Method of forming active well on the semiconductor device
Реферат: 본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 소자의 다중 활성영역 형성방법에 있어서, 반도체 기판에 P형 불순물을 이온 주입하고 열산화시켜 P형 활성영역과 제1실리콘 산화막이 형성되도록 하는 단계와, 상기 제1실리콘 산화막을 사진식각하면서, 계속하여 상기 P형 활성영역을 그 깊이 이상으로 식각하여 N형 활성영역이 형성된 부위에 트렌치(trench)를 형성하는 단계와, 상기 트렌치와 상기 제1실리콘 산화막 표면을 열산화시켜서, 상기 트렌치 표면에 제2실리콘 산화막이 형성됨과 동시에 상기 제1실리콘 산화막이 상기 제2실리콘 산화막보다 두꺼워지도록 하는 단계와, 상기 제1 및 제2실리콘 산화막을 이방성 건식 식각(etch-back) 하여 상기 트렌치 측면에는 사이드 월이 형성되고, 저면은 노출되도록 하고, P형 활성영역 위에는 산기 제1실리콘 산화막이 잔류하도록 한후에, 에피택셜 공정을 실시하여 상기 트렌치 내에만 N형 활성영역을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, the method comprising: implanting and thermally oxidizing P-type impurities into a semiconductor substrate to form a P-type active region and a first silicon oxide film. And subsequently etching the first silicon oxide layer, and subsequently etching the P-type active region to a depth greater than that depth to form a trench in a portion where an N-type active region is formed. Thermally oxidizing a silicon oxide layer so that a second silicon oxide layer is formed on the trench surface and the first silicon oxide layer is thicker than the second silicon oxide layer, and the first and second silicon oxide layers are anisotropic dry etched. sidewalls are formed on the side surfaces of the trench, the bottom surface is exposed, and the first diffuser is formed on the P-type active region. And allowing the silicon oxide film to remain, followed by an epitaxial process to form an N-type active region only in the trench.
Method of using an ion implantation process to prevent a shorting issue of a semiconductor device
Номер патента: US09859402B2. Автор: Ching-Wen Hung,Rai-Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.