Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год

Применить Всего найдено 4. Отображено 4.
19-08-1987 дата публикации

Method of manufacturing a semiconductor device having a patterned multi-layer structure

Номер: EP0030116B1
Принадлежит: Fujitsu Ltd

Подробнее
30-11-1982 дата публикации

Dry etching of metal film

Номер: CA1136525A
Принадлежит: Fujitsu Ltd

DRY ETCHING OF METAL FILM ABSTRACT OF THE DISCLOSURE A process for dry etching an aluminum film and an aluminum based film in the production of a semiconductor device, wherein a mixed gas of carbon chloride and boron chloride is used as an etchant gas.

Подробнее
25-10-1983 дата публикации

Method of etching

Номер: CA1155973A
Принадлежит: Fujitsu Ltd

ABSTRACT A method of manufacturing a semiconductor device having a multi-layer structure comprises the steps of patterning in accordance with a predetermined pattern a thin film of photoresist formed on a film to be etched which has been formed on a semiconductor substrate, etching the film to be etched partly by an isotropic etching using said patterned film as a mask, etching the film to be etched completely by an anisotropic etching in the direction of its depth, and forming to the etched film a pattern having tapered or inclined sides. These isotropic and anisotropic etchings may be carried out in the same apparatus by changing reactive gases used in these etchings and conditions of each etching such as the amount of gas, gas pressure and radio frequency power to be applied.

Подробнее
10-06-1997 дата публикации

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер: US4352724B1
Принадлежит: Fujitsu Ltd

Подробнее