Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor substrate and fabrication method of the semiconductor substrate, and semiconductor device

Semiconductor substrate and fabrication method of the semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20230369400A1
Опубликовано: 16-11-2023
Автор(ы): Makoto Takamura, Mitsuru Morimoto, Noriyuki Masago, Takayasu Oka, Takuji Maekawa
Принадлежит: ROHM CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200295141A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055257A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Ravi Keshav Joshi,Saurabh Roy,Daria Krasnozhon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing thereof, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11201218B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09837493B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chien-Hung Chen,Yu-Ru Yang,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee,Shih-Hsien Huang,Cheng-Tzung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9941366B2. Автор: Atsushi Onogi,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160315157A1. Автор: Atsushi Onogi,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09530870B2. Автор: Nam-Kyu Kim,Seokhoon Kim,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Byeongchan Lee,Kwan Heum Lee,Choeun LEE,Sujin JUNG,Dong Chan Suh,Jieon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

MANUFACTURING METHOD OF VERTICAL GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND VERTICAL GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190157448A1. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor device having a barrier layer

Номер патента: US09972572B2. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20140021490A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12125881B2. Автор: Hiromu Shiomi,Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

N-type aluminum nitride single-crystal substrate and vertical nitride semiconductor device

Номер патента: US09748410B2. Автор: Toru Kinoshita,Toru Nagashima,Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11894426B2. Автор: Takahiro Tamura,Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region

Номер патента: US20240047517A1. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region

Номер патента: EP4318553A2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-07.

Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region

Номер патента: EP4318553A3. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240071830A1. Автор: Wen-Yun Wang,Chia-Chu Liu,Chia-He LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of manufacturing vertical device

Номер патента: US11908686B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Transistor with air gap under raised source/drain region in bulk semiconductor substrate

Номер патента: US11817479B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Uzma B. Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of forming a gate contact above an active region of a semiconductor device

Номер патента: US09780178B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Systems and methods of masking during high-energy implantation when fabricating wide band gap semiconductor devices

Номер патента: US20200105879A1. Автор: Reza Ghandi,Christopher Bauer,Shaoxin Lu,William Gregg Hawkins. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-04-02.

Silicon carbide substrate and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240186381A1. Автор: Hideyuki Uehigashi,Akiyoshi HORIAI. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Formation of an asymmetric trench in a semiconductor substrate and a bipolar semiconductor device having an asymmetric trench isolation region

Номер патента: US20150228769A1. Автор: Qizhi Liu,Mark D. Levy,Robert K. Leidy,Gary L. Milo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194741A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09627383B2. Автор: Eisuke Suekawa,Masaaki Ikegami,Naoto KAGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09627486B2. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Switching device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076289A1. Автор: Yusuke Yamashita,Yasushi Urakami,Yuto Kurokawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device

Номер патента: US6054752A. Автор: Rajesh Kumar,Tsuyoshi Yamamoto,Yuichi Takeuchi,Mitsuhiro Kataoka,Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Takafumi Uchida,Takahito Kojima,Yuichi HASHIZUME,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Dislocation in SiC semiconductor substrate

Номер патента: US09583571B2. Автор: Shin Harada,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Dislocation in SiC semiconductor substrate

Номер патента: US09450054B2. Автор: Shin Harada,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150024581A1. Автор: Fumikazu Imai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200105933A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10608113B1. Автор: Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Method of making less electric current dependence of electric current gain of semiconductor device

Номер патента: US20140030878A1. Автор: Yutaka Hayashi,Toshitaka Ota,Yasushi Nagamune. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-01-30.

Substrate and method for producing variable quality substrate material

Номер патента: US20030170963A1. Автор: Apostolos Voutsas,Mark Crowder,Yasuhiro Mitiani. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-09-11.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US09525026B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20150318167A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of patterning two-dimensional material layer on substrate, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US11961898B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yeonchoo CHO,JunYoung KWON,Van Luan NGUYEN,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device having parallel contact holes between adjacent trenches

Номер патента: US09966372B2. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Tadashi Misumi,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290845A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yasunori Agata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Spatial semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150048486A1. Автор: Chih-Chien Liu,Wen-Yi Teng,Hung-Lin Shih,Jei-Ming Chen,Chieh-Wen Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060223253A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device with doped region between gate and drain

Номер патента: US20240250170A1. Автор: FENG HAN,Shuai ZHANG,Lian-Jie LI,Yan-Bin LU. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388611A1. Автор: Yuichi Onozawa,Kota OHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960044B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09647068B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450075B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3291291A3. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Methods of forming integrated circuit devices

Номер патента: US09780107B2. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Nanocrystalline Diamond Three-Dimensional Films in Patterned Semiconductor Substrates

Номер патента: US20140264777A1. Автор: Karl D. Hobart,Bradford B. Pate,Travis J. Anderson,Tatyana I. Feygelson,Marko J. Tadjer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and sensor

Номер патента: US20190319103A1. Автор: Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Digh Hisamoto,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and sensor

Номер патента: US11380764B2. Автор: Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Digh Hisamoto,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-07-05.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: WO2022055632A3. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170162563A1. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Tadashi Misumi,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: US11984482B2. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yasunori Agata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Superjunction semiconductor device

Номер патента: US20230299131A1. Автор: Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230005939A1. Автор: Yong Kyu Lee,Jong Sung Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device with doped region between gate and drain

Номер патента: US11978797B2. Автор: FENG HAN,Shuai ZHANG,Lian-Jie LI,Yan-Bin LU. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device

Номер патента: US12087862B2. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Wide-gap semiconductor substrate, apparatus for manufacturing wide-gap semiconductor substrate, and method for manufacturing wide-gap semiconductor substrate

Номер патента: US20220416021A1. Автор: Takashi Yamamoto,Naoya Ikemoto. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Diode and method of manufacturing diode

Номер патента: US20160300960A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Shinichiro Miyahara,Hiroki Miyake,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Structure and formation method of semiconductor device with semiconductor nanostructure

Номер патента: US20240313048A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of forming epi semiconductor material in a trench formed above a semiconductor device and the resulting devices

Номер патента: US20160181426A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090206398A1. Автор: Haruo Nakazawa,Manabu Takei,Noriyuki Iwamuro,Akio Sugi,Koh Yoshikawa,Kouta Takahashi. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Shielded trench semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09515178B1. Автор: Moaniss Zitouni,Ganming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09825159B2. Автор: Tetsutaro Imagawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09577082B2. Автор: Hiroshi Hata,Hidehiro Nakagawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor substrate, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP4383315A1. Автор: Kohei Sasaki,Chia-hung Lin. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device with a resistance element in a trench

Номер патента: US09484444B2. Автор: Koichi Mochizuki,Shigeru Kusunoki,Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240030032A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Ravi Keshav Joshi,Saurabh Roy,Daria Krasnozhon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190157466A1. Автор: Yuki Haraguchi,Fumihito MASUOKA,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20210036153A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Qiuming Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device having integrated mos-gated diodes or schottky diodes

Номер патента: EP3657548A1. Автор: Jian Liu,YAN Gao. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-05-27.

Silicon carbide semiconductor device and power conversion device using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274709A1. Автор: Shiro Hino,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Device Having Integrated Diodes

Номер патента: US20200303514A1. Автор: Jian Liu,YAN Gao. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12021118B2. Автор: Atsushi Narazaki,Masayoshi Tarutani,Ryu KAMIBABA,Kazuya Konishi,Yusuke Fukada,Mariko Umeyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: US20230299186A1. Автор: Kazuki MINAMIKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of producing a cavity in a trench

Номер патента: US20240128329A1. Автор: Alexander Breymesser,Michael Hutzler,László Juhász. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240186407A1. Автор: Kazuya Yamaguchi,Yasushi Niimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method of producing a cavity in a trench

Номер патента: EP4354508A1. Автор: Alexander Breymesser,Michael Hutzler,Laszio JUHASZ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20170025521A1. Автор: Hiroshi Hata,Hidehiro Nakagawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Method of forming semiconductor device having multi-channel

Номер патента: US09954061B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having multi-channel and method of forming the same

Номер патента: US09673279B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20220415884A1. Автор: Masakiyo Sumitomo,Shuichi Toriyama,Tasbir RAHMAN. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor Device

Номер патента: US20150001629A1. Автор: Stefan Tegen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-01-01.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming junction field effect transistor including recessed gate

Номер патента: US09842908B2. Автор: Kouichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170110556A1. Автор: Kouichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Method of simultaneously siliciding a polysilicon gate and source/drain of a semiconductor device, and related device

Номер патента: US20100176462A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Joe G. Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor-substrate manufacturing method and semiconductor-device manufacturing method in which germanium layer is heat-treated

Номер патента: US09647074B2. Автор: Tomonori Nishimura,Akira Toriumi,Choong-Hyun Lee. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20150371961A1. Автор: Kouji Takahashi,Shigeki Nakamura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Transistor device and method of fabricating contacts to a semiconductor substrate

Номер патента: US20240234518A9. Автор: Seung Hwan Lee,Maximilian Rösch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Transistor device and method of fabricating contacts to a semiconductor substrate

Номер патента: EP4362068A1. Автор: Seung Hwan Lee,Maximilian Roesch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor compound structure and method of fabricating the same using graphene or carbon nanotubes, and semiconductor device including the semiconductor compound structure

Номер патента: US09748094B2. Автор: Sang-jin Lee,Jun-hee Choi,Un-Jeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing thin film transistor substrate, method of manufacturing display apparatus, thin film transistor substrate, and display apparatus

Номер патента: US09653292B2. Автор: Yoonho Khang,Joonhwa BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming fin isolation regions under tensile-strained fins on finfet semiconductor devices

Номер патента: US20160225676A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190237545A1. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09449926B2. Автор: Sho NAKANISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090206366A1. Автор: Masahiko Niwayama,Yoshimi Shimizu,Kazuyuki Sawada,Yuji Harada,Saichirou Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20160087110A1. Автор: Koji Sadamatsu,Eiko OTSUKI,Yasuhiro Yoshiura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device including an n-type carrier stored layer, power conversion device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US10916631B2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240097015A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Ryouichi KAWANO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162335A1. Автор: Hitoshi Matsuura,Ryota Kuroda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US9455355B2. Автор: Koji Sadamatsu,Eiko OTSUKI,Yasuhiro Yoshiura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device with different contact regions

Номер патента: US09595619B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor substrate evaluating method, semiconductor substrate for evaluation, and semiconductor device

Номер патента: US09696368B2. Автор: Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor substrate evaluating method, semiconductor substrate for evaluation, and semiconductor device

Номер патента: US20150145551A1. Автор: Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220351973A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240204041A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Mariko Yamashita,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299129A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20210175231A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09922822B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240120423A1. Автор: Tetsuya Okada,Kikuo Okada,Remi Hagiwara. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09905555B2. Автор: Tatsuya Naito,Masahito Otsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12015068B2. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: WO2007112171A2. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer,Vishnu K. Khemka. Владелец: Frescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US20240304628A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Wan-Yi Kao,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Chun-Heng Chen,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09502532B2. Автор: Kwan Heum Lee,Dong Chan Suh,Hong Bum PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor substrate structures, semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09978867B1. Автор: Manoj Kumar,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030317A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Han-Yu Tang,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Fabrication method of forming silicon carbide mosfet

Номер патента: US20230261085A1. Автор: Seungchul Lee,Youngchul CHOI,Chaohsin Huang. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods of forming patterns, and apparatuses comprising FinFETs

Номер патента: US09853027B1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Compound semiconductor substrate and compound semiconductor device

Номер патента: US20230343865A1. Автор: Keisuke Kawamura,Sumito OUCHI,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of Semiconductor Fabrication with Height Control Through Active Region Profile

Номер патента: US20160240444A1. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of semiconductor fabrication with height control through active region profile

Номер патента: US09673112B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11864378B2. Автор: Yong Lu,Gongyi WU,Hongkun SHEN,Qiuhu PANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190267484A1. Автор: Kenichi Kawaguchi,Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9634008B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170062423A1. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Fabrication method of forming silicon carbide mosfet

Номер патента: US20230261084A1. Автор: Seungchul Lee,Youngchul CHOI,Chaohsin Huang. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Fabrication method of forming silicon carbide mosfet

Номер патента: US20230261086A1. Автор: Seungchul Lee,Youngchul CHOI,Chaohsin Huang. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Strained semiconductor device

Номер патента: US20090321840A1. Автор: Sergey Pidin. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Etch Stop Region for Semiconductor Device Substrate Thinning

Номер патента: US20240079239A1. Автор: Jung-Tsan TSAI,Wei Tse Hsu,Liang-Yin Chen,Ya-Ching Tseng,Bau-Ming Wang,Chunyii Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Wide-gap semiconductor substrate, apparatus for manufacturing wide-gap semiconductor substrate, and method for manufacturing wide-gap semiconductor substrate

Номер патента: EP3640973A1. Автор: Takashi Yamamoto. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Wide-Gap Semiconductor Substrate, Apparatus For Manufacturing Wide-Gap Semiconductor Substrate, And Method For Manufacturing Wide-Gap Semiconductor Substrate

Номер патента: US20200127090A1. Автор: Takashi Yamamoto. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9059126B1. Автор: Chien-Hsuan Liu,Chao-Chi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180323270A1. Автор: Yi-Chun Lo,Bo-Wen HSIEH,Wen-Jia HSEIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200312972A1. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220231143A1. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20170154972A1. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US10686049B2. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230420560A1. Автор: Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Iii-v semiconductor devices with selective oxidation

Номер патента: US20160240613A1. Автор: Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and method of forming a structure in a target substrate for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP2553715A1. Автор: Krister Gumaelius. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20230215946A1. Автор: Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20220406902A1. Автор: Ke-Feng Lin,Chen-An Kuo,Ze-Wei Jhou,Po-Chun Lai,Yi-Chieh Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Novel epitaxial semiconductor material regions for transistor devices and methods of forming same

Номер патента: US20210118993A1. Автор: Frank W. Mont,Julien Frougier,Ali Razavieh,Baofu ZHU,Arkadiusz Malinowski. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Strain enhanced SiC power semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US12113131B2. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09761668B2. Автор: Daisuke Ichikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20190027561A1. Автор: Yoshihiro Ikura,Yuichi Onozawa,Kota OHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

High voltage semiconductor devices with Schottky diodes

Номер патента: US7838931B2. Автор: Shang-Hui Tu,Hung-Shern Tsai. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100252869A1. Автор: Akira Hokazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor device

Номер патента: US11804526B2. Автор: Ke-Feng Lin,Chen-An Kuo,Ze-Wei Jhou,Po-Chun Lai,Yi-Chieh Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US11798998B2. Автор: Ke-Feng Lin,Chen-An Kuo,Ze-Wei Jhou,Po-Chun Lai,Yi-Chieh Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US11791386B2. Автор: Ke-Feng Lin,Chen-An Kuo,Ze-Wei Jhou,Po-Chun Lai,Yi-Chieh Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20220406903A1. Автор: Ke-Feng Lin,Chen-An Kuo,Ze-Wei Jhou,Po-Chun Lai,Yi-Chieh Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device

Номер патента: US11990546B2. Автор: Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11462621B2. Автор: Ke-Feng Lin,Chen-An Kuo,Ze-Wei Jhou,Po-Chun Lai,Yi-Chieh Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US11239234B2. Автор: Seiji Momota,Soichi Yoshida,Tomoyuki Obata,Tetsutaro Imagawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240021607A1. Автор: Seiji Momota,Soichi Yoshida,Tomoyuki Obata,Tetsutaro Imagawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US11810914B2. Автор: Seiji Momota,Soichi Yoshida,Tomoyuki Obata,Tetsutaro Imagawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Tunable semiconductor device

Номер патента: US20120248573A1. Автор: Qizhi Liu,Ramana Murty Malladi,David Louis Harame,Alvin Jose Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240170540A1. Автор: Jun Yuan. Владелец: Hubei Jiufengshan Laboratory. Дата публикации: 2024-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4376056A1. Автор: Jun Yuan. Владелец: Hubei Jiufengshan Laboratory. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20190229112A1. Автор: Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100327250A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device comprising insulated gate bipolar transistor (IGBT), diode, and well region

Номер патента: US11973132B2. Автор: Kota Kimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device

Номер патента: US11862671B2. Автор: RYU Kaihara,Haruki Abe,Takahiro Takimoto. Владелец: Sharp Fukuyama Laser Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device having a voltage resistant structure

Номер патента: US09786749B2. Автор: Katsuya Okumura,Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Transistor device and method of fabricating contacts to a semiconductor substrate

Номер патента: US20240136411A1. Автор: Seung Hwan Lee,Maximilian Rösch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of manufacturing a solid-state device and solid-state device, particularly semiconductor device

Номер патента: WO1991009425A1. Автор: Peter Teleki. Владелец: Teleki Péter. Дата публикации: 1991-06-27.

Heterostructure spherical shaped semiconductor device

Номер патента: WO2000062349A1. Автор: Atsuyuki Fukano. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-10-19.

Methods of performing concurrent fin and gate cut etch processes for FinFET semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09761495B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device having a low divot of alignment between a substrate and an isolation thereof and method of forming the same

Номер патента: US09520296B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for forming quantum dot, quantum semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1507293A1. Автор: Toshio Ohshima,Hai-zhi Fujitsu Limited SONG. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5218221A. Автор: Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-08.

Method of forming a semiconductor structure including a ferroelectric material and semiconductor structure including a ferroelectric transistor

Номер патента: US09412600B2. Автор: Gunter Grasshoff,Ralf van Bentum. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for forming well of semiconductor device

Номер патента: US5759884A. Автор: Kang-Sik Youn. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Method of forming polysilicon resistor during replacement metal gate process and semiconductor device having same

Номер патента: US8685827B2. Автор: Ju Youn Kim,Jedon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240304676A1. Автор: Takaya MIYASE,Hideyuki Hisanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of operating split gate-typed non-volatile memory cell and semiconductor memory device having the cells

Номер патента: US6370064B1. Автор: Jin-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194771A1. Автор: Takayuki Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09640644B1. Автор: Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Field effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US7453124B2. Автор: Alberto O Adan. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-11-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240014269A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11810952B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088214A1. Автор: Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Heteroepitaxial semiconductor devices with enhanced thermal dissipation

Номер патента: US20240355918A1. Автор: Matt King,Christer Hallin,Thomas Kuhr. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8329570B2. Автор: Masahiro Fukuda,Masatoshi Nishikawa,Ken Sugimoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-11.

Monolithic semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230352525A1. Автор: Gordon M. Grivna,Yusheng Lin,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170084499A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US9899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09559205B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20160351700A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor devices including raised source/drain stressors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09502413B2. Автор: Sang-pil Sim,Dong-Kyun Sohn,Se-Chan Lim,Su-Youn Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element

Номер патента: US09608110B2. Автор: Peter Baars,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240162286A1. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Ahmed Mahmoud,Cornelius Fuchs. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282828A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Kyoungwoo Lee,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150187795A1. Автор: Satoru Kameyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

MOS semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6143592A. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09673331B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100044787A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09331079B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150097184A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-09.

Method of fabricating semiconductor device having a trench structure penetrating a buried layer

Номер патента: US09543190B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Transistors having reinforcement layer patterns and methods of forming the same

Номер патента: US20060038200A1. Автор: UENO Tetsuji,Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-23.

Transistors having reinforcement layer patterns and methods of forming the same

Номер патента: US7307274B2. Автор: UENO Tetsuji,Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods

Номер патента: US09716147B2. Автор: Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having areas with different conductivity types and different doping

Номер патента: US9799521B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having areas with different conductivity types and different doping concentrations

Номер патента: US9306011B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device having areas with different conductivity types and different doping

Номер патента: US20160189964A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of Forming a Transistor, Method of Patterning a Substrate, and Transistor

Номер патента: US20160093706A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Forming method for fine-width trench and semiconductor device

Номер патента: WO2015044749A1. Автор: Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Yukihiko Watanabe,Atsushi Onogi,Akitaka SOENO,Tomoyuki Shoji. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-04-02.

Method of forming a transistor, method of patterning a substrate, and transistor

Номер патента: US09954068B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120122294A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Junichi Shiozawa,Ryu Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130200485A1. Автор: Hiroaki Naruse. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090014793A1. Автор: Kazutaka Manabe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110186970A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09761685B2. Автор: Toshikazu HANAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method Of Forming Split-Gate Flash Memory Cell With Spacer Defined Floating Gate And Discretely Formed Polysilicon Gates

Номер патента: US20210005724A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Melvin DIAO,Guo Yong LIU. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200020813A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Wen-Shun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of manufacturing a trench oxide in a trench for a gate structure in a semiconductor substrate

Номер патента: EP3675179A8. Автор: Moriz Jelinek,Michael Stadtmueller,Kang Nan Khor,Armin Schieber,Wei-Lin Sun. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-12.

Semiconductor device with metal film on surface between passivation film and copper film

Номер патента: US12057416B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Tunneling Field-Effect Transistor And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20190013413A1. Автор: Chen-Xiong Zhang,Xichao Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Vertical-type semiconductor apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20150145031A1. Автор: Kang Sik Choi,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170256464A1. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device including a trench at least partially filled with a conductive material in a semiconductor substrate

Номер патента: US9570566B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor Substrate Arrangements and a Method for Forming a Semiconductor Substrate Arrangement

Номер патента: US20160247703A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240322028A1. Автор: Katsuji Matsumoto,Naoki Kakoiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110250748A1. Автор: Masahiro Fukuda,Masatoshi Nishikawa,Ken Sugimoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230121589A1. Автор: Tsuyoshi Fujiwara,Kazuo Akamatsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of producing semiconductor devices of a MONOS type

Номер патента: US5324675A. Автор: Itsunari Hayabuchi. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Semiconductor devices having dual spacers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20050087802A1. Автор: Jeong Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20110124160A1. Автор: Michio Nemoto. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: EP4372792A1. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Ahmed Mahmoud,Cornelius Fuchs. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device having a corner spacer

Номер патента: US11769821B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device production method

Номер патента: US9117675B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-25.

Semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100252912A1. Автор: Kei Murayama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US5466303A. Автор: Hitoshi Yamaguchi,Tadashi Hattori,Seiji Fujino. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230260893A1. Автор: Jihyung KIM,Shaofeng Ding,JaeHee Oh,Yun Ki CHOI,Jeong Hoon Ahn,Jegwan Hwang,Won Ji PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11923427B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device

Номер патента: US11955550B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20170033028A1. Автор: Kei Yamamoto,Mamoru Terai,Tetsu Negishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US9558933B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Manufacturing method of semiconductor structure, semiconductor structure, transistor, and memory

Номер патента: US20220231146A1. Автор: Xiaobo Mei. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Gate spacers and methods of forming same

Номер патента: US09536980B1. Автор: Chao-Cheng Chen,Chun-Hung Lee,Yuan-Sheng Huang,Hua Feng Chen,Po-Hsueh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor devices having field electrode trenches

Номер патента: US10403728B2. Автор: Michael Hutzler,Christoph Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-09-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150263020A1. Автор: HONGWEI Li,Bing Guo,Xiaoyuan Wang,Zhiguang Guo,Chuanmiao ZHOU,Fengji JIN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11769716B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US4491486A. Автор: Hiroshi Iwai. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-01.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20170338324A1. Автор: Toshikazu HANAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070026592A1. Автор: Yong Shin. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20180269110A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20230083880A1. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor substrate processing methods

Номер патента: US11823953B2. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150262887A1. Автор: Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor substrate processing methods

Номер патента: US20190363016A1. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor substrate processing methods

Номер патента: US20210375679A1. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20150228482A1. Автор: Naohiko Hirano,Shouichi Yamauchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240355894A1. Автор: Jung Han,Yu-Hsiang Hung,Yu-Hsiang Lin,Chih-Mou Lin,Ming-Hua Tsai,Ming-Chi Li,Tzu-Lang Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09721915B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Jun Fujita,Hiroaki Okabe,Motoru YOSHIDA,Kazuyo Endo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20230207635A1. Автор: ATSUSHI Watanabe,Tatsuji Nagaoka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Ldmos transistor and method of making the same

Номер патента: WO2005086237A2. Автор: Carsten Ahrens,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-15.

Ldmos transistor and method of making the same

Номер патента: EP1719183A2. Автор: Carsten Ahrens,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030025153A1. Автор: Sug Chun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US7541245B2. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050139933A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20180005704A1. Автор: Hiromichi Takaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139912A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09735267B1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070090468A1. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device including gate oxide layer

Номер патента: US20230207647A1. Автор: Jung Han,Yu-Hsiang Hung,Yu-Hsiang Lin,Chih-Mou Lin,Ming-Hua Tsai,Ming-Chi Li,Tzu-Lang Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159989A1. Автор: Jeong Pyo Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device including gate oxide layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057483B2. Автор: Jung Han,Yu-Hsiang Hung,Yu-Hsiang Lin,Chih-Mou Lin,Ming-Hua Tsai,Ming-Chi Li,Tzu-Lang Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09496383B2. Автор: Koji Hamada,Koji Taniguchi,Kiyonori Oyu,Hiroaki Taketani. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor devices with superlattice layers providing halo implant peak confinement and related methods

Номер патента: EP3284106A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-21.

Semiconductor devices with superlattice layers providing halo implant peak confinement and related methods

Номер патента: US09899479B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device integrating a voltage divider and process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09461104B2. Автор: Vincenzo Palumbo,Mirko Venturato. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8385124B2. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110242888A1. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140077292A1. Автор: Hideki Okumura,Takuya Nogami,Takahiro Kawano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020783A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Power semiconductor device having an electrode with an embedded material

Номер патента: US20230343871A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Günter Denifl,Michael Stadtmueller,Oliver Blank,Stefan Karner,Saurabh Roy,Germano Galasso. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Thin film transistor, method for fabricating the same, array substrate, and display device

Номер патента: US20200243576A1. Автор: Kui Gong,Xianxue Duan,Jilong Li. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same, and solid-state image pickup device using the same

Номер патента: US20140239360A1. Автор: Ryosuke Nakamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Thin film transistor and fabricating method thereof, and array substrate

Номер патента: US10535781B2. Автор: Lin Chen,Mengyu Luan,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230105690A1. Автор: Jung Han,Yu-Hsiang Hung,Yu-Hsiang Lin,Chih-Mou Lin,Ming-Hua Tsai,Ming-Chi Li,Tzu-Lang Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100207202A1. Автор: Yasuhiko Ueda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-08-19.

Trenched power semiconductor structure with reduced gate impedance and fabrication method thereof

Номер патента: US20120309177A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device including ferroelectric material and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20230275150A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20200411653A1. Автор: Masayuki Kamiya,Takanori Kawashima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170222044A1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device having vertical transistor

Номер патента: US20130270629A1. Автор: Yoshinori Ikebuchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220376071A1. Автор: Jung Han,Yu-Hsiang Hung,Yu-Hsiang Lin,Chih-Mou Lin,Ming-Hua Tsai,Ming-Chi Li,Tzu-Lang Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor devices with regrown contacts and methods of fabrication

Номер патента: US20190206998A1. Автор: Jenn Hwa Huang,Yuanzheng Yue. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device having contact plug and method of forming the same

Номер патента: US09620504B2. Автор: Hyerim Moon,Myounghun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20210320204A1. Автор: Takayuki Yamada,Hideo Ichimura,Norio Koike,Daniel Sherman,Hongning Yang,Toshihiko Ichikawa,Sharon Levin,Noriyuki Inuishi,Masao Shindo,Yoshinobu MOCHO,David Mistele. Владелец: Tower Partners Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20110006351A1. Автор: Yoshitsugu Yamamoto,Tetsuo Kunii,Hirotaka Amasuga,Youichi Nogami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100078712A1. Автор: Yoshihiro Takaishi,Kiyonori Oyu,Yoshinori Ikebuchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12040369B2. Автор: LIANG Yi,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190181008A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180138170A1. Автор: Tsuyoshi Nishiwaki,Atsushi Imai,Hiroshi Hosokawa,Shinya Iwasaki,Shuhei Oki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Methods of masking and etching a semiconductor substrate, and ion implant lithography methods of processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20030096195A1. Автор: J. Rolfson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Device manufacturing method of processing cut portions of semiconductor substrate using carbon dioxide particles

Номер патента: US09633903B2. Автор: Masamune TAKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US09466504B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor laminate, program for selecting substrate, program for outputting substrate data, nitride semiconductor substrate with program for outputting substrate data, off-angle coordinate map, nitride semiconductor substrate with off-angle coordinate map, program for selecting semiconductor device, method for producing nitride semiconductor substrate, method for producing semiconductor laminate, method for producing semiconductor device, and method for...

Номер патента: US20210184003A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Group iii nitride semiconductor substrate and method of manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200032418A1. Автор: HIROKI Goto,Yujiro Ishihara. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US9330932B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Methods of Removing Particles From Over Semiconductor Substrates

Номер патента: US20100170531A1. Автор: Wayne Huang,Dan Millward,Neil Joseph Greeley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-08.

Methods of Removing Particles from Over Semiconductor Substrates

Номер патента: US20150128992A1. Автор: Wayne Huang,Dan Millward,Joseph Neil Greeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Method of forming structures on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1275138A1. Автор: John George Maltabes,Alain Bernard Charles. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Method of forming structures on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2001078122A1. Автор: John George Maltabes,Alain Bernard Charles. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2001-10-18.

Methods Of Removing Particles From Over Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120266913A1. Автор: Wayne Huang,Dan Millward,Neil Joseph Greeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of forming an epitaxial layer on a substrate, and apparatus and system for performing the same

Номер патента: US09589795B2. Автор: Yong-sung Park,Sung-Ho Kang,Hee-seok Kim,Bong-Jin Kuh,Yong-Kyu Joo,Sung-Ho Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture

Номер патента: US20240128231A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Szu-Hsien Lee,Pei-Wei Lee,Fu Wei Liu,Bo-Yu Chiu,Yun-Chung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of controlling bow in a semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240154059A1. Автор: Muhammad Ali,Tongtong ZHU,Yingjun Liu. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Insulated gate semiconductor device having trench gate and inverter provided with the same

Номер патента: US5828100A. Автор: Yutaka Kobayashi,Akihiko Tamba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-10-27.

Method of preventing deterioration of film quality of transparent conductive film a semiconductor device

Номер патента: US5900646A. Автор: Yutaka Takizawa,Ken-ichi Yanai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-05-04.

Method of forming patterns, patterns formed according to the method, and semiconductor device including the patterns

Номер патента: US20180204730A1. Автор: Junyoung JANG,Jinwoo SEO,Jin-Hee Bae,Huichan Yun,Taeksoo Kwak,Kunbae Noh. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20030219985A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20050095850A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US6916747B2. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Methods of forming a patterned, silicon-enriched developable antireflective material and semiconductor device structures including the same

Номер патента: WO2012094183A2. Автор: Dan B. Millward,Kaveri Jain,Jianming Zhou,Anton J. deVilliers,Yuan He,Scott Light,Lijing Gou,Zishu Zhang,Michael Hyatt. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

Method of making a graded grown, high quality oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US6541394B1. Автор: Sailesh Mansinh Merchant,Pradip Kumar Roy,Yuanning Chen. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2003-04-01.

Method of delta-channel in deep sub-micron process

Номер патента: US6232160B1. Автор: Shui-Hung Chen,Jian-Hsing Lee,Jiaw-Ren Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-05-15.

NAND flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US09741573B2. Автор: Guo Bin Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190189623A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277548A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230378252A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device structure useful for bulk transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09412788B2. Автор: Takashi Yokoyama,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Devices with backside metal structures and methods of formation thereof

Номер патента: US09960076B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Iris Moder,Thomas Christian Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20010026980A1. Автор: Yuri Mizuo. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09515082B2. Автор: Daisuke Okada,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10504791B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7622362B2. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080113490A1. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899267B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080128836A1. Автор: Jeong-Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09472467B2. Автор: Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor device n-channel type MOS transistor with gate electrode layer featuring small average polycrystalline silicon grain size

Номер патента: US7442632B2. Автор: Takayuki Suzuki,Mitsuhiro Togo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

III-V compound semiconductor device having metal contacts and method of making the same

Номер патента: US09391153B2. Автор: Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

MOS devices with ultra-high dielectric constants and methods of forming the same

Номер патента: US09614079B2. Автор: Minghwei Hong,Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200365696A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20130234262A1. Автор: Hualong Song. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200258854A1. Автор: Masao Kikuchi,Kaori Sato,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US09431270B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Hidenao Kuribayashi,Hideaki Teranishi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device with edge-protecting spacers over bonding pad

Номер патента: US12027479B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device manufacture method including process of implanting impurity into gate electrode independently from source /drain and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US20030098486A1. Автор: Hikaru Kokura,Yasuhiro Sambonsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device manufacture method including process of implanting impurity into gate electrode independently from source/drain and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US20080311721A1. Автор: Hikaru Kokura,Yasuhiro Sambonsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12087857B2. Автор: Tao Chen,Yukun LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09412755B2. Автор: Kazuhiko Sato,Hiroshi Ishida. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor strucutre and method of fabricating the same

Номер патента: US20190148389A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Li-Feng Teng,Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu,Chien-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09472547B2. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus involving thickness measurements

Номер патента: US11424168B2. Автор: Kazuaki Mikami,Kazunori Kanada,Haruhiko Minamitake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20210384087A1. Автор: Kazuaki Mikami,Kazunori Kanada,Haruhiko Minamitake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Laser annealing method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090246950A1. Автор: Jae Soo Kim,Ho Jin Cho,Cheol Hwan Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device having recess gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20090321821A1. Автор: Young-Kyun Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8084340B2. Автор: Satoshi Nakai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11756991B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20210305360A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device

Номер патента: US09741742B2. Автор: Joseph Smith,Jennifer Blain CHRISTEN,Emmett Howard. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110212597A1. Автор: Kenichiro Makino. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190027410A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Devices with Backside Metal Structures and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20180040504A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Iris Moder,Thomas Christian Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-08.

Method of manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20020092463A1. Автор: Julio Costa,Peter Zdebel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Methods, apparatus and system for a self-aligned gate cut on a semiconductor device

Номер патента: US20190319112A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Methods, apparatus and system for a self-aligned gate cut on a semiconductor device

Номер патента: US20200185509A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Nonvolatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20060071265A1. Автор: Jeong-Uk Han,Kwang-Wook Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180144988A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121704B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20230253293A1. Автор: Hojin Lee,Kwangjin Moon,Sohye CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US5888890A. Автор: Kee Chul Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor device with element isolation film

Номер патента: US6018185A. Автор: Iwao Kunishima,Ichiro Mizushima,Masahiro Kashiwagi,Yuichiro Mitani,Shigeru Kambayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20230040727A1. Автор: Tsuyoshi OSAGA,Yuki HATA,Yasuo ATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device with reduced defects

Номер патента: US20150028429A1. Автор: Hualong Song. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150270279A1. Автор: Daisuke Okada,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11302788B2. Автор: PAN Pan,Jianhua Xu,Xi SONG,Naiqian Zhang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200091301A1. Автор: PAN Pan,Jianhua Xu,Xi SONG,Naiqian Zhang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20140210017A1. Автор: Jin Wook Lee,Myeongcheol Kim,Dohyoung Kim,Yongjin Kim,Joon Goo Hong,Yoonhae Kim,Sooyeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-31.

Method of making flash memory with high coupling ratio

Номер патента: US5427970A. Автор: Gary Hong,Chen-Chih Hsue. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9520483B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device with edge-protecting spacers over bonding pad

Номер патента: US11894328B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method and related apparatus for reducing gate-induced drain leakage in semiconductor devices

Номер патента: US11251286B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Hsiao-Chin Tuan,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20200335578A1. Автор: An-Hao CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8071448B2. Автор: Masaki Okuno. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20150262643A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12087760B2. Автор: Derrick Johnson,Yupeng Chen,Mark Griswold,Ralph N. Wall. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20040232485A1. Автор: Masashi Suzuki,Masao Yamane,Hitoshi Akamine,Tetsuaki Adachi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20060076620A1. Автор: Masashi Suzuki,Masao Yamane,Hitoshi Akamine,Tetsuaki Adachi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100219460A1. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8294190B2. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20210082929A1. Автор: Takeshi Yamamoto,Nobuyuki Toda,Kazuaki Yamaura,Shinji KAWAHARA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the device

Номер патента: US20020025630A1. Автор: Masao Tanimoto,Seichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09437487B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Feng Gu,Fang He,Yaohui GU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09947670B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Mesa edge shielding trench Schottky rectifier and method of manufacture thereof

Номер патента: US8551867B2. Автор: WEI Liu,Fan Wang,Xiaozhong Sun. Владелец: Suzhou Silikron Semicoductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Array substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09804463B2. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Eeprom and method of fabricating the same

Номер патента: US20040009645A1. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-15.

MOSFET with both elevated source-drain and metal gate and fabricating method

Номер патента: US20020066913A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20140061753A1. Автор: Kenrou KIKUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20160204252A1. Автор: Tomoaki Uno,Koujirou Matsui,Takehiko Sakamoto,Kazuyuki Umezu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20180294220A1. Автор: Tomoaki Uno,Koujirou Matsui,Takehiko Sakamoto,Kazuyuki Umezu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US10396029B2. Автор: Tomoaki Uno,Koujirou Matsui,Takehiko Sakamoto,Kazuyuki Umezu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US10068849B2. Автор: Tomoaki Uno,Koujirou Matsui,Takehiko Sakamoto,Kazuyuki Umezu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Process for forming differential spaces in electronics device integrated on a semiconductor substrate

Номер патента: US20100047980A1. Автор: Giulio Albini,Giorgio Servalli,Carlo Cremonesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of fabricating flash memory

Номер патента: US20080166865A1. Автор: Hyun-Sang Hwang,Man Jang,Min-Seok Jo,Ho-Kyung Park. Владелец: Poongsan Microtec Co Ltd Status Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20230361107A1. Автор: Derrick Johnson,Yupeng Chen,Mark Griswold,Ralph N. Wall. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110124173A1. Автор: YAMADA Satoru,Sung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070296041A1. Автор: Hiroaki Hazama,Susumu TAMON. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

CMOS compatible ultraviolet sensor device and method of producing a CMOS compatible ultraviolet sensor device

Номер патента: US09577135B2. Автор: Friedrich Peter LEISENBERGER. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and power converter

Номер патента: US11777419B2. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Schottky structure in GaAs semiconductor device

Номер патента: US20040016984A1. Автор: YI Chang,Cheng-Shih Lee. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2004-01-29.

Direct tunneling semiconductor memory device and fabrication process thereof

Номер патента: US7288813B2. Автор: Kouji Tsunoda,Tatsuya Usuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120015508A1. Автор: Shinya Iwasaki,Akira Kamei. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09589824B2. Автор: Kunihito Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US7981782B2. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-19.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Package assembly including a semiconductor substrate in which a first portion of a surface of the semiconductor substrate is recessed relative to a second portion of the surface of the semiconductor substrate to form a recessed region in the semiconductor substrate

Номер патента: US09768144B2. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Runzi Chang,Shiann-Ming Liou,Scott Wu,Chuan-Cheng Cheng,Roawen Chen,Chung Chyung (Justin) Han. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing SOI substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09633892B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takashi Shimazu,Eriko Nishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of conditioning vacuum chamber of semiconductor substrate processing apparatus

Номер патента: US09548188B2. Автор: Dennis Michael Hausmann. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of removing heavy metal in semiconductor substrate

Номер патента: US8173523B2. Автор: Kiyoshi Nagai,Shuichi Samata,Noritomo Mitsugi,Kei Matsumoto,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor substrate grinding apparatus and semiconductor substrate grinding method using the same

Номер патента: US20230373058A1. Автор: Hyojung KIM,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Pre-molded substrate, method of manufacturing pre-molded substrate, and hollow type semiconductor device

Номер патента: US20190355635A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor substrate for photonic and electronic structures and method of manufacture

Номер патента: EP2939266A1. Автор: Gurtej Sandhu,Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-04.

Semiconductor installation, containing at-least also a long narrow semiconductor substrate transfer / processing tunnel-arrangement to during its operation the uninterruptedly taking place of a total semiconductor processing / treatment- process of the therein displacing semiconductor substrates

Номер патента: WO2011145918A1. Автор: Edward Bok. Владелец: Edward Bok. Дата публикации: 2011-11-24.

Transfer substrate, method of fabricating micro light emitting diode display substrate, and micro light emitting diode display substrate

Номер патента: WO2020062750A1. Автор: Jingjun Du,Fei Liang,Lingyu SUN,Liyu Fang,Tingxiu Hou. Владелец: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor substrate for photonic and electronic structures and method of manufacture

Номер патента: US20150243546A1. Автор: Gurtej Sandhu,Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor substrate for photonic and electronic structures and method of manufacture

Номер патента: US20140175596A1. Автор: Gurtej Sandhu,Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device and fabrication process thereof, method of forming a device isolation structure

Номер патента: US20010042896A1. Автор: Masanobu Hatanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device, method of making the same, circuit board, flexible substrate, and method of making substrate

Номер патента: US20010019852A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

Microelectronic device fabricating method, method of forming a pair of conductive device components of different base widths from a common deposited conductive layer, and integrated circuitry

Номер патента: US6894368B2. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Method of reducing contact resistance at silicide/active area interfaces and semiconductor devices produced according to the method

Номер патента: US5108954A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Mohammed Anjum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1992-04-28.

Method of manufacturing a contact structure of an interconnection layer for a semiconductor device and a multilayer interconnection SRAM

Номер патента: US5654239A. Автор: Osamu Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-08-05.

Transfer substrate, method of fabricating micro light emitting diode display substrate, and micro light emitting diode display substrate

Номер патента: US20210335634A1. Автор: Jingjun Du,Fei Liang,Lingyu SUN,Liyu Fang,Tingxiu Hou. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of predicting internal gettering behavior in silicon substrates and storage medium storing program for predicting internal gettering behavior

Номер патента: US20090259448A1. Автор: Kozo Nakamura. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Method of predicting internal gettering behavior in silicon substrates and storage medium storing program for predicting internal gettering behavior

Номер патента: US7920999B2. Автор: Kozo Nakamura. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Method of manufacturing a semiconductor transducer device with multilayer diaphragm and semiconductor transducer device with multilayer diaphragm

Номер патента: EP3650827A1. Автор: Jörg Siegert,Remco Henricus Wilhelmus Pijnenburg,Willem Frederik Adrianus Besling,Alessandro Faes. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2020-05-13.

Method of manufacturing a semiconductor transducer device with multilayer diaphragm and semiconductor transducer device with multilayer diaphragm

Номер патента: WO2020094412A1. Автор: Jörg Siegert,Remco Henricus Wilhelmus Pijnenburg,Willem Frederik Adrianus Besling,Alessandro Faes. Владелец: Sciosense B.V.. Дата публикации: 2020-05-14.

Methods of manufacturing stress buffer structures in a mounting structure of a semiconductor device

Номер патента: US20130109169A1. Автор: Shin-puu Jeng,Tzu-Yu Wang,Tzu-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Light detection device including a semiconductor light detection element, a mounting substrate, and quenching circuits wherein the first electrodes of the light detection element corresponding to the second electrodes of the mounting substrate are electrically connected through bump electrodes

Номер патента: US09768222B2. Автор: Takashi Baba,Tomofumi Suzuki,Noburo Hosokawa,Terumasa Nagano. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: US6153010A. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Semiconductor detector and method of manufacturing same

Номер патента: EP4243092A1. Автор: Takashi Takahama,Kazuyuki Hozawa. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor substrate-based interconnection assembly for semiconductor device bearing external elements

Номер патента: US20070262463A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor substrate processing apparatus and semiconductor substrate measuring apparatus using the same

Номер патента: US20220037215A1. Автор: Namil Koo,Suhwan PARK,Junbum Park,Inkeun BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate

Номер патента: US20170301558A1. Автор: Shuichi Oka,Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai,Shinji Rokuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate

Номер патента: US10410884B2. Автор: Shuichi Oka,Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai,Shinji Rokuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-09-10.

Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate

Номер патента: US9723724B2. Автор: Shuichi Oka,Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai,Shinji Rokuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate

Номер патента: US20150021081A1. Автор: Shuichi Oka,Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai,Shinji Rokuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Piezoelectric-resonator-mounting substrate, and piezoelectric resonator unit and method of manufacturing the piezoelectric resonator unit

Номер патента: US20180069522A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Hiroyuki Araya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Electroconductive nanowire network, and electroconductive substrate and transparent electrode using same, and method for manufacturing electroconductive nanowire network, electroconductive substrate, and transparent electrode

Номер патента: US09717144B2. Автор: Hidetoshi Matsumoto,Junji Watanabe,Masatoshi Tokita,Koichi Sakajiri,Keisuke Azuma. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2017-07-25.

White heat-curable epoxy resin composition, optical semiconductor element case made of the white heat-curable epoxy resin composition and optical semiconductor device comprised of the optical semiconductor element

Номер патента: US20160244604A1. Автор: Tadashi Tomita,Yoshihiro Tsutsumi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of repairing through-electrodes, repair device performing the same and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230072965A1. Автор: Sungho Kang,Youngkwang Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

White heat-curable epoxy resin composition, optical semiconductor element case made of the white heat-curable epoxy resin composition and optical semiconductor device comprised of the case

Номер патента: US09884960B2. Автор: Tadashi Tomita,Yoshihiro Tsutsumi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Member, method of manufacturing the same, apparatus for manufacturing the same, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20210111044A1. Автор: Takafumi Noguchi,Changhwan KIM,Toshihiro Iizuka,Kenichi Nagayawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Piezoelectric-resonator-mounting substrate, and piezoelectric resonator unit and method of manufacturing the piezoelectric resonator unit

Номер патента: US10938368B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Hiroyuki Araya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-02.

Repairing methods of defective pixels having light spots, array substrates and liquid crystal panels

Номер патента: US20170192325A1. Автор: Xiangdeng Que. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method of cleaning group iii nitride single crystal substrate, and method of producing the same

Номер патента: US20230313413A1. Автор: Masayuki Fukuda,Reo Yamamoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of creating embedded components on an antenna substrate and antenna apparatus formed with same

Номер патента: WO2024054268A1. Автор: Steven J. Franson,David E. PETTIT. Владелец: VIASAT, INC.. Дата публикации: 2024-03-14.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal oxide thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240199670A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor element unit and method of manufacturing thereof, semiconductor element unit supply substrate, and semiconductor packaging circuit and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP4068399A1. Автор: Takuma Ishikawa,Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Chihiro Takahashi,Hironori Furuta,Yusuke Nakai,Shinya Jyumonji,Yuuki SHINOHARA,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor element unit and method of manufacturing thereof, semiconductor element unit supply substrate, and semiconductor packaging circuit and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220310817A1. Автор: Takuma Ishikawa,Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Chihiro Takahashi,Hironori Furuta,Yusuke Nakai,Shinya Jyumonji,Yuuki SHINOHARA,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080179648A1. Автор: Dae-Won Ha,Tae-Hyun AN,Min-Young SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor devices and method of forming the same

Номер патента: US11744084B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor devices and method of forming the same

Номер патента: US20220285436A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of manufacturing an eeprom device

Номер патента: US20170200728A1. Автор: Jun Li,Peng Huang,Honggang Dai,Guanguan Gu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of forming a tunnel oxide layer of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020076883A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20020117730A1. Автор: Shigeaki Okawa,Toshiyuki Ohkoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100207188A1. Автор: Hiroshi Akahori,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080073697A1. Автор: Hiroshi Akahori,Nobutoshi Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor memory device, method of driving the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090316484A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Masayuki Terai,Kouji Masuzaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240088282A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Apparatus and methods for manufacturing semiconductor devices and treating substrates

Номер патента: US09595434B2. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Kyoungseob Kim,Kyoung Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010033023A1. Автор: Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-25.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20150104942A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Mitsuhiro Omura,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Method of fine patterning semiconductor device

Номер патента: US7998357B2. Автор: Myeong-Cheol Kim,Young-Hoon Song,Shi-Yong Yi,Young-Ju Park,Nam-Myun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-16.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20010015174A1. Автор: Shuji Katsui,Kazuo Saki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

METHOD OF PRODUCING DEVICE QUALITY (Al)InGaP ALLOYS ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATES

Номер патента: WO2000033388A9. Автор: Eugene A Fitzgerald,Andrew Y Kim. Владелец: Massachusetts Inst Technology. Дата публикации: 2001-03-29.

Semiconductor substrate

Номер патента: US12068166B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus and method of treating surface of semiconductor substrate

Номер патента: US20180082832A1. Автор: Yoshihiro Ogawa,Hiroshi Tomita,Shinsuke Kimura,Hisashi Okuchi,Tatsuhiko Koide. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Apparatus and method of treating surface of semiconductor substrate

Номер патента: US09991111B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Hiroshi Tomita,Shinsuke Kimura,Hisashi Okuchi,Tatsuhiko Koide. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Apparatus and method of treating surface of semiconductor substrate

Номер патента: US20160049289A1. Автор: Yoshihiro Ogawa,Hiroshi Tomita,Shinsuke Kimura,Hisashi Okuchi,Tatsuhiko Koide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of degassing

Номер патента: US09728432B2. Автор: Stephen R Burgess,Anthony Paul Wilby. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Method for creating cavities in silicon carbide and other semiconductor substrates

Номер патента: US11756783B1. Автор: Joel WONG,Florian G. Herrault,Eric Prophet. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Supercritical drying method for semiconductor substrate and supercritical drying apparatus

Номер патента: US09583330B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hidekazu Hayashi,Yohei Sato,Kazuyuki Mitsuoka,Mitsuaki Iwashita,Takayuki Toshima,Takehiko Orii,Hiroki Ohno,Hisashi Okuchi,Gen You,Linan JI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for Fabricating Semiconductor Device Capable of Adjusting the Thickness of Gate Oxide Layer

Номер патента: US20090042379A1. Автор: XIN Wang,Tai Chiang Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200249188A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Junko Izumitani,Hideaki Ooe,Masutaro Nemoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Photo-mask and method of manufacturing semiconductor structures by using the same

Номер патента: US09448471B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Chun-Chi Yu,Teng-Chin Kuo,Yuan-Chi Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US20070128790A1. Автор: Masanori Dainin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Method for processing a semiconductor substrate and a method for processing a semiconductor wafer

Номер патента: US09673096B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Gudrun Stranzl,Martin Mischitz,Martin Zgaga,Markus Juch Heinrici. Владелец: Technische Universitaet Graz. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09685318B2. Автор: Wonseok Yoo,Hanjin Lim,Young-Lim Park,Changyup Park,Hyokyoung Kim,Kongsoo Lee,Wook-Yeol Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Device for manufacturing semiconductor substrate comprising temperature gradient inversion means and method for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: EP3951026A1. Автор: Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Slit stress modulation in semiconductor substrates

Номер патента: US09935000B2. Автор: Hyun Sik Kim,James Mathew,Yunjun Ho,Zhiqiang Xie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Porous barrier layer for improving reliability of through-substrate via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20200343161A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Porous barrier layer for improving reliability of through-substrate via structures and methods of forming the same

Номер патента: WO2020219125A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US11942382B2. Автор: Noritsugu NOMURA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of assessing semiconductor substrate and method of assessing device chip

Номер патента: US20190080905A1. Автор: Shoichi Kodama,Youngsuk Kim. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344149A1. Автор: Michiya KITANO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor substrate

Номер патента: US20240079244A1. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of treating a semiconductor substrate

Номер патента: US20100240219A1. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Kentaro SHIMAYAMA,Hiroyasu Iimori,Tatsuhiko Koide,Linan JI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200235199A1. Автор: You-Hua Chou,Chien Lin,Yi-Chen Ho,Cheng-Yu Hung,Hsing-Yuan HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Manufacturing method of semiconductor

Номер патента: US20240055297A1. Автор: Fu-Chiang Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for forming shallow trenches of the dual active regions

Номер патента: US09871064B1. Автор: JIN Xu,Quan Jing,Jun Zhu,Xusheng Zhang,Yu Ren,Minjie Chen,Yukun LV. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Ultra-thin resist coating qualityby by increasing surface roughness of the substrate

Номер патента: US20020004300A1. Автор: Bhanwar Singh,Christopher F. Lyons,Michael K. Templeton,Marina V. Plat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

A method and apparatus for cleaning semiconductor substrates

Номер патента: WO2006057678A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Roman Gouk,Dennis Yost. Владелец: APPLIED MATERIALS, INC. Дата публикации: 2006-06-01.

Fabrication Of Semiconductor Substrates

Номер патента: US20200083042A1. Автор: Heinz Schmid,Lukas Czornomaz,Philipp Staudinger,Yannick Baumgartner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Laminate, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US20230011185A1. Автор: Keisuke Kubo. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor substrate processing method

Номер патента: MY194179A. Автор: Hirata Kazuya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210028053A1. Автор: Tse-Yao Huang,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Optical device and method of making

Номер патента: US20120064655A1. Автор: Nathaniel R. Quick,Aravinda Kar. Владелец: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190013270A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Hsin-Hung Chen,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Method of manufacturing semiconductor optical device

Номер патента: US20240186763A1. Автор: Takehiko Kikuchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240298444A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Saori Kashiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing at least one sputter-coated substrate and sputter source

Номер патента: EP1969613B1. Автор: Siegfried Krassnitzer,Walter Haag,Pius Gruenenfelder,Stanislav Kadlec,Fachri Atamny. Владелец: Oerlikon Solar AG. Дата публикации: 2012-08-22.

Method of manufacturing at least one sputter-coated substrate and sputter source

Номер патента: EP1969613A1. Автор: Siegfried Krassnitzer,Walter Haag,Pius Gruenenfelder,Stanislav Kadlec,Fachri Atamny. Владелец: OC OERLIKON BALZERS AG. Дата публикации: 2008-09-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230030778A1. Автор: Fumihiko Hayashi,Hirokazu Sayama,Junjiro Sakai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425538A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Saori Kashiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7326603B2. Автор: Kei Kanemoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110244649A1. Автор: Takashi Shimizu,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of forming semiconductor devices

Номер патента: US20100144113A1. Автор: Soo Jin Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Pad design for circuit under pad in semiconductor devices

Номер патента: US20140035089A1. Автор: Wei Zheng,YIN Qian,Duli Mao,Howard E. Rhodes,Vincent Venezia,Dyson H. Tai,Keh-Chiang Ku. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09917010B2. Автор: Kazumi Onda,Mitsuo Umemoto,Hideaki Yoshimi,Kazumi Horinaka. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Method of processing a semiconductor substrate and semiconductor chip

Номер патента: US09831127B2. Автор: Franco Mariani,Korbinian Kaspar. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230395567A1. Автор: Hyeran Lee,Changyong Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of fabricating semiconductor package and semiconductor package structure including the semiconductor package

Номер патента: US20240266307A1. Автор: Junghyun Roh,Manhee Han,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with an anti-pad peeling structure and associated method

Номер патента: US09711478B2. Автор: Shih-Wen Huang,Cheng-chieh Hsieh,Chih-Kai Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having backside interconnect structure through substrate via and method of forming the same

Номер патента: US09449898B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hsin-Yu Chen,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Hong-Ye Shih,Chia-Yin Chen,HsiaoYun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

System for Processing Semiconductor Substrate by Using Laser and Method of the Same

Номер патента: US20080015728A1. Автор: Daejin Kim,HyunJung Kim,Jekil Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20020192893A1. Автор: Takayuki Igarashi,Yoshitaka Ootsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023313A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for fabricating semiconductor device, pattern writing apparatus, recording medium recording program, and pattern transfer apparatus

Номер патента: US09535327B2. Автор: Takayuki Abe. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices

Номер патента: US11756936B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20210020669A1. Автор: Chin-Yu Lin,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Su-Yu Yeh,Huai-Jen Tung,Chia-Yun Chen,Ta-Cheng Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6890866B2. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-05-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090121311A1. Автор: Shintaro Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185659A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor devices for integration with light emitting chips and modules thereof

Номер патента: US09704839B2. Автор: Thomas Gross,Johann Gatterbauer,Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina Heigl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Isolation structure, method for manufacturing the same, and semiconductor device having the structure

Номер патента: US09543188B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09960169B2. Автор: Sang-kyun Kim,Hao Cui,Yun-jeong Kim,Seung-Ho Park,In-seak Hwang,Jun-Seok Lee,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09875934B2. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of fabricating trench generated device structures

Номер патента: US20130171796A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US11605606B2. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-14.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US20220130779A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20140167192A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09391263B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device with transistor local interconnects

Номер патента: US20210013150A1. Автор: Suresh Venkatesan,Scott Johnson,Subramani Kengeri,Chinh Nguyen,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Steven Soss,Jeff Kim,Irene Y. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030232480A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Electroless-plating solution and semiconductor device

Номер патента: WO2002099164A3. Автор: Hiroaki Inoue,Kenji Nakamura,Moriji Matsumoto. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2004-05-21.

Carrier system for processing semiconductor substrates, and methods thereof

Номер патента: US09640419B2. Автор: Michael Roesner,Martin Mischitz,Manfred Schneegans,Michael Pinczolits. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having through-electrode

Номер патента: US09425138B2. Автор: Toshiro Mitsuhashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for minimizing defects in a semiconductor substrate due to ion implantation

Номер патента: WO2012044361A1. Автор: Toshifumi Mori,Ken-ichi Okabe,Toshiki Miyake,Pushkar Ranade. Владелец: SUVOLTA, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

Image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282800A1. Автор: Masato Fujita,Takekazu Shinohara,Heetak Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09881851B2. Автор: Kengo Uchida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Deep trench isolation structures and methods of forming same

Номер патента: US09704904B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Yen-Ting Chiang,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6680238B2. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-20.

Shielding device for substrate edge protection and method of using same

Номер патента: US09659677B2. Автор: William T. Weaver,Timothy J. Miller,Charles T. Carlson,Aaron P. Webb,James D. Strassner. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Processing method of silicon substrate, fabricating method of substrate for liquid ejection head, and fabricating method of liquid ejection head

Номер патента: US09545793B2. Автор: Ryoji Kanri,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Methods of forming features having differing pitch spacing and critical dimensions

Номер патента: US09449835B2. Автор: Ryan Ryoung-Han Kim,Linus Jang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20120080746A1. Автор: Se Hyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor devices and preparation methods thereof

Номер патента: US20230054495A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor devices and preparation methods thereof

Номер патента: US12132022B2. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor packaging and methods of forming same

Номер патента: US20240379618A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140374910A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11935895B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240203998A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US20190109125A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US20200350302A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US20220278090A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: EP3595009A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi,Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-01-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040067632A1. Автор: Takao Ishida,Naoto Andoh,Kenji Hosogi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11798886B2. Автор: Fumihiko Hayashi,Hirokazu Sayama,Junjiro Sakai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249353A1. Автор: Fumihiko Hayashi,Hirokazu Sayama,Junjiro Sakai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3863044A1. Автор: Fumihiko Hayashi,Hirokazu Sayama,Junjiro Sakai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-08-11.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor memory cell fabrication method

Номер патента: US5950095A. Автор: Sang-Gi Ko. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-07.

Interconnect structures and fabrication method thereof

Номер патента: US9728504B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Interconnect structures and fabrication method thereof

Номер патента: US09728504B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20200402954A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor substrates with unitary vias and via terminals, and associated systems and methods

Номер патента: US09508628B2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US20220084955A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240105679A1. Автор: SANGHOON Lee,Sang Cheon Park,Un-Byoung Kang,Hyunchul Jung,Jumyong Park,Young Kun JEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods for Forming a Semiconductor Device Having a Second Semiconductor Layer on a First Semiconductor Layer

Номер патента: US20230395394A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Francisco Javier Santos Rodriguez,Stephan Voss,Alexander Breymesser,Helmut Oefner,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method of forming backside openings for an ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US20180323153A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device and method of forming backside openings for an ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US20180261549A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device and method of forming backside openings for an ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US20200321291A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and method of forming backside openings for an ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US10727188B2. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20210287961A1. Автор: Yoshihiro Nakata,Junya Ikeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240055326A1. Автор: Yoshiaki Yanagawa,Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of forming a shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: US7265026B2. Автор: Chee Hong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-04.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US11916012B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of forming semiconductor device having backside interconnect structure on through substrate via

Номер патента: US11823979B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hsin-Yu Chen,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Hong-Ye Shih,Chia-Yin Chen,HsiaoYun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device including elongated bonding structure between the substrate

Номер патента: US20220415836A1. Автор: Ming-Tse Lin,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200083175A1. Автор: Satoshi Hongo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for temporarily bonding a semiconductor substrate to a carrier

Номер патента: WO2021055032A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device, imaging device, and manufacturing apparatus

Номер патента: US11444005B2. Автор: Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Methods of forming local interconnects and conductive lines, and resulting structure

Номер патента: WO2000054331A9. Автор: H Montgomery Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Methods of forming local interconnects and conductive lines, and resulting structure

Номер патента: WO2000054331A1. Автор: H. Montgomery Manning. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2000-09-14.

Methods of forming local interconnects and conductive lines, and resulting structure

Номер патента: EP1177578A1. Автор: H. Montgomery Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-02-06.

Method for bonding a semiconductor substrate to a carrier

Номер патента: US20210090891A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for temporarily bonding a semiconductor substrate to a carrier

Номер патента: EP4032121A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-07-27.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Selective deposition of doped silion-germanium alloy on semiconductor substrate

Номер патента: US5242847A. Автор: Mehmet C. Ozturk,Douglas T. Grider,Mahesh K. Sanganeria,Stanton P. Ashburn. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-09-07.

Method for forming align key pattern in semiconductor device

Номер патента: US5578519A. Автор: Yun-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-11-26.

Method of forming an isolation region in a semiconductor substrate

Номер патента: US5834359A. Автор: Erik S. Jeng,Fu-Liang Yang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-11-10.

Method of forming a local interconnect

Номер патента: US20020048865A1. Автор: H. Manning. Владелец: Manning H. Montgomery. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11923292B2. Автор: Donghyeon Jang,Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Jinkuk BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Method of fabricating semiconductor device including a substrate attached to a carrier

Номер патента: US8912048B2. Автор: Jong-Youn Kim,Cha-Jea JO,Ji-Hwang KIM,Hae-jung Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-16.

Method of manufacturing semiconductor device and system for manufacturing the same

Номер патента: US20020081754A1. Автор: Tomohiro Hosokawa,Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2536799C. Автор: Satoshi Yamamoto,Tatsuo Suemasu,Kazuya Matsumoto,Toshihiko Isokawa,Koichi Shiotani,Sayaka Hirafune. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2013-11-12.

Recessed portion in a substrate and method of forming the same

Номер патента: US11886015B2. Автор: Huang-Hsien CHANG,Shao Hsuan CHUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Multiplexer cell and semiconductor device having camouflage design, and method for forming multiplexer cell

Номер патента: US11791291B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Recessed portion in a substrate and method of forming the same

Номер патента: US20240168238A1. Автор: Huang-Hsien CHANG,Shao Hsuan CHUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Multiplexer cell and semiconductor device having camouflage design, and method for forming multiplexer cell

Номер патента: US20230369251A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices

Номер патента: US20230369293A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor substrate jig and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP2058850A2. Автор: Eiji Yoshida,Kazuo Teshirogi,Noboru Hayasaka,Kazuhiro Yoshimoto,Mitsuhisa Watanabe,Yoshiaki Shinjo,Yuzo Shimobeppu. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-13.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023312A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20200098630A1. Автор: Minoru Oda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for fabricating semiconductor device, pattern writing apparatus, recording medium recording program, and pattern transfer apparatus

Номер патента: US20170068172A1. Автор: Takayuki Abe. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device having a resistor

Номер патента: US20230378244A1. Автор: Che-Chih Hsu,Liang-Hsiang Chen,Chinyu Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices

Номер патента: US20220216185A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for fabricating semiconductor device, pattern writing apparatus, recording medium recording program, and pattern transfer apparatus

Номер патента: US10884336B2. Автор: Takayuki Abe. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-05.

Semiconductor device with interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210193559A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for fabricating semiconductor device, pattern writing apparatus, recording medium recording program, and pattern transfer apparatus

Номер патента: US20150309412A1. Автор: Takayuki Abe. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Method for fabricating semiconductor device, pattern writing apparatus, recording medium recording program, and pattern transfer apparatus

Номер патента: US9122176B2. Автор: Takayuki Abe. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-01.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device equipped with antifuse elements and a method for manufacturing an FPGA

Номер патента: US5866938A. Автор: Naoki Ikeda,Hiroaki Yasuda,Kaoru Hama,Mariko Takagi,Ichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Semiconductor device having a vertical power MOSFET fabricated in an isolated form on a semiconductor substrate

Номер патента: US5045900A. Автор: Akio Tamagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-09-03.

Semiconductor device equipped with antifuse elements and a method for manufacturing an FPGA

Номер патента: US5550400A. Автор: Naoki Ikeda,Hiroaki Yasuda,Kaoru Hama,Mariko Takagi,Ichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Vacuum wafer chuck for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20220415699A1. Автор: Shang-Ying Tsai,Hsu-Shui Liu,Jiun-Rong Pai,Chun-Wen Cheng,Kuei-Sung CHANG,Shou-Wen Kuo,Chien-Fa LEE,Chin-Lin CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020182801A1. Автор: Yuzo Shimizu,Toyoyuki Shimazaki,Tetsuo Chato,Katuichi Ohsawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device including base pillar, connection pad, and insulation layer disposed on a substrate

Номер патента: US11764180B2. Автор: Dong-wan Kim,Sang-oh Park,Jung-Hoon Han,Ju-Ik Lee,Seokho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190363095A1. Автор: Takashi Hashimoto,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing electronic devices

Номер патента: US12107037B2. Автор: Jae Hun Bae,George Scott,Ki Yeul YANG. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor Device Having Backside Interconnect Structure on Through Substrate Via

Номер патента: US20230386976A1. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hsin-Yu Chen,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Hong-Ye Shih,Chia-Yin Chen,HsiaoYun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Edge protection on semiconductor substrates

Номер патента: US11830824B2. Автор: XING Chen,LAN Yu,Ki Cheol Ahn,Joseph F. Salfelder,Amirhasan Nourbakhsh,Siddarth Krishnan,Tyler Sherwood,Michael Jason Fronckowiak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020190290A1. Автор: Yoshihiro Uozumi,Tomohiro Saito,Katsuaki Natori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor devices for integration with light emitting chips and modules thereof

Номер патента: US20170141090A1. Автор: Thomas Gross,Johann Gatterbauer,Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina Heigl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor Devices for Integration with Light Emitting Chips and Modules Thereof

Номер патента: US20170271313A1. Автор: Thomas Gross,Johann Gatterbauer,Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina Heigl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor devices for integration with light emitting chips and modules thereof

Номер патента: US9966368B2. Автор: Thomas Gross,Johann Gatterbauer,Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina Heigl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US20210057278A1. Автор: Yun-Hee Kim,Jung-Ho Choi,Jun-ho Yoon,Byung-Moon Bae,Yoon-sung Kim,Hyun-Su Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US20200058551A1. Автор: Yun-Hee Kim,Jung-Ho Choi,Jun-ho Yoon,Byung-Moon Bae,Yoon-sung Kim,Hyun-Su Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Methods of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US11967529B2. Автор: Yun-Hee Kim,Jung-Ho Choi,Jun-ho Yoon,Byung-Moon Bae,Yoon-sung Kim,Hyun-Su Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060038215A1. Автор: Tomohiro Saito,Katsuaki Natori,Yoshihiro Vozumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240312820A1. Автор: Yoshio Mizuta. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

A semiconductor substrate processing apparatus and method thereof

Номер патента: EP1787315A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Brian J. Brown. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor device and method for forming same

Номер патента: US20230024253A1. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20200013745A1. Автор: Dong-wan Kim,Sang-oh Park,Jung-Hoon Han,Ju-Ik Lee,Seok-Hosean Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230223354A1. Автор: Meng-Jen Wang,wei da Lin,Hung Chen KUO,Wen Jin HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068259B2. Автор: Meng-Jen Wang,wei da Lin,Hung Chen KUO,Wen Jin HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device including cell region stacked on peripheral region and method of fabricating the same

Номер патента: US09666289B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US5919713A. Автор: Masanori Ishii,Yoji Suzuki,Hidetake Suzuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-07-06.

Method for Dicing a Semiconductor Substrate into a Plurality of Dies

Номер патента: US20210098299A1. Автор: Frank Holsteyns,Eric Beyne,Simon Braun,Christophe Lorant. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods of forming a semiconductor device including buried bit line

Номер патента: US7749840B2. Автор: Byung-hee Kim,Dae-Yong Kim,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Eun-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-06.

Method for minimizing defects in a semiconductor substrate due to ion implantation

Номер патента: US20120083132A1. Автор: Toshifumi Mori,Ken-ichi Okabe,Toshiki Miyake,Pushkar Ranade. Владелец: Suvolta Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Doping of semiconductor substrate through carbonless phosphorous-containing layer

Номер патента: US20130295754A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Lidija Sekaric,Damon Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US20210134743A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Trench isolation region for semiconductor device

Номер патента: US5945724A. Автор: Li Li,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-31.

Method for preparing semiconductor device structure with multiple liners

Номер патента: US11842921B2. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030113978A1. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor device including a well divided into a plurality of parts by a trench

Номер патента: US20020149080A1. Автор: Tomohiro Yamashita,Hidekazu Oda,Shuuichi Ueno. Владелец: Shuuichi Ueno. Дата публикации: 2002-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US7736990B2. Автор: Hiroshi Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20220123015A1. Автор: Sung Soon Kim,Sun Kak Hwang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Integrated circuit devices including passive device shielding structures and methods of forming the same

Номер патента: US20100133653A1. Автор: Chulho Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-03.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20080318393A1. Автор: Yuji Akao. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Methods of forming semiconductor devices using auxiliary layers for trimming margin

Номер патента: US09691627B2. Автор: Chan Ho Park,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Hyeonok JUNG,Jiung Pak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Stacked IC structure with system level wiring on multiple sides of the IC die

Номер патента: US10580735B2. Автор: Ilyas Mohammed,Javier Delacruz,Steven L. Teig. Владелец: Xcelsis Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Semiconductor substrate and process for producing same

Номер патента: CA2139187C. Автор: Takao Yonehara,Kenji Yamagata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-05-16.

Method of forming poly plug to reduce buried contact series resistance

Номер патента: US5668051A. Автор: Chan Yuan Chen,Shih Bin Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1997-09-16.

Stacked IC structure with system level wiring on multiple sides of the IC die

Номер патента: US10950547B2. Автор: Ilyas Mohammed,Javier Delacruz,Steven L. Teig. Владелец: Xcelsis Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Semiconductor device with composite passivation structure and method for preparing the same

Номер патента: US11798879B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device with composite passivation structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210257292A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for preparing semiconductor device with composite passivation structure

Номер патента: US20230369203A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290240A1. Автор: Noriaki Suzuki,Masanori Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Isolation structure for reducing crosstalk between pixels and fabrication method thereof

Номер патента: US20180269237A1. Автор: CHUN-WEI Chia,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

MEMS device and fabrication method

Номер патента: US09731962B2. Автор: Hongmei Xie,Xuanjie Liu,Liangliang Guo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120161335A1. Автор: Manabu Iguchi,Mami Miyasaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Fabrication method of semiconductor test piece

Номер патента: US5814528A. Автор: Nam Yang Lee,Yun Hi Lee,Byeong Kwon Ju,Myung Hwan Oh,Keun Ha Koh,Dong Ky Shin. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 1998-09-29.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12119374B2. Автор: Hyun-Suk Lee,Taekyun Kim,Jin-Su Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang,Jiwoon Park,Sanghyuck Ahn,Hongsik CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Suppressed cross-talk pixel-array substrate and fabrication method

Номер патента: US12087792B2. Автор: Duli Mao,Bill Phan,Seong Yeol Mun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Avalanche photodetector (embodiments) and method of manufacturing thereof (embodiments)

Номер патента: RU2732695C1. Автор: Сергей Витальевич Богданов,Виталий Эммануилович Шубин,Дмитрий Алексеевич Шушаков,Николай Афанасьевич Колобов,Константин Юрьевич Ситарский. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Детектор Фотонный Аналоговый" (Ооо "Дефан"). Дата публикации: 2020-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: EP4447109A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20020050650A1. Автор: Atsushi Kobayashi,Makoto Inai,Masaaki Sueyoshi,Masaaki Kanae. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors and method of fabricating same

Номер патента: EP2149157A1. Автор: Peter Alan Levine,Pradyumna Swain,Mahalingam Bhasharan. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2010-02-03.

Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors and method of fabricating same

Номер патента: WO2008147421A1. Автор: Peter Alan Levine,Pradyumna Swain,Mahalingam Bhasharan. Владелец: Sarnoff Corporation. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09984990B2. Автор: Kiyotaka Umemoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09607927B2. Автор: Kiyotaka Umemoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing solid-state image pickup element, and solid-state image pickup element

Номер патента: US20090212384A1. Автор: Masafumi Muramatsu,Hideki Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09741634B2. Автор: Yoichi Nogami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Image pickup apparatus, semiconductor device, and electronic device including a buried portion disposed adjacent to a bonding portion, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09419040B2. Автор: Hirotaka Yoshioka,Kenta Ikeda,Kenta Nojima,Kengo Kotoo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor devices for image sensing

Номер патента: US12136638B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Chin-Chia Kuo,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Structure and formation method of light sensing device

Номер патента: US20180374884A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Yi-Hsing CHU,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor devices for image sensing

Номер патента: US20240371900A1. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Chin-Chia Kuo,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Electrostatic protection element and semiconductor device

Номер патента: US20220102338A1. Автор: Masahiko Higashi,Marie Mochizuki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Static random access memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09754947B2. Автор: Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20100237438A1. Автор: Hideaki Maekawa,Takafumi Ikeda,Toshifumi Minami,Takahito Nakazawa,Yuuichi Tatsumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device and bump formation process

Номер патента: US20190295977A1. Автор: chao-yi Wang,Mirng-Ji Lii,Hon-Lin Huang,Sheng-Yu Wu,Chien-Hung Kuo,Ching-Hui Chen,Kai-Di Wu,Zi-Zhong WANG,Chun-Mao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and bump formation process

Номер патента: US11177228B2. Автор: chao-yi Wang,Mirng-Ji Lii,Hon-Lin Huang,Sheng-Yu Wu,Chien-Hung Kuo,Ching-Hui Chen,Kai-Di Wu,Zi-Zhong WANG,Chun-Mao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812488B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09773770B2. Автор: Chih-hao Chen,Kei-Kang Hung. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device including spiral data path

Номер патента: US09472253B2. Автор: Seiji Narui,Chikara Kondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20030153117A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: WO2002042811A1. Автор: Ki Chul Shin. Владелец: Iljin Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Integrated ultralong time constant time measurement device and fabrication process

Номер патента: US20230326883A1. Автор: Pascal Fornara,Abderrezak Marzaki. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030034550A1. Автор: Goro Nakatani. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device and process for fabrication thereof

Номер патента: US20020123178A1. Автор: Shigeru Kanematsu,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Stacked capacitor with enhanced capacitance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871095B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Szu-Yu Wang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing solar-power-generator substrate and apparatus for manufacturing solar-power-generator substrate

Номер патента: US09537026B2. Автор: Shoichi Karakida,Mitsuhiro Nonogaki,Junji Kobayashi,Takahiro Kawasaki,Yusuke Oshiro,Hajime TSUGENO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor detector and method of manufacturing same

Номер патента: US20230290896A1. Автор: Takashi Takahama,Kazuyuki Hozawa. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: EP3846204A1. Автор: Eiji Sato,Akira Yamazaki,Hajime Yamagishi,Takayuki SEKIHARA,Makoto HAYAFUCHI,Syunsuke ISHIZAKI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-07.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20230013070A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yuhan ZHU,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09972732B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20220093544A1. Автор: Yasuki Aihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929171B2. Автор: Kenji Aoyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Radiation detection element, radiation detection apparatus, x-ray ct apparatus, and manufacturing method of radiation detection element

Номер патента: US20240304744A1. Автор: Takanori Yamashita,Tatsuya Ryoki,Masanobu Ohmura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory device having cell over periphery (COP) structure, memory package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799672B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Epitaxial semiconductor liner for enhancing uniformity of a charged layer in a deep trench and methods of forming the same

Номер патента: US20210391362A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Epitaxial semiconductor liner for enhancing uniformity of a charged layer in a deep trench and methods of forming the same

Номер патента: US20220328538A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Infrared sensor and method of manufacturing infrared sensor

Номер патента: US20230187459A1. Автор: Takashi Takenaga,Daisuke Fujisawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20230343750A1. Автор: Makoto Motoyoshi. Владелец: Tohoku Microtec Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of manufacturing solar cell and splittable solar cell for manufacturing solar cell from splittable solar cell that can be split

Номер патента: US20200313011A1. Автор: Toshiyuki Sakuma. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20070080383A1. Автор: Koji Yamakawa,Soichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Structure and method of bi-layer pixel isolation in advanced LCOS back-plane

Номер патента: US12055821B2. Автор: LAN Yu,Benjamin D. Briggs,Zihao Yang,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for evaluating defect region of semiconductor substrate

Номер патента: US09958493B2. Автор: Takashi Aratani. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming DRAM device having capacitor and DRAM device so formed

Номер патента: US20060138516A1. Автор: Hee-Il Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

Display substrate and fabricating method thereof, and system for fabricating display substrate and display device

Номер патента: US09905762B2. Автор: ZHEN Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of making semiconductor device using a trimmable thin-film resistor

Номер патента: US5284794A. Автор: Masami Saito,Yoshihiko Isobe,Shoji Miura,Makio Iida,Mikimasa Suzuki,Keizou Kajiura. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1994-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431403B2. Автор: Kenji Komeda. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor package having an interposer and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20230326862A1. Автор: Sungeun Kim,Jinhyun Kang,Yanggyoo Jung,Sangmin Yong,Seungkwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor package having an interposer and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US12021032B2. Автор: Sungeun Kim,Jinhyun Kang,Yanggyoo Jung,Sangmin Yong,Seungkwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Electrically conducting track and method of manufacture thereof

Номер патента: US20070241429A1. Автор: Matthew Francis O'Keefe,Ron Arnold,John Stephen Atherton,Nigel Cameron. Владелец: Filtronic Compound Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor substrate, semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09549468B1. Автор: Chih-Cheng LEE,Li-Chuan Tsai. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Isolation structure for reducing crosstalk between pixels and fabrication method thereof

Номер патента: US20180254294A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-06.

Local metallization for semiconductor substrates using a laser beam

Номер патента: US20240250189A1. Автор: Lee Gorny,Pei Hsuan LU,Benjamin I. Hsia,David Aaron R. Barkhouse. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor processing device, semiconductor processing system and semiconductor processing management method

Номер патента: US20030157736A1. Автор: Hiroshi Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US09711667B2. Автор: Junghoon Choi,Heonmin Lee,Kwangsun Ji,Sehwon Ahn,Youngjoo EO,Sunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8247841B2. Автор: Shinya Sato,Hiroyuki Takamiya,Takayuki Saiki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Method of insulation for mounting of flip chips

Номер патента: RU2648311C2. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Анатолий Александрович Колбенков,Андрей Анатольевич Стоянов,Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2018-03-23.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, electronic component, circuit substrate, and electronic apparatus

Номер патента: US20110266690A1. Автор: Nobuaki Hashimoto,Haruki Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor chip including a bump structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20200013740A1. Автор: Chan-Ho Lee,Hyun-Soo Chung,In-Young Lee,Jin-kuk BAE,Han-Sung RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Acoustic wave device and fabrication method of the same

Номер патента: US09484883B2. Автор: Toshio Nishizawa,Yasuyuki Saito. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Image sensor device and method of forming the same

Номер патента: US20190148450A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Chia-Yu WEI,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Array substrate and fabrication method thereof, display panel

Номер патента: US20220285466A1. Автор: Ming Liu,Qiuhua Meng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device having a light receiving element

Номер патента: US09947706B2. Автор: Takeshi Koyama. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Array substrate and fabrication method thereof, display device

Номер патента: US09837479B2. Автор: Hee Cheol Kim,Young Suk Song,Seong Yeol Yoo,Seung Jin Choi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices for image sensing

Номер патента: US20210351218A1. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Chin-Chia Kuo,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220037461A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Taekyun Kim,Jin-Su Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang,Jiwoon Park,Sanghyuck Ahn,Hongsik CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of producing vacuum container

Номер патента: US20020072143A1. Автор: Tetsuzo Hara,Teruhisa Shibahara. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Display device and fabricating method

Номер патента: US09966365B2. Автор: Qi Yao,Shi Shu,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhanfeng CAO,Seong Yeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device packages including a controller element

Номер патента: US09761562B2. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508783B2. Автор: Yong Wu,Zhengzhong CHEN,Wenxin Jiang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device, semiconductor testing device, and semiconductor device testing method

Номер патента: US11927622B2. Автор: Masashi Tokunaga. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of forming image sensor device

Номер патента: US11532662B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Chia-Yu WEI,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-20.

Method of forming image sensor device

Номер патента: US20210202564A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Chia-Yu WEI,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: EP2884537A3. Автор: Kazuhiro Yoneda,Hirobumi Watanabe,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-08.

Overlay measurement method and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240219845A1. Автор: Jeongjin Lee,Jinsun KIM,Seunghak Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Voltage-dividing resistor and semiconductor device having the same

Номер патента: US7091577B2. Автор: Suk Kyun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-15.

Method of making solar cells

Номер патента: US6037088A. Автор: Hiroaki Morikawa,Satoshi Arimoto,Takashi Ishihara,Yukio Shinoda,Yoshitatsu Kawama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090239361A1. Автор: Hiroyuki Fujiwara,Takahito Suzuki,Mitsuhiko Ogihara,Hironori Furuta,Yusuke Nakai,Tomoki Igari,Tomohiko Sagimori. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230411273A1. Автор: Toru Higuchi,Eiji Kuwahara,Daisuke SAKIZONO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Anti-fuse, anti-fuse array and method of operating the same

Номер патента: US09490259B2. Автор: Yong Sun JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230378027A1. Автор: ChulHong Park,Kwanyoung Chun,Jiwook KWON,Byungju KANG,Suhyeong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Imaging device and method of manufacturing imaging device

Номер патента: US11990489B2. Автор: Takuji Matsumoto,Shinichiro Noudo,Yuji Iseri,Taizo Oishi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Manufacturing method and inspection method of semiconductor device

Номер патента: US20230074595A1. Автор: Masayuki Miyazaki,Tomohiro Mimura,Taketo Tsuji,Kensuke HATA,Makoto TERAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device

Номер патента: US12002831B2. Автор: Eiji Sato,Akira Yamazaki,Hajime Yamagishi,Takayuki SEKIHARA,Makoto HAYAFUCHI,Syunsuke ISHIZAKI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Manufacturing method of integrated capacitor, and integrated capacitor

Номер патента: US20050146834A1. Автор: Hiroshi Tomita,Hiroki Sakurai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor device and a logical circuit formed of the same

Номер патента: US4143390A. Автор: Hideo Noguchi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-03-06.

Light-receiving device, light receiver using same, and method of fabricating light-receiving device

Номер патента: US20140231628A1. Автор: Tetsuya Miyatake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with bonding pads and method of manufacturing the same

Номер патента: US11257802B2. Автор: Tomoya Sanuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105761A1. Автор: Takayuki Igarashi,Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor devices including a conductive pattern contacting a channel pattern and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859296B2. Автор: Zhiliang Xia,Sung-Min Hwang,Se-Jun Park,Jang-Gn Yun,Ahn-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136590B2. Автор: Yun-seok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Solar battery and method of its manufacture

Номер патента: RU2626053C2. Автор: Хироюки ОЦУКА,Такенори ВАТАБЕ. Владелец: Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-07-21.

Semiconductor differential circuit, oscillation apparatus, switching apparatus, amplifying apparatus, mixer apparatus and circuit apparatus using same, and semiconductor differential circuit placement method

Номер патента: US7079829B2. Автор: Yukio Hiraoka,Hisashi Adachi,Toshifumi Nakatani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20070273015A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20020106824A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8564128B2. Автор: Junji Shiota. Владелец: Teramikros Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Reverse profiling method for profiling modulated impurity density distribution of semiconductor device

Номер патента: US6242272B1. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Shigetaka Kumashiro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20090160063A1. Автор: Hiroshi Okumura,Shingo Higuchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US11705433B2. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Three-dimensional semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093626A1. Автор: Sangyeon HAN,Joongchan SHIN,Byeungmoo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US10141279B2. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230023018A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and electronic apparatus encapsulated in resin with embedded filler particles

Номер патента: US10319656B2. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion and method for forming the same

Номер патента: US20220208955A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Solid-state imaging device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7300810B2. Автор: Ikuo Yoshihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-11-27.

Semiconductor bond pad structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US7157734B2. Автор: Chao-Yuan Su,Pei-Haw Tsao,Chender Huang,Shang-Yu Hou,Chia-Hsiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Photomultiplier having a multilayer semiconductor device

Номер патента: US5654536A. Автор: Makoto Oishi,Yoshitaka Ishikawa,Motohiro Suyama,Koei Yamamoto,Masaharu Muramatsu. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 1997-08-05.

Unit pixels, image sensor containing unit pixels, and method of fabricating unit pixels

Номер патента: US20090090937A1. Автор: Byung-Jun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US20210058034A1. Автор: Ting-Hao Hsu,Jenn-Gwo Hwu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-02-25.

Apparatus, system, and method of providing a ramped interconnect for semiconductor fabrication

Номер патента: US20200395231A1. Автор: Zambri Bin Samsudin,Lim Lai Ming. Владелец: Jabil Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US8084840B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-27.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20070013392A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of inspecting a substrate

Номер патента: US20100156446A1. Автор: Chung-Sam Jun,Mi-Ra PARK,Yun-Jung Jee,Chun-Yong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-24.

Optical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09819153B2. Автор: Manabu Matsuda,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Micro electron gun of quantum size effect type and flat display using such electron guns as well as methods of their manufacture

Номер патента: US20040055530A1. Автор: Shunri Oda,Katsuhiko Nishiguchi,Xinwei Zhao. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor substrate-based system for an RFID device, RFID device, and method for manufacturing such a semiconductor substrate-based system

Номер патента: US09608307B2. Автор: Andreas Krauss,Janpeter Wolff,Tjalf Pirk,Laura Bohne. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-03-28.

Temperature tuning of the wavelength of a laser diode by heating

Номер патента: EP2149943A2. Автор: Tsutomu Ishikawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-02-03.

Optical semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US6707839B1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-03-16.

Optical semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: EP1104060A3. Автор: Yasutaka NEC Corporation Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-24.

Mixed-kernel heterojunction transistors, fabricating methods, and applications of the same

Номер патента: US20240138160A1. Автор: Han Wang,Xiaodong Yan,Mark C. Hersam,Vinod K. Sangwan,Jiahui Ma,Justin H. Qian. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2024-04-25.

Doped, low-temperature co-fired glass-ceramic (ltcc) insulating substrates, and related wiring boards and methods of manufacture

Номер патента: US20200385304A1. Автор: Pavol Dudesek,Pascal Dotta,Klaus Dieter Aichholzer. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Doped, low-temperature co-fired glass-ceramic (ltcc) insulating substrates, and related wiring boards and methods of manufacture

Номер патента: WO2020247975A1. Автор: Pavol Dudesek,Pascal Dotta,Klaus Dieter Aichholzer. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-12-10.

Device fabrication method for a non-volatile memory device used for non-overlapping implant

Номер патента: US6300200B1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-09.

Non-volatile memory device used for non-overlapping implant and device fabricating method

Номер патента: US20020053708A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Mems device and fabrication method

Номер патента: US20160264409A1. Автор: Hongmei Xie,Xuanjie Liu,Liangliang Guo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for forming a buried diffusion layer with reducing topography in a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20060154441A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Acoustic sensor and manufacturing method of the same

Номер патента: US09674618B2. Автор: Koji Momotani,Yuki Uchida,Takashi Kasai. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device structure with movable membrane

Номер патента: US12043538B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Yi-Chuan Teng,Chun-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit device, memory device, and method of manufacturing

Номер патента: US20240334689A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,I-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

PRAMs having a plurality of active regions located vertically in sequence and methods of forming the same

Номер патента: US20060076548A1. Автор: Kyu-Chul Kim,Jae-Hyun Park,Hyeong-Geun An,Yoon-Jong Song,Su-Jin Ahn,Hyung-Joo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-13.

One-time uv-programmable non-volatile semiconductor memory and method of programming such a semiconductor memory

Номер патента: WO2001084632A1. Автор: Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-11-08.

Photosensitive structure, photosensitive display substrate, and fabrication and control methods of the photosensitive display substrate

Номер патента: US09939960B2. Автор: Xiaodong Zhou. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming thin film onto semiconductor substrate

Номер патента: US20010037769A1. Автор: Hiroki ARAI,Hideaki Fukuda. Владелец: ASM Japan KK. Дата публикации: 2001-11-08.

A bacteriostatic concentrate and fabric softener and the use of the concentrate and fabric softener

Номер патента: EP3957710A1. Автор: Wojciech Macyk,Przemys aw ABUZ,Joanna Macyk. Владелец: Anna Twarog Simplyq. Дата публикации: 2022-02-23.

Method of forming and immobilizing metal nanoparticles on substrates and the use thereof

Номер патента: US20130319931A1. Автор: Hongjun Liu,Yining Liu,Ziyu Jin. Владелец: AGplus Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

Method of determining dose, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method

Номер патента: US09952517B2. Автор: Hugo Augustinus Joseph Cramer,Alok Verma. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2018-04-24.

Optically transmissive substrates and light emitting assemblies and methods of making same, and methods of displaying images using the optically transmissive substrates and light emitting assemblies

Номер патента: WO2010014578A1. Автор: Fumitomo Hide,Jeffery R. Parker,Timothy A. Mc Collum. Владелец: Solid State Opto Limited. Дата публикации: 2010-02-04.

Touch panel, method of producing the same, optical thin film substrate and method of producing the same

Номер патента: US09891731B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Toshihiro Suzuki,Makoto Arai,Manabu Harada,Masashi Kubo,Atsuhito Ihori,Hidenori Yanagitsubo. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of digitally printing an image on a substrate and system therefor

Номер патента: US09575436B2. Автор: Lode Erik Dries Deprez,Werner Jozef Johan Op de Beeck. Владелец: Xeikon IP BV. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of applying an organosilane solution to rigid substrates and grout

Номер патента: US09969903B2. Автор: Curt V. Rapp,Silver Cornia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of bonding an elastic material to a substrate and article manufactured by said method

Номер патента: GB9425209D0. Автор: . Владелец: Molnlycke Vafveri AB. Дата публикации: 1995-02-15.

Method of bonding an elastic material to a substrate and article manufactured by said method

Номер патента: AU684588B2. Автор: Robert Kling,Urban Widlund. Владелец: Molnlycke Vafveri AB. Дата публикации: 1997-12-18.

Method of bonding an elastic material to a substrate and article manufactured by said method

Номер патента: WO1995017296A1. Автор: Robert Kling,Urban Widlund. Владелец: Mölnlycke AB. Дата публикации: 1995-06-29.

Method of manufacturing an electrostatic object clamp, electrostatic object clamp and semiconductor processing apparatus

Номер патента: WO2024179830A1. Автор: Simon HALM,Nicholas Alan ALLSOP,Till Warming,Frank Bert WIGGERS,Heike LUDWIG. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-09-06.

Method of manufacturing an electrostatic object clamp, electrostatic object clamp and semiconductor processing apparatus

Номер патента: EP4425259A1. Автор: Simon HALM,Nicholas Alan ALLSOP,Till Warming,Frank Bert WIGGERS,Heike LUDWIG. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of making an optical waveguide fiber grating substrate and an optical device thereof

Номер патента: US20020106157A1. Автор: Shu-Mei Yang,Jui-Ping Weng,Jyh-Chen Chen,Chen-Hung Huang,Chieh Hu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-08-08.

Matriptase and u-plasminogen activator substrates and other cleavable moieties and methods of use thereof

Номер патента: AU2020205249B2. Автор: Olga Vasiljeva,Daniel Robert Hostetter,Stephen James Moore,Margaret Thy Luu Nguyen. Владелец: Cytomx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of printing stealth white image, set of substrate and stealth ink, and printing device

Номер патента: US20210146708A1. Автор: Koji Katsuragi,Haruki Saitoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of printing stealth white image, set of substrate and stealth ink, and printing device

Номер патента: US11701911B2. Автор: Koji Katsuragi,Haruki Saitoh. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Matriptase and u-plasminogen activator substrates and other cleavable moieties and methods of use thereof

Номер патента: US09562073B2. Автор: Olga Vasiljeva,Stephen James Moore,Margaret Thy Luu Nguyen,Daniel R. Hostetter. Владелец: Cytomx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Matrix metalloproteinase substrates and other cleavable moieties and methods of use thereof

Номер патента: US20240150478A1. Автор: Olga Vasiljeva,Stephen James Moore,Margaret Thy Luu Nguyen,Daniel R. Hostetter,Jeanne Grace Flandez. Владелец: Cytomx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Enamel paste, method of forming an enamel coating, enamel coated substrate and use thereof

Номер патента: WO2024177505A1. Автор: Akira Masutani,Roland Katzbach,Simon BARTOLOMEY,Rob BERGHMANS. Владелец: Fenzi Agt Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-08-29.

Enamel paste, method of forming an enamel coating, enamel coated substrate and use thereof

Номер патента: NL2034204B1. Автор: KATZBACH Roland,MASUTANI Akira,Bartolomey Simon,Berghmans Rob. Владелец: Fenzi Agt Netherlands B V. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of determining focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method

Номер патента: US09939735B2. Автор: Christian Marinus Leewis,Paul Christiaan Hinnen,Shu-jin WANG,Kuo-Feng PAO. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of determining focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method

Номер патента: US09594299B2. Автор: Christian Marinus Leewis,Paul Christiaan Hinnen,Shu-jin WANG,Kuo-Feng PAO. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-03-14.

Steel workpiece comprising an alloy substrate and a coating, and a method of spot welding the same

Номер патента: US11752566B2. Автор: Thomas R. Jones,Michael J. Karagoulis,Jason M. Brown,Zhenke Teng,Andrew Clay Bobel. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Steel workpiece comprising an alloy substrate and a coating, and a method of spot welding the same

Номер патента: US20230234159A1. Автор: Thomas R. Jones,Michael J. Karagoulis,Jason M. Brown,Zhenke Teng,Andrew Clay Bobel. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Vehicle headliner including a polyurethane substrate and multi-layered laminate, and method of making the same

Номер патента: CA2370822A1. Автор: Joseph T. Donatti,Amit D. Lathia,Jamie Marie Herbert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-11-02.

Vehicle headliner including a polyurethane substrate and multi-layered laminate, and method of making the same

Номер патента: EP1171325B1. Автор: Joseph T. Donatti,Amit D. Lathia,Jamie Marie Herbert. Владелец: Intier Automotive Inc. Дата публикации: 2003-07-02.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: WO2003083901A3. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Nancy Iwamoto. Дата публикации: 2004-03-25.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: WO2003083901A2. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2003-10-09.

Polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: US6852354B2. Автор: Nancy E. Iwamoto. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-02-08.

Articles including fibrous substrates and porous polymeric particles and methods of making same

Номер патента: US20170327998A1. Автор: Hassan Sahouani,Bradley W. Eaton,Jennifer N. Hanson,Ibrahim A. El Hedok. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-11-16.

Articles including fibrous substrates and porous polymeric particles and methods of making same

Номер патента: EP3201390A1. Автор: Hassan Sahouani,Bradley W. Eaton,Jennifer N. Hanson,Ibrahim A. El-Hedok. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-08-09.

Light diffraction apparatus, display substrate, touch substrate and touch display apparatus, and method of modulating image display light intensity

Номер патента: EP3308200A1. Автор: Wei Li,Li Ma,Zijing ZHANG,Xiaojuan Wu,Xiaoqing Peng,Kaixuan Wang,Huishun CHEN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-18.

Method of bonding an elastic material to a substrate and article manufactured by said method

Номер патента: CA2179204A1. Автор: Robert Kling,Urban Widlund. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-06-29.

Jointing material with substrate and solder discretely arranged thereon, method of fabricating cellular element using said jointing material and cellular element

Номер патента: RU2406596C2. Автор: Рольф БРЮКК,Кайт АЛЬТХЁФЕР. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2010-12-20.

Matriptase and u-plasminogen activator substrates and other cleavable moieties and methods of use thereof

Номер патента: WO2015116933A2. Автор: Olga Vasiljeva,Stephen James Moore,Margaret Thy Luu Nguyen,Daniel R. Hostetter. Владелец: CytomX Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2015-08-06.

Matrix metalloproteinase substrates and other cleavable moieties and methods of use thereof

Номер патента: US20240084022A1. Автор: Olga Vasiljeva,Stephen James Moore,Margaret Thy Luu Nguyen,Daniel R. Hostetter,Jeanne Grace Flandez. Владелец: Cytomx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Matriptase and u-plasminogen activator substrates and other cleavable moieties and methods of use thereof

Номер патента: AU2023278068A1. Автор: Olga Vasiljeva,Daniel Robert Hostetter,Stephen James Moore,Margaret Thy Luu Nguyen. Владелец: Cytomx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Matrix metalloproteinase substrates and other cleavable moieties and methods of use thereof

Номер патента: AU2023254931A1. Автор: Olga Vasiljeva,Stephen James Moore,Margaret Thy Luu Nguyen,Daniel R. Hostetter,Jeanne Grace Flandez. Владелец: Cytomx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Matrix metalloproteinase substrates and other cleavable moieties and methods of use thereof

Номер патента: CA3214529A1. Автор: Olga Vasiljeva,Stephen James Moore,Margaret Thy Luu Nguyen,Daniel R. Hostetter,Jeanne Grace Flandez. Владелец: Cytomx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Matrix metalloproteinase substrates and other cleavable moieties and methods of use thereof

Номер патента: US11814410B2. Автор: Olga Vasiljeva,Stephen James Moore,Margaret Thy Luu Nguyen,Daniel R. Hostetter,Jeanne Grace Flandez. Владелец: Cytomx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Matriptase and u-plasminogen activator substrates and other cleavable moieties and methods of use thereof

Номер патента: US11884746B2. Автор: Olga Vasiljeva,Daniel Robert Hostetter,Stephen James Moore,Margaret Thy Luu Nguyen. Владелец: Cytomx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Matrix metalloproteinase substrates and other cleavable moieties and methods of use thereof

Номер патента: CA2925106C. Автор: Olga Vasiljeva,Stephen James Moore,Margaret Thy Luu Nguyen,Daniel R. Hostetter,Jeanne Grace Flandez. Владелец: Cytomx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Matrix Metalloproteinase Substrates And Other Cleavable Moieties And Methods Of Use Thereof

Номер патента: AU2020203910B2. Автор: Olga Vasiljeva,Stephen James Moore,Margaret Thy Luu Nguyen,Daniel R. Hostetter,Jeanne Grace Flandez. Владелец: Cytomx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Matriptase and u-plasminogen activator substrates and other cleavable moieties and methods of use thereof

Номер патента: US20240150402A1. Автор: Olga Vasiljeva,Daniel Robert Hostetter,Stephen James Moore,Margaret Thy Luu Nguyen. Владелец: Cytomx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of producing micro-image elements on a substrate; and a micro-optic device on a substrate for security documents

Номер патента: SE545747C2. Автор: Karlo Jolic,Gary Power. Владелец: CCL SECURE PTY LTD. Дата публикации: 2023-12-27.

Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240310739A1. Автор: Jaehong Lee,Ho Young Kim,Sunghwan Kim,Kyoungwhan OH,Jaekyung PARK,Yohan CHOE. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-19.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US09896329B2. Автор: Bernhard WINKLER,Mirko Vogt,Thoralf Kautzsch,Heiko Froehlich,Maik Stegemann,Steffen Bieselt,Alessia Scire,Andre Roeth. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor processing tool and methods of operation

Номер патента: US12111583B2. Автор: Heng-Hsin Liu,Li-Jui Chen,Kai-Chieh Chang,Kai-Fa Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09576613B2. Автор: Heonjong Shin,Kangwook Park,Jongmil Youn,Hyungsoon Jang,Steve Sunhom Paak,Sunil Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method and device for determining the temperature of a semiconductor substrate

Номер патента: EP2010880A2. Автор: Srdjan Kordic,Jean-Philippe Jacquemin,Meindert M. Lunenborg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-01-07.

Liquid ejection head, liquid ejection apparatus, and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US20090056768A1. Автор: Atsushi Nakamura,Atsushi Nakayama,Yuji Yakura,Yuichiro Ikemoto,Takeo Eguchi,Shigeyoshi Hirashima,Shogo Ono,Manabu Matsuda,Shota Nishi,Kazuyasu Takenaka,Shigeyoshi Fujiki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Liquid ejection head, liquid ejection apparatus, and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US8210641B2. Автор: Atsushi Nakamura,Atsushi Nakayama,Yuji Yakura,Yuichiro Ikemoto,Takeo Eguchi,Shigeyoshi Hirashima,Shogo Ono,Manabu Matsuda,Shota Nishi,Kazuyasu Takenaka,Shigeyoshi Fujiki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Method and apparatus for switching an optical beam by modulating the phase of a portion of the optical beam in a semiconductor substrate

Номер патента: US20020102042A1. Автор: Ansheng Liu,Dean Samara-Rubio,Mario Paniccia. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Electric field effect read/write head, method of manufacturing the same, and electric field effect storage apparatus having the same

Номер патента: US20090141396A1. Автор: Hyoung-Soo Ko,Chul-min Park,Seung-bum Hong,Dae-Young Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-04.

Digitization and Fabrication of Custom Surface Topographies with Submicron Resolution

Номер патента: US20190248073A1. Автор: Min Zou,Dipankar Choudhury,Mahyar Afshar Mohajer,Josue Goss,Shelby Robert Maddox. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2019-08-15.

Device substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09581906B2. Автор: Kai Pei. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor substrate having extended scribe line test structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US6027859A. Автор: Robert Dawson,Mark W. Michael,Fred Hause. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-02-22.

Semiconductor processing tool and methods of operation

Номер патента: US11822256B2. Автор: Heng-Hsin Liu,Li-Jui Chen,Kai-Chieh Chang,Kai-Fa Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor processing tool and methods of operation

Номер патента: US20240019789A1. Автор: Heng-Hsin Liu,Li-Jui Chen,Kai-Chieh Chang,Kai-Fa Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Fabrication method for a MEMS device

Номер патента: US12017909B2. Автор: Deniz Sabuncuoglu Tezcan,Antonia MALAINOU. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of determining adhesion strength between coating and substrate and device for realising said method

Номер патента: RU2419084C2. Автор: Максим Владимирович Ненашев,Ильдар Дугласович Ибатуллин,Константин Петрович Якунин,Ольга Анатольевна Кобякина,Евгений Сергеевич Балашов,Тамара Александровна Тюрнина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НПО СПЕЦПОКРЫТИЕ". Дата публикации: 2011-05-20.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CLEANING AGENT FOR SUBSTRATE AND CLEANING METHOD

Номер патента: US20120000485A1. Автор: Mizuta Hironori,Kakizawa Masahiko,Hayashida Ichiro. Владелец: WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

The growing method of the nitride semiconductor, nitride semiconductor substrate and the nitride semiconductor device

Номер патента: TW406445B. Автор: Shuji Nakamura,Hiroyuki Kiyohisa,Naruhito Iwasa,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Kagaku Kogyo Kk. Дата публикации: 2000-09-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.