semiconductor elements

Номер патента: CA1003937A. Автор: Hiroshi Fujita,Hiroshi Katsumura,Kei Kaneda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-01-18.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE, MOUNTED SUBSTRATE, AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120007119A1. Автор: Kashiwagi Tsutomu,SHIOBARA Toshio. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-12.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120049231A1. Автор: Chao Tzu-Hao. Владелец: EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120085989A1. Автор: . Владелец: HUGA OPTOTECH INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING

Номер патента: US20120104413A1. Автор: Bougrov Vladislav E.,Odnoblyudov Maxim A.,Mulot Mikael. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

WHITE LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120112626A1. Автор: Kagawa Kazuhiko,SAKUTA Hiroaki,SATOU Yoshihito,Hiraoka Shin,Okagawa Hiroaki. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-10.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120168816A1. Автор: Sweeney Stephen John. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2012-07-05.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120181564A1. Автор: Chao Tzu-Hao. Владелец: EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US20120217469A1. Автор: Kuo Hao-Chung,WANG Chao-Hsun,Ll Zhen-Yu. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-08-30.

SOLID STATE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130112998A1. Автор: Chen Cheng-Hung,Hsia Der-Lin,HOU CHIA-HUNG. Владелец: Lextar Electronics Corproation. Дата публикации: 2013-05-09.

PATTERNED SUBSTRATE OF LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130207143A1. Автор: Chen Jun-Rong,Chou Hsiu-Mei. Владелец: LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-15.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPH1022577A. Автор: Hirohiko Kobayashi,Takayuki Yamamoto,宏彦 小林,剛之 山本,Shoichi Ogita,省一 荻田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-01-23.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS5420684A. Автор: Ganzo Iwane,Koichi Wakita,Hideho Saito. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1979-02-16.

Light emitting semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: CN104733579B. Автор: 陈刚毅,梅劲,王冬雷. Владелец: Yangzhou Dehao Runda Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Highly transparent silicone composition and light-emitting semiconductor device sealed with the composition

Номер патента: JP5601481B2. Автор: 紀夫 坪川,利夫 塩原,努 柏木. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-08.

Manufacture of light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS6453488A. Автор: HIROSHI Matsubara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-03-01.

Lateral current-injection type surface light-emitting semiconductor laser device, its manufacture, and semiconductor laser array

Номер патента: JPH10209565A. Автор: Nobuaki Ueki,伸明 植木. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-07.

A kind of light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104158086B. Автор: 黄晓东,李林松,傅力,王定理,曹明德. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-28.

Epoxy resin composition and light-emitting semiconductor device coated with same

Номер патента: KR101156581B1. Автор: 서창근,이상묵,서민경. Владелец: 대주전자재료 주식회사. Дата публикации: 2012-06-20.

Buffer layer for light emitting semiconductor device

Номер патента: CN1333471C. Автор: 李志翔,黄登凯. Владелец: GUANGJIA PHOTOELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2007-08-22.

Production of light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS52141188A. Автор: Takeshi Kobayashi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1977-11-25.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: TWI258228B. Автор: Stephen Lee,Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane,Ruslan Ivanovich Gorbunov. Владелец: Arima Computer Corp. Дата публикации: 2006-07-11.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: USD515519S1. Автор: Hidenori Egoshi,Hiroaki Oshio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-02-21.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: TW200633250A. Автор: Stephen Lee,Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane,Ruslan Ivanovich Gorbunov. Владелец: Arima Computer Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

Blue Light Emitting Semiconductor Nanocrystal Materials

Номер патента: US20120061644A1. Автор: Bawendi Moungi G.,Bulovic Vladimir,ZIMMER John P.,Coe-Sullivan Seth,Steckel Jonthan S.,Stott Nathan E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20120248473A1. Автор: Kuo Wu-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

High speed light emitting semiconductor methods and devices

Номер патента: US20120249009A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20120298964A1. Автор: Peter Matthias,Meyer Tobias,Taki Tetsuya,Walter Alexander,Hertkorn Joachim,Off Juergen,Butendeich Rainer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-11-29.

SOLID STATE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND EPITAXY GROWTH METHOD THEREOF

Номер патента: US20130048941A1. Автор: Yu Chang-Chin,Lin Mong-Ea. Владелец: LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-28.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130314931A1. Автор: LIAO Wen-Chia,Lin Li-Fan,Shiue Ching-Chuan,Chen Shih-Peng. Владелец: DELTA ELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR PACKAGES AND RELATED METHODS

Номер патента: US20140117388A1. Автор: KUO YEN-TING,Hu Ping-Cheng,Tsai Yu-Fang. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Blend of organic light emitting semiconductor with elastomer and nanofibers and films made thereof

Номер патента: TWI637036B. Автор: 陳文章,謝蕙璟,郭霽慶. Владелец: 國立台灣大學. Дата публикации: 2018-10-01.

Light-emitting semiconductor-component with a protection-diode

Номер патента: TWI252596B. Автор: Peter Brick,Tony Albrecht,Marc Philippens,Glenn-Yves Plaine. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2006-04-01.

Light-emitting semiconductor module

Номер патента: RU2321103C1. Автор: Елена Дмитриевна Васильева,Александр Александрович Богданов,Мария Валерьевна Нахимович,Игорь Аркадьевич Бельник,Денис Анатольевич Ожигин,Анатолий Валерьевич Феопёнтов,Елена Дмитриевна Васильева (RU),Игорь Аркадьевич Бельник (RU),Анатолий Валерьевич Феопёнтов (RU),Денис Анатольевич Ожигин (RU),Александр Александрович Богданов (RU),Мари Валерьевна Нахимович (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника". Дата публикации: 2008-03-27.

Surface light emitting semiconductor laser

Номер патента: JPH10242560A. Автор: Takeo Kaneko,Takeo Kawase,健夫 川瀬,丈夫 金子. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1998-09-11.

Light-emitting semiconductor chip support with holes

Номер патента: CN102306696A. Автор: 李光. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-04.

Method for fabricating monolithic light emitting semiconductor diodes and arrays thereof

Номер патента: AU452686B2. Автор: . Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1972-01-27.

Method for fabricating monolithic light-emitting semiconductor diodes and arrays thereof

Номер патента: CA911067A. Автор: G. Schmidt John,Lim Enghua. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1972-09-26.

Method for fabricating monolithic light emitting semiconductor diodes and arrays thereof

Номер патента: AU1802570A. Автор: Eugena Lim John George Schmidt. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1972-01-27.

Method for fabricating monolithic light emitting semiconductor diodes and arrays thereof

Номер патента: AU1802270A. Автор: . Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1972-01-27.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PULSED GROWTH OF CATALYST-FREE GROWTH OF GaN NANOWIRES AND APPLICATION IN GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR BULK MATERIAL

Номер патента: US20120001153A1. Автор: . Владелец: STC. UNM. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of processing monocrystalline epitaxial layers of group iii nitrides

Номер патента: RU2354000C2. Автор: Владимир Михайлович Бойко,Николай Георгиевич Колин,Денис Игоревич Меркурисов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова". Дата публикации: 2009-04-27.

Group iii nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlayer structure

Номер патента: CA2493503C. Автор: John Adam Edmond,Hua-Shuang Kong,Kathleen Marie Doverspike,Michelle Turner Leonard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-11-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.