Chemical vapor deposition method of raw material compound for CVD and iridium or iridium compound thin film .

Chemical vapor deposition method of raw material compound for CVD and iridium or iridium compound thin film

Номер патента: JP4054215B2
Опубликовано: 27-02-2008
Автор(ы): 威元寒江, 昌幸齋藤
Принадлежит: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Raw material compounds for use in cvd, and chemical vapor deposition for producing iridium or iridium compound thin films

Номер патента: US20030207552A1. Автор: Masayuki Saito,Takeyuki Sagae. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2003-11-06.

Raw material compounds for use in cvd, and chemical vapor deposition for producing iridium or iridium compound thin films

Номер патента: KR100991329B1. Автор: 사이토마사유키,사가에타케유키. Владелец: 다나까 홀딩스 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2010-11-01.

CHEMICAL DEPOSITION RAW MATERIAL INCLUDING HETEROGENEOUS POLYNUCLEAR COMPLEX AND CHEMICAL DEPOSITION METHOD USING THE CHEMICAL DEPOSITION RAW MATERIAL

Номер патента: US20180079764A1. Автор: SUZUKI Kazuharu,HARADA Ryosuke,NABEYA Shunichi,SHIGETOMI Toshiyuki,KUMAKURA Akiko,SONE Takayuki,AOYAMA Tatsutaka. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof for suppressing background carbon incorporation

Номер патента: US11846024B2. Автор: Hongping Zhao,Yuxuan ZHANG,Zhaoying Chen. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2023-12-19.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: CA3239265A1. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: L'air Liquide Pour L'etude Et L'exploitation Des Pro SA. Дата публикации: 2023-06-08.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for manufacturing thin film

Номер патента: EP4249629A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Low zirconium, hafnium-containing compositions, processes for the preparation thereof and methods of use thereof

Номер патента: US20120029219A1. Автор: Scott Houston Meiere,James Philip Natwora, Jr.. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Thin-film forming raw material, which is used in atomic layer deposition method, thin-film, method of producing thin-film, and zinc compound

Номер патента: US20240167154A1. Автор: Atsushi Sakurai,Atsushi Yamashita,Keisuke Takeda,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: WO2023102063A8. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-23.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US11842883B2. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP4243052A3. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP4243052A2. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof

Номер патента: US20210355581A1. Автор: Hongping Zhao,Zhaoying Chen. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of controlling contamination of vapor deposition apparatus and method of producing epitaxial wafer

Номер патента: US20200392618A1. Автор: Shota Kinose. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Physical vapor deposition system and methods of operating the same

Номер патента: US20240271271A1. Автор: Yen-Yu Chen,Chia-Hsi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Treatment method of emitting layer raw material in oled and application

Номер патента: US20180366686A1. Автор: Jie Xu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Raw material for chemical deposition containing organoruthenium compound, and chemical deposition method for ruthenium thin film or ruthenium compound thin film

Номер патента: US20240060176A1. Автор: Hirofumi Nakagawa,Yuki Mori,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Subhabrata Das. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Precursor for formation of europium-containing thin film, and method for forming europium-containing thin film

Номер патента: US8747965B2. Автор: Takayuki Mogi,Yoshinori Kuboshima,Shintaro Higashi,Kaoru KIKUKAWA. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2014-06-10.

High density plasma chemical vapor deposition chamber and method of using

Номер патента: US20210125811A1. Автор: Ding-I Liu,Wen-Long Lee,Wei-Ching Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20150191822A1. Автор: Sang-Joon SEO,Jae-eung Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production

Номер патента: US9659758B2. Автор: Eal Lee,Nicole Truong,Robert Prater,Norm Sand. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20220025515A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20180010245A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Mithrene and methods of fabrication of mithrene

Номер патента: US20190194128A1. Автор: James Nathan Hohman,Mary S. COLLINS,Tess E. SMIDT. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-06-27.

Silicon precursor and method of fabricating silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20210348026A1. Автор: Yeong-eun Kim,Jang-Hyun Seok,Jae-Seok AN,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Technique for high efficiency metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US20030049932A1. Автор: Sam Yang,Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6705246B2. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Mei Chang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-16.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6395128B2. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Mei Chang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-28.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6235646B1. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Mei Chang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-22.

Chemical vapor deposition apparatus and method of forming semiconductor epitaxial thin film using the same

Номер патента: US20120009697A1. Автор: Sung Tae Kim,Hyun Wook Shim,Young Sun Kim,Jong Sun Maeng. Владелец: Jong Sun Maeng. Дата публикации: 2012-01-12.

Chemical Vapor Deposition Apparatus and Method of Forming Semiconductor Thin Film Using The Same

Номер патента: KR101313262B1. Автор: 김성태,김영선,심현욱,맹종선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-09-30.

Chemical vapor deposition apparatus and method of forming semiconductor epitaxial thin film using the same

Номер патента: CN102330072A. Автор: 沈炫旭,金晟泰,金荣善,孟钟先. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Chemical vapor deposition apparatus and method of forming semiconductor epitaxial thin film using the same

Номер патента: TW201207904A. Автор: Sung-Tae Kim,Young-sun Kim,Jong-Sun Maeng,Hyun-Wook Shim. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Chemical vapor deposition apparatus and method of forming semiconductor epitaxial thin film using the same

Номер патента: TWI455183B. Автор: Sung Tae Kim,Hyun Wook Shim,Young Sun Kim,Jong Sun Maeng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-01.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20190019652A1. Автор: PARK JONG-HOON,Jung SukWon,Joo Hyunwoo,Choi Jaihyuk,Min Kyungjoo,Park Wonwoong. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

LASER-ASSISTED METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICES AND METHODS OF USE THEREOF FOR SUPPRESSING BACKGROUND CARBON INCORPORATION

Номер патента: US20220290301A1. Автор: Zhao Hongping,ZHANG Yuxuan,Chen Zhaoying. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160160349A1. Автор: CHO Seong-Joon,CHO Hyun-Su. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

GAS DISTRIBUTION PLATE FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEMS AND METHODS OF USING SAME

Номер патента: US20140273409A1. Автор: Pitney John Allen,Hamano Manabu. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

INJECT INSERT LINER ASSEMBLIES FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEMS AND METHODS OF USING SAME

Номер патента: US20140273410A1. Автор: Thomas Shawn,Pitney John Allen,Abedijaberi Arash. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

SiC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SiC EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20200173023A1. Автор: ATSUMI Hironori,UMETA Yoshikazu. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2020-06-04.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20160372715A1. Автор: SEO JUNGHAN,HUR SUNGMIN,LEE Hyungjong,Ku Gyoseung. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Chemical-vapor-deposition system and method of reducing particulate contaminants in the cvd system

Номер патента: KR100206612B1. Автор: 제임스브이.린노베이토르. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스 인코포레이티드. Дата публикации: 1999-07-01.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: KR102280264B1. Автор: 정석원,최재혁,허명수,노철래,손진석. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-07-22.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing light-emitting diode device using the same

Номер патента: US9567669B2. Автор: Seong-Joon CHO,Hyun-Su CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

A chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing a light emitting diode device with the same

Номер патента: DE102015120329A1. Автор: Seong-Joon CHO,Hyun-Su CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-09.

Chemical vapor deposition device and method of manufacturing display device using the same

Номер патента: KR102431354B1. Автор: 정석원,최재혁,주현우,박종훈,민경주,박원웅. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2022-08-11.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition device and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US10006120B2. Автор: Junghan Seo,Sungmin Hur,Gyoseung Ku,Hyungjong LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Inject insert liner assemblies for chemical vapor deposition systems and methods of using same

Номер патента: US9117670B2. Автор: Shawn Thomas,John Allen Pitney,Arash Abedijaberi. Владелец: SunEdison Semiconductor Pty Ltd. Дата публикации: 2015-08-25.

Chemical vapor deposition apparatus and method of forming thin layer using same

Номер патента: US20050022741A1. Автор: Young-Wook Park,Jung-Hun Seo,Jae-jong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-03.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing led using the same

Номер патента: KR102025717B1. Автор: 김준우,이재봉,김추호,이원신,허인회. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-09-27.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP3428312B1. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Physical vapor deposition vacuum chamber, Method of the physical vapor deposition, and Thin film device and Liquid crystal display thereby

Номер патента: KR100453315B1. Автор: 나카타유키히코,보우차스아포스톨로스. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-10-15.

Vacuum vapor-deposition apparatus and method of producing vapor-deposited film

Номер патента: KR101045515B1. Автор: 히로시 스즈키,노보루 사사키,후미타케 고이즈미,노부히코 이마이,구니마사 아라이,히로유키 고나가이. Владелец: 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게. Дата публикации: 2011-06-30.

Manufacturing method of mask frame material for vapor deposition and manufacturung method of mask frame for vapor deposition using the same

Номер патента: KR102229155B1. Автор: 이상욱,허도현. Владелец: 이상욱. Дата публикации: 2021-03-17.

Modified physical vapor deposition chamber and method of depositing materials at low pressure

Номер патента: TW399101B. Автор: ZHENG Xu,Peijun Ding,Jianming Fu,Peter Satitpunwaycha,Joe G Cruz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-21.

Method of producing raw material solution, method of film-forming and production lot

Номер патента: US20240124974A1. Автор: Kazuyuki Uno,Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami,Takahiro Sakatsume,Marika Ohta. Владелец: WAKAYAMA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-18.

METHOD OF CONTROLLING CONTAMINATION OF VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20200392618A1. Автор: KINOSE Shota. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-12-17.

VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20190048469A1. Автор: Seo Sang-Joon,Oh Jae-Eung. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20160348241A1. Автор: Kim Jae-Hyun,KIM Sung-Chul,JUNG Suk-Won,Huh Myung-Soo,Kim Jin-Kwang,Key Sung-Hun,KIM In-Kyo,Shim Chang-Woo,JANG Cheol-Min. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US8986794B2. Автор: Sang-Joon SEO,Jae-eung Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-24.

Deposition method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US7238629B2. Автор: Kazuo Maeda,Yoshimi Shioya. Владелец: Semiconductor Process Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-03.

Deposition method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: TW200514161A. Автор: Kazuo Maeda,Yoshimi Shioya. Владелец: Semiconductor Process Lab Co. Дата публикации: 2005-04-16.

Electronic circuit with repetitive patterns formed by shadow mask vapor deposition and a method of manufacturing an electronic circuit element

Номер патента: US7948087B2. Автор: Thomas Peter Brody. Владелец: Advantech Global Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING LITHIUM-BASED FILM BY USING THE SAME

Номер патента: US20180010245A1. Автор: Lim Sungjin,Kim Yongsung,LEE Changseung,LEE Jooho,SONG Sanghoon,YANG Wooyoung,HWANG Junsik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-11.

HIGH DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER AND METHOD OF USING

Номер патента: US20210125811A1. Автор: Liu Ding-I,Lee Wen-Long,Wu Wei-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

High frequency plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and method of implementing the same

Номер патента: JP2002504748A. Автор: ガーテ，エス．サンデュ，,スジットシャラン，,ポールスミス，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-02-12.

Mithrene and methods of fabrication of mithrene

Номер патента: WO2018038898A3. Автор: James Nathan Hohman,Mary S. COLLINS,Tess E. SMIDT. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2018-03-22.

Mithrene and methods of fabrication of mithrene

Номер патента: WO2018038898A9. Автор: James Nathan Hohman,Mary S. COLLINS,Tess E. SMIDT. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2018-04-12.

Cooling ring for physical vapor deposition chamber target, target assembly for use in a physical vapor deposition system, and method of processing a substrate in a physical vapor deposition chamber

Номер патента: TWI557251B. Автор: 魏斯特布萊恩,吉留吾一,霍夫曼賴夫. Владелец: 應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2016-11-11.

Container-shaped physical vapor deposition targets, and methods of forming container-shaped physical vapor deposition targets

Номер патента: TW570992B. Автор: Jianxing Li,Michael R Pinter,Chi-Tse Wu. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2004-01-11.

Radio frequency tuned substrate biased physical vapor deposition apparatus and method of operation

Номер патента: US20130284589A1. Автор: Youming Li,Jeffrey Birkmeyer. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20150191822A1. Автор: Sang-Joon SEO,Jae-eung Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production

Номер патента: US20060213769A1. Автор: Eal Lee,Nicole Truong,Robert Prater,Norm Sand. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Electron beam vapor deposition apparatus and method of coating

Номер патента: SG165297A1. Автор: James W Neal. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Multi-radius magnetron for physical vapor deposition (PVD) and methods of use thereof

Номер патента: US11295938B2. Автор: Jiao Song,David Gunther,Kirankumar Neelasandra Savandaiah,Irena H. Wysok,Anthony CHIH-TUNG CHAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Electron beam vapor deposition apparatus and method of coating

Номер патента: US20100242841A1. Автор: James W. Neal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Raw material compounds for use in CVD, and chemical vapor deposition of ruthenium compound thin films

Номер патента: US6743934B2. Автор: Masayuki Saito,Takeyuki Sagae. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2004-06-01.

Raw material compounds for use in cvd, and chemical vapor deposition of ruthenium or ruthenium compound thin films

Номер патента: KR101201190B1. Автор: 사이토마사유키,사가에타케유키. Владелец: 다나까 홀딩스 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2012-11-13.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: EP3270406B1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-11.

CHEMICAL DEPOSITION RAW MATERIAL INCLUDING HETEROGENEOUS POLYNUCLEAR COMPLEX AND CHEMICAL DEPOSITION METHOD USING THE CHEMICAL DEPOSITION RAW MATERIAL

Номер патента: US20180119274A1. Автор: SUZUKI Kazuharu,HARADA Ryosuke,NABEYA Shunichi,SHIGETOMI Toshiyuki,KUMAKURA Akiko,SONE Takayuki,AOYAMA Tatsutaka. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

CHEMICAL DEPOSITION RAW MATERIAL INCLUDING HETEROGENEOUS POLYNUCLEAR COMPLEX AND CHEMICAL DEPOSITION METHOD USING THE CHEMICAL DEPOSITION RAW MATERIAL

Номер патента: US20190177837A1. Автор: SUZUKI Kazuharu,HARADA Ryosuke,NABEYA Shunichi,SHIGETOMI Toshiyuki,KUMAKURA Akiko,SONE Takayuki,AOYAMA Tatsutaka. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

CHEMICAL DEPOSITION RAW MATERIAL INCLUDING IRIDIUM COMPLEX AND CHEMICAL DEPOSITION METHOD USING THE CHEMICAL DEPOSITION RAW MATERIAL

Номер патента: US20190367545A1. Автор: SUZUKI Kazuharu,HARADA Ryosuke,SHIGETOMI Toshiyuki. Владелец: TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K.. Дата публикации: 2019-12-05.

Chemical deposition raw material containing iridium complex and chemical deposition method using the chemical deposition raw material

Номер патента: TWI664309B. Автор: 原田了輔,重冨利幸,鈴木和治. Владелец: 日商田中貴金屬工業股份有限公司. Дата публикации: 2019-07-01.

Chemical deposition raw material including iridium complex and chemical deposition method using the chemical deposition raw material

Номер патента: US11084837B2. Автор: Ryosuke Harada,Toshiyuki Shigetomi,Kazuharu Suzuki. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2021-08-10.

Composite sic-substrate and method of its production

Номер патента: RU2726283C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-10.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Method and system for forming copper thin film

Номер патента: US20020052109A1. Автор: Atsushi Sekiguchi,Akiko Kobayashi,Toshiaki Sasaki,Susumu Akiyama,Minjuan Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Oxide/organic polymer multilayer thin films deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: WO1999057330A9. Автор: Seshu B Desu,John J Senkevich. Владелец: Seshu B Desu. Дата публикации: 2000-02-10.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20030170982A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20060172087A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

High pressure spatial chemical vapor deposition system and related process

Номер патента: US20240209502A1. Автор: Siddha Pimputkar. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A3. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-01-03.

Apparatuses for thin film deposition

Номер патента: US12024772B2. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Eva Tois,Hidemi Suemori,Jun Kawahara,Raija Matero,Jaako Anttila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-02.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials

Номер патента: CA2595761A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Susceptor for a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: WO2021167847A1. Автор: Alex Ignatiev,Shahab Khandan,Mikhail NOVOZHILOV,James JEWETT. Владелец: Metox Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2728484C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-29.

Method of ensuring adhesion of chemically vapor deposited oxide to gold integrated circuit interconnect lines

Номер патента: US4716071A. Автор: Dyer A. Matlock,Bruce E. Roberts,Jimmy C. Black. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1987-12-29.

Methods for area-selective deposition of polymer films using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019842A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Superconductivity in boron-doped diamond thin film

Номер патента: EP1598443A3. Автор: Hitoshi Umezawa,Kensaku Kobayashi,Y. C/O National Inst. for Materials Scien Takano,M. C/O National Inst. for Materials Scienc Nagao,M. C/O National Inst. for Materials Scien Tachiki,H. Kawarada. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2006-02-01.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A4. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A1. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-05-15.

Metal-organic (MO) chemical vapor deposition method and MO chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US6180541B1. Автор: Jae-Hyun Joo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-30.

Atomic layer deposition and etching of transition metal dichalcogenide thin films

Номер патента: US20230250534A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for making polycrystalline silicon thin film

Номер патента: US5344796A. Автор: Jong Y. Shin,Suk B. Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-09-06.

Method for manufacturing cigs light absorption layer for solar cell through chemical vapor deposition

Номер патента: EP4340047A1. Автор: Seung Hyun Lee,Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,Hea Yong KWON,Tae Yeop Jeon,Tae Woo Eom. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Method of forming a conformal and continuous crystalline silicon nanosheet with improved electrical properties at low doping levels

Номер патента: US20240222114A1. Автор: Jean-Marc Girard,Venkateswara R. Pallem,Nathan Stafford,Claudia Fafard,Sana RANI. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Dispenser system for atomic beam assisted metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)

Номер патента: US20080026575A1. Автор: Supratik Guha,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Tantalum and tantalum-based films formed using fluorine-containing source precursors and methods of making the same

Номер патента: WO2000070118A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2000-11-23.

Binary and ternary metal chalcogenide materials and method of making the same

Номер патента: EP2130942A3. Автор: Liu Yang,Manchao Xiao. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

System and method for chemical vapor deposition process control

Номер патента: EP2109878A1. Автор: Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-10-21.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5661115A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

A chemical vapor deposition chamber article

Номер патента: WO2020242292A8. Автор: Marcus Gerardus Van Munster,Guiming SONG. Владелец: Schunk Xycarb Technology B.V.. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming ferroelectric film

Номер патента: US20040259275A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: EP1897131A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-03-12.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: WO2007001296A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of manufacturing electrical conductors

Номер патента: EP2815427A1. Автор: Min Zheng,Jessica Henderson Brown Hemond,Robert Daniel Hilty,Zhengwei Liu,Rodney Ivan Martens,Mary Elizabeth Sullivan Malervy. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-24.

Method of manufacturing a semiconductor device with a contact hole

Номер патента: US20020182854A1. Автор: Junichi Miyano,Kiyohiko Toshikawa,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230349046A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Centrotherm International AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6120846A. Автор: Thomas H. Baum,Frank Hintermaier,Bryan Hendrix,Peter Van Buskirk,Jeff Roeder. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Thin film growth modulation using wafer bow

Номер патента: WO2023147136A1. Автор: Hu Kang,Ming Li,Xin Meng,Defu LIANG,Joseph Lindsey Womack. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-03.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell

Номер патента: US20160225933A1. Автор: Heonmin Lee,Dongjoo YOU,Wonki Yoon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device having a passivation layer and method of making the same

Номер патента: US20180166406A1. Автор: Yi-An Lin,C. C. Chang,Yu-Lung Shih,Alan KUO,Chao-Keng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Metalorganic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: US20200115800A1. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-04-16.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131950A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition

Номер патента: US6086679A. Автор: HUI Wang,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Reductive elimination chemical vapor deposition processes utilizing organometallic precursor compounds in semiconductor wafer processing

Номер патента: US5384289A. Автор: Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Chemical vapor deposition of perovskite thin films

Номер патента: US20190074439A1. Автор: Xiao Chen,Parag Banerjee,Peifu Cheng,Yoon Myung. Владелец: Washington University in St Louis WUSTL. Дата публикации: 2019-03-07.

Composition control of chemical vapor deposition nitrogen doped germanium antimony tellurium

Номер патента: US20190345607A1. Автор: Takeshi Masuda,Robert Bruce,Matthew J. BrightSky,Norma Edith Sosa,Fabio Carta,Gloria W.Y. Fraczak. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of producing thin-film

Номер патента: US20240018654A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing thin film

Номер патента: EP4249631A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Chemical vapor deposition film profile uniformity control

Номер патента: US20130149871A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chia-Ho Chen,Chih-Tsung Lee,You-Hua Chou,Ming-Chin Tsai,Ming-Shiou Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Atomic-layer-chemical-vapor-deposition of films that contain silicon dioxide

Номер патента: EP1248865A1. Автор: Suvi Haukka,Marko Tuominen,Eva Aro. Владелец: ASM Microchemistry Oy. Дата публикации: 2002-10-16.

Multi-step chemical vapor deposition method for thin film transistors

Номер патента: US5567476A. Автор: Dan Maydan,Takako Takehara,Kam S. Law,Robert Robertson,Angela T. Lee,Michael Kollrack,Guofu J. Feng. Владелец: Applied Komatsu Technology Inc. Дата публикации: 1996-10-22.

Method and system for inline chemical vapor deposition

Номер патента: WO2012170166A3. Автор: Piero Sferlazzo,Thomas Michael Lampros. Владелец: AVENTA TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

High pressure spatial chemical vapor deposition system and related process

Номер патента: US11885018B2. Автор: Siddha Pimputkar. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2024-01-30.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220238851A1. Автор: Jongwoo Kim,Hyein Yang,Jaeheung Ha,Wonjong KIM,Changyeong SONG,Woosuk Jung,Yongchan Ju,Heeyeon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for forming an aluminum metallic thin film by vapor phase growth on a semiconductor substrate

Номер патента: US4430364A. Автор: Takashi Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-02-07.

Plasma enhanced wafer soak for thin film deposition

Номер патента: WO2020081235A1. Автор: Ming Li,Tu Hong,Arul N. Dhas. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-23.

Method of obtaining epitaxial layer of binary semiconductor material on monocrystalline substrate by organometallic chemical vapour deposition

Номер патента: RU2548578C2. Автор: Валерий Анатольевич Буробин,Андрей Владимирович Зверев,Алексей Андреевич Арендаренко. Владелец: Алексей Андреевич Арендаренко. Дата публикации: 2015-04-20.

Method of an apparatus for forming thin film for semiconductor device

Номер патента: US5240505A. Автор: Masanobu Iwasaki,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Feedback control of sub-atmospheric chemical vapor deposition processes

Номер патента: US20030049376A1. Автор: Arulkumar Shanmugasundram,Manuel Hernandez,Rong Pan,Alexander Schwarm,Amna Mohammad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

Methods and apparatuses for thin film deposition

Номер патента: WO2017019250A1. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Eva Tois,Hidemi Suemori,Jun Kawahara,Jaakko Anttila,Raija Matero. Владелец: Asm Ip Holding B. V.. Дата публикации: 2017-02-02.

Methods and apparatuses for temperature-indexed thin film deposition

Номер патента: WO2017019249A1. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Bert Jongbloed,Lucian JDIRA,Delphine Longrie,Jun Kawahara,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP HOLDING B.V.. Дата публикации: 2017-02-02.

Methods for thin film deposition

Номер патента: US20170032956A1. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Eva Tois,Hidemi Suemori,Jun Kawahara,Raija Matero,Jaako Anttila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-02-02.

Susceptor for a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: EP4107795A1. Автор: Alex Ignatiev,Shahab Khandan,Mikhail NOVOZHILOV,James JEWETT. Владелец: Metox Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Plasma enhanced wafer soak for thin film deposition

Номер патента: US12014921B2. Автор: Ming Li,Tu Hong,Arul N. Dhas. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230215725A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20140322849A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US9543518B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20210104396A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA3192596A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-24.

Chemical Vapor Deposition Diamond (CVDD) Wires for Thermal Transport

Номер патента: US20210143080A1. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Chemical vapor deposition methods and methods of etching a contact opening over a node location on a semiconductor substrate

Номер патента: US20020123221A1. Автор: Chris Hill,Mark Jost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Superhard dielectric compounds and methods of preparation

Номер патента: WO2003058644A2. Автор: John Kouvetakis,John Tolle,I. S. T. Tsong,Levi Torrison. Владелец: Arizona Board of Regents. Дата публикации: 2003-07-17.

Superhard dielectric compounds and methods of preparation

Номер патента: US20040191151A1. Автор: John Kouvetakis,John Tolle,Levi Torrison,I S T Tsong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

Process for chemical vapor deposition of materials with via filling capability and structure formed thereby

Номер патента: US20080164579A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: WO2009131842A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: Lumenz, Inc.. Дата публикации: 2009-10-29.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: EP2279284A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: LUMENZ Inc. Дата публикации: 2011-02-02.

Method of depositing polysilicon, method of fabricating a field effect transistor, method of forming a contact to a substrate, method of forming a capacitor

Номер патента: US6159852A. Автор: Er-Xuan Ping,Michael Nuttall,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Chemical-vapor-deposition silicon carbide bulk having improved etching characteristic

Номер патента: US11859309B2. Автор: Kang Suk Kim,Young Ju Kim,Hak Jun AHN,Youn Woong JUNG,Jun Baek SONG,Won Geun SON. Владелец: DS TECHNO Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20030111009A1. Автор: Vadim Boguslavskiy,Alexander Gurary. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

MXene layers as substrates for growth of highly oriented perovskite thin films

Номер патента: US11773480B2. Автор: Yury Gogotsi,Jonathan E. Spanier,Zongquan Gu,Babak ANASORI,Andrew Lewis BENNETT-JACKSON,Matthias FALMBIGL,Dominic IMBRENDA. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and apparatus of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene

Номер патента: WO2022173543A1. Автор: Hanh Nguyen,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian Valencia,Chikuang Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature

Номер патента: US20020001928A1. Автор: Mei Chang,Ming Xi,Keith K. Koai,Shulin Wang,Huan LUO,Russell C. Ellwanger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor devices having ruthenium phosphorus thin films

Номер патента: WO2017099770A1. Автор: Han Wui Then,Scott B. Clendenning,Michael L. McSwiney,John J. Plombon. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of tisin deposition using a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2003056060A1. Автор: Mei Chang,Roderick Mosely,Chien-Teh Kao,Fufa Chen,Chiukin Steven Lai,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of depositing textured tin oxide

Номер патента: CA1333461C. Автор: Anthony W. Catalano,Charles M. Fortmann,James G. O'dowd,Ora Jean Lee. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1994-12-13.

Laser-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230203660A1. Автор: Rodney S. Harris,Stephen G. Topping. Владелец: River Electro Optics LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA2756994C. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Process and aparatus for atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2009073292A1. Автор: Robert P. Haley,Mark G.C. Vreys,Christina A. Rhoton,Alphonsus J.P. De Rijcke. Владелец: Dow Global Technologies Inc.. Дата публикации: 2009-06-11.

Method of selective metal deposition using separated reactant activation and plasma discharging zones

Номер патента: WO2024123432A1. Автор: Jiang Lu,Joung Joo Lee,Avgerinos V. Gelatos,Joseph Hernandez,Xianmin Tang,Dien-Yeh Wu,Weifeng Ye,Yiyang WAN,Ying-Bing JIANG,Gary HOW. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus for the simultaneous deposition by physical vapor deposition and chemical vapor deposition and method therefor

Номер патента: US6186090B1. Автор: Joachim Doehler,Herbert C. Ovshinsky,II Buddy R. Dotter,Timothy Ellison,Masatsugo Izu. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2001-02-13.

Microwave apparatus for depositing thin films

Номер патента: CA2146369C. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Masatsugu Izu,Wataru Hasegawa,Buddie R. Ii Dotter. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Chemical vapor deposition method of growing oxide films with giant magnetoresistance

Номер патента: US5487356A. Автор: Jiming Zhang,Yi-Oun Li. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1996-01-30.

Apparatus for forming thin film

Номер патента: US6079358A. Автор: Dae-won Kim,Sang-Soon Bae. Владелец: SK Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

High density plasma chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20020112666A1. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

Chemical vapor deposition tool and operating method thereof

Номер патента: US20170032940A1. Автор: Chien-Ta Lee,Pen-Li HUNG,Yu-Shan SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: EP2689048A2. Автор: Kwangho Lee,Jinhyouk Shin,Jangwoo Lee,Junggeun Oh,Jeonggyu Kim,Moonkap Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-29.

Plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US10151033B2. Автор: Yuji Takano,Hiromichi Nakata,Yoji Sato,Takayasu Sato,Kazutaka Tachibana,Osamu Ariyada,Ryo TSURUMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method of forming vanadium oxide films and vanadium oxide thin-films prepared thereby

Номер патента: US6156395A. Автор: Ping Liu,David K. Benson,C. Edwin Tracy,Ji-Guang Zhang,John A. Turner. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-12-05.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene on optical fibers

Номер патента: US20230212743A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Deepan Kishore Kumar. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-07-06.

Low-temperature thermal chemical vapor deposition apparatus and method of synthesizing carbon nanotube using the same

Номер патента: EP1061041A1. Автор: Jae-eun Yoo,Cheol-jin Lee. Владелец: Lee Cheol-jin. Дата публикации: 2000-12-20.

Vapor deposition apparatus and method of coating a substrate in a vacuum chamber

Номер патента: CN115667574A. Автор: 斯蒂芬·班格特,安德烈亚斯·勒普. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

The method of manufacturing Ferrite raw material powder and Ferrite magnet by spray thermo decomposing method

Номер патента: KR100733158B1. Автор: 오다엣쯔시. Владелец: 가부시키가이샤 네오맥스. Дата публикации: 2007-06-27.

Method of modifying feather raw material

Номер патента: WO2019068960A1. Автор: Anne Kallioinen,Jouko Savolainen. Владелец: Hkscan Oyj. Дата публикации: 2019-04-11.

Method of upgrading paraffin raw material

Номер патента: RU2101269C1. Автор: Гастон Рене Пефероен Дэнни,Жийсон Жан-Пьер,Тионг Си Сван,Питер Де Йонг Крейн,Хартман Юрриан Сторк Виллем. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 1998-01-10.

Source reagent compounds for MOCVD of refractory films containing group IIA elements

Номер патента: US5225561A. Автор: Peter S. Kirlin,Robin A. Gardiner,Duncan W. Brown. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1993-07-06.

Compound for the aluminum film from chemical vapor deposition and the method of synthesis

Номер патента: US6380383B1. Автор: Hyun-koock Shin. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2002-04-30.

Power Supply Apparatus for Chemical Vapor Deposition Apparatus and Method of controlling the same

Номер патента: KR101122215B1. Автор: 유효열. Владелец: 주식회사 다원시스. Дата публикации: 2012-03-20.

Vapor emission device, organic thin-film vapor deposition apparatus and method of organic thin-film vapor deposition

Номер патента: CN101803462A. Автор: 根岸敏夫,越田达彦. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2010-08-11.

RAW MATERIAL FOR FORMING THIN FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD, METHOD OF PRODUCING THIN FILM, AND ALKOXIDE COMPOUND

Номер патента: US20220024953A1. Автор: Sakurai Atsushi,Yamashita Atsushi,NISHIDA Akihiro,HATASE Masako,YOSHINO Tomoharu. Владелец: ADEKA CORPORATION. Дата публикации: 2022-01-27.

Vapor deposition mask, vapor deposition device, method of manufacturing vapor deposition mask, and method of manufacturing electroluminescence display device

Номер патента: US20190345596A1. Автор: Yoshiharu Kataoka,Koji Yamabuchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Vapor deposition mask, method of manufacturing vapor deposition mask, and method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: JP6510139B2. Автор: 克彦岸本,崎尾　進,進崎尾,耕三矢野,光志西田. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-08.

Method of manufacturing vapor deposition mask, vapor deposition mask, and method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: JP6510126B2. Автор: 克彦岸本,日出夫竹井,崎尾　進,進崎尾,耕三矢野,光志西田,竹井　日出夫. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-08.

Vapor deposition mask, method of manufacturing vapor deposition mask, and method of manufacturing organic semiconductor element

Номер патента: JPWO2020031302A1. Автор: 克彦岸本,崎尾　進,進崎尾. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Chemical vapor deposition apparatus and methods of using the apparatus

Номер патента: SG153849A1. Автор: Michael Howard Rucker,Scott Andrew Weaver,George Theodore Dalakos,Daniel Joseph Lewis,Matthew David Saylor,Victor Lienkong Lou. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2009-07-29.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: US20020132721A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: WO2001044535A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2001-06-21.

Vapor deposition system and method of operating

Номер патента: WO2008121601A1. Автор: Jacques Faguet. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2008-10-09.

Atomic layer deposition methods, methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and methods of forming dram unit cells

Номер патента: EP2155925A1. Автор: Brian A. Vaartstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-24.

Atomic layer deposition methods, methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and methods of forming dram unit cells

Номер патента: SG183680A1. Автор: Brian A Vaartstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Novel compound, precursor composition comprising same, and method for preparing thin film using same

Номер патента: US20240218005A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US20160115587A1. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-04-28.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US9447495B2. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

METHOD OF GROWING PURE Ge THIN FILM WITH LOW THREADING DISLOCATION DENSITY

Номер патента: US20100144124A1. Автор: Sang Hoon Kim,Hyun Tak Kim,Dong Woo Suh,Gyung Ock Kim,Ji Ho Joo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor

Номер патента: US5480818A. Автор: Yuji Murata,Junichi Watanabe,Kenichi Oki,Masahiro Okabe,Jun Inoue,Teruhiko Ichimura,Tomotaka Matsumoto,Mari Hodate,Yoshio Nagahiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-01-02.

Method for preparing perovskite solar cell absorbing layer by means of chemical vapor deposition

Номер патента: US20220230813A1. Автор: Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,So Yeon Lee. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003232015A1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-11-17.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1502292B1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Surface modified diamond materials and methods of manufacturing

Номер патента: US20180212026A1. Автор: Mark A. Hollis,Theodore H. Fedynyshyn,Michael W. Geis. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-07-26.

Vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1274429A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-09-25.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: WO2024168346A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: US20240282546A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a p-type compound semiconductor thin film containing a iii-group element and a v-group element by metal organics chemical vapor deposition

Номер патента: US5168077A. Автор: Kazuhiro Eguchi,Mitsuhiro Kushibe,Yasuo Ashizawa,Yoshihiro Kokubun,Takao Noda,Yasuo Ohba,Masahisa Funemizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-12-01.

Deposition method over mixed substrates using trisilane

Номер патента: EP1887617A3. Автор: Michael A. Todd. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2015-07-29.

Organometallic compound, precursor composition comprising same, and method for manufacturing thin film using same

Номер патента: US20230257406A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for enhancing growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US8405128B2. Автор: Hitoshi Sato,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Benjamin A. Haskell,John F. Kaeding,Michael Iza,Troy J. Baker. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-03-26.

Method of manufacturing silicon carbide structure

Номер патента: US8865519B2. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Chemical vapor deposition reactor having ceramic lining for production of polysilicon

Номер патента: US20140235041A1. Автор: Anatoly Alexandrovich Goncharov,Yury Dmitrievich Kalashnikov. Владелец: Ecolive Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Method of obtaining a graded PECVD layer and plasma source assembly.

Номер патента: NL2016487A. Автор: Willemijn Petronel Elisabeth Lamers Machteld,Wouter Weeber Arthur. Владелец: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND. Дата публикации: 2017-10-02.

Method of obtaining a graded pecvd layer and plasma source assembly

Номер патента: WO2017164742A1. Автор: Arthur Wouter Weeber,Machteld Willemijn Petronel Elisabeth Lamers. Владелец: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND. Дата публикации: 2017-09-28.

Capacitor having a physical vapor deposited electrode and method of manufacture

Номер патента: US20020044405A1. Автор: Ashish Shah,Barry Muffoletto,Neal Nesselbeck. Владелец: Greatbatch Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of producing electroconductive films from a graphene oxide dispersion

Номер патента: RU2701005C1. Автор: Сергей Павлович Губин,Денис Юрьевич Корнилов. Владелец: Чеглаков Андрей Валерьевич. Дата публикации: 2019-09-24.

Process for preparing contact lens with film by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20190310494A1. Автор: Wen-Pin Lin,Meng-Jiy WANG. Владелец: Brighten Optix Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Methods of synthesizing three-dimensional heteroatom-doped carbon nanotube macro materials and compositions thereof

Номер патента: US20190225516A1. Автор: Mauricio Terrones,Pulickel M. Ajayan,Daniel Paul Hashim. Владелец: Css Nanotech Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Methods of synthesizing three-dimensional heteroatom-doped carbon nanotube macro materials and compositions thereof

Номер патента: US10737960B2. Автор: Mauricio Terrones,Pulickel M. Ajayan,Daniel Hashim. Владелец: Css Nanotech Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Chemical vapor deposition of dense and transparent zirconia films

Номер патента: US5145720A. Автор: Toshio Hirai,Hisanori Yamane. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 1992-09-08.

Cerium oxide-titanium oxide composite thin film electrode

Номер патента: US20220396871A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abdul REHMAN. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2022-12-15.

Method of manufacturing a piezoelectric thin film

Номер патента: US12063023B2. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: EP1387898A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-11.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: WO2002086189A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2002-10-31.

Compounds for forming alumina films using chemical vapor deposition method and process for preparing the compound

Номер патента: US20030010256A1. Автор: Hyun-koock Shin. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2003-01-16.

Embedded wire chemical vapor deposition (ewcvd)

Номер патента: EP4363630A1. Автор: Joseph Pegna,Kirk L. Williams,Shay L. Harrison. Владелец: Free Form Fibers LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Method for recycling organic ruthenium compound for chemical vapor deposition

Номер патента: US20150087851A1. Автор: Masayuki Saito,Ryosuke Harada,Toshiyuki Shigetomi,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2015-03-26.

Materials and methods for growing complex perovskite oxide thin films

Номер патента: EP1081154A3. Автор: Hideaki Intern. Superconductivity Techn C. Zama,Keiichi Intern Superconductivity Techn C. Tanabe,Tadataka Intern Superc. Techn. Center Morishita. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2003-03-19.

Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films

Номер патента: US20190300468A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Miika Mattinen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-03.

Chemical vapor deposition of aluminum films using dimethylethylamine alane

Номер патента: US5191099A. Автор: Everett C. Phillips,Wayne L. Gladfelter. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 1993-03-02.

Liquid coating composition for production of fluorine doped tin oxide thin layers suitable for chemical vapor deposition process

Номер патента: US20030035890A1. Автор: Gilles Merienne. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Method of calcining a raw material to obtain a cementitious material

Номер патента: US20240018039A1. Автор: Beat Stoffel,Ernst Bucher,Karl-Heinz Boes,Mirko Weber. Владелец: Holcim Technology Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of burning pulverous raw material and rotary kiln plant therefor

Номер патента: US4025295A. Автор: Jørn TOUBORG. Владелец: FLSmidth and Co AS. Дата публикации: 1977-05-24.

Method of processing secondary raw materials based on polyethylene, intended for use in anticorrosive coating of pipelines

Номер патента: RU2698663C1. Автор: Станислав Викторович Дьячук. Владелец: Станислав Викторович Дьячук. Дата публикации: 2019-08-28.

Method of purifying contaminated raw material for separating production

Номер патента: RU2613157C1. Автор: Николай Петрович Глухов,Валерий Анатольевич Палкин,Евгений Владимирович Маслюков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2017-03-15.

Catalytic composition for hydrocracking and method of converting hydrocarbon raw material to low-boiling point material

Номер патента: RU2338590C2. Автор: Эдвард Джулиус КРЕЙТОН,Корнелис ОУВЕХЕНД,Эдвард Джулиус КРЕЙТОН (NL),Корнелис ОУВЕХЕНД (NL). Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of calcining a raw material to obtain a cementitious material

Номер патента: WO2024105534A1. Автор: Michael Weihrauch,Ernst Bucher,Ralf Oßwald,Hans Rudolf BLUM. Владелец: Holcim Technology Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Drying plant for humid raw materials and method of drying humid raw materials

Номер патента: RU2373256C2. Автор: Ацуси ФУДЗИКАВА,Казуси КИСИГАМИ,Удаи КАНЕКО. Владелец: Ниппон Стил Инджиниринг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-11-20.

Method of germanium-containing raw material processing

Номер патента: RU2616750C1. Автор: Александр Михайлович Кочнев,Ольга Игоревна Стопани,Сергей Анатольевич Старцев,Михаил Яковлевич Шпирт,Евгений Григорьевич Горлов,Людмила Алексеевна Кост. Владелец: Акционерное общество "Российская электроника". Дата публикации: 2017-04-18.

Method of processing vegetable raw material to produce pentose hydrolyzates predominantly containing xylose

Номер патента: RU2109059C1. Автор: Ю.Б. Букин,М.М. Немойтин,С.Д. Блинков,А.Л. Федоров. Владелец: Блинков Сергей Дмитриевич. Дата публикации: 1998-04-20.

Method of separating animal raw material

Номер патента: CA1099139A. Автор: Poul Filstrup. Владелец: De Laval Separator Co. Дата публикации: 1981-04-14.

Method of processing plant raw materials

Номер патента: CA2528242C. Автор: Viktor Ivanovich Roschin,Vagif Sultanovich Sultanov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-18.

Method of transforming hydrocarbon raw materials into synthesis-gas

Номер патента: RU2643543C2. Автор: Питер Уилльям Фарнелл. Владелец: Джонсон Мэтти Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2018-02-02.

Method of cleaning hydrocarbon raw materials

Номер патента: RU2629939C2. Автор: Изабелль ВИЛЛЬШАНЖ,Том ФРИЗИНГ. Владелец: Аксенс. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of low-autogenous raw material processing in flash smelting furnaces

Номер патента: RU2614293C2. Автор: Роман Валерьевич Старых,Леонид Владимирович Крупнов,Владимир Борисович Фомичев,Вадим Анатольевич Шаповалов,Светлана Игоревна Синёва,Роман Александрович Пахомов,Сергей Аркадьевич Логинов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Институт Гипроникель". Дата публикации: 2017-03-24.

Improvements in or relating to methods of enriching valuable raw materials

Номер патента: GB1242444A. Автор: R Saunal. Владелец: MINES D ANDERNY CHEVILLON SOC. Дата публикации: 1971-08-11.

Novel group IV metal precursors and a method of chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20020058843A1. Автор: Dae Kim,Young Cho,Wan Lee,Ik Lee,Yo Min,Sun Lim,Bo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of dehydration of ethanol to ethylene with low power consumption

Номер патента: RU2597422C2. Автор: Наташа ТУШЕ,Дельфин Мину,Вальтер ВЕРМЕЙРЕН,Венсан КУПАР,Стефани ФЛЕРЬЕ,Сенди АДАМ,ПЕНАС Элена ГОНСАЛЕС,СМЕДТ Филип ДЕ. Владелец: Тоталь Рисерч Энд Текнолоджи Фелюи. Дата публикации: 2016-09-10.

A kind of preparation method of pitavastatin calcium raw material drug intermediate

Номер патента: CN104031034B. Автор: 蒋俊,肖志勇,李丁,尹小华. Владелец: SHANGHAI SINE PROMD PHARMACEUTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2017-01-04.

A kind of preparation method of Cefmenoxime Hcl raw material

Номер патента: CN106117246B. Автор: 芦红代. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-27.

The method of processing hydrocarbon raw materials

Номер патента: SU448651A3. Автор: Эрнест Поллитцер. Владелец: Ойл Продактс Компани (Фирма). Дата публикации: 1974-10-30.

Preparation method of cefotetan disodium raw material medicine

Номер патента: CN112552316A. Автор: 张德武,刘晓彤,李军军,侯善波,凌瑜莲. Владелец: Shandong Yuxin Pharmaceutical Co ltd. Дата публикации: 2021-03-26.

Method of obtaining formaldehyde raw material with low water content

Номер патента: RU2338737C2. Автор: Уилль м Дэвид ПАРТЕН,Уилльям Дэвид ПАРТЕН. Владелец: ЛУСАЙТ ИНТЕРНЕЙШНЛ Ю Кей ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2008-11-20.

Pyridinesulfoneamide and its salts, hydrates and complexes with -alcohols useful in agriculture, herbicide compositions, method of struggle against weeds, method of struggle against foxtail (alopecurus), an intermediate compound for its synthesis

Номер патента: RU2117666C1. Автор: Тэрик Артур Андреа,Пауль Хсиао-Тсенг Лиэнг. Владелец: Е.И.Дю Пон де Немурс энд Компани. Дата публикации: 1998-08-20.

2,5-diamino-3,4-disubstituted-1,6-diphenylhexane isosteres comprising benzamide, sulfonamide and anthranilamide subunits and methods of using same

Номер патента: US5728718A. Автор: John W. Erickson,Ramnarayan S. Randad. Владелец: US Department of Health and Human Services. Дата публикации: 1998-03-17.

1-phenylimidazole compound, processes of its preparation, composition in which the compound is comprised, method of controlling articulates and use of the compound for preparing preparation used in veterinary medicine

Номер патента: CZ284626B6. Автор: Peter Wyatt Newsome,Tai-Teh Wu,Philip Reid Timmons,Gail Scotton Powell,David Teh-Wei Chou,David Neal Sinodis,Lee S. Hall. Владелец: Rhone-Poulenc Agrochimie. Дата публикации: 1999-01-13.

Method of preparing analytical sample, analytical sample, and compound for analytical sample preparation

Номер патента: WO2006030584A1. Автор: Shinichiro Nishimura,Hideyuki Shimaoka,Yasuro Shinohara,Jun-Ichi Furukawa. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION HOKKAIDO UNIVERSITY. Дата публикации: 2006-03-23.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF DEPOSITING THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20130236634A1. Автор: Lee Dong Ju,CHOI Sung Min,Kim Ok Hyun,LEE Heon Ho,KIM Jang Mi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-12.

Apparatus for chemical vapor deposition and cleaning method of chemical vapor deposition

Номер патента: KR101232900B1. Автор: 이창엽. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2013-02-13.

Chemical vapor deposition apparatus and methods of using the apparatus

Номер патента: SG133575A1. Автор: Michael Howard Rucker,Scott Andrew Weaver,George Theodore Dalakos,Daniel Joseph Lewis,Matthew David Saylor,Victor Lienkong Lou. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2007-07-30.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS AND METHOD OF FORMING FILM

Номер патента: US20220033964A1. Автор: Chen Pei-Yu,Hung Wan-Yu. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2022-02-03.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20150024147A1. Автор: Lee Jung-Sik,Heo Myung-Su,Jung Seok-Won. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-01-22.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING FILM

Номер патента: US20220170153A1. Автор: MORI Chikara,YAMAMURA Waichi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2022-06-02.

Gas distribution manifold system for chemical vapor deposition reactors and method of use

Номер патента: US20140224175A1. Автор: Arash Abedijaberi. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING FILM

Номер патента: US20190360094A1. Автор: MORI Chikara,YAMAMURA Waichi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2019-11-28.

Low temperature thermal chemical vapor deposition apparatus and method of synthesizing carbon nanotube using the same

Номер патента: KR100334351B1. Автор: 유재은,이철진. Владелец: 최규술. Дата публикации: 2002-04-25.

Thermal chemical vapor deposition apparatus and method of synthesizing carbon nanotubes using the same

Номер патента: US20010009693A1. Автор: Jae-eun Yoo,Cheol-jin Lee. Владелец: Iljin Nanotech Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Gas feeding system for chemical vapor deposition reactor and method of controlling the same

Номер патента: EP1038048B1. Автор: Kyu-Hong Lee,Won-Gu Kang,Sang-Won Kang. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-15.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: TW573040B. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Precursor Solution for Vapor Deposition and Fabrication Method of Thin Film Using the Same

Номер патента: KR102103346B1. Автор: 김상호,이상경,박용주,오한솔,황인천,홍창성. Владелец: 에스케이트리켐 주식회사. Дата публикации: 2020-04-22.

Biological sensor and method of creation of biological sensors

Номер патента: RU2527699C1. Автор: Юрий Викторович Стебунов,Алексей Владимирович Арсенин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет). Дата публикации: 2014-09-10.

Methods of making nanopowders, nanoceramic materials and nanoceramic components

Номер патента: US20220234959A1. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,Xiao Ming He. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

VAPOR DEPOSITION STRUCTURE, VAPOR DEPOSITION DEVICE, VAPOR DEPOSITION SYSTEM, AND METHOD OF USING VAPOR DEPOSITION STRUCTURE

Номер патента: US20210214840A1. Автор: LI Jing,Hu Bin,XIAO Peng,Liu Jinbiao,Shen Meng,YUE Xiaofei,TAN Rui,Rao Yong,LUO Nan,LI Youliang,Yi Xiuchao,Jia Xinxing,Jin Yajie. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Base material for vapor deposition mask, method of manufacturing base material for vapor deposition mask, and method of manufacturing vapor deposition mask

Номер патента: TWI713899B. Автор: 三上菜穗子,西辻清明,寺田玲爾,新納幹大,倉田真嗣,武田憲太,秋山純香. Владелец: 日商凸版印刷股份有限公司. Дата публикации: 2020-12-21.

Silicon monoxide vapor deposition material, process for producing the same, raw material for producing the same, and production apparatus

Номер патента: EP1318207A4. Автор: Makoto Fujita,Tadashi Ogasawara,Shingo Kizaki,Kazuo Nishioka,Nobuhiro Arimoto. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-16.

Silicon monoxide vapor deposition material, process for producing the same, raw material for producing the same, and production apparatus

Номер патента: EP1318207A1. Автор: Makoto Fujita,Tadashi Ogasawara,Shingo Kizaki,Kazuo Nishioka,Nobuhiro Arimoto. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-11.

Silicon monoxide vapor deposition material process for producing the same raw material for producing the same, and production apparatus

Номер патента: CN1451057A. Автор: 小笠原忠司,木崎信吾,西冈和雄,有本伸弘,藤田诚. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-22.

Method for connecting aluminum nitride ceramic plate and metal based on PVD (physical vapor deposition) deposition method

Номер патента: CN109136848B. Автор: 李响,张宏凯,宋忠孝,李雁淮. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2020-04-28.

Ceramic plate and metal film connecting method based on PVD (physical vapor deposition) deposition method

Номер патента: CN114685178A. Автор: 周睿,宋忠孝,王志博,杨添皓,张恩永. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-01.

PHYSICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF DEPOSITING PHASE-CHANGE MATERIALS USING THE SAME

Номер патента: US20160102396A1. Автор: WU Zhe,Park Jeong-Hee,Park Jung-Hwan,Ahn Dong-ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Copper physical vapor deposition targets and methods of making copper physical vapor deposition targets

Номер патента: US20070251818A1. Автор: Susan Strothers,Wuwen Yi. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: US6451222B1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-09-17.

Evaporator, vapor deposition apparatus, and method of switching evaporator in vapor deposition apparatus

Номер патента: TW200613575A. Автор: Tetsuya Inoue,Hiroyuki Daiku,Yoshiyasu Maeba,Kazuhito Suzuki,Yuji Matsumoto. Владелец: Hitachi Shipbuilding Eng Co. Дата публикации: 2006-05-01.

Securing Base, Vapor Deposition Apparatus and Method of Measuring Deformation of To-Be-Treated Substrate

Номер патента: US20170101714A1. Автор: HUANG Lei. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

VAPOR DEPOSITION SYSTEM AND METHOD OF OPERATING

Номер патента: US20160024651A1. Автор: Faguet Jacques. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

POLYLACTIC ACID FORMED BODY HAVING A VAPOR-DEPOSITED FILM AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20150030792A1. Автор: Yamazaki Kazuhiko,OZAWA Satomi,ITO Takuro,Kito Satoru. Владелец: TOYO SEIKAN GROUP HOLDINGS, LTD.. Дата публикации: 2015-01-29.

Ceramic compositions, physical vapor deposition targets and methods of forming ceramic compositions

Номер патента: US6277254B1. Автор: Jianxing Li,Qi Tan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2001-08-21.

Exhaust system for vapor deposition reactor and method of using the same

Номер патента: US6572924B1. Автор: Michael W. Halpin. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2003-06-03.

Evaporation source, vapor deposition apparatus and method of film formation

Номер патента: KR101167547B1. Автор: 도시오 네기시. Владелец: 가부시키가이샤 알박. Дата публикации: 2012-07-20.

Physical vapor deposition targets and methods of formation

Номер патента: KR100642881B1. Автор: 바산쓰 모한,지앙씽 리,티모띠 에이. 스캇. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2006-11-10.

Plasma processing apparatus, deposition method, method of manufacturing metal plate having dlc film, method of manufacturing separator, and method of manufacturing article

Номер патента: US20120045591A1. Автор: Ge Xu. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Deposition apparatus, deposition method, method of manufacturing liquid crystal device

Номер патента: US20080075856A1. Автор: Hiroyuki Kojima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Capacitor for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20070004133A1. Автор: Moon-han Park,Ho-kyu Kang,Seok-jun Won,Yong-kuk Jeong,Hong-Ki Kim,Kyung-hun Kim,Myong-Geun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-04.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of carrying out plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR100293961B1. Автор: 데쓰야 다구와. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2001-08-07.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR EPITAXIAL THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20150037920A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Sung Tae,MAENG Jong Sun,SHIM Hyun Wook. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Oled display panel and encapsulating method of same

Номер патента: US20210408459A1. Автор: Lei Zhao. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

VAPOR DEPOSITION APPARATUS, METHOD OF FORMING THIN FILM BY USING VAPOR DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20140113395A1. Автор: Kim Jae-Hyun,JUNG Suk-Won,Huh Myung-Soo,Kim Jin-Kwang,Key Sung-Hun,KIM In-Kyo,Shim Chang-Woo,JANG Cheol-Min. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

Method of consumer/producer raw material selection

Номер патента: US20150006112A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Emmanuel Yashchin,Michael S. Gordon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Vapor deposition mask, vapor deposition mask device, method of producing vapor deposition mask, method of producing vapor deposition mask device and method of producing sheet shape member for vapor deposition mask

Номер патента: KR101359045B1. Автор: 가즈야 오가와. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-02-05.

Bottom gate type thin film transistor, its manufacturing method and liquid crystal display device using the same

Номер патента: WO2002001603A3. Автор: Teizo Yukawa. Владелец: Teizo Yukawa. Дата публикации: 2002-08-08.

Bottom gate type thin film transistor, its manufacturing method and liquid crystal display device using the same

Номер патента: EP1297568A2. Автор: Teizo Yukawa. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-04-02.

Vapor deposition mask and method of depositing using the same

Номер патента: KR100637226B1. Автор: 김형민,남궁성태,조영수,금지환,지창순. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2006-10-23.

Manufacturing method of graphene modulated high-k oxide and metal gate mos device

Номер патента: US20160005609A1. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-01-07.

VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20140026814A1. Автор: Kim Jae-Hyun,Huh Myung-Soo,Kim Jin-Kwang. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20140134768A1. Автор: Kim Jae-Hyun,KIM Sung-Chul,JUNG Suk-Won,Huh Myung-Soo,Kim Jin-Kwang,Key Sung-Hun,KIM In-Kyo,Shim Chang-Woo,JANG Cheol-Min. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-05-15.

VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20140174360A1. Автор: JUNG Suk-Won,Huh Myung-Soo,Kim Jin-Kwang,Jang Choel-Min,KIM In-Kyo. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of fabricating a TFT-EL pixel

Номер патента: US5550066A. Автор: Ching W. Tang,Biay C. Hseih. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1996-08-27.

Organic zinc precursor and ZnO thin-film deposition by MOCVD

Номер патента: US7514586B2. Автор: Chrong-Ching Lee,Ren-Bor Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-07.

Novel bismuth precursors for cvd/ald of thin films

Номер патента: WO2009059237A3. Автор: Jeffrey F. Roeder,Matthias Stender,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron,Bryan C. Hendrix,William Hunks,Gregory T. Stauf. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2009-09-24.

Cnt assembled thin film modified steel wire array electrode, preparation method and application thereof

Номер патента: US20210325294A1. Автор: Jigang Zhang,Zuquan Jin,Jianlin Luo,Xueqing Zhu. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-21.

CNT assembled thin film modified steel wire array electrode, preparation method and application thereof

Номер патента: US11604135B2. Автор: Jigang Zhang,Zuquan Jin,Jianlin Luo,Xueqing Zhu. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-03-14.

Chemical film on substrate and method of forming the same, method of forming paracyclophane containing functional ground with disulfide bond

Номер патента: US10246412B2. Автор: Chih-Yu Wu,Hsien-Yeh Chen,Zhen-Yu Guan. Владелец: May-Hwa Enterprise Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Method of producing oxide catalyst and method of producing unsaturated nitrile

Номер патента: RU2720967C1. Автор: Эри ТАТЕНО,Минору КАДОВАКИ. Владелец: Асахи Касеи Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-05-15.

Method of producing water-soluble salt form of echinochrome a, suitable for use in pharmacological and food industry

Номер патента: RU2697197C1. Автор: Эмма Павловна Козловская,Александр Алексеевич Артюков,Елена Владимировна Купера,Татьяна Анатольевна Руцкова,Вячеслав Валентинович Маханьков,Татьяна Юрьевна Кочергина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Тихоокеанский институт биоорганической химии им. Г.Б. Елякова Дальневосточного отделения Российской академии наук (ТИБОХ ДВО РАН). Дата публикации: 2019-08-13.

Method of forming paracyclophane containing functional group with disulfide bond

Номер патента: US10336692B2. Автор: Chih-Yu Wu,Hsien-Yeh Chen,Zhen-Yu Guan. Владелец: May-Hwa Enterprise Corp. Дата публикации: 2019-07-02.

Method of producing propanal by hydroformylation of ethylene in diluted gas streams

Номер патента: RU2737189C1. Автор: Антон Львович Максимов,Эдуард Аветисович Караханов,Дмитрий Николаевич Горбунов,Юлия Сергеевна Кардашева,Игорь Владимирович Седов,Сергей Викторович Кардашев,Мария Владимировна Ненашева,Алексей Витальевич Никитин,Мария Владимировна Теренина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН). Дата публикации: 2020-11-25.

Method of sputtering a carbon protective film on a magnetic disk with high sp3 carbon.

Номер патента: MY124998A. Автор: PENG Gang,YAMASHITA Tsutomu,Chen Tu,Hong Liu Wen. Владелец: Komag Incorporated. Дата публикации: 2006-07-31.

Method of operating filament assisted chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2012112334A2. Автор: Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2012-08-23.

Chemical vapor deposition system arrangement

Номер патента: US20160053375A1. Автор: William David Grove,Nicholas Peter Deskevich. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

High surface area, high porosity iridium-based catalyst and method of making

Номер патента: WO2024145088A1. Автор: Chunqing Liu,Dennis F. VAN DER VLIET,Zhanyong LI,Stacey DEPTUCH. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

High surface area, high porosity iridium-based catalyst and method of making

Номер патента: US20240218538A1. Автор: Chunqing Liu,Dennis F. VAN DER VLIET,Zhanyong LI,Stacey DEPTUCH. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and apparatus of forming thin films

Номер патента: US5755888A. Автор: Shigenori Hayashi,Hideo Torii,Ryoichi Takayama,Eiji Fujii. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Method of reducing stress-induced mechanical problems in optical-quality thin films

Номер патента: EP1302792A3. Автор: Luc Ouellet,Jonathan Lachance. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-04.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Shell connection device and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: LU505605B1. Автор: Haibo Huo. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2024-05-24.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CuInXGa1- X(SeyS1-y)2 THIN FILMS AND USES THEREOF

Номер патента: WO2008151067A3. Автор: Tim Anderson,W K Kim. Владелец: W K Kim. Дата публикации: 2009-02-19.

Method of forming a conformal oxide film

Номер патента: US20020106907A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Method to reduce plasma charge damage from high density plasma chemical vapor deposition (hdp-cvd) process

Номер патента: US20080146039A1. Автор: Daewon Yang,Jeffery B. Maxson,Ann N. McDonald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article

Номер патента: US20180163308A1. Автор: David A. Smith. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20170167015A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Susceptor and apparatus for cvd with the susceptor

Номер патента: US20120031338A1. Автор: Won Shin LEE. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Method of processing iron-ore raw material (versions)

Номер патента: RU2087543C1. Автор: П. Хейджер Джон,А. Стеффенс Фрэнк,М. Стеффанс Фрэнк (младший). Владелец: Айрон Карбайд Холдингз Лимитед. Дата публикации: 1997-08-20.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: EP2906738A1. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2015-08-19.

Novel coating method of complex 3d structures using low pressure chemical vapor deposition

Номер патента: US20240102167A1. Автор: William C. West,Matthew R. Dickie,Harold Frank GREER,Billy Chun-Yip Li,Su C. Chi. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-03-28.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: EP1230420A1. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-14.

Atomic layer or chemical vapor deposition process for nitride or oxide films

Номер патента: WO2023150265A1. Автор: PRASAD NARHAR GADGIL,Peter Joseph DUSZA. Владелец: PRASAD NARHAR GADGIL. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition

Номер патента: US20010048171A1. Автор: Jitendra Goela,Michael Pickering,Zlatko Salihbegovic,Mitch Boudreaux. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2001-12-06.

Variable-temperature vapor deposition process

Номер патента: US20240209498A1. Автор: Paul Connolly Quayle. Владелец: Great Lakes Crystal Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Compound, thin-film forming raw material, thin-film, and method of producing thin-film

Номер патента: US20240318304A1. Автор: Masako HATASE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and apparatus for CVD using liquid delivery system with an ultrasonic nozzle

Номер патента: US5451260A. Автор: Rishi Raj,Vera A. Versteeg,C. Thomas Avedisian. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 1995-09-19.

Manufacturing method of thermoacoustic emitter based on graphene

Номер патента: RU2724227C1. Автор: Дмитрий Владимирович Смовж,Павел Евгеньевич Маточкин,Илья Алексеевич Костогруд,Евгений Викторович Бойко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2020-06-22.

Method of making a multilayer tool surface with PCNA interruption of CVD, and tool made by the process

Номер патента: US5869147A. Автор: Udo KÖNIG. Владелец: Widia GmbH. Дата публикации: 1999-02-09.

Method of forming highly adhesive copper thin films on metal nitride substrates via CVD

Номер патента: US20030031790A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Precursor selection method for chemical vapor deposition techniques

Номер патента: US20080243460A1. Автор: Timothy P. Holme,Masayuki Sugawara,Friedrick B. Prinz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-02.

Aerosol-assisted chemical vapor deposition of nickel sulfide nanowires for electrochemical water oxidation

Номер патента: US20230407497A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for preventing vacuum pump pipeline from blockage, and chemical vapor deposition machine

Номер патента: US20200208262A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

DRYER FOR WET RAW MATERIALS AND METHOD OF DRYING WET RAW MATERIALS

Номер патента: RU2007141399A. Автор: Ацуси ФУДЗИКАВА,Казуси КИСИГАМИ,Удаи КАНЕКО,Ацуси ФУДЗИКАВА (JP),Казуси КИСИГАМИ (JP),Удаи КАНЕКО (JP). Владелец: Ниппон Стил Инджиниринг Ко., Лтд. (Jp). Дата публикации: 2009-05-20.

Organometallic chemical vapor deposition of films utilizing organic heterocyclic compounds

Номер патента: US4509997A. Автор: Peter J. Wright,Brian Cockayne,Richard J. M. Griffiths. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1985-04-09.

Method for preparing an optical ZnS material from zinc and sulfur raw material sources by using a feeding device to replenish the sulfur raw material source

Номер патента: US11746438B2. Автор: Xu Zhang,Xun Qian,Cunxin Huang,Hongtao Xiao,Kehong Zhang. Владелец: Sinoma Synthetic Crystals Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Metal organic chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: US20130095658A1. Автор: Chien-Chih Chen,Ching-Chiun Wang,Chih-Yung Huang,Szu-Hao Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: MY174019A. Автор: Wenjun Qin,Aaron D Rhodes,Chad Fero,Jeffrey C Gum. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: WO2014100401A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron D. RHODES. Владелец: GTAT CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-26.

Methods and Systems for Stabilizing Filaments in a Chemical Vapor Deposition Reactor

Номер патента: US20140170337A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron Dean Rhodes. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Processing system and method for chemical vapor deposition

Номер патента: EP1100980A2. Автор: Joseph T. Hillman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-05-23.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: CA1268688A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-05-08.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: US4705700A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-11-10.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US10556799B2. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-02-11.

Apparatus and method for chemical vapor deposition control

Номер патента: EP2580368A1. Автор: Eric J. Strang,Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Thin film diamond coating system and method

Номер патента: US20180127871A1. Автор: Adam Khan,Robert Polak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-10.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20170096345A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-04-06.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20180339907A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-11-29.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: US20220372201A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of forming refractory metal contact in an opening, and resulting structure

Номер патента: US20030165705A1. Автор: Jed Rankin,William Murphy,Randy Mann,Jonathan Chapple-Sokol,Daniel Vanslette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-04.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20020051847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: WO2021163025A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: Drexel Uniiversity. Дата публикации: 2021-08-19.

Lanthanum cerium oxide thin film and its preparation thereof

Номер патента: MY153033A. Автор: Cheong Kuan Dr Yew,Zainovia Dr Lockman,Lim Way Foong. Владелец: Univ Sains Malaysia. Дата публикации: 2014-12-31.

Coated bodies made of metal, solid alloy, cermet or ceramic and method of coating said bodies

Номер патента: RU2563080C2. Автор: Ингольф ЭНДЛЕР,Мэнди ХЁН. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2015-09-20.

Inverted diffusion stagnation point flow reactor for vapor deposition of thin films

Номер патента: CA2016970A1. Автор: Prasad N. Gadgil. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 1991-11-16.

Systems and methods for production of graphene by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20140255621A1. Автор: Peter V. Bedworth,Steven W. Sinton. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Method of forming refractory metal contact in an opening, and resulting structure

Номер патента: US20040191562A1. Автор: Jed Rankin,William Murphy,Randy Mann,Jonathan Chapple-Sokol,Daniel Vanslette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Corrosion-resistant coated article and thermal chemical vapor deposition coating process

Номер патента: US12036765B2. Автор: Min YUAN. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20240175135A1. Автор: Sung-Chul Choi,Kwang-Il Cho. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Chemical vapor deposition of thick inorganic coating on a polarizer

Номер патента: US11746418B2. Автор: Brian Johnson,Matthew R. Linford,Anubhav Diwan. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of determining deposition temperature

Номер патента: US20040146643A1. Автор: Wen-Cheng Lien,Shih-Liang Chou,Tsung-De Lin,Tian-Jue Hong,Tsung-Chin Wu,Kou-Yow Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: EP1204782A1. Автор: Robert J. Bailey,Thomas E. Kane,Lisa H. Michael. Владелец: Silicon Valley Group Thermal Systems LLC. Дата публикации: 2002-05-15.

CONTAMINATION CONTROL METHOD OF VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER

Номер патента: US20160097144A1. Автор: NOGAMI Syouji. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-04-07.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US20160060763A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Fluorine compounds for doping conductive oxide thin films

Номер патента: US20110070371A1. Автор: Xiaonan Li,Carrie L. Wyse,Robert Torres, Jr.,Teresa M. Barnes,Tim Gessert. Владелец: Matheson Tri-Gas Inc. Дата публикации: 2011-03-24.

Continuous-feed chemical vapor deposition system

Номер патента: US20230002906A1. Автор: Yaakov Gridish,Elad Mentovich,Yaniv Rotem,Doron NAVEH,Chen STERN,Yosi BEN-NAIM,Ariel Ismach,Tal KAUFMAN,Eran BAR-RABI. Владелец: Simtal Nano Coatings Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Method of in-situ cleaning for LPCVD TEOS pump

Номер патента: US6498104B1. Автор: David Chi,Kent Kuohua Chang,Fuodoor Gologhlan,Hector Serrato. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-12-24.

Three-Dimensional Photoresists via Functionalization of Polymer Thin Films Fabricated by iCVD

Номер патента: US20130260054A1. Автор: Karen K. Gleason,Christy D. Petruczok. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-10-03.

Process for the deposition of thin layers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20020127338A1. Автор: Annette Saenger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

AEROSOL-ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND NiVOx MATERIAL FOR ELECTROCHEMICAL WATER OXIDATION

Номер патента: US20240044026A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of purifying carbonate raw material for preparation of calcium oxide

Номер патента: SU573449A1. Автор: Аркадий Фальевич Долкарт,Николай Тимофеевич Мороз,Владимир Иванович Корецкий,Виктор Георгиевич Батыгин,Нелля Абрамовна Чернякова,Алевтина Васильевна Коблицкая,Петр Павлович Соколовский. Владелец: Предприятие П/Я А-3732. Дата публикации: 1977-09-25.

Method of processing vegetable raw material for producing biomass of fodder yeast and/or ethyl alcohol

Номер патента: SU1218927A3. Автор: Надь Дьюла,Керекеш Роберт,Шомодьи Пал,Резешши Юдит,Болдижар Вайда. Владелец: Йозеф Аттила Мг Тсз,Внр (Инопредприятие). Дата публикации: 1986-03-15.

Method of melting glass raw material, method of manufacturing molten glass, method of manufacturing glass product, and in-air melting apparatus and glass beads

Номер патента: JPWO2012043484A1. Автор: 誠司宮崎,知之辻村,宮崎　誠司. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of coloring polyeseter raw material and colored material thereby

Номер патента: JPS5382855A. Автор: Ikubaru Aburu,Riinharuto Pauru. Владелец: Ciba Geigy AG. Дата публикации: 1978-07-21.

Chemical vapor deposition method of silicon dioxide film

Номер патента: US5360646A. Автор: Katsumi Morita. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1994-11-01.

Method for producing articles by chemical vapor deposition and the articles produced therefrom

Номер патента: CA2068152A1. Автор: Thomas R. Anthony,Robert H. Ettinger,Charles D. Iacovangelo,William L. Mowrey,Sidney P. Young,David W. Woodruff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-12-13.

Process for chemical vapor deposition of transition metal nitrides

Номер патента: WO1991008322A1. Автор: Roy G. Gordon,Renaud Fix,David Hoffman. Владелец: President and Fellows of Harvard College. Дата публикации: 1991-06-13.

Method of forming a film on a substrate by chemical vapor deposition

Номер патента: US11885022B2. Автор: Waichi Yamamura,Chikara MORI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20180258529A1. Автор: James B. Mattzela,Paul H. Silvis,Gary A. Barone,Thomas F. Vezza,William David Grove. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Chemical vapor deposition furnace with a cleaning gas system to provide a cleaning gas

Номер патента: US12077854B2. Автор: Herbert Terhorst,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Theodorus G. M. Oosterlaken,Lucian JDIRA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

METHOD OF PRODUCING CARBIDE RAW MATERIAL

Номер патента: US20180087186A1. Автор: Chen Hsueh-I,Ma Dai-liang,Yu Bang-Ying,Ko Cheng-Jung,Lin Bo-Cheng,YEH SHU-YU. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

METHOD OF TREATING RECYCLABLE RAW MATERIALS

Номер патента: US20150337409A1. Автор: Oguma Nobuhiro,Tanaka Fumito. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-26.

METHOD OF PROCESSING HYDROCARBON RAW MATERIALS

Номер патента: SU432726A3. Автор: . Владелец: Иностранна фирма Юниверсал Ойл Продактс Компани. Дата публикации: 1974-06-15.

Method of obtaining resin raw material for making moulded carbon articles

Номер патента: SU635883A3. Автор: Араки Тадаси,Отани Сугио,Ватанабе Содзи. Владелец: Тойо Босеки Кабусики Кайся (Фирма). Дата публикации: 1978-11-30.

Method of melting mineral raw material

Номер патента: SU675004A1. Автор: Самандар Гадельманович Искандеров,Иннокентий Иванович Шандровский,Абдуразак Абдукаимович Абдувасиков,Николай Александрович Скорынин. Владелец: Среднеазиатский Филиал Всесоюзного Научно-Исследовательского Института Использования Газа В Народном Хозяйстве И Подземного Хранения Нефти, Нефтепродуктов И Ожиженных Газов. Дата публикации: 1979-07-25.

Method of processing petroleum raw material

Номер патента: SU703028A3. Автор: Артур Гембики Стэнли,Айвор Хаммерман Джон. Владелец: Юоп Инк (Фирма). Дата публикации: 1979-12-05.

Method of heavy oil raw material processing

Номер патента: SU719511A3. Автор: Аиба Такааки,Исихара Такао,Озаки Киедзи,Синозука Тосио,Изуми Масато,Кадзи Хисацугу,Сумида Ютака,Наканиси Хадзиме. Владелец: Чиеда Кемикал Инджиниринг Энд Констракшн Ко. Лтд (Фирма). Дата публикации: 1980-02-29.

Method of processing oil raw material

Номер патента: SU740810A1. Автор: Фаниль Абдуллович Арсланов,Гумер Гарифович Теляшев,Евдокия Тимофеевна Китанова,Ринат Гаделович Гареев,Флиза Шарифкулловна Мунирова. Владелец: Предприятие П/Я В-8338. Дата публикации: 1980-06-15.

METHOD OF PREPARING CHLOROMAGNY RAW MATERIALS

Номер патента: SU379672A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1973-04-20.

Two-stage hydrotreating method of poor-quality raw material

Номер патента: CN104611014A. Автор: 曾榕辉,曹均丰,白振民,单利. Владелец: Sinopec Fushun Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2015-05-13.

A method of utilizing lignocellulose raw material coproduction high concentration xylose and xylo-oligosaccharide

Номер патента: CN105907896B. Автор: 王琼,余强,袁振宏,谭雪松,庄新姝,亓伟,王闻,卞士祥,周桂雄. Владелец: Guangzhou Institute of Energy Conversion of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Recharging method of polycrystalline silicon raw material

Номер патента: JP5777336B2. Автор: 英生加藤,聡子吉村,加藤　英生,武士二宮. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2015-09-09.

Method of smelting mineral raw material

Номер патента: SU881010A1. Автор: Станислав Александрович Гусев,Виктор Владимирович Быков,Алексей Никитович Чистов. Владелец: Производственное Объединение "Термоприбор. Дата публикации: 1981-11-15.

Method of processing oil raw material

Номер патента: SU777050A1. Автор: Геннадий Васильевич Тараканов,Андраник Киракосович Мановян,Владимир Валентинович Лозин. Владелец: Предприятие П/Я Р-6518. Дата публикации: 1980-11-07.

The method of processing leather raw materials

Номер патента: RU2016119844A. Автор: Сергей Алексеевич Сколков,Алсу Мансуровна Бикмухаметова,Марьям Гасановна Гасанова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-28.

Method of obtaining slag raw material

Номер патента: SU604478A3. Автор: Х.Эванс Раймонд. Владелец: Дзе Калюмит Компани, (Фирма). Дата публикации: 1978-04-25.

Purification method of chalcogenide glass raw material

Номер патента: JPH0699164B2. Автор: 準治西井,隆司山岸,郁夫稲川. Владелец: 非酸化物ガラス研究開発株式会社. Дата публикации: 1994-12-07.

Preparation method of magnesium alloy raw material for 3D printing and printing method thereof

Номер патента: CN110681858A. Автор: 黄灿,张昆,周志明,涂坚,王远刚,直妍,黄墁. Владелец: Chongqing University of Technology. Дата публикации: 2020-01-14.

Method of preparing cement raw material

Номер патента: SU676190A3. Автор: Эрик Гуде Клаус,Лунд Бьерн. Владелец: А/О Ниро Атомайзер (Фирма). Дата публикации: 1979-07-25.

A method of aweto mycelium raw material is produced using mutagenic strain

Номер патента: CN105586271B. Автор: 李婷婷,王雪梅,刘伟民,程宇,王冲之,伍娟. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2019-04-02.

Method of processing plant raw materials

Номер патента: CA2528242A1. Автор: Viktor Ivanovich Roschin,Vagif Sultanovich Sultanov. Владелец: Vagif Sultanovich Sultanov. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of producing hydrocarbon raw material from lignin

Номер патента: RU2486303C2. Автор: Александр И. Куперман,Уилльям Лоуренс ШИНСКИ,Цзиньи Хань,Дуглас Джин НААЕ. Владелец: ШЕВРОН Ю. Эс. Эй. ИНК.. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of grinding hot raw material and scavenging vertical mill, and channel-like segment

Номер патента: JP6653270B2. Автор: アレキサンダークロコウ. Владелец: ロエシェゲーエムベーハー. Дата публикации: 2020-02-26.

The method of processing hydrocarbon raw materials

Номер патента: SU508165A3. Автор: Гибберт Адамс Фрэнк,Фрэнсис Андерсон Роберт. Владелец: Юниверсал Ойл Продактс Компани (Фирма). Дата публикации: 1976-03-25.

Charge descending condition grasping method of blast furnace raw material

Номер патента: JPS563606A. Автор: Akira Taniguchi,Ryuji Kita,Takayuki Sugawara,Isao Nishida,Hironori Aoki,Yoshihiro Kawatani. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1981-01-14.

Continuous preparation method of oil-based raw material for mesophase pitch production

Номер патента: CN112852462B. Автор: 刘�东,杜辉,袁辉志,张建国,段雅静,沈国波,付玉娥,柴鲁宁. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2022-05-17.

Preparation method of leaf fertilizer raw material by using tanning chromium-containing leather scraps

Номер патента: CN112592223B. Автор: 龚俊豪,夏爽,李霄,段宝荣,王全杰,刁屾,闫博雯,张傲东,胡宏智,葛淑华. Владелец: YANTAI UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-22.

A method of processing hydrocarbon raw materials containing sulfur, ash and asphaltenes

Номер патента: SU476752A3. Автор: Карл Теодор Глейм Вильям,Джорж Гатсис Джон,Джозеф О Хара Марк. Владелец: Юниверсал Ойл Продактс Компани (Фирма). Дата публикации: 1975-07-05.

Pretreatment and extraction separation method of tungsten-molybdenum raw material solution

Номер патента: CN114369719B. Автор: 张贵清,王明玉,曾理,巫圣喜,李青刚,曹佐英,关文娟,夏新兵,方开元,施崇龙. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-10-18.

The method of preparation harmegnies raw materials for electrolysis

Номер патента: SU532569A1. Автор: Александр Иванович Каравайный,Константин Филиппович Житков,Геннадий Иванович Белкин,Николай Николаевич Хавский,Степан Павлович Соляков,Виталий Васильевич Крюков,Юрий Ромилович Смирнов,Владимир Алексеевич Агалаков,Вячеслав Михайлович Нечаев,Вадим Иосифович Жуков. Владелец: Соликамский магниевый завод. Дата публикации: 1976-10-25.

Electrochemical preparation method of phosgene synthesis raw material

Номер патента: CN111575732A. Автор: 曲涛,杨斌,戴永年,施锦,吴帅,段亚建,华雅鑫,李朝娟. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-08-25.

Refining method of pineapple-aroma raw material and application

Номер патента: CN105602732A. Автор: 李志华,吴彦,周晓,韦康,薛云,刘绍华,陈义昌,白家峰,黄东业. Владелец: China Tobacco Guangxi Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-25.

METHOD OF DESULPTING DISTILLATED RAW MATERIALS

Номер патента: EA200701421A1. Автор: Кеннет П. КЕКЛЕР,Джеффри Т. МИЛЛЕР,Джэнет Л. Единак,Рассел Р. Симпсон. Владелец: Бп Корпорейшн Норт Америка Инк.. Дата публикации: 2007-12-28.

Method of utilizing secondary raw materials containing iron, zinc and lead

Номер патента: CA2321311A1. Автор: Wolfgang Dittrich,Diethart Langbein,Eberhard Saage,Uwe Hasche. Владелец: BUS Zinkrecycling Freiberg GmbH and Co KG. Дата публикации: 2001-03-28.

Method of utilizing secondary raw materials containing iron, zinc and lead

Номер патента: TW460586B. Автор: Wolfgang Dittrich,Diethart Langbein,Eberhard Saage,Uwe Hasche. Владелец: Bus Zinkrecycling Freiberg. Дата публикации: 2001-10-21.

Conditioning method of crude pigment raw material using homocyclic organic solvent

Номер патента: JP2845930B2. Автор: ジョン、ヘンリー、バンチェス,トーマス、エドワード、ドネガン,デイビット、エル、バッカー. Владелец: BII EI ESU EFU CORP. Дата публикации: 1999-01-13.

Purification method of gypsum-containing raw material

Номер патента: CN108946783B. Автор: 张超,武占月,任佳楠. Владелец: Beijing Zhongjin Ruifeng Environmental Protection Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-22.

Method for etching and controlled chemical vapor deposition

Номер патента: US4468283A. Автор: Irfan Ahmed. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-08-28.

Prevention of low pressure chemical vapor deposition silicon dioxide undercutting and flaking

Номер патента: CA1166129A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Chemical vapor deposition method and coatings produced therefrom

Номер патента: CA2393531C. Автор: William J. Dalzell, Jr.,Miodrag Oljaca,Andrew T. Hunt,Subramaniam Shanmugham,Girish Deshpande,Shara S. Shoup,Jan Tzyy-Jiuan Hwang,Nii Sowa Laye,Trifon Tomov,Aimee Poda,Michelle Hendrick. Владелец: Microcoating Technologies Inc. Дата публикации: 2011-02-15.

Method of forming a Ta2 O5 dielectric layer, method of forming a capacitor having a Ta2 O5 dielectric layer, and capacitor construction

Номер патента: US5814852A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5576071A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-11-19.

Process and apparatus for supplying zinc vapor continuously to a chemical vapor deposition process from a continuous supply of solid zinc

Номер патента: US5383969A. Автор: Michael A. Pickering,Jeffery L. Kirsch,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Method of producing tungsten rhenium alloys by chemical vapor deposition

Номер патента: US3637374A. Автор: Frederick A Glaski,Robert A Holzi,James R Humphrey. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1972-01-25.

Method of making a porous sintered body, a compound for making the porous sintered body, and the porous sintered body

Номер патента: US11819917B2. Автор: Shigeo Tanaka,Shinji Ishida,Kazuaki Nishiyabu. Владелец: Taisei Kogyo KK. Дата публикации: 2023-11-21.

Chemical vapor deposition apparatus for forming thin film

Номер патента: US5209182A. Автор: Tomohiro Ohta,Eiichi Kondoh,Kenichi Otsuka,Tohru Mitomo,Hiroshi Sekihashi. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1993-05-11.

Selective area chemical vapor deposition

Номер патента: CA2028438C. Автор: Michael A. Pickering,Raymond L. Taylor,Joseph T. Keeley,Jitendra Singh Goela. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1993-11-30.

Method for the production of highly pure copper thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US5441766A. Автор: Hyung S. Choi,Young S. Cho,Chong J. Lim,Soon T. Hwang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1995-08-15.

Gas delivering apparatus for chemical vapor deposition

Номер патента: US6123776A. Автор: Kuen-Jian Chen,Horng-Bor Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-09-26.

CVD method of depositing copper films by using improved organocopper precursor blend

Номер патента: US6110530A. Автор: Ling Chen,Bo Zheng,Seshadri Ganguli,Christophe Marcadal,Samuel Wilson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-08-29.

Triangular deposition chamber for a vapor deposition system

Номер патента: CA2120092C. Автор: Jitendra S. Goela,Lee E. Burns,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Method of producing silicate fluorescent material, silicate fluorescent material, and light emitting device

Номер патента: US20210371975A1. Автор: Shoji Hosokawa,Kazuya NISHIMATA,Ryuta MIYAI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods

Номер патента: US20230072705A1. Автор: Prerna Goradia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-04-13.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20100200757A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Method for direct formation of origami 3d graphene on copper foil using chemical vapor deposition

Номер патента: US20240052481A1. Автор: Haijun LIU,Thuc Hue LY,Quoc Huy THI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-02-15.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A9. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20130341513A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2013-12-26.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20200040447A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413176A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of making composite articles from silicon carbide

Номер патента: US20200040449A1. Автор: William F Fischer, III,Walter Wrigglesworth, III,Lauren Montgomery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

A Reforming Method of Poly Lactic Acid, A Bio Degradable Compounds for Foam Using therof and A Foam for Shoes Using therof

Номер патента: KR101563397B1. Автор: 최면천. Владелец: 최면천. Дата публикации: 2015-10-26.

Grape skin compositions and compounds, and methods of preparation and use therefor

Номер патента: NZ790328A. Автор: Joshua Ruffell. Владелец: Phantasm Ltd. Дата публикации: 2023-06-30.

Grape skin compositions and compounds, and methods of preparation and use therefor

Номер патента: AU2021288251A1. Автор: Joshua Ruffell. Владелец: Phantasm Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Grape skin compositions and compounds, and methods of preparation and use therefor

Номер патента: US20230022145A1. Автор: Joshua Ruffell. Владелец: Phantasm Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

High-strength material coated article made from metal, solid alloy, cermet or ceramic and method of making said articles

Номер патента: RU2588933C2. Автор: Ингольф ЭНДЛЕР,Себастьян ШОЛЬЦ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-07-10.

Apparatus for forming thin film

Номер патента: US5010842A. Автор: Masao Oda,Yoshimi Kinoshita,Masahiro Hayama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-04-30.

Plasma-activated chemical vapor deposition of fluoridated cyclic siloxanes

Номер патента: US5230929A. Автор: Gerardo Caporiccio,Riccardo D'agostino,Pietro Favia. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1993-07-27.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US4107352A. Автор: Mohammad Javid Hakim. Владелец: Westinghouse Canada Inc. Дата публикации: 1978-08-15.

Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4834020A. Автор: Lawrence D. Bartholomew,Nicholas M. Gralenski,Michael A. Richie,Michael L. Hersh. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1989-05-30.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: WO2006116776A3. Автор: Eunsung Park,Kevin Casey,Catherine E Talor. Владелец: Catherine E Talor. Дата публикации: 2007-05-03.

Gas injection system for chemical vapor deposition using sequenced valves

Номер патента: WO2012082225A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Gas Injection System For Chemical Vapor Deposition Using Sequenced Valves

Номер патента: US20160168710A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: EP3377671A1. Автор: Daniel J. DESROSIER,Chad R. FERO. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2018-09-26.

Cold thermal chemical vapor deposition

Номер патента: US20240117495A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,Jesse BISCHOF,James B. Mattzela,Gary A. Barone,Geoffrey K. WHITE,Nicholas P. DESKEVICH,Pierre A. LECLAIR. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: WO2001029281A9. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2001-09-27.

Methods of depositing aluminum nitride templating layers using thermal pulsed chemical vapor deposition for the enhancement of aluminum nitride thick films and related films

Номер патента: US20240052493A1. Автор: Andrew Kummel,Aaron McLeod,Scott UEDA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-15.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: US20230115177A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Chemical vapor deposition apparatus and blocker plate

Номер патента: US20200131640A1. Автор: Chao-chun WANG,Keith Kuang-Kuo Koai,Chih-Yu Wu,Huan-Chieh CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Wafer carrier and metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20220064791A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Shen-Jie Wang,Chien-Chih Yen. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413177A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US10975467B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20190085446A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Auxiliary gasline-heating unit in chemical vapor deposition

Номер патента: US20010042930A1. Автор: Chien-Hsin Lai,Juen-Kuen Lin,Peng-Yih Peng,Fu-Yang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US9878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

개시제를 이용한 화학 기상 증착법(iCVD, initiated chemical vapor deposition)을 통해 전자 부품에 고분자 박막을 형성하는 장치 및 그 제조 방법

Номер патента: KR20220168089A. Автор: 김하영,김호연,김용호,김창재,김광순,이다미. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-12-22.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: WO2023160793A1. Автор: Hristo Strakov,Vasileios PAPAGEORGIOU,Manfred Pfitzner,Anja BÄUMCHEN. Владелец: Ihi Bernex Ag. Дата публикации: 2023-08-31.

METHOD OF MAKING A POROUS SINTERED BODY, A COMPOUND FOR MAKING THE POROUS SINTERED BODY, AND THE POROUS SINTERED BODY

Номер патента: US20160090327A1. Автор: Ishida Shinji,TANAKA Shigeo,Nishiyabu Kazuaki. Владелец: TAISEI KOGYO CO., LTD.. Дата публикации: 2016-03-31.

METHOD OF MAKING A POROUS SINTERED BODY, A COMPOUND FOR MAKING THE POROUS SINTERED BODY, AND THE POROUS SINTERED BODY

Номер патента: US20190367419A1. Автор: Ishida Shinji,TANAKA Shigeo,Nishiyabu Kazuaki. Владелец: TAISEI KOGYO CO., LTD.. Дата публикации: 2019-12-05.

The method of combustion in the vapor phase and compounds for implementing the specified method II

Номер патента: RU2001134211A. Автор: Уильям К. Орр,Уиль м К. ОРР (US). Владелец: Уиль м К. ОРР (US). Дата публикации: 2003-09-10.

Method of making a porous sintered body, a compound for making the porous sintered body, and the porous sintered body

Номер патента: US20090202821A1. Автор: Shigeo Tanaka,Shinji Ishida,Kazuaki Nishiyabu. Владелец: Taisei Kogyo KK. Дата публикации: 2009-08-13.

Method of disinfecting water and ion exchange resin compound for use therein

Номер патента: IL35761A0. Автор: . Владелец: Univ Kansas State. Дата публикации: 1971-02-25.

Method to improve copper thin film adhesion to metal nitride substrates by the addition of water

Номер патента: US20020176938A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

Composite coating based on carbon nanotubes and method of its production

Номер патента: RU2727604C2. Автор: Науфаль БАЛАВАН. Владелец: Люксембург Инститьют Оф Сайенс Энд Текнолоджи (Лист). Дата публикации: 2020-07-22.

Method of manufacturing semiconductor device including bonding pad and fuse elements

Номер патента: US20070176258A1. Автор: Takashi Yamashita,Noriaki Fujiki,Junko Izumitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of manufacturing semiconductor device including bonding pad and fuse elements

Номер патента: US7335537B2. Автор: Takashi Yamashita,Noriaki Fujiki,Junko Izumitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-02-26.

Practical method of producing a porous composite continuous thin film thermoelectric semiconductor or strong material by modified mocvd

Номер патента: US20170194551A1. Автор: The Pen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-06.

Gate Structures in Transistor Devices and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240249938A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Kun-Yu LEE,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2002062593A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2002-08-15.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1397260A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Embedded Resistors for ReRAM Cells

Номер патента: US20150179937A1. Автор: Yun Wang,Chien-Lan Hsueh. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of carrying out plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6432493B1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Manufacturing method of group of whiskers

Номер патента: US20120094420A1. Автор: Makoto Ishikawa,Toshihiko Takeuchi,Yuki Murakami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

High density plasma chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020030033A1. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Chih-Chien Liu,Ta-Shan Tseng,W.B. Shieh,J.Y. Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Methods for stabilization of self-assembled monolayers (sams) using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019841A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods For Stabilization Of Self-Assembled Monolayers (SAMs) Using Sequentially Pulsed Initiated Chemical Vapor Deposition (spiCVD)

Номер патента: US20240017290A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Liquid chemical vapor recovery device, wet stripping device, photoresist stripping process, and method for manufacturing thin film transistor-liquid crystal display using the same

Номер патента: US20190064674A1. Автор: Hao Yin,Xiaoning Liu,Qianqian Li,Mingming Wang,Dongseob Kim,Shikai Wang,Yadong Xu,Jun Geng,Yadong Liang,Zhongren JIANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

A coated article of martensitic steel and a method of forming a coated article of steel

Номер патента: EP2628817A1. Автор: Jürgen Gierl,Yashar Musayev,Tim Matthias Hosenfeldt,Bertram Haag,Paul Peeters,Juhana Kostamo,Serge Kursawe,Ivan KOLEV,Roland Tap. Владелец: Schaeffler AG. Дата публикации: 2013-08-21.

Method of sealing open pores on surface of porous dielectric material using iCVD process

Номер патента: US10535514B2. Автор: Sung Gap Im,Byung Jin Cho,Seong Jun Yoon,Hyungsuk Alexander Yoon,Kwanyong Pak. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-01-14.

Semiconductor device having thin film wiring layer of aluminum containing carbon

Номер патента: US5148259A. Автор: Takashi Kato,Takashi Ito,Mamoru Maeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-09-15.

Thin film semiconductor device and method of production

Номер патента: US5389580A. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

Semiconductor interconnection structure and method of fabrication

Номер патента: EP1317772A1. Автор: Stefan Weber,Roy Iggulden. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2014086742A1. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2014-06-12.

Use of silicon structure former with organic substituted hardening additive compounds for dense osg firms

Номер патента: WO2019157137A1. Автор: Dino Sinatore,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Kathleen Esther THEODOROU,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-08-15.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: EP2959500A1. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-12-30.

Method of manufacturing amorphous silicon based thin film photoelectric conversion device

Номер патента: EP1032054B1. Автор: Kenji Yamamoto,Masashi Yoshimi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US9691632B2. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Use of silicon structure former with organic substituted hardening additive compounds for dense osg films

Номер патента: WO2019157137A8. Автор: Dino Sinatore,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Kathleen Esther THEODOROU,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150303071A1. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of forming nitride capped cu lines with reduced electromigration along the cu/nitride interface

Номер патента: WO2003007368A3. Автор: Minh Van Ngo,Larry Zhao,Paul R Besser. Владелец: Paul R Besser. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of forming an intermetal dielectric layer

Номер патента: US6410106B2. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Method of dielectric material fill and treatment

Номер патента: US12046508B2. Автор: Nikolaos Bekiaris,He REN,Mehul Naik,Naomi Yoshida,Jingmei Liang,Martin Jay Seamons,Mei-Yee Shek,Shi YOU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming an intermetal dielectric layer

Номер патента: US20010001678A1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Silicon thin film transistors, systems, and methods of making same

Номер патента: WO2009094639A1. Автор: John Snyder,John M. Heitzinger. Владелец: Soligie, Inc.. Дата публикации: 2009-07-30.

Organic EL lighting emitting device, method of manufacturing the same, and organic EL light source device

Номер патента: US9196854B2. Автор: Yasuhiko Takamatsu. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

In situ plasma pre-deposition wafer treatment in chemical vapor deposition technology for semiconductor integrated circuit applications

Номер патента: US20010050435A1. Автор: Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Method of forming multilayer interconnection structure

Номер патента: US5312773A. Автор: Naoki Nagashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Method of making a field effect transistor having an elevated source and an elevated drain

Номер патента: US6057200A. Автор: Sujit Sharan,Kirk Prall,Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Method for selective thin film deposition

Номер патента: US20170352691A1. Автор: Carolyn Rae Ellinger. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-12-07.

Apparatus and method for manufacturing thin film encapsulation

Номер патента: EP4033559A1. Автор: Yong-Suk Lee,Myung-Soo Huh,Jeong-Ho Yi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

In situ plasma pre-deposition wafer treatment in chemical vapor deposition technology for semiconductor integrated circuit applications and structures fabricated using the treatment

Номер патента: US20030001263A1. Автор: Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Metal silicide nanowires and methods of their production

Номер патента: US20100279115A1. Автор: Song Jin,Andrew L. Schmitt,Yipu Song. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2010-11-04.

Method of nonstoichiometric cvd dielectric film surface passivation for film roughness control

Номер патента: WO2010056731A1. Автор: Kwanghoon Kim,Lance Kim. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-20.

Low resistivity tungsten film and method of manufacture

Номер патента: WO2022046320A1. Автор: Wei Lei,Joung Joo Lee,Kai Wu,Zhebo CHEN,Xi CEN,Feihu Wang,Chunming Zhou,Zhibo YUAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Thin-film transistor and display device including the same

Номер патента: US20240282863A1. Автор: Jeyong JEON,Jaeyoon Park,Pilsang YUN,Sehee Park,Jungseok Seo,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Growth of carbon nanotube (cnt) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (cvd) process

Номер патента: US20170077370A1. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20210043833A1. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Plattenanordnung mit CVDD-(Chemical Vapor Deposition Diamond)-Fenstern für den Wärmetransport

Номер патента: DE112019007581B4. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microchip Tech Caldicot Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

In-situ p-type activation of iii-nitride films grown via metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20210151329A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of processing organic raw material into fuel

Номер патента: RU2554355C1. Автор: Владимир Федорович Соколов,Игорь Георгиевич Соловьев,Владимир Алексеевич Петушков,Алексей Константинович Мочалов,Ольга Игоревна Кожаринова,Николай Александрович Бакланов,Лоренцо Ластелла. Владелец: БИОТЕХОЙЛ д.о.о.. Дата публикации: 2015-06-27.

Method of vanadium-bearing raw material processing

Номер патента: RU2374344C2. Автор: Владиллен Александрович Козлов,Андрей Юрьевич Кузнецов,Николас Джон Бриджен,Лариса Хасановна Батракова,Махсат Абдирович Сактаганов. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение "Ванадий-катализатор". Дата публикации: 2009-11-27.

Raw material gas liquefying device and method of controlling this raw material gas liquefying device

Номер патента: AU2017373438B2. Автор: Yosuke Kimura,Hidetaka Miyazaki,Tomohiro Sakamoto,Yasuo Miwa,Yuichi Saitou,Daisuke KARIYA,Naotaka YAMAZOE. Владелец: Kawasaki Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of processing oxide raw material containing nonferrous metals

Номер патента: RU2121518C1. Автор: А.В. Тарасов,С.А. Панфилов,В.М. Парецкий,В.А. Брюквин,В.Г. Леонтьев. Владелец: Открытое акционерное общество "Институт Гинцветмет". Дата публикации: 1998-11-10.

Method of catalytic electrode manufacturing based on heteropoly compounds for hydrogen and methanol fuel elements

Номер патента: RU2561711C2. Автор: Юрий Анатольевич Добровольский,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2015-09-10.

Composition, formulations and methods of making and using botanicals and natural compounds for the promotion of healthy brain aging

Номер патента: US20170340651A1. Автор: Morris Notelovitz. Владелец: Brain Health Project LLC. Дата публикации: 2017-11-30.

Composition, formulations and methods of making and using botanicals and natural compounds for the promotion of healthy brain aging

Номер патента: US20220323464A1. Автор: Morris Notelovitz. Владелец: Brain Health Project LLC. Дата публикации: 2022-10-13.

Composition, Formulations and Methods of Making and Using Botanicals and Natural Compounds for the Promotion of Healthy Brain Aging

Номер патента: US20220117979A1. Автор: Morris Notelovitz. Владелец: Brain Health Project LLC. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of supplying a raw material quantity to a production machine, and device and method for producing a food product

Номер патента: US20230101889A1. Автор: Michael Engelmann,Friedrich Duschka,Ralph Olaf Förster,Egbert Merforth,Antonius Rolf-Wittlake. Владелец: Hebenstreit GmbH. Дата публикации: 2023-03-30.

Raw material gas liquefying device and method of controlling this raw material gas liquefying device

Номер патента: US11808502B2. Автор: Yuichi Saito,Yosuke Kimura,Hidetaka Miyazaki,Tomohiro Sakamoto,Yasuo Miwa,Daisuke KARIYA,Naotaka YAMAZOE. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of manufacturing composite bone implants, method of manufacturing powdered raw material for such implants, such powdered raw material and bone implant

Номер патента: WO2018164594A1. Автор: Agnieszka CHODARA,Witold ŁOJKOWSKI,Tadeusz Chudoba,Elżbieta Pietrzykowska,Jacek KROPIWNICKI,Michał CHARKIEWICZ,Maria MAŁYSA. Владелец: INSTYTUT WYSOKICH CISNIEN POLSKIEJ AKADEMII NAUK. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of refining ore raw material and device for realization of this method

Номер патента: RU2215050C1. Автор: Ю.А. Минаев,А.С. Барашков,А.А. Вертман. Владелец: Барашков Александр Станиславович. Дата публикации: 2003-10-27.

Production method of poultry meat raw material for soup product

Номер патента: NL2028267A. Автор: Yan Zheng,Wang Daoying,Zhu Yongzhi,bian Huan,Xu Weimin,Xiao Licui,Wu Haihong,Zhang Xinxiao. Владелец: Jiangsu Acad Agricultural Sci. Дата публикации: 2022-10-19.

Production method of poultry meat raw material for soup product

Номер патента: NL2028267B1. Автор: Yan Zheng,Wang Daoying,Zhu Yongzhi,bian Huan,Xu Weimin,Xiao Licui,Wu Haihong,Zhang Xinxiao. Владелец: Jiangsu Acad Agricultural Sci. Дата публикации: 2023-06-14.

PROTECTIVE SPINEL COATING FOR Ni-Mn-Co (NMC) CATHODE WITH HIGH Li CONTENT FOR LITHIUM-ION BATTERIES, METHOD OF APPLYING SAID COATING ON CATHODE AND CATHODE WITH SAID COATING

Номер патента: RU2702785C1. Автор: Артем Михайлович Абакумов,Евгений Владимирович Дикарев,Хан Хайшанг,Андрей Олегович Шевцов. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-10-14.

Superconducting wire and method of formation thereof

Номер патента: RU2767282C1. Автор: Сын-Хён МУН,Джудит ДРИСКОЛЛ,Ахмед КУРУСУМОВИЧ,Джон ФЕЙГАН. Владелец: Санам Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of making an electron beam window

Номер патента: US4468282A. Автор: Armand P. Neukermans. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1984-08-28.

Method of fabricating active layers in a laser utilizing InP-based active regions

Номер патента: US20040165631A1. Автор: YING-LAN Chang,Ashish Tandon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Formation of thin film capacitors

Номер патента: CA2289239C. Автор: Andrew Tye Hunt,Wen-Yi Lin,George Andrew Neuman,John Scott Flanagan,Tzyy Jiuan Hwang,Helmut Georg Hornis,Michelle Renee Hendrick. Владелец: Microcoating Technologies Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Solid-state thin film capacitor

Номер патента: WO2011011736A2. Автор: Hooman Hafezi. Владелец: PROTEUS BIOMEDICAL, INC.. Дата публикации: 2011-01-27.

Organic Light-emitting Display Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20130135274A1. Автор: Young-In Hwang,Jung-mi Choi. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

A solar module and a method of making a solar module

Номер патента: WO2019215460A1. Автор: James Baker,Ben Crundwell,Aki LAAKSO,Jo Parker-Swift,Jez CLEMENTS,Simon HUBBARD,Finlay KNOPS-MCKIM,Hans PFLAUMET. Владелец: Solivus Limited. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device, method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US20230371313A1. Автор: Kano Masataka. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

A solar module and a method of making a solar module

Номер патента: EP3790378A1. Автор: James Baker,Ben Crundwell,Aki LAAKSO,Jo Parker-Swift,Jez CLEMENTS,Simon HUBBARD,Finlay KNOPS-MCKIM,Hans PFLAUMET. Владелец: Solivus Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Photo-thermal conversion piece and producing method of organic electroluminescence raw material piece and organic electroluminescence device using the same

Номер патента: CN102148335A. Автор: 高桥俊朗,白崎裕一. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-08-10.

Processing method of disperse mineral raw material

Номер патента: RU2708642C1. Автор: Владимир Егорович Михайлов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2019-12-10.

Methods of peeling and transferring hetero-epitaxially grown graphene films and products containing said films

Номер патента: RU2568718C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-11-20.

Method of manufacturing quartz light guide preform

Номер патента: RU2649989C1. Автор: Алексей Юрьевич КУЛЕШ,Петр Андреевич Злобин,Сергей Валерьевич УСТИНОВ,Иван Анатольевич Клочков. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НПО ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2018-04-06.

A method of fabricating rare earth doped optical fibre

Номер патента: EP1487751A1. Автор: Ranjan Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. SEN,Mrinmay Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. PAL,Mukul C. Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. PAUL,Shyamal Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. BHADRA,Somesh Cent. Glass & Ceramic Res.Inst CHATTERJEE,Kamal Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. DASGUPTA. Владелец: Ministry Of Information Techno. Дата публикации: 2004-12-22.

Chemical vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1305910C. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-04.

Using Chemical Vapor Deposited Films to Control Domain Orientation in Block Copolymer Thin Films

Номер патента: US20150232689A1. Автор: Takehiro Seshimo,Christopher M. Bates,Christopher John Ellison,Carlton Grant Willson,Julia CUSHEN,Leon DEAN,Logan J. SANTOS,Erica L. RAUSCH,William J. Durand. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of manufacturing film structure, method of manufacturing optical waveguide substrate and method of manufacturing second harmonic generation device

Номер патента: US20010046552A1. Автор: Takashi Yoshino,Makoto Iwai,Makoto Ohmori. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Method of luminescent quartzoid bismuth-containing material producing based on high-silica porous glass

Номер патента: RU2605711C2. Автор: Татьяна Викторовна Антропова,Ирина Николаевна Анфимова,Марина Андреевна Гирсова,Галина Николаевна Головина,Людмила Николаевна Куриленко,Сергей Владимирович Фирстов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН). Дата публикации: 2016-12-27.

Method of processing organic material to produce synthetic fuel gas in a high-temperature ablation pyrolisis of gravitational type

Номер патента: RU2721695C1. Автор: Юрий Федорович Юрченко. Владелец: Юрий Федорович Юрченко. Дата публикации: 2020-05-21.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: EP4329948A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of Growing Personalized Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240240354A1. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of producing electricity from substandard fuel biomass and device for its implementation

Номер патента: RU2631450C1. Автор: Игорь Владимирович Тихомиров,Александр Иванович Забегаев,Алексей Григорьевич Варочко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центр эксплуатации объектов наземной космической инфраструктуры" (ФГУП "ЦЭНКИ"). Дата публикации: 2017-09-22.

Mcvd method of making workpieces for single-mode light guides

Номер патента: RU2576686C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян. Владелец: Михаил Артемьевич Ероньян. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of producing ferrotungsten based on reduction of self-propagating gradient of aluminothermy and slag refining

Номер патента: RU2739040C1. Автор: Янь Лю,Гочжи Лв,Чжихэ Доу,Тинань ЧЗАН,Цююэ ЧЖАО,Липинг НЮ,Дасюэ ФУ,Вэйгуан ЧЗАН. Владелец: Нортистерн Юниверсити. Дата публикации: 2020-12-21.

Method and device for preliminary heating of raw materials by means of cooler of waste gases

Номер патента: RU2491321C2. Автор: Дэниел Н. МАЙЕРС,Патрик Д. УОКЕР,Юньбо ЛИУ,Синь Х. ЧЖУ. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2013-08-27.

Candles, raw materials for making candles, heat accumulating material, method of obtaining raw materials for making candles and heat accumulating material

Номер патента: RU2363725C2. Автор: Дитер ТИШЕНДОРФ. Владелец: Дитер ТИШЕНДОРФ. Дата публикации: 2009-08-10.

Complex method of converting coal containing raw material into liquid products

Номер патента: RU2360944C2. Автор: Ромоло МОНТАНАРИ,Николетта ПАНАРИТИ,Альберто ДЕЛЬБЬЯНКО,Серджо РОЗИ. Владелец: СНАМПРОДЖЕТТИ С.п.А.. Дата публикации: 2009-07-10.

Silicon-based explosive devices and methods of manufacture

Номер патента: US20120174808A1. Автор: Ronald G. Polcawich,Luke J. Currano,Wayne Churaman,Mark Gelak. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2012-07-12.

Mcvd method of manufacturing light-guide fibers with core made from quartz glass ligated with nitrogen

Номер патента: RU2668677C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян. Владелец: Михаил Артемьевич Ероньян. Дата публикации: 2018-10-02.

Method of burning fine carbonate-bearing materials

Номер патента: RU2369572C1. Автор: Сергей Федорович Шишкин,Сергей Леонидович Калюжин,Александр Иосифович Перескоков,Борис Алексеевич Фетисов,Сергей Леонидович Калюжин (RU),Александр Иосифович Перескоков (RU),Борис Алексеевич Фетисов (RU),Сергей Федорович Шишкин (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт "Уралхиммаш". Дата публикации: 2009-10-10.

Method of producing fish oil

Номер патента: RU2688343C1. Автор: Марфуга Дюсембаевна Мукатова,Наталья Александровна Киричко,Елена Николаевна Романенкова,Наталия Юрьевна Углова,Шулпан Курмангалиевна Хайрешева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Астраханский государственный технический университет" ФГБОУ ВО "АГТУ". Дата публикации: 2019-05-21.

Manufacturing apparatus and manufacturing method of porous glass base material for optical fiber

Номер патента: US12043564B2. Автор: Hitoshi Iinuma,Naoto Noda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (CVD) in liquid crystals

Номер патента: US10907038B2. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-02-02.

Method of launching gas generator electric plant and gas generator plant

Номер патента: RU2683066C1. Автор: Николай Борисович Болотин. Владелец: Николай Борисович Болотин. Дата публикации: 2019-03-26.

Method of hydrocracking hydrocarbon material

Номер патента: RU2662232C1. Автор: Олег Владимирович Климов,Василий Юрьевич Перейма,Ксения Александровна Надеина,Александр Степанович Носков,Максим Олегович Казаков,Сергей Викторович Будуква,Павел Петрович Дик,Дарья Дмитриевна Уваркина,Анастасия Васильевна Шаверина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (ИК СО РАН). Дата публикации: 2018-07-25.

Method of producing high-index components of base oils

Номер патента: RU2604070C1. Автор: Сергей Николаевич Волобоев,Роман Евгеньевич Пашкин,Марина Евгеньевна Цаплина,Александр Петрович Иванов,Елена Федоровна Дьяченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛУКОЙЛ-Волгограднефтепереработка" (ООО "ЛУКОЙЛ-Волгограднефтепереработка"). Дата публикации: 2016-12-10.

Method of extracting essential oil from dill

Номер патента: RU2696132C1. Автор: Олег Олегович Новиков,Николай Николаевич Бойко,Елена Теодоровна Жилякова,Дмитрий Иванович Писарев,Зоя Евгеньевна Цветкова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2019-08-01.

Chemical vapor deposition functionalization

Номер патента: US20160059260A1. Автор: David A. Smith,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

PLASMA-CHEMICAL METHOD OF PRODUCING CHALCOGENIDE GLASS OF As-S SYSTEM AND DEVICE THEREFOR

Номер патента: RU2585479C1. Автор: Александр Владимирович Костров,Аскольд Витальевич Стриковский,Владимир Михайлович Воротынцев,Леонид Александрович Мочалов,Алексей Сергеевич Лобанов,Андрей Николаевич Степанов,Алексей Владимирович Нежданов,Александр Иванович Машин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт прикладной физики Российской академии наук (ИПФ РАН). Дата публикации: 2016-05-27.

Method of spectrometric determination of concentration of 146s foot-and-mouth disease virus particles in non-inactivated raw material for a vaccine by estimating the number of molecules of viral rna released after immune capture of virions

Номер патента: RU2712769C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Лозовой,Дмитрий Валерьевич Михалишин,Вячеслав Алексеевич Стариков,Алексей Валерьевич Борисов,Максим Игоревич Доронин,Марина Николаевна Гусева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Федеральный центр охраны здоровья животных" (ФГБУ "ВНИИЗЖ"). Дата публикации: 2020-01-31.

Device for production of monocrystal (versions), method of production of monocrystal (versions) and monocrystal (versions)

Номер патента: RU2215070C2. Автор: Хироюки ТАНАКА,Кохей КОДАИРА,Кунихико НАГАИ,Хидеки САКАМОТО. Владелец: Тойо Коммьюникейшн Эквипмент Ко., Лтд.. Дата публикации: 2003-10-27.

Thin film tantalum coating for medical implants

Номер патента: CA2880824C. Автор: Joseph R. Vargas,Steven Seelman. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Beta-(AIxGa1-x)2O3 FILMS ON Beta-Ga2O3 SUBSTRATES, METHODS OF MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20210388526A1. Автор: Hongping Zhao,A F M Anhar Uddin Bhuiyan,Zixuan Feng. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2021-12-16.

Catalyst for generating hydrogen and method of preparing the same

Номер патента: US20180112318A1. Автор: Dong Hyun Kim,Hyung Jun Kim,Ju Sang Park. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-04-26.

Nanolaminated thin film circuitry materials

Номер патента: US20010012600A1. Автор: Andrew Hunt,Richard Carpenter,Wen-Yi Lin. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2001-08-09.

Method of making ROM/PLA semiconductor device by late stage personalization

Номер патента: US4536944A. Автор: Arthur R. Edenfeld,Harish N. Kotecha,Al M. Bracco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-08-27.

Method for processing products contained ruthenium and iridium

Номер патента: RU2104320C1. Автор: Юрий Александрович Сидоренко,Валерий Николаевич Ефимов,Сергей Иванович Ельцин,Виктор Дмитриевич Ильяшевич. Владелец: Виктор Дмитриевич Ильяшевич. Дата публикации: 1998-02-10.

Method of cutting raw material massive of cellular concrete

Номер патента: RU2623763C2. Автор: Станислав Яковлевич Галицков,Константин Станиславович Галицков,Святослав Владимирович Шломов,Александр Дмитриевич Стулов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет" (СамГТУ). Дата публикации: 2017-06-29.

Producing method of tobacco raw material

Номер патента: US20170224009A1. Автор: Manabu Yamada,Takeshi Akiyama,Manabu Takeuchi,Yoshinori Fujisawa,Shinya OSUGA. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Fractionation of natural raw materials and separation of nutritive substances therefrom

Номер патента: EP2405769A1. Автор: Olavi Myllymäki,Pirkko Forssell,Anu Kaukovirta-Norja,Pekka Lehtinen,Riitta Puupponen-Pimiä,Mirja Mokkila. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2012-01-18.

Producing method of tobacco raw material

Номер патента: US20160360781A1. Автор: Manabu Yamada,Takeshi Akiyama,Manabu Takeuchi,Yoshinori Fujisawa,Shinya OSUGA. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Contactless humidity/chemical vapor sensor device and associated method of fabrication

Номер патента: US7302829B2. Автор: Anis Zribi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-12-04.

Process and device for the flotation of mineral raw materials

Номер патента: GB1594500A. Автор: . Владелец: Akademie der Wissenschaften der DDR. Дата публикации: 1981-07-30.

PERFECT PROCESS AND INSTALLATION FOR DRY GRINDING OF RAW RAW MATERIALS

Номер патента: BR7100067D0. Автор: J Cleemann. Владелец: Smidth & Co As F L. Дата публикации: 1973-05-03.

Self-expanding stent including a thin-film neural interface and method of delivering a thin-film neural interface using a self-expanding stent

Номер патента: US11998733B1. Автор: Bo Lu,Kenneth Rys. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Raw material gas liquefying device and method of controlling this raw material gas liquefying device

Номер патента: EP3553436B1. Автор: Yosuke Kimura,Hidetaka Miyazaki,Tomohiro Sakamoto,Yasuo Miwa,Yuichi Saitou,Daisuke KARIYA,Naotaka YAMAZOE. Владелец: Kawasaki Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method of recycling fluoroplasts and materials, containing them, with obtaining ultradisperse fluroplast and perfluoroparaffins

Номер патента: RU2528054C2. Автор: Сергей Владимирович Хитрин,Екатерина Николаевна Суханова,Софья Лейвиковна Фукс,Сергей Александрович Казиенков,Владимир Юрьевич Филатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ВЯТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ФГБОУ ВПО "ВятГУ"). Дата публикации: 2014-09-10.

Fungicide composition, method of control of harmful fungi, use of compounds for fungicide mixture preparing

Номер патента: RU2152720C1. Автор: Клаус ШЕЛЬБЕРГЕР,Эберхард Аммерманн,Гизела Лоренц,Дитрих Маппес,Манфред Хампель. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2000-07-20.

Fiber raw materials processing system and operating method thereof

Номер патента: US20230089779A1. Автор: Pei-Jen Wu. Владелец: Yi Chun Green Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Fiber raw materials processing system and operating method thereof

Номер патента: AU2022345170A1. Автор: Pei-Jen Wu. Владелец: Yi Chun Green Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Processing and refining method of copper-containing raw material

Номер патента: TW200900510A. Автор: Okamoto Hidenori,Sasaki Yasukatsu,Soe Koji. Владелец: Nippon Mining & Amp Metals Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of manufacturing tobacco raw material and oral tobacco product

Номер патента: EP3172974B1. Автор: Kazuo Mori,Atsushi Nagai,Hiroshi Otaki,Kei Kobayashi,Hiroyuki Chida. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Manufacturing method of wood substitute raw material using waste styrene foam as raw material and wood substitute raw material

Номер патента: KR19990070092A. Автор: 김용성. Владелец: 영림산업 주식회사. Дата публикации: 1999-09-06.

Nicotine liquid raw material of electronic cigarette and preparation device and method of nicotine liquid raw material

Номер патента: CN105661622A. Автор: 王申,杜咏梅,史亮,刘新民,沈轶,张忠锋,付秋娟,窦玉青. Владелец: Tobacco Research Institute of CAAS. Дата публикации: 2016-06-15.

Method of extraction from solid vegetable raw material of chemical compounds for pressing zoopathogenic bacteria composition

Номер патента: RU2649812C1. Автор: Галимжан Калиханович Дускаев,Сергей Александрович Мирошников,Борис Георгиевич Рогачев,Дмитрий Геннадьевич Дерябин,Лев Никитович Павлов,Анна Александровна Галаджиева. Владелец: Федеральное Государственное бюджетное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт мясного скотоводства. Дата публикации: 2018-04-04.

Method of baking powdery raw materials by simultaneously using powdery raw materials containing combustible components and other powdery raw materials

Номер патента: JPS52142721A. Автор: Satoru Tominaga,Mitsuo Nagaoka,Tsuneo Kobayashi,Fumio Nakamura. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 1977-11-28.

Processing technology using infrared ray radiant energy for curing cereal raw material and use method of cured cereal raw material in milk replacer and nursing material

Номер патента: CN103918881A. Автор: 江涛,魏炜,穆玉云,方艳红. Владелец: SHANGHAI XINNONG FEED CO Ltd. Дата публикации: 2014-07-16.

RAW MATERIAL GAS LIQUEFYING DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THIS RAW MATERIAL GAS LIQUEFYING DEVICE

Номер патента: US20200003070A1. Автор: Saito Yuichi,Kimura Yosuke,MIYAZAKI Hidetaka,Kariya Daisuke,YAMAZOE Naotaka,SAKAMOTO Tomohiro,MIWA Yasuo. Владелец: KAWASAKI JUKOGYO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2020-01-02.

RAW MATERIAL GAS LIQUEFYING DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THIS RAW MATERIAL GAS LIQUEFYING DEVICE

Номер патента: US20190285339A1. Автор: Kimura Yosuke,MIYAZAKI Hidetaka,NAKAGAWA Keisuke,MATSUDA Yoshihiro,Komiya Toshihiro,Kariya Daisuke,YAMAZOE Naotaka,SAKAMOTO Tomohiro,MIWA Yasuo,SAITOU Yuichi. Владелец: KAWASAKI JUKOGYO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2019-09-19.

A kind of method of pure natural raw material cultivation production selenium-enriched agaricus bisporus

Номер патента: CN109392597A. Автор: 吴小建,陈雪凤,韦仕岩,吴圣进,苏启臣,王灿琴. Владелец: INSTITUTE OF MICROBIOLOGY GUANGXI ZHUANG AUTONOMOUS ACADEMY OF AGRICULTURAL SCIENCES. Дата публикации: 2019-03-01.

Method of using powder raw material and method of melting molten metal

Номер патента: JP6624124B2. Автор: 雄介南,南　雄介. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2019-12-25.

A kind of method of coconut husk raw material preparation sheet shredded tobacco for water pipes charcoal

Номер патента: CN108991590A. Автор: 王小云,齐高相,曾惜,刘必衍,陈柏蓉,曾露. Владелец: Chongqing Fei Yang Environmental Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-14.

A kind of preparation method of electronic cigarette raw material

Номер патента: CN106723315B. Автор: 张静,张丽洁,刘艺,袁毅. Владелец: Huabao Flavours and Fragrances Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-28.

Method of obtaining plant raw materials of the siberian iris (iris sibirica l.) by biotechnology methods

Номер патента: RU2677921C1. Автор: Наталья Григорьевна Базарнова,Людмила Ивановна Тихомирова,Татьяна Ивановна Ильичева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-22.

Sterilizing method of medicinal tea raw material, medicinal tea raw material and preparation method thereof

Номер патента: CN113633809A. Автор: 李亦武. Владелец: Wuhan Tongji Modern Pharmaceutical Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-12.

A kind of purification method of reconstituted tobacco raw material extraction concentrate

Номер патента: CN105942571B. Автор: 刘晶,王毅,吴丽君,向海英,白晓莉,谢志强,马迅,周桂园. Владелец: China Tobacco Yunnan Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-10.

Manufacturing method of injection molding raw material and manufacturing method of resin molding

Номер патента: JP6492270B2. Автор: 祐一郎角. Владелец: TBM Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-03.

Method of mixing powder raw material and liquid raw material.

Номер патента: AU2003304039A1. Автор: Naganobu Hayabusa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Rewinding base for flatly wound raw materialwhich can be closed againfor bag manufacturing*and method of arranging said raw material in one line

Номер патента: JPS5699150A. Автор: Ii Koorin Ebueretsuto. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 1981-08-10.

METHOD OF CONSUMER/PRODUCER RAW MATERIAL SELECTION

Номер патента: US20150006112A1. Автор: Yashchin Emmanuel,Rodbell Kenneth P.,Gordon Michael S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-01-01.

METHOD OF MANUFACTURING TOBACCO RAW MATERIAL AND ORAL TOBACCO PRODUCT

Номер патента: US20170172199A1. Автор: Kobayashi Kei,Nagai Atsushi,CHIDA Hiroyuki,MORI Kazuo,OTAKI Hiroshi. Владелец: JAPAN TOBACCO INC.. Дата публикации: 2017-06-22.

Recovery method of iron ore raw material from red mud

Номер патента: JPS5677309A. Автор: Takashi Hashida,Nobuyuki Kono. Владелец: MITSUI ARUMINA SEIZOU KK. Дата публикации: 1981-06-25.

Treatment method of plant-based raw material

Номер патента: JP2013198424A. Автор: Kazumasa Toyoda,和昌豊田. Владелец: Nippon Paper Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of converting a raw material stream into a product stream using a fluidized bed and apparatus for use in said method

Номер патента: CN102046280A. Автор: R·西蒙. Владелец: Clean Fuels BV. Дата публикации: 2011-05-04.

Method of processing molybdenum raw material

Номер патента: RU2241051C1. Автор: Л.И. Клячко,В.К. Румянцев,чко Л.И. Кл,нцев В.К. Рум. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский и проектный институт тугоплавких металлов и твердых сплавов". Дата публикации: 2004-11-27.

Method of agglomerating iron raw material and its agglomeration equipment

Номер патента: JP5463571B2. Автор: 高郁山本,幹男内堀,利広高木,外茂二石田. Владелец: Sintokogio Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Low energy consumption ball milling method of construction ceramic raw material

Номер патента: CN104907138A. Автор: 刘俊荣,赵光岩,史杰,冉舰波. Владелец: Foshan Oceano Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

A method of preparing vegetable raw materials before squeezing juice

Номер патента: RU2002110263A. Автор: Олег Иванович Квасенков,Иван Ильич Квасенков. Владелец: Северо-Кавказский зональный научно-исследовательский институт садоводства и виноградарства РАСХН. Дата публикации: 2004-02-10.

A method of preparing vegetable raw materials for squeezing juice

Номер патента: RU2002110210A. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Северо-Кавказский зональный научно-исследовательский институт садоводства и виноградарства РАСХН. Дата публикации: 2004-02-10.

Wet mixing method of reducing furnace raw materials

Номер патента: JP4133778B2. Автор: 敏近藤,哲治茨城,博史織田,安部　　洋一,伸幸兼森,盛雄今宮. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2008-08-13.

Preparation method of biomass fuel raw material

Номер патента: CN112317099A. Автор: 邓彦文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-05.

Biological fermentation method of bread making raw materials

Номер патента: CN111602696A. Автор: 阳厚敏. Владелец: Chongqing Jialihua Food Co ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Method of defibrating fibrous raw material and pulp and use thereof

Номер патента: FI122535B. Автор: Soili Peltonen,Hannu Mikkonen,Vesa Kunnari,Anna Suurnaekki,Tero Malm,Anne Kallioinen. Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT. Дата публикации: 2012-03-15.

Treatment method of luggage buckle raw material with wood as basal body

Номер патента: CN105479574A. Автор: 刘书梅,石礼荣,胥继林. Владелец: ANHUI GUANYI BAGS Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

Processing method of wild ginseng raw material

Номер патента: KR102437148B1. Автор: 최일락. Владелец: 평창산삼마을 영농조합법인. Дата публикации: 2022-08-29.

Purification method of quartz sand raw material

Номер патента: CN113894034A. Автор: 张华�,张建文,张胜广,曾尚林,廖乾,马崇振,梁汉,陶斯尧. Владелец: Changsha Research Institute of Mining and Metallurgy Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-07.

Method of preparing wood raw material to obtain sugars, installation for realising said method and product

Номер патента: RU2405832C2. Автор: Евгений Рубенович Давидов,Петр Сергеевич Каныгин,Олег Анатольевич Фракин,Игорь Владимирович Черемнов. Владелец: ДЭВОН ИНВЕСТМЕНТ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2010-12-10.

Method of producing vegetable raw material for anti-inflammation medicine

Номер патента: SU984396A3. Автор: Исаак Отто. Владелец: Дегусса (Фирма). Дата публикации: 1982-12-23.

Method of converting a raw material stream into a product stream using a fluidized bed and apparatus for use in said method

Номер патента: CN102046280B. Автор: R·西蒙. Владелец: Clean Fuels BV. Дата публикации: 2013-08-07.

Method of crushing regenerative raw materials with tissue separation

Номер патента: SU99404A1. Автор: Т.Г. Ястребов,К.Ф. Колхир,Д.И. Язин. Владелец: Д.И. Язин. Дата публикации: 1953-11-30.

Sieve apparatus for producing paper and processing method of nonwoven fiber raw material

Номер патента: JP4699519B2. Автор: ハルトマン、ウエルナー,フィガリスト、ヘルムート. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2011-06-15.

Method of burning inorganic raw material in uniflow system regeneration type vertical furnace

Номер патента: JPS5539300A. Автор: Hiyusuru Erubin,Shiyainbenraifu Karuru. Владелец: MAERZ OFENBAU AG. Дата публикации: 1980-03-19.

Method of obtaining tobacco raw material

Номер патента: RU2647253C1. Автор: Манабу ТАКЕУТИ,Манабу ЯМАДА,Такеси АКИЯМА,Йосинори ФУДЗИСАВА,Синя ОСУГА. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2018-03-14.

Two-stage method of drying wooden raw material

Номер патента: PL338682A1. Автор: . Владелец: Valmet Fibertech Ab. Дата публикации: 2000-11-20.

Method of pretreating mineral raw materials, in particular hard coal and apparatus therefor

Номер патента: PL340176A1. Автор: . Владелец: Hoelter Heinz. Дата публикации: 2000-12-04.

COMPOSITION, FORMULATIONS AND METHODS OF MAKING AND USING BOTANICALS AND NATURAL COMPOUNDS FOR THE PROMOTION OF HEALTHY BRAIN AGING

Номер патента: US20190038640A1. Автор: NOTELOVITZ Morris. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

COMPOSITION, FORMULATIONS AND METHODS OF MAKING AND USING BOTANICALS AND NATURAL COMPOUNDS FOR THE PROMOTION OF HEALTHY BRAIN AGING

Номер патента: US20160095868A1. Автор: NOTELOVITZ Morris. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

COMPOSITION, FORMULATIONS AND METHODS OF MAKING AND USING BOTANICALS AND NATURAL COMPOUNDS FOR THE PROMOTION OF HEALTHY BRAIN AGING

Номер патента: US20160143920A1. Автор: NOTELOVITZ Morris. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

COMPOSITION, FORMULATIONS AND METHODS OF MAKING AND USING BOTANICALS AND NATURAL COMPOUNDS FOR THE PROMOTION OF HEALTHY BRAIN AGING

Номер патента: US20170266207A1. Автор: NOTELOVITZ Morris. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

COMPOSITION, FORMULATIONS AND METHODS OF MAKING AND USING BOTANICALS AND NATURAL COMPOUNDS FOR THE PROMOTION OF HEALTHY BRAIN AGING

Номер патента: US20170340651A1. Автор: NOTELOVITZ Morris. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Methods of modeling migraine pain and identifying candidate compounds for the treatment of migraine

Номер патента: CA2649454A1. Автор: Frank Porreca,Todd W. Vanderah. Владелец: Todd W. Vanderah. Дата публикации: 2007-10-25.

Method of treatment and prophylaxis of osteoporosis and compounds for this purpose

Номер патента: RU2166316C2. Автор: Вирендер М. ЛАБРУ. Владелец: Займо-Дженетикс, Инк.. Дата публикации: 2001-05-10.

Optically clear, durable infrared windows, and method of making the same

Номер патента: WO2000022206A1. Автор: Stephen A. Gabelich,William W. Chen,Norman H. Harris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2000-04-20.

Fuel tank and method of its making

Номер патента: RU2565857C2. Автор: Мехмет Челаль ГЁКЦЕН. Владелец: Полимтек Инжиниринг Аг, Морен (Фл), Суккурсале Ди Лугано. Дата публикации: 2015-10-20.

Saw for cutting silicon into seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor

Номер патента: EP2731770A1. Автор: Rodolfo Bovo,Paolo Molino. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2014-05-21.

Interference coatings for flexible optics using multilayered polymer thin films

Номер патента: US20240027651A1. Автор: Sheng Ye,Wyatt TENHAEFF,Yineng ZHAO. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of obtaining two-sided superconductor of second generation

Номер патента: RU2386732C1. Автор: Сергей Владимирович Самойленков,Андрей Рафаилович Кауль,Олег Юрьевич Горбенко,Игорь Евгеньевич Корсаков,Вадим Анатольевич Амеличев. Владелец: Закрытое акционерное общество "СуперОкс". Дата публикации: 2010-04-20.

Optically clear, durable infrared windows, and method of making the same

Номер патента: EP1040213A1. Автор: Stephen A. Gabelich,William W. Chen,Norman H. Harris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2000-10-04.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20050048322A1. Автор: Hitoshi Wako. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Method for selection of raw material for food product

Номер патента: RU2734942C2. Автор: Елена Анатольевна Калмыкова,Анна Михайловна Кузьмичева,Наталия Юрьевна Носкова. Владелец: Акционерное общество "Вимм-Билль-Данн". Дата публикации: 2020-10-26.

Method of obtaining ethyl alcohol and protein product from grain raw material

Номер патента: RU2542389C2. Автор: Василий Васильевич Пономарев,Владимир Иванович Степанов,Виктор Антонович Поляков,Любовь Вячеславовна Римарева,Тахир Мухаммедович Бикбов,Виктор Витальевич Иванов,Антон Юрьевич Шариков,Мария Валентиновна Амелякина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт пищевой биотехнологии". Дата публикации: 2015-02-20.

Method of producing strong and current-conducting fiber by drawing films from carbon nanotubes

Номер патента: RU2690821C1. Автор: Альберт Галийевич Насибулин,Мария Алексеевна Жиляева,Евгений Шульга. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования Сколковский институт науки и технологий. Дата публикации: 2019-06-05.

Micro-machined thin film sensor arrays for the detection of H2 containing gases, and method of making and using the same

Номер патента: US6596236B2. Автор: Thomas H. Baum,Frank DiMeo, Jr.. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2003-07-22.

Multicomponent and biocompatible nanocomposite materials, methods of synthesizing same and applications of same

Номер патента: US9114134B2. Автор: Alexandru S. Biris,Alexandru R. Biris. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2015-08-25.

Thin film implantable electrode and method of manufacture

Номер патента: US5324322A. Автор: Warren M. Grill, Jr.,Graham H. Creasey,David A. Ksienski,Claude S. Veraart,J. Thomas Mortimer. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 1994-06-28.

Method of manufacturing litogrunt artificial soil

Номер патента: RU2682920C1. Автор: Евгений Валерьевич Круглей,Дмитрий Игоревич Волченко. Владелец: Евгений Валерьевич Круглей. Дата публикации: 2019-03-22.

Method of production of feed additive for poultry, containing chlorella

Номер патента: RU2501299C2. Автор: Андрей Георгиевич Кощаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-12-20.

Operating method of gas generator plant and gas generator plant

Номер патента: RU2712321C1. Автор: Николай Борисович Болотин. Владелец: Николай Борисович Болотин. Дата публикации: 2020-01-28.

Method of producing dyer's madder syrup

Номер патента: RU2730463C1. Автор: Владимир Александрович Куркин,Анна Анатольевна Шмыгарева,Майя Викторовна Рыбалко,Анатолий Николаевич Саньков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-08-24.

Method of producing aqueous-alcohol extract of medicinal plants having sedative and hypotensive action

Номер патента: RU2683643C1. Автор: Марина Аркадьевна Джавахян,Николай Иванович Сидельников,Прасковья Георгиевна Мизина,Ольга Леонидовна Сайбель,Мария Григорьевна Токарева,Олеся Юрьевна Куляк,Марина Ивановна Панина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт лекарственных и ароматических растений (ФГБНУ ВИЛАР). Дата публикации: 2019-04-01.

Method of extracting antimony and lead

Номер патента: RU2590781C1. Автор: Владимир Геннадьевич Лобанов,Алексей Анатольевич Королев,Сергей Аркадьевич Мастюгин,Роман Сергеевич Воинков,Дмитрий Сергеевич Финеев,Юлия Игоревна Топоркова. Владелец: Открытое акционерное общество "Уралэлектромедь". Дата публикации: 2016-07-10.

Method of producing fluid exhaust head

Номер патента: RU2422289C1. Автор: Масатака КАТО,Казухиро ХАЯКАВА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-06-27.

Method of peat insulating board manufacture

Номер патента: RU2338772C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина,Юли Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of producing fodder for pond fish

Номер патента: RU2621991C1. Автор: Людмила Васильевна Антипова,Ольга Павловна Дворянинова,Александр Викторович Соколов,Мария Владимировна Спиридонова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО "ВГУИТ").. Дата публикации: 2017-06-08.

Method of producing electricity from substandard (wet) fuel biomass and device for its implementation

Номер патента: RU2631455C1. Автор: Игорь Владимирович Тихомиров,Александр Иванович Забегаев,Алексей Григорьевич Варочко. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Федеральное государственное унитарное предприятие "Центр эксплуатации объектов наземной космической инфраструктуры" (ФГУП "ЦЭНКИ"). Дата публикации: 2017-09-22.

Extraction method of metals from metal-containing mineral raw material

Номер патента: RU2476610C2. Автор: Александр Михайлович Фомин,Олег Мисостович Хадарцев,Александр Вадимович Тюремнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-внедренческое предприятие "Флюидные Технологии и Экология". Дата публикации: 2013-02-27.

Method of production of ammonia

Номер патента: RU2196733C1. Автор: О.С. Чехов,А.Н. Семагин. Владелец: Московский государственный университет инженерной экологии. Дата публикации: 2003-01-20.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition of advanced lubricant for thin film storage medium

Номер патента: US20090263592A1. Автор: Lei Li,Michael Joseph Stirniman,Jing Gui,Jianwei Liu,Yiao-Tee Hsia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-10-22.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A3. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-02-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A4. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2005-01-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2003-10-23.

Method of producing photoluminescence of individual color centers in vapor-deposited diamond

Номер патента: RU2655026C1. Автор: Владимир Алексеевич Кукушкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2018-05-23.

Method of processing plant raw material

Номер патента: RU2338769C1. Автор: Борис Федорович Мясоедов,Александр Владимирович Пономарёв,соедов Борис Федорович М,Игорь Евгеньевич Макаров,Иван Гундарович Тананаев. Владелец: Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской академии наук. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of processing plant raw materials to produce pectin and food products containing pectin and line for this implementation

Номер патента: RU2354140C1. Автор: Нариман Мусаевич Агаев,Рамиз Нариманович Агаев,Фарид Нариман оглы Агаев. Владелец: Фарид Нариман оглы Агаев. Дата публикации: 2009-05-10.

Preparation method of liquid hydrocarbon raw materials

Номер патента: RU2359992C2. Автор: Владимир Андреевич Золотухин,Владимир Андреевич Золотухин (RU). Владелец: Владимир Андреевич Золотухин. Дата публикации: 2009-06-27.

Method of hard mineral raw materials fluoridation and reactor for its implementation

Номер патента: RU2329949C2. Автор: Владимир Александрович Карелин,Александр Иванович Карелин,Валерий Андреевич Казимиров,Тимофей Заурбиевич Кушхабиев. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос". Дата публикации: 2008-07-27.

Method of floating mineral raw material

Номер патента: RU2304026C2. Автор: Фёдор Фёдорович Борисков,Нина Александровна Филиппова,Дмитрий Федорович Борисков,Лариса Олеговна Макаранец. Владелец: Институт горного дела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2007-08-10.

Method of processing plant raw material wastes

Номер патента: RU2354135C2. Автор: Юрий Васильевич Редикульцев,Виктор Константинович Кудряшов,Александр Николаевич Шкидченко. Владелец: Александр Николаевич Шкидченко. Дата публикации: 2009-05-10.

Method of drying bast raw materials

Номер патента: RU2535277C2. Автор: Роман Владимирович Коновалов,Владимир Викторович Коновалов,Эдуард Валерьевич Новиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Костромской государственный технологический университет". Дата публикации: 2014-12-10.

Method of processing chickpea raw materials

Номер патента: RU2355176C2. Автор: . Владелец: Аникеева Наталья Васильевна. Дата публикации: 2009-05-20.

Method of titanium-bearing raw material processing

Номер патента: RU2379365C1. Автор: Юрий Николаевич Назаров,Владимир Александрович Крохин,Юрий Николаевич Пархоменко,Евгений Владимирович Выговский,Рафаэль Султанович Исламов,Николай Васильевич Туляков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2010-01-20.

Method of concentrating ore raw material

Номер патента: RU2104793C1. Автор: А.В. Соловьев,Г.В. Зайцев,Н.Я. Еремин,С.Г. Меламуд,А.П. Огуречников,М.А. Батуев,Б.С. Оборин,Н.С. Титов,А.Т. Фуреев,А.Г. Шампаров. Владелец: Научно-производственное внедренческое предприятие "Пиромет-технология". Дата публикации: 1998-02-20.

Method of preparing vegetable raw material for juice extraction

Номер патента: RU2151529C1. Автор: О.И. Квасенков. Владелец: Кубанский государственный технологический университет. Дата публикации: 2000-06-27.

Method of preparing vegetable raw material for juice extraction

Номер патента: RU2151531C1. Автор: О.И. Квасенков. Владелец: Кубанский государственный технологический университет. Дата публикации: 2000-06-27.

Method of enriching liquid raw material

Номер патента: RU2285565C2. Автор: Сергей Георгиевич Чиргин. Владелец: Сергей Георгиевич Чиргин. Дата публикации: 2006-10-20.

Method of recycling gypsiferous raw materials

Номер патента: RU2324654C1. Автор: Владимир Алексеевич Реутов,Владимир Сергеевич Семлёв,Николай Борисович Кондриков. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный государственный университет" (ДВГУ). Дата публикации: 2008-05-20.

Method of titanium-silicon raw materials decomposition

Номер патента: RU2264477C1. Автор: Э.П. Локшин,В.Т. Калинников,Т.А. Седнева. Владелец: Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук. Дата публикации: 2005-11-20.

Method of roasting carbonate raw material and regenerative shaft furnace for roasting carbonate raw material

Номер патента: RU2063594C1. Автор: Е.М. Панов,Б.С. Чайкин,Г.Е. Марьянчик,В.Г. Вереин,В.В. Салмин,Б.А. Кустов,Р.С. Айзатулов,Б.И. Сельский,Б.А. Мельников. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Западно-Сибирский металлургический комбинат". Дата публикации: 1996-07-10.

Metal coating method of iron-ore raw material with obtainment of granulated cast iron

Номер патента: RU2490332C1. Автор: Виталий Владимирович Галкин,Виктор Филиппович Рашников,Борис Александрович Дубровский,Николай Васильевич Панишев,Эдуард Владимирович Князев,Виталий Алексеевич Авраменко,Владимир Иванович Гладских,Александр Николаевич Кошкалда,Владимир Анатольевич Борисенко,Александр Владимирович Гаврилов. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2013-08-20.

Method of processing hydrocarbon raw material

Номер патента: RU2217668C2. Автор: Н.В. Переселкин,С.Н. Прокудин,А.И. Каверин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Оренбурггазпром". Дата публикации: 2003-11-27.

Method of processing petroleum raw materials

Номер патента: RU2124040C1. Автор: В.В. Лунин,Н.М. Лихтерова,В.И. Кукулин,О.М. Книпович,В.Н. Торховский. Владелец: Московская государственная академия тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1998-12-27.

Method of processing plant raw material for fodder

Номер патента: RU2371002C1. Автор: Сергей Моисеевич Бухдрукер,Игорь Рахматулович Макфузов. Владелец: Игорь Рахматулович Макфузов. Дата публикации: 2009-10-27.

Method of preparing vegetable raw material for juice extraction

Номер патента: RU2150860C1. Автор: О.И. Квасенков. Владелец: Кубанский государственный технологический университет. Дата публикации: 2000-06-20.

Method of processing hydrocarbon raw material based on aliphatic hydrocarbons

Номер патента: RU2152977C1. Автор: Джабраил Джамал оглы Полатханов,О.В. Барсуков. Владелец: Барсуков Олег Васильевич. Дата публикации: 2000-07-20.

Method of drying biological raw material

Номер патента: RU2088096C1. Автор: О.И. Квасенков,В.Б. Пенто. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт консервной и овощесушильной промышленности. Дата публикации: 1997-08-27.

Method for processing of hydrocarbon-containing raw material (versions)

Номер патента: RU2485167C1. Автор: Ахат Газизьянович Мустафин,Раиль Нигматьянович Галиахметов. Владелец: Раиль Нигматьянович Галиахметов. Дата публикации: 2013-06-20.

Electrode, Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition Apparatus, And Methods Of Forming The Same

Номер патента: SG10201910983VA. Автор: Wickramanayaka Sunil. Владелец: Airise Pte Ltd. Дата публикации: 2020-06-29.

High density plasma chemical vapor deposition chamber and method of forming chamber season film

Номер патента: TW518643B. Автор: Ying-Lang Wang,Yi-Lung Cheng,Shih-Chi Lin,Szu-An Wu,Ming-Hwa Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-01-21.

Chemical vapor deposition apparatus and method of forminf parylene film

Номер патента: TWI376426B. Автор: Chun Hao Chang,Tung Ying Lin,Teng Yen Wang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2012-11-11.