• Главная
  • Non-contact measurement of the dopant content of semiconductor layers

Non-contact measurement of the dopant content of semiconductor layers

Реферат: A system and method of non-contact measurement of the dopant content of semiconductor material by reflecting infrared (IR) radiation off of the material and splitting the radiation into two beams, passing each beam through pass band filters of differing wavelength ranges, comparing the level of energy passed through each filter and calculating the dopant content by referencing a correlation curve made up of known wafer dopant content for that system.

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Non-contact measurement of a stress in a film on a substrate

Номер патента: US10964730B2. Автор: Wojciech Jan Walecki,Oanh Nguyen. Владелец: Applejack 199 LP. Дата публикации: 2021-03-30.

Method for non-destructive, non-contact measurement of dielectric constant of thin films

Номер патента: US5528153A. Автор: Wei-Yung Hsu,Kelly J. Taylor. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-06-18.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4160657A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Measurement of composition for thin films

Номер патента: US20130006539A1. Автор: XIANG Gao,Leonid Poslavsky,Qiang Zhao,Torsten R. Kaack,Ming Di. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Measurement of composition for thin films

Номер патента: WO2013003122A2. Автор: XIANG Gao,Leonid Poslavsky,Torsten Kaack,Qiang Zhao,Ming Di. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

Measurement of composition for thin films

Номер патента: WO2013003122A3. Автор: XIANG Gao,Leonid Poslavsky,Torsten Kaack,Qiang Zhao,Ming Di. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-06.

NON-CONTACT MEASUREMENT OF A STRESS IN A FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20200152783A1. Автор: Nguyen Oanh,Walecki Wojciech Jan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

NON-CONTACT MEASUREMENT OF A STRESS IN A FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20180308971A1. Автор: Nguyen Oanh,Walecki Wojciech Jan. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US20220229087A1. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US11656245B2. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Endoscopic non-contact measurement device

Номер патента: WO2019137946A1. Автор: Jacques Deviere,Alain Delchambre,Benjamin Mertens,Maxime Petre,Dimitri Leduc. Владелец: Universite Libre de Bruxelles. Дата публикации: 2019-07-18.

Endoscopic non-contact measurement device

Номер патента: CA3086089A1. Автор: Jacques Deviere,Alain Delchambre,Benjamin Mertens,Maxime Petre,Dimitri Leduc. Владелец: Universite Libre de Bruxelles ULB. Дата публикации: 2019-07-18.

Endoscopic non-contact measurement device

Номер патента: AU2019207675A1. Автор: Jacques Deviere,Alain Delchambre,Benjamin Mertens,Maxime Petre,Dimitri Leduc. Владелец: Universite Libre de Bruxelles ULB. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Magnetic field sensor arrangement and method for non-contact measurement of a magnetic field

Номер патента: WO2007071383A3. Автор: Josef Janisch,Manfred Brandl,Sari Abwa. Владелец: Sari Abwa. Дата публикации: 2007-08-09.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Non-contact measurement device for golf course green

Номер патента: WO2017217698A1. Автор: 오진우. Владелец: 오진우. Дата публикации: 2017-12-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Determining spacing of semiconductor dies using a spatially varying charge distribution

Номер патента: EP2764539A1. Автор: Ivan E. Sutherland. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2014-08-13.

Determining spacing of semiconductor dies using a spatially varying charge distribution

Номер патента: WO2013052502A1. Автор: Ivan E. Sutherland. Владелец: ORACLE INTERNATIONAL CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Method and apparatus for measuring temperature of semiconductor layer

Номер патента: CA2837164C. Автор: YVES Lacroix. Владелец: YSystems Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and System for Wafer Level Testing of Semiconductor Chips

Номер патента: US20120013359A1. Автор: Zhaojun SHAO. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-01-19.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Detecting defects of semiconductor manufacturing assemblies

Номер патента: WO2024107370A1. Автор: Chih-Yang Chang,Yao-Hung Yang,Shannon WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor Arrangement and Method for the Measurement of a Resistance

Номер патента: US20090237105A1. Автор: Alexander Costa. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2009-09-24.

Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same

Номер патента: US20240201223A1. Автор: Toshitsugu Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Apparatus for testing reliability of semiconductor sample

Номер патента: WO2006065073A1. Автор: Tae Hong Kim,Jong Jun You,Young Goo Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2006-06-22.

Modular non-contact measurement device for quickly and accurately obtaining dimensional measurement data

Номер патента: US6858857B2. Автор: Alfred A. Pease,Tim Ewald. Владелец: Perceptron Inc. Дата публикации: 2005-02-22.

A modular non-contact measurement device for quickly and accurately obtaining dimensional measurement data

Номер патента: EP1629304A2. Автор: Alfred A. Pease,Tim Ewald. Владелец: Perceptron Inc. Дата публикации: 2006-03-01.

Non-contact measurement method and apparatus

Номер патента: US3682554A. Автор: Lawrence F Flaczynski. Владелец: Reliance Electric Co. Дата публикации: 1972-08-08.

Non-contact measurement of surface profile

Номер патента: CA1164094A. Автор: Thomas M. Cipolla,Joseph L. Mundy,Gilbert B. Porter, Iii. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-03-20.

Method and system for automatic non-contact measurements of optical properties of optical objects

Номер патента: EP1061329A3. Автор: Peter A. Vokhmin. Владелец: Prolaser Ltd. Дата публикации: 2001-04-25.

Non-Contact Measurement of Material Remaining in Expendable Spools

Номер патента: US20210229947A1. Автор: David Alan Bultman,Rudy Padilla. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2021-07-29.

Three-dimensional non-contact measurement

Номер патента: GB2301183A. Автор: Piero Cerruti. Владелец: DEA Digital Electronic Automation SpA. Дата публикации: 1996-11-27.

Anti-two block device using non-contact measuring and detecting devices

Номер патента: CA2255234C. Автор: Dennis W. Eckstine,William W. Banks, Jr.,Jon E. Fleagle,Francis R. Eyler. Владелец: Grove US LLC. Дата публикации: 2006-03-28.

Non-contact measurement of flow parameters

Номер патента: RU2435523C2. Автор: Надер НАЗАРИФАР,Юрий М. ШКАРЛЕТ,Лоуренс Дж. ДРОСТ. Владелец: Алькон, Инк.. Дата публикации: 2011-12-10.

Multi-sensor synchronous non-contact measuring probe of an infrared thermometer

Номер патента: EP4368954A1. Автор: LIANG Cao. Владелец: Famidoc Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Multi-sensor synchronous non-contact measuring probe of infrared thermometer

Номер патента: US20230280213A1. Автор: LIANG Cao. Владелец: Famidoc Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Selection of regions of interest for measurement of misregistration and amelioration thereof

Номер патента: WO2020263461A1. Автор: Roie VOLKOVICH,Moran Zaberchik. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2020-12-30.

Non-contact measuring method and apparatus of Seebeck coefficient

Номер патента: KR101408681B1. Автор: 한승우,우창수,박현성. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2014-07-02.

Means and method for on-line determination of the aromatic naphthene and paraffin contents of charge oil

Номер патента: CA963835A. Автор: William D. White. Владелец: Texaco Development Corp. Дата публикации: 1975-03-04.

System and method for the measurement of the mineral and/or elemental content of ore

Номер патента: WO2024173979A1. Автор: Christopher Beal. Владелец: NextOre Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

System and method for non-invasive and non-contact measurement in early therapeutic intervention

Номер патента: US20180296154A1. Автор: Matthew J. Johnson,Janos Redei,Ethan C. GREEN. Владелец: I2DX Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Method and apparatus for non-contact measurement of object surfaces

Номер патента: US5251156A. Автор: Karl-Hermann Breyer,Helmut Heier,Klaus-Peter Koch. Владелец: CARL ZEISS AG. Дата публикации: 1993-10-05.

Non-contacting measuring probe

Номер патента: US3692414A. Автор: Harry L Hosterman,Charles B Barnett,Clarence A Ripley Jr. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-09-19.

Multiple axis multipoint non-contact measurement system

Номер патента: CA2536411C. Автор: Leonard Metcalfe,Terry Arden. Владелец: LMI Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

NON-CONTACT MEASUREMENT OF MEMORY CELL THRESHOLD VOLTAGE

Номер патента: US20190189237A1. Автор: Lyonsmith Shawn D.,Liu Zengtao T.,Wang Hongmei,HILL Ervin T.,Majumdar Amitava,Kamana Rajesh,Hug Marlon W.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

NON-CONTACT MEASUREMENT OF MEMORY CELL THRESHOLD VOLTAGE

Номер патента: US20190341122A1. Автор: Lyonsmith Shawn D.,Liu Zengtao T.,Wang Hongmei,HILL Ervin T.,Majumdar Amitava,Kamana Rajesh,Hug Marlon W.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Non-contact measuring device

Номер патента: US10982948B1. Автор: Ai-Ning Wang. Владелец: Triple Win Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-20.

Vehicle equipment with the scanning system for non-contact measurement

Номер патента: CN106461378B. Автор: 贾恩卡洛·托里,加布里埃莱·科拉因. Владелец: SAMBO CO Ltd. Дата публикации: 2019-10-25.

Non-contacting measurement of surface temperature

Номер патента: US4501504A. Автор: Laszlo Urmenyi,William R. Urmenyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-02-26.

ENDOSCOPIC NON-CONTACT MEASUREMENT DEVICE

Номер патента: US20210068708A1. Автор: DEVIERE Jacques,DELCHAMBRE Alain,Mertens Benjamin,PETRE Maxime,LEDUC Dimitri. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

Non-contact measurement systems for wireline and coiled tubing

Номер патента: CA2735692A1. Автор: Kenneth R. Newman,Trevor K.C. Pugh,Patrick A. Kelleher. Владелец: National Oilwell Varco LP. Дата публикации: 2010-04-29.

Non-contact measurement systems for wireline and coiled tubing

Номер патента: EP2356612A4. Автор: Kenneth R Newman,Trevor K C Pugh,Patrick A Kelleher. Владелец: National Oilwell Varco LP. Дата публикации: 2014-07-02.

Non-contact measurement systems for wireline and coiled tubing

Номер патента: WO2010047964A1. Автор: Kenneth R. Newman,Trevor K.C. Pugh,Patrick A. Kelleher. Владелец: NATIONAL OILWELL VARCO L.P.. Дата публикации: 2010-04-29.

Endoscopic non-contact measurement device

Номер патента: EP3737285C0. Автор: Jacques Deviere,Alain Delchambre,Benjamin Mertens,Maxime Petre,Dimitri Leduc. Владелец: Universite Libre de Bruxelles ULB. Дата публикации: 2023-08-09.

Semiconductor structure and method of overlay measurement of semiconductor structure

Номер патента: US20240266234A1. Автор: Chan Hen YANG,Yun Chen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Automated fault isolation of flight control surfaces and damage detection of aircraft through non-contact measurement

Номер патента: GB201809313D0. Автор: . Владелец: GE Aviation Systems Taleris Ltd. Дата публикации: 2018-07-25.

Semiconductor device having a crystallized island semiconductor layer

Номер патента: US5567967A. Автор: Naoto Kusumoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-22.

Method and apparatus for non-contact measurement of internal quantum efficiency in light emitting diode structures

Номер патента: SG11201601952RA. Автор: Vladimir N Faifer. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Relay contact alignment non-contact measurement method based on machine vision

Номер патента: CN111624203A. Автор: 李文华,赵正元,解卫东,潘如政. Владелец: HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-09-04.

Method and Apparatus for Non-Contact Measurement of Internal Quantum Efficiency in Light Emitting Diode Structures

Номер патента: US20150077741A1. Автор: Faifer Vladimir N.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Non-contact measurement method and device for mass of particles

Номер патента: JP2023125301A. Автор: Kenichi Ogawa,健一 小川,Osamu Matsuda,修 松田. Владелец: Kyushu University NUC. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for reagentless measurement of the total organic carbon content of an aqueous sample

Номер патента: US5672516A. Автор: Eldon L. Jeffers. Владелец: Fellweger Analytics Inc. Дата публикации: 1997-09-30.

Asphaltene content of heavy oil

Номер патента: US10012074B2. Автор: Albert Ballard Andrews,Andrew E. Pomerantz,Zied Ben HAMAD,Youxiang Zuo,Oliver Clinton Mullins. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Method for inductive measurement of a dimension of an object

Номер патента: AU6035600A. Автор: Sten Linder. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2001-01-31.

Method and device for non-contact measurement of the thickness of strip materials

Номер патента: FR67779E. Автор: . Владелец: EXATEST GES fur MESSTECHNIK M. Дата публикации: 1958-03-19.

Non-contact measurement apparatus for conductivity and permitivity change of non-conductor using rf signal

Номер патента: KR101885666B1. Автор: 이규영. Владелец: (주) 멀티패스. Дата публикации: 2018-08-06.

Non-contact measurement apparatus for conductivity and permittivity change of non-conductor using rf signal

Номер патента: KR102201202B1. Автор: 이규영. Владелец: (주) 멀티패스. Дата публикации: 2021-01-11.

Test method for non-contact measurement of wave velocity of rock in fidelity environment

Номер патента: ZA202100601B. Автор: Gao Feng,BAI YUN,Xie Jing,GAO Mingzhong,GAO Yanan. Владелец: Univ China Mining. Дата публикации: 2022-01-26.

Method and device for non-contact measurement of high moisture contents in strip materials

Номер патента: FR1421757A. Автор: Heinz Mahlo. Владелец: . Дата публикации: 1965-12-17.

Non contact measuring system of tube using laser ultrasonics

Номер патента: KR100508782B1. Автор: 김현묵,장경영,정경일. Владелец: 학교법인 한양학원. Дата публикации: 2005-08-22.

Contactless sensor for measurement of contents of a reactor

Номер патента: WO2023192983A1. Автор: Geraint Owen. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-10-05.

Indirect measurement of interferon levels in vivo by determining content of Mx proteins

Номер патента: DE19748287A1. Автор: Peter Von Dr Med Wussow. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-01-07.

Semiconductor element and multiplexer including a plurality of semiconductor elements

Номер патента: US20230141173A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190267097A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Measurement of stitching error using split targets

Номер патента: US12094100B2. Автор: YOEL Feler,Mark Ghinovker. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210126115A1. Автор: Takahiro Iguchi,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US10424384B2. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-24.

Semiconductor manufacturing apparatus and processing method of semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20230170235A1. Автор: Hiromichi Fujii,Takashi KUNIEDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for computer aided design of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20060288321A1. Автор: Akinori Shibayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-21.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips in a stacked structure

Номер патента: EP4411813A1. Автор: Minseok KANG,Sungwook Moon,Duhyoung AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor layers covering an emission layer

Номер патента: US12009309B2. Автор: Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Temperature control of semiconductor processing chambers

Номер патента: WO2014040038A2. Автор: Michael Nam,David Gunther,Jae Yeol Park,Kyle PETERSEN. Владелец: Semicat, Inc.. Дата публикации: 2014-03-13.

Display device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180308916A1. Автор: Sun Ho Kim,Sun Hee Lee,Young Gug Seol,Ju Chan Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307010A1. Автор: Yoshiyuki Takasu,Fumiharu Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus and method for dynamic measurement of surface roughness

Номер патента: WO1996027776A1. Автор: James Glenn Valiant,David George Goebel. Владелец: Optical Dimensions, L.L.C.. Дата публикации: 1996-09-12.

Multiple axis multipoint non-contact measurement system

Номер патента: US20070210240A1. Автор: Leonard Metcalfe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

METHOD FOR THE AUTOMATIC NON-CONTACT MEASUREMENT OF THE HEIGHT OF VANE OF MOVING TURBINES

Номер патента: FR2287677A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-05-07.

DEVICE FOR THE NON-CONTACT MEASUREMENT OF THE LENGTH OF SHAPED BODIES IN MOVEMENT, PARTICULARLY OF INCANDESCENT SEMI-PROCESSED

Номер патента: IT7868279D0. Автор: . Владелец: Nukem GmbH. Дата публикации: 1978-06-02.

Method and apparatus for non-contact measurement of the shape of an object

Номер патента: KR19980081410A. Автор: 가비 호로비치. Владелец: 넥스텍 리미티드. Дата публикации: 1998-11-25.

Method and device for non-contact measurement of the alignment of motor vehicle wheels

Номер патента: EP1887317A1. Автор: Fabio Boni,Monica Carfagni,Rocco Furferi,Lapo Governi. Владелец: FASEP 2000 Srl. Дата публикации: 2008-02-13.

Method and device for non-contact measurement of the alignment of motor vehicle wheels

Номер патента: US7774946B2. Автор: Fabio Boni,Monica Carfagni,Rocco Furferi,Lapo Governi. Владелец: FASEP 2000 Srl. Дата публикации: 2010-08-17.

DEVICE FOR AUTOMATIC AND NON-CONTACT MEASUREMENT OF THE VOLUME OF A LAYER DEPOSITED ON A SUBSTRATE

Номер патента: FR2537716A1. Автор: . Владелец: Carreras Michelle. Дата публикации: 1984-06-15.

DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF THE POSITION OF A FIRST PART IN RELATION TO A SECOND PART

Номер патента: FR2621114B1. Автор: Hugues Chollet,Jean-Louis Maupu. Владелец: INST NAL RECH TRANSPORTS. Дата публикации: 1991-05-17.

METHOD AND APPARATUS FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF THE THICKNESS OF SURFACE COATINGS

Номер патента: FR2526937B1. Автор: Daniel Garcia. Владелец: GERZAT METALLURG. Дата публикации: 1986-01-03.

Non-contact measurement method, measurement equipment and measurement system thereof

Номер патента: CN105387847A. Автор: 周彬. Владелец: 周彬. Дата публикации: 2016-03-09.

Non-contact measurement device for quickly and accurately obtaining dimensional measurement data

Номер патента: US6593587B2. Автор: Alfred A. Pease. Владелец: Perceptron Inc. Дата публикации: 2003-07-15.

Non-contact measuring device for the thickness of a contact wire of a catenary

Номер патента: FR3091919A1. Автор: Benoit Gasselin,Anthony Leguel. Владелец: 4NRJ SARL. Дата публикации: 2020-07-24.

MODULAR NON-CONTACT MEASUREMENT DEVICE AND CORRESPONDING MEASUREMENT AND CONTROL SYSTEM

Номер патента: FR3035207A1. Автор: Neel Didier Le,Gwenael Samson. Владелец: Mesure-Systems3d. Дата публикации: 2016-10-21.

PHOTOGRAPHIC DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT AND 3D REPRESENTATION OF THE CUTANEOUS MICRO RELIEF

Номер патента: FR2821152B3. Автор: Hertsel Adhoute. Владелец: Hertsel Adhoute. Дата публикации: 2003-03-14.

Non-contact measurement device for quickly and accurately obtaining dimensional measurement data

Номер патента: US20030209678A1. Автор: Alfred Pease. Владелец: Pease Alfred A.. Дата публикации: 2003-11-13.

METHOD AND APPARATUS FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF A SOLIDIFIED SHELL OF A CAST-METALLIC PIECE

Номер патента: FR2548351A1. Автор: Seigo Ando,Nobuyasu Sugaya. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1985-01-04.

NON-CONTACT MEASURING DEVICE OF THE DIAMETER OF A SUBSTANTIALLY CYLINDRICAL OBJECT, FOR EXAMPLE AN OPTICAL FIBER.

Номер патента: FR2679646B1. Автор: Philippe Grosso. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1995-03-10.

Device and method for non-contact measurement of internal coatings of cast iron pipes.

Номер патента: FR2707109B1. Автор: RENARD Christophe,Muller Jean-Marie,Rowdo Claude. Владелец: Pont a Mousson SA. Дата публикации: 1995-09-01.

Non-contact measurement device for accurately determining angular measurements in relation to plumb and level

Номер патента: CA2428373A1. Автор: Alfred A. Pease. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

ANALYSIS METHOD FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF LOCAL CURVES OF AN OPHTHALMIC OBJECT

Номер патента: FR2913493B1. Автор: Sylvain Chene. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2009-04-17.

METHOD AND DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF LINEAR DISTANCES AND IN PARTICULAR OF DIAMETERS

Номер патента: FR2408815A1. Автор: . Владелец: Spindler & Hoyer KG. Дата публикации: 1979-06-08.

Close the non-contact measurement method as measurement Fine and Deep Hole class aperture

Номер патента: CN106767469B. Автор: 刘斌,罗梅. Владелец: SICHUAN LINGFENG AERO HYDRAULIC MACHINERY Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

Three-dimensional non-contact measuring device and method of measurement herewith

Номер патента: DE19618283B4. Автор: Piero Cerruti. Владелец: Hexagon Metrology SpA. Дата публикации: 2008-11-06.

A modular non-contact measurement device for quickly and accurately obtaining dimensional measurement data

Номер патента: WO2004099818A3. Автор: Tim Ewald,Alfred A Pease. Владелец: Alfred A Pease. Дата публикации: 2005-01-20.

METHOD AND DEVICE FOR THE NON-CONTACT MEASUREMENT OF LENGTH AND SPEED OF A MOVING TIRE MATERIAL.

Номер патента: NL7704009A. Автор: . Владелец: Saint Gobain. Дата публикации: 1977-10-18.

Method for carrying out the non-contact measurement of geometries of objects

Номер патента: EP1299691B1. Автор: Ralf Christoph. Владелец: WERTH MESSTECHNIK GMBH. Дата публикации: 2004-12-08.

Non-contact measurement for interface gaps

Номер патента: US11920915B2. Автор: Farahnaz Sisco,Jeffrey Martin Devlin,Nathan Christopher McRae. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-03-05.

SYSTEM AND METHOD FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF 3D GEOMETRY

Номер патента: US20150103358A1. Автор: Flascher Ittai. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Non-Contact Measurement of Material Remaining in Expendable Spools

Номер патента: US20210229947A1. Автор: David Alan Bultman,Rudy Padilla. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2021-07-29.

NON-CONTACT MEASUREMENT OF A STRESS IN A FILM ON SUBSTRATE

Номер патента: US20190353475A1. Автор: HUNG WEI-CHUN,WALECKI Wojciech J.,Morency Raphael. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

INTEGRATED OPTICAL DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF ALTITUDES AND THICKNESSES

Номер патента: FR3006758A1. Автор: David Reolon,David Marsaut. Владелец: Asentys Sas. Дата публикации: 2014-12-12.

METHOD AND DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF A DIMENSION

Номер патента: FR2479447A1. Автор: Urs Peter Studer. Владелец: Zumbach Electronic AG. Дата публикации: 1981-10-02.

OPTO-ELECTRONIC DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF OBJECT DIMENSIONS

Номер патента: FR2615612B3. Автор: Veselin Kanev. Владелец: Artos Italia SpA. Дата публикации: 1989-07-07.

OPTO-ELECTRONIC DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF OBJECT DIMENSIONS

Номер патента: FR2615612A3. Автор: Veselin Kanev. Владелец: Artos Italia SpA. Дата публикации: 1988-11-25.

METHOD AND DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF A DIMENSION

Номер патента: FR2479447B1. Автор: Urs Peter Studer. Владелец: Zumbach Electronic AG. Дата публикации: 1986-06-27.

METHOD AND DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF LINEAR DISTANCES AND IN PARTICULAR DIAMETERS

Номер патента: FR2408815B1. Автор: . Владелец: Spindler & Hoyer KG. Дата публикации: 1985-06-21.

Non-contact measurement of filter rod recess depth

Номер патента: GB2205727A. Автор: San De Silva,Peter Webster. Владелец: Celanese Canada Inc. Дата публикации: 1988-12-21.

System and method for non-contact measurement of 3d geometry

Номер патента: EP2823252A1. Автор: Ittai FLASCHER. Владелец: Galil Soft Ltd. Дата публикации: 2015-01-14.

Method for the non-contact measurement of seam width and seam center

Номер патента: DE2129531A1. Автор: Werner Schulze. Владелец: Zentralinstitut fuer Schweisstechnik der DDR. Дата публикации: 1972-03-02.

Non-contact measurement of a stress in a film on substrate

Номер патента: US11105611B2. Автор: Wei-Chun HUNG,Wojciech J Walecki,Raphael Morency. Владелец: Applejack 199 LP. Дата публикации: 2021-08-31.

Non-contact measurement device

Номер патента: US20140192187A1. Автор: Clark H. Briggs,Frederick John York,Paul C. Atwell. Владелец: Faro Technologies Inc. Дата публикации: 2014-07-10.

Imaging device and method for three-dimensional non-contact measurement

Номер патента: DE19618283A1. Автор: Piero Cerruti. Владелец: DEA Brown and Sharpe SpA. Дата публикации: 1996-11-21.

Non-contact measurement device

Номер патента: JP2003527590A. Автор: アルフレッド・エイ・ピース. Владелец: PERCEPTRON, INCORPORATED. Дата публикации: 2003-09-16.

NON-CONTACT MEASUREMENT DEVICE FOR CHANGES IN THE POSITION OF A CONTINUOUS TABLE OF MATERIAL

Номер патента: FR2746705B1. Автор: Said Saab. Владелец: Heidelberg Harris SA. Дата публикации: 1998-06-19.

NON-CONTACT MEASURING APPARATUS FOR SMALL MOVEMENTS

Номер патента: FR2491205A1. Автор: . Владелец: Ogasawara Hiromi. Дата публикации: 1982-04-02.

Third rail dynamic point laser and line laser combined non-contact measuring method

Номер патента: CN110966941A. Автор: 王瑞涛,林凤涛,史振帅. Владелец: East China Jiaotong University. Дата публикации: 2020-04-07.

Plane scratch length non-contact measurement method based on machine vision

Номер патента: CN109489591A. Автор: 张志辉,刘思远,张云辉,梁云虹,于征磊,邵天池. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for non-contact measurement

Номер патента: DE102006005874C5. Автор: Hans-Günter Vosseler. Владелец: Carl Zeiss Automated Inspection GmbH. Дата публикации: 2017-05-18.

Non-contact measuring method for displacement of rotary motion object

Номер патента: CN114252015A. Автор: 吴光强,张逸,毛礼波,赵国强. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-29.

Non-contact measurement apparatus and method

Номер патента: EP2183544B1. Автор: Nicholas John Weston,Yvonne Ruth Huddart,Andrew John Moore. Владелец: RENISHAW PLC. Дата публикации: 2015-07-15.

Non-contact measuring method for step difference and device therefor

Номер патента: EP0545519A3. Автор: Hiroshi Matsuoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-10-06.

Plane scratch length non-contact measuring method based on machine vision

Номер патента: CN109489591B. Автор: 张志辉,刘思远,张云辉,梁云虹,于征磊,邵天池. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2020-09-25.

Hub bearing spinning surface height array eddy current non-contact measuring probe

Номер патента: CN114646255A. Автор: 李二龙,柯瑞,陈奕铭,袁子岚,袁逸文. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2022-06-21.

Device and method for non-contact measurement on a workpiece

Номер патента: DE3411342C2. Автор: Gunther Dr.-Phys. ETH Stein am Rhein Wulff. Владелец: SCHWEIZERISCHE ALUMINIUM AG CHIPPIS CH. Дата публикации: 1986-01-23.

Non-contact measurement apparatus and method

Номер патента: CN101821578B. Автор: 尼古拉斯·约翰·韦斯顿,伊冯娜·鲁思·赫德阿特,安德鲁·约翰·穆尔. Владелец: RENISHAW PLC. Дата публикации: 2014-03-12.

A kind of method of non-contact measurement wild animal individual morphology parameter

Номер патента: CN106679571B. Автор: 刘辉,赵鹏,杨红生,张涛,周毅. Владелец: Institute of Oceanology of CAS. Дата публикации: 2019-04-02.

Magnetostrictive displacement sensor for non-contact measurement

Номер патента: CN112525057A. Автор: 张拴祥. Владелец: Shaanxi Hangyu Satellite Measurement Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-03-19.

Non-contact measuring apparatus

Номер патента: GB9719514D0. Автор: . Владелец: Thames Water Utilities Ltd. Дата публикации: 1997-11-19.

Systems and methods for non-contact measuring sputtering target thickness ultrasonics

Номер патента: US20060266121A1. Автор: Alexander Leybovich. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2006-11-30.

Non-contact measuring device

Номер патента: FR1276558A. Автор: . Владелец: Compagnie Francaise Thomson Houston SA. Дата публикации: 1961-11-17.

Device and method for non-contact measurement

Номер патента: KR101951689B1. Автор: 이병수,신백규. Владелец: 주식회사 템퍼스. Дата публикации: 2019-02-25.

Non-contact measuring process and device for metallic profiles

Номер патента: DE3272755D1. Автор: Jean-Jacques Campas,Marc Bobrie. Владелец: Institut de Recherches de la Siderurgie Francaise IRSID. Дата публикации: 1986-09-25.

Measurement of torsional dynamics of rotating shafts using magnetostrictive sensors

Номер патента: WO1998034455A3. Автор: Hegeon Kwun,Gary L Burkhardt,Cecil M Teller. Владелец: Cecil M Teller. Дата публикации: 1998-10-22.

Self-calibrating optical device for the contactless measurement of the level of a liquid ________________________

Номер патента: CA3094116A1. Автор: Nicolas Riviere,Romain Ceolato. Владелец: Arcys. Дата публикации: 2019-05-23.

Apparatus for fast measurements of current and power with scaleable wand-like sensor

Номер патента: WO1999041616A8. Автор: Joel Libove,Jerome Singer. Владелец: Jerome Singer. Дата публикации: 1999-11-11.

Apparatus for fast measurements of current and power with scaleable wand-like sensor

Номер патента: WO1999041616A3. Автор: Joel Libove,Jerome Singer. Владелец: Jerome Singer. Дата публикации: 1999-09-23.

METHOD AND APPARATUS FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF THE VOLTAGE OF MOVABLE SURFACE PRODUCTS

Номер патента: BE897786A. Автор: . Владелец: Rhone Poulenc Fibres. Дата публикации: 1984-03-20.

FORCE MEASURING DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF THE MOVEMENT FORCE OF A MOTOR

Номер патента: FR2563004B1. Автор: Klaus Dobler,Hanskorg Hachtel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1990-03-02.

Method for the non-contact measurement of the speed of movement of bands, more especially bands of incandescent metal

Номер патента: FR1472555A. Автор: . Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1967-03-10.

DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF THE VOLUME OR MASS FLOW OF A MOVING MEDIUM

Номер патента: FR2602587B1. Автор: Schneider Et Hans Braun Georg. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 1994-01-21.

OPTICAL AUTOCALIBRANT DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF THE LEVEL OF A LIQUID

Номер патента: FR3073940B1. Автор: Nicolas Riviere,Romain Ceolato. Владелец: Arcys. Дата публикации: 2019-11-08.

DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF THE SPEED OF A MOVING MEDIUM

Номер патента: FR2577322B1. Автор: Hans Braun,Georg Schneider. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 1987-09-18.

OPTICAL AUTOCALIBRANT DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF THE LEVEL OF A LIQUID

Номер патента: FR3073940A1. Автор: Nicolas Riviere,Romain Ceolato. Владелец: Arcys. Дата публикации: 2019-05-24.

METHOD AND DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT AND CONTROL OF THE VIBRATORY STATE OF THE MOBILE FINS OF AN AXIAL TURBOMACHINE

Номер патента: FR2349828A1. Автор: . Владелец: Sulzer Ag. Дата публикации: 1977-11-25.

Non-contact measurement of multi-temperature profile of an object

Номер патента: US20150292950A1. Автор: Loyal Bruce Shawgo,Ricky Lance Haney,Mark David Rogers. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2015-10-15.

METHOD AND DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF OSCILLATIONS OF AN OBJECT

Номер патента: FR2916534A1. Автор: Matthias Schussler. Владелец: POLYTEC GMBH. Дата публикации: 2008-11-28.

DEVICE FOR NON-CONTACT MEASURING POINTS AT DIFFERENT BALL GAMES

Номер патента: FR3026017A1. Автор: Norbert Marc Melikian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-25.

Arrangement for non-contact measurement of static and dynamic torques

Номер патента: DE3031997C2. Автор: Horst Dipl.-Phys. 6072 Dreieich Winterhoff. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1986-01-16.

Device and method for non-contacting measurement of distance and/or profile

Номер патента: CN102341730A. Автор: T·奥托,P·梅雅,T·施塔梅斯特. Владелец: Micro Epsilon Optronic GmbH. Дата публикации: 2012-02-01.

Method and apparatus for non-contact measurement of a rotational speed

Номер патента: FR2704063A1. Автор: RICHTER Ingo,Skibowski Klaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1994-10-21.

System and device for non-contact measurement of an individual's body temperature

Номер патента: FR3111700B1. Автор: Alessandro Manneschi,Luca Manneschi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-19.

NON-CONTACT MEASUREMENT OF A DIRECT CURRENT

Номер патента: FR2643460A1. Автор: Andreas Kraus,Walter Fleischmann,Juergen Ludwig. Владелец: Diehl GmbH and Co. Дата публикации: 1990-08-24.

NON-CONTACT MEASUREMENT OF A DIRECT CURRENT

Номер патента: FR2643460B1. Автор: Andreas Kraus,Walter Fleischmann,Juergen Ludwig. Владелец: Diehl GmbH and Co. Дата публикации: 1992-08-14.

DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF A RACE AND / OR SPEED

Номер патента: FR2463933A1. Автор: Klaus Dr Dobler. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1981-02-27.

System and device for portable and non-contact measurement of an individual's body temperature

Номер патента: FR3111701B1. Автор: Alessandro Manneschi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-29.

Non-contact measurement of moving bodies

Номер патента: DE4405122A1. Автор: Eckart Dipl Ing Kinderling. Владелец: Eckart Dipl Ing Kinderling. Дата публикации: 1995-08-24.

Sensor for non-contact measurement of torques, especially on rotating shafts

Номер патента: DE19854959A1. Автор: Heinrich Acker. Владелец: Heinrich Acker. Дата публикации: 2000-05-31.

Method and device for non-contact measurement of a rotational speed.

Номер патента: FR2704063B1. Автор: Ingo Richter,Klaus Skibowski. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1998-01-30.

Method for non-contact measurement of angles and distances

Номер патента: DE502004006828D1. Автор: Stefan Schuessler,Bernhard Hulin,Bernhard Dr Sarnes. Владелец: Db Netz Ag. Дата публикации: 2008-05-29.

System and device for non-contact measurement of an individual's body temperature

Номер патента: FR3111700A1. Автор: Alessandro Manneschi,Luca Manneschi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-24.

Non-contact measuring apparatus of organ motion

Номер патента: JPS6125543A. Автор: アクセル、ウイルト,ジークフリート、シユナイダー. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-02-04.

NON-CONTACT MEASURING DEVICE FOR ELECTRIC FIELDS THAT MODIFY STATISTICALLY AND / OR IN TIME

Номер патента: FR2623910A1. Автор: Herr Horst Erler. Владелец: Kernforschungszentrum Karlsruhe GmbH. Дата публикации: 1989-06-02.

NON-CONTACT MEASURING DEVICE OF A LEVEL IN A RESERVOIR

Номер патента: FR3040484B1. Автор: Regis Munoz. Владелец: MGI Coutier SA. Дата публикации: 2019-01-25.

NON-CONTACT MEASURING DEVICE OF A LEVEL IN A RESERVOIR

Номер патента: FR3040484A1. Автор: Regis Munoz. Владелец: MGI Coutier SA. Дата публикации: 2017-03-03.

DEVICE FOR NON-CONTACT MEASURING THE VOLUMIC OR MASS FLOW OF A MOVING MEDIUM

Номер патента: FR2602587A1. Автор: Hans Braun,Georg Schneider. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 1988-02-12.

Device for non-contact measurement

Номер патента: DE2163200C2. Автор: Karl 6301 Atzbach Lang. Владелец: Ernst Leitz Wetzlar GmbH. Дата публикации: 1983-06-09.

Apparatus and method for non-contact measuring the torque of a rotating shaft

Номер патента: KR102110890B1. Автор: 박찬훈,최태용,김두형. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2020-05-15.

Device for non-contact measuring the temperature of heated components in rail vehicles in circulation

Номер патента: ES2392618T3. Автор: Reiner Henn. Владелец: Voestalpine Signaling Siershahn GmbH. Дата публикации: 2012-12-12.

Non-contact measurement device

Номер патента: US7639346B2. Автор: Reginald Earl Booker, Jr.. Владелец: Booker Jr Reginald Earl. Дата публикации: 2009-12-29.

NON-CONTACT MEASURING DEVICE PARTICULARLY FOR DETERMINING THE SPEED OR DISPLACEMENT OF AN OBJECT

Номер патента: IT977774B. Автор: . Владелец: Leitz Ernst Gmbh. Дата публикации: 1974-09-20.

Apparatus and method for non-contact measuring momentum by using ir-uwb radar

Номер патента: WO2020242102A1. Автор: 조성호,임대현,박현경,이원혁. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-12-03.

Non-contact measuring device for absolute vibration of turbine shaft

Номер патента: JPS573017A. Автор: Hirugunaa Rainharuto,Shiyureeda Hainritsuhi,Utsutsu Uorufugangu. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1982-01-08.

NON-INVASIVE AND NON-CONTACT MEASUREMENT IN EARLY THERAPEUTIC INTERVENTION

Номер патента: US20210321933A1. Автор: Johnson Matthew J.,Redei Janos,GREEN Ethan C.. Владелец: I2DX, INC.. Дата публикации: 2021-10-21.

SYSTEM AND METHOD FOR NON-INVASIVE AND NON-CONTACT MEASUREMENT IN EARLY THERAPEUTIC INTERVENTION

Номер патента: US20180296154A1. Автор: Johnson Matthew J.,Redei Janos,GREEN Ethan C.. Владелец: I2DX, INC.. Дата публикации: 2018-10-18.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Non-contact measuring method for semiconductor wafer

Номер патента: JPS5717142A. Автор: Akira Usami,Yoshinobu Fujiwara,Nobue Inage. Владелец: Shimada Rika Kogyo KK. Дата публикации: 1982-01-28.

Device for a non-contact measurement of distance at a radiotherapy of the human body

Номер патента: US20030185349A1. Автор: Armin Roeckseisen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Non-contact measuring method and apparatus in pediatrics

Номер патента: CA2830889C. Автор: SHI Yin. Владелец: Image Technology Inc China. Дата публикации: 2018-07-31.

Device and method for non-contact measurement of an intraocular pressure

Номер патента: US20240016381A1. Автор: Oren Globerman,Mordechay Beyar,Danielle VALES. Владелец: NMB Medical Applications Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Apparatus of measuring characteristics of semiconductor devices

Номер патента: US20070216435A1. Автор: Yasuhiko Iguchi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2007-09-20.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Configuration for testing a multiplicity of semiconductor chips

Номер патента: US20010005144A1. Автор: Dominique Savignac,Robert Feurle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Methods, apparatus and systems for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices

Номер патента: US20050156618A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110248282A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-10-13.

Non-contact measurement of semiconductor wafer

Номер патента: JPS5955013A. Автор: Akira Usami,宇佐美 晶. Владелец: NIPPON SILICON KK. Дата публикации: 1984-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7968396B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7645655B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Polishing composition, production method of the same, polishing method, and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20210301176A1. Автор: Akiko Soumiya. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Stack of multiple deposited semiconductor layers

Номер патента: US20200091019A1. Автор: LONG Lin,Chentsau Ying,Xinhai Han,Liyan Miao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Methods of forming a stack of multiple deposited semiconductor layers

Номер патента: EP3649670A1. Автор: LONG Lin,Chentsau Ying,Xinhai Han,Liyan Miao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4148769A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Secure inspection and marking of semiconductor wafers for trusted manufacturing thereof

Номер патента: US20210134682A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240071971A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Characterizing defects in semiconductor layers

Номер патента: EP4381538A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Shift control method in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20220077108A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hsien-Ju Tsou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Characterizing defects in semiconductor layers

Номер патента: US12094787B2. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method which can form contact holes in wafer of semiconductor

Номер патента: US20130316470A1. Автор: Jun Zhou. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US11915757B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Switching voltage supply of voltage domain of semiconductor circuit

Номер патента: US20070052470A1. Автор: Gerald Sellmair,Pramod Acharya. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-03-08.

Switching voltage supply of voltage domain of semiconductor circuit

Номер патента: US7482715B2. Автор: Gerald Sellmair,Pramod Acharya. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-01-27.

Device and method for on-line measurement of wafer grinding force

Номер патента: US11404329B2. Автор: Pei Chen,Fei Qin,Shuai ZHAO,Tong An,Lixiang ZHANG,Yanwei Dai. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-08-02.

Device And Method For On-line Measurement Of Wafer Grinding Force

Номер патента: US20210407863A1. Автор: Pei Chen,Fei Qin,Shuai ZHAO,Tong An,Lixiang ZHANG,Yanwei Dai. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-12-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Toilet device for non-contact measurement of micturition parameters

Номер патента: US20220400998A1. Автор: Frank Willems,Marcel Morcinczyk,Thomas Prokopp,Paul Bandi,Jan Haan. Владелец: Medipee GmbH. Дата публикации: 2022-12-22.

Non-contact measurement of slider fly height by electrostatic force

Номер патента: US20080123214A1. Автор: Li-Yan Zhu,Ellis T. Cha,Yen Fu,Chao-Hui Yang. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Light strip center extraction method for line structured light non-contact measurement

Номер патента: CN112241964A. Автор: 冯志杰,王太勇,韩文灯,张凌雷. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-01-19.

Boiler for combustion of the gas with a higher content of hydrogen with a nozzle for this combustion

Номер патента: WO2013010514A3. Автор: Petr Kuchta. Владелец: KARLA spol. s.r.o.. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for controlling operation of semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240203768A1. Автор: Kazuma Ideguchi. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Fabrication of semiconductor materials and devices with controlled electrical conductivity

Номер патента: CA2402662A1. Автор: Brian Thibeault,David Kapolnek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

"fabrication of semiconductor materials and devices with controlled electrical conductivity"

Номер патента: MY126104A. Автор: Brian Thibeault,David Kapolnek. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-09-29.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Fabrication of semiconductor materials and devices with controlled electrical conductivity

Номер патента: US20020173165A1. Автор: Brian Thibeault,David Kapolnek. Владелец: Cree Lighting Co. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Direct gas-phase doping of semiconductor wafers using an organic dopant source of phosphorus

Номер патента: US5641707A. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-06-24.

Manufacturing method of semiconductor device having semiconductor layers with different thicknesses

Номер патента: US8962418B2. Автор: Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Fabrication method of semiconductor device with MOSFET and capacitor having lower and upper polysilicon regions

Номер патента: US5814542A. Автор: Chika Nakajima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, power unit, and amplifier

Номер патента: US20180090595A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for preparing semiconductor layer

Номер патента: US20240213021A1. Автор: Yi-Chia CHOU,Chang-Hsun HUANG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160172476A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170207319A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

A Process for the Production of Semiconductor Diodes

Номер патента: GB1196515A. Автор: . Владелец: CIT Compagnie Industrielle des Telecommunications SA. Дата публикации: 1970-06-24.

Method and device of preventing delamination of semiconductor layers

Номер патента: US20100276788A1. Автор: Ajay Jain. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11342463B2. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9818881B2. Автор: Toshinari Sasaki,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20180277560A1. Автор: Shinya Naito,Tomofumi Zushi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190051740A1. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170054028A1. Автор: Toshinari Sasaki,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Method of production of semiconductor device

Номер патента: US20170186874A1. Автор: Tetsuya Goto,Makoto Takeshita. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240015965A1. Автор: Dae Hyun Kim,Changhan Kim,Ga Ram CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150214343A1. Автор: Toru Arakawa,Masami Jintyou,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Yamato Aihara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140147969A1. Автор: Toru Arakawa,Masami Jintyou,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Yamato Aihara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20230115949A1. Автор: Kuang-Hao Chiang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200052100A1. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150097275A1. Автор: Atsushi Imai,Takashi Ushijima,Yoshiaki Kominami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170373168A1. Автор: Naoya Okamoto,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Production Method of Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20090283773A1. Автор: Takuto Yasumatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Fabrication method of semiconductor device using epitaxial growth process

Номер патента: US5723378A. Автор: Fumihiko Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20150311328A1. Автор: Manabu Takei,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Through-vias for wiring layers of semiconductor devices

Номер патента: US20140312467A1. Автор: Christopher V. Jahnes,Bucknell C. Webb,Xiao Hu Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Method for fabrication of semiconductor light-emitting device and the device fabricated by the method

Номер патента: WO2006019180A1. Автор: Koji Yakushiji. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240088212A1. Автор: Masakazu Watanabe,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor element for oscillating or detecting terahertz wave and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20200111929A1. Автор: Yasushi Koyama,Jun Iba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Defect reduction of semiconductor layers and semiconductor devices by anneal and related methods

Номер патента: US20200161142A1. Автор: Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-05-21.

Monolithic Integration of Semiconductor Materials

Номер патента: US20180025911A1. Автор: Amey Mahadev Walke,Nadine Collaert,Rita Rooyackers. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-01-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11631694B2. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210272979A1. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for fabricating stack structure of semiconductor packages

Номер патента: US8420521B2. Автор: Han-Ping Pu,Cheng-Hsu Hsiao,Ho-Yi Tsai,Fang-Lin Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Apparatus and method of treating surface of semiconductor substrate

Номер патента: US20160049289A1. Автор: Yoshihiro Ogawa,Hiroshi Tomita,Shinsuke Kimura,Hisashi Okuchi,Tatsuhiko Koide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips

Номер патента: US12057441B2. Автор: Manho Lee,Eunseok Song,Kyungsuk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of epitaxial growth of semiconductor

Номер патента: US5373803A. Автор: Takashi Noguchi,Toshiharu Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Manufacturing method of semiconductor devices

Номер патента: US4143178A. Автор: Nobuhisa Kubota,Nozomu Harada. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-03-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230378313A1. Автор: Chung-Yi Chiu,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20230292497A1. Автор: Yao-Hsiung Kung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11810970B2. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200373407A1. Автор: Yi-Chun Shih,Shun-Min Yeh. Владелец: Glc Semiconductor Group Cq Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20230019524A1. Автор: HUI Zhang,Yi Pei,Hongtu QIAN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for converting semiconductor layers

Номер патента: US20130240892A1. Автор: Patrik Stenner,Stephan Wieber,Matthias Patz,Michael Coelle. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220254908A1. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240222437A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Soldering system of semiconductor laser element

Номер патента: US20170373466A1. Автор: Tetsuhisa Takazane. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US20210320184A1. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US11764278B2. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Versatile system for limiting electric field degradation of semiconductor structures

Номер патента: US20050258494A1. Автор: Greg Baldwin,PR Chidambaram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US20040167656A1. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US6711453B2. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Fab Solutions Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Method for forming a trench in a first semiconductor layer of a multi-layer system

Номер патента: US20220230886A1. Автор: Nicolas Schorr,Christof Schwenk. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor module and manufacturing method of semiconductor module

Номер патента: US12021001B2. Автор: Kazuo Enomoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220301956A1. Автор: Masayuki Mafune. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Positional relationship among components of semiconductor device

Номер патента: US20200013702A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20140342505A1. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Mu-Hsuan Chan,Chieh-Yuan Chi,Yan-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274707A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of grinding back surface of semiconductor wafer and semiconductor wafer grinding apparatus

Номер патента: SG131917A1. Автор: Tomoo Hayashi,Motoi Nezu. Владелец: Tokyo Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-28.

Reduction of semiconductor stresses

Номер патента: EP2164099A3. Автор: Kai Johansson,Kari Tikkanen,Kjell Ingman,Tomi Väisälä. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2016-11-09.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Semiconductor device utilizing annealed semiconductor layer as channel region

Номер патента: US6097038A. Автор: Yushi Jinno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20070166977A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100159702A1. Автор: Masaru Yamada,Akihiko Tsudumitani. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Method of fabrication of semiconductor structures by ion implantation

Номер патента: US20020013039A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8476166B2. Автор: Toshiyuki Kosaka,Tsutomu Komatani,Haruo Kawata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2013-07-02.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Mounting method of semiconductor element and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080124834A1. Автор: Seiki Sakuyama,Toshiya Akamatsu,Joji Fujimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Low-temperature method for transfer and healing of a semiconductor layer

Номер патента: US12027421B2. Автор: Shay REBOH. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150235901A1. Автор: Tamotsu Owada,Hirosato Ochimizu,Hikaru Ohira. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Heat radiation structure of semiconductor element and heat sink

Номер патента: US20050174740A1. Автор: Makoto Hayakawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Method for reducing nonuniformity of forward voltage of semiconductor wafer

Номер патента: US20160005622A1. Автор: Shinya Iwasaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Electrical discharge machining of semiconductors

Номер патента: US20230395381A1. Автор: Gregory Nielson. Владелец: Nielson Scientific LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230268230A1. Автор: Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20080054463A1. Автор: Hiroyuki Nakanishi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230069568A1. Автор: Tsutomu Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090117709A1. Автор: Yoshiyuki Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-07.

Process for collectively fabricating a plurality of semiconductor structures

Номер патента: US11876073B2. Автор: David Sotta. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Display device including a semiconductor layer having a region with a widened width

Номер патента: US11765936B2. Автор: Dong Ha Lee,Hui-Won Yang,Sang Hyung LIM,Kyu Min Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Integration of semiconductor on implanted insulator

Номер патента: US6768130B2. Автор: Matthew J. Comard. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-07-27.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Electrical discharge machining of semiconductors

Номер патента: WO2022087524A1. Автор: Gregory Nielson. Владелец: Nielson Scientific, Llc. Дата публикации: 2022-04-28.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282817A1. Автор: Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA,Atsushi ONOGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Selective Plating of Semiconductor Package Leads

Номер патента: US20200020621A1. Автор: Jayaganasan Narayanasamy,Jagen KRISHNAN,Syahir Abd Hamid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Formation of control and floating gates of semiconductor non-volatile memories

Номер патента: EP1042810A1. Автор: Steven Keetai Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Laser scribe on front side of semiconductor wafer

Номер патента: US20040211750A1. Автор: Byron Palla. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

Stacked assembly of semiconductor packages with fastening lead-cut ends of leadframe

Номер патента: US20090127678A1. Автор: Wen-Jeng Fan. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100140691A1. Автор: Chul-Jin Yoon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for the manufacture of semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20020109139A1. Автор: Kramadhati Ravi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Method of semiconductor device fabrication

Номер патента: WO1999025016A1. Автор: Paul A. Jerred. Владелец: Zetex PLC. Дата публикации: 1999-05-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220005957A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170047409A1. Автор: Yoshitake Kato,Toshihiro Iizuka,Shin Koyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for production of semiconductor chip and semiconductor chip

Номер патента: EP1695378A1. Автор: Katsuki c/o Showa Denko HD KK KUSUNOKi. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240204075A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US12034047B2. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130264576A1. Автор: Takashi Onizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Terminal protection circuit of semiconductor chip

Номер патента: US20210225833A1. Автор: Hiroshi Maruyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220262672A1. Автор: Yutaka Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Doped semiconductor layer forming method

Номер патента: US20210184073A1. Автор: Hubert Bono,Julia Simon,Virginie MAFFINI ALVARO. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-06-17.

Compound semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130126897A1. Автор: Tadahiro Imada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190273156A1. Автор: Hidenori Takahashi,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US20190027421A1. Автор: Takeo Nishikawa,Eiichi Omura,Takayoshi Tawaragi. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Device isolation using preferential oxidation of the bulk substrate

Номер патента: US10249719B2. Автор: Yu Zhu,Anirban Basu,Amlan Majumdar,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor layer stack and method for producing same

Номер патента: US11424596B2. Автор: Armin Dadgar,Andre Strittmatter. Владелец: Otto Von Guericke Universitaet Magdeburg. Дата публикации: 2022-08-23.

Package Structure of Semiconductor and Wafer-level Formation Thereof

Номер патента: US20060216859A1. Автор: Kuo-Pin Yang,Wei-Min Hsiao. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20110156220A1. Автор: Satoru Nakayama,Shoetsu KOGAWA,Seigo Kamata,Shigemitsu Seito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Method and a device for oxidation of a semiconductor layer of SIC

Номер патента: US5698472A. Автор: Christopher Harris. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1997-12-16.

Method of semiconductor device fabrication

Номер патента: US10446396B2. Автор: Tsung-Yao Wen,Angus Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Wafer treatment method for protecting fuse box of semiconductor chip

Номер патента: US20030080360A1. Автор: Jae-Il Lee,Jeong-Ho Bang,Hyo-geun Chae,Young-Moon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160276291A1. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160047046A1. Автор: Takayuki Matsui,Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for forming semiconductor layer and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: EP2360743A3. Автор: Sang Hoon Han,Dae Sung Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for forming semiconductor layer and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: US20110195539A1. Автор: Sang Hoon Han,Dae Sung Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Shielding elements for packages of semiconductor devices

Номер патента: US20230056509A1. Автор: Ranjan Rajoo,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230090278A1. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12014968B2. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Thin film transistor having oxide semiconductor layer as ohmic contact layer

Номер патента: US20140048800A1. Автор: Chun-Gi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

Method and apparatus for thin-layer chemical processing of semiconductor wafers

Номер патента: EP1639629A1. Автор: Sophia Wen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-29.

Thin film transistor having oxide semiconductor layer as ohmic contact layer

Номер патента: US8921863B2. Автор: Chun-Gi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080102572A1. Автор: Hirotaka Komatsubara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Process of forming an electronic device including a doped semiconductor layer

Номер патента: US20090042373A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Stefan Zollner. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-02-12.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US12080589B2. Автор: Hong Lin,Weijun Wang. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US7629187B2. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US20070166961A1. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for producing a plurality of semiconductor lasers and semiconductor laser

Номер патента: US20240047935A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Conductor and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230120391A1. Автор: Yoshinobu Suzuki,Takumi Okamoto,Keisuke FUGANE. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Multi-junction bottom emitting vertical cavity surface emitting laser and the fabrication method of the same

Номер патента: EP4369537A2. Автор: Yuhui Luo,Chuyuen CHAN. Владелец: Brightlaser Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Multi-junction bottom emitting vertical cavity surface emitting laser and the fabrication method of the same

Номер патента: EP4369537A3. Автор: Yuhui Luo,Chuyuen CHAN. Владелец: Brightlaser Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor laser device and method of controlling light amount of semiconductor laser

Номер патента: US20010048697A1. Автор: Kiyoshi Kondou. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Indirect monitoring of semiconductor light source within a photonic package

Номер патента: US20030164448A1. Автор: Richard Booman,David Ohm. Владелец: Network Elements Inc. Дата публикации: 2003-09-04.

Conformal metallization process for the fabrication of semiconductor laser devices

Номер патента: US20130163631A1. Автор: Jia-Sheng Huang,Phong Thai. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Wavelength control in phase region of semiconductor lasers

Номер патента: EP2220732A1. Автор: Jacques Gollier. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Apparatus and method for the treatment of semiconductor substrates

Номер патента: WO2009150226A2. Автор: Andreas Tikovsky. Владелец: INTEGA GmbH. Дата публикации: 2009-12-17.

Method for compensating for output of semiconductor luminous device and apparatus therefor

Номер патента: US20020006142A1. Автор: Shin Nagata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Apparatus and method for the treatment of semiconductor substrates

Номер патента: WO2009150226A3. Автор: Andreas Tikovsky. Владелец: INTEGA GmbH. Дата публикации: 2010-02-04.

Test methods of semiconductor devices and semiconductor systems used therein

Номер патента: US20180068743A1. Автор: Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Methods and systems for managing memory blocks of semiconductor devices in embedded systems

Номер патента: US20180039716A1. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor memory, test method of semiconductor memory and system

Номер патента: US20090040850A1. Автор: Kaoru Mori,Toshikazu Nakamura,Jun Ohno,Masaki Okuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Methods and apparatus for automated design of semiconductor photonic devices

Номер патента: US20160171149A1. Автор: Luca Alloatti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-16.

Limiting of temperature variations of semiconductor component

Номер патента: US20160118975A1. Автор: Marko Raatikainen,Teemu Salmia,Jukka-Peeka Kittilä. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2016-04-28.

Limiting of temperature variations of semiconductor component

Номер патента: US9712150B2. Автор: Marko Raatikainen,Teemu Salmia,Jukka-Peeka Kittilä. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2017-07-18.

Cooling of semiconductors for optimised service life

Номер патента: US20240268087A1. Автор: Bernd Roppelt,Jens Schmenger,Thomas Schwinn,Jürgen Kimpel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Method and apparatus for zone-melting recrystallization of semiconductor layer

Номер патента: US5741359A. Автор: Manabu Kato,Takashi Motoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Apparatus for non-contact measurement of the temperature of bearings of moving rail-bound vehicles

Номер патента: DE59912513D1. Автор: Johannes Karner. Владелец: Oesterr Bundesbahnen. Дата публикации: 2005-10-13.

TOILET DEVICE FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF MICTURITION PARAMETERS

Номер патента: US20220400998A1. Автор: Willems Frank,Prokopp Thomas,Bandi Paul,MORCINCZYK Marcel,HAAN Jan. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Device for non-contact measurement of a distance whilst irradiating a human body

Номер патента: EP1348376A2. Автор: Armin Dr. Roeckseisen. Владелец: LAP GmbH Laser Applikationen. Дата публикации: 2003-10-01.

Automatic tracking heating system and method using non-contact measuring module

Номер патента: CN109059093B. Автор: 孙建辉,单晓杭,万鸿超. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2021-06-15.

Non-contact measuring method of cardiogram

Номер патента: CN110115585B. Автор: 冉立新,董淑琴. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2020-07-10.

Pulse rate signal processing method and device for non-contact measurement

Номер патента: CN110547782B. Автор: 王元. Владелец: Suning Financial Services Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2022-12-09.

Liquid stabilizer for chlorine-containing resin and application of the liquid stabilizer

Номер патента: US20200291203A1. Автор: Yuji Yoshida. Владелец: Sakai Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Process for adjusting the moisture content of tobacco

Номер патента: CA2109153C. Автор: Warren D. Winterson,John C. Crump, Iii,Eugene B. Fischer. Владелец: Philip Morris Products Inc. Дата публикации: 2006-07-11.

A method and an apparatus for transferring elemental carbon impurities present in a silicon rod to an end of the rod

Номер патента: GB1148706A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1969-04-16.

AGENT FOR INCREASING THE WEIGHT OF THE ROOTS AND THE SUGAR CONTENT OF SUGAR BEET

Номер патента: FR2399206A1. Автор: . Владелец: URAD PREDSEDNICTVA SLOVENSKEJ. Дата публикации: 1979-03-02.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US20180086632A1. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Cleaning method of semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20070074738A1. Автор: Takayuki Furusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

NON-CONTACT MEASUREMENT OF THE DOPANT CONTENT OF SEMICONDUCTOR LAYERS

Номер патента: US20130043393A1. Автор: Heaven E. Michael,Cadien Kenneth,Deans Gordon Matthew,Blaine Stephen Warren. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-21.

Device a for non-contact measurement of space coordinates for objects

Номер патента: TW201132924A. Автор: Ming-Hsiang Shih,Shih-Heng Tung. Владелец: Nat Univ Kaohsiung. Дата публикации: 2011-10-01.

Non-contact measuring systems

Номер патента: GB9224462D0. Автор: . Владелец: British Aerospace PLC. Дата публикации: 1993-01-13.

SYSTEM AND METHOD FOR THE NON-CONTACTING MEASUREMENTS OF THE EYE

Номер патента: US20120287399A1. Автор: . Владелец: Carl Zeiss Jena GmbH. Дата публикации: 2012-11-15.

A kind of system of the Mode Shape of non-contact measurement flexible structure

Номер патента: CN104931218B. Автор: 孙涛,邱辉,娄军强,杨依领,廖江江. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2018-03-13.

Apparatus and method for non-contact measurement of thermal performance of micro heat pipe

Номер патента: TWI718896B. Автор: 李卓翰,李芳壽. Владелец: 瑞領科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-02-11.

Non-contact measurement method and system for human outside measurement

Номер патента: CN101228973A. Автор: 殷实. Владелец: 殷实. Дата публикации: 2008-07-30.

Non-contact measuring method and measuring apparatus

Номер патента: JP4159809B2. Автор: 義昭 垣野,平三郎 中川. Владелец: Mori Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-01.

Measurement range expansion method for non-contact measurement device

Номер патента: JP2020060394A. Автор: Myunghun Woo,明▲勲▼ 禹. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Non-contact measurement system for measuring object contour

Номер патента: TW202035945A. Автор: 許光城,梁軒齊,葉自容. Владелец: 國立高雄科技大學. Дата публикации: 2020-10-01.

Non-contact measuring method and measuring apparatus

Номер патента: JP4136475B2. Автор: 義昭 垣野,平三郎 中川. Владелец: Mori Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-20.

DEVICE AND METHOD FOR NON-CONTACTING MEASUREMENT OF A DISTANCE AND/OR PROFILE

Номер патента: US20120038900A1. Автор: . Владелец: MICRO-EPSILON OPTRONIC GMBH. Дата публикации: 2012-02-16.

Method for non-contact measurement of part size

Номер патента: SU1640533A1. Автор: Владимир Ильич Миронченко. Владелец: Предприятие П/Я В-8916. Дата публикации: 1991-04-07.

Pneumatic device for non-contact measurement of dimensions

Номер патента: SU94635A1. Автор: А.Б. Челюсткин. Владелец: А.Б. Челюсткин. Дата публикации: 1951-11-30.

Non-contact measurement of high voltage

Номер патента: JPS63238466A. Автор: Mitsuaki Aida,Yasuhiro Tanahashi,康博 棚橋,相田 光朗. Владелец: Energy Support Corp. Дата публикации: 1988-10-04.

Apparatus and method for non-contact measurement of solution concentration

Номер патента: CN101430275A. Автор: 胡晔,何永红. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2009-05-13.

OPTICAL APPARTUS FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OR TESTING OF A BODY SURFACE

Номер патента: US20120069351A1. Автор: . Владелец: CARL ZEISS AG. Дата публикации: 2012-03-22.

NON-CONTACT MEASUREMENT SIGNAL TRANSMISSION SYSTEM AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120152035A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-06-21.

Electric non-contact measuring tape thickness of a ferromagnetic material

Номер патента: SU97533A1. Автор: А.Г. Фролов,Ю.В. Журавский. Владелец: Ю.В. Журавский. Дата публикации: 1953-11-30.

Non-contact measurement probe

Номер патента: JP3021090B2. Автор: 直 中村. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2000-03-15.

Non-contact measurement method for cabin capacity

Номер патента: CN105115560A. Автор: 张强,田丽,朱炜,张跃华,胡敏捷,欧健,漆光林,辛倩倩. Владелец: Cssc No604 Research Institute. Дата публикации: 2015-12-02.

Non-contact measurement apparatus of inner and outer diameters of large-diameter circular ring type component

Номер патента: CN104180763A. Автор: 叶青,田建国,梅剑春. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2014-12-03.

NON-CONTACT MEASURING DRIVE SCREW SCREEN

Номер патента: SU421579A1. Автор: . Владелец: В. С. Михайлов , С. В. Степанов. Дата публикации: 1974-03-30.

Non-contact measuring method for magnetic field strength of iron core in coil

Номер патента: CN105182261A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-23.

Electric-field sensor and ac high-voltage signal phase non-contact measurement apparatus

Номер патента: CN204495915U. Автор: 邓凸,施华君. Владелец: CETC 23 Research Institute. Дата публикации: 2015-07-22.

Calibrating method for visual non-contact measuring head

Номер патента: CN1316228C. Автор: 张志伟,金明,解则晓. Владелец: OCEAN UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2007-05-16.

Non-contact measurement device for polished surface roughness of curved surface

Номер патента: CN202432999U. Автор: 刘建新,谭平. Владелец: XIHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-12.

Crack width non-contact measuring device

Номер патента: CN212843423U. Автор: 方卫华,周楷,庞红,何淇,周晓泉. Владелец: Nanjing Institute Of Hydrologic Automation Ministry Of Water Resources. Дата публикации: 2021-03-30.

Forge piece online non-contacting measuring system

Номер патента: CN201002124Y. Автор: 王建新,杨庆光,王光儒,常怀德. Владелец: CFHI Dalian Design and Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-09.

Non-contact measurement

Номер патента: GB8816348D0. Автор: . Владелец: KYRIAKIS J. Дата публикации: 1988-08-10.

Non-contact measurement method for thermal state sizes of forgings

Номер патента: CN101713640B. Автор: 刘巍,贾振元,杜剑,王邦国,贾兴华. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2011-08-03.

Method for high precision non-contact measurement for rotation speed

Номер патента: CN101149387A. Автор: 刘岩,左春柽,钱生君,栗利刚. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2008-03-26.

Non -contact measures thermometer of human body or object

Номер патента: CN205126208U. Автор: 余志鹏,蔡泽凡,谭耀全,牛俊英. Владелец: Shunde Vocational and Technical College. Дата публикации: 2016-04-06.

Online non-contact measuring head capable of being switched rapidly

Номер патента: CN215177824U. Автор: 柳兆蒙,张朦斐. Владелец: Jiaxing Fanshi Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

System for non -contact measures flexible construction's mode mode of vibration

Номер патента: CN204903118U. Автор: 吴钢,邱辉,娄军强,杨依领,廖江江. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2015-12-23.

Non-contact measurement method for thermal state sizes of forgings

Номер патента: CN101713640A. Автор: 刘巍,贾振元,杜剑,王邦国,贾兴华. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2010-05-26.

Liquid level non-contact measurement device

Номер патента: CN203455053U. Автор: 姜洋,宋硕,宋纯东,王金诚,牧劲松. Владелец: Baosteel Group Xinjiang Bayi Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-26.

Non-contact measuring method for deformation of aircraft wing structure

Номер патента: CN102288164A. Автор: 万兵兵,张陈安,史爱明. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2011-12-21.

System of modal vibration mode of non-contact measuring flexible structure

Номер патента: CN104931218A. Автор: 孙涛,邱辉,娄军强,杨依领,廖江江. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2015-09-23.

Dynamic-torque non-contact measuring device based on radio frequency data transmission

Номер патента: CN201476912U. Автор: 王娜,杨墨,艾长胜,沈文众,靖卫星. Владелец: University of Jinan. Дата публикации: 2010-05-19.

Non-contact measuring machine

Номер патента: JP2548769Y2. Автор: 一由 入沢,猛 光井. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 1997-09-24.

Non-contact measuring method and equipment of thermal expansion coefficient

Номер патента: CN1152124A. Автор: 王恒,何冠虎,周本濂. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 1997-06-18.

Non-contact measurement method for electromagnetic interference

Номер патента: TW201142314A. Автор: Tzyy-Sheng Horng,Cheng-Yu Ho,Kai-Syuan Chen,Kang-Chun PENG,Jian-Ming Wu. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2011-12-01.

DEVICE FOR DETERMINATION OF THE INSTABILITY OF REVERSE CURRENTS OF TRANSITIONS OF SEMICONDUCTOR

Номер патента: SU366423A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1973-01-16.