Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Data erasure method in a non-volatile semiconductor memory

Data erasure method in a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: DE69321685D1
Опубликовано: 26-11-1998
Автор(ы): Kenichi Oyama
Принадлежит: NEC Corp

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: US20030012052A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kazuyoshi Shiba,Nozomu Matsuzaki. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI ULSI SYSTEMS CO Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5554868A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Masanori Hayashikoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Threshold voltage compacting for non-volatile semiconductor memory designs

Номер патента: WO2002091387A1. Автор: Xin Guo,Sameer Haddad,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-14.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US8576623B2. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method of reading data thereof

Номер патента: US20130100754A1. Автор: Norichika ASAOKA,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile semiconductor memory device capable of pre-conditioning memory cells prior to a data erasure

Номер патента: US6078525A. Автор: Hidetoshi Saito,Masao Kuriyama,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: US20040071023A1. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130229873A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda,Eietsu Takahashi,Manabu Sakaniwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120002475A1. Автор: Hiroyuki Nagashima,Koki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US20070280003A1. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US7372733B2. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020071313A1. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US09715935B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Non-Volatile Semiconductor Memory

Номер патента: US20100061149A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170221567A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Non-volatile semiconductor memory device capable of suppressing writing and erasure failure rate

Номер патента: US20020036921A1. Автор: Tatsuya Saeki,Satoru Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09947410B2. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Erase control circuit and method of non-volatile semiconductor memory device, and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200286565A1. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Non-volatile semiconductor memory device with function of bringing memory cell transistors to overerased state, and method of writing data in the device

Номер патента: US5438544A. Автор: Takami Makino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of controlling the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Hiroyuki Kaga,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Sector protection circuit for non-volatile semiconductor memory, sector protection method and non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20050237800A1. Автор: Kazuhide Kurosaki. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2005-10-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100027352A1. Автор: Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Hoshihide Haruyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20090129156A1. Автор: Takahiro Suzuki,Yasuhiko Honda,Takamichi Kasai,Shinya Fujisawa,Yuji Komine,Ryu Hondai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7929348B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Non-volatile semiconductor memory device including application of different voltages to memory cells based on their proximity to a selected memory cell

Номер патента: USRE50025E1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20210233590A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294728A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20190139610A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160203869A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20180204622A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170076804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230360707A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120243317A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Temperature alert and low rate refresh for a non-volatile memory

Номер патента: WO2010076826A1. Автор: Emanuele Confalonieri,Daniele Ballucchi. Владелец: Daniele Ballucchi. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US20160099064A1. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20120236636A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Method for storing a key in a non-volatile memory

Номер патента: US20240267217A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09966132B2. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Sector protection circuit and sector protection method for non-volatile semiconductor storage device, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: GB2427494A. Автор: Kazuhide Kurosaki. Владелец: Spansion Japan Ltd. Дата публикации: 2006-12-27.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180261290A1. Автор: Junichi Sato,Yoshikazu Harada,Akio SUGAHARA,Kazuto Uehara,Kenta SHIBASAKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: US20120317318A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Sylvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: WO2011054661A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Silvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-05-12.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: EP2499642A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Silvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-09-19.

Non-volatile semiconductor storage device and method of controlling the same

Номер патента: US20110075483A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

System and method for measuring data retention in a non-volatile memory

Номер патента: US20160322113A1. Автор: Liam Michael Parker. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

Data restoration method for a non-volatile memory

Номер патента: WO2010093440A2. Автор: Stephen Fung,Jeong Y. Choi. Владелец: MOSYS, INC.. Дата публикации: 2010-08-19.

Method for controlling program verify operations of a non-volatile memory and a corresponding circuit thereof

Номер патента: US10553297B2. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Sanasi,Chiara Missiroli. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Controller for biasing switching element of a page buffer of a non volatile memory

Номер патента: US20170025180A1. Автор: Alessandro Sanasi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Controller for biasing switching element of a page buffer of a non volatile memory

Номер патента: US09697906B2. Автор: Alessandro Sanasi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method and apparatus for treatment of state confidence data retrieved from a non-volatile memory array

Номер патента: US09582357B2. Автор: Sungho Park,Aliasgar S. Madraswala,Wayne D. Tran,Matthew Goldman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for reducing a memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: US20180151231A1. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for reducing a memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: US10147490B2. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-12-04.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US20180102167A1. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Stress-based techniques for detecting an imminent read failure in a non-volatile memory array

Номер патента: US20130326285A1. Автор: CHEN He,Richard K. Eguchi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-05.

Write process for a non volatile memory device

Номер патента: US20180286476A1. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Pranav Kalavade,Andrea D'Alessandro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-10-04.

Memory system having a non-volatile memory and a controller configured to switch a mode for controlling an access operation to the non-volatile memory

Номер патента: US11790993B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory system having a non-volatile memory and a controller configured to switch a mode for controlling an access operation to the non-volatile memory

Номер патента: US20230402100A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Methods, circuits, devices, systems and machine executable code for reading from a non-volatile memory array

Номер патента: US20160162355A1. Автор: Clifford Alan Zitlaw,Kfir Mizrachi,Ifat Nitzan KALDERON. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Durable maintenance of memory cell electric current sense window following program-erase operations to a non-volatile memory

Номер патента: US09767914B1. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Method and system to obtain state confidence data using multistrobe read of a non-volatile memory

Номер патента: US09754683B2. Автор: Mark Helm,Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Matthew Goldman,Nathan R. Franklin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods, circuits, devices, systems and machine executable code for reading from a non-volatile memory array

Номер патента: US09632867B2. Автор: Clifford Alan Zitlaw,Kfir Mizrachi,Ifat Nitzan KALDERON. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of verifying a program operation in a non-volatile memory device

Номер патента: US20090290418A1. Автор: Jung Chul Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Programming a non-volatile memory device

Номер патента: US7738295B2. Автор: June Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-15.

Optimization of reference voltages in a non-volatile memory (NVM)

Номер патента: US11901013B2. Автор: Stacey Secatch,Jonathan Henze. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for writing in a non-volatile memory according to the ageing of the memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20210319836A1. Автор: Francesco La Rosa,Enrico Castaldo,Francesca Grande,Santi Nunzio Antonino Pagano,Giuseppe Nastasi,Franco Italiano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-14.

Method of programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20120002481A1. Автор: Ki Seog Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Improved safety and correctness data reading and programming in a non-volatile memory device

Номер патента: US20210407608A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Non-volatile memory and method for operating a non-volatile memory

Номер патента: WO2003054888A3. Автор: Engelbert Wittich. Владелец: Engelbert Wittich. Дата публикации: 2004-01-29.

Method for refreshing a non-volatile memory

Номер патента: WO2007130187A3. Автор: Samuel Schlesinger,James E Rickels. Владелец: James E Rickels. Дата публикации: 2008-04-24.

Method for refreshing a non-volatile memory

Номер патента: EP2016589A2. Автор: Samuel Schlesinger,James E. Rickels. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-01-21.

Tracking a lifetime of write operations to a non-volatile memory storage

Номер патента: US20140101374A1. Автор: Steven E. Wells,Victor W. Locasio,Will Akin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of programming memory cells for a non-volatile memory device

Номер патента: US8446776B2. Автор: Sang-Won Hwang,Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Operating techniques for reducing effects of coupling between storage elements of a non-volatile memory operated in multiple data states

Номер патента: US20030128586A1. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka,Yupin Fong,Khandker Quader. Владелец: Quader Khandker N.. Дата публикации: 2003-07-10.

Method and apparatus for programming and testing a non-volatile memory cell for storing multibit states

Номер патента: US20040085812A1. Автор: Jack Frayer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1934985A2. Автор: Martin L. Niset,Andrew W. Hardell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-06-25.

Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory

Номер патента: WO2007030399A2. Автор: Martin L. Niset,Andrew W. Hardell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-15.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array and related memory cell array

Номер патента: TWI336474B. Автор: Yi He,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Edward Hsia,Mark W Randolph,Darlene G Hamilton,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-01-21.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: EP1590810A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-02.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: WO2004070727A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-08-19.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: TW200414205A. Автор: Yi He,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Edward Hsia,Mark W Randolph,Darlene G Hamilton,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-01.

Programming a non-volatile memory

Номер патента: US20120195124A1. Автор: Fuchen Mu,Yanzhuo Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device capable of preventing over-programming

Номер патента: US20110157973A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masaki Fujiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Verification of a weight stored in a non-volatile memory cell in a neural network following a programming operation

Номер патента: US11829859B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method for reprogramming thereof

Номер патента: US20190371419A1. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11929122B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method and apparatus for optimizing erase and program times for a non-volatile memory device

Номер патента: US5801989A. Автор: Jin-Ki Kim,Sung-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-01.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Verification of a weight stored in a non-volatile memory cell in a neural network following a programming operation

Номер патента: US11972795B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Verification of a weight stored in a non-volatile memory cell in a neural network following a programming operation

Номер патента: US20230206026A1. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

One-time uv-programmable non-volatile semiconductor memory and method of programming such a semiconductor memory

Номер патента: WO2001084632A1. Автор: Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-11-08.

One-time uv-programmable non-volatile semiconductor memory and method of programming such a semiconductor memory

Номер патента: EP1281204A1. Автор: Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-02-05.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Threshold based multi-level cell programming for a non-volatile memory device

Номер патента: US09672933B2. Автор: Sang-Soo Park,Joon-Soo KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145010A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory with automatic write-verify controller

Номер патента: US5627782A. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US11901014B2. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230360704A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Method and apparatus to reduce time to program single level cell blocks in a non-volatile memory

Номер патента: US20240013839A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Sagar UPADHYAY,Pratyush CHANDRAPATI,Bhavya LOKASANI,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

A method circuit and system for read error detection in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005041108A2. Автор: Guy Cohen. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd.. Дата публикации: 2005-05-06.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20230197171A1. Автор: Junichi Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Non-valatile semiconductor memory device and location based erasure methods

Номер патента: US09704579B1. Автор: Mathias Bayle. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5920507A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Circuitry and method for programming and erasing a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US5448712A. Автор: Virgil N. Kynett,Mickey L. Fandrich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Redundant circuit incorporated in semiconductor memory device

Номер патента: US5018104A. Автор: Takahiko Urai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-05-21.

High voltage level optimization circuit in a non-volatile semiconductor memory device and method therefor

Номер патента: TW391008B. Автор: Jin-Ki Kim,Sung-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-05-21.

Managing asynchronous power loss in a memory device

Номер патента: US20240194279A1. Автор: Yu-Chung Lien,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

METHOD OF PREVENTING PROGRAM-DISTURBANCES FOR A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140043896A1. Автор: Kim Min-Su,PARK Sang-Hoon,Jeon Hee-Seog,Park Ji-Hoon,Kim Min-sup,Park Weon-Ho,Kwon Hyok-Ki,Kim Byoung-Ho,Kim Eui-Yeol,Sung Min-Jee,Sim Hyo-Soung,Jeon Chang-Min. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

Reference scheme for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7259993B2. Автор: Marco Redaelli,Luca De Ambroggi. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2007-08-21.

Method for erasing data from a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6404681B1. Автор: Yasuaki Hirano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Sensing scheme for a non-volatile semiconductor memory cell

Номер патента: CN1892905A. Автор: M·雷代利,L·德阿姆布洛吉. Владелец: Infineon Technologies Flash & CoKg GmbH. Дата публикации: 2007-01-10.

Sensing scheme for a non-volatile semiconductor memory cell

Номер патента: TW200731266A. Автор: Redaelli Marco,De Ambroggi Luca. Владелец: Qimonda Flash Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2007-08-16.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US20240012563A1. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of auditing the wear of a memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: WO2011000632A1. Автор: Frederic Faure,Yan Charles. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for controlling a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200929255A. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2009-07-01.

Erasing memory segments in a memory block of memory cells using select gate control line voltages

Номер патента: US09779829B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory apparatus, data transmission device, and recording method

Номер патента: US20140016412A1. Автор: Gen Ohshima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor memory apparatus, data transmission device, and recording method

Номер патента: US20150235709A1. Автор: Gen Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor memory apparatus, data transmission device, and recording method

Номер патента: US9412457B2. Автор: Gen Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Non-volatile memory and method for operating a non-volatile memory

Номер патента: AU2002351774A8. Автор: Engelbert Wittich. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-07-09.

Bitline current generator for a non-volatile memory array and a non-volatile memory array

Номер патента: TW200805385A. Автор: Hubert Bode. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-16.

System and method for adaptive memory layers in a memory device

Номер патента: US09632705B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for configuring compensation for coupling between adjacent storage elements in a nonvolatile memory

Номер патента: WO2008011441A3. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-17.

Functional data reading in a non-volatile memory

Номер патента: US09620234B2. Автор: Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

METHOD FOR REDUCING A MEMORY OPERATION TIME IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND CORRESPONDING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180151231A1. Автор: La Rosa Francesco,MATRANGA Giovanni,GRANDE Francesca,Lo Giudice Gianbattista. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09786376B2. Автор: Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of preventing coupling noises for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100302884A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Yong-Jun Lee,Du-Eung Kim,Joon-Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-02.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US7672173B2. Автор: Tsukasa Ooishi,Shinya Miyazaki,Tomohiro Uchiyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050243620A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040233720A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Non-volatile semiconductor memory system

Номер патента: US4597062A. Автор: Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-06-24.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20120218821A1. Автор: Takashi Maeda,Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Yoshihisa Iwata,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Kiyotaro Itagaki,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Control circuit for refreshing voltages in a non-volatile memory during a standby mode and a method thereof

Номер патента: US20090003116A1. Автор: Kerry D. Tedrow,Gerald Barkley,Balaji SIVAKUMAR,Bharat CHAUHAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: US20120213007A1. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A3. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: EP2676275A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-12-25.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Regulation method for the source terminal voltage in a non-volatile memory cell during a program phase and corresponding program circuit

Номер патента: US6822905B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-23.

Transceiver for providing high voltages for erase or program operations in a non-volatile memory system

Номер патента: EP4385018A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Duc Nguyen,Kha Nguyen,Hien Pham. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Transceiver for providing high voltages for erase or program operations in a non-volatile memory system

Номер патента: US12062397B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Duc Nguyen,Kha Nguyen,Hien Pham. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US20010040825A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09966145B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-08.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09679655B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-13.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5818760A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-10-06.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5659501A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1997-08-19.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5528536A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-06-18.

Circuit for the switching of supply voltages in electrically programmable and cancelable non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US5754473A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US6473338B2. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-29.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US09978429B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Voltage regulator in a non-volatile memory device

Номер патента: US20080089141A1. Автор: Prajit Nandi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US9613712B1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-04.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US20170117051A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

A microcomputer having a non-volatile semiconductor memory having a first block storing a program and a second block for storing data which is selectively erased under predetermined conditions if data is found written in that block

Номер патента: US20020087781A1. Автор: Kiyoshi Matsubara,Hirofumi Mukai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Method of preventing coupling noises for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8102704B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Yong-Jun Lee,Du-Eung Kim,Joon-Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-24.

Regulation method for the source voltage in a nonvolatile memory cell during programming and corresponding program circuit

Номер патента: EP1331644A3. Автор: Rino Micheloni,Maria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-02-04.

Method of Programming and Erasing a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20090016116A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Non-volatile memory cell array formed in a p-well in a deep n-well in a p-substrate

Номер патента: EP4341935A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies

Номер патента: US09928918B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies

Номер патента: US09576675B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Non-Volatile Semiconductor Storage Device

Номер патента: US20150311219A1. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9646979B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252289B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09646979B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040027859A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070230246A1. Автор: Akira Umezawa,Jin Kashiwagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09741439B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method of making the same

Номер патента: WO2008096802A1. Автор: Masaru Kito,Mitsuru Sato,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2008-08-14.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040213066A1. Автор: Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7903460B2. Автор: Takeshi Kajimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20030008488A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20010021133A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US12075617B2. Автор: Toshiyuki Kanaya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6049482A. Автор: Kazuhiro Shimizu,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US6990018B2. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker N. Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-01-24.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20130308384A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20150098273A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672922B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile semiconductor memory device with improved layout

Номер патента: US5166900A. Автор: Ichirou Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5394357A. Автор: Shih-Chiang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-02-28.

Non-volatile semiconductor memory device comprising capacitive coupling program inhibit circuitry

Номер патента: US8107300B2. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2012-01-31.

Non-volatile semiconductor memory device with alternative metal gate material

Номер патента: US20080217677A1. Автор: Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-11.

Non-volatile semiconductor memory device and its writing method

Номер патента: US20090244981A1. Автор: Kazuya Matsuzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180082750A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070194370A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Hiroshi Ishida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: EP1425756A1. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-09.

Non-volatile semiconductor memory device and data programming method

Номер патента: US6091639A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US6809966B2. Автор: Hung-Jin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-26.

Input circuit of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7710791B2. Автор: Qi Wang,Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Won-seok Lee,Joon Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-04.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20210271615A1. Автор: Kensuke Yamamoto,Masaru Koyanagi,Ryo Fukuda,Junya Matsuno,Masato Dome,Kenro Kubota. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12058862B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985050B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741738B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile semiconductor memory including a high voltage switching circuit

Номер патента: US4924438A. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-05-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140286103A1. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Yu Suzuki,Masayuki Akou,Akimichi Goyo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9171623B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-27.

Method of fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US7553728B2. Автор: Makoto Mizukami,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Non-volatile semiconductor memory device capable of high-speed data reading

Номер патента: US20030210570A1. Автор: Hiroshi Kato,Tsukasa Ooishi,Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Non-volatile semiconductor memory device and information apparatus

Номер патента: US20030016573A1. Автор: Yuji Tanaka,Ken Sumitani,Yasumichi Mori,Haruyasu Fukui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Non-volatile semiconductor memory cell with control gate and floating gate and select gate located above the channel

Номер патента: US5859455A. Автор: Shih-Chiang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-01-12.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20120195127A1. Автор: Yoshihiro Nakatake. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5428569A. Автор: Hideo Kato,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Kaoru Tokushige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor disk device

Номер патента: US20040165450A1. Автор: Hideaki Kurata,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Non-volatile semiconductor memory device performing multi-level storage operation

Номер патента: US8799748B2. Автор: Toshihiko Suzuki,Atsushi Uchida,Hidenori Takahashi,Terumasa Haneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Method of making non-volatile semiconductor memory arrays

Номер патента: US5966601A. Автор: Chen Ling,Siu-han Liao. Владелец: Holtek Microelectronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9466370B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US8804435B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170117046A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20200381062A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Non-volatile semiconductor storage apparatus

Номер патента: US20070086246A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Koji Sakui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Timing circuitry and method for controlling automated programming and erasing of a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US5333300A. Автор: Mickey L. Fandrich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-07-26.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US10762969B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9953716B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9666299B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170236593A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20210343348A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140328129A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20160372209A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20230260578A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20190214097A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140043917A1. Автор: Wataru Sakamoto,Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Non-volatile memory package and method of reading stored data from a non-volatile memory array

Номер патента: US20070127293A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US7911844B2. Автор: Koji Hosono,Takashi Aoi,Masaru Koyanagi,Mitsuhiro Noguchi,Kenji Gomikawa,Dai Nakamura,Hiroyuki Kutsukake,Takeshi Shimane. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-22.

Non-volatile semiconductor memory circuits

Номер патента: US4558432A. Автор: Kenelm G. D. Murray,Colin W. Edwards. Владелец: Hughes Microelectronics Ltd. Дата публикации: 1985-12-10.

Method and apparatus for information setting in a non-volatile memory device

Номер патента: US20060023508A1. Автор: Kenta Kato,Satoru Sugimoto. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-02-02.

Non-volatile semiconductor device, and method of operating the same

Номер патента: US8837227B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-09-16.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11844218B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

File storage type non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030185054A1. Автор: Teruhiko Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Row decoder for a non-volatile memory device, having reduced area occupation

Номер патента: US09767907B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1411526A3. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-03-07.

Characterizing and operating a non-volatile memory device

Номер патента: US10068650B1. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Mahesh Mandya Vardhamanaiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: WO2000004554A3. Автор: Jan Lindeman,Klaas G Druijf. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-07-13.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1046173A2. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-10-25.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: WO2000004554A2. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 2000-01-27.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: US6178119B1. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-01-23.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1046173B1. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-08.

Method for operating a non-volatile memory

Номер патента: US20030107921A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong,Chih-Jen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Characterizing and operating a non-volatile memory device

Номер патента: US20190066801A1. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Mahesh Mandya Vardhamanaiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Characterizing and operating a non-volatile memory device

Номер патента: US09620227B1. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Mahesh Mandya Vardhamanaiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Power failure protection method and circuit for non- volatile semiconductor storage device

Номер патента: EP2171721A1. Автор: HE Huang. Владелец: Memoright Memoritech Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-07.

Method for Managing a Fail Row of the Memory Plane of a Non Volatile Memory and Corresponding Memory Device

Номер патента: US20180108413A1. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-19.

Method for managing a fail row of the memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US9875798B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for Managing a Fail Row of the Memory Plane of a Non Volatile Memory and Corresponding Memory Device

Номер патента: US20170162264A1. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180315465A1. Автор: Takashi Yamada. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US20210118496A1. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US10916302B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: US20080056015A1. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A3. Автор: Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Method of programming a non-volatile memory cell to eliminate or to minimize program deceleration

Номер патента: US20050078526A1. Автор: Sang Nguyen,Hung Nguyen,Yuniarto Widjaja,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-14.

Method of programming a non-volatile memory cell by controlling the channel current during the rise period

Номер патента: US20060285394A1. Автор: Sang Nguyen,Hung Nguyen,Yuniarto Widjaja,Alexander Kotov,Tho Dang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A8. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Johnny Chan. Дата публикации: 2009-02-26.

Electrically modifiable, non-volatile, semiconductor memory which can keep a datum stored until an operation to modify the datum is completed

Номер патента: US20020130334A1. Автор: Marco Pasotti,Roberto Gastaldi,Federico Pio,Gianbattsista Giudice. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-19.

Algorithms and circuitry for verifying a value stored during a programming operation of a non-volatile memory cell in an analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4280113A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Algorithms and circuitry for verifying a value stored during a programming operation of a non-volatile memory cell in an analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4280113A3. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Data whitening for writing and reading data to and from a non-volatile memory

Номер патента: US8918655B2. Автор: Michael J. Smith,Tahoma M. Toelkes,Matthew J. Byom,Kenneth L. Herman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: WO2013085676A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: EP2788987A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: WO2013032585A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: EP2751840A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Method of updating data for a non-volatile memory

Номер патента: US20040205291A1. Автор: Hugues Blangy. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-10-14.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130187216A1. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Device comprising a non-volatile memory circuit

Номер патента: US20220246211A1. Автор: Jean-Philippe Noel,Jean-Michel PORTAL,Valentin EGLOFF. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for operating a non-volatile memory

Номер патента: US20030142548A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong,Chih-Jen Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080043531A1. Автор: Yasushi Kameda,Ken Takeuchi,Koichi Kawai,Takuya Futatsuyama,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Programming erase state as last program state during a programming cycle of a non-volatile memory structure

Номер патента: US20240290390A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Guirong Liang,Xiaoyu Che. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Protection register for a non-volatile memory

Номер патента: US20100165765A1. Автор: Duane Mills,Rich E. Fackenthal,Chin-Tin Tina Yu. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Circuit and method for reading a non-volatile memory

Номер патента: US6195286B1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-02-27.

Circuit and method for reading a memory cell of a non-volatile memory device

Номер патента: US09865356B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-09.

Circuit for adjusting a select gate voltage of a non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US09805803B2. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

System and method for matching resistance in a non-volatile memory

Номер патента: US7283396B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Andrea Sacco. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device having a non-volatile memory and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US5895950A. Автор: Andrew J. Walker,Roger Cuppens,Alwin N. Kronert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor device and electronic equipment having a non-volatile memory with a security function

Номер патента: US6088262A. Автор: Hiroaki Nasu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Method and apparatus for testing a circuit module concurrently with a non-volatile memory operation in a multi-module data processing system

Номер патента: US6076177A. Автор: Thomas R. Toms,Ivan James Fontenot. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-06-13.

Method for reading a multilevel cell in a non-volatile memory device

Номер патента: US20130339577A1. Автор: Chan Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Non-volatile semiconductor memory device, drive method and manufacturing method

Номер патента: US7531866B2. Автор: Takashi Yuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Reading Circuit and Method for a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20190108886A1. Автор: Antonino Conte,Carmelo Paolino,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-04-11.

Reading circuit and method for a non-volatile memory device

Номер патента: US10593410B2. Автор: Antonino Conte,Carmelo Paolino,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-03-17.

Non-volatile semiconductor memory device, drive method and manufacturing method

Номер патента: US20060180849A1. Автор: Takashi Yuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-17.

Non-volatile semiconductor memory device and a method of using the same

Номер патента: US5491656A. Автор: Kikuzo Sawada. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-02-13.

Reprogramming a non-volatile solid state memory system

Номер патента: US20110131364A1. Автор: David George Gordon. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

A non-volatile memory programming circuit and a method of programming non-volatile memory devices

Номер патента: EP4092674A1. Автор: Thomas DALGATY. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-11-23.

Reprogramming a non-volatile solid state memory system

Номер патента: WO2005091302A1. Автор: David George Gordon. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US11004505B1. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

System and method for avoiding offset in and reducing the footprint of a non-volatile memory

Номер патента: WO2006044163A3. Автор: Massimiliano Frulio,Luca Figini,Andrea Sacco,Reggiori Riccardo Riva. Владелец: Reggiori Riccardo Riva. Дата публикации: 2006-08-10.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US7933151B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-26.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Read performance of a non-volatile memory device, in particular a non-volatile memory device with buried selection transistor

Номер патента: US09825186B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20030072202A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020008991A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

System and method of uv programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20160035737A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

System and method of UV programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09607999B2. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120068256A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Ryo Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140301144A1. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Non-volatile semiconductor memory that is based on a virtual ground method

Номер патента: US6914824B2. Автор: Minoru Yamashita,Kazunari Kido,Yuichi Einaga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-05.

Manufacturing method of non-volatile semiconductor memory device and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170256554A1. Автор: Hiroaki Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Data protection for non-volatile semiconductor memory using block protection flags

Номер патента: US7822914B2. Автор: Hitoshi Kurosawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Power efficient codeword scrambling in a non-volatile memory device

Номер патента: US12067264B2. Автор: Zhengang Chen,Yoav Weinberg,Eyal EN GAD. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Partial block handling protocol in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240312526A1. Автор: Tingjun Xie,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and system for asynchronous die operations in a non-volatile memory

Номер патента: US09734911B2. Автор: Barry Wright,Nicholas James Thomas,Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile semiconductor memory device with nand type memory cell arrays

Номер патента: US5978265A. Автор: Fujio Masuoka,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Ryozo Nakayama,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Program and sense operations in a non-volatile memory device

Номер патента: US20100124115A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8502300B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Ryo Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8797801B2. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9007845B2. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6046941A. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210057028A1. Автор: Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Data Protection for Non-Volatile Semiconductor Memory Using Block Protection Flags

Номер патента: US20080288735A1. Автор: Hitoshi Kurosawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050281087A1. Автор: Riichiro Shirota,Kikuko Sugimae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of making a non-volatile memory cell

Номер патента: US5633185A. Автор: Ling Chen,Tien-Ler Lin,Fuchia Shone,Tom Dang-Hsing Yiu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-27.

Electrically erasable programmable non-volatile semiconductor memory device having select gates and small number of contact holes

Номер патента: US5589699A. Автор: Hitoshi Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-12-31.

Partial block handling protocol in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230386578A1. Автор: Tingjun Xie,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Power efficient codeword scrambling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230393765A1. Автор: Zhengang Chen,Yoav Weinberg,Eyal EN GAD. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Management of write operations in a non-volatile memory device using a variable pre-read voltage level

Номер патента: US20210240385A1. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Partial block handling protocol in a non-volatile memory device

Номер патента: US12027211B2. Автор: Tingjun Xie,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Management of write operations in a non-volatile memory device using a variable pre-read voltage level

Номер патента: WO2021155275A1. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-05.

Non-volatile semiconductor memory device incorporating data latch and address counter for page mode programming

Номер патента: US5521863A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-28.

Non-volatile semiconductor memory device incorporating data latch and address counter for page mode programming

Номер патента: US5485421A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-01-16.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: EP2351075A1. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Yoshihisa Iwata,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Kiyotaro Itagaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-03.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09830989B2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Ryotaro Sakurai. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Non-volatile semiconductor storage device including a dielectric with low permittivity in memory cells arranged in a three dimensional manner

Номер патента: US8916921B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20080025110A1. Автор: Hirokazu Miyazaki,Katsuaki Matsui,Tsutomu Higuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20090180327A1. Автор: Hirokazu Miyazaki,Katsuaki Matsui,Tsutomu Higuchi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Memory Cell And Non-Volatile Semiconductor Storage Device

Номер патента: US20170222036A1. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai,Tatsuro Toya. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Current-voltage convertor, reference voltage generator and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20200278714A1. Автор: Tomofumi Kitani. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Non-volatile semiconductor memory and data processing method in non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20130182488A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Non-volatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20100091579A1. Автор: Tae Su Jang,Sung Joo Hong,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Non-volatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20210012854A1. Автор: Daisuke Uchida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8461638B2. Автор: Masakuni Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit device including the non-volatile semiconductor memory element

Номер патента: US20070114594A1. Автор: Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Non-volatile semiconductor storage device and method of testing the same

Номер патента: US09875154B2. Автор: Masanori Miyagi,Taro Yamasaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing method

Номер патента: US20140183617A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Toshitake Yaegashi,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Non-volatile semiconductor memory device having a low defective rate

Номер патента: US6577534B2. Автор: Takahiro Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device detachable deterioration of memory cells

Номер патента: US5450354A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Nonrepeating identifiers in an address space of a non-volatile solid-state storage

Номер патента: EP3155528A1. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-04-19.

Nonrepeating identifiers in an address space of a non-volatile solid-state storage

Номер патента: WO2016004405A1. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: PURE Storage, Inc.. Дата публикации: 2016-01-07.

Cross point array memory in a non-volatile dual in-line memory module

Номер патента: WO2019209876A1. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Edward McGlaughlin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory apparatus and methods thereof for preventing read errors on weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09582417B2. Автор: Sandeep Sharma,Ajith Kumar,Ashwin Narasimha,Vibhor Patel. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory device and method for programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145016A1. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Authentication system having a non-volatile memory including memory cells in initial or variable states and a host computer for performing authentication therebetween

Номер патента: US09898598B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile semiconductor memory circuits

Номер патента: US4475177A. Автор: Kenelm G. D. Murray. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1984-10-02.

Non-volatile SRAM memory cell, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09842650B2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai,Tatsuro Toya. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-volatile semiconductor storage device and method of testing the same

Номер патента: US20150301889A1. Автор: Masanori Miyagi,Taro Yamasaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Non-volatile semiconductor latch using hot-electron injection devices

Номер патента: US7746695B2. Автор: Hartmut Liebing,Valeri Dimitrov Ivanov. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2010-06-29.

Non-volatile semiconductor storage apparatus

Номер патента: US09940192B2. Автор: Yasuyuki Ozawa,Hiroyuki Suto,Fubito Igari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20110299319A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Memory sector retirement in a non-volatile memory

Номер патента: US09996458B1. Автор: Fuchen Mu,Botang SHAO. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8138489B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-20.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100117047A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Non-volatile memory saving cell information in a non-volatile memory array

Номер патента: EP2737484A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Hari M. Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-06-04.

Non-volatile memory saving cell information in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2013016467A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Hari M. Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-01-31.

Method and apparatus for defect management in a non-volatile memory device

Номер патента: WO2017027142A1. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,David J. Pelster,Eric L. Hoffman,Jing-Jing Li. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-02-16.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: US20240212781A1. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A3. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A2. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Systems and methods for sampling data at a non-volatile memory system

Номер патента: US09785357B2. Автор: Dana Lee,Deepak Raghu,Gautam Dusija,Guirong Liang,Harish Singidi,Anne Pao-Ling Koh,Chris Aviala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Method and apparatus for defect management in a non-volatile memory device

Номер патента: US09766814B2. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,David J. Pelster,Eric L. Hoffman,Jing-Jing Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Recording dwell time in a non-volatile memory system

Номер патента: US09684468B2. Автор: Timothy J. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for operating a non volatile memory of an electronic device and the electronic device implementing the same

Номер патента: US10318184B2. Автор: Woosung Lee,Inhwan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-11.

Nonrepeating identifiers in an address space of a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US20190065391A1. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

System and method for fast secure destruction or erase of data in a non-volatile memory

Номер патента: WO2017209815A1. Автор: Amir Shaharabany,Yacov Duzly,Liron Sheffi,Yuval Kenan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Cross point array memory in a non-volatile dual in-line memory module

Номер патента: US20210027812A1. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Edward McGlaughlin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Non-volatile semiconductor latch using hot-electron injection devices

Номер патента: WO2005059922A1. Автор: Hartmut Liebing,Valeri Dimitrov Ivanov. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2005-06-30.

Non-volatile semiconductor latch using hot-electron injection devices

Номер патента: US20090147577A1. Автор: Hartmut Liebing,Valeri Dimitrov Ivanov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140016398A1. Автор: Takuya Konno,Kazuhiko Yamamoto,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for writing to and reading out a non-volatile electronic memory

Номер патента: US20220328080A1. Автор: Christoph Puttmann,Julian Schwarz,Jens Goldeck. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for controlling a non-volatile dynamic random access memory

Номер патента: US20040052112A1. Автор: Shih-Jye Shen,Yen-Tai Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Circuit and method for controlling write timing of a non-volatile memory

Номер патента: US20130121058A1. Автор: Chih-He Lin,Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pi-Feng Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-05-16.

Generating a random number using a non-volatile memory based physical uncloneable function

Номер патента: US20240249757A1. Автор: Asaf Gueta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Sense amplifier circuit with offset compensation for a non-volatile memory device

Номер патента: US09627011B1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20230139665A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Non-volatile memory device and apparatus for reading a non-volatile memory array

Номер патента: US5619448A. Автор: Yi-Pin Lin. Владелец: Myson Tech Inc. Дата публикации: 1997-04-08.

Three-dimensional (3D) non-volatile semiconductor memory device for loading improvement

Номер патента: US09805768B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Fast, non-volatile semiconductor/bubble memory with temperature-compensated magnetic bias field

Номер патента: US4559616A. Автор: John F. Bruder. Владелец: QUADRI CORP. Дата публикации: 1985-12-17.

Postage meter with a non-volatile memory security circuit

Номер патента: CA1247254A. Автор: Warren G. Hafner,Henry Stalzer,Peter C. Digiulio. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1988-12-20.

Non-volatile, programmable, static memory cell and a non-volatile, programmable static memory

Номер патента: CA1255792A. Автор: Roger Cuppens,Cornelis D. Hartgring. Владелец: Cornelis D. Hartgring. Дата публикации: 1989-06-13.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: US20160180963A1. Автор: Steven Smith. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: WO2013170387A1. Автор: Steven Smith. Владелец: SIDENSE CORP.. Дата публикации: 2013-11-21.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: US20130308365A1. Автор: Steven Smith. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Architectures for storing and retrieving system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20220208277A1. Автор: Chunming Wang,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Improved architectures for storing and retrieving system data in a non-volatile memory system

Номер патента: EP4272214A1. Автор: Chunming Wang,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Apparatuses and methods for concurrently accessing multiple partitions of a non-volatile memory

Номер патента: US11768603B2. Автор: RAJESH Sundaram,Daniel Chu,Raymond W. Zeng,Owen W. Jungroth,Shekoufeh Qawami,DerChang Kau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for managing a fail bit line of a memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US09984770B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-05-29.

Process for manufacturing a non-volatile memory structure via soft lithography

Номер патента: US20070243679A1. Автор: Raffaele Vecchione,Roberta Cuozzo,Anna Morra,Teresa Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-10-18.

Adjusting code rates to mitigate cross-temperature effects in a non-volatile memory (nvm)

Номер патента: US20200409579A1. Автор: Antoine Khoueir,Kurt Walter Getreuer,Darshana H. Mehta,Christopher Joseph Curl. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

A non-volatile memory device including a row decoder with an improved pull-up stage

Номер патента: EP3839956A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-23.

Preemptive mitigation of cross-temperature effects in a non-volatile memory (nvm)

Номер патента: US20200411110A1. Автор: Antoine Khoueir,Kurt Walter Getreuer,Darshana H. Mehta,Christopher Joseph Curl. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Master set of read voltages for a non-volatile memory (nvm) to mitigate cross-temperature effects

Номер патента: US20210057024A1. Автор: Antoine Khoueir,Kurt Walter Getreuer,Darshana H. Mehta,Christopher Joseph Curl. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated digital circuit comprising a non-volatile storage element

Номер патента: WO2004075404A1. Автор: Dirk Uffmann,Michael Dr. Buchmann. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2004-09-02.

Integrated digital circuit comprising a non-volatile storage element

Номер патента: EP1599940A1. Автор: Dirk Uffmann,Michael Dr. Buchmann. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-11-30.

Methods and systems for dynamically controlling operations in a non-volatile memory to limit power consumption

Номер патента: US20120023347A1. Автор: Hugo Fiennes,Vadim Khmelnitsky,Matthew Byom,Arjun Kapoor. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Recording dwell time in a non-volatile memory system

Номер патента: US20160124656A1. Автор: Timothy J. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Methods and systems for dynamically controlling operations in a non-volatile memory to limit power consumption

Номер патента: WO2012015793A1. Автор: Hugo Fiennes,Vadim Khmelnitsky,Matthew Byom,Arjun Kapoor. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-02-02.

Method for writing to and reading out a non-volatile electronic memory

Номер патента: US11710512B2. Автор: Christoph Puttmann,Julian Schwarz,Jens Goldeck. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-07-25.

Method of programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20080291716A1. Автор: Koji Hosono,Kazushige Kanda,Shigeo Ohshima,Naoya Tokiwa,Toshiaki Edahiro,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

System and method for reading and writing memory management data through a non-volatile cell based register

Номер патента: US20210407556A1. Автор: Yusuke Jono,Yasushi Matsubara,Nobuo Yamamoto,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

System and method for reading and writing memory management data through a non-volatile cell based register

Номер патента: WO2022005820A1. Автор: Yusuke Jono,Yasushi Matsubara,Nobuo Yamamoto,Donald Martin Morgan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-06.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09928925B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09613719B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09548126B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-17.

Digital to analog converter including a ferroelectric non-volatile semiconductor memory, and method for converting digital data to analog data

Номер патента: US6950329B2. Автор: Masahiro Tanaka,Toshiyuki Nishihara,Yukihisa Tsuneda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-27.

Digital to analog converter including a ferroelectric non-volatile semiconductor memory, and method for converting digital data to analog data

Номер патента: US20040239539A1. Автор: Masahiro Tanaka,Toshiyuki Nishihara,Yukihisa Tsuneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Data protection techniques for a non-volatile memory array

Номер патента: US10417088B2. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Timothy J. Fisher,Thomas Parnell,Andrew D. Walls. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Test method of semiconductor memory device and semiconductor memory system transferring fail address data from a volatile to a non-volatile memory array using an error-correction code engine

Номер патента: US9747998B2. Автор: Sua Kim,Sung Hyun Lee,Hak-soo Yu,Jun Hee Yoo,Chulwoo PARK,Jaeyoun Youn,Hyojin Choi,Dongsoo Kang,Jinsu JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

System and Method for Generation of Unique Digital Signature Using a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20240087626A1. Автор: Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Yair Sofer,Eduardo MAYAAN. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

System and method for generation of unique digital signature using a non-volatile memory array

Номер патента: WO2023239696A1. Автор: Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Yair Sofer,Eduardo MAYAAN. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Cryptographic processing device having a non-volatile memory including memory cells in an initial or a variable state

Номер патента: US09921975B2. Автор: Takuji Maeda,Shinji Inoue,Yoshikazu Katoh,Masato Suto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method and apparatus for improving immunity to defects in a non-volatile memory

Номер патента: US9830093B2. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,David J. Pelster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Non-volatile semiconductor memory device having a memory cell group operative as a redundant memory cell group for replacement of another group

Номер патента: US5523976A. Автор: Takeshi Okazawa,Kenji Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US10068910B2. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Non-volatile semiconductor memory device having disturb verify function

Номер патента: US5490110A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-02-06.

Reference circuit for a non-volatile ferroelectric memory

Номер патента: US5424975A. Автор: Tyler A. Lowrey,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-06-13.

Handling operation collisions in a non-volatile memory

Номер патента: US20200192844A1. Автор: Mark Ish,Lyle E. Adams,Karl D. Schuh,Pushpa Seetamraju,Dan Tupy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Error rate reduction in a non-volatile memory (NVM), including magneto-resistive random access memories (MRAMS)

Номер патента: US11755411B2. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory (SRAM) bit cell circuit and a non-volatile memory (NVM) bit cell circuit and a memory bit cell array circuit

Номер патента: US11749327B2. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

A non-volatile memory cell comprising a dielectric layer and a phase change material in series

Номер патента: WO2006078505A3. Автор: S Brad Herner. Владелец: S Brad Herner. Дата публикации: 2009-06-04.

Memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory (sram) bit cell circuit and a non-volatile memory (nvm) bit cell circuit and a memory bit cell array circuit

Номер патента: US20220180910A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Handling operation collisions in a non-volatile memory

Номер патента: EP3899738A2. Автор: Mark Ish,Lyle E. Adams,Karl D. Schuh,Pushpa Seetamraju,Dan Tupy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Handling operation collisions in a non-volatile memory

Номер патента: US20200293476A1. Автор: Mark Ish,Lyle E. Adams,Karl D. Schuh,Pushpa Seetamraju,Dan Tupy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Handling operation collisions in a non-volatile memory

Номер патента: US20210182227A1. Автор: Mark Ish,Lyle E. Adams,Karl D. Schuh,Pushpa Seetamraju,Dan Tupy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Handling operation collisions in a non-volatile memory

Номер патента: WO2020131251A2. Автор: Mark Ish,Lyle E. Adams,Karl D. Schuh,Pushpa Seetamraju,Dan Tupy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Handling operation collisions in a non-volatile memory

Номер патента: US10705996B1. Автор: Mark Ish,Lyle E. Adams,Karl D. Schuh,Pushpa Seetamraju,Dan Tupy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-07.

Memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory (sram) bit cell circuit and a non-volatile memory (nvm) bit cell circuit and a memory bit cell array circuit

Номер патента: WO2022125172A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-06-16.

Error rate reduction in a non-volatile memory (nvm), including magneto-resistive random access memories (mrams)

Номер патента: US20220179740A1. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory (sram) bit cell circuit and a non-volatile memory (nvm) bit cell circuit and a memory bit cell array circuit

Номер патента: EP4260320A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Non-volatile semiconductor device having a means to relieve a deficient erasure address

Номер патента: US6850436B2. Автор: Tomoya Ogawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Non-volatile semiconductor memory and method for writing data into a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: TWI304986B. Автор: De Ambroggi Luca,Maria Brani Francesco. Владелец: Infineon Technologies Flash Gm. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of managing semiconductor memories, corresponding interface, memory and device

Номер патента: US20180240523A1. Автор: Michele Alessandro CARRANO,Daniele Mangano,Gaetano Di Stefano,Roberto Sebastiano RUGGIRELLO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Semiconductor memory and method of writing data into the semiconductor memory

Номер патента: US20080144359A1. Автор: Keiichi Hashimoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Radiation detection device, semiconductor memory device and radiation detection method

Номер патента: US20230060583A1. Автор: Tomoya Sanuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor memory device and method of fabrication and operation

Номер патента: US20130170302A1. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-min Hong,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Non-volatile semiconductor memory device and operating method for a non-volatile semiconductor memory device and method for programming information into a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE4311358C2. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya,Natsuo Ajika,Hiroshi Onoda,Atsushi Fukumoto,Makoto Ohi,Yuichi Kunori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-07-22.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09728235B2. Автор: TaeHyung Jung,Kwanweon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping

Номер патента: EP1010182A4. Автор: Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2000-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8982623B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09613703B2. Автор: Makoto Senoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Non-volatile semiconductor memory and method for fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20060049449A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Fumitaka Arai,Naohisa Iino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca Fasoli,Thomas Yan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor memory with improved memory block switching

Номер патента: EP2465116A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca Fasoli,Thomas Yan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-20.

DATA ERASURE DEVICE FOR ERASING DATA FROM NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190325967A1. Автор: YAKO Koichi,NAKAYAMA Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Nonvolatile semiconductor memory with a plurality of erase decoders connected to erase gates

Номер патента: US5761119A. Автор: Masamichi Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060258100A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Radiation detection device, semiconductor memory device and radiation detection method

Номер патента: US11914086B2. Автор: Tomoya Sanuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

A non-volatile semiconductor memory device having mono bit and multiple bit mode

Номер патента: TW371791B. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-11.

Data loading circuit and semiconductor memory device comprising same

Номер патента: US20150162103A1. Автор: Seong-Jin Jang,Jong-Min Oh,Ho-Yong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-11.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12073882B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system for programming dummy data to a portion of a storage region in a program mode

Номер патента: US12068047B2. Автор: Junho Seo,Juwon LEE,Dogyeong LEE,Sukeun KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

CIRCUIT FOR THE ACTIVATION OF A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY PROVISION.

Номер патента: ES2157666T3. Автор: Thomas Zettler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130322183A1. Автор: Jeongsu JEONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Method and device for programming a non-volatile semiconductor memory with cells in a NAND structure

Номер патента: DE19612666C2. Автор: Tae-Sung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-15.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11915762B2. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

METHOD FOR CONTROLLING A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND SEMICONDUCTOR STORAGE SYSTEM

Номер патента: US20150255159A1. Автор: TANAKA Yoshiyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-10.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20150103600A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2015051467A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc.. Дата публикации: 2015-04-16.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A3. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A3. Автор: Daniel Sobek,Timothy J Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

A non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100301932B1. Автор: 권석천. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-29.

Transistor, a transistor array and a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: KR100460020B1. Автор: 사다오 곤도,고우이찌 야마다,히데아끼 후지와라. Владелец: 산요덴키가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-06-08.

Data reading circuit of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE69630268T2. Автор: Hyong-Gon Suwon-city Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020184458A1. Автор: Tetsuya Kaneko,Hiroaki Wake,Youichi Endo. Владелец: Youichi Endo. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230170021A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device having a semiconductor chip including a memory cell and a resistance element

Номер патента: US20190221265A1. Автор: Satoshi Inoue,Daisuke Arizono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor memory device having bonded first and second semiconductor chips provided with respective impedance calibration control circuits

Номер патента: US11361823B2. Автор: Satoshi Inoue,Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Providing a Ready-Busy Signal From a Non-Volatile Memory Device to a Memory Controller

Номер патента: US20120039118A1. Автор: Mostafa Naguib Abdulla. Владелец: Mostafa Naguib Abdulla. Дата публикации: 2012-02-16.

Providing a ready-busy signal from a non-volatile memory device to a memory controller

Номер патента: US20130003474A1. Автор: Mostafa Naguib Abdulla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Method of fixing a read evaluation time or the difference between a read charge voltage and a read discriminating voltage in a non-volatile nand type memory device

Номер патента: US20080062767A1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa,Roberto Ravasio. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Symbol frequency leveling in a data storage system

Номер патента: EP1532739A1. Автор: Geoffrey S. Gongwer,Stephen J. Gross. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-05-25.

Symbol frequency leveling in a data storage system

Номер патента: AU2003268341A1. Автор: Geoffrey S. Gongwer,Stephen J. Gross. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-03-19.

Symbol frequency leveling in a data storage system

Номер патента: EP1532739B1. Автор: Geoffrey S. Gongwer,Stephen J. Gross. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

A non-volatile memory programming circuit and a method of programming non-volatile memory devices

Номер патента: EP4092674B1. Автор: Thomas DALGATY. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-08-07.

Rapid restart protection for a non-volatile memory system

Номер патента: US20200381060A1. Автор: Vadim Khmelnitsky,Matthew J. Byom,Alexander Paley,Yuhua Liu,Muhammad N. Ashraf. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Method and apparatus for enhancing the reliability of a non-volatile memory

Номер патента: US10276246B2. Автор: Jan Peter Berns,Christoph Baumhof,Fabio Tassan. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2019-04-30.

Precision tuning for the programming of analog neural memory in a deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4032088A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Precision tuning for the programming of analog neural memory in a deep learning artificial neural network

Номер патента: WO2021054992A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Merging queued memory operation in a non-volatile memory

Номер патента: WO2007131127A8. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Merging queued memory operation in a non-volatile memory

Номер патента: WO2007131127A3. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

METHOD FOR ADDRESSING A NON-VOLATILE MEMORY ON AN I²C BUS AND CORRESPONDING MEMORY DEVICE

Номер патента: FR3065304A1. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-10-19.

Circuit and method of sharing a latch between a bit line and an erase line in a non-volatile memory

Номер патента: GB9701855D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-03-19.

Circuit and method of isolating a latch from a bit line in a non-volatile memory

Номер патента: GB9701968D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-03-19.

Disk drive employing a non-volatile serial semiconductor memory for storing a control program for a microprocessor

Номер патента: US7028174B1. Автор: Richard W. Hull,Alireza Atai-Azimi,Mark F. Vallis. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2006-04-11.

Semiconductor memory device and driving method of the same

Номер патента: US09606743B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US8624313B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-01-07.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: EP3563214A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: WO2018125475A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor memory device with volatile memory and non-volatile memory in latched arrangement

Номер патента: US5262986A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100195424A1. Автор: Hironori Akamatsu,Katsuji Satomi,Tomohiro Kurozumi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Masking defective bits in a storage array

Номер патента: US09766972B2. Автор: John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D. Davis,Zhangxi Tan. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality comprising resistive change material and method of operating

Номер патента: US09922711B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality comprising resistive change material and method of operating

Номер патента: US09666275B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Writing data in a non-volatile memory of a smart card

Номер патента: US09513842B2. Автор: Michael Barthe,Geoffrey Spinau. Владелец: Morpho SA. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US20240274189A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for managing a zone of sensitive data in a flash memory

Номер патента: US20230384953A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741455B1. Автор: Mun-Phil Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

System and method for initiating a bad block disable process in a non-volatile memory

Номер патента: US20090091994A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-09.

A non-volatile semiconductor memory device with temporary data retention cells and control method thereof

Номер патента: US20160148657A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Po-Han Huang,Keng-Yu Lin,Wei-Xiang TANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-05-26.

Die-level monitoring in a storage cluster

Номер патента: US20160041873A1. Автор: John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D. Davis,Zhangxi Tan. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Die-level monitoring in a storage cluster

Номер патента: US09880899B2. Автор: John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D. Davis,Zhangxi Tan. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Runtime backup of data in a memory module

Номер патента: US09727462B2. Автор: Binh Nguyen,Vincent Nguyen,Raghavan V. Venugopal,William C. Hallowell. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-08-08.

Non-volatile semiconductor memory device and method for operating a non-volatile memory device

Номер патента: US7403417B2. Автор: Zeev Cohen. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-07-22.

Device, sensor node, access controller, data transfer method, and processing method in microcontroller

Номер патента: US11862217B2. Автор: Hideo Ohno,Daisuke Suzuki,Akira Tamakoshi,Tetsuo Endoh,Takahiro Hanyu,Masanori Natsui. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods, Devices and Systems for an Improved Management of a Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220068367A1. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods, devices and systems for an improved management of a non-volatile memory

Номер патента: US12100438B2. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Strategic power mode transition in a multi-memory device

Номер патента: US11899944B2. Автор: Chinnakrishnan Ballapuram,Saira Samar MALIK,Taeksang Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Coherency management for volatile and non-volatile memory in a through-silicon via (tsv) module

Номер патента: US20170308309A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Adam J. McPadden,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor Memory Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality Comprising Resistive Change Material and Method of Operating

Номер патента: US20230360702A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160344427A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US09917601B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

System and method for managing data in a memory device

Номер патента: US09690491B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Systems and methods for immediate physical erasure of data stored in a memory system in response to a user command

Номер патента: US09658788B2. Автор: Konstantin Stelmakh,Gabi Brontvein,Menaham Lasser,Long Cuu Pham. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Masking defective bits in a storage array

Номер патента: WO2016023038A1. Автор: Tan Zhangxi,John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D Davis. Владелец: PURE Storage, Inc.. Дата публикации: 2016-02-11.

Systems and methods for reducing power consumption in a memory architecture

Номер патента: US09857864B1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Sathish Thoppay Egambaram. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Power mode control in a multi-memory device based on queue length

Номер патента: US11853609B2. Автор: Chinnakrishnan Ballapuram,Saira Samar MALIK,Taeksang Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Power mode control in a multi-memory device

Номер патента: US20220350535A1. Автор: Chinnakrishnan Ballapuram,Saira Samar MALIK,Taeksang Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor memory device including non-volatile storage circuit and operating method thereof

Номер патента: US20210193241A1. Автор: Chul-Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Sensing a non-volatile memory device utilizing selector device holding characteristics

Номер патента: US09633724B2. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Lin Shih Liu. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US10818355B2. Автор: Takaaki Fuchikami,Kazutaka Miyamoto,Hiromitsu Kimura,Kazuhisa Ukai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20190341109A1. Автор: Takaaki Fuchikami,Kazutaka Miyamoto,Hiromitsu Kimura,Kazuhisa Ukai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-11-07.

Masking Defective Bits in a Storage Array

Номер патента: US20180004594A1. Автор: John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D. Davis,Zhangxi Tan. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Device for generating a voltage reference comprising a non-volatile memory cell

Номер патента: US09691493B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Sandor Petenyi,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMicroelectronics Design and Application sro. Дата публикации: 2017-06-27.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: US20190163592A1. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH TEMPORARY DATA RETENTION CELLS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20160148657A1. Автор: Hsu Chih-Wei,Huang Po-Han,LIN Keng-Yu,TANG Wei-Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor memory device having increased memory capacity while reducing mounting area and stand-by current

Номер патента: US20020159289A1. Автор: Shinichi Kobayashi,Masaki Tsukude,Tadayuki Shimizu,Hirotoshi Sato,Minoru Senda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Hall effect semiconductor memory cell

Номер патента: GB2263016A. Автор: James A Matthews. Владелец: Microunity Systems Engineering Inc. Дата публикации: 1993-07-07.

Die-Level Monitoring in a Storage Cluster

Номер патента: US20200192756A1. Автор: John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D. Davis,Zhangxi Tan. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Die-level monitoring in a storage cluster

Номер патента: WO2016022918A1. Автор: Tan Zhangxi,John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D Davis. Владелец: PURE Storage, Inc.. Дата публикации: 2016-02-11.

Die-Level Monitoring in a Storage Cluster

Номер патента: US20220083420A1. Автор: John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D. Davis,Zhangxi Tan. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Die-level monitoring in a storage cluster

Номер патента: US20180165154A1. Автор: John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D. Davis,Zhangxi Tan. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Error correction in a flash memory

Номер патента: US20180198464A1. Автор: Guillaume Docquier,Ahmed GONTARA. Владелец: Proton World International NV. Дата публикации: 2018-07-12.

Hidden writes in a resistive memory

Номер патента: US11961558B2. Автор: Tahmina Akhter,Gilles Joseph Maurice Muller. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Hidden writes in a resistive memory

Номер патента: US20230083511A1. Автор: Tahmina Akhter,Gilles Joseph Maurice Muller. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

System and method for addressing errors in a multiple-chip memory device

Номер патента: US20090006887A1. Автор: Hoon Ryu,Ryan Patterson,Klaus Nierle,Koonhee Lee. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Hidden writes in a resistive memory

Номер патента: EP4152327A1. Автор: Tahmina Akhter,Gilles Joseph Maurice Muller. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

WRITING METHOD IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND CORRESPONDING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: FR3065303A1. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-10-19.

Data rebuild on feedback from a queue in a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US20170024141A1. Автор: John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D. Davis,Zhangxi Tan. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device having a non-volatile memory built-in

Номер патента: US20140071749A1. Автор: Tetsuo Hironaka,Takashi Ishiguro,Kyoko Nakajima,Kenichi Shimomai,Kazuya Tanigawa. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160036466A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

System and method for lower page data recovery in a solid state drive

Номер патента: US09952939B1. Автор: Dengtao Zhao,Yongke Sun,Jui-Yao Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Data storage in a mobile device with embedded mass storage device

Номер патента: US09792207B2. Автор: Wladyslaw Bolanowski. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method and circuit for controlling programming current in a non-volatile memory array

Номер патента: US09666243B2. Автор: Alexandre Levisse. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-30.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US09471422B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Non-volatile memory device including a memory cell in a variable state and a memory cell in an initial state

Номер патента: US10410719B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Systems and Methods for Immediate Physical Erasure of Data Stored In a Memory System In Response to a User Command

Номер патента: US20150347053A1. Автор: Konstantin Stelmakh,Gabi Brontvein,Menaham Lasser,Long Cuu Pham. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-03.

Systems and methods for immediate physical erasure of data stored in a memory system in response to a user command

Номер патента: US20170212833A1. Автор: Konstantin Stelmakh,Gabi Brontvein,Menaham Lasser,Long Cuu Pham. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-27.

Method and system for extending lifespan and enhancing throughput in a high-density solid state drive

Номер патента: US20200371871A1. Автор: Shu Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Adjustable code rates and dynamic ECC in a data storage device with write verification

Номер патента: US12028091B2. Автор: Weldon M. Hanson,Richard Galbraith,Derrick E. Burton,Niranjay RAVINDRAN,Iouri Oboukhov,Jonas Goode. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Non-volatile semiconductor memory device and its reading method

Номер патента: US20100080054A1. Автор: Keiko Abe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Disk drive employing a non-volatile semiconductor memory for storing read channel parameter calibrated for the disk drive used to recover disk channel parameter

Номер патента: US6480349B1. Автор: Hanan Kupferman,Yoo H. Kim. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2002-11-12.

Laser mode hopping detection in a heat-assisted magnetic recording drive

Номер патента: US09595288B1. Автор: John W. Dykes,Pu-Ling Lu,Alfredo Sam Chu,Franklin P. Martens. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for maintaining parity-data consistency in a disk array

Номер патента: US5533190A. Автор: Mark A. Gaertner,Charles D. Binford,Steven P. Denny. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 1996-07-02.

Logging disk recovery operations in a non-volatile solid-state memory cache

Номер патента: US20130308433A1. Автор: Yunaldi Yulizar,Akhila Tadinada. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-11-21.

Improved error correction in a solid state disk

Номер патента: WO2010078167A3. Автор: Andrew Wayne Vogan,Richard Coulson. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-09-30.

Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error

Номер патента: WO2014144043A4. Автор: Wei Xu,Fei Sun. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-11-20.

Information processing device that extends service life of non-volatile semiconductor memory and recording medium

Номер патента: US09875065B2. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile semiconductor memory segregating sequential, random, and system data to reduce garbage collection for page based mapping

Номер патента: US09753847B2. Автор: Mei-Man Syu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error

Номер патента: US20140195727A1. Автор: Wei Xu,Fei Sun. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Information processing device that extends service life of non-volatile semiconductor memory and recording medium

Номер патента: US20160253097A1. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Systems and methods for compressing data in non-volatile semiconductor memory drives

Номер патента: WO2011028802A1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2011-03-10.

Non-volatile RAM and flash memory in a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US09836245B2. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210034252A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Monitoring of excessive write operations issued to a non-volatile memory

Номер патента: US09626114B2. Автор: Li Li,Ben-Heng Juang,Arun G. Mathias. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210334012A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Shutdowns and data recovery to avoid read errors weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09921896B2. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Vibhor Patale. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Caching unified extensible firmware interface (UEFI) and/or other firmware instructions in a non-volatile memory of an information handling system (IHS)

Номер патента: US09563439B2. Автор: Mukund P. Khatri,Dirie N. Herzi. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-02-07.

System and method for tracking block level mapping overhead in a non-volatile memory

Номер патента: US09921956B2. Автор: Nicholas James Thomas,Michael Anthony Moser,Oleg Kragel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of securely erasing a non-volatile semiconductor mass memory, computer system, and computer program product

Номер патента: US09671964B2. Автор: Thorsten Höhnke. Владелец: Fujitsu Technology Solutions Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2017-06-06.

Apparatuses for securing program code stored in a non-volatile memory

Номер патента: US09542113B2. Автор: Chen Chun HUANG,Kuo En HSU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Information processing apparatus and non-volatile semiconductor memory drive

Номер патента: WO2009110144A1. Автор: Takehiko Kurashige. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-09-11.

Apparatus, system, and method of sequencing, shadowing, and queuing operations in a non-volatile storage memory

Номер патента: US09965193B2. Автор: Mike Hossein Amidi,Vahab Alemzadeh. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

System and method for precision interleaving of data writes in a non-volatile memory

Номер патента: US09778855B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Efficiently storing raw metric data in a volatile memory and aggregated metrics in a non-volatile time-series database for monitoring network elements of a software-defined network

Номер патента: US20240205127A1. Автор: Ranganathan Rajagopalan,Rajiv Mordani,Ashutosh GUPTA,Minjal Agarwal,Shivraj Shahajirao Sonawane. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Caching data from a non-volatile memory

Номер патента: US20170308478A1. Автор: Gergely KISS,Gábor Móricz,Man Cheung Joseph Yiu. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Apparatus and methods for direct co-processor access to prestored file system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20240220115A1. Автор: Paul Blinzer,David Livingstain Ziman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

System, apparatus, and method for anti-replay protection of data stored in a non-volatile memory device

Номер патента: US09690922B2. Автор: Mark Buer,Jaku Jose,Weiyang Zhou,Kunyan Liu. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for determining the location of the occurrence of an abnormal sound, a non-volatile data carrier and a vehicle device

Номер патента: RU2755631C1. Автор: Коити ОКУДА,Кота ФУДЗИИ,Ацуси ТАБАТА,Кен ИМАМУРА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2021-09-17.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: WO2017039598A1. Автор: Melvin K. Benedict,Eric L. POPE. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-09.

Method and device for binding a non-volatile storage device with a consumer product

Номер патента: WO2008026133A2. Автор: Rajesh Grover,Jeroen Steenblik,Jeroen Koster. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2008-03-06.

Zero read on trimmed blocks in a non-volatile memory system

Номер патента: WO2017058301A1. Автор: Vered Kelner,Gadi Vishne,Ravit KRAYF. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Method and apparatus for high speed cache flushing in a non-volatile memory

Номер патента: US20130024623A1. Автор: Robert Alan Reid. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Managing a transfer buffer for a non-volatile memory

Номер патента: WO2015099922A1. Автор: Knut S. Grimsrud,Anand S. Ramalingam,Jawad B. Khan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Using history of unaligned writes to cache data and avoid read-modify-writes in a non-volatile storage device

Номер патента: US09703491B2. Автор: Akshay Mathur,Chayan Biswas,Baskaran Kannan,Dharani Kotte. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Restore current version of a track from a non-volatile storage into a new location in cache

Номер патента: US11080149B2. Автор: Lokesh M. Gupta,Matthew G. Borlick,Kyler A. Anderson,Kevin J. Ash. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Retrieving system boot code from a non-volatile memory

Номер патента: US09734339B2. Автор: Jeffrey Kevin Jeansonne,Jon G Lloyd,Rahul V Lakdawala,Justin C Prindle. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-08-15.

Management of a non-volatile memory module

Номер патента: US09501392B1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method and apparatus for use of a non-volatile storage management system for PC/AT compatible system firmware

Номер патента: US6629192B1. Автор: Joseph A. Schaefer,William J. Chalmers,Kirk Brannock,Dave Edwards. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-09-30.

Systems and methods for decoupling host commands in a non-volatile memory system

Номер патента: US10019171B2. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-07-10.

Systems and Methods for Decoupling Host Commands in a Non-Volatile Memory System

Номер патента: US20170249081A1. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-31.

Systems and methods for providing power-efficient file system operation to a non-volatile block memory

Номер патента: WO2018169645A1. Автор: Yanru Li,Dexter Chun,William Kimberly. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-20.

Systems and methods for providing power-efficient file system operation to a non-volatile block memory

Номер патента: US20180260320A1. Автор: Yanru Li,Dexter Chun,William Kimberly. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Scheduling policy for queues in a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US8874836B1. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

System and method for managing a non-volatile memory

Номер патента: US20120311233A1. Автор: Michael KATZ,Hanan Weingarten. Владелец: Densbits Technologies Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Handling high priroity requests in a sequential access storage device having a non-volatile storage cache

Номер патента: US20120303869A1. Автор: Michael T. Benhase,Lokesh M. Gupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Apparatus, System, and Method of Sequencing, Shadowing, and Queuing Operations in a Non-Volatile Storage Memory

Номер патента: US20160378340A1. Автор: Mike Hossein Amidi,Vahab Alemzadeh. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US9619736B2. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Managing a LSM tree of key value pairs that is stored in a non-volatile memory

Номер патента: US11860844B2. Автор: Moshe Twitto,Niv Dayan. Владелец: Pliops Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US20150213338A1. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

System and Method for searching a buffer of a non-volatile storage Host Controller

Номер патента: US20240295990A1. Автор: Tzu-Shiun LIU,Chih-Chieh Chou,Chin-Chin Cheng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Wear leveling based on a swapping operation between sets of physical block addresses of a non-volatile memory

Номер патента: US09971685B2. Автор: Robert W. Faber,Jason A. Gayman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Compression Method for Managing the Storing of Persistent Data From a Non-Volatile Memory to a Backup Buffer

Номер патента: US20080005510A1. Автор: Paolo Sepe,Luca Di Cosmo. Владелец: Incard SA. Дата публикации: 2008-01-03.

System and method of backing up data from a volatile memory medium to a non-volatile memory medium

Номер патента: US20220027268A1. Автор: Kurtis Wayne Dorsey. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-01-27.

Method and apparatus for writing data to a non-volatile memory

Номер патента: EP1514176A2. Автор: Fabrizio Camapanale. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-03-16.

Process cartridge for an image forming apparatus with a non-volatile memory

Номер патента: EP1176478A1. Автор: Yoshihiko Minolta Co. Ltd. Yoshizaki,Kazuo Minolta Co. Ltd. Okunishi,Hideki Minolta Co. Ltd. Hino,Kentaro Minolta Co. Ltd. Nagatani,Yoshiaki Minolta Co. Ltd. Takano,Daisetsu Minolta Co. Ltd. Tohyama. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-30.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20050166004A1. Автор: Fabrizio Campanale,Gijs Van Steenwijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-28.

Data de-duplication in a non-volatile storage device responsive to commands based on keys transmitted to a host

Номер патента: US9430639B2. Автор: Hong Rak Son,Chan Ik Park,Kwang Hoon Kim,Man Keun Seo,Sang Kyoo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: EP1502202A1. Автор: F. Philips Int.Property & Standards Gmbh CAMPANALE,G. Philips Int.Prop.& Standards Gmbh VAN STEENWIJK. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-02-02.

Performing a pre-update on a non volatile memory

Номер патента: EP2329366A2. Автор: Sharon Peleg,Evyatar Meller. Владелец: Red Bend Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: US20190026026A1. Автор: Melvin K Benedict,Eric L Pope. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-24.

Maintaining availability of a non-volatile cache

Номер патента: US20220318141A1. Автор: Jianbin Kang,Geng Han,Chun Ma,Vamsi K. Vankamamidi. Владелец: Credit Suisse AG Cayman Islands Branch. Дата публикации: 2022-10-06.

Method and device for binding a non-volatile storage device with a consumer product

Номер патента: WO2008026133A3. Автор: Rajesh Grover,Jeroen Steenblik,Jeroen Koster. Владелец: Jeroen Koster. Дата публикации: 2008-05-08.

Handling errors during device bootup from a non-volatile memory

Номер патента: EP2612241A1. Автор: Kenneth Herman,Daniel J. Post,Nir J. Wakrat,Matthew Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-07-10.

Techniques for preserving an expected lifespan of a non-volatile memory

Номер патента: EP3776165A1. Автор: Manoj K. Radhakrishnan,Bhaskar R. ADAVI,Kaiehu H. KAAHAAINA. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-02-17.

Operating a secure storage device with a non-volatile memory

Номер патента: US20190228163A1. Автор: Klaus Werner,Joerg Schmidbauer,Jakob C. Lang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

System for providing a parking space, a server device and a non-volatile data carrier

Номер патента: RU2757561C1. Автор: Ёсихико ТАКАХАСИ,Юки ТАЦУМОТО,Кэисукэ НИСИНАКА,Хироки ТАМУРА,Ёситака НИСИКАВА,Кэндзи ГОТОХ,Кота КАТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2021-10-18.

Programmable electrical energy meter utilizing a non-volatile memory

Номер патента: US5548527A. Автор: Rodney C. Hemminger,Mark L. Munday. Владелец: ABB Power T&D Co Inc. Дата публикации: 1996-08-20.

File managing device of a non-volatile memory, a memory card and method for controlling a file system

Номер патента: US5860135A. Автор: Masahiro Sugita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Dual-scope directory for a non-volatile memory storage system

Номер патента: US20110035534A1. Автор: Andrew Vogan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Circuit, system and method for encoding data to be stored on a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005029469A2. Автор: Zeev Cohen,Alon Marcu,Meirav Raz. Владелец: Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg. Дата публикации: 2005-03-31.

System and method of sending correction data to a buffer of a non-volatile memory

Номер патента: US20130212448A1. Автор: Omprakash Bisen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-08-15.

Circuit, system and method for encoding data to be stored on a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005029469A3. Автор: Zeev Cohen,Alon Marcu,Meirav Raz. Владелец: Meirav Raz. Дата публикации: 2005-12-15.

Method for improving access performance of a non-volatile storage device

Номер патента: US09690489B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chih-Nan YEN,Szu-I Yeh. Владелец: Storart Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Extending useful life of a non-volatile memory by health grading

Номер патента: US09558107B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Thomas Parnell,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Self-powered detection device with a non-volatile memory

Номер патента: US8422317B2. Автор: Thierry Roz,David A. Kamp,Filippo Marinelli. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2013-04-16.

Memory system and storage device capable of permanently deleting data stored in a non-volatile memory

Номер патента: US20190130135A1. Автор: Kyung Ho Kim,Jin-Hwan Park,Min-Chul Kim,Sun-Mi Yoo,Ki Hyun Choi,Hyun Su Jang,Sagar Uttarwar,Yong Gil Song,Min Gon Shin,Seung Yeun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Reclaiming space occupied by an expired variable record in a non-volatile record storage

Номер патента: US20130080682A1. Автор: Kurt David Gillespie. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-03-28.

Managing a lsm tree of key value pairs that is stored in a non-volatile memory

Номер патента: US20220075552A1. Автор: Moshe Twitto,Niv Dayan. Владелец: Pliops Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

System and method of utilizing a non-volatile solid state storage device

Номер патента: US20200401335A1. Автор: Suruchi Dubey,Sumit K. Popli,Ryan G. Mason. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2020-12-24.

Techniques to communicate with a controller for a non-volatile dual in-line memory module

Номер патента: US9645829B2. Автор: Mohan J. Kumar,George Vergis,Sarathy Jayakumar,Adam J. Brooks. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

System and method for booting from a non-volatile application and file storage device

Номер патента: WO2003014923A3. Автор: Robert C Chang,Farshid Sabet-Sharghi,Jong Guo. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Memory control system for a non-volatile memory and control method

Номер патента: US9477419B2. Автор: Julien Penders,Tobias Gemmeke,Carlos Agell. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods and apparatus for estimating the wear of a non-volatile memory

Номер патента: US20200249851A1. Автор: Steffen Allert,Christoph Baumhof,Martin Roeder. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2020-08-06.

System and method of sending correction data to a buffer of a non-volatile memory

Номер патента: WO2013122725A1. Автор: Omprakash Bisen. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-08-22.

Wear leveling based on a swapping operation between sets of physical block addresses of a non-volatile memory

Номер патента: WO2017172249A1. Автор: Robert W. Faber,Jason A. Gayman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Method and system for hibernation or suspend using a non-volatile-memory device

Номер патента: EP2380081A1. Автор: QUN ZHAO,Xinhai Kang,Chee Hoe Chu,Hsing-Yi Chiang,Lihan Chang,Jin-Nan Liaw,Robyn Jie Li. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2011-10-26.

Memory Control System for a Non-Volatile Memory and Control Method

Номер патента: US20150309753A1. Автор: Julien Penders,Tobias Gemmeke,Carlos Agell. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2015-10-29.

Repairing compromised system data in a non-volatile memory

Номер патента: US09990255B2. Автор: Boris Balacheff,Jeffrey Kevin Jeansonne,Valiuddin Y Ali. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-06-05.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

Pre-suspend before program in a non-volatile memory (NVM)

Номер патента: US12086462B2. Автор: Ryan J. Goss,Jonathan M. Henze. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Repairing compromised system data in a non-volatile memory

Номер патента: EP2989547A1. Автор: Boris Balacheff,Valiuddin Y. Ali,Jeffrey Kevin Jeansonne. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-03-02.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US11269766B2. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20240256442A1. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

System and method of configuring a non-volatile storage device

Номер патента: US11989301B2. Автор: Sanjay Rao,Vigneswaran Ponnusamy,Diwahar Natarajan,Sanjeev Surendra Dambal,Charles D. Stracener. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-05-21.

Image forming apparatus using a developer containing a non-volatile oil

Номер патента: US20150268599A1. Автор: Satoshi Tatsuura. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Method for accessing a non-volatile memory via a volatile memory interface

Номер патента: US7441070B2. Автор: Rom-Shen Kao. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Method for providing parity in a raid sub-system using a non-volatile memory

Номер патента: CA2165910C. Автор: David Hitz,James Lau,Michael Malcolm,Byron Rakitzis. Владелец: Network Appliance Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Encrypting data in a non-volatile memory express (‘NVMe’) storage device

Номер патента: US11924183B2. Автор: John Colgrove,Ethan MILLER,Timothy Brennan,Andrew Bernat. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Self-describing data format for DMA in a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US09747229B1. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Ordering reads to limit collisions in a non-volatile memory (NVM)

Номер патента: US11822817B2. Автор: Christopher Smith. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for reading data stored in a non-volatile cache using rdma

Номер патента: CA3070006C. Автор: JIA SHI,Juan R. Loaiza,Kothanda Umamageswaran,Zuoyu Tao. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method to provide transactional semantics for updates to data structures stored in a non-volatile memory

Номер патента: US09990150B2. Автор: Ratnadeep JOSHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20220156182A1. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20230267075A1. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US11675697B2. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US11977481B2. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and apparatus for enhancing synchronous I/O in a computer system with a non-volatile memory and using an acceleration device driver in a computer operating system

Номер патента: US5359713A. Автор: Joseph P. Moran,Russel P. Sandberg,Donald C. Coleman. Владелец: Legato Systems Inc. Дата публикации: 1994-10-25.

Method and apparatus for enhancing synchronous I/O in a computer system with a non-volatile memory and using an acceleration device driver in a computer operating system

Номер патента: US5519853A. Автор: Joseph P. Moran,Russel P. Sandberg,Donald C. Coleman. Владелец: Legato Systems Inc. Дата публикации: 1996-05-21.

Method and apparatus for high speed event log data compression within a non-volatile storage area

Номер патента: US6125392A. Автор: Nicholas J. Yoke,Timothy E. Labatte. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-09-26.

Increased data processing performance of a non-volatile memory express (nvme) block store

Номер патента: US20230138546A1. Автор: Qiang Wang,Kent Lee,Deepak Agarwal,Travis John Portz,Haining Mo. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

A system, a non-volatile memory and a method for collecting test data relating to a pathogen

Номер патента: EP4275216A1. Автор: Marijana WOLFS,Bert WOLFS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-15.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100176439A1. Автор: Yoshiki Yonamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100230742A1. Автор: Yukihiro Yamashita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263277A1. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09685607B2. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210296353A1. Автор: Hikari TAJIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Non-volatile semiconductor memory device, and manufacture method for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100001338A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: EP1423879A2. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-02.

Non-volatile semiconductor storage device including contact plug

Номер патента: US8363472B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100193855A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020146884A1. Автор: Kuniko Kikuta,Masato Kawata. Владелец: Masato Kawata. Дата публикации: 2002-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09859446B2. Автор: Takashi Hayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8723242B2. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233618A1. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Non-volatile semiconductor memory using charge-accumulation insulating film

Номер патента: US20130062686A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Non-volatile semiconductor memory using charge-accumulation insulating film

Номер патента: US8759896B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050186734A1. Автор: Nae-in Lee,Sung-Ho Kim,Jin-Hee Kim,Ki-chul Kim,Kwang-Wook Koh,Sang-Su Kim,In-Wook Cho,Geun-Jong Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-25.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135595A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8426276B2. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-23.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140061756A1. Автор: Masayuki Tanaka,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Structure of split gate transistor for use in a non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing such a split gate transistor

Номер патента: US5691937A. Автор: Noriyuki Ohta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090325351A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070126047A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7608887B2. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: WO2003019664A3. Автор: De Zaldivar Jose Solo. Владелец: De Zaldivar Jose Solo. Дата публикации: 2003-10-02.

Non-volatile semiconductor storage apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010054735A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130099348A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US11495614B2. Автор: Hikari TAJIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130069118A1. Автор: Shinji Mori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory device having storage cell array and peripheral circuit, and a structure therefore

Номер патента: US5656527A. Автор: Keon-Soo Kim,Jeong-Hyeok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010019150A1. Автор: Hajime Kimura,Kenji Kawai,Kazuyuki Ohmi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

Method of forming a non-volatile resistance variable device, and non-volatile resistance variable device

Номер патента: US20040157416A1. Автор: John Moore,Terry Gilton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6078522A. Автор: Jong-Min Park,Dong-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device with intrinsic charge trapping layer

Номер патента: US20130105884A1. Автор: Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Non-volatile semiconductor memory device with intrinsic charge trapping layer

Номер патента: US20120018794A1. Автор: Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050161730A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060249771A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: EP2823506A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-14.

Method of Forming A Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array

Номер патента: US20160225878A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2013133919A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US9570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Line and space architecture for a non-volatile memory device

Номер патента: US20130299769A1. Автор: Steven Patrick MAXWELL. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US09570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of Tuning a Radio Frequency (RF) Module Including a Non-Volatile Tunable RF Filter

Номер патента: US20200169239A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Nabil EI-Hinnawy,Chris Masse. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-05-28.

Patterning a gate stack of a non-volatile memory (nvm) with simultaneous etch in non-nvm area

Номер патента: EP2423952A3. Автор: Mehul D. Shroff. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-04-02.

Shaving aid composite with a non-volatile cooling agent

Номер патента: CA2224263C. Автор: Brian A. Rogers,Yuling Yin,Frank E. Badin,Thilivali T. Ndou,Lee K. Lim. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2002-04-09.

A non-volatile memory device including nitrogen pocket implants and methods for making the same

Номер патента: US20070259495A1. Автор: Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Non-volatile memory cell and method of manufacturing a non-volatile memory cell

Номер патента: US7052962B1. Автор: Michael L. Lovejoy. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Device fabrication method for a non-volatile memory device used for non-overlapping implant

Номер патента: US6300200B1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-09.

Method of forming a tunnel oxide layer of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020076883A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for forming a passivation on berry diffusion layer of a non-volatile memory

Номер патента: US20020084250A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Method for manufacturing a non-volatile, virtual ground memory element

Номер патента: US5384272A. Автор: Bradley T. Moore,Effiong E. Ibok. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US6660573B2. Автор: Myoung-Sik Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Method of forming a non-volatile memory cell having a high coupling capacitance including forming an insulator mask, etching the mask, and forming a u-shaped floating gate

Номер патента: US6159796A. Автор: Guido Wolfgang Dietz,Andreas Graf Von Schwerin. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-12.

Process for fabricating a non-volatile memory cell in a semiconductor device

Номер патента: US5633186A. Автор: Ko-Min Chang,William J. Taylor, Jr.,Danny P. C. Shum. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-05-27.

Method for the reconfiguration of a vortex density in a rare earth manganate, a non-volatile impedance switch and use thereof

Номер патента: US20210305961A1. Автор: Nan Du,Stephan Krüger,Heidemarie Schmidt,Ilona Skorupa,Agnieszka Bogusz. Владелец: Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf eV. Дата публикации: 2021-09-30.

Bitcells for a non-volatile memory device

Номер патента: US10777607B1. Автор: Anuj Gupta,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-15.

Method for fabricating a non-volatile memory

Номер патента: US20030134462A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Yen-hung Yeh,Mu-Yi Liu,Kwang-Yang Chan,Tso-Hung Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array And A Method Of Forming Such Structure

Номер патента: US20130234223A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for the reconfiguration of a vortex density in a rare earth manganate, a non-volatile impedance switch and use thereof

Номер патента: US12034424B2. Автор: Nan Du,Stephan Krüger,Heidemarie Schmidt,Ilona Skorupa,Agnieszka Bogusz. Владелец: Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf eV. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284944A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153985A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120256249A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8217444B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Photodiode imaging arrays reconfigured or mapped via a non volatile memory

Номер патента: GB2490929A. Автор: Graham Mackerron,Bernard Mulgrew. Владелец: Selex Galileo Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Method of forming a non-volatile memory array

Номер патента: US5661054A. Автор: Roger Lee,Ralph Kauffman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

Seed layers for a non-volatile memory element

Номер патента: US20200357984A1. Автор: Yuichi Otani,Kazutaka Yamane,Ganesh Kolliyil Rajan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Microcomputer processing approach for a non-volatile TV station memory tuning system

Номер патента: US4093921A. Автор: Kenneth George Buss. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1978-06-06.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: US7682906B2. Автор: Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Han-mei Choi,Young-Geun Park,Se-hoon Oh,Sun-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Semiconductor devices having a non-volatile memory transistor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020146883A1. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Method of manufacturing a non-volatile memory

Номер патента: EP1417704A2. Автор: Robertus T. F. Van Schaijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Method of manufacturing a non-volatile memory

Номер патента: WO2003015172A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van. Владелец: Schaijk Robertus T F Van. Дата публикации: 2003-06-05.

Memory system having a controller with a data erasure processing function

Номер патента: US11907567B2. Автор: Tadashi Nagahara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Management of power loss in a memory device

Номер патента: US09921916B2. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU,Mike M. Ngo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Out of order SGL read sorting in a mixed system with PRP read or system that supports only SGL reads

Номер патента: US09990138B2. Автор: Raja V. S. Halaharivi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Coordinating replication of data stored in a non-volatile memory-based system

Номер патента: US09678673B2. Автор: Douglas L. Voigt. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-06-13.

Data storage system in a key-value storage architecture with data compression, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210303171A1. Автор: CHAO Chen,Ningzhong MIAO. Владелец: Shannon Systems Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US12136028B2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory chip module

Номер патента: CA2377175C. Автор: Thomas Grassl. Владелец: Giesecke and Devrient GmbH. Дата публикации: 2007-01-09.

Hybrid memory controller for arbitrating access to volatile and non-volatile memories in a hybrid memory group

Номер патента: US09830086B2. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Indong KIM,Sun Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method and system for storage of data in a non-volatile media

Номер патента: US09727263B2. Автор: Jon C. R. Bennett. Владелец: VIOLIN MEMORY INC. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for increasing the number of applications in a device having a limited memory

Номер патента: US11886706B2. Автор: Frederic Darcel. Владелец: STMicroelectronics Grand Ouest SAS. Дата публикации: 2024-01-30.

Hybrid Memory in a Dynamically Power Gated Hardware Accelerator

Номер патента: US20230409397A1. Автор: Paolo Di Febbo,Yohan Rajan,Anthony Ghannoum,Chaminda Nalaka Vidanagamachchi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Cache management in a memory subsystem

Номер патента: US20240311045A1. Автор: Chinnakrishnan Ballapuram,Taeksang Song,Saira S. Malik,Akhila Gundu,Kimberly Judy Lobo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Managing power loss in a memory device

Номер патента: US12086062B2. Автор: Wei Wang,Jiangli Zhu,Frederick Adi,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan,Yipei Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Apparatus and method for accessing a non-volatile memory blade using multiple controllers in a non-volatile memory based storage device

Номер патента: US09645940B2. Автор: William Radke,Radoslav Danilak. Владелец: Skyera LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Method and device for quick start up by selectively starting up data in a NAND memory identified as start up data

Номер патента: US8601249B2. Автор: Bing-Bing He. Владелец: Chi Mei Communication Systems Inc. Дата публикации: 2013-12-03.

Overprovision capacity in a data storage device

Номер патента: WO2014158578A1. Автор: Tal Heller,Aki Bleyer. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-10-02.

Overprovision capacity in a data storage device

Номер патента: US09804960B2. Автор: Tal Heller,Aki Bleyer. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and system for securely updating firmware in a computing device

Номер патента: US09792439B2. Автор: Vincent Cedric Colnot. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-17.

Non-volatile fault indication in a storage enclosure

Номер патента: US09779006B2. Автор: David M. Davis,Odie Killen,Alexander C. WORRALL. Владелец: Xyratex Technology Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and system for monitoring and analyzing quality of service in a metro-cluster

Номер патента: US09658778B2. Автор: Abdul Basit,Curtis Hrischuk,Vinod Vasant Pai,Siu Wu,Leon Fairbanks,Kevin Faulkner,Phil Larson. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

System and method for management of garbage collection operation in a solid state drive

Номер патента: US09454551B2. Автор: Vladimir Alves,Joao Alcantara. Владелец: NXGN Data Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

METHOD FOR MANUFACTURING A FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING A VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A DISPLAY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SYSTEM

Номер патента: US20170271381A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for manufacturing a field effect transistor, method for manufacturing a volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a display element, method for manufacturing an image display device, and method for manufacturing a system

Номер патента: US10818705B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240126433A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US11893238B2. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: GB9118735D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1991-10-16.

Apparatus, system and method for throttling a rate at which commands are accepted in a storage device

Номер патента: US10521121B2. Автор: Yu Du,Xin Guo,David B. Carlton. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Balancing allocated cache pages among storage devices in a flash cache

Номер патента: US09933952B1. Автор: Xinlei Xu,Jian Gao,Lifeng Yang,Lili Chen,Liam Xiongcheng Li. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: SG27995G. Автор: Kurt Brian Robinson,Gerald S Holzhammer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-06-16.

Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory.

Номер патента: HK56895A. Автор: Kurt Brian Robinson,Gerald S Holzhammer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-04-21.

Managing power loss recovery using an oldest section write policy for an address mapping table in a memory sub-system

Номер патента: US12066930B2. Автор: Byron Harris,Daniel Boals,Abedon Madril. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Robust firmware upgrade in a network terminal

Номер патента: EP2150891A1. Автор: Lieven Gesquiere,Dmitry Adamushka,Ronald Vanschoren. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2010-02-10.

Management of power loss in a memory device

Номер патента: US20170177374A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU,Mike M. Ngo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Proactively correcting behavior that may affect I/O performance in a non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09684460B1. Автор: Feng Wang,Bo Hong,John Hayes,John Colgrove,Ethan MILLER,Craig Harmer. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Non-volatile cache for providing data integrity in operation with a volatile demand paging cache in a data storage system

Номер патента: US5732238A. Автор: Andras Sarkozy. Владелец: Storage Computer Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Electronic device including a digital circuit for accessing encrypted data in a memory and corresponding method to access encrypted data in a memory

Номер патента: US11023566B2. Автор: Albert Martinez,Stefano Lunghi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-01.

Electronic device including a digital circuit for accessing encrypted data in a memory and corresponding method to access encrypted data in a memory

Номер патента: US20190114400A1. Автор: Albert Martinez,Stefano Lunghi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-04-18.

Methods and systems for managing physical information of memory units in a memory device

Номер патента: US20190272231A1. Автор: Yi-Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Tiered caching of data in a storage system

Номер патента: US20230055389A1. Автор: Mohit Gupta,Manpreet Singh,Joshua Freilich,Riley Thomasson. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Tiered caching of data in a storage system

Номер патента: US12079125B2. Автор: Mohit Gupta,Manpreet Singh,Joshua Freilich,Riley Thomasson. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

A method for performing an operative system update in a secure element and corresponding secure element and apparatus

Номер патента: EP4418104A1. Автор: Mr. Amedeo VENEROSO,Mr. Luca DI COSMO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-21.

Method for performing an operative system update in a secure element and corresponding secure element and apparatus

Номер патента: US20240281536A1. Автор: Amedeo Veneroso,Luca Di Cosmo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-22.

NVRAM caching and logging in a storage system

Номер патента: US09720822B2. Автор: Jeffrey S. Kimmel. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Error recovery in a storage cluster

Номер патента: US09495255B2. Автор: John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D. Davis,Zhangxi Tan. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method and device for writing data in a wireless handheld communications device between volatile and non-volatile memories

Номер патента: CA2594226C. Автор: Rodney Bylsma,Jeff Lejeune,Rob Oliver,Mike Rybak. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2012-09-25.

Method and device for writing data in a wireless handheld communications device between volatile and non-volatile memories

Номер патента: EP1832131B1. Автор: Mike Research In Motion Limited RYBAK,Jeff Research In Motion Limited LEJEUNE,Rodney Research In Motion Limited BYLSMA,Rob Research In Motion Limited OLIVER. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Method for accessing data in a computer and the computer thereof

Номер патента: US20030070035A1. Автор: Chien-Fa Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

Apparatus and method of managing shared resources in achieving io virtualization in a storage device

Номер патента: US20190065266A1. Автор: Naoyuki Kai,Zhimin Ding,Dishi Lai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Data and power management of partitioned buffer in a storage device

Номер патента: US11995348B2. Автор: WooSeong Cheong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Management of power loss in a memory device

Номер патента: WO2017105774A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU,Mike M. Ngo. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-22.

Firmware update in a storage backed memory package

Номер патента: EP3750052A1. Автор: Jeffery J. Leyda,Gary R. Van Sickle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Firmware update in a storage backed memory package

Номер патента: WO2019156876A1. Автор: Jeffery J. Leyda,Gary R. Van Sickle. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-15.

System and method for storing an image file in a computer system

Номер патента: US20050138615A1. Автор: Ivan Farkas,Peter Piotrowski. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-06-23.

Managing power loss in a memory device

Номер патента: WO2023034457A1. Автор: Wei Wang,Jiangli Zhu,Frederick Adi,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan,Yipei Yu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Managing power loss in a memory device

Номер патента: US11782831B2. Автор: Wei Wang,Jiangli Zhu,Frederick Adi,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan,Yipei Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

SYSTEM AND METHOD FOR BOOTING UP A COMPUTER BASED ON DATA CAPTURED IN A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DURING A LEARN MODE

Номер патента: US20130219160A1. Автор: Zhao Qun,Kang Xinhai. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2013-08-22.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US20230082240A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-16.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US20230113231A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-13.

Method and system of conserving battery power in a mobile computer system

Номер патента: US8423702B2. Автор: Helmut Scherzer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Relocation of data in a storage device based on access information

Номер патента: US20240118829A1. Автор: Young Hwan Jang,Chai Im Teoh,Shane Oh. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-04-11.

Method in a secure element

Номер патента: AU2022333162A1. Автор: Wolfgang Dirnberger. Владелец: Giesecke Devrient Mobile Security Germany GmbH. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and apparatus for distinguishing register reads from memory reads in a flash memory

Номер патента: US6085282A. Автор: John Phillip Hansen,Erik Metzger. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Caching data from a mass storage device in a NAND flash device without using atomic metadata writes

Номер патента: GB2469193A. Автор: Sanjeev Trika. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-10-06.

Cache management in a memory subsystem

Номер патента: US11954358B2. Автор: Chinnakrishnan Ballapuram,Taeksang Song,Saira S. Malik,Akhila Gundu,Kimberly Judy Lobo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Storage device for managing map data in a host and operation method thereof

Номер патента: US20240256457A1. Автор: Ki Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Optimization Of An Active Range Of mSets Stored In A Compressed Address Table

Номер патента: US20240272826A1. Автор: Jonathan Journo,Nava SINGER. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Managing power loss recovery using a dirty section write policy for an address mapping table in a memory sub-system

Номер патента: US20230281123A1. Автор: Byron Harris,Daniel Boals,Abedon Madril. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Caching assets in a multiple cache system

Номер патента: US20210294749A1. Автор: Yuchen Wu,Samantha Aki Shugaeva,Ivan Babrou. Владелец: Cloudflare Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Data storage device and method for low-latency power state transitions by having power islanding in a host memory buffer

Номер патента: WO2022260713A1. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-12-15.

Methods, devices and systems for two stage power-on map rebuild with free space accounting in a solid state drive

Номер патента: US09817577B2. Автор: Justin Jones,Rodney N. Mullendore,Andrew J. Tomlin. Владелец: Skyera LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Selective Use of High-Performance Memory in a Software Defined System

Номер патента: US20230273739A1. Автор: Phillip Edward Straw,Kenny Van Alstyne. Владелец: Softiron Ltd Great Britain. Дата публикации: 2023-08-31.

Back end floating gate structure in a semiconductor device

Номер патента: US20240086692A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO,Chia Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Managing power loss in a memory device

Номер патента: US20240037033A1. Автор: Wei Wang,Jiangli Zhu,Frederick Adi,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan,Yipei Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method and system for facilitating a converged computation and storage node in a distributed storage system

Номер патента: US20210357346A1. Автор: Shu Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Selective use of high-performance memory in a software defined system

Номер патента: US12014066B2. Автор: Phillip Edward Straw,Kenny Van Alstyne. Владелец: Softiron Ltd USA. Дата публикации: 2024-06-18.

Control of a non-active channel in a multi-channel receiver

Номер патента: US20090112603A1. Автор: JinGuo Yu,Robert C. Malkemes,James L. Archibald. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-04-30.

Cooperative interconnection and operation of a non-volatile memory card and an input-output card

Номер патента: WO2002019266A3. Автор: Robert C Miller,Yoram Cedar,Robert F Wallace,Wesley G Brewer,Leonard L Ott,Kevin J Mills,Michael L Gifford. Владелец: Socket Communications Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Persistence of page access heuristics in a memory centric architecture

Номер патента: US09652405B1. Автор: Kenneth J. Taylor,Randall Shain,Adrian Michaud,Stephen Wing-Kin Au. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Apparatuses and methods for an operating system cache in a solid state device

Номер патента: US20180107595A1. Автор: Juyoung JUNG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: WO2015083308A1. Автор: Roman A. Pletka,Andrew Dale Walls,Ioannis Koltsidas,Charles John Camp. Владелец: Ibm Japan, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

Page retirement in a NAND flash memory system

Номер патента: US09952795B2. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

METHOD AND APPARATUS FOR PARALLEL TRANSFER OF BLOCKS OF DATA BETWEEN AN INTERFACE MODULE AND A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20150039817A1. Автор: Shin Hyunsuk,Park Jungil,Lee Chi Kong,Au Siu-Hung Fred. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

APPARATUS AND METHOD FOR GENERATING DESCRIPTORS TO REACCESS A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY OF A STORAGE DRIVE DUE TO AN ERROR

Номер патента: US20140195727A1. Автор: XU WEI,Sun Fei. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-10.

Method for bootstrap loading in a data processing system comprising searching a plurality of program source devices for a bootstrap program if initial data indicating a bootstrap program source device fails a validity check

Номер патента: US5247659A. Автор: Michael W. B. Curran,Marek S. Pierkarski,Richard N. Taylor. Владелец: Fujitsu Services Ltd. Дата публикации: 1993-09-21.

Hybrid drive executing biased migration policy during host boot to migrate data to a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US8825976B1. Автор: Brian E. Jones. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Event-based dynamic memory allocation in a data storage device

Номер патента: US11016665B2. Автор: Abhay T. Kataria,Amruta Rameshchandra Inamdar. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2021-05-25.

Method and System For Watermark Embedding in a Multimedia System-On -Chip

Номер патента: US20080219494A1. Автор: Xuemin Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Handling urgent commands in a data storage device

Номер патента: WO2022271273A1. Автор: Ramanathan Muthiah,Laxmi Bhoopali. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-12-29.

Managing redundancy information in a non-volatile memory

Номер патента: WO2015088704A1. Автор: Wei Fang,Ning Wu,Robert E. FRICKEY III. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-18.

Memory access control using a resident control circuitry in a memory device

Номер патента: US11789653B2. Автор: Vijay S. Ramesh,Allan Porterfield. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Non-volatile fault indication in a storage enclosure

Номер патента: US20150363253A1. Автор: David M. Davis,Odie Killen,Alexander C. WORRALL. Владелец: Xyratex Technology Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Adjustable error correction based on memory health in a storage unit

Номер патента: WO2016022993A2. Автор: Tan Zhangxi,John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D Davis. Владелец: PURE Storage, Inc.. Дата публикации: 2016-02-11.

Systems and methods for securely sharing data in a multi-port memory storage device

Номер патента: US20220197529A1. Автор: Ed SEALING,Andres GIRALDO,Brandon WHALEN. Владелец: Sealing Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-23.

Apparatus, system and method for throttling a rate at which commands are accepted in a storage device

Номер патента: US20180188952A1. Автор: Yu Du,Xin Guo,David B. Carlton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-07-05.

Adjustable Error Correction Based on Memory Health in a Storage Unit

Номер патента: US20210216398A1. Автор: John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D. Davis,Zhangxi Tan. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Adjustable error correction based on memory health in a storage unit

Номер патента: WO2016022993A9. Автор: Tan Zhangxi,John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D Davis. Владелец: PURE Storage, Inc.. Дата публикации: 2017-01-05.

A portable computing device with a non-volatile memory drive

Номер патента: WO2004114101A3. Автор: Richard Colin Fitzgerald. Владелец: Richard Colin Fitzgerald. Дата публикации: 2005-03-24.

A portable computing device with a non-volatile memory drive

Номер патента: EP1639469A2. Автор: Richard Colin Fitzgerald. Владелец: Symbian Software Ltd. Дата публикации: 2006-03-29.

A portable computing device with a non-volatile memory drive

Номер патента: WO2004114101A2. Автор: Richard Colin Fitzgerald. Владелец: Symbian Software Limited. Дата публикации: 2004-12-29.

Managing power loss recovery using an oldest section write policy for an address mapping table in a memory sub-system

Номер патента: US20230289285A1. Автор: Byron Harris,Daniel Boals,Abedon Madril. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for managing threads in a memory-constrained system

Номер патента: WO2005036397A3. Автор: Marc Blochet. Владелец: Marc Blochet. Дата публикации: 2006-08-24.

Method of generating parity bit groups,method of managing corrupted data in a non-volatile memory array,method of correcting data, method of storing data in a non-volatile memory array and removable non-volatile memory card

Номер патента: TWI327320B. Автор: Stephen J Gross,Bryan John Mee. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-07-11.

Method for Providing Time Information in a GNSS Receiver

Номер патента: US20230027979A1. Автор: Stefan Jung. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-01-26.

Technique for improving replication persistance in a caching applicance structure

Номер патента: US8745330B2. Автор: Kulvir Singh Bhogal,Nitin Gaur,Todd Eric Kaplinger,Christopher Douglas JOHNSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Technique for improving replication persistance in a caching applicance structure

Номер патента: US20130041971A1. Автор: Todd E. Kaplinger,Kulvir S. Bhogal,Nitin Gaur,Christopher D. Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Method for initiating a standby mode in a control unit of a motor vehicle, corresponding operable control unit and motor vehicle

Номер патента: US20230153119A1. Автор: Daniel Kerk. Владелец: Cariad SE. Дата публикации: 2023-05-18.

Profile-dependent write placement of data into a non-volatile solid-state storage

Номер патента: WO2016004411A1. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: PURE Storage, Inc.. Дата публикации: 2016-01-07.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

USB type-C cable and method for reading/writing a chip in a USB type-C cable

Номер патента: US9779048B2. Автор: Chien-Chih Huang,Tsung-Nan Wu,Chia-Hwa CHAN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-10-03.

Detection of secure variable alteration in a computing device equipped with unified extensible firmware interface (uefi)-compliant firmware

Номер патента: US20140304520A1. Автор: Martin O. Nicholes,Jeffery Jay BOBZIN. Владелец: Insyde Software Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Method and system for online conversion of bad blocks for improvement of performance and longevity in a solid state drive

Номер патента: US20200310645A1. Автор: Shu Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Data duplication in a non-volatile memory

Номер патента: US11048580B2. Автор: Justin Eno,Samuel E. Bradshaw,Sean Stephen Eilert,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-29.

Data duplication in a non-volatile memory

Номер патента: US20190354429A1. Автор: Justin Eno,Samuel E. Bradshaw,Sean Stephen Eilert,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Techniques for managing data in a storage controller

Номер патента: US8566525B2. Автор: Kevin J. Ash,Richard A. Ripberger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-22.

System for providing multiple window environments in a mobile computing system and method thereof

Номер патента: US8042059B2. Автор: Ju-Young Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-18.

Apparatus and method for erasing data programmed in a non-volatile memory block in a memory system multiple times

Номер патента: US12131053B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Hot data management in a data storage system

Номер патента: US12135895B2. Автор: Ryan James Goss,Charles Mcjilton,Jonathan Henze,Jack Vincent Anderson,Jeremy Blair Goolsby. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-11-05.

Data storage management in a memory device

Номер патента: US09921774B2. Автор: Mark A. Gaertner,Brian T. Edgar,Luke W. Friendshuh. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Interfacing with block-based storage in a processor

Номер патента: US09904586B2. Автор: Ashok Raj,Mohan J. Kumar,Ron Gabor,Hisham Shafi,Theodros Yigzaw. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Detection of secure variable alteration in a computing device equipped with unified extensible firmware interface (UEFI)-compliant firmware

Номер патента: US09870474B2. Автор: Martin O. Nicholes,Jeffery Jay BOBZIN. Владелец: Insyde Software Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Profile-dependent write placement of data into a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US09817750B2. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Access relationships in a computer system

Номер патента: US09722987B2. Автор: Tatu Ylonen. Владелец: SSH Communications Security Oy. Дата публикации: 2017-08-01.

Storing corresponding data units in a common storage unit

Номер патента: US09684590B2. Автор: Jonathan Williams Haines,Timothy R. Feldman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Lockless distributed redundant storage and NVRAM cache in a highly-distributed shared topology with direct memory access capable interconnect

Номер патента: US09525737B2. Автор: Alex Friedman. Владелец: E8 Storage Systems Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Apparatus and method for checking an error of a non-volatile memory device in a memory system

Номер патента: US11941289B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Storage system capable of invalidating data stored in a storage device thereof

Номер патента: US20190205067A1. Автор: Daisuke Hashimoto,Shinichi Kanno. Владелец: Pangea KK. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for backing up data in a case of power failure of storage system, and storage system controller

Номер патента: US20150081958A1. Автор: Yansong Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

System and method of communicating command data in a master-slave environment

Номер патента: WO2015195457A1. Автор: Rotem Sela,Amir Shaharabany,Hadas Oshinsky. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-12-23.

Systems and methods for decoding codewords in a same page with historical decoding information

Номер патента: US20230107784A1. Автор: Jie Chen,Bo Fu,Han Zhang,Zining Wu. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of Self-Diagnosing a Mobile Telephone Set for Use in a Mobile Telephone Switching System and Mobile Telephone Set Being Applied the Method

Номер патента: CA2069236A1. Автор: Motoyoshi Komoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-01.

Tiered caching of data in a storage system

Номер патента: US20200387448A1. Автор: Mohit Gupta,Manpreet Singh,Joshua Freilich,Riley Thomasson. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Error recovery in a storage cluster

Номер патента: US20170060711A1. Автор: John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D. Davis,Zhangxi Tan. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Error recovery in a storage cluster

Номер патента: EP3158453A1. Автор: Tan Zhangxi,John Hayes,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,John D Davis. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-04-26.

Method and apparatus for replacing or modifying a postscript built-in font in a printer

Номер патента: WO2000064674A1. Автор: Edward William Yohon, Jr.,Brian George Cartier,Scott Timothy Cramer. Владелец: Lexmark International, Inc.. Дата публикации: 2000-11-02.

Methods and systems for managing physical information of memory units in a memory device

Номер патента: US20180165198A1. Автор: Yi-Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Systems and methods for decoding codewords in a same page with historical decoding information

Номер патента: US11936403B2. Автор: Jie Chen,Bo Fu,Han Zhang,Zining Wu. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Sharing firmware among agents in a computing node

Номер патента: EP2979194A1. Автор: Peter Hansen,Darren J. Cepulis,Andrew Brown,Barry S. Basile,Michael Stearns,Chanh V. Hua,Jared K. FRANCOM. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-02-03.

Sharing firmware among agents in a computing node

Номер патента: WO2014158181A1. Автор: Peter Hansen,Darren J. Cepulis,Andrew Brown,Barry S. Basile,Michael Stearns,Chanh V. Hua,Jared K. FRANCOM. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2014-10-02.

Method and system for organizing nand blocks and placing data to facilitate high-throughput for random writes in a solid state drive

Номер патента: US20210097003A1. Автор: Shu Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Volume migration in a federated storage array with non-volatile memory express over fabric (nvmeof) host attachment

Номер патента: US20210034270A1. Автор: Mukesh Gupta,Dmitry Tylik. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

Collaborative health management in a storage system

Номер патента: US09619381B2. Автор: Charles J. Camp,Andrew D. Walls. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

A solid state storage device comprising a Non-Volatile Memory Express (NVMe) controller for managing a Host Memory Buffer (HMB), a system comprising the same and method for managing the HMB of a host

Номер патента: KR20180054394A. Автор: 벤카타라트남 님마가따,불리가들라 아마레시. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-05-24.

Hold-aside buffer for uncommitted write transactions in a log structured key-value database

Номер патента: US20230401155A1. Автор: Gaurav Sanjay Ramdasi,Alexander Tomlinson,Gregory Alan Becker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

APPARATUS AND METHOD FOR ACCESSING A NON-VOLATILE MEMORY BLADE USING MULTIPLE CONTROLLERS IN A NON-VOLATILE MEMORY BASED STORAGE DEVICE

Номер патента: US20150134881A1. Автор: Danilak Radoslav,Radke William. Владелец: Skyera, Inc.. Дата публикации: 2015-05-14.

APPARATUS AND METHOD FOR ACCESSING A NON-VOLATILE MEMORY BLADE USING MULTIPLE CONTROLLERS IN A NON-VOLATILE MEMORY BASED STORAGE DEVICE

Номер патента: US20160253268A1. Автор: Danilak Radoslav,Radke William. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Contact for a non-volatile memory and method therefor

Номер патента: US09741602B2. Автор: Gong Chen,Linghui Wu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09711518B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Simplified process for defining the tunnel area in non-aligned, non-volatile semiconductor memory cells

Номер патента: US6444526B1. Автор: Bruno Vajana,Matteo Patelmo,Giovanna Dalla Libera,Nadia Galbiati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-03.

Inverse emulsion comprising a polyphenol, a non-ionic polysaccharide, a polyglycerolated non-ionic surfactant with an hlb ≤ 8, a polyol, a non-volatile plant oil, and a volatile alkane

Номер патента: WO2023208677A1. Автор: Pauline Dubuisson,Melissa LIAUZUN,Clemence Soufflet,Lydie Guillaume. Владелец: L'oreal. Дата публикации: 2023-11-02.

Improvements relating to the extraction of zinc or other volatile metal from waste material also containing a non-volatile heavy metal

Номер патента: GB978448A. Автор: . Владелец: GUSTAV BLOM LUNDEVALL. Дата публикации: 1964-12-23.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282832A1. Автор: Yangbeom KANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160163719A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170309633A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09691777B2. Автор: Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1263037A3. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5712178A. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Myoung-kwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-27.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US10418377B2. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-09-17.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US20180233512A1. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-08-16.

Polysilicon pillar diode for use in a non-volatile memory cell

Номер патента: US5751012A. Автор: Graham R. Wolstenholme,Philip J. Ireland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-05-12.

Method of fabricating non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5449634A. Автор: Tatsuro Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Electronic Device Including a Non-Volatile Memory Cell and a Process of Forming the Same

Номер патента: US20220254920A1. Автор: Weize Chen,Sameer S. Haddad,Mark Griswold,Bruce B. Greenwood,Kenneth A. BATES. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-08-11.

Integration of a non-volatile memory (nvm) cell and a logic transistor and method therefor

Номер патента: US20160087058A1. Автор: Sung-taeg Kang,Asanga H. Perera. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140138597A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110073935A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Akiko Sekihara,Tesuya Kai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor memory device featuring selective data storage in a stacked memory cell structure

Номер патента: US8773885B2. Автор: Naoharu Shinozaki. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-07-08.

Crystal oscillator offset trim in a phase-locked loop

Номер патента: US20190288699A1. Автор: Jayawardan Janardhanan,Christopher Andrew Schell,Arvind Sridhar,Sinjeet Dhanvantray PAREKH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

A non volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: GB9709777D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-09.

Apparatus for backing up data stored in a portable device

Номер патента: WO2005114809A2. Автор: Steven J. Goldberg,Robert A. DiFazio. Владелец: INTERDIGITAL TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for manufacturing electronic memory devices integrated in a semiconductor substrate including non-volatile memory matrix and associated circuitry

Номер патента: US20060148173A1. Автор: Luca Pividori. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-06.

Process to convert a carbon containing material in a hydratable molten salt bath

Номер патента: CA3242344A1. Автор: Paul O'Connor,Sjoerd Daamen,Igor BABIC. Владелец: Yerrawa Bv. Дата публикации: 2023-07-06.

Process to convert a carbon containing material in a hydratable molten salt bath

Номер патента: AU2022425513A1. Автор: Paul O'Connor,Sjoerd Daamen,Igor BABIC. Владелец: Yerrawa Bv. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09748332B1. Автор: Chen Yu Cheng,Tzung-Ting Han,Shih Chin Lee,Chih Kai Yang,Ching Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of erasing data in a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: DE69324706T2. Автор: Takashi Ono. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-14.

A non-volatile semiconductor memory device having nand-type memory cell array and method for producing the same

Номер патента: KR100224761B1. Автор: 김동준,최정달. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

Semiconductor integrated circuit having a non-volatile semiconductor memory and a capacitor

Номер патента: US20020149046A1. Автор: Koji Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-17.

Fabrication method of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100213199B1. Автор: 정칠희,안근옥,손문. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-08-02.

Method for loading and utilizing a key in a secure transmission device

Номер патента: US5412721A. Автор: Kent D. Rager,Steven H. Lay. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-05-02.

Method of manufacturing a floating gate and method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device comprising the same

Номер патента: US20040171217A1. Автор: Chang-Rok Moon,Jin-Kuk Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

Fabrication method of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100211767B1. Автор: 김장래. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-08-02.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE69511320T2. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jeong-Hyong Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-13.

Method of manufacturing a floating gate and method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device comprising the same

Номер патента: US7118969B2. Автор: Chang-Rok Moon,Jin-Kuk Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-10.

A non-volatile semiconductor memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: KR100214474B1. Автор: 최태호. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: EP0827197A3. Автор: Akihiro Nakamura,Masanori Noda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-03-11.

A non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: HK73886A. Автор: Yasunori Nakazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1986-10-10.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE19813457C2. Автор: Woong-Lim Choi,Kyeong-Man Ra. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Non-volatile semiconductor memory device having memory cell array suitable for high density and high integration

Номер патента: US20070241391A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Fumitaka Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Composition comprising ethyl cellulose, a monoalcohol, a volatile hydrocarbon-based oil, a non-volatile alkane oil, a mono- or di-ester of a fatty acid and of polyglycerol and an ester oil

Номер патента: WO2023180256A1. Автор: Pascal Arnaud,Françoise VINCENT,Loubna AABID,Anne CONNAN. Владелец: L'oreal. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory

Номер патента: US20060258108A1. Автор: Shinichi Sato,Katsuya Hironaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

System and method for observing an object in a blood vessel

Номер патента: US09844320B2. Автор: Jesse Schallek. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2017-12-19.

Method and device to authenticate subscribers in a mobile radiotelephone systems

Номер патента: AU8209398A. Автор: Walter Mohrs. Владелец: Detemobil Deutsche Telekom Mobilnet Gmbh. Дата публикации: 1998-11-27.

Method for determining ignition angles for individual cylinders in a multicylinder internal combustion engine

Номер патента: US6167868B1. Автор: Stefan Krebs,Wilfried Kleczka. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-02.

Method of manufacturing a non-volatile memory cell and array having a trapping charge layer in a trench

Номер патента: US09882033B2. Автор: Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

COMPACT, TALC-FREE, SURFACE-TREATED POWDER BASED ON MICA, A NON-VOLATILE NON-PHENYLATED SILICONE OIL AND AN AMORPHIC HYDROCARBON SEQUENCE COPOLYMER

Номер патента: FR3063900B1. Автор: Anne Simonnet,Anne Lihard. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2021-05-07.

Method for manufacturing electronic non-volatile memory devices integrated in a semiconductor substrate

Номер патента: US7326615B2. Автор: Giorgio Servalli,Cesare Clementi,Alessia Pavan. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-02-05.

Key storage and retrieval in a breakout component at the edge of a mobile data network

Номер патента: US20130157618A1. Автор: Ronald L. Billau,Vincenzo V. Di Luoffo,Philip E. Grady,George W. Van Leeuwen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for manufacturing electronic non-volatile memory devices integrated in a semiconductor substrate

Номер патента: US20060166439A1. Автор: Giorgio Servalli,Cesare Clementi,Alessia Pavan. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-27.

Stacked non-volatile semiconductor memory device with buried source line and method of manufacture

Номер патента: US09761606B1. Автор: Takashi Ishida,Hideaki Aochi,Fumitaka Arai,Jun Fujiki,Shinya Arai,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and Apparatus for Providing A Non-Volatile Programmable Transistor

Номер патента: US20110221472A1. Автор: Man Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Method and apparatus for providing a non-volatile programmable transistor

Номер патента: US7969188B2. Автор: Man Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-28.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Self-tuning voltage generator for non-volatile semiconductor memory unit, non-volatile semiconductor memory unit, and method for self- tuning generation of voltage in said memory unit

Номер патента: RU2146398C1. Автор: Ким Джин-ки,Лим Хьюнг-Кью,Ли Сунг-Соо. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2000-03-10.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TECHNIQUES FOR COMPENSATING MOVEMENT OF A TREATMENT TARGET IN A PATIENT

Номер патента: US20120004518A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTING SYSTEM, SHEET PROCESSING METHOD IN THE PRINTING SYSTEM, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120001387A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION DEVICE AND METHOD FOR EMBEDDING DATA SYMBOLS IN A LUMINANCE OUTPUT

Номер патента: US20120002974A1. Автор: Wendt Matthias,Radermacher Harald Josef Günther,SCHENK Tim Corneel Wilhelmus,Kuppen Johan Wilhelmus Hermanus. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of programming data in a non-volatile memory device and non-volatile memory device for performing the method

Номер патента: CN118942514A. Автор: 朴贤国,尹铉竣,尹盛远,申祐卨. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

CONCURRENTLY SEARCHING MULTIPLE DEVICES OF A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120203953A1. Автор: LO Jerry,ABASTO ERICK O.. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-08-09.

Split gate type transistor, method for making a split gate type transistor, and a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: TW369720B. Автор: Kenji Fukase. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 1999-09-11.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for setting up a non-volatility memory/ a non-volatility memory apparatus in the main memory and the pc core system using the same

Номер патента: TWI304174B. Автор: Tse Hsine Liao,Ting Kuo Kao. Владелец: Giga Byte Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-11.

Non-volatile memory package and method of reading stored data form a non-volatile memory array

Номер патента: TW200723465A. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-16.

Method for setting up a non-volatility memory/ a non-volatility memory apparatus in the main memory and the PC core system using the same

Номер патента: TW200719144A. Автор: Tse-Hsine Liao,Ting-Kuo Kao. Владелец: Giga Byte Tech Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-16.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.