Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год

Применить Всего найдено 3. Отображено 3.
21-06-2022 дата публикации

Chave eletromagnética e divisor de potência ultracompacto de três portas baseado em nanofitas de grafeno

Номер: BR102020024867A2

Uma estrutura de interseção plasmônica ultracompacta baseada em nanofitas de grafeno com funcionalidade de chave eletromagnética ajustável com característica de divisor de potência é sugerida nesta invenção. A estrutura do dispositivo consiste em três guias de onda de grafeno, sendo um de entrada e dois de saída, acoplados frontalmente a uma região central também de grafeno, com geometria em T, todos depositados em substrato dielétrico de sílica (SiO2) e silício (Si). O dispositivo em questão, baseia-se na propagação de ondas de plasmons polaritons de superfície (Surface plasmon-polariton - SPP) guiadas nas nanofitas de grafeno. A energia de Fermi da região central do dispositivo pode ser alterada por um campo eletrostático devido a uma diferença de potencial elétrico aplicada entre o Si e a parte central de grafeno. No estado ON, em que as nanofitas e a região central do dispositivo têm a mesma energia de Fermi (0,8 eV), a onda eletromagnética incidida na porta de entrada é dividida simetricamente entre as duas portas de saída, com perdas de inserção em torno de -3,5 dB e coeficiente de reflexão melhor que -15 dB. No estado OFF, a energia de Fermi da região central de grafeno é alterada para 0 eV, fazendo com que a onda incidida na porta de entrada seja completamente refletida, com coeficiente de reflexão em torno de -1 dB, impedindo sua transmissão para as portas de saída com isolamento abaixo de -30 dB. A invenção proposta apresenta uma largura de banda ultra larga de aproximadamente 90%, o que lhe garante um bom desempenho em uma ampla faixa de frequência, podendo operar nas frequências de THz ou infravermelho distante, sendo útil para aplicações em circuitos integrados plasmônicos.

Подробнее
03-10-2023 дата публикации

Chave-divisora de grafeno baseado nos efeitos de ressonância dipolo e magneto-óptico dipolar

Номер: BR102022005773A2

chave-divisora de grafeno baseado nos efeitos de ressonância dipolo e magneto-óptico dipolar. a seguinte invenção refere-se a um dispositivo que pode funcionar como chave e divisor baseado nos efeitos de ressonância dipolo e magneto-óptico dipolar, nas regiões de frequências de terahertz e infravermelho. a estrutura de grafeno consiste em um guia de onda de entrada e dois guias de ondas de saída, conectados a um disco central. essa estrutura está depositada sobre três camadas dielétricas, uma de sílica, outra de polissilício e uma última de silício. o mecanismo de chaveamento no estado off é fornecido pelo efeito de ressonância dipolo no disco de grafeno. já o chaveamento no estado on e no regime de divisão são obtidos pelo efeito de ressonância magneto-óptico dipolar, onde esse dipolo é girado cerca de 35°, devido a aplicação de um campo magnético dc externo. o dispositivo possui frequência central de 7,12 thz, que pode ser deslocada ajustando suas dimensões. para essa frequência central no estado off, as portas de saída possuem isolamento de -27 db. no estado on e no regime de divisão, a transmissão para as portas de saída é em torno de -5 db, com uma largura de banda de 12%.

Подробнее
12-04-2022 дата публикации

Dispositivo multifuncional ajustável em forma de t baseado em grafeno para as regiões terahertz (thz) e infravermelho distante

Номер: BR102020020201A2

A seguinte invenção refere-se a um dispositivo multifuncional plasmônico baseado em grafeno com três regimes de funcionamento: filtro rejeita banda (regime 1); divisor de potência (regime 2) e chave eletromagnética (regime 3). Sua estrutura consiste em três guias de onda de grafeno acoplados frontalmente com um ressonador circular também de grafeno, formando uma estrutura em T. Os elementos de grafeno estão depositados sobre substrato dielétrico de sílica (SiO2) e silício (Si). O princípio físico de funcionamento do dispositivo, consiste na propagação de ondas plasmônicas de superfície (Surface plasmon-polariton - SPP) nos guias de onda de grafeno que excitam modos de ressonância de dipolo, quadrupolo e hexapolo no ressonador. Nos regimes 1 e 2, submetidos a uma energia de Fermi de 0,8 eV nos guias de onda e 0,6 eV no ressonador, o dispositivo funciona como um filtro rejeita banda, para as frequências de ressonâncias dos modos dipolo e hexapolo, impedindo que a onda eletromagnética incidida na porta de entrada seja transmitida para as portas de saída; e um filtro passa banda com propriedades de divisor de potência de duas saídas na frequência de ressonância do modo quadrupolo, respectivamente. No regime 3, a energia de Fermi do ressonador é diferente dos guias, podendo ser ajustada dinamicamente por um campo elétrico externo, devido à aplicação de uma tensão de polarização entre o Si e o ressonador de grafeno, fazendo com que as bandas de frequência das regiões que não transmite a onda eletromagnética (modos dipolo e hexapolo), sejam deslocadas para a região de transmissão desta onda (modo quadrupolo), desempenhando a função de chaveamento do dispositivo. Com dimensões nanômetros e excelentes características operando em uma ampla faixa de frequência, o dispositivo pode ser utilizado em circuitos integrados plasmônicos nas regiões de terahertz (THz) e infravermelho distante.

Подробнее