12-03-2020 дата публикации
Номер: RU2018131253A3
Автор:
Принадлежит:
РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 2018 131 253 A (51) МПК C25B 1/00 (2006.01) H01M 4/587 (2010.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ЗАЯВКА НА ИЗОБРЕТЕНИЕ (21)(22) Заявка: 2018131253, 30.09.2016 (71) Заявитель(и): ФРАУНХОФЕР-ГЕЗЕЛЛЬШАФТ ЦУР ФЕРДЕРУНГ ДЕР АНГЕВАНДТЕН ФОРШУНГ Е.Ф. (DE) Приоритет(ы): (30) Конвенционный приоритет: 12.02.2016 DE 10 2016 202 202.4 (85) Дата начала рассмотрения заявки PCT на национальной фазе: 12.09.2018 (72) Автор(ы): ХОФФМАНН Рене (DE), НЕБЕЛЬ Кристоф Е. (DE), РОШЕР Сара (DE) R U (43) Дата публикации заявки: 12.03.2020 Бюл. № 8 (86) Заявка PCT: (87) Публикация заявки PCT: WO 2017/137103 (17.08.2017) A Адрес для переписки: 129090, Москва, ул. Б. Спасская, 25, стр. 3, ООО "Юридическая фирма Городисский и Партнеры" R U (57) Формула изобретения 1. Композиция, содержащая дегидрированный графит, содержащий множество чешуек, имеющих по меньшей мере одну чешуйку из 10 с размером свыше 10 квадратных микрометров, среднюю толщину 10 атомных слоев или менее, и характерную плотность дефектов по меньшей мере 50% μ-рамановских спектров дегидрированного графита, полученных при возбуждении на длине волны 532 нм с разрешением лучше, чем 1,8 обратных сантиметров, имеющих отношение площадей D/G ниже 0,5. 2. Композиция, содержащая дегидрированный графит, содержащий множество чешуек, имеющих по меньшей мере одну чешуйку из 10 с размером свыше 10 квадратных микрометров, значение коэффициента смешанной корреляции подгонки одиночного 2D пика μрамановских спектров дегидрированного графита, полученных при возбуждении на длине волны 532 нм с разрешением лучше, чем 1,8 обратных сантиметров, большее чем 0,99 для более чем 50% этих спектров, и характерную плотность дефектов по меньшей мере 50% μ-рамановских спектров дегидрированного графита, полученных при возбуждении на длине волны 532 нм с разрешением лучше, чем 1,8 обратных сантиметров, имеющих отношение площадей D/G ниже 0,5. Стр.: 1 A 2 0 1 8 1 3 1 2 5 3 (54) ГРАФЕН И ПРОИЗВОДСТВО ...
Подробнее