Multi-resistance-state spintronic device, read-write circuit, and in-memory boolean logic operator
Номер патента: US20240087628A1
Опубликовано: 14-03-2024
Автор(ы): Changqing Xie, Di Wang, Feng Zhang, Guozhong XING, Huai Lin, LING Li, Long Liu, Ming Liu
Принадлежит: Institute of Microelectronics of CAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-03-2024
Автор(ы): Changqing Xie, Di Wang, Feng Zhang, Guozhong XING, Huai Lin, LING Li, Long Liu, Ming Liu
Принадлежит: Institute of Microelectronics of CAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
In-memory computing unit and in-memory computing circuit having reconfigurable logic
Номер патента: US20230178133A1. Автор: Jing Xu,YAN Cui,Jun Luo,Meiyin YANG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-08.