Semiconductor light-emitting element and method for designing phase modulation layer.

Semiconductor light-emitting element and method for designing phase modulation layer

Номер патента: US20200106240A1
Опубликовано: 02-04-2020
Автор(ы): Kazuyoshi Hirose, Soh UENOYAMA, Takahiro Sugiyama, Yoshiro Nomoto, Yoshitaka Kurosaka, Yuu Takiguchi
Принадлежит: Hamamatsu Photonics KK
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Light emitting element, method for manufacturing light emitting element, and method for designing phase modulation layer

Номер патента: US12119612B2. Автор: Akio Ito,Tadataka Edamura,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose,Masahiro HITAKA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor light-emitting element, light-emitting device, and ranging device

Номер патента: US20230216275A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor light-emitting element, light-emitting device, and ranging device

Номер патента: US20230216276A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor light-emitting device and method of producing a semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240250503A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Tatsushi Hamaguchi,Hidekazu Kawanishi,Shoetsu NAGANE. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4354225A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Tatsushi Hamaguchi,Hidekazu Kawanishi,Shoetsu NAGANE. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting apparatus, and method for manufacturing semiconductor light emitting

Номер патента: US8885685B2. Автор: Haruhiko Yoshida,Kazuya OHIRA,Mizunori Ezaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor light emitting element and method for producing the same

Номер патента: US09929311B2. Автор: Mitsunori Kokubo,Hideki Takagi,Hideki Hirayama,Yukio Kashima,Eriko MATSUURA,Takaharu Tashiro,Takafumi Ookawa,Sung Won Youn,Ryuichiro Kamimura,Yamato OSADA,Satoshi Shimatani. Владелец: MARUBUN CORP. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor light emitting array with phase modulation regions for generating beam projection patterns

Номер патента: US11777276B2. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose,Soh UENOYAMA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US7423294B2. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Yoshinori Yamauchi,Rintaro Koda,Norihiko Yamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-09-09.

Semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09991669B2. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-06-05.

High-brightness high-power semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222930A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Quanling LI,Pei MIAO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20180026419A1. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11799266B2. Автор: Yuki Tanuma. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220190556A1. Автор: Minoru Murayama,Satohiro Kigoshi,Okimoto KONDO,Yusuke NAKAKOHARA,Gen Muto,Yuki Tanuma,Chikoto IKEDA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Light-emitting element

Номер патента: US12126140B2. Автор: Yuta Aoki,Kazuyoshi Hirose,Satoru OKAWARA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-22.

High-brightness and high-power semiconductor light-emitting device and preparation method therefor

Номер патента: EP4243226A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Quanling LI,Pei MIAO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240079847A1. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8488647B2. Автор: Takahiro Arakida,Osamu Maeda,Masaki Shiozaki,Shiro Uchida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-07-16.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing

Номер патента: US09865572B2. Автор: Byungjoon Rhee,Kyoungtae WI,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230420909A1. Автор: Atsushi Yamaguchi,Kazunori Fuji,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978726B2. Автор: Byungjoon Rhee,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-05-22.

Display apparatus using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09846510B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230142319A1. Автор: Kazunori Fuji,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US10186838B2. Автор: Haruhiko Yoshida,Norio Iizuka,Kazuya OHIRA,Mizunori Ezaki,Hirotaka Uemura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3387881A1. Автор: Byungjoon Rhee,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-10-17.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170170151A1. Автор: Byungjoon Rhee,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-06-15.

Method for designing phase modulation layer and method for producing light-emitting element

Номер патента: US20240364079A1. Автор: Hiroki Kamei,Koyo Watanabe,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-31.

Surface light-emission type semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4047761A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-08-24.

Nitride semiconductor light-emitting device with periodic gain active layers

Номер патента: US09847449B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Sho Iwayama,Motoaki Iwaya,Takanobu Akagi,Kenjo MATSUI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20140319571A1. Автор: Shinichiro Sonoda,Shinya Hakuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US9214788B2. Автор: Masao Kawaguchi,Hideki Kasugai,Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150023379A1. Автор: Yoshinori Ishiai,Masahiro Murayama,Yuichiro Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Light source device, projection display device, and method of cooling semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200319538A1. Автор: Yusuke Tani. Владелец: NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor light emitting element, driving method of semiconductor light emitting element, light emitting device, and optical pulse tester using light emitting device

Номер патента: US20120044481A1. Автор: Hiroshi Mori,Yasuaki Nagashima,Shintaro MORIMOTO. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5519720A. Автор: Ryoichi Hirano,Kimio Shigihara,Etsuji Omura,Akira Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200412102A1. Автор: Shinichi Takigawa,Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9935428B2. Автор: Shinichi Tanaka,Yusuke Yokobayashi,Kazuki KIYOHARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US11955772B2. Автор: Koichi Oyama,Hiroyuki Tarumi,Kiichi Hamamoto,Yuki Kamata,Haisong Jiang. Владелец: Kyushu University NUC. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of fabricating a semiconductor light-emitting device and the semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20010017375A1. Автор: Shoji Hirata,Hironobu Narui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Long-wavelength semiconductor light emitting device and its manufacturing method

Номер патента: US20050040408A1. Автор: Hironobu Narui,Tomonori Hino,Jugo Mitomo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Stripe type semiconductor light emitting element having InGan active layer, combined with optical resonator including wavelength selection element

Номер патента: US20030147448A1. Автор: Toshiro Hayakawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5684824A. Автор: Toshiro Hayakawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20090154515A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Light Emitting Element

Номер патента: US20090087934A1. Автор: Katsunori Kontani. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Light-emitting element and the manufacturing method of the same

Номер патента: US09780264B2. Автор: Pei-Lun CHIEN,Hsing-Chao Chen,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190280460A1. Автор: Kazuaki Kaneko,Shigetoshi Ito,Teruyuki Oomatsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit

Номер патента: US20240313501A1. Автор: Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US20110215340A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Yoshiaki Hasegawa,Akihiko Ishibashi,Gaku Sugahara,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

High-reliability low-defect semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222931A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Bo Li,Yiwen HU,Shaoyang TAN,Quanling LI,Lichen ZHANG. Владелец: Everybright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor light emitting element chip integrated device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230178531A1. Автор: Motonobu Takeya. Владелец: Uldtec Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8017954B2. Автор: Takafumi Nakamura,Chisato Furukawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240372315A1. Автор: Yoshiro Takiguchi,Hisayoshi Motobayashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor light-emitting element, light-source head, and image forming apparatus

Номер патента: US8963186B2. Автор: Hideki Fukunaga. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor light-emitting element, light-source head, and image forming apparatus

Номер патента: US20140217442A1. Автор: Hideki Fukunaga. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09787059B2. Автор: Ji-Hao Liang,Komei Tazawa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140210995A1. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Display device using semiconductor light emitting devices and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842764B2. Автор: Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-12.

Group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20120086027A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor light emitting device and optical transceiver

Номер патента: US09871347B2. Автор: Takanori Shimizu,Satoshi Iwamoto,Masashige Ishizaka,Yasuhiko Arakawa,Nobuaki Hatori,Katsuaki Tanabe. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor Light-emitting device

Номер патента: US20100200868A1. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Rintaro Koda,Osamu Maeda,Terukazu Naruse,Naoki Jogan. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Backlight unit using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12032239B2. Автор: Jinseok Lee,Wootae Kim,Hyunho Lee,Changguk Lee,Moongi JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor light emitting element and backlight assembly including the same

Номер патента: US10312424B2. Автор: Seung Hyun Oh,Jun Hyeok Han,Yun Geon CHO,Bo Gyun KIM,Suk Min HAN,In Woo SON. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Method of manufacturing display device using semiconductor light emitting element

Номер патента: US20220393074A1. Автор: Junghoon Kim,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-12-08.

Wavelength converting module and semiconductor light-emitting apparatus using the same

Номер патента: US09869927B2. Автор: Soji Owada. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor light emitting element and method for producing the same

Номер патента: CA1138561A. Автор: Michiharu Nakamura,Shigeo Yamashita,Tadashi Fukuzawa,Motohisa Hirao,Jun-Ichi Umeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-12-28.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US9356424B2. Автор: Yoshinori Ishiai,Masahiro Murayama,Yuichiro Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230253386A1. Автор: Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-10.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12119333B2. Автор: Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-15.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09837388B2. Автор: Byungjoon Rhee,Yoonho Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Display device using semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2617917C1. Автор: Бюнгдзоон РХЕЕ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2017-04-28.

Semiconductor light-emitting apparatus having wavelength-converting structure with uneven top surface and its manufacturing method

Номер патента: US20180158989A1. Автор: Hiroshi Kotani,Takayoshi Yamane. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9837793B1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nitride-based semiconductor light-emitting element, lighting device, liquid crystal display device, and method for producing lighting device

Номер патента: US8729579B2. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Tadashi Yano,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Semiconductor light emitting device, and backlight and display device comprising the semiconductor light emitting device

Номер патента: US8541798B2. Автор: Tsutomu Ishii,Hajime Takeuchi,Yasuhiro Shirakawa,Yasumasa Ooya,Ryo Sakai. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-24.

Semiconductor light emitting apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20050087734A1. Автор: Yoshifumi Yabuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor light emitting apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US7259398B2. Автор: Yoshifumi Yabuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-21.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20230155346A1. Автор: Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11848315B2. Автор: Okimoto KONDO,Yusuke NAKAKOHARA,Kanako MIMORI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor light emitting element chip integrated device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352634A1. Автор: Motonobu Takeya. Владелец: Uldtec Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor light-emitting element and electronic apparatus

Номер патента: US20210074885A1. Автор: Masatoshi Nakamura,Mamoru Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190305520A1. Автор: Kohei Miyoshi,Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Display device using semiconductor light emitting element

Номер патента: US11949047B2. Автор: Hwanjoon Choi,Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240106196A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Display device using semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190288163A1. Автор: Hwanjoon Choi,Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-09-19.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09799634B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-10-24.

Gallium nitride compound semiconductor light emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US5970080A. Автор: Toshio Hata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US9735314B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor light emitting device and external resonance type laser device

Номер патента: US11962122B2. Автор: Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Lamp employing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220026036A1. Автор: Kyungho Lee,Jinhyoun Joe,Hooyoung SONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of inspecting semiconductor light-emitting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9546956B2. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor light-emitting device with an axis of symmetry

Номер патента: US09948065B2. Автор: Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane,Aleksey Vladimirovich Mironov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-17.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09825067B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-11-21.

Lamp employing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11953168B2. Автор: Kyungho Lee,Jinhyoun Joe,Hooyoung SONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-04-09.

Surface-modified metal oxide particle material, dispersion liquid, silicone resin composition, silicone resin composite body, optical semiconductor light emitting device, lighting device, and liquid crystal imaging device

Номер патента: US09651821B2. Автор: Yoichi Sato,Takeshi Otsuka,Kenji Harada,Yasuyuki Kurino,Takeru Yamaguchi. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor light-emitting device and a method of manufacture thereof

Номер патента: US20050249253A1. Автор: Jonathan Heffernan,Valerie Bousquet,Stewart Hooper,Matthias Kauer,Katherine Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09871060B2. Автор: Tomio Ono,Shigeya Kimura,Kentaro Miura,Shintaro Nakano,Nobuyoshi Saito,Jumpei Tajima,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor light emitting device and head mount display device

Номер патента: EP2506319A2. Автор: Takahito Suzuki,Shinya Jumonji. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-10-03.

Semiconductor light emitting device and optical transceiver

Номер патента: US20170098922A1. Автор: Takanori Shimizu,Satoshi Iwamoto,Masashige Ishizaka,Yasuhiko Arakawa,Nobuaki Hatori,Katsuaki Tanabe. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-04-06.

Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US11715812B2. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-01.

Light emitting element including side surface dielectric layer for avoiding impurity adhesion

Номер патента: US8441029B2. Автор: Chiaki Sasaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US20220302342A1. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-22.

Display device using semiconductor light emitting devices

Номер патента: US09627363B2. Автор: Byungjoon Rhee,Chisun KIM,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-04-18.

Active layer structure, semiconductor light emitting element, and display apparatus

Номер патента: US20170288090A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Backlight unit using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220326570A1. Автор: Jinseok Lee,Wootae Kim,Hyunho Lee,Changguk Lee,Moongi JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-10-13.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190325790A1. Автор: Hyunwoo Cho,Changseo Park,Seongmin MOON,Kiseong Jeon,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-10-24.

Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9395406B2. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09660413B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20070138491A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7745895B2. Автор: Hiroshi Inada,Yasuhiro Iguchi,Youichi Nagai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-06-29.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4366099A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-08.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240128406A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-04-18.

Display device and self-assembly method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP3989284A2. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-04-27.

Semiconductor light emitting apparatus and method for producing the same

Номер патента: US20040238829A1. Автор: Kenichi Kurita,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Transfer device for semiconductor light emitting device and display device of semiconductor light emitting device using same

Номер патента: US20230327047A1. Автор: Sungjin Park,Taesu Oh,Joonkwon Moon,Bongseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-12.

A semiconductor light emitting device package and a display device

Номер патента: EP4312269A1. Автор: Sungjin Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Taesu Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor light emitting device for a display pixel and a display device including the same

Номер патента: US20240038825A1. Автор: Wonseok Choi,Jeonghyo Kwon,Sungmin Park,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor light emitting device, wafer, and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120273794A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Highly reliable low defect semiconductor light-emitting device and preparation method therefor

Номер патента: EP4266515A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Bo Li,Yiwen HU,Shaoyang TAN,Quanling LI,Lichen ZHANG. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12021071B2. Автор: Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-25.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150116985A1. Автор: Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5627851A. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-06.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US9214789B2. Автор: Toru Takayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Display device using semiconductor light emitting devices having different structures

Номер патента: US9711692B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-07-18.

Light source including a wavelength-converted semiconductor light emitting device and a filter

Номер патента: WO2010023624A1. Автор: Michael R. Krames. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2010-03-04.

Lamp using semiconductor light-emitting devices

Номер патента: US20210026056A1. Автор: Jeongin Cheon,Seokhoon KANG,Kisuk Woo,Kwanwoo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor light emitting device package and a display device

Номер патента: US20240038823A1. Автор: Sungjin Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Taesu Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Reflective optical elements for semiconductor light emitting devices

Номер патента: US7118262B2. Автор: Gerald H. Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-10-10.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11929591B2. Автор: Takashi Sugiyama,Masahiro Murayama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor light-emitting device and display apparatus comprising same

Номер патента: US20230395768A1. Автор: Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20070228408A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof, and manufacturing method of nitride-based semiconductor crystal

Номер патента: US12119618B2. Автор: Shinji Yoshida,Isao Kidoguchi,Shuichi Nakazawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090130790A1. Автор: Shinji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: EP3780302A1. Автор: Shinji Yoshida,Kunimasa Takahashi,Toru Takayama. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Method of making semiconductor light- emitting device

Номер патента: US20110076788A1. Автор: Masaki Ueno,Masahiro Adachi,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Shinji Tokuyama,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250505A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor light emitting element with p-type non-alloy electrode including a platinum layer and method for fabricating the same

Номер патента: US5793788A. Автор: Takeshi Shimazaki,Masato Ishino,Isao Kidoguchi,Kiyoshi Fujihara,Yuichi Inaba. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-11.

Light-emitting element controller, optical transmitting apparatus, and method and computer program for determining driving current

Номер патента: US20030118063A1. Автор: Mitsuru Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Driver circuit for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US4900912A. Автор: Takashi Shoji. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1990-02-13.

Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200021083A1. Автор: Hideo Kitagawa,Osamu Tomita,Masayuki Ono,Daisuke Ikeda,Gen Shimizu,Toru Takayama,Satoko Kawasaki,Katsuya Samonji. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor light-emitting element, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, and semiconductor device

Номер патента: US20150255950A1. Автор: Kota Tokuda,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor light-emitting element, light-emitting module, and method for manufacturing light-emitting module

Номер патента: US20240282901A1. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Shuichi Nakazawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-08-22.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990561B2. Автор: Shinji Yoshida,Noboru Inoue. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-21.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304752A1. Автор: Shinji Yoshida,Noboru Inoue. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250209A1. Автор: Shinji Yoshida,Shigeo Hayashi,Masayuki Hata,Shuichi Nakazawa,Yasutoshi Kawaguchi,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor light emitting element, group iii nitride semiconductor substrate and method for manufacturing such group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1981093A1. Автор: Hisashi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. MINEMOTO,Yasuo c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KITAOKA,Yasutoshi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KAWAGUCHI,Yasuhito c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. TAKAHASHI,Yoshiaki c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. HASEGAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Method for manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element, lamp, electronic device and mechanical apparatus

Номер патента: US20120326169A1. Автор: Hiromitsu Sakai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-12-27.

Nitride based semiconductor light emitting element

Номер патента: US6555847B2. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto,Masaki Tatsumi,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-29.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9741896B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of fabricating semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200169058A1. Автор: Hitoshi Sato,Kazuya Yamada,Hiroki Nagai. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Nitride-based semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230140710A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US9093609B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-28.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US20140153602A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US09590141B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220165917A1. Автор: Masao Kawaguchi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12034100B2. Автор: Masao Kawaguchi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140042388A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

III nitride semiconductor epitaxial substrate and III nitride semiconductor light emitting device, and methods of producing the same

Номер патента: US09543469B2. Автор: Masatoshi Iwata,Yoshikazu Ooshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100019255A1. Автор: Michiru Kamada,Hironobu Narui,Eiji Takase,Nobukata Okano,Makoto Oogane,Sachio Karino,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Multiple quantum well semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150129835A1. Автор: Takayoshi Yamane. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Method for manufacturing a semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20090090923A1. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8320421B2. Автор: Michiru Kamada,Hironobu Narui,Eiji Takase,Nobukata Okano,Makoto Oogane,Sachio Karino,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-27.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5943355A. Автор: Masao Ikeda,Yumi Sanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09912123B2. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US8669129B2. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210217925A1. Автор: Shinji Yoshida,Noboru Inoue. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor light-emitting device, and water disinfection device

Номер патента: US20230223736A1. Автор: Takayoshi Yamane,Chizu Saito,Shogo KIRAI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210359163A1. Автор: Shinji Yoshida,Kunimasa Takahashi,Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US9112111B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-18.

Method and device for fabricating semiconductor light emitting elements

Номер патента: CA2463169C. Автор: Osamu Goto,Kensaku Motoki,Koshi Tamamura,Tsuyoshi Tojo,Tsunenori Asatsuma,Shigetaka Tomiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP2955763A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130292644A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor light emitting device and wafer

Номер патента: US20120286284A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387352A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140110667A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-24.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4369538A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-15.

Compound semiconductor light emitting device and process for producing the same

Номер патента: US20010040908A1. Автор: Tsutomu Munakata,Kashima Yasumasa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8525195B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-03.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230402821A1. Автор: Shinji Yoshida,Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor light-emitting device and method of making of the same

Номер патента: CA1065461A. Автор: Morio Inoue,Kunio Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1979-10-30.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US8759812B2. Автор: Shigeyuki Takagi,Hidehiko Yabuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180309020A1. Автор: Hidekazu Kawanishi,Yuuki ISOBE. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US10263141B2. Автор: Hidekazu Kawanishi,Yuuki ISOBE. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US8698192B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120138889A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20230261034A1. Автор: Nicola Bettina Pfeffer,Arjen Gerben Van Der Sijde,Pieter Johannes Quintus Van Voorst Vader. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Nitride-based semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110012126A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-01-20.

Compound semiconductor light emitting device

Номер патента: CA1313247C. Автор: Kiyoshi Ichimura,Hideo Kawanishi,Akihito Tsushi. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 1993-01-26.

Nitride-based semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2276079A3. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-06.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060166392A1. Автор: Masayoshi Takemi,Nobuyuki Tomita,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Module for removing mis-assembled semiconductor light-emitting element and method for removing mis-assembled semiconductor light-emitting element by using same

Номер патента: US12046484B2. Автор: Juchan CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-23.

Light emitting element unit and method for manufacturing the same, light emitting element package and illuminating device

Номер патента: US09997682B2. Автор: Yasuo Nakanishi,Nobuaki Matsui,Takao Fujimori,Hirotaka Obuchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160056329A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09865770B2. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Display device using semiconductor light emitting elements, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4068371A1. Автор: Junghoon Kim,Byungjun Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-10-05.

Display device using semiconductor light-emitting elements, and method for manufacturing same

Номер патента: US12062734B2. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Yangwoo Byun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09553241B2. Автор: Masatsugu Ichikawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11799051B2. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor light emitting element and method for producing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20240332339A1. Автор: Akihiro Nomura,Hiroaki KANAOKA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor light emitting element and method of manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140209921A1. Автор: Hisao Sato,Katsuki Kusunoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device assembly

Номер патента: US8035120B2. Автор: Yasushi Ito,Naoji Nada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Semiconductor light emitting element and method of manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140110744A1. Автор: Honglin Wang,Eisuke Yokoyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US09620671B2. Автор: Hiroshi Nakatsu,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Toshiaki Asai,Tomoya Inoue,Kentaro Nonaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240274749A1. Автор: Seiji Ishimoto,Daiki Jinno. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09853195B2. Автор: Kazuhiro Inoue,Takashi Arakawa,Yoshio Noguchi,Teruo Takeuchi,Masahiro Ogushi,Toshihiro Kuroki,Yuki Akamatsu,Hidenori Egoshi,Toshihiro Komeya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

N-side electrode, nitride semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20110042681A1. Автор: Keishi Kohno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09614136B2. Автор: Jun Koike,Fujito Yamaguchi,Yoshimichi Mitamura. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12057525B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing display device using semiconductor light-emitting elements and display device

Номер патента: US12107205B2. Автор: Kyoungtae WI,Sunghyun Moon,Jina JEON. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067514A1. Автор: Ming-Sen Hsu,Hsin Liang Yeh. Владелец: EPILEDS TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Epitaxial structure of semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: US20240145627A1. Автор: Chung-Ying Chang,Meng-hsin YEH,Bing-Yang Chen,Zhousheng JIANG,Dongpo CHEN. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Display device using semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4099388A1. Автор: Junghoon Kim,Byungjun Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180240948A1. Автор: Yasuo Nakanishi,Yasunobu Shoji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140070227A1. Автор: Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US11764335B2. Автор: Yudai Uratani. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor light emitting element and method for producing the same

Номер патента: US09837579B2. Автор: Masahiko Onishi,Shun KITAHAMA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor light-emitting device and method

Номер патента: US20110198650A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11777060B2. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Display device using semiconductor light-emitting element, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240266329A1. Автор: Wonseok Choi,Jeonghyo Kwon,Byoungkwon Cho,Junoh SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor light emitting module comprising an exposed plate surface

Номер патента: US09484515B2. Автор: Satoshi Komatsubara,Kenichi Fukuda,Toru Furuta,Shinobu Otao. Владелец: SEI Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11769860B2. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US9306119B2. Автор: Takayoshi Yamane. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Photocoupler and semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140084305A1. Автор: Kenji Fujimoto,Masanobu Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor light-emitting apparatus having light reflection adjusting member of gray resin and its manufacturing method

Номер патента: US10825972B2. Автор: Mitsunori Harada,Satoshi Ando,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor light-emitting instrument and method for its manufacturing

Номер патента: RU2436195C1. Автор: Ёхеи ВАКАИ,Хироаки МАЦУМУРА,Кендзи ОКА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2011-12-10.

Semiconductor light-emitting element and method of producing the same

Номер патента: US12125702B2. Автор: Osamu Tanaka,Yoshitaka Kadowaki. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor light-emitting element, vehicle lamp, and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4369426A1. Автор: Akihiro Nomura,Hiroaki KANAOKA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Group iii nitride light-emitting element and method for producing the light-emitting element

Номер патента: US20190386177A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Lamp using semiconductor light-emitting elements

Номер патента: US11114598B2. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-09-07.

Method for producing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09954152B2. Автор: Masayuki Takashima,Gaku YOSHIKAWA. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09947833B2. Автор: Mamoru Miyachi,Ryosuke KAWAI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09899356B2. Автор: Hideyuki Taguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of nitride semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20120214266A1. Автор: Mamoru Miyachi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030062531A1. Автор: Nobuhiro Suzuki,Chisato Furukawa,Hidato Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Light emitting device using micrometer-sized semiconductor light emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US20220310879A1. Автор: Eunah Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-29.

Display device using semiconductor light-emitting elements and manufacturing method therefor

Номер патента: US12080689B2. Автор: Hyunwoo Cho,Dohee Kim,Bongchu Shim,Gunho Kim,Yongil SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-03.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4425583A1. Автор: Donghyun Kim,Jinseong Kim,Myungwhun CHANG,Yanghyun KIM,Sangwon WOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor light emitting element and method of producing the same

Номер патента: US09923120B2. Автор: Shunsuke Minato. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2473152C1. Автор: Такуя НОИТИ,Юити ОКАДА,Такахито МИКИ. Владелец: Нитиа Корпорейшн. Дата публикации: 2013-01-20.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP4203082A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Manufacturing method for compound semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20120315718A1. Автор: Hideaki Ikeda,Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20070120139A1. Автор: Reiji Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12087896B2. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09577167B2. Автор: Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: US20230335696A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor light-emitting element and optical coupling device

Номер патента: US09847447B2. Автор: Kenji Fujimoto,Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Light emitting element

Номер патента: US20170330995A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Group III Nitride Semiconductor Light Emitting Element And Wafer Containing Element Structure

Номер патента: US20180040770A1. Автор: Toshiyuki Obata,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor light emitting apparatus having multiple conductive bonding layer elements and its manufacturing method

Номер патента: US20190363233A1. Автор: Kazuhisa SHINNO. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09991420B2. Автор: Masakazu Sugiyama,Takako Fujiwara. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Light emitting element

Номер патента: US09929316B2. Автор: Yoshiki Inoue,Keiji Emura,Takamasa SUNDA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor light emitting device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US09735313B2. Автор: Jung Hoon Kim,Il Woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for producing semiconductor light emitting element

Номер патента: US09583674B2. Автор: Kenichi Matsui,Hitoshi MINAKUCHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203562A1. Автор: Hiroyuki Togawa,Yasuyuki Shibata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Display device using semiconductor light-emitting elements and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4020569A1. Автор: Hyunwoo Cho,Dohee Kim,Bongchu Shim,Gunho Kim,Yongil SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-06-29.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140084316A1. Автор: Shinya Nunoue,Satoshi MITSUGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor light emitting element and display device

Номер патента: US20240332453A1. Автор: Jaehyuk Lee,Chilkeun Park,Sungmin Park,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-03.

Nitride semiconductor light-emitting element, illuminating device, liquid crystal display device, method for producing nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing illuminating device

Номер патента: US8791473B2. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Tadashi Yano,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Semiconductor light emitting device with light transmittable electrode and method for manufacturing same

Номер патента: US8623676B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-07.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20170117441A1. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US9842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160276523A1. Автор: Hiroshi Katsuno,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150008469A1. Автор: Hisashi Ito,Toshiya Nakayama,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Kazuo Shimokawa,Akiya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Self-assembly apparatus and method for semiconductor light emitting device

Номер патента: US12057519B2. Автор: Hyunwoo Cho,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220376154A1. Автор: LI YANG,Yang Li,Chang-Chin Yu,Xinglong LI,Zhaowu HUANG,Chenxi YAN. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107201B2. Автор: Seung Ho Baek,Soo Kun Jeon,Won Jae Choi,Yeon Ho Jeong,Geun Mo JIN,Geon Il HONG. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120187446A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140077250A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9202986B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-01.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20240204133A1. Автор: Chengjun ZHANG,Jingfeng Bi,Jinjian ZHENG,Weihong Fan,Moran Gao,Jiaming ZENG. Владелец: Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device and Method for Producing the Same

Номер патента: US20140264415A1. Автор: Koji Okuno,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110042711A1. Автор: Yu-Hang Choi,Chae-Seok Lim,Keuk Kim,Chi-Kwon Park. Владелец: WOOREE LST Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120295373A1. Автор: Yasuhiro Miki,Masahiko Onishi,Hirofumi NISHIYAMA,Shusaku BANDO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor light-emitting element and display device including same

Номер патента: US20230178686A1. Автор: Byungjoon Rhee,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang,Kyoungtae WI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor light-emitting device with high light-extraction efficiency and method for fabricating the same

Номер патента: US20090045419A1. Автор: Tzong-Liang Tsai. Владелец: Huga Optotech Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210043818A1. Автор: Masahiko Kobayakawa,Dai Miyazaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09905521B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09837389B2. Автор: Hwanjoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09711685B2. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor light emitting device and multiple lead frame for semiconductor light emitting device

Номер патента: US09666776B2. Автор: Toshiyuki Takada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor light emitting element, method of manufacturing the same, and vehicle lighting unit utilizing the same

Номер патента: EP2631948A3. Автор: Mamoru Miyachi,Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-22.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120138984A1. Автор: Masashi Deguchi,Masao Kamiya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020005521A1. Автор: Masayuki Sonobe,Tetsuhiro Tanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120228656A1. Автор: Toshiyuki Kondo,Atsushi Suzuki,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Motoaki Iwaya,Tsukasa Kitano,Fumiharu Teramae. Владелец: EL Seed Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09972749B2. Автор: Takako Fujiwara. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US09935245B2. Автор: Hwan Hee Jeong,Sang Youl Lee,June O Song,Kwang Ki CHOI,Tchang Hun OH,Hee Seok Choi. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20170092828A1. Автор: Hideki TSUJIAI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US8742394B2. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20140225146A1. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20130020552A1. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09972657B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshihide Ito,Jumpei Tajima,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09818911B2. Автор: Hiroaki Yamamoto,Yufeng Weng,Susumu Ohmi,Kiminori TANABE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09620669B2. Автор: Hideki Shibata,Akihiro Kojima,Hideo Tamura,Masayuki Ishikawa,Yoshiaki Sugizaki,Tetsuro Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Light emitting element

Номер патента: US09570658B2. Автор: Hiroaki Matsumura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Ultraviolet semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420613A1. Автор: Akio Ogawa,Hiroyuki Kano,Toru Kinoshita. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140091350A1. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US8791498B2. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Red-light-emitting semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240274751A1. Автор: Dongwook Kim,DongHun Kang,Sukkoo JUNG,Daesung KANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-15.

Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US12074147B2. Автор: Changseo Park,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09691944B2. Автор: Soo Kun Jeon,Eun Hyun Park. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor light-emitting device and method for forming the same

Номер патента: US09627577B2. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chia-Fen Tsai. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09590009B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshihide Ito,Jumpei Tajima,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Array of semiconductor light-emitting elements and method of making said element

Номер патента: RU2469435C1. Автор: Кендзи ХИРУМА,Синдзиро ХАРА,Дзунити МОТОХИСА,Такаси ФУКУИ. Владелец: Нэшнл Юниверсити Корпорейшн Хоккайдо Юниверсити. Дата публикации: 2012-12-10.

Semiconductor light emitting device and supporting substrate for semiconductor light emitting elements

Номер патента: EP4246566A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor light emitting device and supporting substrate for semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20240021767A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Light-emitting element

Номер патента: US20240266476A1. Автор: Chao-Hsing Chen,Chien-Chih Liao,Min-Yen Tsai,Tsung-Hsun Chiang,Wen-Hung Chuang,Bo-Jiun Hu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120032213A1. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8395263B2. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2418698A3. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-01.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384374A1. Автор: Ju Eun Kim,Youn Joon Sung,Dong Woo Kim,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,Yun Jong JANG,You Jung GILL. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor light-emitting element, and display device

Номер патента: US20240322084A1. Автор: Wonjae Chang,Jinsung Kim,Wonseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09991418B2. Автор: Yukie Nishikawa,Hironori Yamasaki,Katsuyoshi Furuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09570655B2. Автор: Hiroshi Fukunaga,Kenichi Yoshimura,Kohsei Takahashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor light-emitting element, protective film of semiconductor light-emitting element, and method for fabricating same

Номер патента: US20130037850A1. Автор: Hisao Kawasaki,Toshihiko Nishimori,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2009017338A2. Автор: Ho Sang Yoon,Sang Kyun SHIM. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20020053681A1. Автор: Koichi Nitta,Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11777068B2. Автор: Taisuke Okada,Masahiko Kobayakawa,Junichi Itai,Shintaro YASUDA,Kazuhiro Mireba. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140361330A1. Автор: Shinya Hakuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230114703A1. Автор: Tetsuya Ikuta,Jumpei Yamamoto. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting apparatus

Номер патента: US8389309B2. Автор: Seiichiro Kobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4425584A1. Автор: Donghyun Kim,Jonghwa Won,Myungwhun CHANG,Yanghyun KIM,Jonggon SHIN,Kimun Paik,Seungho RYOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09953901B2. Автор: Taisuke Okada,Masahiko Kobayakawa,Junichi Itai,Shintaro YASUDA,Kazuhiro Mireba. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09831222B2. Автор: Eunah Lee,Hwankuk YUH,Sangwook BYUN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09634212B2. Автор: Taisuke Okada,Masahiko Kobayakawa,Junichi Itai,Shintaro YASUDA,Kazuhiro Mireba. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4075525A2. Автор: Mamoru Yuasa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-19.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220336717A1. Автор: Mamoru Yuasa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4075525A3. Автор: Mamoru Yuasa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP3943575A1. Автор: Kenji Ikeda,Masaki ODAWARA,Kazuhisa SHINNO,Shotaro NISHIKI,Tsuzumi HIGASHIYAMA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US9608170B2. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US9356196B2. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200235265A1. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF

Номер патента: EP1984955A1. Автор: Hiroshi c/o Showa Denko K.K. OSAWA,Takashi c/o Showa Denko K.K. HODOTA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-29.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09755127B2. Автор: Yukihiro Nomura,Akihiro Kojima,Mitsuyoshi Endo,Hideto Furuyama,Shuji Itonaga,Miyuki Shimojuku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Hetero-substrate, nitride-based semiconductor light emitting device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680055B2. Автор: Kiseong Jeon,Hojun Lee,Kyejin Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US09601662B2. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element having thick metal bump

Номер патента: US09530950B2. Автор: Hirofumi Kawaguchi,Akinori Yoneda,Kouichiroh Deguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11870021B2. Автор: Tomoichiro Toyama,Ryo KITTAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor light-emitting element and method of producing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11888090B2. Автор: Yoshitaka Kadowaki,Yuta Koshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9337400B2. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Shigeya Kimura,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200274038A1. Автор: Tomoichiro Toyama,Ryo KITTAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220310889A1. Автор: Tomoichiro Toyama,Ryo KITTAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150084069A1. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20160284685A1. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Jumpei Tajima,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Vehicle lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20180331152A1. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-11-15.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105525A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12027647B2. Автор: Yasuhiro Hashimoto,Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US20120032225A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takahiko Sakamoto,Yasutaka Hamaguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit

Номер патента: US20090242906A1. Автор: Kouji TSUKAGOSHI. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240332450A1. Автор: Yoshitaka KAWATA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972756B2. Автор: Masayuki Takashima,Gaku YOSHIKAWA. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor light-emitting device having a photonic crystal pattern formed thereon, and method for manufacturing same

Номер патента: US09806231B2. Автор: Taegeun Kim,Homyoung An,Jaein Sim. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09761760B2. Автор: Hidetoshi Tanaka,Mitsumasa Takeda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09721931B2. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09647170B2. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US09553238B2. Автор: Naoki Azuma,Hisashi Kasai,Kazuki KASHIMOTO,Masafumi ITASAKA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting device, method for producing semiconductor light-emitting element, method for producing semiconductor light-emitting device, illumination device using semiconductor light-emitting device, and electronic apparatus

Номер патента: US8629473B2. Автор: Kyousuke Masuya,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Display device using semiconductor light-emitting elements

Номер патента: US20240072213A1. Автор: Mihee Heo,Jisoo KO,Hyeyoung Yang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: US11916175B2. Автор: Kenji Ikeda,Masaki ODAWARA,Kazuhisa SHINNO,Shotaro NISHIKI,Tsuzumi HIGASHIYAMA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11843080B2. Автор: Naoki Shibata,Tadaaki Maeda,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160163928A1. Автор: Kohei Miyoshi,Massashi TSUKIHARA. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2016-06-09.

Light-emitting element and method for producing light-emitting element

Номер патента: US20180006190A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US9337402B2. Автор: Tadaaki Ikeda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Display device using semiconductor light emitting element, and method for producing same

Номер патента: EP3929990A1. Автор: Changseo Park,Seongmin MOON,Kiseong Jeon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-12-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20100238687A1. Автор: Masaki ODAWARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-23.

Fabricating method of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170294421A1. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200144450A1. Автор: Satoru Tanaka,Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu,Yasumasa Suzaki,Akifumi NAWATA. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200381580A1. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Pixel-type semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12046627B2. Автор: Jong-Hyun Lee,Yong-Min Kwon,Geun-woo KO,Jung-Wook Lee,Pun-Jae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for producing compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8513118B2. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240322076A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Display device comprising semiconductor light-emitting element, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4447111A1. Автор: Jungmin Kim,Sunho Kim,Kyoungjin Nam,Gisang Hong,Youngwook LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09887328B2. Автор: Akihiro Kojima,Shinya Ito,Mitsuyoshi Endo,Hideto Furuyama,Kazuo Fujimura,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Shinji Nunotani,Yosuke Akimoto,Hideko Mukaida,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09741900B2. Автор: Masayuki Nagata,Takashi KURISU,Susumu Ohmi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09735312B2. Автор: Chun-Yu Lin,Yi-Ming Chen,Chih-Chiang Lu,Ching-Pei Lin,Tzu-Chieh Hsu,Hsin-Chih CHIU,Ching-Huai Ni. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09660163B2. Автор: Tae-hyung Kim,Cheol-soo Sone,Si-Hyuk Lee,Sang-Yeob Song,Hak-Hwan Kim,Jong-in Yang,Jin-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor light emitting apparatus

Номер патента: US09653657B2. Автор: Nao Shirokura,Fujito Yamaguchi. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Reflecting contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2535636C2. Автор: Джон И. ЭПЛЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-12-20.

Contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2491683C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Джон И. ЭПЛЕР,Патрик Н. ГРИЙО,Рафаэл I АЛДАЗ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Vehicular headlamp and semiconductor light emitting element

Номер патента: US7168837B2. Автор: Hiroyuki Ishida,Masashi Tatsukawa,Kiyoshi Sazuka. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-30.

Display device using semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230078258A1. Автор: Wonyong LEE,Jeomoh KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element and lamp provided with the semiconductor light emitting element

Номер патента: EP2012370A1. Автор: Kenzo c/o SHOWA DENKO K.K. HANAWA,Yasunori c/o SHOWA DENKO K.K. YOKOYAMA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-01-07.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240038926A1. Автор: Mitsugu Wada,Shinya Fukahori. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9006709B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11824137B2. Автор: Mitsugu Wada,Shinya Fukahori. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240038925A1. Автор: Mitsugu Wada,Shinya Fukahori. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2775537A3. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-05.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140252311A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210399162A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420600A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor light emitting element and manufacture method thereof

Номер патента: US20240204134A1. Автор: Chengjun ZHANG,Senlin Li,Jingfeng Bi,Jinjian ZHENG,Weihong Fan,Yuanjie Wu,Moran Gao,Jiaming ZENG. Владелец: Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor light-emitting element and light-emitting device thereof

Номер патента: US20240222588A1. Автор: Zhiwei Wu,Weiping Xiong,Di Gao,Huanshao KUO,Yuren PENG,Shutian QIU. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US11011686B2. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210234077A1. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200313050A1. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230253526A1. Автор: Takao Fujimori,Kazuaki Tsutsumi,Ryosuke Ishimaru. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Vehicle lamp using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210062989A1. Автор: Jinhyoun Joe. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130134385A1. Автор: Kyohei Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220336693A1. Автор: Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor light emitting devices and partition wall structure, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12125869B2. Автор: Inho Kim,Sungwook Lee,Jonghyun Lee,Kiwon Park,Byungchul Choi,Geunwoo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11605753B2. Автор: Tetsu Hiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Semiconductor light-emitting device package

Номер патента: US09887332B2. Автор: Jun Ho Lee,Pun Jae Choi,Jin Wook Chung,Yong Min KWON,Geun Woo KO,Ah Young WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09722162B2. Автор: Toshiyuki Oka,Koji Kaga,Jumpei Tajima,Kazuyuki Miyabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device

Номер патента: US7297984B2. Автор: Toshiaki Tanaka,Satoshi Komoto,Norio Fujimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device

Номер патента: US5763901A. Автор: Toshiaki Tanaka,Satoshi Komoto,Norio Fujimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090020773A1. Автор: Kenichi Mori,Yuko Nomura,Isao Amemiya,Isao Takasu,Keiji Sugi,Miho Yoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US20200176633A1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Satoshi Kamiyama,Ryosuke Hiramatsu,Atsuya SASAKI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US11211529B2. Автор: Hideaki Hirabayashi,Satoshi Kamiyama,Ryosuke Hiramatsu,Atsuya SASAKI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220020905A1. Автор: Minoru Tanaka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor light emitting element and method for producing semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4369425A1. Автор: Akihiro Nomura,Hiroaki KANAOKA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230411439A1. Автор: Shunichi Sato,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110156065A1. Автор: Yoshiki Inoue,Katsuyoshi Kadan. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US20190074415A1. Автор: Tsutomu Okubo. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor light emitting element, electronic apparatus, and light emitting device

Номер патента: US20120241721A1. Автор: Takehiko OKABE,Takashi Hodota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor light emitting element with quantum well active layer and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2015008871A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for manufacturing group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20100051980A1. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasumasa Sasaki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP1503431A3. Автор: Hiroyuki Fujiwara,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2007-09-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP4394904A1. Автор: Jungsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4398318A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234628A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234629A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8946750B2. Автор: Akihiro Kojima,Hideo Shiozawa,Takayoshi Fujii,Toshiyuki Terada,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-03.

Compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100261301A1. Автор: Katsuki Kusunoki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-10-14.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20160260868A1. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US12125954B2. Автор: Sun Kim,Junghun Lee,Seolyoung Choi,KyoungJun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor light-emitting device, lighting apparatus, and lighting unit for vehicles

Номер патента: US10267469B2. Автор: Mitsunori Harada,Yuji Takehara. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12107194B2. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09780255B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Yu-Chu Li. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor light-emitting apparatus and vehicle headlight

Номер патента: US09726340B2. Автор: Toshihiro Seko,Kosaburo ITO,Kenji Akisada. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09711684B2. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09608178B2. Автор: Toshitaka Nakamura,Hisataka Ito,Hironaka Fujii. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09608161B2. Автор: Yu-Chu Li,Shen-Jie Wang. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09570656B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09530932B2. Автор: RYU Kaihara,Satoshi Komada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2494498C2. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2013-09-27.

Display device using semiconductor light emitting element

Номер патента: US11942457B2. Автор: Younghak Chang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element, electronic device, and machine device

Номер патента: US20130168691A1. Автор: Hiromitsu Sakai. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor light-emitting device having matrix-arranged light-emitting elements

Номер патента: US9599305B2. Автор: Yasuyuki Shibata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Photocoupler and semiconductor light emitting element

Номер патента: US9070817B2. Автор: Kenji Fujimoto,Masanobu Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100102349A1. Автор: Yasunori Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160181488A1. Автор: Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200328331A1. Автор: Hiroyasu Ichinokura,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359800A1. Автор: Hiroyasu Ichinokura,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131043A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method of manufacturing semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20110104835A1. Автор: Noriko Nihei,Yusuke Yokobayashi,Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20180277714A1. Автор: Yuta Furusawa. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20230369534A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Weifang Lu,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Kazuma Ito,Naoki Sone,Motoaki lWAYA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP3648181A1. Автор: Satoru Tanaka,Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu,Yasumasa Suzaki,Akifumi NAWATA. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-06.

Semiconductor light-emiting device and method

Номер патента: US20110101407A1. Автор: Kaori Namioka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240170622A1. Автор: Kazuya Masuyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: US20230387363A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240222550A1. Автор: Jungsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220093829A1. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8680568B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-03-25.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9059387B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8946763B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP4415064A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Light emitting apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220102323A1. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Yangwoo Byun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP4415063A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of manufacturing iii-nitride semiconductor light emitting structure

Номер патента: US20240250213A1. Автор: Sung Min Hwang,Doo Soo Kim,In Seong Cho,Hyung Kyu Choi,Sung Woon HEO,Sung Ju MUN,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor light-emitting device and photocoupler

Номер патента: US20230238483A1. Автор: Naoki Murakami,Takanobu Kamakura,Hideto Sugawara,Hiroaki Ootsuka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Display device comprising semiconductor light-emitting elements

Номер патента: EP4432360A1. Автор: Minseok Kim,Sul Lee,Wonseok Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, positive electrode for the device, light-emitting diode and lamp using the device

Номер патента: WO2005036657A1. Автор: Munetaka Watanabe. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2005-04-21.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160247962A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140061696A1. Автор: Kazuyoshi Furukawa,Shinji Nunotani,Yasuhiko Akaike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09911899B2. Автор: Hiroshi Katsuno,Masakazu Sawano,Kazuyuki Miyabe. Владелец: Alpad Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09831378B2. Автор: Jung Sub Kim,Jin Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09741898B2. Автор: Yu-Chu Li,Ching-Liang Lin,Shen-Jie Wang. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09660139B2. Автор: Yong Min Kim,Sung Hyun SIM,Kyung Wook HWANG,Geon Wook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same

Номер патента: US09570660B2. Автор: Seung Woo Choi,Sang Yeob Song,Jae In SIM,Gi Bum Kim,Jong Hoon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Display device using semiconductor light-emitting elements, and method for manufacturing same

Номер патента: US20220246583A1. Автор: Changseo Park,Seongmin MOON,Kiseong Jeon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US7371593B2. Автор: Mitsunori Harada. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor light emitting device, composite light emitting device with arrangement of semiconductor light emitting devices, and planar light source using composite light emitting device

Номер патента: US8641256B2. Автор: Masanori Hoshino,Takeshi Sano,Kouji TSUKAGOSHI,Kazuyoshi Haga. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-04.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150115307A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor light emitting element, display device, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20230395748A1. Автор: Taehoon Kim,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US10453990B2. Автор: Yuta Furusawa. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor light emitting element, method of manufacturing the same, and vehicle lighting unit utilizing the same

Номер патента: US20130214321A1. Автор: Mamoru Miyachi,Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9379294B2. Автор: Kenji Ozeki,Tomonori MIYOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9478527B2. Автор: Kenji Ozeki,Tomonori MIYOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11961942B2. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131042A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140061661A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing same

Номер патента: US20220165927A1. Автор: Kenji Ikeda. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor package substrate, semiconductor package and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210257519A1. Автор: Kazuyoshi Sakuragi,Hiroyasu Ichinokura. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160254254A1. Автор: Kenji Ozeki,Tomonori MIYOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20230187595A1. Автор: Dai Miyazaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190035845A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor light-emitting device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20120025250A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang,Wei-Yu Chen,Chiu-Lin Yao,Li-Ming Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210210654A1. Автор: Chi-Ming Tsai,Chia-Hung CHANG,Yung-ling LAN,Chan-Chan LING. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for manufacturing display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US12080825B2. Автор: Junho Sung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110062477A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-17.

Nano-structured semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09842966B2. Автор: Nam-Goo Cha,Han-mei Choi,Bong-Jin Kuh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09786817B2. Автор: Young Ho Ryu,Sung Joon Kim,Min Wook CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Display device using semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666765B2. Автор: Hwanjoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus including the same

Номер патента: US09653515B2. Автор: Ju Heon YOON,Myeong Ha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09601665B2. Автор: Dong Hoon Lee,Jin Bock Lee,Mi Hyun Kim,Je Won Kim,Sung Hyun SIM,Hye Seok NOH,Dong Kuk Lee,Geon Wook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: EP2822034A3. Автор: Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same

Номер патента: US9331245B2. Автор: Eiji Yamada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11652191B2. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

Display device using semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230317669A1. Автор: Kisu Kim,Jinhyung LEE,Younho HEO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing same; integrated semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same; image display and method for manufacturing same; and illuminating device and method for manufacturing same

Номер патента: EP1605522A1. Автор: Goshi c/o SONY CORPORATION BIWA,Hiroyuki c/o SONY CORPORATION OKUYAMA,Masato c/o SONY CORPORATION DOI,Toyoharu c/o SONY CORPORATION OOHATA,Jun c/o Sony Corporation SUZUKI. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor light-emitting device and method for producing same

Номер патента: US20190198737A1. Автор: Kenji Ikeda. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP3648182A1. Автор: Satoru Tanaka,Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu,Yasumasa Suzaki,Akifumi NAWATA. Владелец: Scivax Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Light emitting element

Номер патента: US20170186915A1. Автор: Yoshiki Inoue,Keiji Emura,Takamasa SUNDA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Car lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190217768A1. Автор: Shinwoo YOON,Hankyu CHO,Myungwoo Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting package

Номер патента: US11735694B2. Автор: Sungjoon Kim,Sanghyun Kim,Jae-Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20150137173A1. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20090121247A1. Автор: Kouji TSUKAGOSHI. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor light emitting devices

Номер патента: US12125942B2. Автор: Yongseok Choi,Donggun Lee,Youngjin Choi,Sungjin Ahn,Joosung KIM,Jeongwook LEE,Jonguk Seo,Youngjo TAK,Jonghoon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09865771B2. Автор: Kenichi Nishi,Mitsuru Sugawara,Richard Hogg,Takeo Kageyama,Siming Chen,Keizo Takemasa. Владелец: QD Laser Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor light-emitting devices

Номер патента: US09831385B2. Автор: Yen Chieh Huang,Jing Jie Dai,shu ying Yang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Nanostructure semiconductor light emitting device having rod and capping layers of differing heights

Номер патента: US09595637B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Ji Hye YEON,Jin Sub Lee,Jae Hyeok HEO,Dae Myung Chun,Hyun Seong KUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09577145B2. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09508898B2. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing therefor

Номер патента: US5639674A. Автор: Hideki Nozaki,Kazumi Unno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-06-17.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150325749A1. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160190393A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230352631A1. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240079386A1. Автор: Donghyun Kim,Jinseong Kim,Myungwhun CHANG,Yanghyun KIM,Sangwon WOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-07.

White light-emitting glass, glass-covered light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: US20130241399A1. Автор: Takumi Fujiwara,Syuji Matsumoto,Toshinobu Yoko,Hirokazu Masai. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

White light-emitting glass, glass-covered light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: US8926865B2. Автор: Takumi Fujiwara,Syuji Matsumoto,Toshinobu Yoko,Hirokazu Masai. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor light emitting device and method for forming phosphor layer

Номер патента: US20160233389A1. Автор: Yukihiro Nomura,Mitsuyoshi Endo,Hideto Furuyama,Shuji Itonaga,Miyuki Shimojuku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor light-emitting device having matrix-arranged light-emitting elements and transparent plates

Номер патента: US9570426B2. Автор: Jiro Higashino. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor light-emitting element and light-emitting device

Номер патента: US10418525B2. Автор: Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240194830A1. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor light-emitting element and light-emitting device

Номер патента: US20190103519A1. Автор: Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4391063A1. Автор: Jeonghyo Kwon,Junoh SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190221716A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

A semiconductor light emitting device and a display device

Номер патента: EP4401135A1. Автор: Sunghyun Hwang,Kiseong Jeon,Minwoo Lee,Mihee Heo,Byungjun Kang,Junho Sung,Hyungjo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130056789A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120146086A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yusuke Yokobayashi,Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers

Номер патента: EP1589592A3. Автор: Yu-Chen c/o Lumileds Lighting U.S. LLC Shen,James C. c/o Lumileds Lighting U.S. LLC Kim. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices

Номер патента: EP1403934A3. Автор: Michael R. Krames,Gerd O. Mueller,Troy A. Trottier,Regina Mueller-Mach. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2005-07-06.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007049946A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-05-03.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160300978A1. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-13.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240266472A1. Автор: Jeonghyo Kwon,Junoh SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972745B2. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09947848B2. Автор: Masahiro Sakamoto,Satoshi SHICHIJO,Kazuhide YANASAKA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09941443B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Jung Sub Kim,Jin Sub Lee,Jae Hyeok HEO,Sam Mook KANG,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

High brightness, low-cri semiconductor light emitting devices including narrow-spectrum luminescent materials

Номер патента: US09905735B1. Автор: Brian Thomas Collins,Florin A. TUDORICA. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09887334B1. Автор: Sang Seok Lee,Joon Woo Jeon,Hyun Kwon HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780260B2. Автор: Han Kyu Seong,Nam Goo CHA,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09748438B2. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device array

Номер патента: US09680063B2. Автор: Mamoru Miyachi,Noriko Nihei. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device

Номер патента: US09608187B2. Автор: Kentaro Mineshita. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09564552B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor light emitting device including a pad electrode spaced apart from a transparent electrode

Номер патента: US09548422B2. Автор: Tae Hun Kim,Ki Seok Kim,Chan Mook Lim,Tae Kang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension

Номер патента: US7569407B2. Автор: Gerald H. Negley,Michael Leung. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor light emitting element, manufacturing method therefor, and compound semiconductor light emitting diode

Номер патента: US20070290216A1. Автор: Nobuyuki Watanabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor light emitting element array and image forming apparatus

Номер патента: EP1887627A2. Автор: Takao Yonehara,Tetsuya Takeuchi,Kenji Yamagata,Makoto Koto,Yoshinobu Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-02-13.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP3217440A1. Автор: MATHEW Manish,Masakazu Sugiyama,Yusaku Fujii. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210384378A1. Автор: Kenji Ikeda. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9112110B2. Автор: Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-18.

Semiconductor light-emitting element and display device comprising same

Номер патента: US20230335674A1. Автор: Junghoon Kim,Wonjae Chang,Chilkeun Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20180062035A1. Автор: Yusaku Fujii. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Production method for semiconductor light emittingt element and semiconductor light emitting element

Номер патента: EP1801892A1. Автор: Motoaki Iwaya,Satoshi 1804-4 Umegaoka 3-chome KAMIYAMA,Hiroshi 508 Takara-mansion Ymanote AMANO,Isamu 1-1-38-80 Joushin Nishi-ku AKASAKI,Hideki 67-2 Niiyaeueda Jimokuji-cho KASUGAI. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-06-27.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20110227035A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200357953A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150206922A1. Автор: Tatsuma Saito,Ryosuke KAWAI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package using same

Номер патента: US20170025573A1. Автор: Jung Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-26.

Manufacturing method of semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210013369A1. Автор: Sungjoon Kim,Inho Kim,Kiwon Park,Jaeyoon Kim,Daeyeop Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Oxide Semiconductor Light Emitting Device

Номер патента: US20100264411A1. Автор: Tetsuo Fujii,Tetsuhiro Tanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220376142A1. Автор: Joon Hee Lee,Ju Yong Park,Kyu Ho Lee,Seong Kyu Jang. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for forming contact layer on semiconductor light emitting device

Номер патента: US4686001A. Автор: Niro Okazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-08-11.

Lamp using semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP3904760A1. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Yangwoo Byun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-11-03.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160079480A1. Автор: Rei Hashimoto,Satoshi MITSUGI,Kei Kaneko,Chie Hongo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor light emitting device package including reflective electrode pattern

Номер патента: US20220320370A1. Автор: Seungwan CHAE,Myunggoo CHEONG,Youngkyu Sung,Dooho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060273332A1. Автор: Dong Jeon,Pil Kang,Tae Jang,Bong Yi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US09997670B2. Автор: Hyung Kun Kim,Ki Won Park,Dong Kuk Lee,Yong Min KWON,Dae Yeop HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09911902B2. Автор: Shigetoshi Ito,Makoto Sawamura,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09899571B2. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09755107B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor light emitting diode chip with current extension layer and graphical current extension layers

Номер патента: US09666779B2. Автор: Jiajia Li,Yi Zhang,Zhicong Li,Yijun Sun,Guohong Wang,Yaping Feng,Yuzhe JIN. Владелец: YANGZHOU ZHONGKE SEMICONDUCTOR LIGHTING CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09666753B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Daisuke Komori,Motoaki Iwaya,Kaku TAKARABE. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553235B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Ji Hye YEON,Jae Hyeok HEO,Dae Myung Chun,Hyun Seong KUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006838A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Yasushi Hattori,Genichi Hatakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US8895419B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Semiconductor light-emitting device and method for forming the same

Номер патента: US20150044794A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chia-Fen Tsai. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Gallium nitride compound semiconductor light emitting element and light source provided with said light emitting element

Номер патента: US20130126898A1. Автор: Shunji Yoshida,Toshiya Yokogawa,Ryou Kato. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US20150021653A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20210119083A1. Автор: Tomohiro Morishita,Akira Yoshikawa,Ryosuke Hasegawa,Ziyi Zhang,Aya Yokoyama,Yoshihito HAGIHARA. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20190140141A1. Автор: Tomohiro Morishita,Akira Yoshikawa,Ryosuke Hasegawa,Ziyi Zhang,Aya Yokoyama,Yoshihito HAGIHARA. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Group III nitride compound semiconductor light emitting element

Номер патента: US20030151357A1. Автор: Toshiya Uemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210193865A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Gan-based composition semiconductor light-emitting element and its window layer structure

Номер патента: US20040238839A1. Автор: Mu-Jen Lai,Chiung-Yu Chang. Владелец: Vtera Tech Inc. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160079485A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Group iii nitride semiconductor light-emitting element and wafer including such element configuration

Номер патента: US20190198714A1. Автор: Tomoaki Sato. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8872210B2. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230378393A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075795A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US9287378B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor light-emitting element and optical coupling device

Номер патента: US20160064599A1. Автор: Kenji Fujimoto,Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150008470A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20230282782A1. Автор: Dai Miyazaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130087805A1. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor light-emitting device including a reflector layer having a multi-layered structure

Номер патента: US20220190207A1. Автор: Junghee KWAK,Jungsung Kim,Seong Seok YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130126937A1. Автор: Shinya Nunoue,Eiji Muramoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120012884A1. Автор: Shinya Nunoue,Eiji Muramoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200227595A1. Автор: Joon Hee Lee,Ju Yong Park,Kyu Ho Lee,Seong Kyu Jang. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9391238B2. Автор: Tae-hun Kim,Seung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and electrode for the same

Номер патента: US20070040183A1. Автор: Mineo Okuyama,Hideki Tomozawa,Noritaka Muraki,Soichiro Masuyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060163593A1. Автор: Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240290915A1. Автор: Sungwoo Choi,Sanghyun Kim,Jiho YOU,Juwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7432535B2. Автор: Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Wavelength-converted semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4425585A1. Автор: Sungwoo Choi,Sanghyun Kim,Jiho YOU,Juwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09997668B2. Автор: Joong Kon Son,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09997663B2. Автор: Pun Jae Choi,Yu Seung Kim,Jin Bock Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light emitting device with light extraction structures

Номер патента: US09935242B2. Автор: Jonathan J. Wierer,Aurelien Jean Francois David,Henry Kwong-Hin Choy. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09680050B2. Автор: Pun Jae Choi,Yu Seung Kim,Jin Bock Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09634200B2. Автор: Yasuyuki Miyake,Wataru Tamura,Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

GaN compound semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US7964884B2. Автор: Jong-Lam Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-21.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8294165B2. Автор: Naomi Shida,Shinji Saito,Shinya Nunoue,Masahiro Yamamoto,Yasushi Hattori,Genichi Hatakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Light emitting element

Номер патента: US9196807B2. Автор: Hiroaki Matsumura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: WO2016021146A1. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Junpei Tajima,Toshihide Ito,Kenjiro Uesugi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-02-11.

Apparatus and method for self-assembling semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11869871B2. Автор: Hyunwoo Cho,Kiseong Jeon,Jideok Kim,Bongchu Shim,Juchan CHOI,Seulbitna LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20150349202A1. Автор: Hiroaki Yamamoto,Yufeng Weng,Susumu Ohmi,Kiminori TANABE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US11876148B2. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140361324A1. Автор: Kazuhiro Inoue,Yoshiharu Tsuboi,Teruo Takeuchi,Kazuhiro Tamura,Kenji Shimomura,Kazuhisa Iwashita,Toshihiro Kuroki,Toshihiro Komeya,Tetsuro Komatsu,Naoya Ushiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230352629A1. Автор: Yasunobu Hosokawa,Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220384681A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200365567A1. Автор: Changseo Park,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4270497A2. Автор: Yasunobu Hosokawa,Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4270497A3. Автор: Yasunobu Hosokawa,Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140061711A1. Автор: Eisuke Yokoyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140084328A1. Автор: Koji Matsumoto,Jiro Higashino. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

A semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP1220334A3. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Osamu Oda,Yuji Hori,Tomohiko Shibata. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-08-02.

Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12002914B2. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Masahiro Kume,Yasumitsu Kunoh,Masanobu Nogome,Yasutomo MITSUI. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor light emitting device manufacture method

Номер патента: US8043879B2. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-25.

Reflective type semiconductor light emitting device

Номер патента: US7834371B2. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150083997A1. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130146917A1. Автор: Takako Chinone. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor light emitting device substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20070290188A1. Автор: Chih-Ming Lai,Chang-Cheng Chuo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7388231B2. Автор: Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor light emitting device package and light source module using same

Номер патента: US09876149B2. Автор: Young Kyung KIM,Jae Jun BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor light emitting device including GaAs substrate

Номер патента: US09583673B2. Автор: Tadahiro Hosomi,Kentaro Mineshita. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09559279B1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor light emitting device and wafer

Номер патента: US20120001151A1. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor

Номер патента: US20080076316A1. Автор: Gerald Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor light emitting device having an optical plate including a meniscus control structure and method of manufacturing

Номер патента: US8455907B2. Автор: Kosaburo ITO,Takeshi WARAGAWA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-04.

Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110278538A1. Автор: Yu Seung Kim,Jung Ja YANG,Youn Joon Sung,Hyung Duk KO,Soo Jin Jung,Dae Cheon KIM,Byung Kwun LEE. Владелец: Lee Byung Kwun. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20160149081A1. Автор: Yukie Nishikawa,Hironori Yamasaki,Katsuyoshi Furuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor light emitting element fabrication method

Номер патента: US20140295598A1. Автор: Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki,Yuya Yamakami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210272936A1. Автор: Junghoon Kim,Dohee Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-09-02.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240162385A1. Автор: Tomoya Yamada. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor light emitting element and fabricating method

Номер патента: US20110303894A1. Автор: Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki,Yuya Yamakami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP3951894A1. Автор: Huiwen Li,Dongyan Zhang,Duxiang Wang,Shaohua Huang,Kuanfu PAN. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Semiconductor light emitting element and display device

Номер патента: EP4391093A1. Автор: Jaehyuk Lee,Chilkeun Park,Sungmin Park,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234635A9. Автор: Yu-Ling Lin,Chao-Hsing Chen,Jia-Kuen Wang,Tzu-Yao Tseng,Tsung-Hsun Chiang,Wen-Hung Chuang,Bo-Jiun Hu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor light emitting device manufacture method

Номер патента: US20110027922A1. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Surface treatment of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170012170A1. Автор: Yiwen RONG,James Gordon Neff,Tak Seng Thang. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2012107967A1. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Susumu Obata,Akiya Kimura,Miyuki Izuka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2673813A1. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Susumu Obata,Akiya Kimura,Miyuki Izuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150221828A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09960320B2. Автор: Akihiro Kojima,Susumu Obata. Владелец: Alpad Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09793436B2. Автор: Shih-I Chen,Rong-Ren LEE,Ching-Yuan Tsai,Chih-Hung Hsiao,Hao-Min Ku,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang,Kuan-Chih KUO. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09786819B2. Автор: Mitsuhiko Sakai,Masakazu Takao,Kazuhiko Senda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09748446B2. Автор: Soo Kun Jeon,Geun Mo JIN. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09705039B2. Автор: Akihiro Kojima,Susumu Obata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09553234B2. Автор: Nam Goo CHA,Wan Tae Lim,Min Wook CHOI,Geun Woo KO,Ki Hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor light-emitting devices grown on composite wafers

Номер патента: RU2515205C2. Автор: Мелвин Б. МАКЛОРИН,Майкл Р. КРЕЙМС. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-05-10.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US6576933B2. Автор: Hirohisa Abe,Kuniaki Konno,Koichi Nitta,Hideto Sugawara,Yasuo Idei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090026440A1. Автор: Takashi Kyono,Katsushi Akita,Hideki Hirayama. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8916901B2. Автор: Hisashi Ito,Toshiya Nakayama,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Kazuo Shimokawa,Akiya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240079387A1. Автор: Donghyun Kim,Jonghwa Won,Myungwhun CHANG,Yanghyun KIM,Jonggon SHIN,Kimun Paik,Seungho RYOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US11824140B2. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220149242A1. Автор: Yohei Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160343927A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor light-emitting element, lamp, electronic device and machine

Номер патента: US20130113012A1. Автор: Hironao Shinohara,Remi Ohba. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor light-emitting element, lamp, electronic device and machine

Номер патента: US8835966B2. Автор: Hironao Shinohara,Remi Ohba. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor light-emitting elements

Номер патента: US20020115229A1. Автор: Tsuyoshi Tsutsui,Kotaro Ogura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor light emitting device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160197229A1. Автор: Jung Hoon Kim,Il Woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220123174A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200411723A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20220181523A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Light-emitting element with cushion part

Номер патента: US12002904B2. Автор: Chao-Hsing Chen,Chien-Chih Liao,Min-Yen Tsai,Tsung-Hsun Chiang,Wen-Hung Chuang,Bo-Jiun Hu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12009457B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Iii-nitride compound semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007037654A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor light-emitting device and optical coupling device

Номер патента: US20240243222A1. Автор: Akira Tanaka,Masanobu Iwamoto,Katsufumi Kondo,Kenji Isomoto,Hideto Sugawara,Hiroaki Ootsuka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20180019380A1. Автор: Ju Hyun Kim,Sang Seok Lee,Gi Bum Kim,Ha Yeong Son,Jae Ryung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8912555B2. Автор: Heng Liu,Jinn Kong Sheu,Shih-Feng Shao. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2014-12-16.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140054627A1. Автор: Heng Liu,Jinn Kong Sheu,Shih-Feng Shao. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160099378A1. Автор: Sang Jun Lee,Seung Hyun Kim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-07.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170077346A1. Автор: Sang Jun Lee,Seung Hyun Kim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP4411820A1. Автор: Taehun Kim,Suyeol Lee,Hanul YOO,Dooho JEONG,Gyeongseon PARK,Taesung JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110031528A1. Автор: Jugo Mitomo,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240250229A1. Автор: Cheng Yu,Lixun Yang,Liqin ZHU,Daquan Lin. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20120193674A1. Автор: Jong Won Kim,Soo Kun Jeon,Eun Hyun Park,Jun Chun PARK. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Emissive device including first and second adjacent pixels sharing the same semiconductor light-emitting stack

Номер патента: US09825089B2. Автор: David Vaufrey. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09670592B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Group III nitride compound semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100244042A1. Автор: Yoshiki Saito,Yasuhisa Ushida. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120138985A1. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshiki Hikosaka,Tomoko MORIOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20170229609A1. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US20160020363A1. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US20160240742A1. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Nitride semiconductor light emitting element having light emitting layer including INxGa1-xN well layer and LED system

Номер патента: US9318659B2. Автор: Akira Inoue,Shunji Yoshida,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200168589A1. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-05-28.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387351A1. Автор: Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130087806A1. Автор: Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190326477A1. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Changseo Park,Byoungkwon Cho,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-10-24.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190305187A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230307598A1. Автор: Kisu Kim,Indo Chung,Jinsung Kim,Sungyun PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8461611B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshiki Hikosaka,Tomoko MORIOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150280061A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20020117961A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Osamu Oda,Yuji Hori,Tomohiko Shibata. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150123159A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor light-emitting device including buffer structure

Номер патента: US20230030530A1. Автор: Namsung KIM,Jaiwon Jean,Daemyung Chun,Joongseo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-02.

Gallium nitride based semiconductor light emitting diode and process for preparing the same

Номер патента: US20080286894A1. Автор: Jun Ho Seo,Seung Wan Chae,Hyoun Soo Shin,Jun Sub KWAK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240266474A1. Автор: Taehun Kim,Suyeol Lee,Hanul YOO,Dooho JEONG,Gyeongseon PARK,Taesung JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120104449A1. Автор: Young Chul Shin,Yung Ho Ryu,Hae Yeon Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09887321B2. Автор: Yi-Ming Chen,Tsung-Hsien Yang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09728523B2. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09640712B2. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor light-emitting device with light output structures

Номер патента: RU2491682C2. Автор: Орельен Дж. Ф. ДЭВИД,Хенри Квонг-Хин ЧОЙ,Джонатан Дж. ВЬЕРЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US9099594B2. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Member for semiconductor light emitting device and method for manufacturing such member, and semiconductor light emitting device using such member

Номер патента: US20090045422A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yutaka Mori,Masanori Yamazaki,Hanako Kato,Mari Abe,Tsubasa Tomura. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070145382A1. Автор: Suk Youn Hong,Pun Jae Choi,Sang Yeob Song. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor light emitting devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US11824148B2. Автор: Kyoung Min Kim,Jung Woo Han,Bong Hwan KIM. Владелец: Elphoton Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Micro semiconductor light-emitting diode structure and method for producing the same

Номер патента: WO2023156210A1. Автор: Harald KÖNIG,Norwin von Malm,Alvaro Gomez-Iglesias,Stefan HECKELMANN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-08-24.

Display device using semiconductor light-emitting devices, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240038930A1. Автор: Jisoo KO,Jungsub KIM,Gunho Kim,Yoonchul KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device package, semiconductor light-emitting device package manufactured thereby, and display device comprising same

Номер патента: US20230361095A1. Автор: Hooyoung SONG,Joodo Park,Myungshin CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor light emitting device package for display pixel and display device including the same

Номер патента: EP4322216A1. Автор: Changseo Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Gunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-14.

Nitride semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US20130214288A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Junko Iwanaga. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200119230A1. Автор: Yohei Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US9299903B1. Автор: Toshihide Ito,Satoshi MITSUGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US10903407B2. Автор: Yasuhiro Miki,Koichi TAKENAGA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20130248918A1. Автор: Takako Chinone,Mamoru Miyachi,Tatsuma Saito,Takanobu Akagi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120032214A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor light emitting device, wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor crystal layer

Номер патента: US20150102381A1. Автор: Hung Hung,Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Satoshi MITSUGI,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160079473A1. Автор: Rei Hashimoto,Satoshi MITSUGI,Kei Kaneko,Chie Hongo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method for forming current diffusion layer in semiconductor light emitting device and method for fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2012171493A1. Автор: WANG Zhang,Wanshi Chen. Владелец: Shenzhen Byd Auto R&D Company Limited. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420603A1. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US9530767B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Jumpei Tajima,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor light emitting element with magnetic layer, manufacturing method thereof, and display device including the same

Номер патента: US11978821B2. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor light emitting device package for display pixel and display device including the same

Номер патента: US20240055412A1. Автор: Changseo Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Gunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-15.

Electrode structure of roller unit for transferring semiconductor light-emitting element and intelligent integrated assembling and transferring device comprising same

Номер патента: US20240120218A1. Автор: Bongchu Shim,Jinhyung JUN,Kitae AN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-04-11.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105852A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20160079502A1. Автор: Toshihide Ito,Satoshi MITSUGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20210119094A1. Автор: Yasuhiro Miki,Koichi TAKENAGA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200044128A1. Автор: Yasuhiro Miki,Koichi TAKENAGA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8729585B2. Автор: Akihiro Fujiwara,Katsuhiko Nishitani,Kimitaka Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150041758A1. Автор: Yoshiki Saito,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Package for a semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1511090A3. Автор: Franklin J. Wall. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-12-09.

Semiconductor light emitting device package with wavelength conversion layer

Номер патента: US09871172B2. Автор: Hak Hwan Kim,Jung Tae Ok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09865773B2. Автор: Masahiko Sano,Motokazu Yamada,Isamu Niki,Shuji Shioji. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing nanostructure semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09842960B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Ji Hye YEON,Jung Sub Kim,Jin Sub Lee,Jae Hyeok HEO,Dae Myung Chun,Hyun Seong KUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09660150B2. Автор: Isamu Nishimura,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US09614121B1. Автор: Chul Min Kim,Joo Young CHEON,Jeong Wook Lee,Yong Seok Choi,Ho Chul Lee,Do Young RHEE,Dong Gyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8729578B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Semiconductor light emitting device having a reflective material, wavelength converting layer and optical plate with rough and plane surface regions, and method of manufacturing

Номер патента: US8581287B2. Автор: Kazuhiko Ueno,Toshihiro Seko,Kosaburo ITO,Soji Owada,Takeshi WARAGAYA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283070A1. Автор: Dong Ju Lee,Sun Woon Kim,Dong Joon Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2768036A3. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-13.

Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices

Номер патента: US20080055901A1. Автор: Akiko Saito,Masahiro Izumi,Tomohiro Sanpei,Shinji Nogi. Владелец: Toshiba Lighting and Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US7989820B2. Автор: Sang Youl Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-02.

Display device using semiconductor light emitting element, and method for manufacturing same

Номер патента: US20220416126A1. Автор: Kisu Kim,Changseo Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: EP2816614A1. Автор: Sang Youl Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-24.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US8816321B2. Автор: Kazuya Araki,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Yoshihiro Ueta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US10008635B2. Автор: Soo Kun Jeon,Il Gyun CHOI,Geun Mo JIN. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: WO2009002040A3. Автор: Sang Youl Lee. Владелец: Sang Youl Lee. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20110220911A1. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting apparatus

Номер патента: US20120220060A1. Автор: Seiichiro Kobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150076448A1. Автор: Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150236197A1. Автор: Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor light emitting device and light emitting device package including the same

Номер патента: US20220190201A1. Автор: Youngwoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120211724A1. Автор: Hidehiko Yabuhara,Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8698123B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Display device comprising semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4325569A1. Автор: Jungmin Kim,Jaeyoung Oh,Wonseok Choi,Gisang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor light-emitting device with groove and method of manufacturing the same

Номер патента: US11935910B2. Автор: Donggun Lee,Joosung KIM,Suhyun JO,Jongin YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor light emitting apparatus

Номер патента: US20160149089A1. Автор: Nao Shirokura,Fujito Yamaguchi. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor light emitting device and light emitting device assembly including the same

Номер патента: US20230253535A1. Автор: Jungwook Lee,Sungwook Lee,Sanghyun Kim,Sumin Hwangbo,YuJung KIM,Minwook Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor light emitting element, manufacturing method thereof, and display device including the same

Номер патента: EP3918644A1. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-12-08.

Semiconductor light-emitting device, semiconductor light-emitting device connecting structure, and method of producing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240030386A1. Автор: Takashi Momose. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Display device using semiconductor light emitting device surrounded by conductive electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US12015106B2. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor light-emitting device and light-emitting apparatus including the same

Номер патента: US20230178689A1. Автор: Gong Chen,Qing Wang,Kang-Wei Peng,Su-Hui Lin,Ling-yuan HONG,Dazhong Chen,Quanyang Ma. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12033989B2. Автор: Changseo Park,Kiseong Jeon,Bongchu Shim,Juchan CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor light-emitting device, method for forming recesses of the same, and light source apparatus using the same

Номер патента: US9196794B2. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Compound Semiconductor Light Emitting Device and Method of Preparing the Same

Номер патента: CA2170922A1. Автор: Hideki Matsubara,Akinori Koukitu,Yoshiki Miura,Hisashi Seki,Masato Matsushima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-09-28.

Nitride semiconductor light emitting chip and light emitting device having the same

Номер патента: WO2016085297A1. Автор: Jung-Sub Song. Владелец: ILJIN LED CO., LTD.. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US5103271A. Автор: Yasuo Ohba,Toshihide Izumiya,Ako Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-04-07.

Supporting substrate for manufacturing vertically-structured semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device using the supporting substrate

Номер патента: US20110114984A1. Автор: Tae Yeon Seong. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2011-05-19.

Supporting substrate for manufacturing vertically-structured semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device using the supporting substrate

Номер патента: EP2333845A2. Автор: Tae Yeon Seong. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2011-06-15.

Compound semiconductor light emitting device and method of preparing the same

Номер патента: US5756374A. Автор: Hideki Matsubara,Akinori Koukitu,Yoshiki Miura,Hisashi Seki,Masato Matsushima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Semiconductor Light-Emitting Element

Номер патента: US20200287088A1. Автор: Soo Kun Jeon,Yeon Ho Jeong,Il Gyun CHOI,Geun Mo JIN,Jun Chun PARK. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130248893A1. Автор: Yoshiaki Sugizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230238475A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot,Miho MATSUZAKI. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9059375B2. Автор: Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor light-emitting device package and display device comprising same

Номер патента: US20240038933A1. Автор: Sungjin Park,Taesu Oh,Joonkwon Moon,Bongseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20190131503A1. Автор: Kosuke Yahata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9136253B2. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150001572A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120132943A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190221715A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8525210B2. Автор: SATOSHI Tanaka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-03.

Semiconductor light emitting devices

Номер патента: US9431578B2. Автор: Young Chul Shin,Tae Hun Kim,Myong Soo Cho,Young Ho Ryu,Dong Myung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor light emitting devices

Номер патента: US20140209956A1. Автор: Young Chul Shin,Tae Hun Kim,Myong Soo Cho,Young Ho Ryu,Dong Myung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20120168812A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20110042710A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140167233A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor light emitting device and fabrication method of the semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140332840A1. Автор: Masakazu Takao,Kazuhiko Senda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US11316073B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Display device comprising semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4318583A1. Автор: Moonsun Lee,Wonseok Choi,Hyeseon Eom,DooHyun YOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor light emitting device for display pixel and display device including the same

Номер патента: US20240030182A1. Автор: Sunghyun Hwang,Wonjae Chang,Minwoo Lee,Chunghyun Lim,Myoungsoo Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-25.

III-nitride semiconductor light-emitting device comprising barrier layers and well layers and method of producing the same

Номер патента: US11984535B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150340348A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Pixel-type semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190326349A1. Автор: Jong-Hyun Lee,Yong-Min Kwon,Geun-woo KO,Jung-Wook Lee,Pun-Jae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: EP2642518A3. Автор: Yoshiaki Sugizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150270462A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Display device comprising semiconductor light emitting element

Номер патента: US20240186473A1. Автор: Moonsun Lee,Wonseok Choi,Hyeseon Eom,DooHyun YOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120295378A1. Автор: Katsuhiro Tomoda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Vehicle lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20180313514A1. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120205705A1. Автор: SATOSHI Tanaka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2174358A2. Автор: Ho Sang Yoon,Sang Kyun SHIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US20230011141A1. Автор: Sun Kim,Junghun Lee,Seolyoung Choi,KyoungJun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for manufacturing light-emitting element and method for removing hydrogen from light-emitting element

Номер патента: US20220231189A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Shinichi Matsui,Hiroshi Miwa,Yoshiki Saito,Kengo Nagata,Hisanori Ishiguro,Shinya Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09577156B2. Автор: Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8624276B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8981395B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor light-emitting apparatus integrated with heat-conducting/dissipating module

Номер патента: CA2610220C. Автор: Jen-Shyan Chen. Владелец: NeoBulb Technologies Inc. Дата публикации: 2010-05-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US10008648B2. Автор: Soo Kun Jeon,Kyoung Min Kim,Eun Hyun Park,Dong So JUNG,Kyeong Jea WOO. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9472739B2. Автор: Hyung Jo Park. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2765618A3. Автор: Shinya Nunoue,Toshihide Ito,Satoshi MITSUGI,Hiroshi Katuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-04.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US8053756B2. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Chip tray for self-assembly and method for supplying semiconductor light emitting diode

Номер патента: US20230061671A1. Автор: Inbum YANG,Junghun RHO,Sangsik JUNG,Bongwoon CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060243996A1. Автор: Mitsunori Ueda,Naoji Nada,Tetsuyuki Yoshida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: CA1234421A. Автор: Hiroshi Okuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-03-22.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150372196A1. Автор: Hiroaki Matsumura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120298952A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus

Номер патента: US20070145385A1. Автор: Hitoshi Sugiyama,Yasuharu Sugawara,Kenichi Ohashi,Yasuhiko Akaike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130075771A1. Автор: Kenji Nakamura,Akira Fujimoto,Ryota Kitagawa,Tsutomu Nakanishi,Takanobu Kamakura,Shinji Nunotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230411581A1. Автор: Taisuke Okada,Masahiko Kobayakawa,Junichi Itai,Shintaro YASUDA,Kazuhiro Mireba. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230420629A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180040768A1. Автор: Sung Jun Park,Chi-Yoon Lee,Young sub Shin,Shiyoung LEE,Sun Hyun OH,Kyoyoung AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

III-nitride semiconductor light-emitting device and method of producing the same

Номер патента: US11804567B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230411553A1. Автор: Tomoya Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140284637A1. Автор: Kazuhiro Akiyama,Shuji Itonaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Method For Producing Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150236193A1. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US10475952B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140008695A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150091040A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180287029A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8154045B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US7825426B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130256727A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideo Shiozawa,Takayoshi Fujii,Toshiyuki Terada,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: EP2528115A3. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-31.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11784295B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3871263A1. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-09-01.

Semiconductor light-emitting structure

Номер патента: US8823038B2. Автор: Kuo-Chen Wu,Wei-Chih Wen,jun-sheng Li. Владелец: Huga Optotech Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus

Номер патента: US20140252395A1. Автор: Koichi Tachibana,Kotaro Zaima,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2219240A3. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230378415A1. Автор: Kenya Hashimoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180182914A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for manufacturing a semiconductor light emitting device

Номер патента: US6200827B1. Автор: Hiroyuki Ota,Yoshinori Kimura. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 2001-03-13.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150083993A1. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus

Номер патента: US8766311B2. Автор: Koichi Tachibana,Kotaro Zaima,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-01.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US9159879B2. Автор: Hiroaki Matsumura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160035938A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US20140295602A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Maki Sugai,Toshiki Hikosawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Display device using semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3837719A1. Автор: Jin Jang,Sunghwan Kim,Jaegwang Um. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2021-06-23.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140070255A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus

Номер патента: US20120217524A1. Автор: Koichi Tachibana,Kotaro Zaima,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Method for producing compound semiconductor light-emiting device

Номер патента: US20120080712A1. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210336081A1. Автор: Tsung-Hong Lu. Владелец: Kaistar Lighting Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for manufacturing light-emitting element and method for removing hydrogen from light-emitting element

Номер патента: US11916164B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Shinichi Matsui,Hiroshi Miwa,Yoshiki Saito,Kengo Nagata,Hisanori Ishiguro,Shinya Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Assembly substrate structure of semiconductor light emitting device display device and display device including the same

Номер патента: US20230299064A1. Автор: Yangwoo Byun,Jaeyong AN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Assembly apparatus for assembling semiconductor light emitting diode to display panel

Номер патента: US20200279826A1. Автор: Hyunwoo Cho,Dohee Kim,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-09-03.

Assembly apparatus for assembling semiconductor light emitting diode to display panel

Номер патента: US11502055B2. Автор: Hyunwoo Cho,Dohee Kim,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-11-15.

Gallium nitride based semiconductor light emitting diode and process for preparing the same

Номер патента: US20060033116A1. Автор: Jun Seo,Seung Chae,Hyoun Shin,Jun Kwak. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12074267B2. Автор: Hooyoung SONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Nitride-based semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110057219A1. Автор: Chih-Chen Lai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US12132154B2. Автор: Wooseok JANG,Dongmyung Shin,Sunhwan HWANG,DaeSup Kim,Dongkuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor light emitting device including zinc oxide-based transparent conductive thin film, and fabrication method thereof

Номер патента: US20130099255A1. Автор: Jung Hyun Lee,Jong Hyun Lee,Young Sun Kim,Ki Sung Kim,Suk Ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09876137B2. Автор: Hirotaka Obuchi,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Dry etching method of manufacturing semiconductor light emitting device substrate

Номер патента: US09748441B2. Автор: Kei Shinotsuka,Kotaro Dai,Yoshihisa Hatta,Yasuhito KAJITA. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8735926B2. Автор: Takaaki Sakai,Takeshi WARAGAYA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-27.

Gallium nitride compound-based semiconductor light emitting device and process for producing gallium nitride compound-based semiconductor thin film

Номер патента: MY114592A. Автор: Takeishi Hidemi,Kamei Hidenori,Oku Yasunari,Shinagawa Shuuichi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-30.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8878213B2. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Naoharu Sugiyama,Shigeya Kimura,Tomonari SHIODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Semiconductor light-emitting device with InGaAlP

Номер патента: US5235194A. Автор: Yasuo Ohba,Toshihide Izumiya,Ako Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Interconnects for semiconductor light emitting devices

Номер патента: US20070057271A1. Автор: Paul Martin,Daniel Steigerwald,Decai Sun,Stefano Schiaffino,Ashim Haque. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20100102355A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US4623907A. Автор: Hiroshi Okuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-11-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20100163893A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20040256627A1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Chih-Sung Chang,Tzer-Perng Chen. Владелец: United Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317877A1. Автор: Liyang Zhang,Zhizhong Guo. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting package

Номер патента: US20210143300A1. Автор: Sungjoon Kim,Sanghyun Kim,Jae-Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Lamp using semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11804585B2. Автор: MinGu Kang,Hooyoung SONG,Bongseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230402490A1. Автор: Tae Hyun Kim,Sung Chan Lee. Владелец: Sl Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2156478A1. Автор: Hyo Kun Son. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-24.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method

Номер патента: US20190189832A1. Автор: Do Yeol Ahn,Seung Hyun Yang. Владелец: Petalux Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110186812A1. Автор: Tae Yun Kim,Hyo Kun Son. Владелец: Hyo Kun Son. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160211412A1. Автор: Chih-Chiang Lu,Shih-I Chen,Hsin-Chih CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for producing a high-luminance semiconductor light-emitting device capable of operating at a low voltage

Номер патента: US20020098606A1. Автор: Junichi Nakamura,Hiroshi Nakatsu,Kazuaki Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for fabrication of semiconductor light-emitting device and the device fabricated by the method

Номер патента: WO2006019180A1. Автор: Koji Yakushiji. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-02-23.

Vertical cavity-type semiconductor light-emitting device and optical module using vertical cavity -type semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20020038869A1. Автор: Keiji Takaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor light-emitting devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11804513B2. Автор: Inho Kim,Juhyun Kim,Jungwook Lee,Sangbum Lee,Yongmin Kwon,Geunwoo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20180287014A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Intelligent integrated assembly and transfer apparatus for semiconductor light emitting device

Номер патента: US11996393B2. Автор: Hyunwoo Cho,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20050093015A1. Автор: Hiroshi Nakatsu,Takahisa Kurahashi,Shouichi Ohyama,Tetsurou Murakami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140284611A1. Автор: Kazuhiro Akiyama,Shuji Itonaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2008143460A1. Автор: Hyo Kun Son. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD. Дата публикации: 2008-11-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190371968A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Fabrication method of semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20030008430A1. Автор: Junichi Nakamura,Kazuaki Sasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210043802A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Zn-base semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060246618A1. Автор: Jun-Ya Ishizaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200388725A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor light-emitting devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210366982A1. Автор: Inho Kim,Juhyun Kim,Jungwook Lee,Sangbum Lee,Yongmin Kwon,Geunwoo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor light-emitting device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US9099612B2. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang,Wei-Yu Chen,Chiu-Lin Yao,Li-Ming Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Vehicle lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20180315893A1. Автор: Eunah Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240213430A1. Автор: Dongwoo Kim,Jiheon OH,Joongil LEE,Kwonjoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Organic optoelectronic component with a light emitting element and a light detecting element and method for operating such an organic optoelectronic component

Номер патента: US09721992B2. Автор: Michael Popp,Marc Philippens. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Projection device, projection control method, and storage medium, suitable for projector or the like using semiconductor light-emitting element as light source

Номер патента: US09958763B2. Автор: Toshiharu Arai,Takeo ISHIZU. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor light-emitting element mounting module, semiconductor light-emitting element module, semiconductor light-emitting element light fixture, and manufacturing method of semiconductor light-emitting element mounting module

Номер патента: US20120051052A1. Автор: Atsushi Sato,Toru Wagatsuma. Владелец: Kyocera Elco Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240042166A1. Автор: Chun-Yi Wu,Bing-Xian CHUNG,Weifan KE. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ILLUMINATING DEVICE

Номер патента: US20120002134A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,OYA Mitsuaki,YANO Tadashi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2479892C2. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Сергей Юрьевич Курин,Хелава Хейкки,Татьяна Юрьевна Чемекова,Андрей Алексеевич Антипов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н". Дата публикации: 2013-04-20.

Semiconductor light-emitting instrument

Номер патента: RU2461916C1. Автор: Юрий Владимирович Сахаров,Павел Ефимович Троян,Сергей Петрович Усов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР). Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor light-emitting element and method for designing phase modulation layer

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты