SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME
Номер патента: US20150365049A1
Опубликовано: 17-12-2015
Автор(ы): ABE Susumu, NAKAMURA Takashi, NISHIOKA Soshiro, Ozawa Osamu, Taniguchi Kazuya, TANIMURA Masaaki
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-12-2015
Автор(ы): ABE Susumu, NAKAMURA Takashi, NISHIOKA Soshiro, Ozawa Osamu, Taniguchi Kazuya, TANIMURA Masaaki
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same
Номер патента: US20160011620A1. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-14.