Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US20160043291A1
Опубликовано: 11-02-2016
Автор(ы): Christian Ziereis, Michael Zitzlsperger, Tobias Gebuhr
Принадлежит: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US09614134B2. Автор: Tobias Gebuhr,Michael Zitzlsperger,Christian Ziereis. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-04.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20160043291A1. Автор: Zitzlsperger Michael,Gebuhr Tobias,Ziereis Christian. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2014167021A1. Автор: Tobias Gebuhr,Michael Zitzlsperger,Christian Ziereis. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-10-16.

Light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor component

Номер патента: US09954150B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-04-24.

Light emitting semiconductor

Номер патента: US9224719B2. Автор: Shih-Peng Chen,Ching-Chuan Shiue,Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Light emitting semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US8882313B2. Автор: Shih-Peng Chen,Ching-Chuan Shiue,Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Light emitting semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130314931A1. Автор: Shih-Peng Chen,Ching-Chuan Shiue,Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Light emitting semiconductor

Номер патента: US20150014714A1. Автор: Shih-Peng Chen,Ching-Chuan Shiue,Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US11444224B2. Автор: Ulrich Streppel,Hailing Cui,Desiree Queren,Dajana DURACH. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-09-13.

Light-emitting semiconductor chip and optoelectronic component

Номер патента: US10522718B2. Автор: Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-12-31.

Light-emitting semiconductor chip and optoelectronic component

Номер патента: US20190044032A1. Автор: Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-02-07.

Filament with light-emitting semiconductor chips, lighting means and method of producing a filament

Номер патента: US20190113181A1. Автор: Ivar Tangring,Thomas Schlereth,Michael Bestele,Elena Rachkova. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-18.

Light-emitting semiconductor component and method of producing light-emitting semiconductor components

Номер патента: US09837591B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Frank Singer,Alexander Linkov,Wolfgang Mönch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-05.

Light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2013149772A1. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-10-10.

Light-emitting semiconductor component and method for producing light-emitting semiconductor components

Номер патента: CN105210202A. Автор: 托马斯·施瓦茨,斯特凡·伊莱克,弗兰克·辛格,沃尔夫冈·门希,亚历山大·林科夫. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-12-30.

Light-emitting semiconductor component, includes active zone, mirror layer and semiconductor converter generating light of greater wavelength than produced in active zone

Номер патента: DE10354936A1. Автор: Stefan Illek,Klaus Streubel,Herbert Brunner,Ines Pietzonka. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2005-04-28.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: CN106463582A. Автор: 马库斯·毛特,克里斯蒂安·莱雷尔. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-02-22.

FILAMENT WITH LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIPS, LIGHTING MEANS AND METHOD OF PRODUCING A FILAMENT

Номер патента: US20190113181A1. Автор: Schlereth Thomas,Tangring Ivar,Rachkova Elena,Bestele Michael. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20150014714A1. Автор: LIAO Wen-Chia,Lin Li-Fan,Shiue Ching-Chuan,Chen Shih-Peng. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Light Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20170125643A1. Автор: Markus Maute,Christian Leirer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-05-04.

Components comprising a light emitting semiconductor chip

Номер патента: US20180175237A1. Автор: Thomas Schwarz,Siegfried Herrmann,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Alexander Linkov,Matthias Bruckschloegl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-06-21.

Light emitting semiconductor device e.g. an LED component

Номер патента: DE19901918A1. Автор: Shinji Isokawa,Hidekazu Toda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-07-29.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE102014108295A1. Автор: Markus Maute,Christian Leirer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-12-17.

Component with end-side mounted light emitting semiconductor chip

Номер патента: US11107945B2. Автор: Thomas Schwarz,Siegfried Herrmann,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Alexander Linkov,Matthias Bruckschloegl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-08-31.

Light source having at least one first light-emitting semiconductor component, a first carrier element and a distributing element

Номер патента: US20220072871A1. Автор: Stefan Meyer,Andreas Stahl,Jochen Grade,Janek Desgronte,Nico PEIFER. Владелец: HERAEUS NOBLELIGHT GMBH. Дата публикации: 2022-03-10.

Producing a light-emitting semiconductor component by connecting first and second semiconductor bodies

Номер патента: US09853186B2. Автор: Patrick Rode,Matthias Sabathil,Hans-Jürgen Lugauer,Andreas Plöβl,Alexander Linkov. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: Tobias Gebuhr,Kathy Schmidtke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US20030227030A1. Автор: Toshio Hata,Masahiro Konishi,Masaki Tatsumi,Mayuko Fudeta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-11.

Two part flexible light emitting semiconductor device

Номер патента: US20160043294A1. Автор: Alejandro Aldrin Ii Agcaoili Narag,Ravi Palaniswamy,Justine A. Mooney,Jian Xia Gao. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-02-11.

Light emitting semiconductor diode

Номер патента: US4032945A. Автор: Kazuhiro Ito,Mitsuhiro Mori,Makoto Morioka,Yuichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-06-28.

Semiconductor component, lighting device and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US09911719B2. Автор: Thomas Schwarz,Herbert Brunner,Frank Singer,Georg Bogner,Norwin von Malm,Matthias Sabathil,Juergen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-06.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20160181491A1. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-06-23.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09698326B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-07-04.

Optoelectronic semiconductor component, optoelectronic device, and method for producing an optoelectronic semiconductor component and/or optoelectronic device

Номер патента: US20240079531A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-03-07.

Epitaxy wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component, and methods for producing the epitaxy wavelength conversion element and the light-emitting semiconductor component

Номер патента: US20200411731A1. Автор: Tansen Varghese,Martin Rudolf Behringer,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-31.

Light-Emitting Semiconductor Chip and Display Device

Номер патента: US20200273907A1. Автор: Peter Brick,Frank Singer,Hubert Halbritter,Mikko Perala. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-08-27.

Light-emitting semiconductor structure and optoelectronic component therefrom

Номер патента: US20130223464A1. Автор: Tzanimir Arguirov,Manfred Reiche,Martin Kittler. Владелец: IHP-GmbH- Innovations for High Performance Microelectronics. Дата публикации: 2013-08-29.

Optoelectronic semiconductor component and method of producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09887336B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for producing light emitting semiconductor device

Номер патента: US09666758B2. Автор: Dagobert Michel De Leeuw,Frank Verbakel,Wilhelmus Cornelis Keur,Johannes Franciscus Maria Cillessen,Kamal Asadi,Patrick John Baesjou,Cornelis Eustatius Timmering. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-05-30.

Light emitting semiconductor chip and method for manufacturing a plurality of light emitting semiconductor chips

Номер патента: US20230268468A1. Автор: David O'Brien. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-08-24.

Light emitting semiconductor chip and method for manufacturing a plurality of light emitting semiconductor chips

Номер патента: WO2023160934A1. Автор: David O'Brien. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-08-31.

Overlay circuit structure for interconnecting light emitting semiconductors

Номер патента: US20150108513A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Shakti Singh Chauhan,Donald Paul Cunningham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-04-23.

Overlay circuit structure for interconnecting light emitting semiconductors

Номер патента: US20130062630A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Shakti Singh Chauhan,Donald Paul Cunningham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-03-14.

Process for producing light-emitting semiconductor device

Номер патента: US20090176323A1. Автор: Shinetsu Fujieda,Akiko Suzuki,Hideo Tamura,Toshihide Takahashi,Kazuaki Ootsuka,Tatsuoki Kono,Hiroaki Oshio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-09.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD OF PRODUCING LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Номер патента: US20160087177A1. Автор: SCHWARZ Thomas,Illek Stefan,Linkov Alexander,Singer Frank,Mönch Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Light-emitting semiconductor component and method for manufacturing a light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2012013435A1. Автор: Dirk Buchhauser,Chee Jia Chang. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-02-02.

Light-Emitting Semiconductor Chip, Light-Emitting Component and Method for Producing a Light-Emitting Component

Номер патента: US20200135705A1. Автор: Herrmann Siegfried. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

A light-emitting semiconductor chip, light-emitting component and method for producing a light-emitting component

Номер патента: DE102016106570A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-12.

A light-emitting semiconductor chip, light-emitting component and method for producing a light-emitting component

Номер патента: DE102016106571A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-12.

Light- emitting semiconductor element

Номер патента: TW386317B. Автор: Herbert Brunner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-04-01.

MULTICRISTAL LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2520934A1. Автор: Jacques Thillays. Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1983-08-05.

Use the display device and manufacture method of light emitting semiconductor device

Номер патента: CN107211504A. Автор: 李勇翰,朴晟镇,崔桓准. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-09-26.

Light-emitting semiconductor packages and related methods

Номер патента: US9059379B2. Автор: Yu-Fang Tsai,Ping-Cheng Hu,Yen-Ting Kuo. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2015-06-16.

Light emitting semiconductor device, its assembly manufacture method and electronic equipment

Номер патента: CN101859730A. Автор: 小林新. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-13.

Optoelectronic semiconductor component comprising an optoelectronic semiconductor chip being partly embedded in a shaped body serving as support and method for producing an optoelectronic semiconductor component comprising an optoelectronic semiconductor chip being partly embedded in a shaped body serving as support

Номер патента: US09780269B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20160225964A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-08-04.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing same

Номер патента: US09978733B2. Автор: Stefan Illek,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-22.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09484508B2. Автор: Karl Weidner,Walter Wegleiter,Georg Dirscherl,Caroline Cassignol. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for producing optoelectronic semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11670745B2. Автор: Tobias Gebuhr,Klaus Reingruber,Andreas Reith. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-06-06.

Device for a light source of a printing machine with a plurality of light-emitting semiconductor components of a first type and at least one light-emitting semiconductor component of a further type on a substrate

Номер патента: US20200385590A1. Автор: Andreas Stahl. Владелец: HERAEUS NOBLELIGHT GMBH. Дата публикации: 2020-12-10.

Near-ultraviolet light-emitting semiconductor light-emitting element and group iii nitride semiconductor template used therefor

Номер патента: US20190140140A1. Автор: Sung Min Hwang,In Sung Cho,Doo Soo Kim,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Optical tuning of light emitting semiconductor junctions

Номер патента: US09614122B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US6784027B2. Автор: Klaus Streubel,Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2004-08-31.

Light emitting semiconductor component

Номер патента: US4170018A. Автор: Hartmut Runge. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-10-02.

Multi-directional light emitting semiconductor device

Номер патента: US5844257A. Автор: Tony K. T. Chen. Владелец: Quarton Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Display device using light-emitting semiconductor elements

Номер патента: US3886581A. Автор: Hiroshi Fujita,Hiroshi Katsumura,Kei Kaneda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1975-05-27.

Light-Emitting Semiconductor Chip, Light-Emitting Component and Method for Producing a Light-Emitting Component

Номер патента: US20190115510A1. Автор: Herrmann Siegfried,VÖLKL Michael. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-18.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20210057617A1. Автор: Streppel Ulrich,Cui Hailing,Queren Désirée,DURACH Dajana. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT INCLUDING AN ABSORPTIVE LAYER

Номер патента: US20160284931A1. Автор: Tangring Ivar,Sundgren Petrus. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US11398586B2. Автор: Britta Göötz,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-07-26.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING LUMINANCE CONVERSION ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, LED LIGHTING DEVICE, LIGHT SOURCE

Номер патента: JP5290368B2. Автор: イェーガー ハラルト,ヴァイトル ギュンター,ブルナー ヘルベルト,デブライ アレクサンドラ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-09-18.

Edge-emitting light-emitting semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20020123163A1. Автор: Takehiro Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-09-05.

Edge-emitting light-emitting semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: CN1189951C. Автор: 藤井健博. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-02-16.

Edge-emitting light-emitting semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP1204151A4. Автор: Takehiro Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-10-18.

Be included in light emitting semiconductor device and the assembly method thereof of the flexible membrane wherein with optical element

Номер патента: CN102544332B. Автор: G.H.内格利. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2015-07-29.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP AND OPTOELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20190044032A1. Автор: Tangring Ivar. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

ELECTRONICS PACKAGE FOR LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20200127178A1. Автор: Kapusta Christopher James,Nagarkar Kaustubh Ravindra,Tuominen Risto Ilkka Sakari. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN109935676A. Автор: 外山智一郎,安齐秀晃,桥本健矢,谷田贝亮. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-06-25.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE102018101786A1. Автор: Ulrich Streppel,Hailing Cui,Desiree Queren,Dajana DURACH. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for classifying light-emitting semiconductor components and image sensor application having an image sensor and a semiconductor element

Номер патента: US20170100751A1. Автор: Peter Brick,Felix Kimme. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-13.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: US09638741B2. Автор: Tom Marivoet,Steven Boeykens. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Apparatus and method for profiling a beam of a light emitting semiconductor device

Номер патента: EP3080568A1. Автор: Vincent Brennan,Christopher Percival. Владелец: Infiniled Ltd. Дата публикации: 2016-10-19.

Red-light-emitting semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240274751A1. Автор: Dongwook Kim,DongHun Kang,Sukkoo JUNG,Daesung KANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for producing injection type light emitting semiconductor devices having an epitaxial layer of nitrogen-doped gallium phosphide

Номер патента: US3687744A. Автор: Masahiko Ogirima,Hazime Kusumoto,Toshimitu Shinoda. Владелец: Dynamit Nobel AG. Дата публикации: 1972-08-29.

Near-infrared light emitting semiconductor element and method for manufacturing same

Номер патента: US20220278249A1. Автор: Naoki Yoshioka,Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2022-09-01.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: WO2011071864A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-16.

Light emitting semiconductor devices

Номер патента: US20030205713A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Light emitting semiconductor devices

Номер патента: US20020125489A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: EP2510557A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2012-10-17.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CA1108739A. Автор: Kazuhiro Ito,Mitsuhiro Mori,Makoto Morioka,Masaaki Aoki,Yuichi Ono,Kazuhiro Kurata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-09-08.

Light-emitting semiconductor heterostructure

Номер патента: RU2306634C1. Автор: Дмитрий Александрович Закгейм,Игорь Владимирович Рожанский. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Светлана - Оптоэлектроника". Дата публикации: 2007-09-20.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CA1292549C. Автор: Masamichi Yamanishi,Ikuo Suemune,Yasuo Kan. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 1991-11-26.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2037198C. Автор: Shiro Yamazaki,Masafumi Hashimoto,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Akira Mabuchi,Norikatsu Koide,Hisaki Kato,Michinari Sassa. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-04-23.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: US5043774A. Автор: Masatoshi Shiki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-08-27.

Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound

Номер патента: US5652438A. Автор: Masayoshi Koike,Masami Yamada,Naoki Shibata,Makoto Tamaki,Michinari Sassa,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-29.

Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound

Номер патента: US6936859B1. Автор: Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-30.

Light emitting semiconductor device having multilayer structure

Номер патента: US5296718A. Автор: Shigeo Fujita,Shizuo Fujita. Владелец: Seiwa Electric Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1994-03-22.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US4675710A. Автор: Nobuyuki Takagi,Hiroshi Ishikawa,Hajime Imai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-06-23.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US4183039A. Автор: Kazuhiro Ito,Makoto Morioka,Masaaki Aoki,Yuichi Ono,Kazuhiro Kurata,Mitshiuro Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-08.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US4701774A. Автор: Atsushi Kurobe,Hideto Furuyama,Paul W. A. McIlroy. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-10-20.

Patterned substrate of light emitting semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130207143A1. Автор: Jun-Rong Chen,Hsiu-Mei CHOU. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Multi-layer highly reflective ohmic contacts for light-emitting semiconductor devices

Номер патента: EP1163702A1. Автор: Michael R. Krames,Jonathan J. Wierer, Jr.,Serge L. Rudaz. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2001-12-19.

Semiconductor component, device having a semiconductor component and method of producing semiconductor components

Номер патента: US20220328738A1. Автор: Berthold Hahn,Georg Bogner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-10-13.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing said component

Номер патента: US09583467B2. Автор: Stefan Illek,Walter Wegleiter,Thomas Schwarz,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09653670B2. Автор: Karl Weidner,Stefan Illek,Walter Wegleiter,Stefan Stegmeier. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-05-16.

Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20190214375A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-07-11.

Arrangement Having Semiconductor Components that Emit Electromagnetic Radiation and Production Method Therefor

Номер патента: US20220223570A1. Автор: Andreas Plossl,Thomas Schwarz,Sebastian Wittmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-07-14.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10629571B2. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-04-21.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Components

Номер патента: US20190386186A1. Автор: Simon Jerebic,Markus Pindl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2019-12-19.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20220262999A1. Автор: Korbinian Perzlmaier,Tobias Meyer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-18.

Housing for an optoelectronic semiconductor component, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20230006108A1. Автор: Karlheinz Arndt. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Components and Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20170069800A1. Автор: Frank Singer,Britta Göötz,Lutz Höppel,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of producing an optoelectronic semiconductor component, optoelectronic semiconductor component, and temporary carrier

Номер патента: US20180261742A1. Автор: Herbert Brunner,Harald Jager,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-09-13.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20190140143A1. Автор: Alexander F. Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-09.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11538969B2. Автор: Benjamin Schulz,Michael Foerster,Konrad Wagner,Stefan Morgott,I-Hsin Lin-Lefebvre. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-12-27.

Light emitting semiconductor component including an absorptive layer

Номер патента: US20160284931A1. Автор: Ivar Tangring,Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-09-29.

Light emitting semiconductor component including an absorptive layer

Номер патента: US09685584B2. Автор: Ivar Tangring,Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-20.

Light emitting semiconductor device for enhancing light extraction efficiency

Номер патента: US11961943B2. Автор: Youn Joon Sung,Min Sung KIM,Eun Dk LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Light-Emitting Semiconductor Component and Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20150041845A1. Автор: SCHWARZ Thomas,Illek Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

Light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor component

Номер патента: US20200343420A1. Автор: Siegfried Herrmann,Adrian Stefan Avramescu,Alexander Behres. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-29.

Light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2019115344A1. Автор: Siegfried Herrmann,Adrian Stefan Avramescu,Alexander Behres. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-06-20.

A method of manufacturing a semiconductor light emitting device and light emitting semiconductor device

Номер патента: DE102011016935A1. Автор: Richard Baisl,Dr. Engl Karl,Dr. Höppel Lutz,Sebastian Taeger,Dr. Gärtner Christian,Dr. Schlenker Tilman. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-10-18.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US20150243855A1. Автор: Alexander Wilm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-08-27.

WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT, METHOD OF MAKING, AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING SAME

Номер патента: US20160268488A1. Автор: Piquette Alan,Goeoetz Britta,Tarry Christopher A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US9373759B2. Автор: Alexander Wilm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-06-21.

Light-emitting semiconductor component and transceiver device

Номер патента: WO2011117303A1. Автор: Frank Möllmer,Martin Haushalter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-09-29.

Light-emitting semiconductor device and surface-emitting device

Номер патента: CN1364319A. Автор: 根井正美. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-14.

Light-emitting semiconductor device and surface-emitting device

Номер патента: WO2001069693A1. Автор: Masami Nei. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2001-09-20.

Light-emitting semiconductor device and surface-emitting device

Номер патента: KR100708511B1. Автор: 네이마사미. Владелец: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-04-16.

Light emitting semiconductor structure

Номер патента: CN102738135A. Автор: 郭武政. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-17.

DISPLAYING DEVICE CONTAINING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT IN A MASSIVE HOUSING CONTAINED IN INSULATING MATERIAL WITH TWO-MULTIPLE STRIPED CONTACT DEVICES.

Номер патента: NL174307B. Автор: . Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1983-12-16.

By the method for substrate engagement to light emitting semiconductor device

Номер патента: CN108269756A. Автор: P.S.马丁,G.巴辛,J.E.伊普勒. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2018-07-10.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US11569416B2. Автор: Youn Joon Sung,Min Sung KIM,Eun Dk LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

The light emitting semiconductor device of sealing

Номер патента: CN109994586A. Автор: S.施亚夫菲诺,雷继谱,A.H.尼克. Владелец: Lumileds Holding BV. Дата публикации: 2019-07-09.

FILAMENT WITH LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR CHIPS, LAMPS AND METHOD OF MAKING A FILAMENT

Номер патента: DE112017001510B4. Автор: Ivar Tangring,Thomas Schlereth,Michael Bestele,Elena Rachkova. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-02-16.

Light-emitting semiconductor structure and light-emitting semiconductor substrate

Номер патента: US20210399174A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Hsin-Chiao Fang. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Light-emitting semiconductor device with planar structure

Номер патента: US6054726A. Автор: Hiroshi Hamano,Yukio Nakamura,Masumi Taninaka,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Production of radiation-emitting semiconductor components

Номер патента: US20190273191A1. Автор: Ivar Tangring,Markus Richter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-05.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09818921B2. Автор: Simon Jerebic,Stefan Grötsch,Johann Ramchen,David Racz,Hans-Christoph Gallmeier. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-14.

Optoelectronic semiconductor component and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20210249390A1. Автор: Andreas Reith. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-08-12.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09780263B2. Автор: Andreas Plöβl,Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing Same

Номер патента: US20180006196A1. Автор: Siegfried Herrmann,Alexander Linkov. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-04.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11316075B2. Автор: Jörg Erich SORG,Andreas Dobner,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-04-26.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20200303594A1. Автор: Jörg Erich SORG,Andreas Dobner,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-24.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20210305463A1. Автор: Martin Brandl,Luca Haiberger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-30.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor device

Номер патента: US10673207B2. Автор: Christoph Berger,Armin Dadgar,Andre Strittmatter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-06-02.

Optoelectronic Component And Method For Producing A Light-Emitting Semiconductor Body

Номер патента: US20240030275A1. Автор: Norwin von Malm,Peter Stauss,Adrian Stefan Avramescu. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

METHOD FOR PRODUCING LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20200083401A1. Автор: Von Malm Norwin,"OBrien David",Goeoetz Britta. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Method for producing a light-emitting semiconductor component and light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2014029642A1. Автор: Andreas Plossl,Britta Göötz,Jürgen Moosburger,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-02-27.

Flexible light emitting semiconductor device

Номер патента: US09716061B2. Автор: Andrew J. Ouderkirk,Ravi Palaniswamy,Siang Sin Foo,Fong Liang Tan,Arokiaraj Jesudoss,Wei Meng PEE,Justine A. Mooney,Alejandro Aldrin Il Agcaoili Narag. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-07-25.

Light-emitting semiconductor structure and method for fabricating light-emitting diode device

Номер патента: US9570653B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Chih-Hao Yang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Arrangement of light-emitting semiconductor chips and light-emitting means with light-emitting semiconductor chips

Номер патента: DE102016206896A1. Автор: Kok Eng Ng,Manfred Scheubeck,Tilman Eckert,Anuarul Ikhwan Mat Nazri. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-26.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting device and method for manufacturing a light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE112016002493B4. Автор: Christoph Berger,Armin Dadgar,Andre Strittmatter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-12-15.

PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT BY CONNECTING FIRST AND SECOND SEMICONDUCTOR BODIES

Номер патента: US20160247966A1. Автор: Lugauer Hans-Jürgen,Rode Patrick,Sabathil Matthias,Linkov Alexander,Plößl Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150228870A1. Автор: Sabathil Matthias,Goeoetz Britta,Moosburger Juergen,Ploessl Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Light emitting semiconductor device and substrate therefore

Номер патента: US09754869B2. Автор: Alejandro Aldrin Ii Agcaoili Narag,Ravi Palaniswamy,Bee Leng TAN,Antonny Enojo Flor. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-09-05.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20210074893A1. Автор: Göötz Britta,Tonkikh Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

Mixed-color light-emitting semiconductor component with luminescence conversion element

Номер патента: DE19638667A1. Автор: Juergen Dr Schneider,Rolf Schmidt,Peter Dr Schlotter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-04-02.

Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component

Номер патента: CN1567608A. Автор: K·霍恩,R·施米特,A·德布雷,P·施洛特尔,J·施奈登. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2005-01-19.

Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component

Номер патента: US7276736B2. Автор: Jürgen Schneider,Ralf Schmidt,Klaus Hohn,Alexandra Debray,Peter Schlotter. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2007-10-02.

Mixed-color light-emitting semiconductor component with luminescence conversion element

Номер патента: DE19638667C2. Автор: Juergen Schneider,Rolf Schmidt,Peter Schlotter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2001-05-17.

Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component

Номер патента: US7709852B2. Автор: Jürgen Schneider,Ralf Schmidt,Klaus Hohn,Alexandra Debray,Peter Schlotter. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2010-05-04.

Light-emitting semiconductor structure and method for fabricating light-emitting diode device

Номер патента: CN102956766A. Автор: 陈俊荣,方国龙,杨智皓,郭奇文. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Heat-curable silicone resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, method of producing light emitting device using same and encapsulated light emitting semiconductor device produced thereby

Номер патента: CN103879099A. Автор: 柏木努,盐原利夫. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-25.

Heat-curable silicon resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, and method for producing light emitting device and encapsulated light emitting semiconductor device using the same

Номер патента: KR20140081736A. Автор: 도시오 시오바라,츠토무 가시와기. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2014-07-01.

Light emitting semiconductor device and car light

Номер патента: CN103066187B. Автор: 横林裕介. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Light-emitting semiconductor device and package thereof

Номер патента: US20120299043A1. Автор: Chia-Liang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

TWO PART FLEXIBLE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160043294A1. Автор: Palaniswamy Ravi,Mooney Justine A.,Narag Alejandro Aldrin II Agcaoili,Gao Jian Xia. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

COMPOSITE PARTICLE, METHOD OF PRODUCING SAME, RESIN COMPOSITION CONTAINING THE PARTICLE, REFLECTOR FORMED FROM THE COMPOSITION, AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE REFLECTOR

Номер патента: US20150060919A1. Автор: SHIOBARA Toshio,TSUTSUMI Yoshihiro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO. LTD.. Дата публикации: 2015-03-05.

FLEXIBLE CIRCUITS FOR MOUNTING LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180219136A1. Автор: Palaniswamy Ravi,Narag,II Alejandro Aldrin A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE THEREFORE

Номер патента: US20150318237A1. Автор: Palaniswamy Ravi,Narag Alejandro Aldrin II Agcaoili,Flor Antonny Enojo. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2015-11-05.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200295240A1. Автор: Linkov Alexander,HALBRITTER Hubert. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

White light-emitting semiconductor devices

Номер патента: US8581488B2. Автор: Yoshihito Satou,Kazuhiko Kagawa,Hiroaki Okagawa,Hiroaki Sakuta,Shin Hiraoka. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2013-11-12.

White light-emitting semiconductor devices

Номер патента: US8829778B2. Автор: Yoshihito Satou,Kazuhiko Kagawa,Hiroaki Okagawa,Hiroaki Sakuta,Shin Hiraoka. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Light emitting semiconductor device and substrate therefore

Номер патента: WO2014113045A1. Автор: Alejandro Aldrin Ii Agcaoili Narag,Ravi Palaniswamy,Bee Leng TAN,Antonny E. FLOR. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2014-07-24.

A light-emitting semiconductor device and package with a wavelength conversion structure

Номер патента: TWI478370B. Автор: Chia Liang Hsu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-03-21.

Light emitting semiconductor parts

Номер патента: JP2014507811A. Автор: パトリック ローデ,マティアス サバシル,アレクサンダー リンコフ,アンドレアス プルーセル,ハンス−ユルゲン ルガウアー. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-03-27.

Flexible light emitting semiconductor device

Номер патента: WO2012112873A3. Автор: Andrew J. Ouderkirk,Ravi Palaniswamy,Siang Sin Foo,Fong Liang Tan,Arokiaraj Jesudoss,Alejandro Aldrin Agcaoili II NARAG,Wei Meng PEE,Justine A. Mooney. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2012-12-27.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: TWM327548U. Автор: Tzu-Hao Chao,Chun-Peng Chen. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Light emitting semiconductor device with a surface-mounted and flip-chip package structure

Номер патента: US20030010986A1. Автор: Ming-Der Lin,Kwang-Ru Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Flexible circuits for mounting light emitting semiconductor device

Номер патента: WO2017040478A1. Автор: Ravi Palaniswamy,Alejandro Aldrin II A. Narag. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2017-03-09.

Flexible circuits for mounting light emitting semiconductor device

Номер патента: US20180219136A1. Автор: Ravi Palaniswamy,II Alejandro Aldrin A. Narag. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component and Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20200220056A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09887180B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Optoelectronic Semiconductor Component and Display Means

Номер патента: US20120001208A1. Автор: Peter Brick,Sven Weber-Rabsilber,Michael Wittmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20210391509A1. Автор: Peter Nagel,Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-12-16.

Carrier with a passive cooling function for a semiconductor component

Номер патента: US20180070436A1. Автор: Franz Rinner,Thomas Feichtinger,Christian Vockenberger,Oliver Dernovsek. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2018-03-08.

Housing, optoelectronic semiconductor component and production method

Номер патента: US20230042041A1. Автор: Simon Jerebic,Matthias Hofmann,Markus Boss,Karlheinz Arndt,Matthias Goldbach,Harald Jaeger,Jens Eberhard,Sebastian Stoll,Constantin Hetzer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-02-09.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09780265B2. Автор: Stefan Illek,Siegfried Herrmann,Frank Singer,Norwin von Malm,Juergen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Optoelectronic semiconductor component having an electrically insulating element

Номер патента: US09691682B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-27.

Optoelectronic semiconductor component having a gold layer in the edge region

Номер патента: US20240079521A1. Автор: Ivar Tangring. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor component and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US20200152568A1. Автор: Dominik Scholz,Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-05-14.

Electrolytically coated optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US9041020B2. Автор: HELMUT Fischer,Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-05-26.

Composite Semiconductor Component and Method for Producing a Composite Semiconductor Component

Номер патента: US20200411493A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-31.

Optoelectronic semiconductor component and method of producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11949052B2. Автор: Jens Müller,Johannes Saric,Benjamin Reuters. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-04-02.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20140246688A1. Автор: Ralph Wirth,Andreas Dobner,Joerg Sorg. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2014-09-04.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10833234B2. Автор: Christopher Wiesmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-11-10.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120049231A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120181564A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Component and Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20130313604A1. Автор: Gaertner Christian,Engl Karl,Hoeppel Lutz,Schlenker Tilman,Baisl Richard,Taeger Sebastian. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-11-28.

EPITAXY WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT, LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND METHODS FOR PRODUCING THE EPITAXY WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT AND THE LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20200411731A1. Автор: Varghese Tansen,Behringer Martin Rudolf,Tonkikh Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: SCHMIDTKE Kathy,Gebuhr Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Ii-vi based light emitting semiconductor device

Номер патента: EP2867928A2. Автор: Dagobert Michel De Leeuw,Frank Verbakel,Wilhelmus Cornelis Keur,Johannes Franciscus Maria Cillessen,Kamal Asadi,Patrick John Baesjou,Cornelis Eustatius Timmering. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-05-06.

Light-emitting semiconductor element has light-emitting chip encapsulated in plastics block providing total internal reflection of light component emitted at angle to required main radiation direction

Номер патента: DE10345515A1. Автор: Uwe Straus. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2005-05-04.

Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device and Light-Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20200194631A1. Автор: Raukas Madis,Kundaliya Darshan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device

Номер патента: KR100848861B1. Автор: 시오바라도시오,가시와기츠토무. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-07-29.

Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device

Номер патента: TWI373150B. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2012-09-21.

Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device

Номер патента: US20050006794A1. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor structure

Номер патента: TW544954B. Автор: Godefridus Johannes Verhoeckx,Michael R Krames,William David Collins Iii,Leth Nicolaas Joseph Marti Van. Владелец: Lumileds Lighting Llc. Дата публикации: 2003-08-01.

Light-emitting semiconductor component with luminescence conversion element

Номер патента: KR100751692B1. Автор: 클라우스 횐,페터 슐로터,위르겐 슈나이더,롤프 슈미트,귄터 바이틀,노르베르트 슈타트,울리케 레. Владелец: 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁. Дата публикации: 2007-08-23.

Light-emitting semiconductor component with luminescence conversion element

Номер патента: KR100643442B1. Автор: 클라우스 횐,페터 슐로터,위르겐 슈나이더,롤프 슈미트,귄터 바이틀,노르베르트 슈타트,울리케 레. Владелец: 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁. Дата публикации: 2006-11-10.

Luminescent diode, comprises a light-emitting semiconductor chip embedded in a casting composition transparent for the emitted light

Номер патента: DE10135190A1. Автор: Johannes Baur. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2003-02-06.

Light emitting device e.g. LED, has layer of three-dimensional photonic crystals provided on light emitting semiconductor die and serving as index-matching interface layer between die and encapsulant

Номер патента: DE102005050317A1. Автор: Janet Bee Yin Loveland Chua,Yue Hoong Loveland Lau. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

Light emitting semiconductor device for generation of short light pulses

Номер патента: US20200154544A1. Автор: Georg Roehrer,Robert Kappel,Nenad Lilic. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2020-05-14.

Light-emitting semiconductor device for generating short light pulses

Номер патента: CN110998874A. Автор: 罗伯特·卡佩尔,格奥尔格·勒雷尔,内纳德·利利奇. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2020-04-10.

II-VI BASED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170256676A1. Автор: Cillessen Johannes Franciscus Maria,De Leeuw Dagobert Michel,Asadi Kamal,Baesjou Patrick John,Keur Wilhelmus Cornelis,VERBAKEL Frank,TIMMERING CORNELIS EUSTATIUS. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Overlay circuit structure for interconnecting light emitting semiconductors

Номер патента: US20130062630A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Shakti Singh Chauhan,Donald Paul Cunningham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-03-14.

OVERLAY CIRCUIT STRUCTURE FOR INTERCONNECTING LIGHT EMITTING SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20150108513A1. Автор: Gowda Arun Virupaksha,Chauhan Shakti Singh,Cunningham Donald Paul. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

Light-Emitting Semiconductor Chip and Display Device

Номер патента: US20200273907A1. Автор: Brick Peter,HALBRITTER Hubert,Singer Frank,Perälä Mikko. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-08-27.

Light emitting semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN104508842B. Автор: 安相贞. Владелец: 安相贞. Дата публикации: 2017-06-09.

Light Emitting Semiconductor Bonding Structure And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20060199290A1. Автор: Shyi-Ming Pan,Fen-Ren Chien. Владелец: Fen-Ren Chien. Дата публикации: 2006-09-07.

Light emitting semiconductor bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US7374958B2. Автор: Shyi-Ming Pan,Fen-Ren Chien. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2008-05-20.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN108550671A. Автор: 全水根,朴恩铉,金勈德. Владелец: Generation Mai Keliuming Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-18.

Method for the production of light-emitting semiconductor diodes

Номер патента: US20070117248A1. Автор: Thorsten Ricking,Cem Olkay,Thomas Manth,Jochen Kunze,Veit Schwegler. Владелец: Odelo Led GmbH. Дата публикации: 2007-05-24.

Light emitting semiconductor bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060081859A1. Автор: Shyi-Ming Pan,Fen-Ren Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US20100052006A1. Автор: Shigeo Takeda,Hiroyuki Tajima,Shota Shimonishi,Yosuke Tsuchiya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Light Emitting Semiconductor Apparatus

Номер патента: US20070262340A1. Автор: Kazunori Sumi,Dai Aoki. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-15.

A cooling device for a light-emitting semiconductor device and a method of manufacturing such a cooling device

Номер патента: KR101240999B1. Автор: 요한 마라,잔 드 그라프,셀린 씨. 에스. 니콜,마르쿠스 에이. 버슈우렌,한스 반 스프랑,테오 에이. 코프,로날드 엠. 볼프. Владелец: 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2013-03-08.

Light-emitting semiconductor device based on elements of ii-vi groups

Номер патента: RU2639605C2. Автор: Вильхельмус Корнелис КЕУР,ЛЕУ Дагоберт Михел ДЕ,Франк ВЕРБАКЕЛ,Камал АСАДИ,Йоханнес Франсискус Мария СИЛЛЕССЕН,Патрик Джон БАШАУ,Корнелис Эстатиус ТИММЕРИНГ. Владелец: Люмиледс Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2017-12-21.

Ii-vi based light emitting semiconductor device

Номер патента: WO2014002069A3. Автор: Dagobert Michel De Leeuw,Frank Verbakel,Wilhelmus Cornelis Keur,Johannes Franciscus Maria Cillessen,Kamal Asadi,Patrick John Baesjou,Cornelis Eustatius Timmering. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2014-03-06.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104508841B. Автор: 安相贞. Владелец: 安相贞. Дата публикации: 2018-05-22.

II-VI based light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104428910A. Автор: K.阿萨迪,D.M.德里尤,J.F.M.斯勒斯森,W.C.科尔,F.维巴克,P.J.巴伊斯乔,C.E.蒂梅宁. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2015-03-18.

Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip

Номер патента: EP2702833A1. Автор: Norwin von Malm,Madis Raukas,Darshan KUNDALIYA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-03-05.

Light-receiving or light-emitting semiconductor apparatus

Номер патента: CA2469002C. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-13.

Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method

Номер патента: US6412971B1. Автор: Robert John Wojnarowski,William Paul Kornrumpf,Barry Scott Whitmore. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2002-07-02.

Epoxy/silicone mixed resin composition and light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7498085B2. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-03.

Light emitting semiconductor device having an electrical confinement barrier near the active region

Номер патента: WO2008016829A2. Автор: Ralph H. Johnson,James K. Guenter,James R. Biard. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element, method for producing a wavelength conversion element and method for producing a light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element

Номер патента: US09806240B2. Автор: Britta Goeoetz,Christopher A. Tarry. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-31.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09608172B2. Автор: Thomas Schwarz,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for producing optoelectronic semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component, and an optoelectronic arrangement

Номер патента: US20230369550A1. Автор: Norwin von Malm,Matthias Goldbach,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20170288091A1. Автор: Bjoern Hoxhold,Bernd Boehm,Stefan Hartauer,Daniel Zaspel. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2017-10-05.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240372318A1. Автор: Dominik Scholz,Norwin von Malm. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09893232B2. Автор: Bjoern Hoxhold,Bernd Boehm,Stefan Hartauer,Daniel Zaspel. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2018-02-13.

WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT, LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT INCLUDING A WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING A WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT INCLUDING A WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT

Номер патента: US20170062672A1. Автор: Goeoetz Britta,Tarry Christopher A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor component and associated production method

Номер патента: US20100025712A1. Автор: Markus Weyers,Martin Zorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-04.

Hermetically tight glass-metal housing for semiconductor components and method for producing same

Номер патента: US4940855A. Автор: Ewald Schmidt,Guenther Waitl,Rolf Birkmann. Владелец: Electrovac AG. Дата публикации: 1990-07-10.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Components

Номер патента: US20210005660A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-01-07.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20210028224A1. Автор: Tansen Varghese. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-01-28.

Radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US09842972B2. Автор: Mikael Ahlstedt,Krister Bergenek,Ute Liepold. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-12.

Optoelectronic semiconductor component, optoelectronic arrangement and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10290784B2. Автор: Anna Kasprzak-Zablocka,Korbinian Perzlmaier,Stefanie Rammelsberger,Christian Leirer,Julian Ikonomov. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-14.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20220320404A1. Автор: Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor component and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US20200168767A1. Автор: Berthold Hahn,Anna Kasprzak-Zablocka,Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-05-28.

Optoelectronic semiconductor component and production method

Номер патента: US20240030397A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Korbinian Perzlmaier,Christoph Klemp. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Wavelength conversion element and light-emitting semiconductor component comprising wavelength conversion element

Номер патента: WO2013041465A1. Автор: Johannes Baur,Berthold Hahn,Stefan Grötsch,Guido Weiss,Simone KIENER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-03-28.

HEAT-CURABLE SILICONE RESIN SHEET HAVING PHOSPHOR-CONTAINING LAYER AND PHOSPHOR-FREE LAYER, METHOD OF PRODUCING LIGHT EMITTING DEVICE UTILIZING SAME AND LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED BY THE METHOD

Номер патента: US20130200413A1. Автор: Kashiwagi Tsutomu,SHIOBARA Toshio,Tanaka Hayato. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-08.

HEAT-CURABLE SILICONE RESIN SHEET HAVING PHOSPHOR-CONTAINING LAYER AND WHITE PIGMENT-CONTAINING LAYER, METHOD OF PRODUCING LIGHT EMITTING DEVICE USING SAME AND ENCAPSULATED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20140175488A1. Автор: Kashiwagi Tsutomu,SHIOBARA Toshio. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

A light-emitting semiconductor device having a densely packed phosphor layer on a light-emitting surface

Номер патента: DE112011103158T5. Автор: James Ibbetson,Peter S. Andrews. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Light especially white light emitting semiconductor device - has luminescence conversion element for wavelength conversion of initial emitted radiation

Номер патента: DE19655185B4. Автор: Rolf Schmidt,Dr. Schlotter Peter,Dr. Schneider Jürgen. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2011-11-24.

Light-emitting semiconductor device possessing light-emitting conversion element

Номер патента: CN1917240B. Автор: J·施奈德,R·施米特,U·雷,K·赫恩,N·斯塔施,G·韦特,P·施洛特. Владелец: PATRA Patent Treuhand Munich. Дата публикации: 2012-05-23.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2054242C. Автор: Masahiro Kotaki,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-06-25.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS6066881A. Автор: 舜平 山崎,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1985-04-17.

FLEXIBLE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130320390A1. Автор: OUDERKIRK Andrew J.,Palaniswamy Ravi,Jesudoss Arokiaraj,Narag,II Alejandro Aldrin Agcaoili,Foo Siang Sin,Tan Fong Liang,Pee Wei Meng,Mooney Justine A.. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2013-12-05.

WHITE LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140042896A1. Автор: Kagawa Kazuhiko,SAKUTA Hiroaki,SATOU Yoshihito,Hiraoka Shin,Okagawa Hiroaki. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

OPTICAL TUNING OF LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR JUNCTIONS

Номер патента: US20150014723A1. Автор: Atanackovic Petar. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

TWO PART FLEXIBLE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140153263A1. Автор: Palaniswamy Ravi,Mooney Justine A.,Narag Alejandro Aldrin II Agcaoili,Gao Jian Xia. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2014-06-05.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20140191260A1. Автор: Kuo Wu-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-10.

SILICONE-ORGANIC RESIN COMPOSITE LAMINATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20140199909A1. Автор: SHIOBARA Toshio,AKAHANE Saiko,YAMAGUCHI Shigeo. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-17.

SILICONE-ORGANIC RESIN COMPOSITE LAMINATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20180190890A1. Автор: SHIOBARA Toshio,AKAHANE Saiko,YAMAGUCHI Shigeo. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2018-07-05.

Flexible light emitting semiconductor device with large area conduit

Номер патента: US20160276319A1. Автор: Andrew J. Ouderkirk,Ravi Palaniswamy,Nathan P. Kreutter,II Alejandro Aldrin A. Narag,Jian Xia Gao. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-09-22.

FLEXIBLE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170290212A1. Автор: OUDERKIRK Andrew J.,Palaniswamy Ravi,Jesudoss Arokiaraj,Foo Siang Sin,Tan Fong Liang,Pee Wei Meng,Mooney Justine A.,Narag Alejandro Aldrin II Agacaoili. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

OPTICAL TUNING OF LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR JUNCTIONS

Номер патента: US20160308090A1. Автор: Atanackovic Petar. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Light-emitting semiconductor display system

Номер патента: JPS5511356A. Автор: Seiichi Hara. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-01-26.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: JPH10261818A. Автор: Kazuhiko Horino,和彦 堀野. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-09-29.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN102820399B. Автор: 李尚烈,文智炯,丁焕熙,崔光基,宋俊午. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

Light emitting semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN104241486B. Автор: 金基石,李相奭,李守烈,林璨默. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-25.

Overlay circuit structure for interconnecting light emitting semiconductors

Номер патента: KR102085649B1. Автор: 아룬 비루파크샤 고우다,도날드 폴 커닝햄,샤크티 싱 차우한. Владелец: 제너럴 일렉트릭 캄파니. Дата публикации: 2020-03-06.

Optical tuning of light emitting semiconductor junctions

Номер патента: US9412911B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: TWI449224B. Автор: Hao Chung Kuo,Chao Hsun Wang,Zhen Yu Li. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2014-08-11.

Light-emitting semiconductor device using group III nitrogen compound

Номер патента: US20060118821A1. Автор: Shiro Yamazaki,Masayoshi Koike,Katsuhide Manabe,Makoto Asai,Hisaki Kato,Naoki Shibata,Michinari Sassa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: DE19845477A1. Автор: Shinji Isokawa,Hidekazu Toda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-04-08.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE202009018441U1. Автор: . Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-06.

Methods for producing a light emitting semiconductor body with a luminescence converter element

Номер патента: EP1259990B1. Автор: Georg Bogner,Günther Waitl,Alexandra Debray. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-12-25.

Light-emitting semiconductor device using group III nitrogen compound

Номер патента: US7332366B2. Автор: Shiro Yamazaki,Masayoshi Koike,Katsuhide Manabe,Makoto Asai,Hisaki Kato,Naoki Shibata,Michinari Sassa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Methods for producing a light emitting semiconductor body with a luminescence converter element

Номер патента: EP1259990A1. Автор: Georg Bogner,Günther Waitl,Alexandra Debray. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2002-11-27.

Blue-green light-emitting semiconductor and phosphor for same

Номер патента: US20090152576A1. Автор: Soshchin Naum,Wei-Hung Lo,Chi-Ruei Tsai. Владелец: Chi-Ruei Tsai. Дата публикации: 2009-06-18.

Method to produce a light-emitting semiconductor-body with a luminescence-conversion element

Номер патента: TW519771B. Автор: Georg Bogner,Guenther Waitl,Alexandra Debray. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2003-02-01.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD

Номер патента: DE69533511D1. Автор: Minoru Kubo,Akihiko Ishibashi,Yuzaburo Ban,Isao Kidoguchi,Kiyoshi Ohnaka,Hideto Adachi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Light-emitting semiconductor element

Номер патента: DE60143342D1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Osamu Oda,Yuji Hori,Tomohiko Shibata. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Light emitting semiconductor device and method for manufacturing

Номер патента: EP2438628A1. Автор: Vladislav E. Bougrov,Maxim A. Odnoblyudov,Mikael Mulot. Владелец: Optogan Oy. Дата публикации: 2012-04-11.

Light emitting semiconductor device and manufacture method thereof

Номер патента: CN1099190A. Автор: 野崎秀树,海野和美. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-02-22.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN100546061C. Автор: 押尾博明,松本岩夫,苗代光博. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-30.

Light emitting semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: CN113782658B. Автор: 刘芳,徐晓丽,杨丹,李惠芸,孙雷蒙. Владелец: Huayinxin Wuhan Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-02-11.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING IT

Номер патента: DE2826486A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Masafumi Hashimoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1979-01-25.

Multi-wavelength light-emitting semiconductor devices

Номер патента: EP4131678A3. Автор: Andrew Johnson. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2023-05-03.

Multi-wavelength light-emitting semiconductor devices

Номер патента: TW202320438A. Автор: 安德魯 大衛 約翰遜. Владелец: 英商Ｉｑｅ有限公司. Дата публикации: 2023-05-16.

Multi-layer packaging substrate, method for making the packaging substrate, and package structure of light-emitting semiconductor

Номер патента: TW201037803A. Автор: wen-zhong Jiang,geng-zhong Wu,Ying-Ji Xie,zheng-gang Lv,Ming-Huang Fu. Владелец: High Conduction Scient Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-16.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE202010017388U1. Автор: . Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-17.

Light emitting semiconductor device* method of producing same and method of driving same

Номер патента: JPS53128289A. Автор: Runge Harutomuuto. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-11-09.

OHMIC LOCALIZER CONTACT IN THE CONTACT LAYER OF A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2530080B1. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1985-11-08.

Manufacturing method of light emitting semiconductor chip

Номер патента: JP6618952B2. Автор: レフラー アンドレアス,アイヒラー クリストフ,レル アルフレート,シュトイェッツ ベアンハート,ゾーマース アンドレ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-12-11.

Multi-wavelength light-emitting semiconductor devices

Номер патента: US20230040688A1. Автор: Andrew David Johnson. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2023-02-09.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: TW200836379A. Автор: Katsuyuki Okimura. Владелец: NEC Lighting Ltd. Дата публикации: 2008-09-01.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE112007001235B4. Автор: Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Motoaki Iwaya. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-09.

Light emitting semiconductor apparatus

Номер патента: TW201027786A. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang,Wei-Yo Chen,Chih-Chiang Lu,Wei-Chih Peng,Shiau-Huei San. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2010-07-16.

Efficient light emitting semiconductor device

Номер патента: US8258537B2. Автор: Hiroyuki Fujiwara,Takahito Suzuki,Mitsuhiko Ogihara,Hironori Furuta,Yusuke Nakai,Tomoki Igari,Tomohiko Sagimori. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-09-04.

Light-emitting semiconductor element

Номер патента: US20020038866A1. Автор: Hiroshi Nakatsu,Takahisa Kurahashi,Shouichi Ohyama,Tetsurou Murakami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE, LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180166854A1. Автор: STRITTMATTER André,Dadgar Armin,Berger Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Light-emitting semiconductor component, particularly light emitting diode, has substrateless light emitting diode semiconductor chip, and two connections are provided for contacting of semiconductor chip

Номер патента: DE102007040874A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-03-05.

Light-emitting semiconductor chip

Номер патента: US09799797B2. Автор: Tetsuya Taki,Alexander Walter,Joachim Hertkorn,Tobias Meyer,Matthias Peter,Rainer Butendeich,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-24.

Light-emitting semiconductor chip

Номер патента: US09530931B2. Автор: Tetsuya Taki,Alexander Walter,Joachim Hertkorn,Tobias Meyer,Matthias Peter,Rainer Butendeich,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-12-27.

Light emitting semiconductor device using nanocrystals

Номер патента: US6157047A. Автор: Atsushi Kurobe,Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Light-emitting semiconductor component manufacturing method has semiconductor layer structure with metal layer structured for providing contacts combined with carrier having further contact layer

Номер патента: DE10017337A1. Автор: Matthias Braun. Владелец: Vishay Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2001-10-18.

LAYERING METHOD, VACUUM PROCESSING DEVICE, PRODUCTION METHOD OF A LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT, LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LIGHTING DEVICE

Номер патента: DE112012004463T5. Автор: Yoshiaki Daigo. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Overvoltage-protected light-emitting semiconductor device, and method of fabrication

Номер патента: US7897497B2. Автор: Junji Sato,Mikio Tazima,Yasuhiro Kamii,Arei Niwa. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-01.

Light-Emitting Semiconductor Chip and Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20190019921A1. Автор: Höppel Lutz. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

Near-Ultraviolet Light-Emitting Semiconductor Light-Emitting Element And Group III Nitride Semiconductor Template Used Therefor

Номер патента: US20200058827A1. Автор: HWANG Sung Min,KIM Doo Soo,CHO In Sung,LIM Won Taeg. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

NEAR-ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE USED THEREFOR

Номер патента: US20190140140A1. Автор: HWANG Sung Min,KIM Doo Soo,CHO In Sung,LIM Won Taeg. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING CHIP

Номер патента: US20170331257A1. Автор: Lell Alfred,Eichler Christoph,Stojetz Bernhard,Somers André,Loeffler Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

Method and light emitting semiconductor device that a kind of light emitting semiconductor device makes

Номер патента: CN106816508A. Автор: 刘硕,刘治,万小承. Владелец: GUANGDONG QUANTUM WAFER PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-09.

Light-emitting semiconductor chip and method for producing a light-emitting semiconductor chip

Номер патента: WO2017158046A1. Автор: Lutz Höppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-21.

Side light emitting semiconductor device and method for manufacturing side light emitting semiconductor device

Номер патента: JP4362125B2. Автор: 健 中原. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-11-11.

Side surface light emitting semiconductor element and method for manufacturing side surface light emitting semiconductor element

Номер патента: CN101401223A. Автор: 中原健. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-04-01.

Red light emitting semiconductor element and method for manufacturing red light emitting semiconductor element

Номер патента: JP5388041B2. Автор: 直樹 古川,敦 西川,隆志 川崎,康文 藤原,慶和 寺井. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2014-01-15.

A method of fabricating a laterally monolithically integrated light emitting semiconductor device and light emitting semiconductor device

Номер патента: DE19943405B4. Автор: Volker Dr. Härle. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-12-20.

Red light-emitting semiconductor element and method for manufacturing red light-emitting semiconductor element

Номер патента: KR101383489B1. Автор: 야스후미 후지와라,타카시 카와사키,나오키 후루카와,아츠시 니시카와,요시카즈 테라이. Владелец: 오사카 유니버시티. Дата публикации: 2014-04-08.

Improvements in or relating to light emitting semiconductor devices

Номер патента: IE35169B1. Автор: . Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1975-11-26.

Light-emitting semiconductor element

Номер патента: TWI236158B. Автор: Hiroshi Nakatsu,Takahisa Kurahashi,Shouichi Ohyama,Tetsurou Murakami. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-07-11.

High-efficiency, overvoltage-protected, light-emitting semiconductor device

Номер патента: TW200805715A. Автор: Nobuhisa Sugimori. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: TW201140876A. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-11-16.

GROUP III NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер патента: DE60233478D1. Автор: Jun Ito,Hiroshi Watanabe,Shinya Asami,Naoki Shibata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: DE3129967A1. Автор: Werner Dipl.-Phys. 8150 Holzkirchen Späth,Walter Ing.(grad.) 8130 Starnberg Wegleiter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-02-17.

Light emitting member having a wiring board with through hole exposing a light emitting semiconductor element with a light reflecting member covering a peripheral wall portion of the through hole

Номер патента: US9472738B2. Автор: Shigeo Takeda,Hiroyuki Tajima,Shota Shimonishi,Yosuke Tsuchiya,Tomohiro Miwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method to manufacture a light-emitting semiconductor-component

Номер патента: TWI224875B. Автор: Stefan Illek,Andreas Ploessl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2004-12-01.

Substrate for nitride semiconductor device and production method thereof, and red light emitting semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US9455376B2. Автор: Atsushi Koizumi,Yasufumi Fujiwara,Yoshikazu Terai. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2016-09-27.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride compound semiconductor

Номер патента: US6423984B1. Автор: Hiroshi Watanabe,Norikatsu Koide,Shinya Asami,Hisaki Kato. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-23.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride compound semiconductor

Номер патента: US20040026705A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Norikatsu Koide,Shinya Asami,Hisaki Kato. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-12.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride compound semiconductor

Номер патента: US6853009B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Norikatsu Koide,Shinya Asami,Hisaki Kato. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-08.

Substrate for nitride semiconductor device and production method thereof, and red light emitting semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US20150214434A1. Автор: Atsushi Koizumi,Yasufumi Fujiwara,Yoshikazu Terai. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2015-07-30.

Nitride semiconductor element substrate and manufacturing method thereof, and red light-emitting semiconductor element and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI597861B. Автор: 小泉淳,藤原康文,寺井慶和. Владелец: 國立大學法人大阪大學. Дата публикации: 2017-09-01.

Light Receiving or Light Emitting Semiconductor Module

Номер патента: US20090025780A1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Kyosemi Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Method for manufacturing a semiconductor device and in particular light emitting semiconductor diodes

Номер патента: DE1964837A1. Автор: Henderson George Arthur,Pittman Gary Edmond. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-09-03.

Manufacture of light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS6156473A. Автор: Toshio Matsuda,Nagataka Ishiguro,永孝 石黒,俊夫 松田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-03-22.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: CN103765567A. Автор: 史蒂文·布伊肯斯,汤姆·马里富特. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2014-04-30.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR

Номер патента: DD136781A1. Автор: Revaz A Charmakadze. Владелец: Chikovani Rafael I. Дата публикации: 1979-07-25.

Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20170025570A1. Автор: Peter Matthias,Meyer Tobias,Taki Tetsuya,Walter Alexander,Hertkorn Joachim,Off Juergen,Butendeich Rainer. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES WITH GETTER LAYER

Номер патента: US20170063031A1. Автор: Weichmann Ulrich,Moench Holger,ENGELHARDT ANDREAS PETER,KOLB JOHANNA SOPHIE,SCHEMMANN MARCEL FRANZ CHRISTIAN. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2017-03-02.

Near-infrared light emitting semiconductor element and method for manufacturing same

Номер патента: US20220278249A1. Автор: Naoki Yoshioka,Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2022-09-01.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE USING GROUP III NITROGEN COMPOUND

Номер патента: US20140239313A1. Автор: Yamazaki Shiro,Shibata Naoki,KOIKE Masayoshi,Kato Hisaki,Asai Makoto,Manabe Katsuhide,Sassa Michinari. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-28.

Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20150194570A1. Автор: Peter Matthias,Meyer Tobias,Taki Tetsuya,Walter Alexander,Off Juergen,Butendeich Rainer,Hertkorm Joachim. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

NITRIDE BASED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DESIRABLE CARBON TO ALUMINUM CONCENTRATION RATIO

Номер патента: US20170194529A1. Автор: Li Yun-Li,Wang Shen-Jie,Lin Ching-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

II-VI BASED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160293799A1. Автор: Cillessen Johannes Franciscus Maria,De Leeuw Dagobert Michel,Asadi Kamal,Baesjou Patrick John,Keur Wilhelmus Cornelis,VERBAKEL Frank,TIMMERING CORNELIS EUSTATIUS. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20170324001A1. Автор: Peter Matthias,Meyer Tobias,Taki Tetsuya,Walter Alexander,Hertkorn Joachim,Off Juergen,Butendeich Rainer. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

II-VI BASED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150340559A1. Автор: Cillessen Johannes Franciscus Maria,Asadi Kamal,Baesjou Patrick John,Keur Wilhelmus Cornelis,VERBAKEL Frank,TIMMERING CORNELIS EUSTATIUS,DE LEEUW DAGOBERT MICHAEL. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

Light emitting semiconductor device including hole injection layer

Номер патента: CN104425665B. Автор: 朴永洙,金峻渊,金在均,金柱成,卓泳助. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-04.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN103367593B. Автор: 林祐湜,秋圣镐. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-03.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: JPS5922375A. Автор: Susumu Furuike,Toshiharu Kawabata,Hitoo Iwasa,仁雄 岩佐,進 古池,川端　敏治. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-02-04.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS6098687A. Автор: Kiyoshi Inoue,喜義 井上. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-06-01.

Light emitting semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101248624B1. Автор: 전경남. Владелец: 주식회사 케이이씨. Дата публикации: 2013-03-28.

Surface light emitting semiconductor laser

Номер патента: JPS59181079A. Автор: Tomoo Yanase,Hiroyoshi Rangu,博義 覧具,柳瀬　知夫. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-10-15.

A kind of preparation method of III races light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104576851B. Автор: 许顺成. Владелец: Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Light-emitting semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20050110029A1. Автор: Masahiro Sato,Koji Otsuka,Hidekazu Aoyagi. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7456435B2. Автор: Masahiro Sato,Koji Otsuka,Hidekazu Aoyagi. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-25.

Rib-wave guide type light emitted semiconductor device

Номер патента: KR920005132B1. Автор: 모토유키 야마모토. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1992-06-26.

Use the display device of light emitting semiconductor device

Номер патента: CN105684069B. Автор: 金治璇,李炳俊,金银惠,方圭铉. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-12-18.

Light-emitting semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20030183835A1. Автор: Masaaki Kikuchi,Tetsuji Moku,Kohji Ohtsuka,Masataka Yanagihara. Владелец: Masataka Yanagihara. Дата публикации: 2003-10-02.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: ATA224878A. Автор: . Владелец: Chikovani Rafael Iraklievich. Дата публикации: 1980-02-15.

A light emitting semiconductor device

Номер патента: EP0276140A3. Автор: Masamichi Yamanishi,Ikuo 1-104 Hirodai-Gagara-Daiichi Suemune,Yasuo B-206 Iwata Apartment Kan. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 1989-07-26.

Light emitting semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: JPS56101785A. Автор: Susumu Furuike,Hitoo Iwasa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-08-14.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: JPS59145581A. Автор: Kazuhiro Ito,Mitsuhiro Mori,Hitoshi Nakamura,Yuichi Ono,Kazuhiro Kurata,Masahiko Kawada,伊藤和弘,中村均,河田雅彦,小野佑一,森光廣,倉田一宏. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-08-21.

Electrode for light emitting semiconductor device - has high contact resistance wire bonding electrode overlying transparent electrode

Номер патента: DE19861007B4. Автор: Mineo Chiba Okuyama,Hisayuki Chichibu Miki,Takashi Chichibu Udagawa,Noritaka Chichibu Muraki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-07-13.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE602004021460D1. Автор: Jae-hee Cho,Joon-seop Kwak. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Use of a superlattice structure comprising a plurality of heterojunction layer layers arranged one behind the other to improve the lateral current propagation in a light-emitting semiconductor diode

Номер патента: DE19741609C2. Автор: Christian Geng,Jochen Gerner. Владелец: Vishay Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2003-02-27.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7199401B2. Автор: Masahiro Sato,Tetsuji Matsuo,Hidekazu Aoyagi,Mikio Tazima. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-03.

A kind of light emitting semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: CN104157765B. Автор: 何鹏,许顺成,付宏威. Владелец: Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-09.

Light-emitting semiconductor devices having a multiple quantum barrier structure

Номер патента: EP0996171A2. Автор: Hiroyuki Kano. Владелец: Canare Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-26.

Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode

Номер патента: US20030006422A1. Автор: Takashi Udagawa,Mineo Okuyama,Hisayuki Miki,Noritaka Muraki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2003-01-09.

A light-emitting semiconductor device

Номер патента: EP0301893A3. Автор: Masato C/O Semiconductor Laboratory Of Yamada,Shinji C/O Semiconductor Laboratory Of Orimo,Takao C/O Semiconductor Laboratory Of Takenaka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1990-07-04.

The method for manufacturing light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104518062B. Автор: 崔承奎,金材宪,郑廷桓,郭雨澈,张三硕. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Light-emitting semiconductor devices with a getter layer

Номер патента: RU2672776C2. Автор: Хольгер МЁЕНХ,Ульрих ВАЙХМАНН,Йоханна Софи КОЛЬБ,Андреас Петер ЭНГЕЛХАРДТ,Марсель Франц Кристиан ШЕММАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-11-19.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: KR101813315B1. Автор: 톰 마리보에트,스티븐 보이켄스. Владелец: 케이엘에이-텐코 코포레이션. Дата публикации: 2017-12-28.

Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound

Номер патента: EP0732754B1. Автор: Masayoshi Koike,Shinya Asami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-31.

Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound

Номер патента: TW385555B. Автор: Masayoshi Koike,Shinya Asami. Владелец: Toyoda Gosei Kk. Дата публикации: 2000-03-21.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: EP0061938B1. Автор: Nobuyuki Takagi,Hiroshi Ishikawa,Hajime Imai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-06-08.

Light-emitting semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20060001032A1. Автор: Yoshihiko Uchida,Shiro Takeda,Hitoshi Murofushi,Hidekazu Aoyagi. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Light emitting semiconductor devices with getter layer

Номер патента: CN106030938A. Автор: H.梅恩奇,J.S.科布,U.维奇曼恩,A.P.恩格哈德特,M.F.C.谢曼恩. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2016-10-12.

Light-emitting semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1581525A. Автор: 秋田胜史. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104471727B. Автор: 全水根,朴恩铉. Владелец: Generation Mai Keliuming Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-05.

Light emitting semiconductor chip with diffision barrier

Номер патента: EP1739758A2. Автор: Norbert Linder. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-01-03.

Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode

Номер патента: US20040173809A1. Автор: Takashi Udagawa,Mineo Okuyama,Hisayuki Miki,Noritaka Muraki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2004-09-09.

Light-emitting semiconductor device substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP0439644B1. Автор: Masato Yamada,Takao Takenaka,Shinji Orimo. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-19.

Fabrication method of optically transparent substrate and fabrication method of light emitting semiconductor chip

Номер патента: JP2001244499A. Автор: Klaus Streubel,シュトロイベル クラウス. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2001-09-07.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: EP0902978A1. Автор: Gerard Argant Alphonse. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 1999-03-24.

Solid state light emitting semiconductor structure and epitaxy growth method thereof

Номер патента: US8409894B2. Автор: Chang-Chin Yu,Mong-Ea Lin. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-02.

Light emitting semiconductor diode, comprises primary and secondary silicon containing layers of one conductivity, and a third of the opposite conductivity

Номер патента: DE102004042997A1. Автор: Tzanimir Arguirov,Armin Dr. Fischer,Winfried Dr. Seifert,Martin Dr. Kittler. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2005-12-08.

The method for manufacturing light emitting semiconductor device

Номер патента: CN105489715B. Автор: 韩尚宪,李尚准,李东律,金承贤,尹晳胡,金长美. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Light emitting semiconductor device and manufacture method thereof

Номер патента: CN100557836C. Автор: 田嶋未来雄,多田善纪. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-04.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS5861684A. Автор: Susumu Furuike,Toshio Matsuda,俊夫 松田,進 古池. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1983-04-12.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: EP0444630B1. Автор: Shiro Yamazaki,Masafumi Hashimoto,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Akira Mabuchi,Norikatsu Koide,Hisaki Kato,Michinari Sassa. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1997-05-21.

Flip tip type of light-emitting semiconductor device using group III nitride compound

Номер патента: TW419836B. Автор: Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi. Владелец: Toyoda Gosei Kk. Дата публикации: 2001-01-21.

layered product for thin pattern formation, fabrication methods, fabrication of a thin pattern structure, light emitting semiconductor device, and thin pattern

Номер патента: BR112013026132A2. Автор: Maeda Masatoshi,Yamaguchi Fujito,ARIHISA Shinji,Jun Koike. Владелец: Asahi Chemical Ind. Дата публикации: 2016-12-27.

Electrode for light emitting semiconductor device

Номер патента: DE19820777A1. Автор: Takashi Udagawa,Mineo Okuyama,Hisayuki Miki,Noritaka Muraki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 1998-11-12.

Multi-layer highly reflective ohmic contacts for light-emitting semiconductor devices

Номер патента: AU2454501A. Автор: Michael R. Krames,Jonathan J. Wierer Jr.,Serge L. Rudaz. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2001-07-03.

Light emitting semiconductor

Номер патента: JPS55158683A. Автор: Junichi Nishizawa. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1980-12-10.

Method for transferring optoelectronic semiconductor components

Номер патента: US20240363602A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Peter Stauss. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Optoelectronic semiconductor component and adaptive headlight for a motor vehicle

Номер патента: US09964270B2. Автор: Norbert Hafner,Stefan Grötsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Optoelectronic semiconductor component with a current spreading structure containing silver, and optoelectronic device

Номер патента: US12051768B2. Автор: Attila Molnar,Fabian Kopp,Franz Eberhard. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-07-30.

Radiation-Emitting Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing the Same

Номер патента: US20180261735A1. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Frank Singer,Britta Göötz,Michael ZIZLSPERGER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-09-13.

Method for producing a semiconductor component having an insulating substrate, and semiconductor component having an insulating substrate

Номер патента: US12100791B2. Автор: Benjamin Michaelis. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-09-24.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing the optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240304735A1. Автор: Michael Zitzlsperger. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for producing optoelectronic semiconductor components, leadframe assembly and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09741616B2. Автор: Albert Schneider,Tobias Gebuhr,Karlheinz Arndt,Peter Holzer,Thomas Schlereth,Hans-Christoph Gallmeier,Michael Bestele,Christian Gaertner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-22.

Radiation-emitting semiconductor component and method for producing a radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US20230178695A1. Автор: Peter Stauss,Hubert Halbritter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20200357949A1. Автор: Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-11-12.

Transfer method for optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240186173A1. Автор: Alexander Pfeuffer. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor component with radiation conversion element, and method for producing radiation conversion elements

Номер патента: US20220254965A1. Автор: Johannes Baur,Ulrich STEEGMÜLLER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09985171B2. Автор: Karl Weidner,Walter Wegleiter,Ralph Wirth,Jan Marfeld,Axel Kaltenbacher,Bernd Barchmann,Oliver Wutz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09825208B2. Автор: Isabel OTTO,Ion Stoll. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-21.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09728683B2. Автор: Karl Weidner,Walter Wegleiter,Ralph Wirth,Jan Marfeld,Axel Kaltenbacher,Bernd Barchmann,Oliver Wutz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of producing optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10903392B2. Автор: Frank Singer,Jürgen Moosburger,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-01-26.

Method of producing optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20190123238A1. Автор: Frank Singer,Jürgen Moosburger,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor component having a compressive strain layer and method for producing the semiconductor component having a compressive strain layer

Номер патента: US11705370B2. Автор: Wolfgang Schmid,Michael Huber,Robert Walter,Benjamin Michaelis,Franz Eberhard,Markus Broell. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-07-18.

Method for producing optoelectric semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20200328324A1. Автор: Jens Müller. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-15.

Optoelectronic semiconductor component and biometric sensor

Номер патента: US20200251631A1. Автор: Thomas Kippes,Claus Jaeger,Jason Rajakumaran. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for producing optoelectric semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11127877B2. Автор: Jens Müller. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-21.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20230352617A1. Автор: Karl Weidner,Walter Wegleiter,Ralph Wirth,Jan Marfeld,Axel Kaltenbacher,Bernd Barchmann,Oliver Wutz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-11-02.

Light-emitting semiconductor device packaged with light-emitting diode and current-driving integrated circuit

Номер патента: KR100586731B1. Автор: 충-유 우. Владелец: 매크로블록 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-06-08.

Light-emitting semiconductor device packaged with light-emitting diode and current-driving integrated circuit

Номер патента: US20050012457A1. Автор: Chung Wu. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2005-01-20.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS6189683A. Автор: Tetsuya Muranaka,哲也 村中. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-05-07.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09735095B2. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Light-emitting semiconductor component e.g. light emitting diode, for integrated circuit, has silicon layers with lattice structures that are inclined at tilting angle around axis, so that dislocation network is formed in interface area

Номер патента: DE102006008025A1. Автор: Tzanimir Arguirov,Martin Prof. Dr. Kittler,Manfred Dr. Reiche,Winfried Dr. Seifert. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2007-09-06.

Double heterostructure light-emitting semiconductor device

Номер патента: US4625223A. Автор: Tetsuo Sadamasa,Tadashi Komatsubara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-11-25.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20140070246A1. Автор: Lugauer Hans-Jürgen,Rode Patrick,Sabathil Matthias,Linkov Alexander,Plößl Andreas. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-03-13.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US6710374B2. Автор: Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2004-03-23.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: DE10162914A1. Автор: Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2003-07-03.

Light-emitting semiconductor element and composite semiconductor device of protection element

Номер патента: CN100524790C. Автор: 加藤隆志,佐藤纯治,大塚康二,杢哲次,丹羽爱玲,神井康宏. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-05.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: DE10162914B4. Автор: Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2010-06-24.

Solid state light emitting semiconductor device

Номер патента: EP2590234A1. Автор: Cheng-Hung Chen,Chia-Hung Hou,Der-Lin Hsia. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

Manufacture of light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS60130822A. Автор: 舜平 山崎,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1985-07-12.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US10020423B2. Автор: Stephen John Sweeney. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2018-07-10.

INDEX-GUIDED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: DE69507438D1. Автор: Marcel Schemmann,Der Poel Carolus Van,Gerard Acket. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 1999-03-04.

Light-emitting semiconductor device using Group III nitride compound

Номер патента: US7045829B2. Автор: Masayoshi Koike,Shinya Asami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-16.

Light-emitting semiconductor device, optoelectronic component, projection device and electronic device

Номер патента: WO2023247720A1. Автор: Joerg Erich Sorg,Bilal SAIF. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Light-Emitting Semiconductor Chip and Method for Manufacturing Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20240030686A1. Автор: Christoph Eichler,Lars Nähle. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Surface light emitting semiconductor laser element

Номер патента: US10578819B2. Автор: Yoshinori Yamauchi,Yoshiyuki Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Hironobu Narui,Yuichi Kuromizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Method for manufacturing a light emitting semiconductor chip and light emitting semiconductor chip

Номер патента: US20240186765A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09773945B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09614131B2. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm,Wolfgang Mönch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09685591B2. Автор: Isabel OTTO. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for Temporarily Fastening a Semiconductor Chip to a Surface, Method for Producing a Semiconductor Component and Semiconductor Component

Номер патента: US20210183800A1. Автор: Matthias Hofmann,Klaus Müller,Holger KLASSEN. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-06-17.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20180331251A1. Автор: Dominik Scholz,Alexander F. Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-11-15.

Connection Carrier for Semiconductor Chips and Semiconductor Component

Номер патента: US20140027921A1. Автор: Reimund Oberschmid. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor component, system and method for checking a soldered joint

Номер патента: US12044722B2. Автор: Jens Richter,Christopher Söll. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor component having group III nitride semiconductor device mounted on substrate and interconnected to lead frame

Номер патента: US09818677B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for producing a semiconductor component, and semiconductor component

Номер патента: US20210091263A1. Автор: Siegfried Herrmann,Michael Völkl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor Component, System and Method for Checking A Soldered Joint

Номер патента: US20220244306A1. Автор: Jens Richter,Christopher Söll. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-04.

Low drain-source on resistance semiconductor component and method of fabrication

Номер патента: US20210036169A1. Автор: Colby Greg RAMPLEY,Jeffrey Lynn WEIBRECHT,Jeremy Kenneth Kramer,Elijah Blue Foster,Melissa Picard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Removal method, removal tool and semiconductor component

Номер патента: US20230402300A1. Автор: Michael Zitzlsperger. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for improving the efficiency of epitaxially produced quantum dot semiconductor components

Номер патента: AU2001295524A1. Автор: Dieter Bimberg,Nikolai N. Ledentsov,Roman Sellin. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2002-03-13.

Optoelectronic Semiconductor Component, and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20210050484A1. Автор: Markus Bröll,Brendan Holland. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-02-18.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240063331A1. Автор: Stefan Illek,Heng Wang. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-22.

Electrical contact structure for a semiconductor component, and semiconductor component

Номер патента: US09917229B2. Автор: Karl Engl,Korbinian Perzlmaier,Christian Eichinger,Bjoern MUERMANN. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor Component Including Aluminum Silicon Nitride Layers

Номер патента: US20170256618A1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Method of producing optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10158042B2. Автор: Andreas Biebersdorf,Korbinian Perlzmaier. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-12-18.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240136468A1. Автор: Jens Ebbecke,Hans-Joachim Meyer,Markus Graul,Richard Floeter,Kristina Schelestow. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor component including aluminum silicon nitride layers

Номер патента: US09761672B1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor component with a multi-layered nucleation body

Номер патента: US09728610B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Jianwei Wan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240234626A9. Автор: Jens Ebbecke,Hans-Joachim Meyer,Markus Graul,Richard Floeter,Kristina Schelestow. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Optoelectronic semiconductor component having a semiconductor contact layer and method for producing the optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11764330B2. Автор: Alexander Pfeuffer,Hans-Jürgen Lugauer,Mohammad Tollabi Mazraehno,Mariel Grace Jama. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for improving the efficiency of epitaxially produced quantum dot semiconductor components

Номер патента: US20040020424A1. Автор: Dieter Bimberg,Nikolai Ledenstov,Roman Sellin. Владелец: TEDHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2004-02-05.

Method for manufacturing optoelectric semiconductor component and optoelectric semiconductor component device

Номер патента: US11837844B2. Автор: Andreas Löffler,Sven GERHARD,Andre SOMERS,John Bruckner,Lars Nähle,Urs Heine. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor component comprising an interlayer

Номер патента: US09761758B2. Автор: Alexander Walter,Christian Leirer,Tobias Meyer,Matthias Peter,Jürgen Off,Tobias Gotschke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for producing a radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US09680048B2. Автор: Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for producing a nitride semiconductor component, and a nitride semiconductor component

Номер патента: US20180175243A1. Автор: Werner Bergbauer,Bastian Galler,Thomas Lehnhardt,Juergen Off,Tobias Gotschke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-06-21.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing at least one optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240145633A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Dominik Scholz,Matin Mohajerarni. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-05-02.

Electrical contact structure for a semiconductor component, and semiconductor component

Номер патента: US20170200860A1. Автор: Karl Engl,Korbinian Perzlmaier,Christian Eichinger,Bjoern MUERMANN. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-07-13.

Optoelectronic Semiconductor Component and 3D Printer

Номер патента: US20210154918A1. Автор: Norwin von Malm,Nikolaus Gmeinwieser. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-05-27.

Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20140217425A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Fabian Kopp,Clemens Vierheilig,Sönke TAUTZ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor Component with a Multi-Layered Nucleation Body

Номер патента: US20170229548A1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Jianwei Wan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Optoelectronic semiconductor component and 3D printer

Номер патента: US11745415B2. Автор: Norwin von Malm,Nikolaus Gmeinwieser. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for producing a semiconductor component comprising performing a plasma treatment, and semiconductor component

Номер патента: US11915935B2. Автор: Stefan Illek,Petrus Sundgren,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-02-27.

Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200295539A1. Автор: Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for producing a layer structure as a buffer layer of a semiconductor component and layer structure as a buffer layer of a semiconductor component

Номер патента: US20170040165A1. Автор: Werner Bergbauer,Peter Stauss,Philipp Drechsel,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-02-09.

Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface

Номер патента: US20100133658A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2010-06-03.

Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface and fabrication method

Номер патента: MY149217A. Автор: Dadgar Armin,Krost Alois. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2013-07-31.

Light-emitting semiconductor device having an overvoltage protector, and method of fabrication

Номер патента: CN100423307C. Автор: 青柳秀和,松尾哲二. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-01.

Method of direct bonding semiconductor components

Номер патента: US11810892B2. Автор: Eric Beyne,Gerald Peter Beyer,Jaber Derakhshandeh. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-07.

A method for the electrical bonding of semiconductor components

Номер патента: EP3754706A1. Автор: Ms. Lin Hou,Mr. Jaber Derakhshandeh,Mr. Eric Beyne,Ms. Ingrid De Wolf,Giovanni Capuz. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2020-12-23.

Securing power semiconductor components to curved surfaces

Номер патента: US20220359342A1. Автор: Stefan Stegmeier,Claus Müller,Oliver Raab,Uwe Waltrich,Markus Lasch. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2022-11-10.

Pressing device for directly or indirectly applying pressure to power-semiconductor components of a power-semiconductor module

Номер патента: US12094797B2. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor components having conductive vias with aligned back side conductors

Номер патента: US11869809B2. Автор: Jin Li,Tongbi Jiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor components having conductive vias with aligned back side conductors

Номер патента: US20240145305A1. Автор: Jin Li,Tongbi Jiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Power semiconductor module having a substrate arrangement, having power semiconductor components and having a foil stack arrangement

Номер патента: US20240079367A1. Автор: Stefan Oehling,Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor Component with Plastic Housing, and Process for Producing the Same

Номер патента: US20080050907A1. Автор: Jens Pohl,Michael Bauer,Rainer Steiner,Hermann Vilsmeier,Bernhard Zuhr,Peter Strobel,Ulrich Bachmaier,Holger Woerner,Robert Hagen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-28.

Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip

Номер патента: TW201246596A. Автор: Malm Norwin von,Madis Raukas,Darshan KUNDALIYA. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2012-11-16.

Semiconductor component and production method

Номер патента: MY132163A. Автор: FISCHER Helmut,Wolf Dr Jakowetz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-09-28.

Method for producing a plurality of semiconductor components

Номер патента: US6025251A. Автор: HELMUT Fischer,Wolf Jakowetz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-02-15.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7023019B2. Автор: Kei Sakanoue,Hiromi Kitahara,Katsuaki Iwama,Hidenori Kamei,Toshihide Maeda,Shozo Oshio,Tadaaki Ikeda,Yasuyuki Hanada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-04.

METHOD FOR CLASSIFYING LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND IMAGE SENSOR APPLICATION HAVING AN IMAGE SENSOR AND A SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20170100751A1. Автор: Brick Peter,Kimme Felix. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-13.

Fluorescence height fills wavelength conversion sheet, the manufacture method using the light-emitting semiconductor device of this wavelength conversion sheet and this light-emitting semiconductor device

Номер патента: CN103094460B. Автор: 柏木努,盐原利夫,若尾幸. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-21.

Method for controlling color accuracy in a light-emitting semiconductor-based device and process for producing a light-emitting semiconductor-based device with controlled color accuracy

Номер патента: US8222652B2. Автор: David Hum,Shane Harrah. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2012-07-17.

Wavelength conversion sheet filled with large amount of phosphor, method of producing light emitting semiconductor device using the sheet, and light emitting semiconductor device

Номер патента: US20130113008A1. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi,Miyuki Wakao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Resin composition, reflector for light-emitting semiconductor device, and light-emitting semiconductor unit

Номер патента: KR101831974B1. Автор: 유스케 타구치,토시오 시오바라. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2018-02-23.

Wavelength conversion sheet filled with large amount of phosphor, method of producing light emitting semiconductor device using the sheet, and light emitting semiconductor device

Номер патента: US9147818B2. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi,Miyuki Wakao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-29.

Resin composition, reflector for light-emitting semiconductor device, and light-emitting semiconductor unit

Номер патента: CN102329501B. Автор: 盐原利夫,田口雄亮. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-18.

Resin composition, reflector for light-emitting semiconductor device, and light-emitting semiconductor unit

Номер патента: EP2371888A3. Автор: Toshio Shiobara,Yusuke Taguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-18.

Method for controlling color accuracy in a light-emitting semiconductor-based device and process for producing a light-emitting semiconductor-based device with controlled color accuracy

Номер патента: US20110254027A1. Автор: David Hum,Shane Harrah. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device

Номер патента: TW200427111A. Автор: Toshio Shiobara,Masachika Yoshino. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2004-12-01.

LUMINESCENT-SUBSTANCE MIXTURE, LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A LUMINESCENT-SUBSTANCE MIXTURE, AND STREETLAMP HAVING A LUMINESCENT-SUBSTANCE MIXTURE

Номер патента: US20160304780A1. Автор: Lange Stefan,Cui Hailing,Huckenbeck Barbara,RÖMER Rebecca. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Luminescent-substance mixture, light-emitting semiconductor component having a luminescent-substance mixture, and streetlamp having a luminescent-substance mixture

Номер патента: EP3077478B9. Автор: Stefan Lange,Rebecca Römer,Barbara Huckenbeck,Hailing Cui. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-08-25.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A PROTECTIVE DIODE

Номер патента: DE502004008664D1. Автор: Peter Brick,Tony Albrecht,Marc Philippens,Glenn-Yves Plaine. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-01-22.

Light-receiving or light-emitting semiconductor apparatus

Номер патента: CA2469002A1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Light-receiving or light-emitting semiconductor apparatus

Номер патента: EP1717867B1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-06.

Deposition of a temperable multilayer contact coating onto a semiconductor material useful for production of light emitting semiconductor chips

Номер патента: DE10261364A1. Автор: Walter Wegleiter,Wilhelm Dr. Stein,Andreas Dr. Plößl,Alexander Heindl,Stefan Janes. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2004-08-19.

Process for producing a group-III nitride crystal and process for producing a light-emitting semiconductor element or a semiconductor device comprising a group-III nitride crystal

Номер патента: US9428386B2. Автор: Kenji Fujito,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor device and display apparatus therewith, and method for producing a wavelength conversion element

Номер патента: US20150048392A1. Автор: Mikael Ahlstedt. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-02-19.

Composite particle, method of producing same, resin composition containing the particle, reflector formed from the composition, and light-emitting semiconductor device using the reflector

Номер патента: US20150060918A1. Автор: Toshio Shiobara,Yoshihiro Tsutsumi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

BLUE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS AND DEVICES

Номер патента: US20170327740A1. Автор: Bawendi Moungi G.,Bulovic Vladimir,Halpert Jonathan E.,Anikeeva Polina O.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-16.

Light emitting semiconductor module with by-path turn-on switch

Номер патента: CN100521200C. Автор: 林荣宗,刘兴富. Владелец: Juji Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-29.

Use the display equipment of light emitting semiconductor device

Номер патента: CN107211502B. Автор: 金治璇,李炳俊,沈奉柱. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-05-21.

Translucent electrode for light emitting semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: JP3807020B2. Автор: 隆 宇田川,峰夫 奥山,久幸 三木. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-08-09.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US7265374B2. Автор: Stephen Lee,Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane,Ruslan Ivanovich Gorbunov. Владелец: Arima Computer Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

light emitting semiconductor device

Номер патента: US20110026558A1. Автор: Reddy Raju,Xiangdong Qiu,Richard L. Duesterberg,Jay A. Skidmore,Prasad Yalamanchili. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Multicolored light emitting semiconductor device and its manufacture

Номер патента: JPS5728371A. Автор: Yasuaki Masuko. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 1982-02-16.

Silicone-organic resin composite laminate and manufacturing method thereof, and light-emitting semiconductor apparatus using the same

Номер патента: CN103935095A. Автор: 塩原利夫,山口茂雄,赤羽纱以子. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-23.

Use the display device of light emitting semiconductor device

Номер патента: CN105051804B. Автор: 李炳俊. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-09-29.

Epoxy-organosilicon mixed resin composition and method for preparing same, and light-emitting semiconductor device

Номер патента: CN1837284A. Автор: 柏木努,儿玉欣也. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-27.

Epoxy-silicone hybrid resin composition, process for the preparation thereof and light-emitting semiconductor device

Номер патента: KR101252301B1. Автор: 쯔또무 가시와기,긴야 고다마. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2013-04-08.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN102034915A. Автор: 立入英史,大山利彦. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-27.

Light emitting semiconductor device and method

Номер патента: JP2003243704A. Автор: Paul S Martin,Daniel A Steigerwald,エス マーティン ポール,Steven A Maranowski,エイ マラノフスキー スティーヴン,Michael J Ludowise,ジェイ ルドワイス マイケル,エイ スタイガーウォルド ダニエル. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2003-08-29.

Light emitting semiconductor package

Номер патента: AU2002218871B2. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2004-03-04.

Epoxy / silicone hybrid resin composition, method for producing the same, and light emitting semiconductor device

Номер патента: JP4614075B2. Автор: 努 柏木,欣也 児玉. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-19.

Blue light emitting semiconductor nanocrystal materials

Номер патента: US20110229998A1. Автор: Moungi G. Bawendi,Vladimir Bulovic,Seth Coe-Sullivan,Jonathan S. Steckel,Nathan E. Stott,John P. Zimmer. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2011-09-22.

Epoxy. Polysiloxane mixed resin composition and its manufacturing method and light emitting semiconductor device

Номер патента: TWI418591B. Автор: Tsutomu Kashiwagi,Kinya Kodama. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2013-12-11.

Light-emitting semiconductor device capable of being surface mounted and with composite packing structure

Номер патента: CN1189950C. Автор: 林明德,王冠儒. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-02-16.

Opto-electronic light emitting semiconductor device

Номер патента: EP0406506A1. Автор: Bart Jozef Van Zeghbroeck,Willi Walter,Christoph Stephan Dr. Harder,Heinz Peter Dr. Meier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-01-09.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CN101986178B. Автор: 邱向东,普拉萨德·雅拉曼丘里,瑞迪·拉贾,杰伊·A.·斯基德莫尔,理查德·L.·杜斯特博格. Владелец: Flex Products Inc. Дата публикации: 2015-05-13.

Method for manufacturing translucent electrode for light emitting semiconductor element

Номер патента: JP3230463B2. Автор: 久幸 三木. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2001-11-19.

Light emitted semiconductor assembly package structure and producing method thereof

Номер патента: CN100463239C. Автор: 庄世任,周大为,张嘉显,吴易座. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-18.

Epoxy-silicone mixed resin composition and light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7276562B2. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Blue light emitting semiconductor nanocrystal materials

Номер патента: US20050258418A1. Автор: Vladimir Bulovic,Seth Coe-Sullivan,Moungi Bawendi,Nathan Stott,John Zimmer,Jonathan Steckel. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2005-11-24.

Blue light emitting semiconductor nanocrystal materials

Номер патента: EP1730783A4. Автор: Vladimir Bulovic,Seth Coe-Sullivan,Moungi G Bawendi,John P Zimmer,Jonathan S Steckel,Nathan E Stott. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2010-12-01.

A light-emitting semiconductor device with a flip-chip package structure

Номер патента: TW573330B. Автор: Ming-Der Lin,Kwang-Ru Wang,Chi-Tang Chuang. Владелец: Highlink Technology Corp. Дата публикации: 2004-01-21.

Manufacture of light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS59134882A. Автор: Yoichi Yasuda,洋一 安田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-08-02.

Flexible light emitting semiconductor device having a three dimensional structure

Номер патента: TW201329382A. Автор: Ravi Palaniswamy,Arokiaraj Jesudoss,Justine Anne Mooney,Alejandro Aldrin Agcaoili II NARAG. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2013-07-16.

Use the display device of light emitting semiconductor device

Номер патента: CN105684070B. Автор: 方圭铉. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-01-18.

Apparatus and method for controlling the output of a light emitting semiconductor device

Номер патента: US3483397A. Автор: Robert C Miller,Frederick M Ryan. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1969-12-09.

Light emitting semiconductor element capable of suppressing change of driving current

Номер патента: TW404077B. Автор: Kenji Endo,Masateru Oya. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2000-09-01.

Semiconductor component, motor vehicle, and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US11848252B2. Автор: Thomas Gradinger,Daniele Torresin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US20100097084A1. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US8519732B2. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2013-08-27.

Method and device for using a semiconductor component

Номер патента: US20220216298A1. Автор: Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor component having inner and outer semiconductor component housings

Номер патента: US09991183B2. Автор: Klaus Schiess,Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Josef Hoeglauer,Xaver Schloegel,Juergen Schredl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Joining and Insulating Power Electronic Semiconductor Components

Номер патента: US20230215838A1. Автор: Bernd Muller,Jörg Strogies,Klaus Wilke,Christian NACHTIGALL-SCHELLENBERG. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-07-06.

Polishing solution, polishing method, component manufacturing method, and semiconductor component manufacturing method

Номер патента: EP4379779A1. Автор: Masahiro Sakashita,Yousuke Hoshi,Yasuhiro Ichige,Shogo ARATA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Polishing liquid, polishing method, component manufacturing method, and semiconductor component manufacturing method

Номер патента: EP4379780A1. Автор: Yasuhiro Ichige,Shogo ARATA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor component and method for fabricating it

Номер патента: US20020158308A1. Автор: Wolfgang Klein,Jakob Huber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-31.

Polishing liquid, polishing method, component manufacturing method, and semiconductor component manufacturing method

Номер патента: US20240282581A1. Автор: Masahiro Sakashita,Yousuke Hoshi,Yasuhiro Ichige,Shogo ARATA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronic assembly having a power semiconductor component between two circuit carriers, and method for producing same

Номер патента: US20240349429A1. Автор: Arne Stephen Fischer,Thomas Kiedrowski,Lukas Loeber,Johannes Meckbach,Hartmut Wayand. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus for handling a semiconductor component

Номер патента: US09620398B2. Автор: Lee Kwang Heng,Jianping Jin. Владелец: Semiconductor Tech and Instruments Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Vertical semiconductor component and method for generating an abrupt end point detection signal during the production of such a vertical semiconductor component

Номер патента: US20240234220A9. Автор: Christian Huber,Roland Puesche. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor component arrangement and method for producing thereof

Номер патента: US20140167155A1. Автор: Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Compensation semiconductor component and method of fabricating the semiconductor component

Номер патента: US20020074567A1. Автор: Gerald Deboy,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for producing a vertical power semiconductor component, and vertical power semiconductor component

Номер патента: US20240222492A1. Автор: Christian Huber,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor component arrangement, method for fabrication thereof and heat dissipation device

Номер патента: US12046531B2. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Thomas Riepl,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and device for optically representing electronic semiconductor components

Номер патента: US11754511B2. Автор: Jens Fiedler,Sebastian Giessmann. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Component arrangement and method for determining the temperature in a semiconductor component

Номер патента: US20070200193A1. Автор: Wolfgang Horn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Glass and melt solder for the passivation of semiconductor components

Номер патента: US11634356B2. Автор: Sabine Pichler-Wilhelm,Martin Letz,Linda Johanna Bartelt,Martun Hovhannisyan,Julia Gold,Antonio Trizzino. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2023-04-25.

Semiconductor component arrangement, method for fabrication thereof and heat dissipation device

Номер патента: US20240297093A1. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Thomas Riepl,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of producing diffused semiconductor components from silicon

Номер патента: US3713913A. Автор: D Rucker,U Lauerer,R Wolfle. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1973-01-30.

Method of fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20030205733A1. Автор: Gerald Deboy,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-06.

Power semiconductor component with trench-type field ring structure

Номер патента: US20090179224A1. Автор: Bernhard Konig. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor Component Including an Electronic Component Based on Polycrystalline Silicon

Номер патента: US20240282774A1. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor component and electronic device

Номер патента: US20240313069A1. Автор: ZHENG Zhong,Ping Ma,Haijun Li,Lingcong LE,Huilan Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

System for cooling semiconductor component, method of manufacturing the same, and semiconductor package having the system

Номер патента: US12027445B2. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Process for adjusting the carrier lifetime in a semiconductor component

Номер патента: US6159830A. Автор: Norbert Galster,Jan Vobecky,Pavel Hazdra. Владелец: ABB Asea Brown Boveri Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

Apparatus and Method to Remove At Least One Chip-Like Semiconductor Component from a Film

Номер патента: US20120211172A1. Автор: Armin Studt. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-08-23.

Organopolysiloxane composition, preparation method therefor, and semiconductor component

Номер патента: US10066137B2. Автор: Hai HE,Haiting Zheng,Jingwei Zhu,Guangyan Huang. Владелец: Guangzhou Human Chem Co ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

Method for producing semiconductor components, and semiconductor component

Номер патента: US20220246431A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2022-08-04.

Seminconductor component and method for singulating a semiconductor component having a pn junction

Номер патента: US20220005964A1. Автор: Ralf Preu,Andreas Brand,Florian Clement,Elmar Lohmüller,Pierre Saint-Cast,Puzant Baliozian,Tobias Fellmeth,Nico Wöhrle. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for manufacturing a semcoductor component and a semiconductor component, in particular a diaphragm sensor

Номер патента: US20080093694A1. Автор: Heribert Weber,Hubert Benzel,Hans Artmann,Frank Schafer,Thorsten Pannek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

A semiconductor component, a pressure-bonded power semiconductor module, and a manufacturing method

Номер патента: LU506756B1. Автор: Xiushan Wu. Владелец: Univ Zhejiang Water Resources & Electric Power. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for forming a semiconductor component with a cooling structure

Номер патента: US12027446B2. Автор: Chen-Hua Yu,Lawrence Chiang Sheu,Yi-Li Hsiao,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor component, semiconductor-mounted product including the component, and method of producing the product

Номер патента: US09925612B2. Автор: Yasuo Fukuhara,Atsushi Yamaguchi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Cascode configured semiconductor component

Номер патента: US09882020B2. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor component with regions electrically insulated from one another and method for making a semiconductor component

Номер патента: US09741601B2. Автор: Martin Feldtkeller,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor component with field electrode between adjacent semiconductor fins and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US09653305B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-16.

Light-emitting device including a semiconductor component and an optical element and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09599319B2. Автор: Karsten Auen. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-21.

Assembly of electronic semiconductor components and method for operating an assembly of electronic semiconductor components

Номер патента: US20220272811A1. Автор: Stefan Grötsch,Victor Goldrin. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-25.

Assembly of electronic semiconductor components and method for operating an assembly of electronic semiconductor components

Номер патента: US12022586B2. Автор: Stefan Grötsch,Victor Goldrin. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-06-25.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240234512A9. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Wiring configuration for semiconductor component

Номер патента: US20070200256A1. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20160225843A1. Автор: Akinobu ONISHI,Takashi Oomikawa. Владелец: Deutsche Bank AG New York Branch. Дата публикации: 2016-08-04.

Method and Device for Producing an Edge Structure of a Semiconductor Component

Номер патента: US20220416019A1. Автор: Uwe Kellner-Werdehausen,Sebastian Sommer,Reiner Barthelmess,Tobias Gamon. Владелец: Infineon Technologies Bipolar Co & Kg GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US8048800B2. Автор: Mi-Ra Kim,Wan-Joo Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-11-01.

Method for fabricating a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US20060252222A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Method and device for producing a semiconductor component

Номер патента: US20230402412A1. Автор: Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-12-14.

Electronic semiconductor component, and method for manufacturing a pretreated composite substrate for an electronic semiconductor component

Номер патента: US20240055472A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20090051013A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor component with chip for the high-frequency range

Номер патента: US20150181712A1. Автор: Martin Kappels,Daniel Hageneder. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of manufacturing a semiconductor component and structure

Номер патента: US20140308795A1. Автор: RONG Liu,Sudhama C. Shastri,Umesh Sharma,Phillip Holland,Der Min Liou,David D Marreiro. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-10-16.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180337236A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Chun-Wei Ni. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor component having a diode structure in a SiC semiconductor body

Номер патента: US11742391B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-29.

Masking method for producing semiconductor components, particularly a BH laser diode

Номер патента: US20020182879A1. Автор: Bernd Borchert,Horst Baumeister,Gundolf Wenger,Roland Gessner,Eberhard Veuhoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025340A1. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Phillip Celaya,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor component and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3896724A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-20.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US20110059609A1. Автор: Mi-Ra Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Method for producing semiconductor components on a substrate, and substrate comprising semiconductor components

Номер патента: US20130049171A1. Автор: Martin Popp,Beat De Coi,Marco Annese. Владелец: ESPROS Photonics AG. Дата публикации: 2013-02-28.

Optimized junction termination of semiconductor components

Номер патента: US20020140046A1. Автор: Bernd Wagner,Klaus Reimer,Roland Sittig,Detlef Nagel,Ralf-Ulrich Dudde. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Hermetically sealed housing with a semiconductor component and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190131154A1. Автор: Horst Theuss,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor component and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: EP2884527A3. Автор: Tetsuya Kugimiya,Kenji Hirohata,Yuu YAMAYOSE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-26.

Semiconductor component with chip for the high-frequency range

Номер патента: US9669480B2. Автор: Martin Kappels,Daniel Hageneder. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor component and corresponding fabrication process

Номер патента: US20020030240A1. Автор: Uwe Schilling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor component and method for manufacturing it

Номер патента: US20010036720A1. Автор: Christian Hauser,Martin Neumayer,Johann Winderl,Martin Reiss,Achim Neu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Vertical semiconductor component, in particular vertical transistor, with minimized source-drain leakage currents

Номер патента: US20240234491A1. Автор: Daniel Krebs,Muhammad Alshahed,Dragos Costachescu,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Packaged semiconductor components having substantially rigid support members and methods of packaging semiconductor components

Номер патента: US09960094B2. Автор: David J. Corisis,Matt E. Schwab,J. Michael Brooks. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Low dislocation density III-nitride semiconductor component

Номер патента: US09954089B2. Автор: Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Chan Kyung Choi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor component having a semiconductor body with a cutout

Номер патента: US09923072B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09905500B2. Автор: Prasad Venkatraman,Jason Mcdonald,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor component with chip for the high-frequency range

Номер патента: US09669480B2. Автор: Martin Kappels,Daniel Hageneder. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09653387B2. Автор: Prasad Venkatraman,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor component and method of producing a semiconductor component

Номер патента: US09634207B2. Автор: Simon Jerebic,Michael Kruppa. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09627530B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Peter Moens,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09620443B2. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Phillip Celaya,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor component comprising at least one contact structure for feeding in and/or leading away charge carriers

Номер патента: US09577056B2. Автор: Richard Reiner. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09553139B2. Автор: Akinobu ONISHI,Takashi Oomikawa. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

System for fabricating semiconductor components with through wire interconnects

Номер патента: US20070200255A1. Автор: David Hembree. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US20100297801A1. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US8273596B2. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2012-09-25.

Integrated vertical semiconductor component

Номер патента: US6137124A. Автор: Hartmut Michel,Ning Qu,Alfred Goerlach,Anton Mindl,Peter Flohrs,Christian Pluntke. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2000-10-24.

Method and system for fabricating semiconductor components with through interconnects and back side redistribution conductors

Номер патента: WO2008070429A1. Автор: David S. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2008-06-12.

Membrane semiconductor component and method for producing the same

Номер патента: US20240243170A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20110062558A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20180342448A1. Автор: Prasad Venkatraman,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-11-29.

Power semiconductor component and method for the production thereof

Номер патента: US20110318883A1. Автор: Thomas Detzel,Josef Maynollo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor component including a short-circuit structure

Номер патента: US09876004B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Uwe Kellner-Werdehausen,Franz-Josef Niedernostheide,Reiner Barthelmess. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor component and method of fabrication

Номер патента: US5918112A. Автор: Mahesh K. Shah,John W. Hart, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-06-29.

Charge detector semiconductor component, system comprising a charge detector semiconductor component and a reference semiconductor component, wafer, use of a wafer, and method for the qualitative and quantitative measurement of charging of a wafer

Номер патента: US6747303B2. Автор: Hans-Ulrich Schroeder. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-08.

Method of manufacturing a power semiconductor component arrangement or a power semiconductor component housing

Номер патента: US11749533B2. Автор: Christoph Bayer,Christian Lenz,Andreas Schletz,Uwe Waltrich,Steffen Ziesche,Hoang Linh Bach. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-09-05.

Method and device for determining an operating temperature of a semiconductor component

Номер патента: US20020173930A1. Автор: Martin Perner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of manufacturing a power semiconductor component arrangement or a power semiconductor component housing

Номер патента: US20210327724A1. Автор: Christoph Bayer,Christian Lenz,Andreas Schletz,Uwe Waltrich,Steffen Ziesche,Hoang Linh Bach. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide interconnect for semiconductor components and method of fabrication

Номер патента: US20030143764A1. Автор: Salman Akram,Alan Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Device and method for end-point monitoring used in the polishing of components, in particular semiconductor components

Номер патента: US6014218A. Автор: Stephan Bradl,Olaf Heitzsch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-01-11.

Method and system having switching network for testing semiconductor components on a substrate

Номер патента: US20020196047A1. Автор: Salman Akram,Jorge de Varona,C. Doherty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Polishing liquid, polishing method, component manufacturing method, and semiconductor component manufacturing method

Номер патента: EP4339254A1. Автор: Masahiro Sakashita,Yousuke Hoshi,Yasuhiro Ichige,Shogo ARATA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: SG179332A1. Автор: Krishnan Shutesh,Wei Wang Soon. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2012-04-27.

Integrated prober, handler and tester for semiconductor components

Номер патента: US6024526A. Автор: Alexander H. Slocum,Luis A. Muller. Владелец: AESOP Inc. Дата публикации: 2000-02-15.

Power semiconductor component with a drift zone and a high-dielectric compensation zone and method for producing a compensation zone

Номер патента: US7868396B2. Автор: Franz Hirler,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-01-11.

Methods for semiconductor component design and for semiconductor component production and corresponding semiconductor components

Номер патента: US20170352617A1. Автор: Andreas Kuesel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-07.

Protective configuration against electrostatic discharges in semiconductor components controllable by field effect

Номер патента: US5672893A. Автор: Jenoe Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-09-30.

Method for Producing a Plurality of Integrated Semiconductor Components

Номер патента: US20100330766A1. Автор: Sven Berberich. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for producing a plurality of integrated semiconductor components

Номер патента: US8563388B2. Автор: Sven Berberich. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-10-22.

Communication semiconductor component

Номер патента: US7899333B2. Автор: Armin Mrasek,Fan Yung Ma. Владелец: LANTIQ DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2011-03-01.

Communication semiconductor component

Номер патента: US20050063432A1. Автор: Armin Mrasek,Fan Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-24.

Method for monitoring a switchable semiconductor component and monitoring device for a semiconductor component

Номер патента: US20230025128A1. Автор: Michael Wortberg,Thomas Rapolder. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2023-01-26.

System and method for dicing semiconductor components

Номер патента: US6136137A. Автор: Alan G. Wood,Warren M. Farnworth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

Semiconductor component arrangement and method for producing thereof

Номер патента: US20120299092A1. Автор: Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-11-29.

Glass and melt solder for the passivation of semiconductor components

Номер патента: US11926565B2. Автор: Sabine Pichler-Wilhelm,Martin Letz,Linda Johanna Bartelt,Martun Hovhannisyan,Julia Gold,Antonio Trizzino. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2024-03-12.

Glass and melt solder for the passivation of semiconductor components

Номер патента: US20210284569A1. Автор: Sabine Pichler-Wilhelm,Martin Letz,Linda Johanna Bartelt,Martun Hovhannisyan,Julia Gold,Antonio Trizzino. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2021-09-16.

Vertical semiconductor component and method for generating an abrupt end point detection signal during the production of such a vertical semiconductor component

Номер патента: US20240136236A1. Автор: Christian Huber,Roland Puesche. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor component arrangement and method for producing thereof

Номер патента: US20110278667A1. Автор: Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-11-17.

Glass and melt solder for the passivation of semiconductor components

Номер патента: US20230219839A1. Автор: Sabine Pichler-Wilhelm,Martin Letz,Linda Johanna Bartelt,Martun Hovhannisyan,Julia Gold,Antonio Trizzino. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2023-07-13.

Laser-Based Method and Machining Table for Metallizing the Rear Side of a Semiconductor Component

Номер патента: MY195240A. Автор: Ralf Preu,Hubert Hauser,Jan Nekarda,Benedikt BLÄSI. Владелец: Fraunhofer Ges Forschung. Дата публикации: 2023-01-11.

Semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20040207047A1. Автор: Amitava Bose,Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Todd Roggenbauer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-10-21.

Apparatus for fastening the casing of a semiconductor component to a mounting plate

Номер патента: US3833991A. Автор: K Hehl. Владелец: ITW Ateco GmbH. Дата публикации: 1974-09-10.

Semiconductor component and method

Номер патента: US20160043185A1. Автор: Chun-Li Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of forming bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor film on base material, bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor film, and bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor component

Номер патента: US20240055253A1. Автор: Hayate Yamano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of assembling a semiconductor component and apparatus therefor

Номер патента: WO2006019460A2. Автор: Audel A. Sanchez,Taek K. Kim. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor component with a drift zone and a drift control zone

Номер патента: US20100078710A1. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Stefan Sedlmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-04-01.

Method of manufacturing a semiconductor component and polyimide etchant therefor

Номер патента: US6664200B1. Автор: Treliant Fang,Edward R. Prack,Frank W. Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-16.

Semiconductor component comprising copper metallizations

Номер патента: US20140042631A1. Автор: Matthias Stecher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for fabricating a semiconductor component having at least one transistor cell and an edge cell

Номер патента: US20030232476A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor component and power module

Номер патента: US20210225724A1. Автор: Yutaka Satou,Yasuyuki Ooi. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor components

Номер патента: US5053854A. Автор: Jiri Dlouhy,Peter Almenräder,Otto Kuhn,Jurg Fingerle. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1991-10-01.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170221752A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Peter Moens,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Optoelectronic semiconductor component and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20120018703A1. Автор: Klaus Kohler,Christian MÄNZ. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20150041954A1. Автор: RONG Liu,Yupeng Chen,Umesh Sharma,Phillip Holland. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-02-12.

Cascode configured semiconductor component and method

Номер патента: US20170025403A1. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor component

Номер патента: US4879586A. Автор: Lennart Ryman,Doris Brostrom. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1989-11-07.

Semiconductor component

Номер патента: US20040169256A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Uwe Kellner-Werdehausen,Franz-Josef Niedernostheide,Frank Pfirsch. Владелец: EUPEC GmbH. Дата публикации: 2004-09-02.

Semiconductor component with optimized edge termination

Номер патента: US20140327114A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz,Thomas Basler,Uwe Kellner-Werdehausen,Reiner Barthelmess. Владелец: Infineon Technologies Bipolar GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor component

Номер патента: US20150060881A1. Автор: Daniel Waldmann,Michael Krieger,Stefan Hertel,Heiko B. Weber,Florian Krach,Johannes Jobst. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor Component Comprising Trench Structures and Production Method Therefor

Номер патента: US20190051749A1. Автор: Peter Brandl,Markus Zundel,Karl-Heinz Bach,Andrew Christopher Graeme Wood. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for fabricating a semiconductor component having at least one transistor cell and an edge cell

Номер патента: US6833298B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-21.

Power semiconductor component

Номер патента: EP4006968A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-01.

Power semiconductor component

Номер патента: WO2022112339A3. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-07-21.

Power semiconductor component

Номер патента: US20240096746A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20180005927A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for manufacturing semiconductor components with short switching time

Номер патента: US5371040A. Автор: Werner Zurek,Klaus Graff. Владелец: Temic Telefunken Microelectronic GmbH. Дата публикации: 1994-12-06.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20180083063A1. Автор: Stefan Groetsch,Stefan Gruber,Michael Wittmann,Matthias Kiessling. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-22.

Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US12064946B2. Автор: Akimitsu Morimoto,Masao Nogami. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor component having a dopant region formed by a dopant composed of an oxygen / vacancy complex

Номер патента: US20150123247A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Franz Josef Niedernostheide,Thomas Neidhart,Alexander Susiti. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor component comprising a dopant region in a semiconductor body and a method for producing a dopant region in a semiconductor body

Номер патента: US8859409B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Franz Josef Niedernostheide,Thomas Neidhart,Alexander Susiti. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor component and method for producing same

Номер патента: US20210087054A1. Автор: Horst Theuss,Bernhard Knott,Mathias Vaupel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of forming a semiconductor component

Номер патента: US20030129778A1. Автор: Roland Munzner,Georg Bastian. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-07-10.

Compensation semiconductor component

Номер патента: US20030230767A1. Автор: Jenoe Tihanyi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Encapsulation method for packaging semiconductor components with external leads

Номер патента: US20110129962A1. Автор: FENG Ye,Liang Zhao,Lei Shi,Limin Wang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-06-02.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131950A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

In-situ mask technique for producing III-V semiconductor components

Номер патента: US20020182873A1. Автор: Horst Baumeister,Gundolf Wenger,Roland Gessner,Eberhard Veuhoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor component on an insulation layer

Номер патента: US20020179995A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Active semiconductor component with a reduced surface area

Номер патента: US20060244004A1. Автор: Jean-Luc Morand. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor component having test pads and method and apparatus for testing same

Номер патента: US20070218573A1. Автор: Jae Cho,Xin Wu,Chih-Chung Wu,Mohsen Mardi,Shih-Liang Liang,Sanjiv Stokes,Hassan Bazargan. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor Component Having A SiC Semiconductor Body

Номер патента: US20230148156A1. Автор: Anton Mauder,Andreas Peter Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor component

Номер патента: US20240258370A1. Автор: Chia-Lung Tsai,Hsueh-Hsing Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for producing an electronic semiconductor component

Номер патента: US20240321627A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor component having emitter short circuits

Номер патента: US4053921A. Автор: Andre Jaecklin,Thomas Vlasak. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1977-10-11.

Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US20240343029A1. Автор: Akimitsu Morimoto,Masao Nogami. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US20240351323A1. Автор: Akimitsu Morimoto,Masao Nogami. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09997559B2. Автор: Stefan Groetsch,Stefan Gruber,Michael Wittmann,Matthias Kiessling. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991383B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of producing a semiconductor component arrangement comprising a trench transistor

Номер патента: US09941276B2. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09871075B2. Автор: Stefan Grötsch,Stefan Gruber,Michael Wittmann,Matthias Kiessling. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor component comprising magnetic field sensor

Номер патента: US09859332B2. Автор: Horst Theuss,Albert Auburger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Cascode configured semiconductor component and method

Номер патента: US09837399B2. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor component and integrated circuit

Номер патента: US09825136B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Franz Josef Niedernostheide,Holger Schulze,Frank Dieter Pfirsch,Manfred Pfaffenlehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09818674B2. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Cascode configured semiconductor component

Номер патента: US09799646B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Moisture barrier capacitors in semiconductor components

Номер патента: US09786733B2. Автор: Hans-Joachim Barth,Helmut Horst Tews. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor component with dielectric layer stack and voltage divider

Номер патента: US09786659B2. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09780019B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748384B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing a semiconductor component having a common mode filter monolithically integrated with a protection device

Номер патента: US09711467B2. Автор: RONG Liu,Yupeng Chen,Umesh Sharma,Phillip Holland. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for forming semiconductor components having self-aligned trench contacts

Номер патента: US09660047B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor component with a monocrystalline semiconductor region arranged in a via region

Номер патента: US09634101B2. Автор: Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09548360B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for detecting the reliability of integrated semiconductor components at high temperatures

Номер патента: US20040140826A1. Автор: Jochen Hagen,Andreas Martin,Wilhelm Asam,Josef Fazekas,David Smeets. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: MY171050A. Автор: Lee Kisun,A Stapleton Michael. Владелец: Semiconductor Components Ind Llc. Дата публикации: 2019-09-23.

Generating a semiconductor component layout

Номер патента: US9305135B2. Автор: Chung-Hui Chen,Chien-Hung Chen,Yung-Chow Peng,Chih Ming Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Bevel dicing semiconductor components

Номер патента: EP1705153A2. Автор: Larry L. Jordan. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2006-09-27.

Modularly expandable multi-layered semiconductor component

Номер патента: US6630727B1. Автор: Thomas Munch,Günter Tutsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-10-07.

Connnecting device for contacting a semiconductor component

Номер патента: US20050225957A1. Автор: Henning Hauenstein,Dirk Balszunat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor component and method of producing it

Номер патента: US6734520B2. Автор: Robert Plikat,Holger Kapels,Dieter Silber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-11.

Method for forming a semiconductor component with a cooling structure

Номер патента: US20230076466A1. Автор: Chen-Hua Yu,Lawrence Chiang Sheu,Yi-Li Hsiao,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Apparatus and method for removing at least one chip-type semiconductor component from a film

Номер патента: MY152773A. Автор: Herr Armin Studt. Владелец: Semikron Elektronik Gmbh. Дата публикации: 2014-11-28.

Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component

Номер патента: US20240096738A1. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-03-21.

Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component

Номер патента: US11955402B2. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor component with edge termination region

Номер патента: US11848377B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Matteo Dainese,Manfred Pfaffenlehner,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor Component with Edge Termination Region

Номер патента: US20210257489A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Matteo Dainese,Manfred Pfaffenlehner,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor component and semiconductor device

Номер патента: US20240047293A1. Автор: Cheng-Chuan Chen. Владелец: Ganstronic Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of producing a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US20220285402A1. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-09-08.

Apparatus and method to remove at least one chip-like semiconductor component from a film

Номер патента: US8470131B2. Автор: Armin Studt. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-06-25.

Organopolysiloxane composition, preparation method therefor, and semiconductor component

Номер патента: US20170247590A1. Автор: Hai HE,Haiting Zheng,Jingwei Zhu,Guangyan Huang. Владелец: Guangzhou Human Chem Co ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Field-effect-controlled semiconductor component and method of fabricating a doping layer in a vertically configured semiconductor component

Номер патента: US20020125532A1. Автор: Wolfgang Werner,Ignaz Eisele,Walter Hansch,Christoph Fink. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor component with field electrode between adjacent semiconductor fins and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US20160155809A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-02.

Method of producing a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US12002812B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-04.

Apparatus for delivering semiconductor components to a substrate during semiconductor package manufacturing

Номер патента: SG185905A1. Автор: Kui Kam Lam,Yen Hsi Tang,Wai Yuen Cheung,Wing Kin Lam. Владелец: Asm Tech Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-28.

High-voltage semiconductor component, method for the production and use thereof

Номер патента: AU5024999A. Автор: Robert Plikat,Dieter Silber,Wolfgang Wondrak. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-11-29.

Method for producing a semiconductor component and semiconductor component produced by the same

Номер патента: CA2485561C. Автор: Dag Behammer. Владелец: UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor component with scattering centers within a lateral resistor region

Номер патента: US6043516A. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: EUPEC GmbH. Дата публикации: 2000-03-28.

Layer structure for electrical contacting of semiconductor components

Номер патента: US20110127674A1. Автор: Hans Artmann,Jochen Reinmuth,Peter Schmollngruber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Power semiconductor component having a buffer layer

Номер патента: US5654586A. Автор: Herbert Schwarzbauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-08-05.

Method for producing a semiconductor body having a recombination zone, semiconductor component having a recombination zone, and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US9012311B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor component which can be controlled by a field effect

Номер патента: US6271562B1. Автор: Jens-Peer Stengl,Jenoe Tihanyi,Heimo Graf,Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-08-07.

Semiconductor Component And Method For Contracting Said Semiconductor Component

Номер патента: US20070087553A1. Автор: Reinhold Bayerer. Владелец: EUPEC GmbH. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of removing thin film layers of a semiconductor component

Номер патента: US5926688A. Автор: Yih-Yuh Doong,Chien-Hsin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Method for producing semiconductor components

Номер патента: US20070216038A1. Автор: Knut Kahlisch,Soo Park. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-20.

Circuit device having a semiconductor component

Номер патента: US20120306528A1. Автор: Joachim Joos,Holger Heinisch,Thomas Jacke,Christian Foerster. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Low Dislocation Density III-Nitride Semiconductor Component

Номер патента: US20170365699A1. Автор: Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Chan Kyung Choi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor Component Comprising A Temporary Field Stopping Area, And Method For The Production Thereof

Номер патента: US20070278514A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-06.

Photoresist layers of semiconductor components including electric fields, system, and methods of forming same

Номер патента: US11817293B2. Автор: Gregory Denbeaux. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2023-11-14.

Hermetically sealed housing with a semiconductor component and method for manufacturing thereof

Номер патента: US11876007B2. Автор: Horst Theuss,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-16.

Power Semiconductor Component with a Power Semiconductor Chip and Method for Producing the Same

Номер патента: US20070228556A1. Автор: Khalil Hosseini,Alexander Koenigsberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-10-04.

Vertical semiconductor component, and method for its production

Номер патента: US20230402538A1. Автор: Stephan SCHWAIGER,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor component and method for producing it

Номер патента: US7446373B2. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Armin Willmeroth,Rudolf Zelsacher,Dietmar Kotz,Hermann Peri. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for fabricating a semiconductor component having a wiring which runs piecewise in the substrate, and also a semiconductor component which can be fabricated by this method

Номер патента: US20010053574A1. Автор: Andreas Kux,Ronald Kakoschke,Helga Braun,Regina Stokan,Gunther Plasa. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-12-20.

Method for manufacturing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US20190088490A1. Автор: Tolga Tekin,Martin Wilke,Kai Zoschke,Hans-Hermann Oppermann,Charles-Alix Manier,Robert Gernhardt. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor component with silicon wiring and method of fabricating the component

Номер патента: US6429520B1. Автор: Ronald Kakoschke,Regina Stokan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-08-06.

Support plate for semiconductor components

Номер патента: WO2004025708A3. Автор: Haas Franciscus C M De,Laarhoven Johannes M E Van. Владелец: Laarhoven Johannes M E Van. Дата публикации: 2004-12-29.

Photoactive semiconductor component and method for producing a photoactive semiconductor component

Номер патента: US20170018662A1. Автор: Martin Hermle,Frank Feldmann. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20100187696A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-29.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240136407A1. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-25.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190103489A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210050315A1. Автор: Po-Chao Tsao,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3780093A1. Автор: Po-Chao Tsao,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-02-17.

Semiconductor component and manufacturing method of semiconductor component

Номер патента: US20100013089A1. Автор: Hideo Kubo,Osamu Igawa,Seiji Ueno,Tsuyoshi So. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor component and method for producing it

Номер патента: US20050110077A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Armin Willmeroth,Rudolf Zelsacher,Dietmar Kotz,Hermann Peri. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-26.

Semiconductor component and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP4290579A1. Автор: Tim Böttcher,Romain Esteve,Sönke HABENICHT. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for fabricating a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US7696041B2. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-04-13.

Apparatus for delivering semiconductor components to a substrate during semiconductor package manufacturing

Номер патента: US20120301251A1. Автор: Kui Kam Lam,Yen Hsi Tang,Wai Yuen Cheung,Wing Kin Lam. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-11-29.

Apparatus for delivering semiconductor components to a substrate

Номер патента: MY155118A. Автор: LAM Kui Kam,LAM Wing Kin,TANG Yen Hsi,CHEUNG Wai Yuen. Владелец: Asm Tech Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor component, and contacting assembly having a semiconductor component and a printed circuit board

Номер патента: US20200196449A1. Автор: Lars Vollmer,Guenter Gera,Matthias Lausmann,Klaus Kosbi. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-06-18.

Power semiconductor component for voltage limiting, arrangement having two power semiconductor components, and a method for voltage limiting

Номер патента: US11973147B2. Автор: Uwe Kellner-Werdehausen,Reiner Barthelmess,Juergen Schiele,Sebastian Paul Sommer. Владелец: Infineon Technologies Bipolar GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for manufacturing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US10658187B2. Автор: Tolga Tekin,Martin Wilke,Kai Zoschke,Hans-Hermann Oppermann,Charles-Alix Manier,Robert Gernhardt. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US6020611A. Автор: Gordon C. Ma,Christopher P. Dragon. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Contact for an MIS-semiconductor component and method for manufacturing the same

Номер патента: US4502069A. Автор: Gottfried Schuh. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1985-02-26.

Semiconductor component having through-silicon vias and method of manufacture

Номер патента: US9418923B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Tsang-Jiuh Wu,Ebin Liao,Chia-Lin Yu,Chun Hua CHANG,Cheng-Hung Chang,Hsiang-Yi Wang,Li-Hsien HUANG,Darryl KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Field effect-controllable semiconductor component

Номер патента: US5973360A. Автор: Jenoe Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-26.

Soft-faced semiconductor component backing

Номер патента: CA1307355C. Автор: Kevin L. Hanson,David C. DeGree,Herbert J. Fick. Владелец: Bergquist Co Inc. Дата публикации: 1992-09-08.

A tunable semiconductor component provided with a current barrier

Номер патента: EP1979944A1. Автор: Yves Gagnon,Michel Meunier,Alain Lacourse,Mathieu Ducharme,Hugo St-Jean,Yvon Savaria. Владелец: Cadeka Microcircuits LLC. Дата публикации: 2008-10-15.

Cooling body for the liquid cooling of high-power semiconductor components

Номер патента: CA1223087A. Автор: Xaver Vogel. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1987-06-16.

Process for gettering semiconductor components and integrated semiconductor circuits

Номер патента: US4319119A. Автор: Hartmut Runge. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1982-03-09.

Method for increasing the electric strength of a multi-layer semiconductor component

Номер патента: US5284780A. Автор: Hans-Joachim Schulze,Heinz Mitlehner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-02-08.

Semiconductor Component

Номер патента: US20110284958A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Hirler,Maximilian Roesch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-11-24.

Method for manufacturing a semiconductor component that inhibits formation of wormholes

Номер патента: US7217660B1. Автор: Minh Van Ngo,Paul R. Besser,Connie Pin-Chin Wang,Jinsong Yin,Hieu T. Pham. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-05-15.

Method for producing an n-doped field stop zone in a semiconductor body and semiconductor component having a field stop zone

Номер патента: US20060035436A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for fabricating semiconductor component having conductors and bonding pads with wire bondable surfaces and selected thickness

Номер патента: US20070048999A1. Автор: Warren Farnworth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-01.

Synthesis method for a compound used to form a self-assembled monolayer, compound for forming a self-assembled monolayer, and layer structure for a semiconductor component

Номер патента: US20060160272A1. Автор: Guenter Schmid,Markus Schuetz,Franz Effenberger,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang,Steffen Maisch,Steffen Seifritz,Stefan Holberg. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-20.

Field-effect-controllable semiconductor component with a plurality of temperature sensors

Номер патента: US5994752A. Автор: Rainald Sander,Alfons Graf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-30.

Method for the manufacture of a semiconductor component

Номер патента: WO1993001617A1. Автор: Per Svedberg. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 1993-01-21.

Semiconductor element for an electronic or opto-electronic semiconductor component

Номер патента: US5831309A. Автор: Wolfgang Englisch,Reinhold Uebbing. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 1998-11-03.

High-voltage semiconductor component

Номер патента: US20040007736A1. Автор: Hans Weber,Gerald Deboy,Helmut Strack,Dirk Ahlers,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor component

Номер патента: US7091533B2. Автор: Gerald Deboy,Jeno Tihanyi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-08-15.

Coaxial-interconnect structure for a semiconductor component

Номер патента: US10734334B2. Автор: Marc Jacobs,Lijuan Zhang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-08-04.

Method for fabricating a semiconductor component having a t-shaped contact electrode

Номер патента: CA2433734C. Автор: Dag Behammer. Владелец: UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH. Дата публикации: 2012-08-14.

Heat sink for semiconductor components or similar devices, method for its production and tool for carrying out the method

Номер патента: CA2457042C. Автор: Werner Graf,Uwe Bock,Stephan Bock. Владелец: Alcan Technology and Management Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Semiconductor component

Номер патента: US4849800A. Автор: Jan Voboril,Jens Gobrecht,Horst Gruning,C. Christiaan Abbas. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1989-07-18.

Optical semiconductor component and method of fabrication

Номер патента: US5936294A. Автор: Zuoying Lisa Zhang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Semiconductor component with dielectric carrier and its manufacture

Номер патента: US4072982A. Автор: Karl-Ulrich Stein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-02-07.

A tunable semiconductor component provided with a current barrier

Номер патента: CA2533225C. Автор: Yves Gagnon,Michel Meunier,Alain Lacourse,Mathieu Ducharme,Hugo St-Jean,Yvon Savaria. Владелец: Cadeka Microcircuits LLC. Дата публикации: 2016-03-22.

Process for producing a semiconductor component

Номер патента: CA1206628A. Автор: Michel Salvi,Pierre N. Favennec,Marcel Gauneau. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-06-24.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080217765A1. Автор: Joseph K. Fauty,Jay A. Yoder,James P. Letterman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Power semiconductor component, power semiconductor device as well as methods for their production

Номер патента: US7667326B2. Автор: Ralf Otremba,Josef Hoeglauer,Xaver Schloegel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-02-23.

Through Substrate Via Semiconductor Components

Номер патента: US20090302480A1. Автор: Uwe Hoeckele,Albert Birner,Uwe Seidel,Thomas Kunstmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for manufacturing a metal-semiconductor contact in semiconductor components

Номер патента: US7923362B2. Автор: Michael Graf,Volker Dudek,Franz Dietz,Tobias Florian. Владелец: Telefunken Semiconductors GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-04-12.

Semiconductor component with an increased breakdown voltage in the edge area

Номер патента: US20030209757A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Walter Rieger,Joachim Krumrey,Ralf Henninger,Martin Pölzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor component

Номер патента: US20050194635A1. Автор: Frank Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor component with trench insulation and corresponding production method

Номер патента: US20110003457A1. Автор: Franz Schuler,Georg Tempel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-01-06.

Cooling system where semiconductor component comprising semiconductor chip and cooling apparatus are joined

Номер патента: US11908766B2. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for removing dielectric layers from semiconductor components by using a laser beam

Номер патента: US20160343571A1. Автор: Roland Mayerhofer,Wenjie Zhu,Richard Hendel. Владелец: Rofin Baasel Lasertech GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor Component Arrangement Comprising a Trench Transistor

Номер патента: US20150008498A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20200185543A1. Автор: Jefferson W. Hall,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-06-11.

Method for Producing a Semiconductor Component

Номер патента: US20140357048A1. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor component

Номер патента: US9263526B2. Автор: Daniel Waldmann,Michael Krieger,Stefan Hertel,Heiko B. Weber,Florian Krach,Johannes Jobst. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2016-02-16.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303546A1. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US11848380B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

System including light emitting semiconductors for dissipating power

Номер патента: US20190013751A1. Автор: Brian J. Tillotson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-01-10.

System including light emitting semiconductors for dissipating power

Номер патента: US09979335B1. Автор: Brian J. Tilotson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Light emitting semiconductor methods and devices

Номер патента: CA2758595A1. Автор: Han Wui Then,Milton Feng,Gabriel Walter,Nick Holonyak,Chao-Hsin Wu. Владелец: Quantum Electro Opto Systems Sdn Bhd. Дата публикации: 2010-10-21.

Electrodes for light emitting semiconductor devices

Номер патента: GB2333896A. Автор: Jan Jonsson,Vilhelm Oscarsson. Владелец: Mitel Semiconductor AB. Дата публикации: 1999-08-04.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: EP1841024B1. Автор: Tsutomu Ishikawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-09-10.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20200259309A1. Автор: Lell Alfred,König Harald,Ali Muhammad,Stojetz Bernhard. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2019053053A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Bernhard Stojetz,Muhammad Ali. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-03-21.

Light emitting semiconductor element and semiconductor device using the same

Номер патента: JPS59193081A. Автор: Masaaki Sawai,沢井　雅明. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-11-01.

SYSTEM INCLUDING LIGHT EMITTING SEMICONDUCTORS FOR DISSIPATING POWER

Номер патента: US20190013751A1. Автор: Tillotson Brian J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND OPTOELECTRONIC COMPONENT THEREFROM

Номер патента: US20130223464A1. Автор: Kittler Martin,Arguirov Tzanimir,Reiche Manfred. Владелец: IHP-GmbH- Innovations for High Performance Microelectronics. Дата публикации: 2013-08-29.

SURFACE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

Номер патента: US20180059344A1. Автор: TANAKA Yoshiyuki,Watanabe Yoshiaki,Narui Hironobu,Yamauchi Yoshinori,Kuromizu Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

SURFACE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

Номер патента: US20150293319A1. Автор: TANAKA Yoshiyuki,Watanabe Yoshiaki,Narui Hironobu,Yamauchi Yoshinori,Kuromizu Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

SURFACE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

Номер патента: US20180341076A1. Автор: TANAKA Yoshiyuki,Watanabe Yoshiaki,Narui Hironobu,Yamauchi Yoshinori,Kuromizu Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS59208886A. Автор: Atsushi Sasayama,Takeo Takahashi,健夫 高橋,Toyohiko Takahashi,佐々山　厚,高橋　豊彦. Владелец: Hitachi Iruma Electronic Co Ltd. Дата публикации: 1984-11-27.

Surface light emitting semiconductor laser

Номер патента: JPS5934687A. Автор: Haruhisa Soda,Tomoji Terakado,Kenichi Iga,知二 寺門,晴久 雙田,伊賀　健一. Владелец: Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan. Дата публикации: 1984-02-25.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2450519A1. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-09-26.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF.

Номер патента: DE3782704T2. Автор: Jun Ichi C O Patent Kinoshita,Motoyasu C O Patent D Morinaga,Hideto C O Patent Div Furuyama,Yuzo C O Patent Divis Hirayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-05-06.

Solid-state laser with light emitting semiconductor devices

Номер патента: DE3943722C2. Автор: Masaki Kuzumoto,Shigenori Yagi,Yutaka Mihashi,Kazuki Kuba,Yoshito Seiwa,Toshitaka Aoyagi,Yasuhito Myoi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-01-18.

Ring resonator type of surface light emitting semiconductor laser, and its manufacture

Номер патента: JPH10303497A. Автор: Yukio Furukawa,幸生 古川. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-11-13.

Surface light emitting semiconductor laser element

Номер патента: US9983375B2. Автор: Yoshinori Yamauchi,Yoshiyuki Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Hironobu Narui,Yuichi Kuromizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Surface light emitting semiconductor laser element

Номер патента: US10025051B2. Автор: Yoshinori Yamauchi,Yoshiyuki Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Hironobu Narui,Yuichi Kuromizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

GaN base light emitting semiconductor device and preparation method thereof with AlGaN insert layer

Номер патента: CN110401106A. Автор: 张峰,刘建平,杨辉,张立群,张书明,李德尧,池田昌夫. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2019-11-01.

Temperature dependent constant-current generating circuit and light emitting semiconductor element driving circuit using the same

Номер патента: US6037832A. Автор: Katsuji Kaminishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Improvements relating to temperature control arrangements for light emitting semiconductor junction device

Номер патента: GB8820104D0. Автор: . Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1988-09-28.

System including light emitting semiconductors for dissipating power

Номер патента: EP3425787A1. Автор: Brian J. Tillotson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-01-09.

Light emitting semiconductor element

Номер патента: JPS6376390A. Автор: Mitsunori Sugimoto,杉本　満則. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-04-06.

Light emitting semiconductor methods and devices

Номер патента: WO2010120372A2. Автор: Han Wui Then,Milton Feng,Gabriel Walter,Nick Holonyak,Chao-Hsin Wu. Владелец: Quantum Electro Opto Systems Sdn. Bhd.. Дата публикации: 2010-10-21.

Light emitting semiconductor method and device

Номер патента: JP5789597B2. Автор: ガブリエル ウォルター,ミルトン フォン,ニック ホロニャック,ハン ウィー ゼン,ハン ウィー ゼン,チャオ−シン ウー. Владелец: Quantum Electro Opto Systems Sdn Bhd. Дата публикации: 2015-10-07.

Lamp has lamp base and at least one light-emitting semiconductor element having electrical contacts and connecting parts

Номер патента: DE202006018985U1. Автор: . Владелец: Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH. Дата публикации: 2007-03-29.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE102017121480A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Bernhard Stojetz,Muhammad Ali. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-03-21.

Light-emitting semiconductor device producing red wavelength optical radiation

Номер патента: US20030138015A1. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Takashi Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-24.

Light Emitting Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20240179815A1. Автор: Faquan Liang. Владелец: Nanning Wang Choi Lighting Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method and circuit for operating a power semiconductor component

Номер патента: US20110309882A1. Автор: Christian Keller,Robert Oesterle. Владелец: CONVERTEAM TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2011-12-22.

Socket for semiconductor component, printed circuit board unit, and information processing apparatus

Номер патента: US20150359122A1. Автор: Akira Tamura,Yoshihiro Morita,Yasushi Masuda,Satoshi Ohsawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20230369827A1. Автор: Christian Lauer,Alexander Behres,Martin Hetzl. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor component

Номер патента: US20220416504A1. Автор: Andreas Popp,Alexander Marc Van Der Lee,Markus Herper,Sven Bader,Andrea Ott,Roman KOERNER,Jenny Tempeler,Michael Smeets,Daniela Stange. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor component test socket

Номер патента: WO2001061364A3. Автор: Takayuki Nagumo,Masahito Naito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor component

Номер патента: US20240266805A1. Автор: Sven Bader,Andrea Ott. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor strip laser and semiconductor component

Номер патента: US09787055B2. Автор: Jens Müller,Alfred Lell,Uwe Strauβ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-10.

Monolithic integrated optical semiconductor component

Номер патента: US5862168A. Автор: Michael Schilling,Gert Laube. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1999-01-19.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20230238769A1. Автор: Tobias Gebuhr,Jan Seidenfaden. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-07-27.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11923660B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for producing a semiconductor component and such a semiconductor component

Номер патента: US20240128719A1. Автор: Alexander WEIGL,Berthold Schmidt,Holger Joachim MOENCH,Roman KOERNER. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-04-18.

Light-emitting semiconductor components function monitoring method for e.g. light signals at level crossings, involves detecting change of power input for recognition of failure of semiconductor components

Номер патента: DE102006056147A1. Автор: Christoph Dr. Roth,Rudolf Schierjott. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2008-06-05.

Method and device for color locus control of a light emitted by a light-emitting semiconductor component

Номер патента: DE102011114192A8. Автор: Dirk Berben. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-06-06.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: WO2013153202A1. Автор: Kilian Regau,Christoph Gärditz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-10-17.

Light Source Driving Circuit of Light Emitting Semiconductor and Backlight Module

Номер патента: US20150294615A1. Автор: Zhang Hua,Zhang Xianming. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Solid state lighting system and a driver integrated circuit for driving light emitting semiconductor devices

Номер патента: EP2177081B1. Автор: Gian Hoogzaad,Franciscus A. C. M. Schoofs. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-06-12.

STROBE APPARATUS HAVING LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR MODULE DRIVEN BY TWO-STEPPED DRIVE CURRENT

Номер патента: US20190261479A1. Автор: SEKIDO Keizo. Владелец: STANLEY ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-08-22.

Method and apparatus for setting operating current of light emitting semiconductor element

Номер патента: TW200841768A. Автор: Shun Kei Mars Leung,Chin Tung Derek Lau,Chong Yiu Dennis Lui. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-10-16.

Light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE102012206101A1. Автор: Kilian Regau,Christoph Gaerditz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-10-17.

System and device for reception of color television and three-dimensional color television using light emitting semiconductor screen

Номер патента: JPS55132189A. Автор: Kiyoshi Nagata. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-10-14.

Circuit arrangement, electrical system, and method for ascertaining barrier layer temperatures of gate-controlled semiconductor components

Номер патента: US20240272012A1. Автор: Jonathan WINKLER,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-15.

Control of a semiconductor component of a current limiter

Номер патента: EP4439896A1. Автор: Ulf Hansson,Tony WIKMAN,Joakim BERGQVIST. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and device for adapting temperatures of semiconductor components

Номер патента: US20230228810A1. Автор: Michael Maercker,Jonathan WINKLER,Jan Homoth,Sebastian Strache,Karl Oberdieck,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-07-20.

Limiting of temperature variations of semiconductor component

Номер патента: US9712150B2. Автор: Marko Raatikainen,Teemu Salmia,Jukka-Peeka Kittilä. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2017-07-18.

Limiting of temperature variations of semiconductor component

Номер патента: US20160118975A1. Автор: Marko Raatikainen,Teemu Salmia,Jukka-Peeka Kittilä. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for patterning a semiconductor component

Номер патента: US7378321B2. Автор: Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-27.

Control device for control of power semiconductor component, as well as control method of power semiconductor component

Номер патента: RU2713634C1. Автор: Райнер ЗОММЕР,Маркус МАУЭРСБЕРГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2020-02-05.

Control of semiconductor component

Номер патента: EP2495876A9. Автор: Palomäki Jukka,Matti Laitinen. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2012-12-19.

Method for patterning a semiconductor component

Номер патента: US20060258130A1. Автор: Matthias Goldbach. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and device for reducing voltage loads of semiconductor components of an inverter

Номер патента: US20230231400A1. Автор: Stephan SCHWAIGER,Marco Graf,Sebastian Strache,Karl Oberdieck,Hadiuzzaman Syed,Manuel Horvath. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-07-20.

Control of semiconductor component

Номер патента: US20120223744A1. Автор: Matti Laitinen,Jukka Palomaki. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2012-09-06.

Method and device for reducing voltage loads of semiconductor components of an inverter

Номер патента: US12027901B2. Автор: Stephan SCHWAIGER,Marco Graf,Sebastian Strache,Karl Oberdieck,Hadiuzzaman Syed,Manuel Horvath. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-02.

Control device for driving a bipolar switchable power semiconductor component, semiconductor module and method

Номер патента: US20190379373A1. Автор: Jan Weigel,Jurgen Bohmer,Eberhard Ulrich Krafft,Andreas Nagel,Rüdiger Kleffel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-12-12.

Compound, semiconductor component, and method for producing a semiconductor component comprising an organic memory material

Номер патента: US20060211257A1. Автор: Guenter Schmid,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-21.

Sensor matrix with semiconductor components

Номер патента: WO2009033728A2. Автор: Franz Padinger. Владелец: NANOIDENT TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-19.

Management of bin information in a luminous, motor-vehicle module comprising semiconductor-component light sources

Номер патента: US09930738B2. Автор: Miguel-Angel PENA,Antonio Domingo ILLAN,Juan-Jose Santaella,Juan Lara-Cabeza,Maria MARIN. Владелец: Valeo Iluminacion SA. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated semiconductor component and method for controlling a supply voltage of a functional circuit in an integrated semiconductor component

Номер патента: US20080079402A1. Автор: Christian Kranz,Markus Hammes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-03.

Physical identifiers for authenticating an identity of a semiconductor component

Номер патента: WO2019118711A1. Автор: Andy Yang,Scott D. Johnson,Lynn Bos,Neal MUELLER. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor components, fabrication methods thereof and memory systems

Номер патента: US20240196632A1. Автор: SHENG Peng,Jing Gao,Wenbo Zhang,Lei Xue,Xiaoming Mao,Zhaohui Cheng,Zhiyong Lu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Method and device for testing and calibrating electronic semiconductor components which convert sound into electrical signals

Номер патента: US20100290634A1. Автор: Arnfried Kiermeier,Stefan Binder,Max Schaule. Владелец: Kathrein Werke KG. Дата публикации: 2010-11-18.

DEVICE FOR A LIGHT SOURCE OF A PRINTING MACHINE WITH A PLURALITY OF LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENTS OF A FIRST TYPE AND AT LEAST ONE LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT OF A FURTHER TYPE ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20200385590A1. Автор: Stahl Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Near-infrared light-emitting semiconductor single-layer carbon nanotube

Номер патента: US20170335185A1. Автор: Jaeho Kim,Hajime Sakakita,Toshiya Okazaki,Yoko IIZUMI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-23.

LIGHT SOURCE HAVING AT LEAST ONE FIRST LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT, A FIRST CARRIER ELEMENT AND A DISTRIBUTING ELEMENT

Номер патента: US20220072871A1. Автор: Meyer Stefan,Stahl Andreas,Grade Jochen,PEIFER Nico,DESGRONTE Janek. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

Light for use in activating light-activated materials, the light having a plurality of light emitting semiconductor chips emitting light of differing peak wavelengths to provide a wide light spectrum profile

Номер патента: US20020190659A1. Автор: Densen Cao. Владелец: Cao Group Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

WHITE THERMOSETTING SILICONE RESIN COMPOSITION FOR A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND A CASE FOR INSTALLING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20150353733A1. Автор: TSUTSUMI Yoshihiro,TOMITA Tadashi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2015-12-10.

Handle for e.g. rear door of motor car, has transparent converter cover located at distance from monochromatic light emitting semiconductor crystal and converting light emitted by crystal into to longer wavelength white wideband light

Номер патента: DE102010016522A1. Автор: wird später genannt werden Erfinder. Владелец: Huf Huelsbeck and Fuerst GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-10-20.

Light reflection defect detection apparatus and method using pulsed light-emitting semiconductor devices of different wavelengths

Номер патента: US5000569A. Автор: Steven L. Nylund. Владелец: Lamb Weston Inc. Дата публикации: 1991-03-19.

Hazard detector with a projection unit based on a light emitting semiconductor for projecting user information away from the hazard detector

Номер патента: DE202014002931U1. Автор: . Владелец: SIEMENS SCHWEIZ AG. Дата публикации: 2014-05-06.

METHOD FOR PREPARING A NANOSIZED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20200079996A1. Автор: NEYSHTADT Shany,DAVIDI Inbal,GRUMBACH Nathan. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2020-03-12.

FLEXIBLE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A THREE DIMENSIONAL STRUCTURE

Номер патента: US20140321126A1. Автор: Palaniswamy Ravi,Jesudoss Arokiaraj,Mooney Justine A.,Narag Alejandro Aldrin II Agcaoili. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

APPARATUS AND METHOD FOR PROFILING A BEAM OF A LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160313180A1. Автор: Brennan Vincent,Percival Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

NEAR-INFRARED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR SINGLE-LAYER CARBON NANOTUBE

Номер патента: US20170335185A1. Автор: Kim Jaeho,Sakakita Hajime,OKAZAKI Toshiya,IIZUMI Yoko. Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-11-23.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS5619684A. Автор: Katsutoshi Soejima. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-02-24.

Assembling method of light emitting semiconductor device with optical fiber

Номер патента: JPS55166973A. Автор: Makoto Sakamoto,Kazuo Hatori,Yoichi Yasuda,Masahiro Ichiki,Atsushi Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-12-26.

Method for preparing a nanosized light emitting semiconductor material

Номер патента: TW201839091A. Автор: 珊妮 內施塔特,納坦 克朗巴,印巴 達衛迪. Владелец: 德商馬克專利公司. Дата публикации: 2018-11-01.

High brightness yellow-orange phosphor powder for using in warm white light emitting semiconductor

Номер патента: TW200925248A. Автор: Soshchin Naum,qi-rui Cai,wei-hong Luo. Владелец: wei-hong Luo. Дата публикации: 2009-06-16.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4443123A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for auto-calibrating semiconductor component tester

Номер патента: US09910091B2. Автор: Heng-Chun Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and device for determining the temperature calibration characteristic curve of a semiconductor component appertaining to power electronics

Номер патента: US09927483B2. Автор: Sebastian Hiller,Marco BOHLLÄNDER,Christian Herold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-03-27.

A test socket for and method of testing electronic components, in particular high-power semiconductor components

Номер патента: EP4372388A1. Автор: Markus Wagner,Johann PÖTZINGER,Stefan Engelbrecht,Christoph MEDERER. Владелец: Cohu GmbH. Дата публикации: 2024-05-22.

Test socket for and a method of testing electronic components, in particular high-power semiconductor components

Номер патента: US20240168055A1. Автор: Markus Wagner,Johann PÖTZINGER,Stefan Engelbrecht,Christoph MEDERER. Владелец: Cohu GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor component and method for manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20240190702A1. Автор: Gregor Schuermann,Pascal Gieschke. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor component, assembly and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US20200386795A1. Автор: Kenichi Suzuki,Kenichi Yoshida,Kazuyuki Sashida,Shinji Kunori,Mizue Yamaji. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor component, assembled body, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: EP3715867A1. Автор: Kenichi Suzuki,Kenichi Yoshida,Kazuyuki Sashida,Shinji Kunori,Mizue Yamaji. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Dioxaborines as organic n-semiconductors, process for the production of semiconductors utilizing dioxaborines, and semiconductor component, field effect transistor, and diode having a dioxaborine

Номер патента: US20030234396A1. Автор: Günter Schmid,Lisa Davis,Marcus Halik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor component update device

Номер патента: US12124832B2. Автор: Michael Thompson,Ryan Albright,Benjamin Goska,Aaron Richard Carkin,William Ryan Weese,William Andrew Mecham. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Test carrier with molded interconnect for testing semiconductor components

Номер патента: US20010043074A1. Автор: Salman Akram,David R. Hembree,Alan G. Wood,Warren M. Farnworth,James M. Wark,Derek Gochnour,John O. Jacobson,Syed Sajid Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor component update device

Номер патента: GB2605684A. Автор: Thompson Michael,Albright Ryan,Goska Benjamin,Andrew Mecham William,Ryan Weese William,Richard Carkin Aaron. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2022-10-12.

Assembly of an active semiconductor component and of a silicon-based passive optical component

Номер патента: US11934007B2. Автор: Hélène Debregeas,François Lelarge,David Carrara. Владелец: ALMAE TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2024-03-19.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024208927A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Limited. Дата публикации: 2024-10-10.

Test system with rotational test arms for testing semiconductor components

Номер патента: US09638740B2. Автор: Chien-Ming Chen,Herbert Tsai,Chin-Yi Ou Yang. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method and device for testing the ESD resistance of a semiconductor component

Номер патента: US7009404B2. Автор: Richard Owen,Kai Esmark,Harald Gossner,Philipp Riess,Martin Streibl,Martin Wendel,Wolfgang Stadler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor component burn-in test module and burn-in test equipment

Номер патента: US11500012B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hung Tsai,Kuo-Jung Wu,Hsing-Yueh LIANG,Po-Wei LIAO. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

Semiconductor component burn-in test module and burn-in test equipment

Номер патента: US20220043052A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hung Tsai,Kuo-Jung Wu,Hsing-Yueh LIANG,Po-Wei LIAO. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

A semiconductor components delivery system associated with a turret type testing apparatus

Номер патента: PH12014501299B1. Автор: Heng Lee Lee. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2014-09-15.

Apparatus and method for monitoring a semiconductor component

Номер патента: US20240019482A1. Автор: Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-01-18.

A semiconductor components delivery system associated with a turret type testing apparatus

Номер патента: PH12014501299A1. Автор: LEE HENG LEE. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2014-09-15.

Semiconductor component and method

Номер патента: US20040048430A1. Автор: Hubert Benzel,Hans Artmann,Frank Schaeffer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor component for connection to a test system

Номер патента: US6800817B2. Автор: Helmut Schneider,Robert Kaiser,Florian Schamberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-05.

Method and semiconductor component having a device for determining an internal voltage

Номер патента: US20020125906A1. Автор: Ralf Schneider,Thilo Shaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Test system with rotational test arms for testing semiconductor components

Номер патента: US20140103954A1. Автор: Chien-Ming Chen,Herbert Tsai,Chin-Yi Ou Yang. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Copolymers having O-nitrocarbinol ester groups and production of semiconductor components

Номер патента: US4822866A. Автор: Reinhold Schwalm,Horst Binder. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1989-04-18.

Process for manufacturing si useful for semiconductor components from quartz sand

Номер патента: CA1156816A. Автор: Hubert Aulich,Josef Grabmaier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-11-15.

Light-emitting semiconductor target diode

Номер патента: RU2031485C1. Автор: Михаил Александрович Васильев. Владелец: Михаил Александрович Васильев. Дата публикации: 1995-03-20.

Light Resistant Primer Composition, Method of Producing Light Emitting Semiconductor Device using the Primer Composition, and Light Emitting Semiconductor Device obtained using the Method

Номер патента: KR101295493B1. Автор: 쯔또무 가시와기,긴야 고다마,가즈야 아리마,가쯔유끼 이마자와. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2013-08-09.

Light-resistant primer composition, method for producing light-emitting semiconductor apparatus using the primer composition and light-emitting semiconductor apparatus obtained by the method

Номер патента: TW200806765A. Автор: Tsutomu Kashiwagi,Katsuyuki Imazawa,Kinya Kodama,Kazuya Arima. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2008-02-01.

RED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD OF RED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120077299A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

Method for the Producing of a Light-Emitting Semiconductor Chip, Method for the Production of a Conversion Die and Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20120273807A1. Автор: Von Malm Norwin,Raukas Madis,Kundaliya Darshan. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

Monolithic seven-segment light-emitting semiconductor chip

Номер патента: CA33912S. Автор: . Владелец: Solutia Inc. Дата публикации: 1971-05-17.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: USD531140S1. Автор: Kuniaki Konno,Hiroaki Oshio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Bonding structure of light-emitting semiconductor and its method

Номер патента: TWI239109B. Автор: Shyi-Ming Pan,Fen-Ren Chien. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Bonding structure of light-emitting semiconductor and its method

Номер патента: TW200608592A. Автор: Shyi-Ming Pan,Fen-Ren Chien. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-03-01.

Light-emitting semiconductor-component with a protection-diode

Номер патента: TWI252596B. Автор: Peter Brick,Tony Albrecht,Marc Philippens,Glenn-Yves Plaine. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2006-04-01.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE

Номер патента: US20130048945A1. Автор: YANG CHIH-HAO,Chen Jun-Rong,Kuo Chi-Wen,Fang Kuo-Lung. Владелец: LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-28.

Lateral current-injection type surface light-emitting semiconductor laser device, its manufacture, and semiconductor laser array

Номер патента: JPH10209565A. Автор: Nobuaki Ueki,伸明 植木. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-07.

A kind of light emitting semiconductor device that can improve light efficiency

Номер патента: CN204596827U. Автор: 梅劲,王冬雷,金振模. Владелец: Yangzhou Dehao Runda Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-26.

Blend of organic light emitting semiconductor with elastomer and nanofibers and films made thereof

Номер патента: TWI637036B. Автор: 陳文章,謝蕙璟,郭霽慶. Владелец: 國立台灣大學. Дата публикации: 2018-10-01.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE, MOUNTED SUBSTRATE, AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120007119A1. Автор: Kashiwagi Tsutomu,SHIOBARA Toshio. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-12.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120049231A1. Автор: Chao Tzu-Hao. Владелец: EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Blue Light Emitting Semiconductor Nanocrystal Materials

Номер патента: US20120061644A1. Автор: Bawendi Moungi G.,Bulovic Vladimir,ZIMMER John P.,Coe-Sullivan Seth,Steckel Jonthan S.,Stott Nathan E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120085989A1. Автор: . Владелец: HUGA OPTOTECH INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING

Номер патента: US20120104413A1. Автор: Bougrov Vladislav E.,Odnoblyudov Maxim A.,Mulot Mikael. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

WHITE LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120112626A1. Автор: Kagawa Kazuhiko,SAKUTA Hiroaki,SATOU Yoshihito,Hiraoka Shin,Okagawa Hiroaki. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-10.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120168816A1. Автор: Sweeney Stephen John. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2012-07-05.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120181564A1. Автор: Chao Tzu-Hao. Владелец: EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: US20120217469A1. Автор: Kuo Hao-Chung,WANG Chao-Hsun,Ll Zhen-Yu. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-08-30.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE USING GROUP III NITROGEN COMPOUND

Номер патента: US20120217510A1. Автор: Yamazaki Shiro,Shibata Naoki,KOIKE Masayoshi,Kato Hisaki,Asai Makoto,Manabe Katsuhide,Sassa Michinari. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-30.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20120248473A1. Автор: Kuo Wu-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

High speed light emitting semiconductor methods and devices

Номер патента: US20120249009A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Light-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20120298964A1. Автор: Peter Matthias,Meyer Tobias,Taki Tetsuya,Walter Alexander,Hertkorn Joachim,Off Juergen,Butendeich Rainer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTION OF LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES USING PHOTOLUMINESCENCE IMAGING

Номер патента: US20130027543A1. Автор: Boeykens Steven,Marivoet Tom. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-31.

SOLID STATE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND EPITAXY GROWTH METHOD THEREOF

Номер патента: US20130048941A1. Автор: Yu Chang-Chin,Lin Mong-Ea. Владелец: LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-28.

SOLID STATE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130112998A1. Автор: Chen Cheng-Hung,Hsia Der-Lin,HOU CHIA-HUNG. Владелец: Lextar Electronics Corproation. Дата публикации: 2013-05-09.

PATTERNED SUBSTRATE OF LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130207143A1. Автор: Chen Jun-Rong,Chou Hsiu-Mei. Владелец: LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-15.

LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130314931A1. Автор: LIAO Wen-Chia,Lin Li-Fan,Shiue Ching-Chuan,Chen Shih-Peng. Владелец: DELTA ELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR PACKAGES AND RELATED METHODS

Номер патента: US20140117388A1. Автор: KUO YEN-TING,Hu Ping-Cheng,Tsai Yu-Fang. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPH1022577A. Автор: Hirohiko Kobayashi,Takayuki Yamamoto,宏彦 小林,剛之 山本,Shoichi Ogita,省一 荻田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-01-23.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS5420684A. Автор: Ganzo Iwane,Koichi Wakita,Hideho Saito. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1979-02-16.

Light emitting semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: CN104733579B. Автор: 陈刚毅,梅劲,王冬雷. Владелец: Yangzhou Dehao Runda Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Highly transparent silicone composition and light-emitting semiconductor device sealed with the composition

Номер патента: JP5601481B2. Автор: 紀夫 坪川,利夫 塩原,努 柏木. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-08.

Manufacture of light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS6453488A. Автор: HIROSHI Matsubara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-03-01.

A kind of light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104158086B. Автор: 黄晓东,李林松,傅力,王定理,曹明德. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-28.

Display device using light-emitting semiconductor elements

Номер патента: CA1003937A. Автор: Hiroshi Fujita,Hiroshi Katsumura,Kei Kaneda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-01-18.

Light-emitting semiconductor module

Номер патента: RU2321103C1. Автор: Елена Дмитриевна Васильева,Александр Александрович Богданов,Мария Валерьевна Нахимович,Игорь Аркадьевич Бельник,Денис Анатольевич Ожигин,Анатолий Валерьевич Феопёнтов,Елена Дмитриевна Васильева (RU),Игорь Аркадьевич Бельник (RU),Анатолий Валерьевич Феопёнтов (RU),Денис Анатольевич Ожигин (RU),Александр Александрович Богданов (RU),Мари Валерьевна Нахимович (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника". Дата публикации: 2008-03-27.

Epoxy resin composition and light-emitting semiconductor device coated with same

Номер патента: KR101156581B1. Автор: 서창근,이상묵,서민경. Владелец: 대주전자재료 주식회사. Дата публикации: 2012-06-20.

Surface light emitting semiconductor laser

Номер патента: JPH10242560A. Автор: Takeo Kaneko,Takeo Kawase,健夫 川瀬,丈夫 金子. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1998-09-11.

Buffer layer for light emitting semiconductor device

Номер патента: CN1333471C. Автор: 李志翔,黄登凯. Владелец: GUANGJIA PHOTOELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2007-08-22.

Light-emitting semiconductor chip support with holes

Номер патента: CN102306696A. Автор: 李光. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-04.

Production of light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS52141188A. Автор: Takeshi Kobayashi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1977-11-25.

Method for fabricating monolithic light emitting semiconductor diodes and arrays thereof

Номер патента: AU452686B2. Автор: . Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1972-01-27.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: TWI258228B. Автор: Stephen Lee,Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane,Ruslan Ivanovich Gorbunov. Владелец: Arima Computer Corp. Дата публикации: 2006-07-11.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: USD515519S1. Автор: Hidenori Egoshi,Hiroaki Oshio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-02-21.

Method for fabricating monolithic light-emitting semiconductor diodes and arrays thereof

Номер патента: CA911067A. Автор: G. Schmidt John,Lim Enghua. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1972-09-26.

Method for fabricating monolithic light emitting semiconductor diodes and arrays thereof

Номер патента: AU1802570A. Автор: Eugena Lim John George Schmidt. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1972-01-27.

Method for fabricating monolithic light emitting semiconductor diodes and arrays thereof

Номер патента: AU1802270A. Автор: . Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1972-01-27.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: TW200633250A. Автор: Stephen Lee,Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane,Ruslan Ivanovich Gorbunov. Владелец: Arima Computer Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

Production process for semiconductor component of spark plug

Номер патента: RU2063099C1. Автор: А.Н. Мурысев,Л.Н. Гайдерова,Т.Л. Близнюк. Владелец: Уфимское агрегатное конструкторское бюро "Молния". Дата публикации: 1996-06-27.

An appratus for picking, placing and pressing semiconductor components

Номер патента: PH12014000159A1. Автор: LEE HENG LEE. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2016-01-25.

An appratus for picking, placing and pressing semiconductor components

Номер патента: PH12014000159B1. Автор: Heng Lee Lee. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2016-01-25.

Method for encapsulating semiconductor components mounted on a carrier tape

Номер патента: CA1213988A. Автор: Seppo Pienimaa. Владелец: Lohja Oy AB. Дата публикации: 1986-11-12.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.