Поисковая фраза, не более 6 слов. Направление перевода. Размерность языковой модели.

Результаты перевода.
Найдено патентов - 7 шт. Доступно для просмотра - 7 шт. Ссылка на API. Ссылка на расширенную таблицу B.6.1 по ГОСТ Р 15.011-2022

Прибор для акупунктуры

Номер патента: RU0000000005U1. Автор: Васильев Михаил Григорьевич. Владелец: Васильев Михаил Григорьевич. Дата публикации: 25-06-1994.
Прибор для акупунктуры, содержащий блок питания и источник поляризованного электромагнитного излучения, отличающийся тем, что источник поляризованного излучения выполнен в виде двух полупроводниковых лазеров, размещенных в общем корпусе, снабженном одним общим окном для вывода излучения, выполненным в виде градана, размещенного вплотную к излучающим кристаллам.

Прибор для акупунктуры

Номер патента: RU0000000006U1. Автор: Васильев Михаил Григорьевич. Владелец: Васильев Михаил Григорьевич. Дата публикации: 25-06-1994.
Прибор для акупунктуры, содержащий блок питания, источник излучения в виде светоизлучающего диода, размещенного в корпусе, снабженном прозрачным окном для вывода излучения, и электрод для поиска рефлекторных точек, отличающийся тем, что светоизлучающий диод выполнен в виде полупроводникового лазера, окно для вывода излучения выполнено в виде градана, размещенного вплотную к излучающему кристаллу, а электрод для поиска рефлекторных точек - в виде соединенного с корпусом отрезка полого стержня из токопроводящего материала, заполненного прозрачным диэлектриком, установленного соосно с граданом.

Прибор для акупунктуры

Номер патента: RU0000000007U1. Автор: Васильев Михаил Григорьевич. Владелец: Васильев Михаил Григорьевич. Дата публикации: 25-06-1994.
Прибор для акупунктуры, содержащий блок питания и источник поляризованного электромагнитного излучения, отличающийся тем, что источник поляризованного излучения выполнен в виде полупроводникового лазера, снабженного окном для вывода излучения, выполненным в виде градана, размещенного вплотную к излучающему кристаллу.

Semiconductor laser emitter with band modulation in microwave range

Номер патента: RU2421857C2. Автор: Алексей Алексеевич Шелякин, Алексей Алексеевич Шелякин (RU), Михаил Григорьевич Васильев, Михаил Григорьевич Васильев (RU), Михаил Евсеевич Белкин, Михаил Евсеевич Белкин (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет) (МИРЭА). Дата публикации: 20-06-2011.
Полупроводниковый лазерный излучатель включает в себя лазерный кристалл с положительным и отрицательными электрическими выводами и узел электрического ввода со сформированной на диэлектрической подложке копланарной полосковой СВЧ-линии передачи. Лазерный кристалл подсоединяется к заземляющим проводникам копланарной полосковой СВЧ-линии отрицательными выводами, а другим выводом - к сигнальному проводнику той же копланарной полосковой СВЧ-линии передач. В лазерном кристалле положительный и отрицательные выводы выполнены на одной стороне с расположением вывода одной полярности между выводами другой полярности, лазерный кристалл установлен методом «перевернутого монтажа» и при помощи пайки закреплен на конце сформированной на диэлектрической подложке копланарной полосковой СВЧ-линии передачи. Копланарная полосковая СВЧ-линия передачи расположена под лазерным кристаллом так, чтобы совместить соответствующие выводы лазерного кристалла и сигнальную и заземляющие полоски копланарной полосковой СВЧ-линии передачи. Технический результат заключается в расширении полосы модуляции. 7 ил.

SEMICONDUCTOR LASER RADIATOR WITH MODULATION BAND IN THE MICROWAVE RANGE

Номер патента: RU2008134701A. Автор: Алексей Алексеевич Шелякин, Алексей Алексеевич Шелякин (RU), Михаил Григорьевич Васильев, Михаил Григорьевич Васильев (RU), Михаил Евсеевич Белкин, Михаил Евсеевич Белкин (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт радиотехники,, Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет) (МИРЭА). Дата публикации: 10-03-2010.
Полупроводниковый лазерный излучатель с полосой модуляции в СВЧ диапазоне, включающий в себя лазерный кристалл в виде диода с положительным и отрицательным электрическими выводами на сторонах лазерного кристалла и узел электрического ввода с сформированной на диэлектрической подложке СВЧ линией передачи с распределенными параметрами, в котором лазерный кристалл подсоединяется к заземляющему проводнику СВЧ линии положительным либо отрицательным выводом, а другим выводом - к сигнальному проводнику той же СВЧ линии, отличающийся тем, что в лазерном кристалле положительный и отрицательные выводы выполнены на одной стороне с расположением вывода одной полярности между выводами другой полярности, лазерный кристалл установлен методом «перевернутого монтажа» и при помощи пайки закреплен на конце сформированной на диэлектрической подложке копланарной полосковой СВЧ линии передачи, которая расположена под лазерным кристаллом так, чтобы совместить соответствующие выводы лазерного кристалла и сигнальный и заземляющие полоски копланарной линии.

Прибор для акупунктуры

Номер патента: RU5U1. Автор: Михаил Григорьевич Васильев. Владелец: Михаил Григорьевич Васильев. Дата публикации: 25-06-1994.
Прибор для акупунктуры, содержащий блок питания и источник поляризованного электромагнитного излучения, отличающийся тем, что источник поляризованного излучения выполнен в виде двух полупроводниковых лазеров, размещенных в общем корпусе, снабженном одним общим окном для вывода излучения, выполненным в виде градана, размещенного вплотную к излучающим кристаллам.
1