• Главная
  • Integrated complementary MOS transistor logic circuit - has four pairs of MOS transistors connected to provide three stable states of circuit

Integrated complementary MOS transistor logic circuit - has four pairs of MOS transistors connected to provide three stable states of circuit

Реферат: The three stable states logic circuit has an activation input and an output which can either have a high or low impedance, the output impedance depending upon the state of the activation input. The logic circuit has a pair of first complementary transistors connected in series between earth and a positive supply voltage. The gate and the source of each of the first transistors are connected via two transistors of the same type. The gate of the first transistor is connected to a control input via third transistor of the same type as the first. The gates of one of the second transistors and one of the third transistors are connected directly to the activation input. The gates of the other second transistor and the other third transistor is connected to the activation input via an invertor circuit. the inverter circuit is such that the state of the activation input permits setting of the output of the high impedance device whatever the logic state of the control input.

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Three-state complementary MOS integrated circuit

Номер патента: US4804867A. Автор: Yukio Miyazaki,Takenori Okitaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-02-14.

Current limiting MOS transistor driver circuit

Номер патента: US4347447A. Автор: Robert J. Proebsting. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1982-08-31.

Output stage for a logic circuit

Номер патента: GB2158311A. Автор: Richard David Simpson. Владелец: Texas Instruments Ltd. Дата публикации: 1985-11-06.

Logic circuit

Номер патента: CA1047128A. Автор: Richard J. Hollingsworth. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-01-23.

Logic circuit

Номер патента: US3953743A. Автор: Richard James Hollingsworth. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1976-04-27.

BiCMOS logic circuit with bipolar base clamping

Номер патента: US5670893A. Автор: Hitoshi Okamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-09-23.

Semiconductor logic circuits with diodes and amplitude limiter

Номер патента: US5365123A. Автор: Hiroshi Makino,Kimio Ueda,Yasunobu Nakase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-11-15.

Logic circuits utilizing a composite junction transistor-MOSFET device

Номер патента: US4829200A. Автор: Joel F. Downey. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1989-05-09.

High integrated Bi-CMOS logic circuit

Номер патента: US4965470A. Автор: Yunseung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-10-23.

Logical circuit for generating an output having three voltage levels

Номер патента: GB1494007A. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-12-07.

Complementary mosfet logic circuit

Номер патента: CA1188755A. Автор: Kenji Matsuo,Yasoji Suzuki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-06-11.

High speed complementary field effect transistor logic circuits

Номер патента: AU5523690A. Автор: Albert W. Vinal. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-11-16.

Logic circuit

Номер патента: US6084435A. Автор: Kouzou Ichimaru. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Bi-CMOS logic circuit

Номер патента: US4977337A. Автор: Shigeki Ohbayashi,Katsushi Asahina. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-12-11.

Complementary MOSFET logic circuit

Номер патента: US4558234A. Автор: Kenji Matsuo,Yasoji Suzuki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-12-10.

Bi-CMOS logic circuit

Номер патента: US4740718A. Автор: Masataka Matsui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-04-26.

Low Power Logic Circuit

Номер патента: US20200007130A1. Автор: Kris Myny. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-01-02.

Complementary logic input parallel (clip) logic circuit family

Номер патента: CA2101559A1. Автор: Albert W. Vinal. Владелец: Hsm Portfolio Llc. Дата публикации: 1992-08-01.

Logic circuit and method of logic circuit design

Номер патента: US20100194439A1. Автор: Alexander Fish,Israel A. Wagner,Arkadiy Morgenshtein. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Current mode logic circuit

Номер патента: US20230143218A1. Автор: Jae Duk HAN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-05-11.

Current mode logic circuit, source follower circuit, and flip flop circuit

Номер патента: US6104214A. Автор: Kimio Ueda,Yoshiki Wada,Yuuichi Hirano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Balanced CMOS logic circuits

Номер патента: US4620117A. Автор: Sheng Fang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1986-10-28.

Logic circuit

Номер патента: CA1246161A. Автор: Katsuhiko Suyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-12-06.

Ratioless logic circuit

Номер патента: GB2069785A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1981-08-26.

Dynamic logic circuits operating in a differential mode for array processing

Номер патента: US4367420A. Автор: Richard C. Foss,Philip M. Thompson. Владелец: THOMPSON FOSS Inc. Дата публикации: 1983-01-04.

Schottky diode-diode field effect transistor logic

Номер патента: US4405870A. Автор: Richard C. Eden. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1983-09-20.

Complementary Schottky transistor logic circuit

Номер патента: US4433258A. Автор: Yutaka Okada,Kenji Kaneko,Minoru Nagata,Takahiro Okabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-02-21.

MISFET (Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor) logical circuit having depletion type load transistor

Номер патента: US3965369A. Автор: Yoshikazu Hatsukano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1976-06-22.

Enhanced schottky diode field effect transistor logic circuits

Номер патента: CA1245304A. Автор: Tho T. Vu. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1988-11-22.

Logic circuit

Номер патента: US5021686A. Автор: Hiroki Yamashita,Hiroyuki Itoh,Kazuhiro Yoshihara,Hirotoshi Tanaka,Atsumi Kawata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-06-04.

Logic circuit controlled by a plurality of clock signals

Номер патента: US5670899A. Автор: Takayuki Kohdaka. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1997-09-23.

Methodology for improving noise immunity on logic circuits

Номер патента: US20020175711A1. Автор: Jason Gunderson. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-11-28.

Decoupled reset dynamic logic circuit

Номер патента: US6133759A. Автор: Robert Paul Masleid,John Andrew Beck,Thomas Robert Toms. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Integrated high-speed bipolar logic circuit method

Номер патента: US5530381A. Автор: Shigeru Nakagawa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-06-25.

Programmable logic circuit and nonvolatile FPGA

Номер патента: US09438243B2. Автор: Shinichi Yasuda,Mari Matsumoto,Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Clocked IGFET logic circuit

Номер патента: US4330722A. Автор: George P. Sampson, III. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-05-18.

CIRCUIT ARRANGEMENT WITH A CHARGE PUMP FOR DRIVING N-CHANNEL MOS TRANSISTORS

Номер патента: DE3629383A1. Автор: Domenico Rossi,Claudio Diazzi,Carlo Cini. Владелец: SGS Microelettronica SpA. Дата публикации: 1987-03-12.

Semiconductor integrated circuit device having transistor logic and load circuits

Номер патента: US6331796B1. Автор: Tadahiro Kuroda,Mototsugu Hamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-12-18.

Compact layout of a plurality of field effect transistor logic cells

Номер патента: WO2022144781A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Lior Dagan. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor integrated circuit having a MOS transistor with a threshold level to enable a level conversion

Номер патента: US4977339A. Автор: Akira Denda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-12-11.

Semiconductor integrated circuit and logic circuit

Номер патента: US20170323887A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor integrated circuit and logic circuit

Номер патента: US20190237465A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor integrated circuit and logic circuit

Номер патента: US20180277537A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor integrated circuit and logic circuit

Номер патента: US09748237B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Output buffer circuit avoiding electrostatic breakdown

Номер патента: US4775809A. Автор: Kazuo Watanabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1988-10-04.

Level shifters and high voltage logic circuits

Номер патента: EP2457323A2. Автор: Marco Cassia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-05-30.

Level shifters and high voltage logic circuits

Номер патента: WO2011011639A3. Автор: Marco Cassia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-31.

Conditional sum adder using pass-transistor logic and integrated circuit having the same

Номер патента: US6012079A. Автор: Min-Kyu Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-04.

Logic circuit

Номер патента: GB1248229A. Автор: . Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1971-09-29.

A transistor logic circuit element

Номер патента: GB962680A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1964-07-01.

Transistor coupled logic circuit

Номер патента: GB1525499A. Автор: . Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1978-09-20.

D.c. testable ttl logic circuit

Номер патента: CA1089032A. Автор: Dennis C. Reedy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-11-04.

Reverse current throttling of a mos transistor

Номер патента: EP1050106A1. Автор: Richard Edward Boucher. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2000-11-08.

Logic circuit

Номер патента: US20020039035A1. Автор: Yuji Gendai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-04-04.

Logic circuit

Номер патента: US6492842B2. Автор: Yuji Gendai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-10.

Logic circuit and semiconductor device using it

Номер патента: US5811991A. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-09-22.

Level shifters and high voltage logic circuits

Номер патента: WO2011011639A2. Автор: Marco Cassia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-01-27.

Transistor-transistor logic input buffer circuit with power supply/temperature effects compensation circuit

Номер патента: US4380707A. Автор: Richard D. Crisp. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1983-04-19.

Electronic devices employing adiabatic logic circuits with wireless charging

Номер патента: US20180041210A1. Автор: YU PU,Giby Samson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Current mode logic circuit for high speed input/output applications

Номер патента: US09419593B2. Автор: Kevin Yi Cheng Chang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-16.

Electric logic circuit arrangements

Номер патента: GB1308321A. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1973-02-21.

Ternary logic circuits

Номер патента: GB1367205A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-09-18.

Improvements in and relating to logic circuits

Номер патента: GB1071212A. Автор: . Владелец: Materiel Electrique SW SA. Дата публикации: 1967-06-07.

Dual fault-masking redundancy logic circuits

Номер патента: US4719629A. Автор: Wen-Yuan Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-01-12.

Emitter coupled logic circuit having rapid output voltage

Номер патента: US4970416A. Автор: Yukio Tamegaya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-11-13.

Control logic circuit

Номер патента: US3557383A. Автор: Francis T Thompson,Andre Wavre,Tibor D Rubner. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1971-01-19.

Logic circuit controlled by a plurality of clock signals

Номер патента: US6046607A. Автор: Takayuki Kohdaka. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Three-state logic circuit for wire-oring to a data bus

Номер патента: WO1988000414A1. Автор: Laszlo Volgyesi Gal. Владелец: UNISYS CORPORATION. Дата публикации: 1988-01-14.

Logic circuit and semiconductor device

Номер патента: US09444459B2. Автор: Yusuke Sekine. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Transistor logic circuits

Номер патента: US3694666A. Автор: Bruce Edwin Briley. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1972-09-26.

Methodology and apparatus for reduction of soft errors in logic circuits

Номер патента: US7944230B1. Автор: NAGARAJAN Ranganathan,Koustav Bhattacharya. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2011-05-17.

Integrated high-speed bipolar logic circuit

Номер патента: US5402016A. Автор: Shigeru Nakagawa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-03-28.

Logic circuit

Номер патента: US4249091A. Автор: Akira Yamagiwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-02-03.

Emitter-emitter coupled logic circuit device

Номер патента: US3723761A. Автор: A Masaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1973-03-27.

Logic circuit cell constituting an integrated circuit and cell library having a collection of logic circuit cells

Номер патента: US20020030513A1. Автор: Yoshiaki Toyoshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Logic circuit

Номер патента: AU4425185A. Автор: Norio Shoji,Masashi Takeda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1986-01-02.

Differential logic circuit, frequency divider, and frequency synthesizer

Номер патента: US20110181320A1. Автор: Jianqin Wang. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Transistor logic arrangements

Номер патента: US3576445A. Автор: Nissin Habib. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-04-27.

Logic circuit digital tachometer counter

Номер патента: GB1452077A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-10-06.

Differential logic circuit, frequency divider, and frequency synthesizer

Номер патента: US20120169372A1. Автор: Jianqin Wang. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Series-gated emitter-coupled logic circuit providing closely spaced output voltages

Номер патента: US5508642A. Автор: Loren W. Yee. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Logic circuit

Номер патента: US20080094260A1. Автор: Masahiko Motoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-24.

Tunnel diode logic circuits

Номер патента: GB996980A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1965-06-30.

Dynamic differential logic circuits

Номер патента: CA1168759A. Автор: Richard C. Foss,Philip M. Thompson. Владелец: THOMPSON FOSS Inc. Дата публикации: 1984-06-05.

Semiconductor apparatus and method of controlling mos transistor

Номер патента: US20170155392A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Logic circuit building block and systems constructed from same

Номер патента: US4438350A. Автор: Joseph J. Shepter. Владелец: Scientific Circuitry Inc. Дата публикации: 1984-03-20.

Semiconductor device and a logical circuit formed of the same

Номер патента: US4143390A. Автор: Hideo Noguchi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-03-06.

Logic circuit building block and systems constructed from same

Номер патента: US4517474A. Автор: Joseph J. Shepter. Владелец: Scientific Circuitry Inc. Дата публикации: 1985-05-14.

Complementary MOS logic circuit

Номер патента: US4069426A. Автор: Masataka Hirasawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-01-17.

Electrical circuit with two stable states

Номер патента: GB845905A. Автор: Theodore Hertz Bonn. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1960-08-24.

Programmable logic circuit

Номер патента: GB1430151A. Автор: . Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1976-03-31.

Integrated logic circuit with functionally flexible input/output macrocells

Номер патента: US5231312A. Автор: Geoffrey S. Gongwer,Keith H. Gudger,Joe Yu,Jinglun Tam,Steven A. Sharp. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 1993-07-27.

Subthreshold ratioed logic circuit and chip

Номер патента: US20220103177A1. Автор: Weiwei Shi. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-31.

Subthreshold ratioed logic circuit and chip

Номер патента: US11374573B2. Автор: Weiwei Shi. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-28.

Logic circuit emulator and control method therefor

Номер патента: US09639639B2. Автор: Noriaki Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Electronically alterable non-latching josephson and, or, nand, nor logic circuit

Номер патента: CA1078466A. Автор: Hans H. Zappe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-05-27.

Reconfigurable logic circuit

Номер патента: US20200366294A1. Автор: Edoardo Charbon,Francesco REGAZZONI,Nele MENTENS. Владелец: Università della Svizzera italiana. Дата публикации: 2020-11-19.

Reconfigurable logic circuit

Номер патента: EP3714545A1. Автор: Edoardo Charbon,Francesco REGAZZONI,Nele MENTENS. Владелец: Universita' Della Svizzera Italiana. Дата публикации: 2020-09-30.

Determination of values indicative of multiple passive components connected to a device pin

Номер патента: US20240223082A1. Автор: Lei Chen,Bing Liu,Weibing Jing. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Determination of values indicative of multiple passive components connected to a device pin

Номер патента: WO2024147989A1. Автор: Lei Chen,Bing Liu,Weibing Jing. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-11.

Reconfigurable logic circuit device

Номер патента: US09543957B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated programmable logic circuits

Номер патента: GB1528187A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-10-11.

Powering scheme for josephson logic circuits which eliminates disturb signals

Номер патента: CA1078464A. Автор: Dennis J. Herrell,Frank F. Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-05-27.

Superconducting Logic Circuits

Номер патента: US20220014203A1. Автор: Faraz Najafi. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Powering scheme for josephson logic circuits which eliminates disturb signals

Номер патента: US4012646A. Автор: Frank Fu Fang,Dennis James Herrell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-03-15.

Programmable Array logic Circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: US20030222675A1. Автор: Richard Lienau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

A programmable array logic circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: WO2001054133A9. Автор: Richard M Lienau. Владелец: Richard M Lienau. Дата публикации: 2002-10-17.

Superconducting logic circuits

Номер патента: US12095462B2. Автор: Faraz Najafi. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Determining Sums Using Logic Circuits

Номер патента: US20210099174A1. Автор: Paul James Metzgen. Владелец: Superfastfpga Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Programmable logic circuit and nonvolatile FPGA

Номер патента: US09425801B2. Автор: Shinichi Yasuda,Mari Matsumoto,Kosuke Tatsumura,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Optically reconfigurable logic circuit

Номер патента: US20090296178A1. Автор: Fuminori Kobayashi,Minoru Watanabe. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2009-12-03.

Optically reconfigurable logic circuit

Номер патента: US7876483B2. Автор: Fuminori Kobayashi,Minoru Watanabe. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2011-01-25.

Superconducting Logic Circuits

Номер патента: US20200304126A1. Автор: Faraz Najafi. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Superconducting cell array logic circuit system

Номер патента: US09595970B1. Автор: William Robert Reohr,Robert J Voigt. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Logic circuit for bistable D-dynamic flip-flops

Номер патента: US4057741A. Автор: Christian Piguet. Владелец: LASAG AG. Дата публикации: 1977-11-08.

Nonvolatile logic circuit

Номер патента: US11790966B2. Автор: Tetsuo Endoh,Takahiro Hanyu,Masanori Natsui. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-10-17.

Power MOS transistor die with temperature sensing function and integrated circuit

Номер патента: US09666505B1. Автор: Sheng-An Ko. Владелец: Upl Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Logical circuit, flip-flop circuit and storage circuit with multivalued logic

Номер патента: US6218713B1. Автор: Shigetoshi Wakayama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-04-17.

Logic circuit

Номер патента: US7535261B2. Автор: Hiroki Yamashita,Fumio Yuuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-05-19.

Integrated device having mos transistors which enable positive and negative voltages swings

Номер патента: CA2125052C. Автор: Steven A. Buhler,Mohamad M. Mojaradi,Tuan Vo,Jaime Lerma. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Synchronized logic circuit

Номер патента: US9257985B2. Автор: Hans Halberstadt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-02-09.

Standby mode state retention logic circuits

Номер патента: US09813047B2. Автор: Senthilkumar JAYAPAL. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

High-speed ECL synchronous logic circuit with an input logic circuit

Номер патента: US4560888A. Автор: Yoshio Oida. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-12-24.

Integrated mos transistor with selective disabling of cells thereof

Номер патента: EP3945602A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-02-02.

Integrated MOS transistor with selective disabling of cells thereof

Номер патента: US11843369B2. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-12.

Integrated mos transistor with selective disabling of cells thereof

Номер патента: US20220038094A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-02-03.

Apparatus, system and method of a metal-oxide-semiconductor (mos) transistor including a split-gate structure

Номер патента: US20210399634A1. Автор: Erez Sarig. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Digital control logic circuit having a characteristic of time hysteresis

Номер патента: US20040124897A1. Автор: Sang Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Half-bridge converter comprising a bootstrap circuit to provide a negative turn-off voltage

Номер патента: US20240235385A1. Автор: Piotr Zimoch. Владелец: Etel SA. Дата публикации: 2024-07-11.

Circuit, system and method for thin-film transistor logic gates

Номер патента: WO2016183687A1. Автор: William Wong,Nikolaos Papadopoulos,Manoj Sachdev. Владелец: Manoj Sachdev. Дата публикации: 2016-11-24.

Apparatuses with an embedded combination logic circuit for high speed operations

Номер патента: US09762247B1. Автор: Kallol Mazumder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated injection logic circuits

Номер патента: CA1120161A. Автор: Kenneth R. Whight. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-03-16.

N-state logic circuit

Номер патента: US3855481A. Автор: A Demone. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-12-17.

Component arrangement including a mos transistor having a field electrode

Номер патента: US20080179670A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-07-31.

Circuit board configured to provide multiple interfaces

Номер патента: US20030122575A1. Автор: Jae Lee,Ji Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Digital logic circuit

Номер патента: US20180212595A1. Автор: Harry Barowski,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth,Werner Juchmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09935633B2. Автор: Hikaru Tamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Wave-pipelined logic circuit scanning system

Номер патента: US09864005B1. Автор: Douglas Carmean,Burton J. Smith. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09762239B2. Автор: Hikaru Tamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Delay type flip-flop arrangement using transistor transistor logic

Номер патента: US4900949A. Автор: Hitoshi Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-02-13.

Non-volatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same

Номер патента: US9692421B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same

Номер патента: US8432187B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-30.

Logic circuit, processing unit, electronic component, and electronic device

Номер патента: US12057451B2. Автор: Atsuo Isobe,Hikaru Tamura,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Logic circuitry for monitoring the cyclic operations of a pair of devices

Номер патента: US3624522A. Автор: John J Glosek. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1971-11-30.

Logic circuit, processing unit, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09385713B2. Автор: Atsuo Isobe,Hikaru Tamura,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Mems waveform generator and adiabatic logic circuits using the same

Номер патента: WO2005114840A2. Автор: Michael Patrick Frank,Hukai Xie. Владелец: University Of Florida Research Foudation, Inc.. Дата публикации: 2005-12-01.

Logic circuit

Номер патента: CA1176319A. Автор: Makoto Yoshida,Takanori Sugihara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-10-16.

Multiple stable state electron-discharge tube circuits

Номер патента: GB697127A. Автор: . Владелец: Philips Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1953-09-16.

Apparatuses with an embedded combination logic circuit for high speed operations

Номер патента: US10312919B2. Автор: Kallol Mazumder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Random number generation based on logic circuits with feedback

Номер патента: EP1776757A1. Автор: Jovan Telecom Italia S.p.A. GOLIC. Владелец: Telecom Italia SpA. Дата публикации: 2007-04-25.

Apparatuses with an embedded combination logic circuit for high speed operations

Номер патента: US20170366188A1. Автор: Kallol Mazumder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Random number generation based on logic circuits with feedback

Номер патента: WO2006015624B1. Автор: Jovan Golic. Владелец: Jovan Golic. Дата публикации: 2006-12-21.

Monitoring circuit for detecting a switching state of an electrical switching contact and method therefor

Номер патента: US09989594B2. Автор: Christian Voss. Владелец: Wago Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 2018-06-05.

Linear load MOS transistor circuit

Номер патента: US4197511A. Автор: Edward J. Zimany, Jr.,Carlo H. Sequin. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-04-08.

Noise reduction of a mos transistor operating as an amplifier or buffer

Номер патента: US20220109414A1. Автор: Vladimir Koifman,Anatoli Mordakhay. Владелец: Analog Value Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Noise reduction of a MOS transistor operating as an amplifier or buffer

Номер патента: US11374545B2. Автор: Vladimir Koifman,Anatoli Mordakhay. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-06-28.

Electronic device and a method of biasing a mos transistor in an integrated circuit

Номер патента: EP2171839A1. Автор: Zhenhua Wang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-07.

Detecting and driving load using MOS transistor

Номер патента: US9153688B2. Автор: Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

MOS decoder logic circuit having reduced power consumption

Номер патента: US4275312A. Автор: Tsuneo Ito,Tsuyoshi Saitou. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-06-23.

Graphene-based non-boolean logic circuits

Номер патента: US20150318856A1. Автор: Alexander Khitun,Alexander A. Balandin,Roger Lake. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2015-11-05.

High voltage MOS transistors

Номер патента: US4811075A. Автор: Klas H. Eklund. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 1989-03-07.

MOS transistor and switching power supply

Номер патента: US20030230766A1. Автор: Hitoshi Miyamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-18.

MOS transistor and switching power supply

Номер патента: US6841835B2. Автор: Hitoshi Miyamoto. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Contact element for connecting to a circuit board, contact system and method

Номер патента: US09484643B2. Автор: Christian Klein,Rainer Schaefer,Thomas Wiesa. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-11-01.

Acoustic attachment for multiple functions with a computer and a mobile telephone has a holder and a pair of loudspeakers

Номер патента: DE202006011998U1. Автор: . Владелец: Huang Yea Yen Tocheng. Дата публикации: 2006-10-12.

Improved Electric Devices for Calling Any One of Several Stations connected to the same Line.

Номер патента: GB191319271A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1914-08-07.

Circuitry connecting to battery, regulation circuit and method thereof

Номер патента: WO2024031213A1. Автор: Huaifeng Wang,Meihui LI,Jiajie CUI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-15.

Electronic device for identifying state of circuit related to communication

Номер патента: EP4351021A1. Автор: Hyoseok NA,Yohan MOON,Jaejin YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Compressed-gas circuit interrupter having a pair of rapid transfer insulating nozzles

Номер патента: US3670126A. Автор: Robert M Roidt. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1972-06-13.

Semiconductor integrated circuit device with SOTE and MOS transistors

Номер патента: US11373700B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Method for manufacturing a self-aligned MOS transistor

Номер патента: US20030082881A1. Автор: Ting-Chang Chang,Cheng-Jer Yang,Huang-Chung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Method to increase substrate potential in MOS transistors used in ESD protection circuits

Номер патента: US20040021180A1. Автор: Youngmin Kim,Amitava Chatterjee,Craig Salling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

MOS transistor in a single-transistor memory cell having a locally thickened gate oxide

Номер патента: US20010033006A1. Автор: Lars-Peter Heineck,Giorgio Schweeger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-25.

MOS Transistor and Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090166756A1. Автор: Masaki Kasahara. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Circuit containing integrated bipolar and complementary mos transistors on a common substrate

Номер патента: CA1282872C. Автор: Franz Neppl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-04-09.

Circuit containing integrated bipolar and complementary MOS transistors on a common substrate

Номер патента: US4884117A. Автор: Franz Neppl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-11-28.

Method for the production of mos transistors

Номер патента: US20100219477A1. Автор: Stefan Guenther. Владелец: STMicroelectronics NV. Дата публикации: 2010-09-02.

Method for the production of MOS transistors

Номер патента: US7718501B2. Автор: Stefan Guenther. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-18.

MOS transistor, manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US8395222B2. Автор: Sergey Pidin. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-03-12.

Mos transistor, manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20130217194A1. Автор: Sergey Pidin. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

MOS transistor with reduced kink effect and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20060110876A1. Автор: Volker Dudek,Stefan Schwantes. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-25.

Vertical MOS transistor

Номер патента: US20040188741A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

MOS transistor, manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US8703569B2. Автор: Sergey Pidin. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-04-22.

Semiconductor device comprising a silicon body with bipolar and mos transistors

Номер патента: US20020005555A1. Автор: Ronald Koster,Catharina H.H. Emons. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

MOS transistor and method for manufacturing MOS transistor

Номер патента: US09472665B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Integrated circuit with anti latch-up circuit in complementary MOS circuit technology

Номер патента: US5126816A. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-06-30.

Complementary MOS semiconductor device

Номер патента: US5304833A. Автор: Komori Shigeki,MITSUI Katsuyoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Method for manufacturing VLSI MOS-transistor circuits

Номер патента: US4658496A. Автор: Gerhard Enders,Willy Beinvogl,Ernst-Guenter Mohr. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-04-21.

Semiconductor device having an n-channel MOS transistor, a p-channel MOS transistor and a contracting film

Номер патента: US8461652B2. Автор: Ryo Tanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Read-only memory cell configuration with trench MOS transistor and widened drain region

Номер патента: US6043543A. Автор: Helmut Klose. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-03-28.

Semiconductor device having MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5731233A. Автор: Satoshi Shimizu,Tomohiro Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Method for fabricating a MOS transistor

Номер патента: US6423587B1. Автор: Yong-Hong Chen. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-23.

Mos transistor embedded substrate and switching power supply using the same

Номер патента: US20200105677A1. Автор: Toshiyuki Abe,Hironori Chiba. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device having MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5911103A. Автор: Satoshi Shimizu,Tomohiro Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Power lateral diffused mos transistor

Номер патента: US20020089001A1. Автор: Ming-Te Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050035378A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Triple-gate MOS transistor and method for manufacturing such a transistor

Номер патента: US12125913B2. Автор: Abderrezak Marzaki,Romeric Gay. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-10-22.

Mos transistors for thin soi integration and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2186123A1. Автор: John A. Iacoponi,Kingsuk Maitra. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-05-19.

Method for Fabricating a MOS Transistor with Reduced Channel Length Variation

Номер патента: US20130017658A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

MOS-Transistor with Separated Electrodes Arranged in a Trench

Номер патента: US20150357437A1. Автор: Antonio Vellei. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-10.

Structure and method of MOS transistor having increased substrate resistance

Номер патента: US20030207543A1. Автор: Zhiqiang Wu,Craig Salling,Che-Jen Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Method for fabricating at least three MOS transistors having different threshold voltages.

Номер патента: EP2437292A3. Автор: ARNAUD Franck. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-05-14.

A method for mos transistor manufacture

Номер патента: WO1987002825A1. Автор: David John Foster,Andrew James Pickering. Владелец: Plessey Overseas Limited. Дата публикации: 1987-05-07.

Hybrid active-field gap extended drain MOS transistor

Номер патента: US09608088B2. Автор: John Lin,Sameer P. Pendharkar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

MOS transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09425311B2. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Damascene formation of borderless contact MOS transistors

Номер патента: US6015727A. Автор: Frank M. Wanlass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-01-18.

Ultra short channel damascene MOS transistors

Номер патента: US6090672A. Автор: Frank M. Wanlass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-07-18.

Drain extended mos transistors and methods for making the same

Номер патента: WO2006010055A2. Автор: PR Chidambaram. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-01-26.

High-voltage mos transistor device

Номер патента: US20090039425A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yuan Su,Tun-Jen Cheng,Shih-Ming Shu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Apparatus and Method for Modeling MOS Transistor

Номер патента: US20090164195A1. Автор: Seok Yong Ko. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Two-rotation gate-edge diode leakage reduction for MOS transistors

Номер патента: US12009423B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Mos transistors capable of blocking reverse current

Номер патента: US20210119061A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chun-Ming Hsu,Chiung-Fu HUANG. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Vertical high-voltage mos transistor

Номер патента: US20170062573A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Hideaki Kawahara,John Manning Savidge Neilson,Simon John Molloy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

MOS Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20090236674A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

MOS transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7986007B2. Автор: Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-07-26.

Method of removing spacers and fabricating mos transistor

Номер патента: US20060134899A1. Автор: Kuan-Yang Liao,Chih-Ning Wu,Charlie Cj Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Electrically programmed mos transistor source/drain series resistance

Номер патента: EP1456888A1. Автор: Qi Xiang,Derick J. Wristers,James F. Buller. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-15.

Double-gate mos transistor with increased breakdown voltage

Номер патента: US20200176577A1. Автор: Christian Rivero,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-06-04.

Mos transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080251841A1. Автор: Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Reduction of threshold voltage instabilities in a MOS transistor

Номер патента: US20070215919A1. Автор: DANIEL Benoit,Pierre Morin,Jorge Regolini. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for forming a vertical mos transistor

Номер патента: US20110275187A1. Автор: Jingjing Chen,Pon Sung Ku,Edouard D. De Frèsart,Ganming Qin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-10.

Lateral double diffused MOS transistors

Номер патента: US09853146B2. Автор: Sung Kun Park. Владелец: SK Hynix System IC Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Substrate contact land for an MOS transistor in an SOI substrate, in particular an FDSOI substrate

Номер патента: US09837413B2. Автор: Philippe Galy,Sotirios Athanasiou. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-12-05.

MOS-transistor structure as light sensor

Номер патента: US09721980B2. Автор: Ernst Bretschneider. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-08-01.

MOS transistor having a gate dielectric with multiple thicknesses

Номер патента: US09466715B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A2. Автор: Madhukar B. Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor device having an n-channel mos transistor, a p-channel mos transistor and a contracting film

Номер патента: US20130244435A1. Автор: Ryo Tanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device including a high-breakdown voltage MOS transistor

Номер патента: US20060027880A1. Автор: Masatoshi Taya. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

Method for making semiconductor device capable of independently forming MOS transistors and bipolar transistor

Номер патента: US5759883A. Автор: Yasushi Kinoshita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Vertical type MOS transistor and its chip

Номер патента: US4819044A. Автор: Koichi Murakami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1989-04-04.

Pad structure with parasitic MOS transistor for use with semiconductor devices

Номер патента: US5517048A. Автор: Yasumasa Kosaka. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1996-05-14.

Dual trench mos transistor and method for forming the same

Номер патента: US20140374820A1. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Chip Integration Tech Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Dual trench MOS transistor and method for forming the same

Номер патента: US8907413B1. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Chip Integration Tech Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-09.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A3. Автор: Madhukar B Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Ashok Kapoor. Дата публикации: 2008-12-31.

MOS transistor circuit

Номер патента: US20060097326A1. Автор: Masanori Tsutsumi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of forming MOS transistor

Номер патента: US20040048427A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

High-voltage-resistant MOS transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8008721B2. Автор: Norihiro Takahashi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

High-voltage-resistant MOS transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080079096A1. Автор: Norihiro Takahashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

MOS transistor embedded substrate and switching power supply using the same

Номер патента: US10867931B2. Автор: Toshiyuki Abe,Hironori Chiba. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

Power MOS transistor

Номер патента: US20020145170A1. Автор: Norio Murakami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

MOS transistor and method for producing the transistor

Номер патента: US20020113255A1. Автор: Stephan Pindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-22.

An arrangement in a power mos transistor

Номер патента: WO2002013274A1. Автор: Jan Johansson,Nils Af Ekenstam,Mikael Zackrisson. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2002-02-14.

An arrangement in a power mos transistor

Номер патента: EP1314205A1. Автор: Jan Johansson,Nils Af Ekenstam,Mikael Zackrisson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2003-05-28.

MOS transistor

Номер патента: US6911699B2. Автор: Giuseppe Croce,Alessandro Moscatelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-06-28.

Verfahren zur herstellung einer speicherzelle mit mos-transistor

Номер патента: EP1060519B1. Автор: Franz Hofmann,Josef Willer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-04-25.

Vertical mos transistor and method therefor

Номер патента: US20090014784A1. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Vertical mos transistor and method therefor

Номер патента: US20100078717A1. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

MOS transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139875A1. Автор: Hak-Dong Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

MOS transistor on the basis of quantum interferance effect

Номер патента: US20090072219A1. Автор: Avto Tavkhelidze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

MOS transistor on the basis of quantum interferance effect

Номер патента: US9105669B2. Автор: Avto Tavkhelidze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-11.

High resistance layer for III-V channel deposited on group IV substrates for MOS transistors

Номер патента: US09882009B2. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Power MOS transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09698248B2. Автор: WEI Liu,Pengfei Wang,LEI Liu,Xi Lin,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

MOS transistor and fabrication method

Номер патента: US09431516B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

MOS transistor

Номер патента: US4675713A. Автор: Lewis E. Terry,Emily M. Thompson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-06-23.

Vertical type MOS transistor and method of formation thereof

Номер патента: US4845537A. Автор: TADASHI Nishimura,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara,Akihiko Ohsaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-07-04.

Method of reducing leakage current in a MOS transistor

Номер патента: US20020155668A1. Автор: Chien-Hsing Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Mos-transistor für strahlentolerante digitale cmos-schaltungen

Номер патента: EP3246952A1. Автор: Roland Sorge. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2017-11-22.

Mos transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20140346565A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

High voltage MOS transistors with reduced parasitic current gain

Номер патента: US5218228A. Автор: Richard A. Blanchard,Richard K. Williams,Robert W. Busse. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

MOS transistor having increased gate-drain capacitance

Номер патента: US5625216A. Автор: Bernard D. Miller. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 1997-04-29.

MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20050029682A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of fabricating lateral MOS transistor

Номер патента: US6071781A. Автор: Chika Nakajima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Metal gate mos transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: WO2014074777A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-05-15.

MOS Transistor mit einem verbesserten Einschaltwiderstand

Номер патента: DE102015003082B4. Автор: Thomas Rotter. Владелец: ELMOS SEMICONDUCTOR SE. Дата публикации: 2020-12-10.

MOS transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070072379A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for reducing hot carrier effect of mos transistor

Номер патента: US20080038937A1. Автор: Ching-Hsing Hsieh,Min-Hsian Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for reducing hot carrier effect of MOS transistor

Номер патента: US7579250B2. Автор: Ching-Hsing Hsieh,Min-Hsian Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-08-25.

MOS Transistor mit einem verbesserten Einschaltwiderstand

Номер патента: DE102015003082A1. Автор: Thomas Rotter. Владелец: ELMOS SEMICONDUCTOR SE. Дата публикации: 2016-09-15.

Electronic circuit with mos transistors and manufacturing method

Номер патента: US20240213101A1. Автор: Christian Rivero,Brice Arrazat. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-27.

MOS transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7556954B2. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-07.

Vertical mos transistor

Номер патента: US20190245054A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chih-Wei Lu,Shin-Yi Yang,Hsin-Ping Chen,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Raised silicide source/drain MOS transistors and method

Номер патента: EP1122771A3. Автор: Sheng Teng Hsu,Keizo Sakiyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-11-28.

Apparatus and Method for Power MOS Transistor

Номер патента: US20140162422A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Simulation parameter extracting method of MOS transistor

Номер патента: US8423342B2. Автор: Yasuhisa Naruta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Pair of pliers with wire stripping mechanism

Номер патента: US20190118348A1. Автор: Ying-Ju Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-04-25.

Stripping tool, pair of tool parts, tool element and method for stripping a cable

Номер патента: WO2024180064A1. Автор: Egbert Frenken,Andreas Lehr. Владелец: GUSTAV KLAUKE GMBH. Дата публикации: 2024-09-06.

System and method for managing a uart multiplexer connected to multiple hosts

Номер патента: US20240356842A1. Автор: Shuen-Hung WANG,Chun-Ching Yu,Ching-Chuan Liu,Hsi-Han Lin. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for fabricating a semiconductor device including a mos transistor having a silicide layer

Номер патента: US20240312784A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of making MOS transistor with controlled shallow source/drain junction

Номер патента: US5672530A. Автор: Sheng Teng Hsu. Владелец: Sharp Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 1997-09-30.

Angled implant to build MOS transistors in contact holes

Номер патента: US5943576A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Drail-well/extension high voltage MOS transistor structure and method of fabrication

Номер патента: US4978628A. Автор: Bruce D. Rosenthal. Владелец: Teledyne Industries Inc. Дата публикации: 1990-12-18.

MOS transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070158742A1. Автор: Hyung Yun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device including vertical mos transistors

Номер патента: US20090085098A1. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

High voltage mos transistor

Номер патента: WO2016014187A1. Автор: Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-28.

MOS-Transistor auf SOI-Substrat mit Source-Durchkontaktierung

Номер патента: DE10250832A1. Автор: Hans Dr. Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-19.

Mos-transistor auf soi-substrat mit source-durchkontaktierung

Номер патента: WO2004040656A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-13.

MOS transistor for withstanding a high voltage

Номер патента: US4819045A. Автор: Koichi Murakami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1989-04-04.

Edge termination in mos transistors

Номер патента: EP1430538A2. Автор: Raymond J. E. Hueting,Erwin A. Hijzen,Erwin A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-23.

Arrangemenet in a power MOS transistor

Номер патента: US20020027242A1. Автор: Jan Johansson,Nils Af Ekenstam,Mikael Zackrisson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Lateraler hochvolt-mos-transistor mit resurf-struktur

Номер патента: WO2008116877A1. Автор: Thomas Uhlig,Felix FÜRNHAMMER,Christoph Ellmers,Michael Stoisiek. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2008-10-02.

Lateral double diffused MOS transistor

Номер патента: US10840370B2. Автор: Jong Min Kim,Chul Jin Yoon. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Lateral double diffused mos transistor

Номер патента: US20190245081A1. Автор: Jong Min Kim,Chul Jin Yoon. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method for fabricating a semiconductor device including a MOS transistor having a silicide layer

Номер патента: US12033858B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

MOS-Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung

Номер патента: DE19943114A1. Автор: Stephan Pindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-04-05.

Simulation parameter extracting method of mos transistor

Номер патента: US20110144968A1. Автор: Yasuhisa Naruta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Sidewall processes using alkylsilane precursors for MOS transistor fabrication

Номер патента: US20040063260A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm Bevan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Combined MCD and MOS Transistor Semiconductor Device

Номер патента: US20210134792A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2021-05-06.

High dielectric constant metal gate mos transistor and method for making the same

Номер патента: US20220278217A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

High-voltage MOS transistor and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20060022294A1. Автор: Klaus Petzold,Steffi Lindenkreuz,Joachim Strauss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of forming a mos transistor of a semiconductor

Номер патента: US20020001910A1. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou,Chin-Lai Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Trench MOS transistor

Номер патента: US20020093050A1. Автор: Franz Hirler,Frank Pfirsch,Manfred Kotek,Joost Larik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-18.

[mos transistor and fabrication thereof]

Номер патента: US20050287727A1. Автор: Chih-Wei Yang,Wen-Tai Chiang,Wei-Tsun Shiau,Wei-Min Lin,Yi-Sheng Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of fabricating MOS transistor

Номер патента: US20060141720A1. Автор: Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Stripping tool, pair of tool parts for a stripping tool and method for stripping a cable

Номер патента: WO2024156727A1. Автор: Egbert Frenken. Владелец: GUSTAV KLAUKE GMBH. Дата публикации: 2024-08-02.

Trench-mos-transistor

Номер патента: EP1190447A2. Автор: Franz Hirler,Frank Pfirsch,Manfred Kotek,Joost Larik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-27.

MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09941416B2. Автор: Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of fabricating a vertical MOS transistor

Номер патента: US09941390B2. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Split-gate lateral extended drain MOS transistor structure and process

Номер патента: US09905428B2. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Alexei Sadovnikov,Andrew D Strachan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing stacked nanowire MOS transistor

Номер патента: US09892912B2. Автор: Huaxiang Yin,Xiaolong Ma,Dapeng Chen,Zuozhen Fu,Changliang Qin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming gate dielectric layer for MOS transistor

Номер патента: US09761687B2. Автор: Po-Lun Cheng,Chun-Liang Chen,Meng-Che Yeh,Shih-Jung Tu,Han-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530686B1. Автор: Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-12-27.

Modular vehicle system, electric vehicle and module for connecting to an electric vehicle

Номер патента: US09514588B2. Автор: Hannes Neupert. Владелец: Energybus eV. Дата публикации: 2016-12-06.

Detection algorithm for delivering inline power down four pairs of an ethernet cable to a single powered device

Номер патента: WO2006088745A2. Автор: Roger Karam. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-08-24.

Mixed four pair and single pair cabling architecture

Номер патента: EP3510725A1. Автор: Bryan Scott Moffitt,Benji Boban. Владелец: Commscope Inc of North Carolina. Дата публикации: 2019-07-17.

Actuator modules with reduced stiffness connections to panels and mobile devices including the same

Номер патента: US12096198B2. Автор: Mark William Starnes,Andrew Phillis. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

System to provide real loops for sidetone measurement with analog telephones

Номер патента: US09444921B2. Автор: Amar Nath Ray. Владелец: CENTURYLINK INTELLECTUAL PROPERTY LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

MOS transistor manufacturing method

Номер патента: KR950004587A. Автор: 신동진,한영규,차건업. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-02-18.

Disturbance-free connection to time-divided bus

Номер патента: GB2288894A. Автор: Antti Poutanen. Владелец: Nokia Telecommunications Oy. Дата публикации: 1995-11-01.

Method of fabricating a contact structure for an MOS transistor entirely on isolation oxide

Номер патента: US5866459A. Автор: Abdalla Aly Naem,Mohsen Shenasa. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Vertical power MOS transistor

Номер патента: US4972240A. Автор: Koichi Murakami,Teruyoshi Mihara,Yukitsugu Hirota. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1990-11-20.

MOS transistor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US5684317A. Автор: Hyun Sang Hwang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1997-11-04.

Junction box for snap together electrical connections to photovoltaic panels

Номер патента: EP4030572A1. Автор: Guy Sella,Leon Kupershmidt. Владелец: Solaredge Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Method for making a closed gate MOS transistor with self-aligned contacts with dual passivation layer

Номер патента: US4272881A. Автор: Rodney L. Angle. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-06-16.

High-voltage MOS transistor and corresponding manufacturing process

Номер патента: DE102004036387B4. Автор: Klaus Petzold,Steffi Lindenkreuz,Joachim Strauss. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-05-03.

Ultra high voltage mos transistor device

Номер патента: US20090072326A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of producing mos transistors

Номер патента: CA1207469A. Автор: Christoph Werner,Ulrich Schwabe,Franz Neppl,Ulf Burker. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-07-08.

Trench-typed power mos transistor and method for making the same

Номер патента: US20110163374A1. Автор: Ming Tang,Shih-Ping Chiao. Владелец: PTEK Tech Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-07.

Split-gate trench mos transistor with self-alignment of gate and body regions

Номер патента: US20220208995A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-30.

Mos transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170069764A1. Автор: Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-03-09.

MOS-Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung

Номер патента: DE19928563C2. Автор: Stephan Pindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-13.

Hochvolt-MOS-Transistor und entsprechendes Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102004036387A1. Автор: Klaus Petzold,Steffi Lindenkreuz,Joachim Strauss. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor device including power MOS transistor

Номер патента: US9923091B2. Автор: Taro Moriya,Hiroyoshi Kudou. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for fabricating mos transistor

Номер патента: US20120202328A1. Автор: Yu-Ren Wang,Tsuo-Wen Lu,Shu-Yen Chan,Tsai-fu Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for fabricating a semiconductor device including a mos transistor having a silicide layer

Номер патента: US20220415658A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Mos transistors and fabrication method thereof

Номер патента: US20140191316A1. Автор: Neil Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Split-gate trench mos transistor with self-alignment of gate and body regions

Номер патента: EP4024439A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-07-06.

Mos-transistor und verfahren zu dessen herstellung

Номер патента: WO2001018873A1. Автор: Stephan Pindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-03-15.

Method for fabricating mos transistor

Номер патента: US20120052644A1. Автор: Yu-Ren Wang,Tsuo-Wen Lu,Shu-Yen Chan,Tsai-fu Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Hot electron injection nanocrystals mos transistor

Номер патента: US20120250417A1. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2012-10-04.

Authentication and pairing of a mobile device to an external power source

Номер патента: US09688155B2. Автор: Cristina Seibert,Eli Marlin. Владелец: Silver Spring Networks Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Liquid crystal display device having LDD structure type thin film transistors connected in series

Номер патента: US5412493A. Автор: Yuji Hayashi,Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-05-02.

Switching power supply including a logic circuit to control a discharge circuit

Номер патента: US11942863B2. Автор: Shidong Guan. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Anti-snapback circuitry for metal oxide semiconductor (mos) transistor

Номер патента: US20130292770A1. Автор: Kurt Kimber,David Litfin. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Memory circuit/logic circuit integrated device capable of reducing term of works

Номер патента: US20010012231A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

High voltage MOS transistor

Номер патента: US4947232A. Автор: Tsutomu Ashida,Katsumasa Fujii,Yasuo Torimaru,Kiyotoshi Nakagawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-08-07.

By-product removing device and fuel cell connected to power generation module

Номер патента: RU2249887C2. Автор: Масахару СИОЯ. Владелец: Касио Компьютер Ко., Лтд. Дата публикации: 2005-04-10.

Method to provide voice call notification and control messaging over a data path

Номер патента: AU708959B2. Автор: William P. Mcmullin. Владелец: Interactive Telecom Inc. Дата публикации: 1999-08-19.

Improvements in or relating to tube couplings for connecting a pair of conduits for carrying a cable

Номер патента: NZ552176A. Автор: John Derek Guest. Владелец: Guest John Int Ltd. Дата публикации: 2007-10-26.

Backpressure from an external processing system transparently connected to a router

Номер патента: EP3863225A1. Автор: John Fischer,Steve Morin,Peter TREGUNNO. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2021-08-11.

Systems and methods to provide alternative connections for real time communications

Номер патента: US20140019269A1. Автор: Ebbe Altberg,Scott Faber,Ron Hirson,Sean Van der Linden. Владелец: INGENIC LLC. Дата публикации: 2014-01-16.

Methods and systems for controlling an energy storage system to provide a frequency regulation service

Номер патента: EP4387033A3. Автор: Casper HILLERUP LYHNE. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2024-08-14.

System to provide AC or DC power to electronic equipment

Номер патента: US12107457B2. Автор: Ravisekhar Nadimpalli Raju. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods and systems for controlling an energy storage system to provide a frequency regulation service

Номер патента: US12113358B2. Автор: Casper HILLERUP LYHNE. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2024-10-08.

Stand-alone DC power system for networks not connected to the grid

Номер патента: US09746861B2. Автор: Laurent Perier. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-08-29.

High power converter with low power transistors connected in parallel

Номер патента: US09467064B2. Автор: Alfred Permuy. Владелец: GE Energy Power Conversion Technology Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Latch-up protection circuit for integrated circuits using complementary mos circuit technology

Номер патента: US4791317A. Автор: Werner Reczek,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-12-13.

Complementary MOS inverter structure

Номер патента: US4178605A. Автор: Sheng T. Hsu,James M. Cartwright, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-12-11.

Latch-up protection circuit for integrated circuits using complementary MOS circuit technology

Номер патента: US4791316A. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-12-13.

Termination apparatus for making electrical connections to insulation-piercing terminals

Номер патента: CA1038611A. Автор: Harley R. Holt. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1978-09-19.

Integrated injection logic circuit

Номер патента: GB2222305A. Автор: Peter Henry Saul. Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1990-02-28.

Mechanism to provide updates to nb-iot devices

Номер патента: US20220015016A1. Автор: Kyeong Hun An,Romil SOOD. Владелец: T Mobile USA Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Power connection to and/or control of wellhead trees

Номер патента: EP1373682A1. Автор: David Eric Appleford,Brian William Lane. Владелец: Alpha Thames Ltd. Дата публикации: 2004-01-02.

Managing operator pattern service connections to an environment

Номер патента: US20230379330A1. Автор: Aiden Keating,Ciaran Roche,Dimitria Stefania Zuccarelli. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods to provide and expose a diagnostic connector on overmolded electronic packages

Номер патента: US20060027394A1. Автор: Scott Brandenburg,Jeenhuei Tsai. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2006-02-09.

Electronic devie to provide multimedia content, system and method therefor

Номер патента: US20210274347A1. Автор: Robin Dua. Владелец: SYNDEFENSE CORP. Дата публикации: 2021-09-02.

Hearing device and method to provide such a hearing device

Номер патента: EP4284025A2. Автор: Hendrikus Gijsbertus Schimmel,Laurens De Ruijter. Владелец: Sonion Nederland BV. Дата публикации: 2023-11-29.

Hearing device and method to provide such a hearing device

Номер патента: EP4284025A3. Автор: Hendrikus Gijsbertus Schimmel,Laurens De Ruijter. Владелец: Sonion Nederland BV. Дата публикации: 2024-02-21.

Anti-mismatching pair of complementary connectors

Номер патента: US20030017748A1. Автор: Makoto Morita,Toshiaki Horii. Владелец: JST Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Architecture to provide liquid and closed loop air cooling

Номер патента: US20240268070A1. Автор: Anthony Middleton,Tyler Baxter Duncan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-08-08.

Optical logic circuit using ring lasers

Номер патента: WO1991018435A1. Автор: Abbas Behfar-Rad. Владелец: Cornell Research Foundation, Inc.. Дата публикации: 1991-11-28.

Method of connecting to device and apparatus for supporting Wi-Fi direct for performing the method

Номер патента: US09883543B2. Автор: Naveen Maheshwari. Владелец: S Printing Solution Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Apparatus and method for state of charge compensation for a battery system

Номер патента: US09787107B2. Автор: Marcel Lutze,Dragan Mikulec,Timur Werner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Changing the state of a switch through the application of power

Номер патента: US09530581B2. Автор: Clovis Satyro Bonavides,Jim Taylor HILL,Daniel F Dorffer. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

System and method for controlling a power generation system connected to a weak grid

Номер патента: US09503007B2. Автор: David Smith,Yong Xu,Robert Gregory Wagoner. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Structure for logic circuit and serializer-deserializer stack

Номер патента: US9059163B2. Автор: Michael J. Shapiro,William F. Van Duyne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Reference voltage generator having diode-connected depletion MOS transistors with same temperature coefficient

Номер патента: US09552009B2. Автор: Hideo Yoshino,Masayuki Hashitani. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Transportable support frame for large bags - has four legs connected in pairs of braces

Номер патента: SE8801018L. Автор: S Aa A Johansson. Владелец: Bridon Staallinefab. Дата публикации: 1989-09-22.

Process for producing sanitary articles that can be worn as a pair of pants, and corresponding intermediate product

Номер патента: EP2536372A1. Автор: Gabriele Sablone. Владелец: Fameccanica Data SpA. Дата публикации: 2012-12-26.

Rotatable sprinkler for dish washing machine - has each of four pairs of arms supplying high and low pressure liq

Номер патента: FR2290177A1. Автор: . Владелец: HELY JOLY GEORGES. Дата публикации: 1976-06-04.

Oblong item clamping mechanism - has rotary holders each with pair of beams parallel to axis

Номер патента: NL7713512A. Автор: . Владелец: Machinale Houtbewerking De Ind. Дата публикации: 1979-06-11.

Photoflash array with selective pairing of lamps and switching of common circuit

Номер патента: CA1148601A. Автор: David R. Broadt. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1983-06-21.

Elevator system with one pair of guide rails

Номер патента: EP2521684A1. Автор: Eric Rossignol. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 2012-11-14.

Press for cutting V=notch in plate - has angle adjustment using superimposed pairs of fixed and movable pivot jaws with coaxial fulcra

Номер патента: FR2527952A1. Автор: . Владелец: ARECES RENE. Дата публикации: 1983-12-09.

Motion reversing drive mechanism - has Maltese cross element driven by roller and engaged by pin on disc connected to drum with chain drive

Номер патента: FR2320474A1. Автор: . Владелец: Verdol SA. Дата публикации: 1977-03-04.

Finger stick blood sample collector - has 2 mm capacity collection vessel open at both ends with hollow adaptor connected to cap

Номер патента: FR2485376A1. Автор: . Владелец: BENNETT ELMER. Дата публикации: 1981-12-31.

Two wheeled vehicle anti theft frame - has open pivoted parallelogram with pair of ends closed by barrel lock

Номер патента: FR2503077A1. Автор: Paul Lipschütz. Владелец: Valeo Neiman SA. Дата публикации: 1982-10-08.

Small container trailer for private car - has U=shaped chassis with pairs of guides for second vertically adjustable one

Номер патента: FR2379422A1. Автор: Paul Geerinck. Владелец: Paul Geerinck. Дата публикации: 1978-09-01.

Sheet for construction of regular polyhedron - has central fold line between pairs of diverging end fold lines

Номер патента: FR2272331A1. Автор: . Владелец: OKAHASHI HAJIMU JA. Дата публикации: 1975-12-19.

Construction toy made of wood - has main connector formed of pairs of flat plates joined at right angles

Номер патента: FR2499424A1. Автор: . Владелец: BLANC Henri. Дата публикации: 1982-08-13.

Fastener for vertical and horizontal rails - has horizontal base plate with pair of dovetail-shape flanges depending from it

Номер патента: FR2517800A1. Автор: Daniel Jouanet. Владелец: SFP SARL. Дата публикации: 1983-06-10.

Door structure - has upper frame part formed as rail, two door panels rotatably or foldably connected to each other

Номер патента: SE8803812L. Автор: W Pei,C-L Axelsson. Владелец: Bernt Ebbe Frick. Дата публикации: 1990-04-26.

Logic circuit and word-driver circuit

Номер патента: US7649800B2. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-19.

MOS transistor saturation region detector

Номер патента: US09970979B2. Автор: Danilo Gerna,John Kesterson,Enrico Pardi. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory device with MOS transistors having bodies biased by temperature-compensated voltage

Номер патента: US5602790A. Автор: Patrick J. Mullarkey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-02-11.

Memory device with MOS transistors having bodies biased by temperature-compensated voltage

Номер патента: US5793691A. Автор: Patrick J. Mullarkey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-08-11.

ROM storing information by using pair of memory cells

Номер патента: US20070064465A1. Автор: Satoyuki Miyako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Constant current source apparatus including two series depletion-type MOS transistors

Номер патента: US20050174165A1. Автор: Eiji Shimada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Arithmetic and logic circuit stage

Номер патента: US4805130A. Автор: Michel J. Lanfranca,Jean-Michel J. Labrousse,Christian M. Deneuchatel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-02-14.

Ram cells having a substantially balanced number of n-mos and p-mos transistors for improving layout areas

Номер патента: WO2001020612A1. Автор: Huy Nguyen. Владелец: Rosun Technologies, Inc.. Дата публикации: 2001-03-22.

Semiconductor circuit of MOS transistors for generation of reference voltage

Номер патента: US4641081A. Автор: Ryoichi Sato,Toshio Mimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-02-03.

Method for deriving characteristic values of MOS transistor

Номер патента: US09632115B2. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Tsung-Han Lee,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Logical circuits

Номер патента: GB1057224A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1967-02-01.

Apparatus and Method for Modeling MOS Transistor

Номер патента: US20090164181A1. Автор: Seok Yong Ko. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Logic circuit locking with self-destruct

Номер патента: US20230144019A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Data readout circuit for an MOS transistor array

Номер патента: US4592021A. Автор: Hiroaki Suzuki,Itsuo Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-05-27.

Apparatus for the payout of coins from a pair of neighbouring coin tubes

Номер патента: US20090017739A1. Автор: Dieter Wenskus,Torsten Schneider. Владелец: National Rejectors Inc GmbH. Дата публикации: 2009-01-15.

Cholesteric liquid crystal window having multiple stable states and methods for use

Номер патента: EP4457562A1. Автор: Xiang-Dong Mi,Mingqian He. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-11-06.

Chain-connected shift register and programmable logic circuit whose logic function is changeable in real time

Номер патента: US6404224B1. Автор: Koichi Yamashita,Kengo Azegami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-06-11.

Priority interrupt logic circuits

Номер патента: CA1095628A. Автор: Jaime Calle,Lawrence J. Kristick,Knute S. Crawford. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1981-02-10.

Method for deriving characteristic values of mos transistor

Номер патента: US20140343880A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Tsung-Han Lee,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

A machine and a method for fastening together a plurality of members to provide a skeleton wall section

Номер патента: GB1291032A. Автор: . Владелец: Signode Corp. Дата публикации: 1972-09-27.

Rotatively operating tool for rotatively operated member having a pair of engaging surfaces

Номер патента: US20060130616A1. Автор: Yoshihisa Hasegawa. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Jigging apparatus for a pair of fishing rods

Номер патента: US20110232155A1. Автор: John Throssell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Method and apparatus for verifying logical equivalency between logic circuits

Номер патента: US20030237065A1. Автор: Hiroshi Noguchi,Kazuhiro Matsuzaki,Hiroji Takeyama,Miki Takagi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Logic circuit having individually testable logic modules

Номер патента: US4860290A. Автор: Martin D. Daniels,Derek Roskell. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-08-22.

Hinged rotor blade to provide passive variable pitch

Номер патента: US20190233083A1. Автор: Todd Reichert. Владелец: Kitty Hawk Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Hinged rotor blade to provide passive variable pitch

Номер патента: US20210214070A1. Автор: Todd Reichert. Владелец: Kitty Hawk Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Hinged rotor blade to provide passive variable pitch

Номер патента: US20230029889A1. Автор: Todd Reichert. Владелец: Kitty Hawk Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Filter funnel for connection to flask

Номер патента: US09452373B1. Автор: Shui-Tien Horng. Владелец: ROCKER SCIENTIFIC CO Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Circuit for selecting one of a plurality of exponential values to a predetermined base to provide a maximum value

Номер патента: US4734876A. Автор: Tim A. Williams. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-03-29.

Circuit for easily testing a logic circuit having a number of input-output pins by scan path

Номер патента: CA2223221C. Автор: Hajime Matsuzawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Orchestration system and method to provide client independent api integration model

Номер патента: US20230359513A1. Автор: Aparna Kumar Tummala,Sandeep Kunjupillai Asokan. Владелец: Marsh USA Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Data processing apparatus and method for connection to interconnect circuitry

Номер патента: US20110093636A1. Автор: Johan Matterne,Martinus Cornelis Wezelenburg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-21.

Logical circuit designing device, logical circuit designing method, storage medium and program

Номер патента: US20020199163A1. Автор: Makoto Kakegawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Portable table system for mounting within a vehicle to provide a workspace within the vehicle

Номер патента: US12090906B2. Автор: Claude M. Coache. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-17.

Longitudinal adjustment device for a motor vehicle seat, comprising two pairs of rails

Номер патента: US09676298B2. Автор: Burckhard Becker,Wilfried Beneker,Antal Teer. Владелец: C Rob Hammerstein GmbH. Дата публикации: 2017-06-13.

Attachment device for a pair of binoculars

Номер патента: US20120099196A1. Автор: Johnny L. Wood,Donald L. Springer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-26.

Integrated quantum-random noise generator using quantum vacuum states of light

Номер патента: EP2788863A1. Автор: Ken Li Chong,Andrew Lance. Владелец: QUINTESSENCELABS Pty Ltd. Дата публикации: 2014-10-15.

Fault tolerant, self-diagnosing and fail-safe logic circuits and methods to design such circuits

Номер патента: WO1997031314A1. Автор: Meine Jochum Peter Van Der Meulen. Владелец: Simtech Beheer B.V.. Дата публикации: 1997-08-28.

Integrated quantum-random noise generator using quantum vacuum states of light

Номер патента: US20180232208A1. Автор: Ken Li Chong,Andrew Lance. Владелец: QUINTESSENCELABS Pty Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method and apparatus to provide an overall net zero twist in yarn

Номер патента: WO1999018271A1. Автор: Michael William Gilpatrick,Andre M. Goineau. Владелец: Milliken Research Corporation. Дата публикации: 1999-04-15.

Method and System for Performing Verification of Logic Circuits

Номер патента: US20070050739A1. Автор: Bodo Hoppe,Johannes Koesters,Christoph Jaeschke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-01.

Integrated quantum-random noise generator using quantum vacuum states of light

Номер патента: US09965250B2. Автор: Ken Li Chong,Andrew Lance. Владелец: QUINTESSENCELABS Pty Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Use of underground gas storage to provide a flow assurance buffer between interlinked processing units

Номер патента: US09458700B2. Автор: Hein Wille,Harke Jan Meek. Владелец: Single Buoy Moorings Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated logic circuit with partial scan path circuit and partial scan path design method for same

Номер патента: US5627841A. Автор: Yoshiyuki Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Logic circuit and method for designing the same

Номер патента: US6101621A. Автор: Yoshihisa Kondo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Pair of ceramic disks for a mixer faucet and mixer faucet comprising same

Номер патента: US5232022A. Автор: Yves Gougouyan. Владелец: C I C E SA. Дата публикации: 1993-08-03.

A mechanical wave inducing device being connectable to a needle

Номер патента: FI20195433A1. Автор: Heikki Nieminen,Gosta Ehnholm,Matti Mikkola. Владелец: Aalto Univ Foundation Sr. Дата публикации: 2020-11-25.

A mechanical wave inducing device being connectable to a needle

Номер патента: EP3975885A1. Автор: Gosta Ehnholm,Heikki J. NIEMINEN,Matti Mikkola,Yohann Le Bourlout. Владелец: Aalto Korkeakoulusäätiö sr. Дата публикации: 2022-04-06.

Logic circuit model conversion apparatus and method thereof; and logic circuit model conversion program

Номер патента: US20070129925A1. Автор: Nobuhiro Nonogaki,Tomoshi Otsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Allowing to provide service and charging costs associated with the service

Номер патента: EP1064628B1. Автор: John Lesley Kingsford Bannell. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2001-11-21.

System for Performing Verification of Logic Circuits

Номер патента: US20080216030A1. Автор: Bodo Hoppe,Johannes Koesters,Christoph Jaeschke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Determining sums using logic circuits

Номер патента: US11714448B2. Автор: Paul James Metzgen. Владелец: Superfastfpga Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Pair of scissors

Номер патента: US09789614B2. Автор: Ching-Lu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-17.

Electronic apparatus having optical connector connected to waveguide

Номер патента: US09696504B2. Автор: Tsuyoshi Aoki,Shigenori Aoki,Hidenobu Muranaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Storage system comprising logical circuit configured in accordance with information in memory on PLD

Номер патента: US7325179B2. Автор: Takahiro Sasakura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-01-29.

Control device for applying balanced forces to a pair of servient mechanisms

Номер патента: US3604284A. Автор: Richard D Houk. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1971-09-14.

Logic circuit for true and complement digital data transfer

Номер патента: US3904891A. Автор: Robert M O'lear. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1975-09-09.

System and method for providing three-dimensional features on large format print products

Номер патента: US11826956B2. Автор: Eran Asher KAINAN. Владелец: Kana Holdings LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

System and method for providing three-dimensional features on large format print products

Номер патента: US20240025116A1. Автор: Eran Asher KAINAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Hinged rotor blade to provide passive variable pitch

Номер патента: US11827335B2. Автор: Todd Reichert. Владелец: Kitty Hawk Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

System for providing three-dimensional features on large format print products

Номер патента: EP4037907A1. Автор: Eran KAINAN. Владелец: Kana Holdings LLC. Дата публикации: 2022-08-10.

Pairing of an anatomy representation with live images

Номер патента: EP2754126A1. Автор: Raoul Florent,Pascal Yves Francois Cathier,Olivier Pierre Nempont. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2014-07-16.

Method for actively connecting to and communicating with apple device and apple device attachment

Номер патента: US20180046588A1. Автор: Zhou Lu,Huazhang Yu. Владелец: Feitian Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Method of making electrical connections to hermetically sealed MEMS devices

Номер патента: EP1593649A3. Автор: Luc Ouellet. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-19.

Multi-hull, seagoing vessel with equalizing connection to reduce bearing load

Номер патента: DK3114020T3. Автор: Ernst Bullmer,Gerhard Euchenhofer. Владелец: Futura Yacht Systems Eub Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2018-07-30.

Pair of glasses with an adjustable nose pad for fine-tuning adjustment

Номер патента: US9052531B2. Автор: Yu-Sheng Chen. Владелец: INJEXTECH Inc. Дата публикации: 2015-06-09.

Method for filling a trench comprising a pair of conduits and such a filled trench

Номер патента: EP3867559A1. Автор: Bengt Lindoff,Per Rosén,Jacob Skogstrom,Fredrik ROSENQVIST. Владелец: EOn Sverige AB. Дата публикации: 2021-08-25.

Fire extinguisher to be connected to an agricultural tractor

Номер патента: WO2021090036A1. Автор: Tamás SZÉPLAKI. Владелец: Szeplaki Tamas. Дата публикации: 2021-05-14.

Computerised system to provide assistance to a person, in particular to a blind or visually impaired person

Номер патента: WO2021053605A1. Автор: Alessandra PROTO. Владелец: Proto Alessandra. Дата публикации: 2021-03-25.

Pairing of an anatomy representation with live images

Номер патента: US09904978B2. Автор: Raoul Florent,Pascal Yves Francois Cathier,Olivier Pierre Nempont. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-02-27.

Pair of eyeglasses without temples

Номер патента: US09778482B1. Автор: Wen-Tse Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-03.

Particle separator assembly connectable to a fluidized bed reactor and a fluidized bed reactor

Номер патента: US09604229B2. Автор: Pentti Lankinen. Владелец: AMEC FOSTER WHEELER ENERGIA OY. Дата публикации: 2017-03-28.

Formulations providing three distinct releases

Номер патента: US4794001A. Автор: Atul M. Mehta,Thomas W. Leonard,Ronald N. Warner,Lizbeth A. Bachand. Владелец: American Home Products Corp. Дата публикации: 1988-12-27.

Data Processing Device Having A Logic Circuit for Calculating a Modified Cross Sum

Номер патента: US20220236948A1. Автор: Andreas Gieriet. Владелец: Externsoft GmbH. Дата публикации: 2022-07-28.

Power mos transistor structure

Номер патента: CA1280221C. Автор: Eugene Tonnel,Gilles Thomas. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1991-02-12.

Method of manufacture of mos transistor with gate connected to source or drain

Номер патента: CA1008186A. Автор: Robert L. Luce. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1977-04-05.

Device for adjusting functional state of biological organism

Номер патента: RU2214843C1. Автор: С.В. Кольцов. Владелец: Кольцов Сергей Валентинович. Дата публикации: 2003-10-27.

DEVICE FOR MEASURING ANGLES | WITH MOVEMENTSff -L21The invention is not related to the field of nifferent electric drive and discrete automation. There are known devices for generating angular displacements that contain a disk with holes evenly spaced around the circumference, fixed reading elements and a logic circuit connected to reversible pulse counter. The proposed device differs from the known. The fact that the adder and the inverter are entered into Herq, the outputs of the reading elements are connected to the inputs of the adder, and the output of one count The pinch element is connected to the logic circuit through the inverter, the outputs of the matrix, and another capacitance element is connected to the outputs of the lower digits of the output code of the device. This improves the performance of the device. In FIG. 1 depicted the scheme of the proposed device; in fig. 2 and a diagram explaining its operation. The device contains a disk / with holes and reading elements 2 and 3, with the opening width h being equal to the distance between adjacent holes, and the distance between the two-reading elements is equal to - 2 hn, • where is an integer number (1015202. T30 / 7 = 0 in Fig. 1). The output of the reading element 3 is connected to an inverter 4, the output of which is connected to the spreading input of the logic circuit 5. The output of the reading element 2 is connected to the second input of the logic circuit 5, the output [> & [which connects 1s to the corresponding To the inputs of a two-stage reverse binary counter 6. The inputs of both reading elements' 2 and 3 are connected to the inputs; Sum'Mator 7 modulo "2". 1 '] 11; a circuit 5, in turn, consists of an inverter 8, waiting for multivibrators 9, 10, and coincidence circuits 11,' G2. The proposed device output of the sum of the matrix 7 is considered as a junior "! the bit code of the angular displacement, the output of the reading element 2 as the second bit, and the outputs of the counter 6 as the subsequent first digit of the specified code. This increase in the digit of the code of the angular displacement by two small binary digits leads to an increase in the accuracy of the measurement Four times. Disk rotation / at the outputs of elements 2 and 3 alternate. potentials of high and low level (see. Fig. 2), the low urovei corresponds \ 'yuschy location openings against the read element is received per unit, and the high voltage level corresponding to the spacing between The relative

Номер патента: SU432565A1. Автор: И. Д. Розов Ю. Фельдман В. И. Холодный изобретени В. С. Рафф. Владелец: Украинский государственный проектный институт жпромэлектропроект. Дата публикации: 1974-06-15.

DEVICE YES BL (PROTECTION TIPS FOR FAILURE IN THE SECONDARY CIRCUITS OF THREE-WATER TRANSFORMERS ^ VOLTAGES INPUT REFERENCE TO AREA-] [C]. interlocking devices based on the use of differential transformers. ^ Such devices have a significant consumption, which is due to the fact that, with operable secondary circuits of a transformer, Differential transformers operate in a short circuit mode. In addition, differential devices deduce protection from operating in the event of faults in both the star and the open circuit of the voltage transformer, although in the latter case the protection could remain in operation. devices use the transformer star's zero wire, voltage, and the integrity (the zero conductor does not control –101520 is faulty, then the following short circuit to ground prevents the interlock from acting incorrectly. The proposed device is characterized in that in order to increase the reliability, a three-phase rectifier bridge is connected to the phase outputs of the star of intermediate transformers, the output of which is connected to the comparison circuit of the absolute values of two voltages, and a three-phase rectifier bridge connected to the phase voltage is connected to the second input of the comparison circuit wires of the star transformer voltage transformer. The drawing shows the device diagram. The device is connected to the secondary windings of the transformer I, connected by one star, and the other - about the scheme open triangle. The device contains an intermediate two-winding I transformer 2, connected by

Номер патента: SU433589A1. Автор: Аржанников Е.А.,энергетический институт В.И. Ленина Ивановский. Владелец: . Дата публикации: 1974-06-25.

Pressure Accumulator Device for Connecting to a Hydraulic System

Номер патента: US20120000561A1. Автор: Mueller Matthias,Schuttermair Peter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Modulator on mos-transistors

Номер патента: RU2500065C2. Автор: Юрий Васильевич Афанасьев. Владелец: Афанасьева Галина Николаевна. Дата публикации: 2013-11-27.

Screw pair of cogging mill

Номер патента: RU2198045C1. Автор: В.И. Сафронов. Владелец: Сафронов Виктор Иванович. Дата публикации: 2003-02-10.

METHOD AND SYSTEM FOR CALLED PARTY TO PROVIDE INDICATION INFORMATION TO CALLING PARTY

Номер патента: US20120002796A1. Автор: Zhang Yi,Wang Jun,Li Yan,LIU Jianfeng. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to provide voice call notification and control messaging over a data path

Номер патента: CA2218231C. Автор: William P. Mcmullin. Владелец: Interactive Telecom Inc. Дата публикации: 1999-04-13.

Device to provide intermittent operation of signal lamp

Номер патента: RU2057661C1. Автор: Петр Леонидович Безруков. Владелец: Петр Леонидович Безруков. Дата публикации: 1996-04-10.

Method to provide for stability of high ledges

Номер патента: RU2392434C1. Автор: Георгий Михайлович Ерёмин. Владелец: Георгий Михайлович Ерёмин. Дата публикации: 2010-06-20.