Керамический материал

15-03-1987 дата публикации
Номер:
SU1296548A1
Контакты: 11 119831 МОСКВА ГСП,М.ПИРОГОВСКАЯ 1
Номер заявки: 3929964
Дата заявки: 12-07-1985

[1]

112

[2]

Изобретение относится к электро- технической керамике, в частности к керамике, используемой для создани термостабильных конденсаторов и друг электро- и радиотехнических устройст для которых необходима температурная стабильность электрофизических параметров , а именно сохранение удельног объемного электросопротивления на уровне -10 Юм-см п, интервале 20-500 С при диэлектрической проницаемости f 200-300 и температурном коэффициенте диэлектрической проницаемости ТК 0.

[3]

Цель изобретения - увеличение удельного объемного электросопротивлния , диэлектрической проницаемости и верхней температурной границы нулевы значений температурного коэффициента диэлектрической проницаемости.

[4]

Материал получают по известной керамической технологии. Исходную смесь оксидов вольфрама и теллура и карбоната кальция перетирают в §,га- товой ступке в присутствии ацетона; до полного его испарения.. Полученную

[5]

[6]

[7]

[8]

гомогенизированную смесь помещают в алундовый тигель и обжигают в электропечи при 800-850 С в течение 20-

[9]

[10]

10 3-10 2,510 256 256 4 3,4-10 3,8-10 284 284 8 2,8-10 1,7-10 291 291

[11]

Формула изобретения

[12]

Керамический материал, включаю- щий СаО и WOj, отличающий- с я тем, что, с целью увеличения удельного объемного электросопротивления , диэлектрической проницаемости и верхней температурной границы

[13]

ВНИИПИ

[14]

Заказ 714/27 Тираж 588 Произв .-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

[15]

25 из 5 О

[16]

5

[17]

0

[18]

5

[19]

ч. Спеченньй материал извлекают

[20]

тигля и измельчают в агатовой ступке до размера частИц О,1-0,01 мм, далее прессуют таблетки при комнатной температуре и давлении 150- 200 МПа, обжигают в муфельной печи при 600-650°С в течение 0,5-1 ч, затем .охлаждают до комнатной температуры , наносят серебряную пасту и подвергают термообработке при 200 и 800°С.

[21]

Измерение электрофизических характеристик проводили на частоте 1 кГц по ГОСТу 5458-75 и ГОСТу 13236- 83 с помощью моста Р 577 и ячейки, имитирующей коаксиальный линейный датчик.

[22]

Материал представляет собой фазу на основе индивидуального соединения состава ,0, . Высокие значения PV обусловлены малой степенью разу- порядоченности структуры, а высокие значения е и ее температурная стабильность - отсутствием перераспределения электронной плотности даже при высоких температурах ().

[23]

Составы керамического материала и его электрофизические свойства приведены в таблице.

[24]

О О О

[25]

нулевых значений температурного коэффициента диэлектрической проницаемости , он дополнительно содержит TeOj при следующем соотношении компонентов , мол.%:

[26]

СаО

[27]

WO.

[28]

3

[29]

ТеО„

[30]

70-73 20-23 Д-10

[31]

Подписное



[32]

Изобретение относится к электротехнической керамике для термостабильных конденсаторов. С целью увеличения удельного объемного электросопротивления , диэлектрической проницаемости и верхней температурной границы нулевых значений температурного коэффициента диэлектрической проницаемости керамический материал содержит 70-73 мол.% оксида кальция, 20- 23 мол. % оксида вольфрама и 4- 10 мол.% диоксида теллура. В интервале 2 0-5 00 С предлагаемый керамический материал обладает следующими Электрофизическими параметрами: Ом см, f 256-291 ед., . 1 табл. i ю со о: ел 4 оо





Цитирование НПИ

Авторское свидетельство СССР 1096252, кл. С 04 В 35/00, 1984, Chang L.L.Y., Seroger M.G., Phillips B.-I.Amer. Ceram. Soc., 1966, V. 49, 7, p. 385-39a.
Получить PDF