Latch circuit, transmission circuit including latch circuit, and semiconductor apparatus including transmission circuit.

Latch circuit, transmission circuit including latch circuit, and semiconductor apparatus including transmission circuit

Номер патента: US11908543B2
Опубликовано: 20-02-2024
Автор(ы): Eun Ji CHOI, Keun Seon AHN, Kwan Su SHON, Yo Han JEONG
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Signal receiver circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system including the signal receiver circuit

Номер патента: US20200274741A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Signal transmitting circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20220269624A1. Автор: Hyun bae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Data latch circuit, semiconductor device, and semiconductor storage device

Номер патента: US20240305279A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kiyofumi Sakurai,Eiji Kozuka,Teppei Higashitsuji,Takumi Kosaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor apparatus for performing clock phase synchronization, and an operating method thereof and semiconductor system using the same

Номер патента: US20190131980A1. Автор: Seung Hun Lee,Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Clock Generation Circuit and Semiconductor Device Including the Same

Номер патента: US20120173915A1. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Masami Endo,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Receiver of semiconductor apparatus and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150270995A1. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Serializer, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US09979535B2. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Latch circuit, receiver circuit, semiconductor apparatus and system using the latch and receiver circuits

Номер патента: US09628056B1. Автор: Wan Seob LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Data signal output circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US5600599A. Автор: Masakazu Kimura,Tomohiro Nakayama,Yutaka Fukutani,Takanori Shiga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-02-04.

Clock circuit and memory

Номер патента: US12033684B2. Автор: FENG Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Drive circuit, method for driving drive circuit, and memory

Номер патента: US12119083B2. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Clock circuit and memory

Номер патента: US20220223194A1. Автор: FENG Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Drive circuit, method for driving drive circuit, and memory

Номер патента: US20230368827A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Clock transmission circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09748938B2. Автор: Shigeaki KAWAI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Interface circuit for high speed communication, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US20160226503A1. Автор: In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Latch circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160019938A1. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Equalizer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09424897B2. Автор: Dae-Hyun Kim,Seung-Jun Bae,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Buffer, and multiphase clock generator, semiconductor apparatus and system using the same

Номер патента: US09847775B2. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Latch circuit including a data retention latch

Номер патента: WO2006075122A3. Автор: David Walter Flynn,David William Howard. Владелец: Advanced Risc Mach Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Latch circuit including a data retention latch

Номер патента: EP1836768A2. Автор: David Walter Flynn,David William Howard. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2007-09-26.

Latch circuit including a data retention latch

Номер патента: MY136254A. Автор: David Walter Flynn,David William Howard. Владелец: Advanced Risc Mach Ltd. Дата публикации: 2008-09-30.

Latch circuit including a data retention latch

Номер патента: WO2006075122A2. Автор: David Walter Flynn,David William Howard. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2006-07-20.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US11322193B2. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Latch circuit and latch circuit array including the same

Номер патента: US20160163360A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Hyun-Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Latch circuit, flip-flop circuit including the same

Номер патента: US20220345118A1. Автор: Dal Hee LEE,Byoung Gon KANG,Woo Kyu KIM,Tae Jun YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Latch circuit, flip-flop circuit including the same

Номер патента: US20210328582A1. Автор: Dal Hee LEE,Byoung Gon KANG,Woo Kyu KIM,Tae Jun YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Latch circuit and memory device

Номер патента: US20230378939A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,XiuLi YANG,Kuan Cheng,Wenchao Hao. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20240235549A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20240223188A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20240223189A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20230039697A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Latch circuit, memory device and method

Номер патента: US11811404B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,XiuLi YANG,Kuan Cheng,Wenchao Hao. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Buffer, and multiphase clock generator, semiconductor apparatus and system using the same

Номер патента: US20170331462A1. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Latch circuit, memory device and method

Номер патента: US20210203310A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,XiuLi YANG,Kuan Cheng,Wenchao Hao. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Buffer circuit, clock generating circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20240356550A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Latch circuit

Номер патента: US20230034171A1. Автор: Kejun WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US12015403B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US20240340010A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Buffer circuit for compensating for a mismatch between on-die termination resistors and semiconductor device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09438232B2. Автор: Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Impedance calibration circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20180205377A1. Автор: Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Impedance calibration circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09948298B2. Автор: Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Latch circuit, flip-flop circuit including the same

Номер патента: US11996846B2. Автор: Dal Hee LEE,Byoung Gon KANG,Woo Kyu KIM,Tae Jun YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Termination circuit and semiconductor apparatus including the termination circuit

Номер патента: US20200145001A1. Автор: Jun Yong Song,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Control circuit and reconfigurable logic block

Номер патента: US20050093574A1. Автор: Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Combined sense amplifier and latching circuit for high speed roms

Номер патента: US5204560A. Автор: Pierre Coppens,Thierry Cantiant,Francis Bredin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-04-20.

Signal sampling circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230013811A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Signal shielding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4170659A1. Автор: Siman LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

On-die termination enable signal generator, semiconductor apparatus, and semiconductor system

Номер патента: US09654105B2. Автор: Kwang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Delay-locked loop circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9847113B2. Автор: Hun-Dae Choi,Young-kwon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US11776610B2. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US20220223200A1. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US20210407584A1. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Input buffer circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US20240007108A1. Автор: Min Su Kim,In Seok Kong,Jae Hyeong Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Transmission circuit, and semiconductor apparatus and system using the same

Номер патента: US20170345474A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Signal generating circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US11769536B2. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Command Generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20100085815A1. Автор: Bok Rim KO,Keun Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Flag signal generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20100085816A1. Автор: Keun Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US11967950B2. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09747984B2. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Output circuit using calibration circuit, and semiconductor device and system including the same

Номер патента: US09859869B1. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Phase correction circuit, and clock buffer and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20230057238A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Phase correction circuit, and clock buffer and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20240063781A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase correction circuit, and clock buffer and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11824544B2. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Calibration circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20200265878A1. Автор: Jung Il Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Method and semiconductor apparatus for reducing power when transmitting data between devices in the semiconductor apparatus

Номер патента: US20140266398A1. Автор: Chulmin Jung,Esin Terzioglu,Sei Seung Yoon,Venugopal Boynapalli,Hari Ananthanarayanan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Impedance calibration circuit and semiconductor apparatus including the impedance calibration circuit

Номер патента: US20240014816A1. Автор: Eun Ji CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Data output control circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11862253B2. Автор: Kwang Soon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Impedance calibration circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20180019751A1. Автор: Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US20230370066A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Input circuit of semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20160163362A1. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Duty adjustment circuit, and delay locked loop circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11799463B2. Автор: Hundae CHOI,Garam CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Emi shielding circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20130127509A1. Автор: Jun Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

EMI shielding circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US8570062B2. Автор: Jun Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-10-29.

Semiconductor apparatus including clock paths and semiconductor system including the semiconductor apparatus

Номер патента: US20210013875A1. Автор: Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor apparatus including clock paths and semiconductor system including the semiconductor apparatus

Номер патента: US11323107B2. Автор: Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Method of operating physically unclonable function circuit, physically unclonable function circuit and semiconductor chip

Номер патента: US11366604B1. Автор: Yu-Syuan Lin,Cheng-Hsiao Lai,Ming-Jen Chang,Yung-Tsai Hsu,Ying-Ting Lin,Chi-Fa Lien,Ko-Chin Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Interface circuit and system including same

Номер патента: US20220057969A1. Автор: Kihwan SEONG,DongUk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Interface circuit and system including same

Номер патента: US11768637B2. Автор: Kihwan SEONG,DongUk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Driving circuit and shift register circuit

Номер патента: US09858876B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory circuit and method of writing data to and reading data from memory circuit

Номер патента: US8320195B2. Автор: Tomohiro Tanaka,Masao Ide. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-11-27.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190080734A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Power-on reset circuit with variable detection reference and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09786371B1. Автор: Hyun Chul Lee,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Flash memory controller and encoding circuit and decoding circuit within flash memory controller

Номер патента: US20200153456A1. Автор: Shiuan-Hao Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Buffer chip, and semiconductor package including the buffer chip and a memory chip

Номер патента: US20240249753A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory apparatus, charge pump circuit and voltage pumping method thereof

Номер патента: US09491151B2. Автор: Chi-Yi Shao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Bandgap reference circuit including resistivity temperature coefficient cancellation circuit, and oscillator circuit including the bandgap reference circuit

Номер патента: US11789482B2. Автор: Taeik Kim,Chanyoung Jeong,Wooseok Kim,Jusung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Gate drive circuit and shift register circuit

Номер патента: US09905313B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same

Номер патента: US8432187B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-30.

Driving circuits and the shift register circuits

Номер патента: US09672936B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Data holding circuit including latch circuit and storing circuit having MTJ elements and data recovery method

Номер патента: US09558801B2. Автор: Akio Yamamoto,Hirotaka Takeno. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Latch circuit and method of operating the latch circuit

Номер патента: US09966935B2. Автор: Ming-Chieh Huang,Chan-Hong Chern,Chih-Chang Lin,Tien-Chun Yang,Tsung-Ching (Jim) Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Gate drive circuit and shift register

Номер патента: US09536623B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Non-volatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same

Номер патента: US9692421B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Flip-flop circuit including latch circuits

Номер патента: US7397286B2. Автор: Hideaki Miyamoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-08.

Latch circuit and method of operating the latch circuit

Номер патента: US20160248408A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Chan-Hong Chern,Chih-Chang Lin,Tien-Chun Yang,Tsung-Ching (Jim) Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Voltage switching circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09837426B2. Автор: Myung Jin Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Voltage switching circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09646697B2. Автор: Myung Jin Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Data latch circuit

Номер патента: US6101122A. Автор: Takuya Hirota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Josephson self gating and circuit and latch circuit

Номер патента: US4136290A. Автор: Dennis J. Herrell,Arthur Davidson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-01-23.

Mems display pixel control circuits and methods

Номер патента: WO2012166941A2. Автор: Katsumi Matsumoto,Mitsuhide Miyamoto,Takahide Kuranaga. Владелец: JAPAN DISPLAY EAST INC.. Дата публикации: 2012-12-06.

Mems display pixel control circuits and methods

Номер патента: EP2715940A2. Автор: Katsumi Matsumoto,Mitsuhide Miyamoto,Takahide Kuranaga. Владелец: Pixtronix Inc. Дата публикации: 2014-04-09.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170084339A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287563A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9721667B2. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287562A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Low power latching circuits

Номер патента: US20140218089A1. Автор: Virgile Javerliac,Yannick Marc Nevers,Laurent Christian Sibuet,Selma Laabidi. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Holding circuit, driving method of the holding circuit, and semiconductor device including the holding circuit

Номер патента: US09601215B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US10176879B2. Автор: Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Pulse output circuit and semiconductor device

Номер патента: US09742378B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Manabu Sato,Kenichi Okazaki,Yoshifumi Tanada,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Control circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4276831A1. Автор: Yupeng Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Delay latch circuit and delay flip-flop

Номер патента: US20120194246A1. Автор: Koji Hirairi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Sequential circuits and operating methods thereof

Номер патента: US20180183415A1. Автор: Minsu Kim,Hyunchul Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Latch circuit

Номер патента: US20200119723A1. Автор: Ho Young SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Quadrature error correction circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12057156B2. Автор: Jaewoo Park,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Wonjoo Jung,Youngchul Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Quadrature error correction circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11742016B2. Автор: Jaewoo Park,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Wonjoo Jung,Youngchul Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Skew compensation circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US10491219B2. Автор: Da In IM,Young Suk SEO,Seung Wook Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-26.

Signal sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: US12080335B2. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Power on reset circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09633700B2. Автор: Do Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Input buffer circuit, intelligent optimization method, and semiconductor memory thereof

Номер патента: US20210193216A1. Автор: Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Signal generation circuit having minimum delay, semiconductor apparatus using the same, and signal generation method

Номер патента: US12119822B2. Автор: Gyu Tae Park,Young Ouk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Voltage switching circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20170207229A1. Автор: Myung Jin Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Clock distribution circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20230213961A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Gang Sik Lee,Ji Hyo KANG,Jae Hyeok YANG,Joo Hyung CHAE,Sang Yeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Holding circuit, driving method of the holding circuit, and semiconductor device including the holding circuit

Номер патента: WO2015155633A1. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-10-15.

Power-on reset circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09899065B1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Test circuit and test method of semiconductor apparatus

Номер патента: US09450587B2. Автор: Byung Kuk YOON,Kie Bong Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Phase detection circuit, and clock generating circuit and semiconductor apparatus using the phase detection circuit

Номер патента: US11005479B2. Автор: Da In IM,Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

Electronic circuit and bistable circuit

Номер патента: EP3979499A1. Автор: Satoshi Sugahara,Shuichiro Yamamoto,Daiki Kitagata. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2022-04-06.

Electronic circuit and bistable circuit

Номер патента: US20220084583A1. Автор: Satoshi Sugahara,Shuichiro Yamamoto,Daiki Kitagata. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2022-03-17.

Integrated circuit including dedicated and programmable logic

Номер патента: EP1219031A1. Автор: David D. Eaton,Ket-Chong Yap,Kevin K. Yee,E. Thomas Hart,Andrew K. Chan,Neal A. Palmer,Michael W Dini,James Apland,Panawalge S. N. Gunaratna. Владелец: QuickLogic Corp. Дата публикации: 2002-07-03.

Integrated circuit including dedicated and programmable logic

Номер патента: WO2001017112A1. Автор: David D. Eaton,Ket-Chong Yap,Kevin K. Yee,E. Thomas Hart,Andrew K. Chan,Neal A. Palmer,Michael W Dini,James Apland,Panawalge S. N. Gunaratna. Владелец: Quicklogic Corporation. Дата публикации: 2001-03-08.

Latch circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09830956B2. Автор: Chun Seok Jeong,Hyun Sung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Receiver front-end circuit and operating method thereof

Номер патента: US20200220566A1. Автор: Chia-Hua Chang. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Data latch circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20230197160A1. Автор: Tomoya Sanuki,Koji Kohara,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Data latch circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US11574663B2. Автор: Takashi Maeda,Hideaki Aochi,Tomoya Sanuki,Keisuke Nakatsuka,Go SHIKATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Data latch circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20200090710A1. Автор: Takashi Maeda,Hideaki Aochi,Tomoya Sanuki,Keisuke Nakatsuka,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Data latch circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20210090616A1. Автор: Takashi Maeda,Hideaki Aochi,Tomoya Sanuki,Keisuke Nakatsuka,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Error correction code circuit and semiconductor apparatus including the error correction code circuit

Номер патента: US12126357B2. Автор: Seong Jin Kim,Jung Hwan Ji,Seon Woo HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230204658A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210011076A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240168086A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Clock delay detecting circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09602112B2. Автор: Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Differential amplifier circuit and semiconductor memory device including same

Номер патента: US09543904B1. Автор: Kyoung-Han KWON,Han Qu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Delay locked loop circuit and semiconductor device having the delay locked loop circuit

Номер патента: US20110109357A1. Автор: Jun Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-12.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US09659607B2. Автор: Kazutaka Taniguchi,Hidetoshi Ozoe,Yasuhiro Tonda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Receiving circuit, transmission circuit and system

Номер патента: US10734986B2. Автор: Toshio Ohkido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Control circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240233809A1. Автор: Shinya Okuno. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Control circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240242753A1. Автор: Shinya Okuno. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

DLL circuit and semiconductor device

Номер патента: US09543967B2. Автор: Hiroki Takahashi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-10.

Clock synchronization circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US20010009275A1. Автор: Seung-wook Lee,Won-Chan Kim,Dae-Yun Shim,Yeon-jae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-07-26.

Differential amplifier circuit and semiconductor device

Номер патента: US20070058438A1. Автор: Hirofumi Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

Dll circuit, frequency-multiplication circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: US20130077418A1. Автор: Akira Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Layout of delay circuit unit, layout of delay circuit, and semiconductor memory

Номер патента: US11984194B2. Автор: Meixiang LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Layout of delay circuit unit, layout of delay circuit, and semiconductor memory

Номер патента: US20230267980A1. Автор: Meixiang LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor apparatus for compensating for degradation and semiconductor system using the same

Номер патента: US20200219584A1. Автор: Woongrae Kim,Keun Soo Song,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Error correction code circuit and semiconductor apparatus including the error correction code circuit

Номер патента: US20240022261A1. Автор: Seong Jin Kim,Jung Hwan Ji,Seon Woo HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20220170981A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US11921153B2. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Reference voltage generator and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190158109A1. Автор: Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Young-don Choi,Seon-Kyoo Lee,Anil KAVALA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: EP4181126A1. Автор: Makoto Hirano,Min-Hwi Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory circuit and write method

Номер патента: US11942134B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20230083548A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Dram computation circuit and method

Номер патента: US20240331760A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Wen-Chang Cheng,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Transmitter driver circuits and methods

Номер патента: US09948293B1. Автор: Ker Yon Lau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Addressable test circuit and test method for key parameters of transistors

Номер патента: US09817058B2. Автор: Weiwei Pan,Yongjun Zheng. Владелец: Semitronix Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Transmission circuit and related method

Номер патента: US7825691B2. Автор: Chih-Min Liu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2010-11-02.

Transmission Circuit and Related Method

Номер патента: US20070152749A1. Автор: Chih-Min Liu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-07-05.

Decision feedback equalizer and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09973357B2. Автор: Yasufumi Sakai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Ad conversion circuit and solid-state image pickup device

Номер патента: US20140098271A1. Автор: Yoshio Hagihara. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Modulation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09768319B2. Автор: Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

SR latch circuit with single gate delay

Номер патента: US9628055B1. Автор: Travis William LOVITT. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Phase interpolation circuit, reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12081219B2. Автор: Takuya FUJIMURA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit and method of performing a bist procedure

Номер патента: US20210359773A1. Автор: Estelle Nguyen,Christophe ATHANASSIOU,Jerome MALLET. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Horizontal deflection circuit and cathode ray tube display apparatus using the same

Номер патента: US6025680A. Автор: Yuji Sano,Ikuya Arai,Kouji Kitou. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-02-15.

Amplifier and receiving circuit, semiconductor apparatus, and semiconductor system using the same

Номер патента: US20200266779A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Amplifier and receiving circuit, semiconductor apparatus, and semiconductor system using the same

Номер патента: US20220094314A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Differential amplifier circuit, reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12113494B2. Автор: Hideki Kano,Takuya FUJIMURA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flip flop circuit and data processing apparatus

Номер патента: US20200313661A1. Автор: Hiromitsu Kimura,Kazuya Ioki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Gate driving circuit and liquid crystal display having the same

Номер патента: US09906222B2. Автор: Mang Zhao. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240372538A1. Автор: Guang-Cheng Wang,Shang-Hsuan CHIU,Yueh CHIANG,Ming-Xiang LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Latch circuit and equalizer including the same

Номер патента: US11973623B2. Автор: Jaehyun Park,Hanseok Kim,Kyeongjoon Ko,Junhan BAE,Gyeongseok SONG,Jongjae Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Data retention circuit and method

Номер патента: US20230208406A1. Автор: Chi-Ray Huang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Data retention circuit and method

Номер патента: US11984893B2. Автор: Chi-Ray Huang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Scanning-capable latch device, scan chain device, and scanning method with latch circuits

Номер патента: US20100313090A1. Автор: Tomohiro Tanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Wave-generation circuit and operation system utilizing the same

Номер патента: US20220345121A1. Автор: Yun-Kai LAI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Clock generation circuit and voltage generation circuit including the clock generation circuit

Номер патента: US20240235560A1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Ripple circuit including hall effect sensor

Номер патента: US12074544B2. Автор: Francois Breynaert,Guillaume Landicheff. Владелец: Inteva Products LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Current sampling circuit and method

Номер патента: US09766274B2. Автор: Jie Hu,Yongbo Zhang,Xiaozhen SONG. Владелец: Sanechips Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Series arranged multiplexers specification support enablement circuit and method

Номер патента: US09473140B2. Автор: Aishwarya Dubey,Anubhav Shukla,Rajiv Girdhar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Data transmission circuit

Номер патента: US20240275644A1. Автор: Tatsuya Sakae,Junichiro Shirai,Takunari Hattori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Ripple circuit including hall effect sensor

Номер патента: US20220416705A1. Автор: Francois Breynaert,Guillaume Landicheff. Владелец: Inteva Products LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit and clock supply method including a sample and hold circuit

Номер патента: US11009905B2. Автор: Shinji Sakaguchi,Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Isamu Miyanishi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor integrated circuit and clock supply method

Номер патента: US20190272003A1. Автор: Shinji Sakaguchi,Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Isamu Miyanishi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Clock generation circuit and voltage generation circuit including the clock generation circuit

Номер патента: US11967961B2. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Duty cycle detector and semiconductor integrated circuit apparatus including the same

Номер патента: US09660629B2. Автор: Da In IM,Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT INCLUDING RESISTIVITY TEMPERATURE COEFFICIENT CANCELLATION CIRCUIT, AND OSCILLATOR CIRCUIT INCLUDING THE BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20220311424A1. Автор: LEE Jusung,KIM Taeik,Kim Wooseok,JEONG CHANYOUNG. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Bonding quality test method, bonding quality test circuit, and memory device including bonding quality test circuit

Номер патента: US20240255564A1. Автор: Sangsu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240105275A1. Автор: Yasuyuki Matsuda,Kiyoe YAMASAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor circuit and semiconductor device for determining status of a fuse element

Номер патента: US11749364B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Power control circuit and semiconductor apparatus including the power control circuit

Номер патента: US20200177070A1. Автор: Woongrae Kim,Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device including cache latch circuit

Номер патента: US20210074367A1. Автор: Dong Hyuk Kim,Sung Lae OH,Soo Nam JUNG,Tae Sung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Start-stop synchronization serial communication circuit and semiconductor integrated circuit having start-stop synchronization serial communication circuit

Номер патента: US20060146970A1. Автор: Hiroshi Miyagi,Isami Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US11715542B2. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US20220036958A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: EP3945330A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US11417408B2. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US20220328117A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-13.

Transmitter circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09559697B2. Автор: Nobumasa Hasegawa,Shigeaki KAWAI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Transmission circuit

Номер патента: US20230238964A1. Автор: Masanobu Tsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Latch circuit

Номер патента: US11915743B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Latch circuit

Номер патента: US20240170053A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Body bias voltage generator and semiconductor device including the same preliminary class

Номер патента: US12015024B2. Автор: Youngjae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US9740231B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09939836B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09740231B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Power supply circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20180102175A1. Автор: Hiroyuki Tanikawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Internal-voltage generating circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20090116329A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Koichiro Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Bootstrap circuit and semiconductor device having bootstrap circuit

Номер патента: US09715906B2. Автор: Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Supply voltage generating circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US20140185373A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-07-03.

Supply voltage generating circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US20130215676A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Body bias voltage generator and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230317710A1. Автор: Youngjae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device

Номер патента: US20180342269A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device

Номер патента: US20200185012A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Voltage generator and semiconductor device including the same

Номер патента: US12040704B2. Автор: Kyungsoo Ha,Sungju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor die for determining load of through silicon via and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210104498A1. Автор: Reum Oh,Bumsuk Lee,SeungHan WOO,Je Min RYU,Moonhee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20240032308A1. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device including layers with different chalcogen compounds and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11818899B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Integrated circuit and non-volatile memory device

Номер патента: US20240145530A1. Автор: Yongjun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20210375345A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Ramp generation circuit, and image sensor and imaging apparatus including the same

Номер патента: JPWO2012143982A1. Автор: 阿部　豊,豊阿部,洋藤中,真浩樋口,西村　佳壽子,佳壽子西村,優介山岡. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-28.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Circuit, transmission system and method for determining proximity of an object

Номер патента: US09864087B2. Автор: Saku Lahti,Mikko S. Komulainen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Solid-state image pickup element, electronic equipment, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210375817A1. Автор: Junichiro Fujimagari,Tomohiro Ohkubo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Readout circuits and methods

Номер патента: EP4403892A2. Автор: Bing Wen,Edward Chan,John Hong,Seung-Tak Ryu,Tallis Chang. Владелец: Obsidian Sensors Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Portable nfc device that releases reset in response to radio frequency signal, and nfc tag circuit included therein

Номер патента: US20240256816A1. Автор: Sung Wan Kim,Sung Hun Chun,Pyeong Han Lee,Kwang Beom PARK,Chang Ho RYU. Владелец: 3A LOGICS Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Power conversion circuit and internet protocol camera employing the same

Номер патента: US20120062752A1. Автор: Ming-Chih Hsieh. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Readout circuit and method for time-of-flight image sensor

Номер патента: US12081884B2. Автор: Golan Zeituni,Kei NAKAGAWA,Zvika Veig. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Portable nfc device that releases reset in response to radio frequency signal, and nfc tag circuit included therein

Номер патента: EP4412095A1. Автор: Sung Wan Kim,Sung Hun Chun,Pyeong Han Lee,Kwang Beom PARK,Chang Ho RYU. Владелец: 3A LOGICS Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Amplification circuit, and receiving circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system using the amplification circuit

Номер патента: US10778163B2. Автор: Hyun bae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-15.

AMPLIFICATION CIRCUIT, AND RECEIVING CIRCUIT, SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SEMICONDUCTOR SYSTEM USING THE AMPLIFICATION CIRCUIT

Номер патента: US20200021260A1. Автор: LEE Hyun Bae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-01-16.

Radio frequency front-end circuit and communication device

Номер патента: US20180331703A1. Автор: Hirotsugu Mori,Atsushi HORITA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Phase control circuit and oscillator circuit using it

Номер патента: US4136289A. Автор: Takao Yokoyama,Makoto Furihata,Shigeaki Minamihata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-01-23.

Flip-flops and scan chain circuits including the same

Номер патента: US12044733B2. Автор: Minji Kim,Byounggon Kang,Dalhee Lee,Giyoung Yang,Taejung Seol,Jaebeom Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Power management circuit and method for integrated circuit having multiple power domains

Номер патента: US20210004030A1. Автор: Ching-Hsiang Chang,Chun-Hsiang Lai,Chih-Chieh Yao. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Power management circuit and method for integrated circuit having multiple power domains

Номер патента: US20230135657A1. Автор: Ching-Hsiang Chang,Chun-Hsiang Lai,Chih-Chieh Yao. Владелец: M31 Technology Corporation. Дата публикации: 2023-05-04.

Latch circuit and display device using the latch circuit

Номер патента: US20120287101A1. Автор: Toshio Miyazawa,Mitsuhide Miyamoto. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US12095464B2. Автор: Guang-Cheng Wang,Shang-Hsuan CHIU,Yueh CHIANG,Ming-Xiang LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Clock jitter measurement circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09989588B2. Автор: Ji-Hyun Kim,Woo-Seok Kim,Kang-Yeop Choo,Hyun-ik KIM,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Electronic circuit, latch circuit, and external action detecting circuit

Номер патента: US09793895B2. Автор: Naoya Torii,Dai Yamamoto,Ikuya Morikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Configurable Clock Macro Circuits And Methods

Номер патента: US20220004221A1. Автор: Alexander Andreev,Eng Huat Lee,Alexander Rusakov,Andrei Nikishin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US11909396B2. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Flip-flops and scan chain circuits including the same

Номер патента: US20240061039A1. Автор: Minji Kim,Byounggon Kang,Dalhee Lee,Giyoung Yang,Taejung Seol,Jaebeom Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Equalizer circuit, receiver circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US20190109738A1. Автор: Daisuke Suzuki,Masahiro Kudo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Neural network output sensing and decision circuit and method

Номер патента: US20030107410A1. Автор: Michael Callahan. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-06-12.

Optical transmission circuit with upper and lower threshold control

Номер патента: US09866185B2. Автор: Hiroki Yamashita,Takashi Takemoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Clock generation circuit and latch using same, and computing device

Номер патента: US11799456B2. Автор: Jieyao Liu,Nangeng ZHANG,Jingjie Wu,Shenghou MA. Владелец: Canaan Creative SH Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated circuit having latch circuits and using delay circuits to fetch data bits in synchronization with clock signals

Номер патента: US20140055185A1. Автор: Masakuni Kawagoe. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Latch circuit, latch method, and electronic device

Номер патента: US11804829B2. Автор: Yinchuan GU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Programmable trimming bit implementation circuit and driving circuit

Номер патента: US20240007089A1. Автор: Jingwei Xu,Jian Xu. Владелец: Huada Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Clocked latch circuit and a clock generating circuit using the same

Номер патента: US20210359686A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Latch circuit, latch method, and electronic device

Номер патента: US20230015237A1. Автор: Yinchuan GU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Programmable trimming bit implementation circuit and driving circuit

Номер патента: EP4300827A1. Автор: Jingwei Xu,Jian Xu. Владелец: Huada Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Clock generation circuit and latch using same, and computing device

Номер патента: EP4068630A1. Автор: Jieyao Liu,Nangeng ZHANG,Jingjie Wu,Shenghou MA. Владелец: Canaan Creative SH Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

High-speed latch circuits by selective use of large gate pitch

Номер патента: US09875328B2. Автор: Leland Chang,Robert K. Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Latch circuit based on thin-film transistor, pixel circuit and driving method, display apparatus

Номер патента: US20210210040A1. Автор: Xianjie SHAO. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Latch circuit

Номер патента: US20100225356A1. Автор: Taiki Uemura,Yoshiharu Tosaka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Clock multiplexing circuit, clock distribution circuit, and semiconductor apparatus including the clock multiplexing circuit

Номер патента: US20240243747A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Latch circuit and display device

Номер патента: EP2584700A3. Автор: Toshio Miyazawa,Hajime Akimoto. Владелец: Pixtronix Inc. Дата публикации: 2014-06-04.

Latch circuit based on thin-film transistor, pixel circuit and driving method, display apparatus

Номер патента: EP3631788A1. Автор: Xianjie SHAO. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-08.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240204759A1. Автор: Guang-Cheng Wang,Shang-Hsuan CHIU,Yueh CHIANG,Ming-Xiang LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Clock jitter measurement circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20180011142A1. Автор: Ji-Hyun Kim,Woo-Seok Kim,Kang-Yeop Choo,Hyun-ik KIM,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190369692A1. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09608625B2. Автор: Masanori Inoue,Shuichi Kunie. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Data latch circuit

Номер патента: US20180054190A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Constant current circuit, timer circuit, one-shot multivibrator circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240329681A1. Автор: Naohiro Nomura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method to Reduce Leakage Within a Sequential Network and Latch Circuit

Номер патента: US20070168792A1. Автор: Christian Jacobi,Harry Barowski,Matthias Pflanz,Tobias Gemmeke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Transmission circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09628076B2. Автор: Nobumasa Hasegawa. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Constant current circuit and semiconductor device

Номер патента: US20200333820A1. Автор: Yohei Ogawa,Kentaro Fukai,Tomoki Hikichi,Takaaki Hioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Integrated circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09960768B2. Автор: Min-Ho Park,Jae-Woo Seo,Dal-Hee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Reference voltage generator circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240361796A1. Автор: Yuta IIDA,Kengo KOMIYA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Power-up signal generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09847780B2. Автор: Sang-Ho Lee,Kyoung-youn Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Initialization signal generation circuits and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09507361B2. Автор: Bon Kwang Koo,Yu Jong Noh,Eun Kyu IN,Jun Seop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Clocked inverter circuit, latch circuit, shift register circuit, drive circuit for display apparatus, and display apparatus

Номер патента: US20070091014A1. Автор: Junichi Yamashita,Katsuhide Uchino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Reference voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US09906124B2. Автор: Yanzheng ZHANG. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor circuit and semiconductor circuit layout system

Номер патента: US20200192997A1. Автор: Ah Reum Kim,Min Su Kim,Young O LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Compressor circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20240094987A1. Автор: Byoung Gon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Random number generating circuit and semiconductor apparatus

Номер патента: US11281431B2. Автор: Yutaka Tamiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160182041A1. Автор: Masanori Inoue,Shuichi Kunie. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Random number generating circuit and semiconductor apparatus

Номер патента: US20200241841A1. Автор: Yutaka Tamiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Clock generating circuit and clock distribution network and semiconductor apparatus including the clock generating circuit

Номер патента: US20240085939A1. Автор: Yong Suk Choi,Yeon Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor circuit and semiconductor circuit layout system

Номер патента: US20200195237A1. Автор: Min Su Kim,Young O LEE,Doo Seok YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Delay circuits and semiconductor devices

Номер патента: US11894850B1. Автор: XinXin Zhang,Jianyong QIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Voltage tracking circuit and method of operating the same

Номер патента: US20210199709A1. Автор: Chia-Jung Chang,Hsiang-Hui CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Oscillation period detection circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20230071369A1. Автор: Zhiqiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Oscillation period measurement circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: EP4198989A1. Автор: Zhiqiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Multi-junction semiconductor circuit and method

Номер патента: US20160274604A1. Автор: Ananthasayanam Chellappa. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-09-22.

Data retention circuit and method

Номер патента: US20210265987A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Lee-Chung Lu,Shang-Chih Hsieh,Wei-Hsiang Ma,Yung-Chen CHIEN,Chi-Lin Liu,Kai-Chi HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Output driving circuit and transistor output circuit

Номер патента: US20130038356A1. Автор: Chang Jae Heo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-14.

Sensor circuit and method

Номер патента: US20170023382A1. Автор: Franciscus Widdershoven,Rameswor Shrestha. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-01-26.

Sensor circuit and method

Номер патента: US10119839B2. Автор: Franciscus Widdershoven,Rameswor Shrestha. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-11-06.

Gate driving circuit and display device having the same

Номер патента: US20150206500A1. Автор: CheolKyu Kim,JiHoon Oh,Sanghyun Jeon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Voltage tracking circuit and method of operating the same

Номер патента: US20240255569A1. Автор: Chia-Jung Chang,Hsiang-Hui CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit and an electronic device including integrated circuit

Номер патента: US20230097976A1. Автор: Jae Ho Lee,Jae Seung Choi,Chan Wook Park,Yeon Ho Jung,Jong Wook Kye,Min Woo Kwak,Mi Joung Kim,Do Hoon Byun,Kwan Seong Lee,Je Kyun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Modulation mode control circuit, switch control circuit including the modulation mode control circuit and power supply device including the switch control circuit

Номер патента: US09812856B2. Автор: Ji-hoon Jang,Won-Tae Lee,Hyeong Seok BAEK. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Protection mode control circuit, switch control circuit including the protection mode control circuit and power supply device including the switch control circuit

Номер патента: US09825453B2. Автор: Ji-hoon Jang,Won-Tae Lee,Hang-Seok Choi,Hyeong Seok BAEK. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Page buffer circuit, semiconductor memory apparatus including page buffer circuit, and operating method of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US12062399B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Page buffer circuit, method of operating a semiconductor memory device and semiconductor memory system

Номер патента: US20230402104A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Charge/discharge control circuit and battery apparatus having the same

Номер патента: US10707687B2. Автор: Takashi Ono,Satoshi Abe. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-07-07.

Pipe latch circuit for executing consecutive data output operation

Номер патента: US11694729B2. Автор: Kwang Soon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Protection circuit and method

Номер патента: US20220329214A1. Автор: Alexander Simin,Gian Hoogzaad,Marc Gerardus Maria Stegers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-10-13.

Signal latching circuit and method, battery management system, and battery system

Номер патента: EP4432514A2. Автор: Qifan Liu,Zhigao Su,Xiaojia Du. Владелец: Xiamen Ampack Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Signal latching circuit and method, battery management system, and battery system

Номер патента: US20240313269A1. Автор: Qifan Liu,Zhigao Su,Xiaojia Du. Владелец: Xiamen Ampack Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory device including high voltage switching circuit, and operation method of the non-volatile memory device

Номер патента: US20210391015A1. Автор: Hyunjin SHIN,Sanggyeong Won,Dohui Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Power transmission circuit with EMI shielding, lighting module, and panel display module

Номер патента: US8562163B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chih-Liang Pan,Tsung-Hung Lee. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-10-22.

Ethernet data transmission circuit and system and ethernet data transmission method

Номер патента: US20220263808A1. Автор: Ren Li,Rui YAO,Yibo Tong. Владелец: Shenzhen Pango Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Pixel circuit including optical fingerprint sensing circuit, method for driving pixel circuit, and organic light emitting display device

Номер патента: US11769450B2. Автор: MoonBong Song,Byong Deok Choi,Yong Duck Kim,Jeongmin Moon,KiSeok CHANG,Jihwan JUNG,SoonShin JUNG,Yong Sang Yoo. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-09-26.

Data processing circuit and device

Номер патента: EP4095862A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-30.

Amplifier circuit, latch circuit, and sensing device

Номер патента: US20210294367A1. Автор: Kei Takahashi,Hiroki Inoue,Yuto Yakubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Pre space transformer, space transformer manufactured using the pre space transformer, and semiconductor device inspecting apparatus including the space transformer

Номер патента: US09947457B2. Автор: Ki Young Kim,Kwang Jae Oh,Yoon Hyuck Choi. Владелец: Semcns Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Drive circuit and display device

Номер патента: US8866718B2. Автор: Keisuke Omoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor device producing method, system for carrying out the same and semiconductor work processing apparatus included in the same system

Номер патента: US6650409B1. Автор: Hiroshi Morioka,Kazuhiko Matsuoka,Kenji Watanabe,Fumiaki Endo,Hideaki Doi,Masataka Shiba,Yuzo Taniguchi,Yoshiharu Shigyo,Minori Noguchi,Yoshimasa Ohshima,Yukio Kembo,Hidetoshi Nishiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Current balance circuit and multiphase converter using the same

Номер патента: US20180321701A1. Автор: Chih-Yuan Chen,Tzu-Yang YEN. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Current balance circuit and multiphase converter using the same

Номер патента: US10338615B2. Автор: Chih-Yuan Chen,Tzu-Yang YEN. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2019-07-02.

Pre space transformer, space transformer manufactured using the pre space transformer, and semiconductor device inspecting apparatus including the space transformer

Номер патента: US09607754B2. Автор: Ki Young Kim,Kwang Jae Oh,Yoon Hyuck Choi. Владелец: Semcns Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Detection circuit, switching control circuit, and power supply circuit

Номер патента: US11936302B2. Автор: Jian Chen. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Constant-current led driver circuit and output voltage adjustable circuit and method thereof

Номер патента: US20130088169A1. Автор: Xiaoli Yao,Guichao Hua,Liang'an Ge,Lijun REN. Владелец: Inventronics Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Circuit and method for transmitting data stream

Номер патента: US20090147799A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Yi-Te Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

PRE SPACE TRANSFORMER, SPACE TRANSFORMER MANUFACTURED USING THE PRE SPACE TRANSFORMER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTING APPARATUS INCLUDING THE SPACE TRANSFORMER

Номер патента: US20140176171A1. Автор: Oh Kwang Jae,CHOI Yoon Hyuck,Kim Kuk Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

PRE SPACE TRANSFORMER, SPACE TRANSFORMER MANUFACTURED USING THE PRE SPACE TRANSFORMER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTING APPARATUS INCLUDING THE SPACE TRANSFORMER

Номер патента: US20140176181A1. Автор: KIM Ki Young,Oh Kwang Jae,CHOI Yoon Hyuck. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

PRE SPACE TRANSFORMER, SPACE TRANSFORMER MANUFACTURED USING THE PRE SPACE TRANSFORMER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTING APPARATUS INCLUDING THE SPACE TRANSFORMER

Номер патента: US20170169931A1. Автор: KIM Ki Young,Oh Kwang Jae,CHOI Yoon Hyuck. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

INSPECTION APPARATUS AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE-MANUFACTURING APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200185240A1. Автор: Kim Wookrae,Park Gwangsik,KIM Kwangsoo. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Test circuit and method for semiconductor apparatus

Номер патента: KR101094916B1. Автор: 변상진,이종천,최민석,구영준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-15.

Test circuit and method for semiconductor apparatus

Номер патента: KR20110046894A. Автор: 변상진,이종천,최민석,구영준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-06.

Digital PLL circuit and actuating method

Номер патента: US5883930A. Автор: Mikio Fukushi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Dc-dc converter and semiconductor device

Номер патента: US20150035514A1. Автор: Kei Takahashi,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Dc-dc converter and semiconductor device

Номер патента: US20160285369A1. Автор: Kei Takahashi,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

DC-DC converter and semiconductor device

Номер патента: US09412762B2. Автор: Kei Takahashi,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Operational amplifying circuit and semiconductor device comprising the same

Номер патента: US09628034B2. Автор: Jin-soo Kim,Seung-Hwan Baek,Ji-Yong Jeong,Ha-Joon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US12057442B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US09721941B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Reception circuit and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20150023459A1. Автор: Yoshiyasu Doi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Resistance correction circuit, resistance correction method, and semiconductor device

Номер патента: US09829911B2. Автор: Takashi Nakamura,Kosuke YAYAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US11867757B2. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US20220187366A1. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Circuit and method for removing spread spectrum

Номер патента: US12052336B2. Автор: FENG CHEN,YU Chen,Hongfeng Xia,Jiaxi FU,Lianliang Tai,Yongling Zhang. Владелец: Lontium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Amplifier Circuit and Display Apparatus Having the Same

Номер патента: US20240258977A1. Автор: Hyunwoo Kim,Hongju LEE,Beom-jin Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Charge amplification circuits and methods

Номер патента: US20240275347A1. Автор: Paolo Pesenti,Tiziano Chiarillo,Mario Maiore,Roberto Modaffari. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-15.

Amplifier circuit and display apparatus having the same

Номер патента: US12119795B2. Автор: Hyunwoo Kim,Hongju LEE,Beom-jin Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Amplitude modulation circuit and semiconductor integrated circuit for optical communication system

Номер патента: US11588476B2. Автор: Keiji Tanaka,Hiroshi Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Log-likelihood ratio arithmetic circuit, transmission apparatus, log-likelihood ratio arithmetic method and programme

Номер патента: RU2434350C2. Автор: Еисаку САСАКИ. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2011-11-20.

Output circuit, transmission circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11791820B2. Автор: Akiyoshi Matsuda,Takumi FUNAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Circuit and wireless device

Номер патента: EP3764459A1. Автор: Takashi Shimizu,Hirofumi Sasaki,Doohwan Lee,Takana Kaho,Yasunori Yagi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2021-01-13.

Circuit and wireless device

Номер патента: US20210044014A1. Автор: Takashi Shimizu,Hirofumi Sasaki,Doohwan Lee,Takana Kaho,Yasunori Yagi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Transmission circuit, reception circuit and communication system

Номер патента: US09966979B2. Автор: Shinsuke Fujii,Hiroyuki Shibayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Noise removing circuit and image sensor

Номер патента: US10750107B2. Автор: Masato Osawa. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2020-08-18.

Noise removing circuit and image sensor

Номер патента: US20190020834A1. Автор: Masato Osawa. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Binary conversion circuit and method, AD converter, solid-state imaging device, and camera system

Номер патента: US20100271519A1. Автор: Tomohiro Takahashi,Hiroki Ui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Radio-frequency filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device

Номер патента: US20200144992A1. Автор: Koji Nosaka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Radio-frequency circuit and communication device

Номер патента: US20210075448A1. Автор: Hirotsugu Mori,Hidenori OBIYA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Power amplifier circuit and power amplification method

Номер патента: US20240178804A1. Автор: Kenji Tahara,Ryo Wakabayashi,Kae YAMAMOTO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Radio frequency circuit and communication device

Номер патента: US20240162923A1. Автор: Kenji Tahara,Hiroki SHOUNAI,Ryo Wakabayashi,Kae YAMAMOTO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Phase shifter, impedance matching circuit, and communication terminal apparatus

Номер патента: US20180069524A1. Автор: Kenichi Ishizuka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Noise elimination circuit and communication device including the same

Номер патента: US20240322779A1. Автор: Hiromasa SAEKI,Masaya Tamura,Masaya Takagi. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2024-09-26.

Radio-frequency filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device

Номер патента: US20200144991A1. Автор: Koji Nosaka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Configurable latch circuit

Номер патента: US09531351B1. Автор: Ilya K. Ganusov,Benjamin S. Devlin. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Latch circuit, double data rate ring counter based on the latch circuit, and related devices

Номер патента: CN106685411A. Автор: 黄元锡. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

LATCH CIRCUIT, DOUBLE DATA RATE RING COUNTER BASED ON THE LATCH CIRCUIT, HYBRID COUNTING DEVICE, ANALOG-DIGITAL CONVERTING DEVICE, AND CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20170133418A1. Автор: HWANG Won-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Duty cycle correction circuit and semiconductor integrated circuit apparatus including the same

Номер патента: US20090231006A1. Автор: Hyung Soo Kim,Ic Su Oh,Yong Ju Kim,Hae Rang Choi,Jae Min Jang,Hee Woong Song,Tae Jin Hwang,Ji Wang Lee,Sung Woo Han,Chang Kun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Duty cycle correction circuit and semiconductor integrated circuit apparatus including the same

Номер патента: TWI473113B. Автор: Yong-Ju Kim,Hyung-Soo Kim,Hae-Rang Choi,Jae-Min Jang,Ji-Wang Lee,Sung-Woo Han,Hee-Woong Song,Ic-Su Oh,Tae-Jin Hwang,Chang-Kun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-02-11.

Semiconductor integrated circuit and electronic circuit

Номер патента: US20090128210A1. Автор: Takuji Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Offset calibration circuit and offset calibration method applied in signal processing circuit

Номер патента: US20220115995A1. Автор: Chun-Hao LAI,Chung-Lun Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Transistor driver circuit and transistor driving method

Номер патента: US20240128970A1. Автор: Hideaki Majima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

DRIVING SIGNAL GENERATING CIRCUIT AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE DRIVING APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150236692A1. Автор: HEO Chang Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-08-20.

Latch circuit and method for writing and reading volatile and non-volatile data to and from the latch

Номер патента: WO2005091299A1. Автор: Fredrick B. Jenne,Babak A. Taheri,Sanjeev K. Maheshwari. Владелец: Cypress Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2005-09-29.

Circuits and methods for sampling and holding differential input signals

Номер патента: US20130015991A1. Автор: Rajesh Cheeranthodi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Band-pass filtering circuit and multiplexer

Номер патента: EP4246807A1. Автор: Xiaodong Wang,Jun He,Chengjie Zuo,Chemggong HE. Владелец: Anhui Annuqi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Pixel driving circuit and driving method therefor, and display panel

Номер патента: US12080229B2. Автор: Qi Qi,Jing Liu,Han Yue,MINGHUA XUAN,Dongni LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Power-amplifier power supply circuit and communication device

Номер патента: EP4439980A1. Автор: Yao Qian,Wei Zhou,Weinan Li,Xiaojun Pan. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Direct current offset protection circuit and method

Номер патента: US11368130B1. Автор: Hsin-Yuan Chiu,Hsiang-Yu Yang. Владелец: Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-21.

Power Amplifier Power Supply Circuit and Communication Apparatus

Номер патента: US20240364283A1. Автор: Yao Qian,Wei Zhou,Weinan Li,Xiaojun Pan. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Potential difference transmission device and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US5672987A. Автор: Tsuguyasu Hatsuda,Isao Tanaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-30.

Pixel driving circuit having time control sub-circuit and driving method therefor, and display panel

Номер патента: US11804169B2. Автор: Qi Qi,Jing Liu,Han Yue,MINGHUA XUAN,Dongni LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Programming circuit, integrated circuit, and method

Номер патента: US20230306245A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Pixel driving circuit and driving method therefor, and display panel

Номер патента: US20240005854A1. Автор: Qi Qi,Jing Liu,Han Yue,MINGHUA XUAN,Dongni LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Band-pass filter circuit and multiplexer

Номер патента: US20240039501A1. Автор: Xiaodong Wang,Jun He,Chengjie Zuo,Chenggong He. Владелец: Anhui Annuqi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Shift register circuit including denoising control sub-circuit and method for driving same, and gate driving circuit and display apparatus

Номер патента: US12002407B2. Автор: Jie Zhang,Dawei Wang,Guangliang Shang,Shiming Shi,Jiangnan Lu,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Shift register circuit and driving method thereof, gate driving circuit, and display device

Номер патента: US20240071312A1. Автор: LI Wang,Long Han,Guangliang Shang,Shiming Shi,Jiangnan Lu,Libin LIU,Xinshe Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

INPUT/OUTPUT CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SYSTEM WITH THE SAME

Номер патента: US20130114359A1. Автор: KIM Kwang Hyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-05-09.

Input-Output Circuit and Method of Semiconductor Apparatus and System with the same

Номер патента: KR101212760B1. Автор: 김광현. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-12-14.

Input/output circuit and method of semiconductor apparatus and system with the same

Номер патента: CN105390161A. Автор: 金光现. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-03-09.

Input/output circuit and method of semiconductor apparatus and system with same

Номер патента: CN105390160A. Автор: 金光现. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-03-09.

Input/output circuit and method of semiconductor apparatus and system with the same

Номер патента: US8369159B2. Автор: Kwang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Self-Refresh Based Power Saving Circuit and Method

Номер патента: US20100157711A1. Автор: James Fry,George Guthrie. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2010-06-24.

A high frequency amplifier with a guard circuit and a radio wave transmission apparatus including the same

Номер патента: GB9810753D0. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-15.

Error correction code circuit and semiconductor apparatus including the error correction code circuit

Номер патента: US20240321383A1. Автор: Seong Jin Kim,Jung Hwan Ji,Seon Woo HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Latch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20210375388A1. Автор: Jeong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor memory apparatus and operating method thereof, and semiconductor memory system

Номер патента: US20210391020A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Shared decoder circuit and method

Номер патента: US20230368828A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,XiuLi YANG,Kuan Cheng,Luping Kong. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory sensing and latching circuit

Номер патента: US7760568B2. Автор: James Wilson,Gregg Hoyer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Multiport memory, memory macro and semiconductor device

Номер патента: US9922703B2. Автор: Masao Morimoto,Yuichiro Ishii,Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Data storage circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210104268A1. Автор: Kazuya Ioki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device comprising pipe latch circuit and auto-precharge signal generation circuit

Номер патента: US09659615B1. Автор: Tae Yong Lee,Seung Hun Lee,Myung Kyun KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Detecting device and semiconductor device

Номер патента: US20210359669A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shintaro Harada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Detecting device and semiconductor device

Номер патента: US11909397B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shintaro Harada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US11869579B2. Автор: Jinyoung Chun,Ilhan Park,Inho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Data transmission circuit, data line driving circuit, amplifying circuit, semiconductor intergrated circuit, and semiconductor memory

Номер патента: US6038188A. Автор: Hironori Akamatsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-14.

Latch circuits with improved single event upset immunity and related systems, apparatuses, and methods

Номер патента: US20230024008A1. Автор: LIANG Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Latch circuits with improved single event upset immunity and related systems, apparatuses, and methods

Номер патента: US11978521B2. Автор: LIANG Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Multiport memory, memory macro and semiconductor device

Номер патента: US20180158522A1. Автор: Masao Morimoto,Yuichiro Ishii,Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Page buffer circuit and operation method thereof

Номер патента: US20230298637A1. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Sensing and latching circuit for memory arrays

Номер патента: US20100246281A1. Автор: James Wilson,Gregg Hoyer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Data bus inversion circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20240160595A1. Автор: Seok Bo Shim,Hong Ki Moon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Pipe latch circuit, operating method thereof, and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11830572B2. Автор: Bo Kyeom Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Pipe latch circuit, operating method thereof, and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20240062789A1. Автор: Bo Kyeom Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Reading circuit and method

Номер патента: US10522215B2. Автор: Jiesheng Chen,Wenxiao LI. Владелец: Shanghai Zhaoxin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Data path circuit and method

Номер патента: WO2023159051A1. Автор: Yoram Betser,Alexander Kushnarenko. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Accumulator, operational logic circuit including accumulator, and processing-in-memory device including accumulator

Номер патента: US11948658B2. Автор: Joon Hong Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Accumulator, operational logic circuit including accumulator, and processing-in-memory device including accumulator

Номер патента: US20230206967A1. Автор: Joon Hong Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Data Transfer Operation Completion Detection Circuit and Semiconductor Memory Device Provided Therewith

Номер патента: US20140250316A1. Автор: Hiroki Fujisawa. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-09-04.

Test circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20160018445A1. Автор: Dong Uk Lee,Young Ju Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Test circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09465058B2. Автор: Dong Uk Lee,Young Ju Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Data transfer operation completion detection circuit and semiconductor memory device provided therewith

Номер патента: US20070088902A1. Автор: Hiroki Fujisawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-19.

Data transfer operation completion detection circuit and semiconductor memory device provided therewith

Номер патента: US20130205157A1. Автор: Hiroki Fujisawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Data transfer operation completion detection circuit and semiconductor memory device provided therewith

Номер патента: US8751694B2. Автор: Hiroki Fujisawa. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-06-10.

Latch circuit device and port sampling system

Номер патента: US11972835B2. Автор: Kazuo Horiuchi. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Power gating control circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20240312500A1. Автор: Mino KIM,Sungwoo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor apparatus and semiconductor memory apparatus

Номер патента: US12125516B2. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device

Номер патента: US09467047B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Output latching circuit for static memory devices

Номер патента: US5715198A. Автор: George M. Braceras,Donald A. Evans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Pipe latch circuit for outputting data with high speed

Номер патента: US20040095178A1. Автор: Jeong-Ho Bang,Ki-Jun Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Address latch, address control circuit and semiconductor apparatus including the address control circuit

Номер патента: US12009058B2. Автор: Ji Eun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Apparatus diagnostic apparatus, semiconductor manufacturing apparatus system, and semiconductor apparatus manufacturing system

Номер патента: US20240339308A1. Автор: Akira Kagoshima,Satoru Matsukura,Masahiro Sumiya,Nanako TAMARI,Yoshito Kamaji. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Precharge circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09412427B2. Автор: Jin Youp CHA,Cheol Hoe KIM,Seok Cheol Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Data bus driving circuit, and semiconductor device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09740656B2. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Sensor circuit and semiconductor device including sensor circuit

Номер патента: US09647152B2. Автор: Jun Koyama,Tomokazu Yokoi,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Data conversion circuit and display device

Номер патента: US20200020298A1. Автор: Seiichi Yoneda,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of operating semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210149317A1. Автор: Hsiang Chen,Shang-Chieh Chien,Li-Jui Chen,Sheng-Kang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Error correction circuit using multi-clock and semiconductor device including the same

Номер патента: US12100465B2. Автор: Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device including pipe latch circuit

Номер патента: US11776592B2. Автор: Hyun Seung Kim,Ju Hyuck KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device including pipe latch circuit

Номер патента: US20230061738A1. Автор: Hyun Seung Kim,Ju Hyuck KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Signal sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230386553A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Data output circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09953700B2. Автор: Bo-Kyeom Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Pulse generator, error check and scrub (ecs) circuit and memory

Номер патента: US20240038282A1. Автор: Kai Sun,Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Calibration circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US12033717B2. Автор: Daewoong Lee,Hyejung Kwon,Daehyun KWON,Jaehyeok Baek,Donggun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Overheat detection circuit and semiconductor device

Номер патента: US09983067B2. Автор: Atsushi Igarashi,Masakazu Sugiura,Tsutomu Tomioka,Hideyuki SAWAI,Daisuke Okano,Nao OTSUKA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Transmission circuit, high-frequency front-end circuit, transmission signal control method, and high-frequency front-end transmission/reception control method

Номер патента: US09948331B2. Автор: Masahiro Ito,Satoshi Arayashiki,Shinya HITOMI,Kiichiro TAKENAKA,Hidenori OBIYA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory circuit, electronic device having the memory circuit, and method of operating memory circuit

Номер патента: US20220068355A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng-Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Repair circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20160104546A1. Автор: Tae-Sik Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Repair circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9384859B2. Автор: Tae-Sik Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: US20090207668A1. Автор: Heat Bit Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: US7969792B2. Автор: Heat-Bit PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Internal voltage generation circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US12068019B2. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Internal voltage generation circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US20230298656A1. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Data processing circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230206965A1. Автор: Jia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Data processing circuit and semiconductor memory divided into segments

Номер патента: US12119078B2. Автор: Jia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09494830B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Amplifying circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09455002B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor devices and semiconductor systems including a semiconductor device

Номер патента: US20190267051A1. Автор: Kwandong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Processing circuit, radio communication circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12081251B2. Автор: Takashi Miyazaki,Shunsuke Hirano,Yasuhiro Majima,Daisuke Kimura,Shunichiro Masaki,Kenta Aruga. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Power supply circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09858970B2. Автор: Bon Kwang Koo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Serial data transmission circuit and reception circuit, transmission system using the same, electronic device, and serial data transmission method

Номер патента: US09503253B2. Автор: Shinichi Saito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Data line switching control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210035616A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Internal strobe signal generating circuit capable of selecting data rate and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09990980B2. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170200485A1. Автор: Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Internal power supply voltage auxiliary circuit, semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US09589657B2. Автор: Akira Ogawa,Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor apparatus and semiconductor system having independent data input/output period, and operating method of the semiconductor system

Номер патента: US20230326495A1. Автор: Jae Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor apparatus and semiconductor system having independent data input/output period, and operating method of the semiconductor system

Номер патента: US20230326498A1. Автор: Jae Young Lee,Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of reconfiguring uncrowned standard cells and semiconductor apparatus including uncrowned and crowned cells

Номер патента: US10452805B2. Автор: Wen-Hao Chen,Meng-Kai Hsu,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu,Prasenjit Ray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Method of reconfiguring uncrowned standard cells and semiconductor apparatus including uncrowned and crowned cells

Номер патента: US20180004886A1. Автор: Wen-Hao Chen,Meng-Kai Hsu,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu,Prasenjit Ray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory control circuit and semiconductor integrated circuit incorporating the same

Номер патента: US20100039870A1. Автор: Yoshihiro Murakami. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-18.

Data input buffer and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20220122644A1. Автор: Yo Han JEONG,Jin Ha Hwang,Keun Seon AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09672884B1. Автор: Min Sik HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

DLL with reduced size and semiconductor memory device including DLL and locking operation method of the same

Номер патента: US20070263460A1. Автор: Eun Jung Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

In-vehicle semiconductor circuit and semiconductor circuit

Номер патента: US12109958B2. Автор: Mutsuo Nishikawa,Hirofumi Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11450390B2. Автор: Yutaka Shimizu,Masaru Koyanagi,Mikihiko Ito,Fumiya Watanabe,Kei Shiraishi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-20.

Test circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20130265033A1. Автор: Dong Uk Lee,Young Ju Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor apparatus and semiconductor system having lun selection cycle, and operating method of semiconductor system

Номер патента: US20230326517A1. Автор: Jae Young Lee,Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Command address control circuit and semiconductor apparatus and semiconductor system including the command address control circuit and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230062952A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hwan Park,Jae Hoon Cha,Ha Jun JEONG,Se Ra JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20210373784A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Tsuyoshi Atsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Data input/output circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09905281B2. Автор: Yong Gu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09741407B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09542983B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Array substrate including switch element that includes control portion and semiconductor portion, and display panel and display device including the same

Номер патента: US11882737B2. Автор: Lei Li. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Pipe register control signal generation circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20230420038A1. Автор: Gi Moon HONG,Dae Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20210335401A1. Автор: Satoshi Inoue,Yutaka Shimizu,Yumi Takada,Isao Fujisawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Defense circuit of semiconductor device and semiconductor device including the same

Номер патента: US11852527B2. Автор: Kwangho Kim,DongHun Heo,Cheolhwan LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20180129560A1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Input apparatus and semiconductor memory apparatus having the input apparatus

Номер патента: US09564194B1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor apparatus and semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20230253026A1. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Voltage detection circuit, charge control circuit, charge and discharge control circuit, and semiconductor device

Номер патента: US20230318315A1. Автор: Yasuhiro Miyamoto,Shinya FUKUCHI,Keiichi Murakawa. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Defense circuit of semiconductor device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210210439A1. Автор: Kwangho Kim,DongHun Heo,Cheolhwan LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US11789061B2. Автор: Isao Saito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Display panel and display apparatus including the same

Номер патента: US12058890B2. Автор: Sunhwa Lee,Yujin Lee,Jaeyong JANG,Heejean PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Bit line logic circuit and method

Номер патента: US20240312501A1. Автор: Jonathan Tsung-Yung Chang,Shang-Chi Wu,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Mahmut Sinangil. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Display panel and display apparatus including the same

Номер патента: US20240365585A1. Автор: Sunhwa Lee,Yujin Lee,Jaeyong JANG,Heejean PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Transmission channel, control method therefor, controller, radio communication device, correction circuit and computer-readable medium

Номер патента: RU2528088C2. Автор: Пол Муррей РОУ,Дориан Томас Чарльз ДЕВИС. Владелец: Эппл Инк. Дата публикации: 2014-09-10.

Signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20190221275A1. Автор: Young Sub Yuk,Seung Wan Chai. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Fan-out circuit and electronic device having the same

Номер патента: US20130141877A1. Автор: Tsang-Hong Wang,Chee-Wai Lau,Chien-Hao Fu,Tsao-Wen Lu,Chien-Ju Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-06-06.

Display apparatus including a branched gate driving circuit and multi-screen display apparatus including the same

Номер патента: US11776485B2. Автор: Kyungmin Kim,Eunji PARK,Youngin JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Pixel circuit and display device having the same

Номер патента: US20240274076A1. Автор: Sunghwan Kim,Wonkyu Kwak,Jung Hoon Shim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Scan circuit and display apparatus

Номер патента: US12118946B2. Автор: Yang Yu,Taofeng Xie,Guanghua Xu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Scan circuit and display apparatus

Номер патента: US20240249686A1. Автор: Yang Yu,Taofeng Xie,Guanghua Xu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US12073909B2. Автор: Jinwoo Park,Yoonhee CHOI,Hyunjun Yoon,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Circuit, method of using the circuit and memory macro including the circuit

Номер патента: US09812177B2. Автор: Bing Wang,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

OLED inverting circuit and display panel

Номер патента: US09679514B2. Автор: Tong Wu,Dong Qian. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Pixel circuit and display apparatus including the same

Номер патента: US09496319B2. Автор: Jae Hyeon Jeon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Overvoltage protection circuit, led backlight driving circuit and lcd

Номер патента: RU2648293C2. Автор: Дань ЦАО. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-03-23.

Zq calibration circuit, operation method of the zq calibration circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240127871A1. Автор: Sungyong Cho,Jaehyeok Baek,Donggun AN,Moonchul Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Stress compensation control circuit and semiconductor sensor device

Номер патента: US20200233045A1. Автор: Kentaro Fukai,Tomoki Hikichi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Electrostatic breakdown protection circuit and capacitance sensor device

Номер патента: US20230268731A1. Автор: Masayuki Otsuka,Satoru Kurotsu. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Substrate including test circuit and substrate test apparatus including the substrate

Номер патента: US20240194542A1. Автор: Junghyun Park,Heeju Seo,Yongil KWAK,Jekook LYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Data strobe signal noise protection apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100165760A1. Автор: Sang Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Waterproof keyboard with flexible keyboard circuit and related methods

Номер патента: US20240176397A1. Автор: Christian Davis,Nadun Kuruppumullage. Владелец: SEAL SHIELD LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Power factor correction circuit and power supply including the same

Номер патента: US20140160817A1. Автор: Kwang Soo Kim,In Wha Jeong,Bum Seok SUH. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

High frequency circuit and radar device

Номер патента: US20240142569A1. Автор: Takehiro KISHIDA. Владелец: Furuno Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Display driving circuit and display device including the same

Номер патента: US20210327998A1. Автор: Ji Hyun Lee,Seong Min CHEON,Dong Wook SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Integrated circuits including abutted blocks and methods of designing layouts of the integrated circuits

Номер патента: US20230297752A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Sanghoon Baek,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Flexible printed circuit and manufacturing method thereof, electronic device module and electronic device

Номер патента: US11765828B2. Автор: Qiang Tang,Ren XIONG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Display driving circuit and display device including the same

Номер патента: US20200135117A1. Автор: Ji Hyun Lee,Seong Min CHEON,Dong Wook SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Scan driving circuit and display device having the same

Номер патента: US20240282248A1. Автор: Taesang Kim,Eok Su Kim,Jongdo KEUM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Page buffer circuit, nonvolatile memory device including the page buffer circuit, and method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100142277A1. Автор: Sam Kyu Won,Chang Won YANG,Cheul Hee Koo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-10.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20060120179A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyong-Ryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080122523A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyoung-Ryol Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Signal compensation circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09564191B1. Автор: Jung Hwan Ji,Ki Chon PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Low loop current switch latch circuit

Номер патента: US4439637A. Автор: Michael B. Terry. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1984-03-27.

Optoelectronic transmitter with improved control circuit and laser fault latching

Номер патента: US6160647A. Автор: Patrick B. Gilliland,Evgueniy Anguelov. Владелец: Stratos Lightwave LLC. Дата публикации: 2000-12-12.

Internal voltage generator circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20110051533A1. Автор: Young-Hoon Kim,Nam-jong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Image capturing apparatus, image capturing system, moving object, and semiconductor chip having signal processing circuits in two-dimensional form

Номер патента: US10652499B2. Автор: Daisuke Yoshida,Hirofumi Totsuka,Naoki Isoda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-05-12.

Bit-line sense amplifier capable of compensating mismatch between transistors, and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09431071B2. Автор: Jong-Ho Moon,Tai-Young Ko,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US9997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20170256577A1. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US09997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Precharge control signal generator and semiconductor memory device therewith

Номер патента: US09437314B2. Автор: Hyun-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Image sensor and semiconductor structure

Номер патента: EP3656120A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-27.

High frequency circuit and communication device

Номер патента: US20240283469A1. Автор: Minoru IWANAGA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Radio-frequency circuit and communication device

Номер патента: US20240267063A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Atsushi Ono,Hirotsugu Mori. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor apparatus and semiconductor apparatus manufacturing method

Номер патента: US20220352226A1. Автор: Tadashi Iijima,Toshihiko Miyazaki,Tsuyoshi Suzuki,Yuki Kawahara. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Integrating analog-to-digital converter and semiconductor device

Номер патента: US12040813B2. Автор: Fukashi Morishita,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Data holding circuit and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140312950A1. Автор: Kenichi Kawasaki,Satoshi Tanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Redundant clock transition tolerant latch circuit

Номер патента: US09490781B2. Автор: Vibhu Sharma,Ajay Kapoor. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory circuit and control method for memory circuit

Номер патента: US20180337661A1. Автор: Tomohiro Tanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Frequency dividing circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09900014B2. Автор: Tetsuro Tamura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Signal transmission circuit

Номер патента: US09685859B2. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated clock gating cell and integrated circuit including the same

Номер патента: US20210194486A1. Автор: Ahreum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Integrated clock gating cell and integrated circuit including the same

Номер патента: US20210099173A1. Автор: Ahreum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

De-serialization circuit and method of operating the same

Номер патента: US09680501B1. Автор: Shao-Yu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

High voltage circuit and method for controlling a contactor in electric vehicles

Номер патента: EP4228915A1. Автор: Emmanuel Barajas Cortes,Alberto Jimenez-Hernandez. Владелец: Vitesco Technologies USA LLC. Дата публикации: 2023-08-23.

High voltage circuit and method for controlling a contactor in electric vehicles

Номер патента: WO2022086774A1. Автор: Emmanuel Barajas Cortes,Alberto Jimenez-Hernandez. Владелец: Vitesco Technologies USA, LLC. Дата публикации: 2022-04-28.

Circuit and method for universal pulse latch

Номер патента: US09941867B1. Автор: Scott Weber. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Analog-to-digital converter circuit and method of implementing an analog-to-digital converter circuit

Номер патента: US09490832B1. Автор: LEI Zhou,Hiva Hedayati. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrating analog-to-digital converter and semiconductor device

Номер патента: US20230087101A1. Автор: Fukashi Morishita,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Single event upset-tolerant latch circuit and flip-flop circuit

Номер патента: US20210194470A1. Автор: Satoshi Kuboyama,Akiko Makihara,Akifumi MARU,Tsukasa Ebihara. Владелец: High-Reliability Engineering & Components Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Latch circuit and flip-flop circuit having single event upset resistence

Номер патента: EP3641132A1. Автор: Satoshi Kuboyama,Akiko Makihara,Akifumi MARU,Tsukasa Ebihara. Владелец: High Reliability Engineering & Components Corp. Дата публикации: 2020-04-22.

High-speed latch circuit

Номер патента: US20120068751A1. Автор: Yong Quan,Guosheng Wu. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Selector circuit and semiconductor device

Номер патента: US20050166107A1. Автор: Masaki Komaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Latch circuit and flip-flop circuit including the same

Номер патента: US20130307595A1. Автор: Kang-Youl Lee,Ja-Beom Koo,Don-Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Power reducing logic and non-destructive latch circuits and applications

Номер патента: US09490807B2. Автор: Hon Shing Lau,Scott Siers,Ruchira Liyanage. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Latch circuit with isolated input and/or output

Номер патента: US09866204B1. Автор: Lloyd F. Linder,Brandon R. Davis,Toshi Omori,Victoria T. Pereira. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Timing circuits and driving circuits used in lighting systems

Номер патента: US09420648B2. Автор: LIN Feng,Yuedong Chen. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Latch circuit and semiconductor device

Номер патента: US20130229218A1. Автор: Tatsuji Nishijima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Latch circuit and latch circuit array including the same

Номер патента: US9337813B1. Автор: Jae-Seung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Circuit and method to extend a signal comparison voltage range

Номер патента: US20160248407A1. Автор: Jeremy Goldblatt. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Latch circuit and latch circuit array including the same

Номер патента: US20160118963A1. Автор: Jae-Seung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Circuit and method to extend a signal comparison voltage range

Номер патента: US09722585B2. Автор: Jeremy Goldblatt. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Successive-approximation register analog-to-digital converter circuit and operating method thereof

Номер патента: US11962308B2. Автор: Hui Huan Wang,Meng Hsuan WU. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Successive-approximation register analog-to-digital converter circuit and operating method thereof

Номер патента: US20230336180A1. Автор: Hui Huan Wang,Meng Hsuan WU. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for managing the operation of a low-complexity synchronous retention flip-flop circuit, and corresponding circuit

Номер патента: US20180083602A1. Автор: Amit Verma,Pascal Urard,Alok Kumar Tripathi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-03-22.

Low-ripple latch circuit for reducing short-circuit current effect

Номер патента: US09559674B2. Автор: Yu-Hsin Lin,Hung-Chieh Tsai,Chen-Yen Ho,Tze-Chien Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Multiplexing latch circuit and method

Номер патента: US10541685B2. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

Power on reset latch circuit

Номер патента: EP3709512A1. Автор: Stefano Pietri,James Robert FEDDELER,Robert Robert Matthew. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-09-16.

Latch circuit

Номер патента: US20090066387A1. Автор: Rolf Sundblad. Владелец: SICON SEMICONDUCTOR AB. Дата публикации: 2009-03-12.

Driving circuit of high-side transistor, class-d amplifier circuit using the same, converter controller circuit and high-side switch circuit

Номер патента: US20240113708A1. Автор: Mitsuteru Sakai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Solid-state relay and semiconductor device

Номер патента: US11758745B2. Автор: Noboru Inoue,Takahiro Fukutome,Shigeru Onoya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Data latch circuit with a phase selector

Номер патента: US7830190B2. Автор: Cheng-Chung Hsu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-11-09.

Radiation-hardened latch circuit

Номер патента: EP3811403A1. Автор: Jason F. Ross,John T. MATTA,Jamie A. Bernard. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2021-04-28.

Latch circuit preventing output failure due to simultaneous transition of control signal and input signal

Номер патента: US10326447B1. Автор: Jun Suk Kim,Min Chul JUNG,Young Seung KIM,Scott Seungmoon Yoo. Владелец: Adtechnology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-18.

Multiplexing latch circuit

Номер патента: US11916550B2. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Feedback latch circuit and method therefor

Номер патента: US6791387B1. Автор: Shao-Sheng Yang,Tsin-Yuan Chang,Hao-Yung Lo. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2004-09-14.

Phase synchronization circuit, transmission and reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11757457B2. Автор: Hiromitsu OSAWA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Drive circuit and semiconductor apparatus

Номер патента: US09559668B2. Автор: Yosuke Osanai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Latch circuit with single node single-event-upset immunity

Номер патента: US20100148837A1. Автор: Hugh Pryor McAdams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

High voltage circuit and method for controlling a contactor in electric vehicles

Номер патента: US20220118856A1. Автор: Emmanuel Barajas Cortes,Alberto Jimenez-Hernandez. Владелец: Vitesco Technologies USA LLC. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09800130B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09685862B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Latch circuit, flip-flop circuit and frequency divider

Номер патента: WO2012014013A3. Автор: Saverio Trotta. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2012-11-15.

Latch circuit, flip-flop circuit and frequency divider

Номер патента: EP2599220A2. Автор: Saverio Trotta. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-06-05.

Latch circuit, flip-flop circuit and frequency divider

Номер патента: US20130127502A1. Автор: Saverio Trotta. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-23.

Dual mode latch circuit

Номер патента: US09461633B1. Автор: Navid Foroudi. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160197603A1. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09692424B2. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Master slave latch circuit

Номер патента: CA1275310C. Автор: Katuhisa Kubota. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-10-16.

Latching circuits

Номер патента: CA1215138A. Автор: Robert M. Paski. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1986-12-09.

Flip-flop circuit including control signal generation circuit

Номер патента: US11863188B2. Автор: Byounggon Kang,Dalhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

ECL latch circuit with second current path for reset means

Номер патента: US5376836A. Автор: Shusei Tago. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-12-27.

Latch circuit

Номер патента: US09490782B2. Автор: Ralf Malzahn,Vibhu Sharma,Ajay Kapoor. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-11-08.

Master slave latch circuit with race prevention

Номер патента: US4841168A. Автор: Katuhisa Kubota. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-06-20.

High performance latch circuit

Номер патента: CA1076218A. Автор: Edward B. Eichelberger,Gordon J. Robbins. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-04-22.

Optical latch circuit and electronic device

Номер патента: US11855638B2. Автор: Fumiyasu Utsunomiya,Yoshifumi Yoshida,Ryosuke Isogai. Владелец: Seiko Group Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Optical latch circuit and electronic device

Номер патента: US20220352877A1. Автор: Fumiyasu Utsunomiya,Yoshifumi Yoshida,Ryosuke Isogai. Владелец: Seiko Group Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Optical latch circuit and electronic device

Номер патента: EP3930193A1. Автор: Fumiyasu Utsunomiya,Yoshifumi Yoshida,Ryosuke Isogai. Владелец: Seiko Holdings Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Oscillator circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09742419B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Input circuit and semiconductor apparatus including the input circuit

Номер патента: US09716493B2. Автор: Yeonsu JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Storage circuit and semiconductor device

Номер патента: US09438206B2. Автор: Yukio Maehashi,Seiichi Yoneda,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Non-current summing multiple input latching circuit

Номер патента: US3760190A. Автор: C Hannaford. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-09-18.

Power reducing buffer/latch circuit

Номер патента: US5189319A. Автор: Wingcho Fung,Krishna M. Yellamilli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Signal generator adjusting a duty cycle and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09531365B1. Автор: Kwan Su SHON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Phase splitter with integrated latch circuit

Номер патента: US4542309A. Автор: Wilfried Klein,Erich Klink,Knut Najmann,Friedrich Wernicke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-09-17.

Circuit and method to extend a signal comparison voltage range

Номер патента: EP2974015A1. Автор: Jeremy Mark GOLDBLATT. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Circuit and method to extend a signal comparison voltage range

Номер патента: US20140266307A1. Автор: Jeremy Mark GOLDBLATT. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Circuit and method to extend a signal comparison voltage range

Номер патента: WO2014164311A1. Автор: Jeremy Mark GOLDBLATT. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-10-09.

Analog switch circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240097678A1. Автор: Hayato ASANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor circuit

Номер патента: US20240234411A1. Автор: Liang-Yu SU,Hang FAN,Ming-Fang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

MOS Latch circuit

Номер патента: US4333020A. Автор: Heinz B. Maeder. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-06-01.

Latch circuit

Номер патента: US20160164504A1. Автор: Hae-Rang Choi,Mi-Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Dynamic latch circuit for preventing short-circuit current from flowing during absence of clock pulses when under test

Номер патента: US4920282A. Автор: Hiroaki Muraoka,Toshiyuki Miyashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-04-24.

Decoupling circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150102850A1. Автор: Takanori Saeki,Masatomo Eimitsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Decoupling circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110260784A1. Автор: Takanori Saeki,Masatomo Eimitsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor switching circuit and semiconductor integrated-device

Номер патента: US20080218243A1. Автор: Hirokazu Kadowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Integrated circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09831877B2. Автор: Jae-Woo Seo,Dal-Hee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Latch circuit and power supply control device

Номер патента: US20240178743A1. Автор: Ryohei Sawada,Kota ODA,Masaya Ina. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09991882B2. Автор: Masahiro Iwamoto,Osamu Uno,Yuichi Itonaga,Hajime OHMI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09853636B2. Автор: Masahiro Iwamoto,Osamu Uno,Yuichi Itonaga,Hajime OHMI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Latch circuit

Номер патента: GB1208813A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1970-10-14.

Latch circuit with reduced metastability

Номер патента: US5081377A. Автор: Ronald L. Freyman. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1992-01-14.

Latch circuit

Номер патента: EP1714388A1. Автор: Eduard F. Stikvoort,Mihai A. T. Sanduleanu,Idrissa Cisse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-10-25.

Delay line circuits and semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09467130B2. Автор: Quanfeng LIU,Huijie DUAN. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Logic circuit and semiconductor device

Номер патента: US09444459B2. Автор: Yusuke Sekine. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Delay line circuits and semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09432012B2. Автор: Quanfeng LIU,Huijie DUAN. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Duty cycle correction circuit and semiconductor device

Номер патента: US09369118B2. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Latch circuit with a small number of nodes for high speed operation

Номер патента: EP1096677A3. Автор: Toyoo NEC Yamagata Ltd. Kondoo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-05-23.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11990747B2. Автор: Keiji Tanaka,Hiroshi Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Logic circuit and semiconductor device using it

Номер патента: US5811991A. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-09-22.

Power supply switching circuit and semiconductor device

Номер патента: US20160233773A1. Автор: Masakazu Sugiura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Power supply switching circuit and semiconductor device

Номер патента: US09748946B2. Автор: Masakazu Sugiura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Resonance-type power conversion circuit and non-contact power supply system

Номер патента: EP4350946A1. Автор: Shingo Nagaoka,Takeshi Uematsu,Taichi MISHIMA,Hiroo Sekiya. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus including the same

Номер патента: US09653515B2. Автор: Ju Heon YOON,Myeong Ha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Differential RS latch circuit

Номер патента: US5604456A. Автор: Shozo Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-02-18.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US7852608B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Tomokazu Higuchi,Masanori Yoshitani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-14.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09875913B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09653417B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

I/O interface circuit, semiconductor chip and semiconductor system

Номер патента: US20010040471A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20170229952A1. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Switching control circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210152075A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Driver circuit and semiconductor device

Номер патента: US11664796B2. Автор: Shinichiro Adachi,Hirohisa Arai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Interface circuit and semiconductor output circuit device including the same

Номер патента: US20240014818A1. Автор: Seung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Drive circuit, drive method, and semiconductor system

Номер патента: US11165418B2. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Driver circuit and method of operating the same

Номер патента: US20240259012A1. Автор: Ming Hsien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US09948305B2. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Low-jitter digital isolator circuit and digital isolator including the same

Номер патента: US12057838B2. Автор: Yun Sheng,Qihui Chen,Xiaohan Gong. Владелец: Suzhou Novosense Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and driver circuit with drain and isolation structure interconnected through a diode circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09502304B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-22.

System, circuit and method for converting a differential voltage signal including a high common mode voltage component to a ground referenced signal for battery voltage managment

Номер патента: US09419644B2. Автор: Anthony John Allen. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Resonant wireless power receiver circuit and control method thereof

Номер патента: US09853486B2. Автор: Kuo-Chi Liu,Wei-Hsin Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-12-26.

Level adjusting circuit and gate driving device including the same

Номер патента: US20220224328A1. Автор: Ming-Cheng Lin. Владелец: Device Dynamics Lab Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Flip-flop circuit and method

Номер патента: US20230253961A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Lee-Chung Lu,Yung-Chen CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Flip-flop circuit and method

Номер патента: US12047079B2. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Lee-Chung Lu,Yung-Chen CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit including a combined logic cell

Номер патента: US20230061062A1. Автор: Badarish Mohan Subbannavar,Rakesh DIMRI,Mohammad Asif Farooqui,Somasekar J. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Lighting circuit and lamp system

Номер патента: US09531157B2. Автор: Tomoyuki Ichikawa,Toshihiko Kurebayashi. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Scalable power supply circuit including protection features

Номер патента: WO2014134612A2. Автор: Victor Simi. Владелец: OSRAM SYLVANIA INC.. Дата публикации: 2014-09-04.

METHODS OF FABRICATING CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICES AND APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210036101A1. Автор: Kim Seungjin,Bae Jinwoo,CHOI Yoonyoung,PARK SangJae,Lee Byunghyun,CHOI Bowo,KU BYEONGJOO,LEE HANGEOL,HONG HYUNSIL. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150091041A1. Автор: CHOI Jin Young,YOON Ju Heon,KIM Myeong Ha,LIM Chan Mook,JEON Joon Woo. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150162376A1. Автор: YOON Ju Heon,KIM Myeong Ha. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device producing method and semiconductor device producing apparatus including forming an oxide layer and changing the impedance or potential to form an oxynitride

Номер патента: US7045447B2. Автор: Shinji Yashima,Unryu Ogawa,Naoya Yamakado,Tadashi Terasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2006-05-16.

Method for controlling a power conversion circuit and related power conversion circuit

Номер патента: EP3734824A1. Автор: Yanzhong ZHANG,Zheng Ma,Chunyang Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-04.

Methods of fabricating capacitor and semiconductor device and semiconductor devices and apparatus including the same

Номер патента: US20210036101A1. Автор: Jinwoo Bae,Yoonyoung CHOI,Seungjin Kim,Byunghyun Lee,Sangjae Park,Byeongjoo KU,Hangeol Lee,Bowo CHOI,Hyunsil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods of fabricating capacitor and semiconductor device and semiconductor devices and apparatus including the same

Номер патента: US11462610B2. Автор: Jinwoo Bae,Yoonyoung CHOI,Seungjin Kim,Byunghyun Lee,Sangjae Park,Byeongjoo KU,Hangeol Lee,Bowo CHOI,Hyunsil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Methods of fabricating capacitor and semiconductor device and semiconductor devices and apparatus including the same

Номер патента: EP3772103A1. Автор: Jinwoo Bae,Yoonyoung CHOI,Seungjin Kim,Byunghyun Lee,Sangjae Park,Byeongjoo KU,Hangeol Lee,Bowo CHOI,Hyunsil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-03.

PROTECTION MODE CONTROL CIRCUIT, SWITCH CONTROL CIRCUIT INCLUDING THE PROTECTION MODE CONTROL CIRCUIT AND POWER SUPPLY DEVICE INCLUDING THE SWITCH CONTROL CIRCUIT

Номер патента: US20160172841A1. Автор: Choi Hang-Seok,JANG Ji-Hoon,LEE Won-Tae,BAEK Hyeong Seok. Владелец: FAIRCHILD KOREA SEMICONDUCTOR LTD.. Дата публикации: 2016-06-16.

MODULATION MODE CONTROL CIRCUIT, SWITCH CONTROL CIRCUIT INCLUDING THE MODULATION MODE CONTROL CIRCUIT AND POWER SUPPLY DEVICE INCLUDING THE SWITCH CONTROL CIRCUIT

Номер патента: US20160172958A1. Автор: JANG Ji-Hoon,LEE Won-Tae,BAEK Hyeong Seok. Владелец: FAIRCHILD KOREA SEMICONDUCTOR LTD.. Дата публикации: 2016-06-16.

GAS MIXER AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATING APPARATUSES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170084471A1. Автор: Kim Hojun,LIM Hongtaek,KIM Kangsoo,NAM Jeonghoon,PARK Sejun. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Electronic circuit and method

Номер патента: US11804781B2. Автор: Masahiro Koyama,Yusuke Hayashi,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

LIGHT EMITTING DIODE DRIVING CIRCUIT AND LIGHT EMITTING DIODE ILLUMINATION APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150048744A1. Автор: Son Young Suk,KWON Ok Hwan,KIM Yong Goo,Shin So Bong,Lee Won Ji. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

Address counting circuit and semiconductor device including the address counting circuit

Номер патента: US20210335430A1. Автор: Wan Seob LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Address counting circuit and semiconductor device including the address counting circuit

Номер патента: US11373711B2. Автор: Wan Seob LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-28.

Latch circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09443607B2. Автор: Sung Soo Chi,Jun Cheol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Refresh time detection circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09824745B1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

NAND gate latched driving circuit and NAND gate latched shift register

Номер патента: US09721513B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

GOA circuit and liquid crystal display device

Номер патента: US09824658B2. Автор: Shangcao CAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Modular cell for a memory array, the modular cell including a memory circuit and a read circuit

Номер патента: US09502110B1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory auto repairing circuit and associated method

Номер патента: US20180166153A1. Автор: Yi-Fan Chen,Tse-Hua Yao. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Program circuit suppressing stand-by current and permitting highly reliable operation, and semiconductor memory device using the program circuit

Номер патента: US6320802B1. Автор: Shigeki Ohbayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Shift register circuit, image display apparatus having the circuit, and driving method for LCD devices

Номер патента: US20050140621A1. Автор: Shigeto Yoshida,Yasushi Kubota,Hajime Washio. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

Latch circuit for latching a pair of complementary data signals

Номер патента: US20040160834A1. Автор: Yasushi Aoki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Shift register and method for driving the same, gate driving circuit and display device

Номер патента: US09928922B2. Автор: Zhengxin ZHANG,Shuai Xu,Jingshan MA. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor circuit and semiconductor device for determining a status of a fuse element

Номер патента: US20230176143A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor circuit and semiconductor device for determining a status of a fuse element

Номер патента: US11946984B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling activation thereof

Номер патента: US20020001239A1. Автор: Kaoru Mori,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Fuse circuit and display driver circuit

Номер патента: US6917238B2. Автор: Masaaki Abe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Dynamic fuse sensing and latch circuit

Номер патента: US20180336955A1. Автор: Bo Zhou,Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Dynamic fuse sensing and latch circuit

Номер патента: US20190318793A1. Автор: Bo Zhou,Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device including anti-fuse circuit, and method of writing address to anti-fuse circuit

Номер патента: US20090109790A1. Автор: Sumio Ogawa,Shinichi Miyatake. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device including anti-fuse circuit, and method of writing address to anti-fuse circuit

Номер патента: US7952950B2. Автор: Sumio Ogawa,Shinichi Miyatake. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-05-31.

Source driving sub-circuit and driving method thereof, source driving circuit, and display device

Номер патента: US20200251173A1. Автор: Yishan FU,Jun Fan,Jiguo WANG. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US7672173B2. Автор: Tsukasa Ooishi,Shinya Miyazaki,Tomohiro Uchiyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060239061A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: McDermott Will and Emery LLP. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279960A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090016093A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Multifunctional latch circuit for use with both sram array and self test device

Номер патента: US20060176731A1. Автор: Michael Hyeok Lee,Philip Shephard,Yuen Chan,William Huott,Andrew Bianchi,Edelmar Seewann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Semiconductor memory apparatus and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09293227B1. Автор: Atsushi Takasugi. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Comparison circuit, analog-to-digital converter circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240120936A1. Автор: Hidetaka HANEDA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Nand-type flash memory and semiconductor memory device

Номер патента: US20090154243A1. Автор: Hiroyuki Ohtake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Command address control circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system including the command address control circuit

Номер патента: US20240257891A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hwan Park,Jae Hoon Cha,Ha Jun JEONG,Se Ra JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Voltage detection level correction circuit and semiconductor device

Номер патента: US20030103405A1. Автор: Yoshitaka Mano,Joji Nakane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor memory device with address latch circuit

Номер патента: US09721633B2. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Dynamic fuse sensing and latch circuit

Номер патента: US10490294B2. Автор: Bo Zhou,Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-11-26.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Programmable circuit including a latch to store a fuse's state

Номер патента: US4532607A. Автор: Yukimasa Uchida. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-07-30.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09536592B2. Автор: Atsuo Isobe,Takuro Ohmaru,Wataru Uesugi,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Multifunctional latch circuit for use with both SRAM array and self test device

Номер патента: US7099201B1. Автор: Philip George Shephard, III,Yuen Hung Chan,Michael Ju Hyeok Lee,William Vincent Huott,Andrew James Bianchi,Edelmar Seewann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-29.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7697315B2. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-13.

Memory system and semiconductor integrated circuit in which operation timings can be set externally

Номер патента: US6865101B2. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-08.

Analog-to-digital converter and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240195429A1. Автор: Ju Hyun Lee,Won Joon Hwang,Byung Jun SEO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Electrical variable capacitor circuit and semiconductor processing system including same

Номер патента: US20240348225A1. Автор: Yongsug Suh,Juhwa MIN. Владелец: Industrial Cooperation Foudation Jeonbuk National University. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate driving circuits and the liquid crystal devices thereof

Номер патента: US20180061348A1. Автор: Mang Zhao. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4243020A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Fuse circuit, repair control circuit, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20180102185A1. Автор: Jong Yeol Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Clock generation circuit and semiconductor apparatus using the clock generation circuit

Номер патента: US12057847B2. Автор: Young Suk SEO,Sung Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor apparatus and readout method

Номер патента: US11775441B2. Автор: Makoto Senoo,Sho Okabe. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US11735275B2. Автор: Hyun Soo Lee,Sun Young Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US12112791B2. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Differential amplification circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09954503B2. Автор: Tomoyuki Arai. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Reading circuit, reference circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: EP1387362A3. Автор: Takeshi Nojima,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori,Takahiko Yoshimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-02-28.

Internal power supply circuit, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09620177B2. Автор: Koichiro Hayashi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-04-11.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240282356A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Power amplification circuit and semiconductor device

Номер патента: US12068722B2. Автор: Yuri Honda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Modified latch circuit specifically for search tuning arrangement

Номер патента: US3577083A. Автор: James S Adams. Владелец: Magnavox Co. Дата публикации: 1971-05-04.

Nonvolatile Latch Circuit

Номер патента: US20120307549A1. Автор: Alexander Mikhailovich Shukh,Tom A. Agan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Control circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20020145929A1. Автор: Shigemasa Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20240274212A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Address generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09552857B1. Автор: Kyeong-Min Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Built-in self-test circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09837171B2. Автор: Hee-Won Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor device operating method

Номер патента: US09722625B2. Автор: Takahiro Kawano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Driving test circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09496054B1. Автор: Sung Soo Chi,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Built-in self-test circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09405648B2. Автор: Hee-Won Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Redundancy memory cell access circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080316838A1. Автор: Eunsung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070274139A1. Автор: Masahiro Yamashita,Takashi Uehara,Mamoru Takaku,Hiroaki Nambu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Variable gain amplifier circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12119792B2. Автор: Keiji Tanaka,Hiroshi Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US12013712B2. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Reception circuit, method for adjusting timing in reception circuit, and semiconductor device

Номер патента: US9620196B2. Автор: Hiroyuki Kano,Kazumi Kojima,Hiroaki Ukai,Takanori Aoshima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240295894A1. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Address replacing circuit and semiconductor memory apparatus having the same

Номер патента: US7764545B2. Автор: Keun-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-27.

Address replacing circuit and semiconductor memory apparatus having the same

Номер патента: US20090059709A1. Автор: Keun Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Oscillation circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240333214A1. Автор: Kenichi Motoki,Nozomu KOJA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09997257B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Active load circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09621116B2. Автор: Rui Ito,Naohiro Matsui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Reception circuit, method for adjusting timing in reception circuit, and semiconductor device

Номер патента: US09620196B2. Автор: Hiroyuki Kano,Kazumi Kojima,Hiroaki Ukai,Takanori Aoshima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

R-2R ladder resistor circuit, ladder resistor type D/A conversion circuit, and semiconductor device

Номер патента: US09553603B2. Автор: Hiroyuki Kikuta. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20130031329A1. Автор: Dae-Il CHOI. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Integrated circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US8769240B2. Автор: Dae-Il CHOI. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240347529A1. Автор: Tomoya Nishida,Hideaki Futai,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

CRC code calculation circuit and method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US09748978B2. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Sensing control signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09659665B1. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US09484083B2. Автор: Shinichi Moriwaki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device including abnormality detection circuit and semiconductor device control method for detecting abnormality

Номер патента: US11908534B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Test control circuit, semiconductor memory apparatus and semiconductor system using the test control circuit

Номер патента: US20190198130A1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Interface circuit for high speed communication, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US09798694B2. Автор: In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Synchronizing refresh control circuit for a plurality of slices and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09620192B2. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130039136A1. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-14.

Address counting circuit and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US20100091602A1. Автор: Won Jun Choi,Sang Hoon Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US20100122147A1. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Memory access method and semiconductor memory device

Номер патента: US20090296498A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US7848143B2. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Frequency modulation circuit and semiconductor device

Номер патента: US09432029B2. Автор: Osamu Takeda. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Word line driving circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20110158029A1. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Electronic circuits and semiconductor device having the same

Номер патента: US11863136B2. Автор: Tao Zhang,Wenjie Lin,Yulin Chen,Jihua Li. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor amplifier bias circuit and semiconductor amplifier device

Номер патента: US9590562B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Under drive control circuit and semiconductor apparatus including the under drive control circuit

Номер патента: US20230410924A1. Автор: Hyung Jin Choi,Gwi Han KO,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Analog-to-digital converter and semiconductor device having the same

Номер патента: EP4387105A1. Автор: Ju Hyun Lee,Won Joon Hwang,Byung Jun SEO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Test mode control circuit, semiconductor apparatus and system, and method thereof

Номер патента: US20240159828A1. Автор: Jae Heung Kim,Young Jae An,Bok Rim KO,Min Wook Oh,Jin Suk OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Delay-locked loop circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20110128056A1. Автор: Chang-Ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190312115A1. Автор: Takashi Yamada. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Rram circuit and method

Номер патента: US20240331770A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Hsu-Shun Chen,Chien-An Lai,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor circuit and amplifier circuit

Номер патента: US09455676B2. Автор: Yuuki NISHIZAWA. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Clock generation circuit and semiconductor apparatus using the clock generation circuit

Номер патента: US20230396258A1. Автор: Young Suk SEO,Sung Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Clock generation circuit and semiconductor apparatus using the clock generation circuit

Номер патента: US11777506B2. Автор: Young Suk SEO,Sung Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor module and semiconductor package

Номер патента: US20200403612A1. Автор: Kazuhiro Kawahara,Koichiro Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Stress testing circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230384366A1. Автор: Nobuhiro Odaira. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Active balun circuit and transformer

Номер патента: US20160315599A1. Автор: Koji Tsutsumi,Eiji Taniguchi,Ryosuke Takeuchi,Takayuki Nakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Package for stress sensitive component and semiconductor device

Номер патента: US12074134B2. Автор: Ting-Ta Yen,Anindya Poddar,Hau Nguyen,Masamitsu Matsuura,Mahmud Chowdhury. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Gate driver and display apparatus including the same

Номер патента: US12094394B2. Автор: Hai-Jung In. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Scan flip-flop, scan chain circuit including the same, and control method of the scan flip-flop

Номер патента: US20240142521A1. Автор: Yoonmyung Lee,Changyoun Im. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-05-02.

Base current cancellation circuit and method therefor

Номер патента: US20190146542A1. Автор: Ravi Dixit,Sanjay Kumar Wadhwa,Anil Kumar Gottapu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Pixel drive circuit and driving method therefor, and display device

Номер патента: US20240312411A1. Автор: Zhen Zhang,Zhenyu Zhang,Dongni LIU,Lianfu YU,Shunhang Zhang,Yunsik Im,Peirou LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Data transmission circuit and data transmission method

Номер патента: US12086025B2. Автор: Kangling JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Display circuit and display apparatus

Номер патента: US09824627B2. Автор: Eiji Kanda,Masayuki Kumeta,Ryo Ishii. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Fingerprint identification driving circuit, fingerprint identification circuit and driving method thereof

Номер патента: US20240203154A1. Автор: Lei Wang,PENG Jia,Yangbing Li,Fangyuan ZHAO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Voltage calibration circuit and related liquid crystal display device

Номер патента: US09653035B2. Автор: Min-Nan LIAO,Tsun-Sen Lin. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-05-16.

Source driving circuit and display device including the same

Номер патента: US10657891B2. Автор: In-Suk Kim,Chan-Bong YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-19.

Method of verifying circuit and computer-readable storage medium for storing computer program

Номер патента: US7996802B2. Автор: Takashi Matsuura,Noriyuki Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-08-09.

Method of verifying circuit and computer-readable storage medium for storing computer program

Номер патента: US20090064065A1. Автор: Takashi Matsuura,Noriyuki Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE TEST BLADE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE TEST APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160109512A1. Автор: Kim Suk-lae,Roh Dong-joo. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device alignment socket unit and semiconductor device test apparatus including the same

Номер патента: TWI578001B. Автор: 金岐玟,尹龍熙. Владелец: Isc股份有限公司. Дата публикации: 2017-04-11.

Data transmission circuit and data transmission method

Номер патента: EP4258116A1. Автор: Kangling JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Data transmission circuit and data transmission method

Номер патента: US20230267036A1. Автор: Kangling JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Power supply circuit and chip

Номер патента: US20240053785A1. Автор: Weibing SHANG,Jianyong QIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Communication interface for interfacing a transmission circuit with an interconnection network, and corresponding system and integrated circuit

Номер патента: US09959226B2. Автор: Daniele Mangano,Mirko Dondini,Salvatore Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-01.

Image processing circuit and associated image processing method

Номер патента: US20200126199A1. Автор: Ming-Ta Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Processor circuit and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20230060855A1. Автор: Han-Chieh Hsieh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Reference power generating circuit and electronic circuit using the same

Номер патента: US20150261234A1. Автор: Muh-rong Yang. Владелец: MIDASTEK MICROELECTRONIC Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Driving circuit and driving method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US20210407434A1. Автор: Dongxiao SHAN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

PROBE CARD, THERMAL INSULATION COVER ASSEMBLY FOR PROBE CARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE TEST APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170010306A1. Автор: NA Young-Mi,KIM Min-Gu. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

DUTY CYCLE DETECTOR AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150323579A1. Автор: SEO Young Suk,IM Da In. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Probe card, thermal insulation cover assembly for probe card, and semiconductor device test apparatus including the same

Номер патента: US10082536B2. Автор: Min-Gu Kim,Young-Mi NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-25.

VOLTAGE TRIMMING CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20140062452A1. Автор: OK Seung Han. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

GOA CIRCUIT, AND DISPLAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200035137A1. Автор: Chen Shuai. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-01-30.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09991698B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Interleaved DC-DC converter and semiconductor device having interleaved DC-DC converter

Номер патента: US09973089B1. Автор: Akira Ichinose,Satoshi Nakamoto,Youichi TERASAWA,Yoshimichi TADAMASA. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Power management circuit and a method for operating a power management circuit

Номер патента: US09647456B2. Автор: Mukesh Balachandran Nair. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor module parallel circuit and semiconductor module connection substrate

Номер патента: US12027464B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryota Hamaguchi,Shuichi Nagamitsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Circuit breaker having a current sensing circuit, control circuit, comparison circuit, electric relay and latching circuit

Номер патента: US12113351B2. Автор: Dallen Tate Leavitt. Владелец: Gemstone Lights. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20120049292A1. Автор: Yuuichi Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Power management integrated circuit and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240014210A1. Автор: Hoon Chang,Jungkyung KIM,Jung-Hyun Oh,Yeonghun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Power management integrated circuit and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4303934A1. Автор: Hoon Chang,Jungkyung KIM,Jung-Hyun Oh,Yeonghun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Latching circuit for ballast

Номер патента: CA2829611C. Автор: Ashwani Guleria,Ashish Kumar Gupta. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Method for making semiconductor apparatus and semiconductor apparatus obtained by the method, method for making thin film transistor substrate and thin film transistor substrate obtained by the method, and method for making display apparatus and display apparatus obtained by the method

Номер патента: US20120205657A1. Автор: Naoki HAYASHI,Toshiaki Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Heating apparatus in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4135477A1. Автор: Bing Li. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Method for producing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230230926A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

System on chip including input and output circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240332253A1. Автор: Kwanyeob CHAE,Ji-Yeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Composite structure and semiconductor manufacturing apparatus including composite structure

Номер патента: US12112924B2. Автор: Hiroaki Ashizawa,Ryoto TAKIZAWA. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor module overcurrent detection device, semiconductor module using same, and semiconductor module overcurrent detection method

Номер патента: EP4404454A1. Автор: Takashi Wada,Hiroshi Kageyama,Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus, semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240312805A1. Автор: Masaru Yamada,Yosuke Nakanishi,Kyohei Akiyoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor storage device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1494288A2. Автор: Takashi Intell. Prop. Div. Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Charge pump circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09837890B2. Автор: Kazunori Watanabe,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09716382B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Charge pump circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09385592B2. Автор: Kazunori Watanabe,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Wafer-level packaging method for semiconductor and semiconductor package

Номер патента: US20240258269A1. Автор: Lixin Zhao. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Wafer And Semiconductor Die

Номер патента: US20150170985A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Hsi-Jung Wu,Volume Chien,Hung-Ta Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Power converter circuit and semiconductor module

Номер патента: US20240297596A1. Автор: Seiki Igarashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor wafer and semiconductor die

Номер патента: US09728511B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Hsi-Jung Wu,Volume Chien,Hung-Ta Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor module parallel circuit and semiconductor module connection substrate

Номер патента: US20220173043A1. Автор: Yasushi Nakayama,Ryota Hamaguchi,Shuichi Nagamitsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Method for manufacturing a semiconductor device using a patterned dielectric mask and semiconductor device

Номер патента: US12057311B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Jens Mueller. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Control device of power factor correction circuit, power factor correction circuit, power supply device, and semiconductor device

Номер патента: US11736003B2. Автор: Yoshinori Sato,Satoru Nate,Yifei Tang. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor element, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09711597B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor element unit and method of manufacturing thereof, semiconductor element unit supply substrate, and semiconductor packaging circuit and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220310817A1. Автор: Takuma Ishikawa,Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Chihiro Takahashi,Hironori Furuta,Yusuke Nakai,Shinya Jyumonji,Yuuki SHINOHARA,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Method and semiconductor circuit for maintaining integrity of field threshold voltage requirements

Номер патента: US5981994A. Автор: Jian Chen,Ming Sang Kwan,David K. Y. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240315037A1. Автор: Koichi Sakata,Keisuke Nakatsuka,Keita Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Chalcogen compound and semiconductor device including the same

Номер патента: US20220149114A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Yongyoung PARK,Dongho Ahn,Chungman Kim,Segab Kwon,Seunggeun Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Chalcogen compound and semiconductor device including the same

Номер патента: US12063793B2. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Yongyoung PARK,Dongho Ahn,Chungman Kim,Segab Kwon,Seunggeun Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US11804450B2. Автор: Satoshi Goto,Mikiko Fukasawa,Masayuki AOIKE. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20120119356A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-05-17.

Cooling apparatus and semiconductor apparatus with cooling apparatus

Номер патента: US20220377939A1. Автор: Ginji Uchibe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Resistance circuit, and voltage detection and constant voltage generating circuits incorporating such resistance circuit

Номер патента: US20070075825A1. Автор: Hidenori Kato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Lead frame structure and semiconductor package integrated with the lead frame structure

Номер патента: US20070111395A1. Автор: Hung-Wen Liu,Lien-Chen Chiang,Wen-Shan Tsai,M.C. Lin,Chien-Feng Wei. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20090289310A1. Автор: Toshikazu Fukuda,Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110312142A1. Автор: Toshikazu Fukuda,Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Method and apparatus for epitaxial growth of type iii-v semiconductors, apparatus for generating low-temperature high-density plasma, epitaxial metal nitride layer, epitaxial metal nitride heterostructure and semiconductor

Номер патента: RU2462786C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ганс ФОН. Владелец: Зульцер Метко Аг. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor package and semiconductor package assembly

Номер патента: US20090072386A1. Автор: Tsuyoshi Hasegawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of fabricating high integrated semiconductor apparatus, and semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: US7776702B2. Автор: Seong Hwan Kim,Suk Min Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-17.

Semiconductor circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240145406A1. Автор: Takatsugu Wachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor apparatus and semiconductor apparatus manufacturing method

Номер патента: US20230361146A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Electrostatic protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240006408A1. Автор: Tsutomu Tomioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using a selective disposable spacer technique and semiconductor integrated circuit manufactured thereby

Номер патента: US20060118855A1. Автор: Sang-eun Lee,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Esd protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230317712A1. Автор: Kaku IGARASHI. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuits including magnetic core inductors and methods for fabricating the same

Номер патента: US09613897B2. Автор: Juan Boon Tan,Mahesh BHATKAR,Luke England,Wanbing YI,Lulu Peng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Hetero-structure, injection laser, semiconductor amplifying element and semiconductor optical amplifier

Номер патента: RU2278455C1. Автор: Василий Иванович Швейкин. Владелец: Василий Иванович Швейкин. Дата публикации: 2006-06-20.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US11444055B2. Автор: Shinichiro Watanabe,Youichi FUKAYA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semiconductor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9312197B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor apparatus and semiconductor apparatus manufacturing method

Номер патента: US20220359599A1. Автор: Tadashi Iijima,Yuki Miyanami. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semiconductor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20160035638A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device, substrate, equipment board, method for producing semiconductor device, and semiconductor chip for communication

Номер патента: US20080290508A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Kenichi Shigenami,Shunichi Sukegawa,Takeo Sekino,Shinichi Toi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US11948910B2. Автор: Shinichiro Watanabe,Youichi FUKAYA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210066241A1. Автор: Shinichiro Watanabe,Youichi FUKAYA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor apparatus and semiconductor chip

Номер патента: US20230188074A1. Автор: Ryu ARAKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Electric circuit and air conditioner

Номер патента: US20230275525A1. Автор: TAN Long,Ming Zhao,Zhaobin HUANG,Jianning Yang,Xianjie Zeng,Jinqing XU,Xianshi WEN,Zhaojing HUO. Владелец: Chongqing Midea Air Conditioning Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Light-emitting element driving circuit and display device

Номер патента: US20140125243A1. Автор: Shinji Ota. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Dc/dc converter and semiconductor device using dc/dc converter

Номер патента: US20110241441A1. Автор: Masafumi Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Wireless power transmitter, control circuit and control method thereof, and charger

Номер патента: US09893568B2. Автор: Masatoshi Watanabe,Tomoya Morinaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US09849670B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a diode circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09570440B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Reluctance motor system, driving circuit, and reluctance motor

Номер патента: US09425657B2. Автор: Fu-Tzu Hsu. Владелец: Wu Chin-Tseng. Дата публикации: 2016-08-23.

Composite structure and semiconductor manufacturing apparatus including composite structure

Номер патента: US20210343511A1. Автор: Hiroaki Ashizawa,Ryoto TAKIZAWA. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Composite structure and semiconductor manufacturing apparatus including composite structure

Номер патента: US11802085B2. Автор: Hiroaki Ashizawa,Ryoto TAKIZAWA. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: US20070145565A1. Автор: Osamu Miyata,Tadahiro Morifuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor substrate and fabrication method thereof, and semiconductor apparatus using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US20140299918A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Jin Ku Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20190109005A1. Автор: Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Thin film structure, semiconductor device including the same, and semiconductor apparatus including semiconductor device

Номер патента: US20220393016A1. Автор: Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and semiconductor apparatus including the semiconductor device

Номер патента: EP4181210A1. Автор: Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

High-voltage transistor, level-up shifting circuit, and semiconductor device

Номер патента: US20240222455A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US10720329B2. Автор: Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Wireless charging module, control circuit, and electronic device

Номер патента: EP4312344A3. Автор: Chao Wang,Yuechao Li. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Control circuit and power factor correction circuit

Номер патента: US20240235417A9. Автор: Hironobu Shiroyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Supply method of dual-chip power circuit and dual-chip power circuit

Номер патента: US10855163B2. Автор: HAO Long,Xunwei Zhou. Владелец: Joulwatt Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20140001549A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor circuit and photocoupler

Номер патента: US6906573B2. Автор: Masaru Numano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Power battery voltage regulation circuit and system, and control method and control apparatus therefor

Номер патента: EP4420923A1. Автор: Yu Yan,Zhimin Dan,Jinfeng Gao,Zhanliang LI,Xinwei Chen,Yuanmiao Zhao. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Supply method of dual-chip power circuit and dual-chip power circuit

Номер патента: US20200336060A1. Автор: HAO Long,Xunwei Zhou. Владелец: Joulwatt Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Rectifying circuit and power supply device

Номер патента: US20210099081A1. Автор: Takeshi Shiomi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Power conversion circuit and energy storage system

Номер патента: US20240313630A1. Автор: BO Yang,Chi Zhang,Tao Wang,Xiaolong Luo. Владелец: Franklinwh Energy Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Converter circuit and related electronic device

Номер патента: US12107496B2. Автор: Xingzhong Zhang,Haitao Chen. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor laser apparatus and semiconductor laser device

Номер патента: US12119611B2. Автор: Masayuki Ono,Kazuya Yamada,Mitsuru Nishitsuji,Hiroshi Asaka,Tohru Nishikawa,Katsuya Samonji. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Scanning driving circuits and flat display devices having the same

Номер патента: US20180190230A1. Автор: Cong Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Source driver integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: EP4379706A2. Автор: Yong Min Kim,Woong Jin OH,Kwang Jun Lee. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Source driver integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: EP4379706A3. Автор: Yong Min Kim,Woong Jin OH,Kwang Jun Lee. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Noise measuring system, noise measuring method, and semiconductor device

Номер патента: US7289934B2. Автор: Yasufumi Suzuki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-30.

Memory-in-pixel circuit and driving method thereof, liquid crystal display panel and wearable device

Номер патента: US20190096354A1. Автор: Yimin Chen,Xianjie SHAO,Zhangmeng WANG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Latching circuits for mems display devices

Номер патента: US20120306842A1. Автор: Toshio Miyazawa,Mitsuhide Miyamoto. Владелец: Japan Display East Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Latching circuits for mems display devices

Номер патента: EP2715712A1. Автор: Toshio Miyazawa,Mitsuhide Miyamoto. Владелец: Pixtronix Inc. Дата публикации: 2014-04-09.

Latching circuits for mems display devices

Номер патента: WO2012166939A1. Автор: Toshio Miyazawa,Mitsuhide Miyamoto. Владелец: JAPAN DISPLAY EAST INC.. Дата публикации: 2012-12-06.

Register circuit, scanning register circuit utilizing register circuits and scanning method thereof

Номер патента: US20080116929A1. Автор: Shang-Chih Hsieh,Tzu-Pin Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-22.

Seatbelt latch circuit

Номер патента: US09434348B2. Автор: Edgar H. Schlaps. Владелец: TRW Vehicle Safety Systems Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Multiple operation circuits, multiplication/accumulation operators having the multiple operation circuits, and processing-in-memory devices having the multiple operation circuits

Номер патента: US20220342637A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Latch circuit for reducing noise based on center grayscale and data driver including the same

Номер патента: US12002402B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Bae YUN,Yong Jung Kwon,Gi Baek CHOI. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Transparent latch circuit

Номер патента: US20050005214A1. Автор: Makoto Ueda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Debugging scan latch circuits using flip devices

Номер патента: US20160327608A1. Автор: James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Debugging scan latch circuits using flip devices

Номер патента: US20170131353A1. Автор: James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Debugging scan latch circuits using flip devices

Номер патента: US09664735B2. Автор: James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Debugging scan latch circuits using flip devices

Номер патента: US09618580B2. Автор: James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Voltage control circuit and method, panel and display apparatus

Номер патента: US10884443B2. Автор: Wei Sun,Shuang ZHAO,Jing Zhao,Jigang SUN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

Voltage control circuit and method, panel and display apparatus

Номер патента: US20190179353A1. Автор: Wei Sun,Shuang ZHAO,Jing Zhao,Jigang SUN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Source driver integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20240185814A1. Автор: Yong Min Kim,Woong Jin OH,Kwang Jun Lee. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Data driving circuit and display apparatus with reduced power consumption

Номер патента: US11430363B1. Автор: Chien-Pang Chou,Da-Ming Dai. Владелец: Jadard Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Video signal processing circuit, control method of video signal processing circuit, and integrated circuit

Номер патента: US7675522B2. Автор: Masahiro Kubota,Hideki Mine. Владелец: Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-09.

Video signal processing circuit, control method of video signal processing circuit, and integrated circuit

Номер патента: US20070103456A1. Автор: Masahiro Kubota,Hideki Mine. Владелец: Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Voltage generating circuit and semiconductor device for suppressing leakage current

Номер патента: US12032396B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Voltage divider circuit and semiconductor device

Номер патента: US20110227635A1. Автор: Kenji Yoshida,Kazuaki Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-22.

Regulator voltage detection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240319753A1. Автор: Takayoshi Fujino. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Current reference circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09996100B2. Автор: Ho-Young Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Selective clearing of latched circuits

Номер патента: CA1304468C. Автор: William Robert Vogt. Владелец: Baker Industries Inc. Дата публикации: 1992-06-30.

Reconfigurable circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110185152A1. Автор: Takahiro Kubota,Kyoji Sato,Takashi Hanai,Ichiro Kasama,Shinichi Sutou,Kiyomitsu Katou,Junji Sahoda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Current generation circuit, and bandgap reference circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09891650B2. Автор: Yuichi Okuda,Atsushi Motozawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Current generation circuit, and bandgap reference circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09678526B2. Автор: Yuichi Okuda,Atsushi Motozawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09437169B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synpatics Japan Gk. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor cell for photomask data verification and semiconductor chip

Номер патента: US20090193386A1. Автор: Takayasu Hirai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Internal voltage generation circuits and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09323260B2. Автор: Jae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Bandgap voltage reference core circuit, bandgap voltage reference source and semiconductor memory

Номер патента: US20230280777A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Synchronization variable monitoring device, processor, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09619386B2. Автор: Seiji Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Calibration circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09454162B2. Автор: Hyun-Woo Lee,Sang-Ah HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and semiconductor device testing method

Номер патента: US20240085473A1. Автор: Tomomi Miyano. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Touch detecting circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09557853B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of supporting design, computer product, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9886537B2. Автор: Kenichi Nomura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of supporting design, computer product, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160224712A1. Автор: Kenichi Nomura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor design assisting device and semiconductor design assisting method

Номер патента: US20170185711A1. Автор: Mitsuyoshi FUJIWARA. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11860657B2. Автор: Shuichi Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Current generation circuits and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09836074B2. Автор: Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor device examination method

Номер патента: US11740287B2. Автор: Koichi Kimura,Takeshi Yamaguchi,Kazuhito Hosaka,Nariyuki Fukuda,Isao Ooigawa,Tsutomu MIYAMAE,Suguru Tahara,Keitarou MISHIMA,Yuichiro SANUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Clock distribution network, and semiconductor device and semiconductor system including the clock distribution network

Номер патента: US20240192722A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor apparatus examination method and semiconductor apparatus examination apparatus

Номер патента: US11967061B2. Автор: Hirotoshi Terada,Yoshitaka IWAKI. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-23.

Pixel circuit and display device including the same

Номер патента: US20160240132A1. Автор: SENDA Takahiro. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Pixel circuit and display device including the same

Номер патента: US09858864B2. Автор: SENDA Takahiro. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor apparatus and semiconductor system

Номер патента: US9665118B2. Автор: Sang Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor apparatus and semiconductor system

Номер патента: US20170060168A1. Автор: Sang Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Pixel Circuit and Display Device Including the Same

Номер патента: US20240203348A1. Автор: Hyun Soo Lee,Sung Ho Hong,Se Jin Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Pixel Circuit and Display Device Including the Same

Номер патента: US20240212631A1. Автор: Hyun Soo Lee,Sung Ho Hong,Seo Jun Yeom. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Pixel circuit and display device including the same

Номер патента: US20240257744A1. Автор: Byeong Seong SO,Do Young Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Display panel, driving circuit and display device

Номер патента: US20240177667A1. Автор: Di Zhang,Dongxu Xiang. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Display panel, drive circuit and display device

Номер патента: US12080214B2. Автор: Di Zhang. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Gate driving circuit and display device

Номер патента: US09905153B2. Автор: HAO Zhang,Chao Yu,Lingyun SHI,Quanhua He. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Pixel circuit and organic light-emitting diode display including the same

Номер патента: US09786222B2. Автор: Chong-Chul Chai,Hui-Won Yang,Jae-Keun LIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Neuron simulation circuit and neural network apparatus

Номер патента: US20220207338A1. Автор: HE Qian,Xinyi Li,Dong Wu,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-30.

Light source driving circuit and communication device for display system

Номер патента: US12057080B2. Автор: Pitleong Wong,Duo LI. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Clock gating circuits and methods for dual-edge-triggered applications

Номер патента: US20240361384A1. Автор: Arnab KHAWAS,Badarish Subbannavar,Gokul Sabada,Madhavan Sainath Rao Pissay. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Systems for controlling trailer brake output circuits and systems for monitoring manual trailer brake activation slider circuits

Номер патента: US09663079B2. Автор: Hidehiro Yamamoto. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Source gas nozzle and semiconductor wafer processing apparatus including the same

Номер патента: US20240271282A1. Автор: Sang Yup Lee,Jiye PARK,SungHyup KIM,Sebin CHOI,Taeheung AHN,Byeongho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Liquid ejecting head control circuit and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US11958289B2. Автор: Sukehiro Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

INPUT/OUTPUT CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SYSTEM WITH THE SAME

Номер патента: US20120106263A1. Автор: KIM Kwang Hyun. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-05-03.

REFRESH CONTROL CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20130094317A1. Автор: Lee Jeong Woo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-04-18.

DRIVING CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001952A1. Автор: Hasegawa Hideaki,Higuchi Koji,HIRAMA Atsushi. Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20120001309A1. Автор: . Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Latch circuit, transmission circuit including latch circuit, and semiconductor apparatus including transmission circuit

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты