Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 380046. Отображено 100.
16-03-1996 дата публикации

СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Номер: RU0000001929U1
Автор: Бурьба В.В., Жилин Л.М., Матовников В.А., Шеин Ю.Ф.
Принадлежит: Акционерное общество "Кремний"

1. СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, имеющая слой низкоомного полупроводника, отличающаяся тем, что низкоомный слой имеет меньшую толщину и к нему через соединительный слой стекла дополнительно присоединена опорная подложка, не вызывающая автолегирования, имеющая большую толщину, чем низкоомный слой. 2. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве соединительного слоя применяется боросиликатное стекло. (19) RU (11) (13) 1 929 U1 (51) МПК H01L 27/02 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 93039572/25, 10.08.1993 (46) Опубликовано: 16.03.1996 (71) Заявитель(и): Акционерное общество "Кремний" (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Кремний" U 1 1 9 2 9 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, имеющая слой низкоомного полупроводника, отличающаяся тем, что низкоомный слой имеет меньшую толщину и к нему через соединительный слой стекла дополнительно присоединена опорная подложка, не вызывающая автолегирования, имеющая большую толщину, чем низкоомный слой. 2. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве соединительного слоя применяется боросиликатное стекло. 1 9 2 9 (54) СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ R U (72) Автор(ы): Матовников В.А., Жилин Л.М., Шеин Ю.Ф., Бурьба В.В. RU 1 929 U1 RU 1 929 U1 RU 1 929 U1 RU 1 929 U1 RU 1 929 U1 RU 1 929 U1

Подробнее
Номер записи: 1
05-01-2012 дата публикации

Physical information acquisition method, physical information acquisition device, and semiconductor device

Номер: US20120001072A1
Автор: Atsushi Toda, Genta Sato
Принадлежит: Sony Corp

A physical information acquisition method in which a corresponding wavelength region of visible light with at least one visible light detection unit coupled to an image signal processing unit is detected, each said visible light detection unit comprising a color filter adapted to transmit the corresponding wavelength region of visible light; a wavelength region of infrared light with at least one infrared light detection unit coupled to the image signal processing unit is detected; and, with the signal processing unit, a first signal received from the at least one visible light detection unit by subtracting a product from said first signal is corrected, said product resulting from multiplication of a second signal received from the at least one infrared light detection unit and a predetermined coefficient factor.

Подробнее
Номер записи: 2
05-01-2012 дата публикации

Radiographic imaging system

Номер: US20120001082A1
Автор: Kazuo Hashiguchi, Makoto Shoho
Принадлежит: Sharp Corp

A response with a wider dynamic range is obtained without a need for irradiating strong radiation onto a subject (human body). A CCD controller 22 allows reading of imaging signals from CCD image sensors 1 to 12, which is performed twice during different time periods, once during a long exposure time period and once during a short exposure time period, with respect to the irradiation of a constant dose of radiation by an X-ray generator 25; and a main controller 26 allows a memory 24 to synthesize image data from the successively twice-read imaging signals into an image with proper timing. As a result, it becomes unnecessary to irradiate strong radiation onto a subject, such as a human body and other substances, as is done conventionally, owing to a radiation dose weak enough not to cause a harmful influence.

Подробнее
Номер записи: 3
05-01-2012 дата публикации

Single poly cmos imager

Номер: US20120001242A1
Автор: Howard E. Rhodes
Принадлежит: Round Rock Research LLC

More complete charge transfer is achieved in a CMOS or CCD imager by reducing the spacing in the gaps between gates in each pixel cell, and/or by providing a lightly doped region between adjacent gates in each pixel cell, and particularly at least between the charge collecting gate and the gate downstream to the charge collecting gate. To reduce the gaps between gates, an insulator cap with spacers on its sidewalls is formed for each gate over a conductive layer. The gates are then etched from the conductive layer using the insulator caps and spacers as hard masks, enabling the gates to be formed significantly closer together than previously possible, which, in turn increases charge transfer efficiency. By providing a lightly doped region on between adjacent gates, a more complete charge transfer is effected from the charge collecting gate.

Подробнее
Номер записи: 4
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor device

Номер: US20120001243A1
Автор: Kiyoshi Kato
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd

An object is to provide a semiconductor device with a novel structure in which stored data can be held even when power is not supplied and there is no limit on the number of write operations. The semiconductor device includes a first memory cell including a first transistor and a second transistor, a second memory cell including a third transistor and a fourth transistor, and a driver circuit. The first transistor and the second transistor overlap at least partly with each other. The third transistor and the fourth transistor overlap at least partly with each other. The second memory cell is provided over the first memory cell. The first transistor includes a first semiconductor material. The second transistor, the third transistor, and the fourth transistor include a second semiconductor material.

Подробнее
Номер записи: 5
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor Constructions

Номер: US20120001299A1
Автор: Todd Jackson Plum
Принадлежит: Micron Technology Inc

Some embodiments include methods of forming capacitors. A first section of a capacitor may be formed to include a first storage node, a first dielectric material, and a first plate material. A second section of the capacitor may be formed to include a second storage node, a second dielectric material, and a second plate material. The first and second sections may be formed over a memory array region, and the first and second plate materials may be electrically connected to first and second interconnects, respectively, that extend to over a region peripheral to the memory array region. The first and second interconnects may be electrically connected to one another to couple the first and second plate materials to one another. Some embodiments include capacitor structures, and some embodiments include methods of forming DRAM arrays.

Подробнее
Номер записи: 6
05-01-2012 дата публикации

Pixel structure with multiple transfer gates

Номер: US20120002089A1
Автор: Bram Wolfs, Guy Meynants, Xinyang Wang
Принадлежит: CMOSIS BVBA

A pixel structure comprises a photo-sensitive element for generating charge in response to incident light. A first transfer gate is connected between the photo-sensitive element and a first charge conversion element. A second transfer gate is connected between the photo-sensitive element and a second charge conversion element. An output stage outputs a first value related to charge at the first charge conversion element and outputs a second value related to charge at the second charge conversion element. A controller controls operation of the pixel structures and causes a pixel structure. The controller causes the pixel structure to: acquire charges on the photo-sensitive element during an exposure period; transfer a first portion of the charges acquired during the exposure period from the photo-sensitive element to the first charge conversion element via the first transfer gate; and transfer a second portion of the charges acquired during the exposure period from the photo-sensitive element to the second charge conversion element via the second transfer gate.

Подробнее
Номер записи: 7
10-10-2001 дата публикации

КОНСТРУКЦИЯ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

Номер: RU0000019958U1
Автор: Барановский Д.М., Череповский Ю.П.
Принадлежит: ЗАО "Синтез электронных компонентов"

1. Гибридная интегральная схема, состоящая из основания, на котором расположены электронные элементы, отличающаяся тем, что на поверхность основания нанесен компаунд, первоначальная вязкость которого подбирается таким образом, чтобы он, свободно растекаясь, покрывал электронные элементы, удерживаясь в пределах основания за счет сил поверхностного натяжения, принятую таким образом форму компаунд сохраняет после полимеризации. 2. Гибридная интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно в первоначально жидкий компаунд введены частицы непрозрачного вещества, и/или нанесено непрозрачное покрытие, либо на всю поверхность полимеризованного компаунда, либо локально на фоточувствительные электронные элементы, и/или гибридная интегральная схема накрыта непрозрачным чехлом. (19) RU (11) 19 958 (13) U1 (51) МПК H01L 27/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001108694/20 , 30.03.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.03.2001 (46) Опубликовано: 10.10.2001 (72) Автор(ы): Череповский Ю.П., Барановский Д.М. (73) Патентообладатель(и): ЗАО "Синтез электронных компонентов" R U Адрес для переписки: 302020, г.Орел, Наугорское ш., 5, ЗАО "СИНТЭК" (71) Заявитель(и): ЗАО "Синтез электронных компонентов" 1 9 9 5 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. Гибридная интегральная схема, состоящая из основания, на котором расположены электронные элементы, отличающаяся тем, что на поверхность основания нанесен компаунд, первоначальная вязкость которого подбирается таким образом, чтобы он, свободно растекаясь, покрывал электронные элементы, удерживаясь в пределах основания за счет сил поверхностного натяжения, принятую таким образом форму компаунд сохраняет после полимеризации. 2. Гибридная интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно в первоначально жидкий компаунд введены частицы непрозрачного вещества, и/или нанесено непрозрачное покрытие, ...

Подробнее
Номер записи: 8
10-11-2001 дата публикации

ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА

Номер: RU0000020615U1
Автор: Барановский Д.М., Череповский Ю.П.
Принадлежит: Закрытое акционерное общество "Синтез электронных компонентов"

Гибридная интегральная микросхема, включающая в себя внешние выводы, диэлектрическое основание, на котором расположены электрически связанные между собой и внешними выводами элементы, отличающаяся тем, что на диэлектрическое основание гибридной интегральной микросхемы дополнительно установлены электрически связанные с элементами и внешними выводами кристаллы светодиодов и фотоприемников, оптические связи между которыми осуществляются локально сформированными оптически прозрачными диэлектрическими перемычками. (19) RU (11) 20 615 (13) U1 (51) МПК H01L 27/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000133021/20 , 28.12.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.12.2000 (46) Опубликовано: 10.11.2001 (72) Автор(ы): Череповский Ю.П., Барановский Д.М. (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "Синтез электронных компонентов" U 1 2 0 6 1 5 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Гибридная интегральная микросхема, включающая в себя внешние выводы, диэлектрическое основание, на котором расположены электрически связанные между собой и внешними выводами элементы, отличающаяся тем, что на диэлектрическое основание гибридной интегральной микросхемы дополнительно установлены электрически связанные с элементами и внешними выводами кристаллы светодиодов и фотоприемников, оптические связи между которыми осуществляются локально сформированными оптически прозрачными диэлектрическими перемычками. 2 0 6 1 5 (54) ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА R U Адрес для переписки: 302020, г. Орел, Наугорское ш., 5, ЗАО "СИНТЭК" (71) Заявитель(и): Закрытое акционерное общество "Синтез электронных компонентов" U 1 U 1 2 0 6 1 5 2 0 6 1 5 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 20 615 U1 RU 20 615 U1 RU 20 615 U1

Подробнее
Номер записи: 9
05-01-2012 дата публикации

Grounding switch method and apparatus

Номер: US20120002821A1
Автор: Christian Larsen, Lorenzo Crespi
Принадлежит: Conexant Systems LLC

A grounding switch is described which operates properly even in the presence of negative voltages on a signal line. The grounding switch uses isolated field effect transistors that have their substrates tied to different voltages. The isolated field effect transistor has a gate voltage and substrate voltage which can be pulled down to a negative voltage when the signal line has a negative voltage allowing the switch to remain open even with a negative voltage.

Подробнее
Номер записи: 10
20-11-2002 дата публикации

ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000026277U1
Автор: Новиков В.В.
Принадлежит: Новиков Владимир Васильевич

1. Электронный модуль, содержащий диэлектрическую коммутационную плату с установленными на ней методом "флип - чип" кристаллами интегральных схем, отличающийся тем, что между каждым кристаллом и коммутационной платой по периметру кристалла имеется металлическая герметизирующая рамка, состоящая из тех же слоев, что и электрические выводы от контактных площадок кристалла к контактным площадкам коммутационной платы, и формируемая одновременно с этими выводами. 2. Электронный модуль по п.1, отличающийся тем, что для обеспечения теплоотвода на мощных кристаллах интегральных схем с тыльной стороны установлены индивидуальные радиаторы. 3. Электронный модуль по п.1, отличающийся тем, что содержит один кристалл, установленный на плате, размеры которой в плане равны размерам кристалла, а электрические выводы от кристалла выполнены в виде сквозных отверстий через плату, заполненных металлом. 4. Электронный модуль по п.3, отличающийся тем, что в качестве герметизируемого компонента используется изделие на поверхностных акустических волнах. (19) RU (11) 26 277 (13) U1 (51) МПК H01L 27/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2002112681/20 , 08.05.2002 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 08.05.2002 (46) Опубликовано: 20.11.2002 (72) Автор(ы): Новиков В.В. (73) Патентообладатель(и): Новиков Владимир Васильевич R U Адрес для переписки: 191187, г.Санкт-Петербург, а/я 578, патентная служба (71) Заявитель(и): Новиков Владимир Васильевич Ñòðàíèöà: 1 2 6 2 7 7 R U U 1 (57) Формула полезной модели 1. Электронный модуль, содержащий диэлектрическую коммутационную плату с установленными на ней методом "флип - чип" кристаллами интегральных схем, отличающийся тем, что между каждым кристаллом и коммутационной платой по периметру кристалла имеется металлическая герметизирующая рамка, состоящая из тех же слоев, что и электрические выводы от контактных площадок кристалла к контактным площадкам ...

Подробнее
Номер записи: 11
10-01-2003 дата публикации

МОДУЛЬ ПАВ

Номер: RU0000027267U1
Автор: Доберштейн С.А.
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения

Модуль ПАВ, содержащий два фильтра на ПАВ с малыми потерями на отдельных пьезоэлектрических пластинах, соединенных через малошумящий усилитель, расположенными в одном корпусе, отличающийся тем, что в модуле ПАВ использован безвыводной металлокерамический корпус для поверхностного монтажа, а фильтры на ПАВ выполнены на пьезоэлектрических пластинах со значением k≥0,05, где k - коэффициент электромеханической связи. (19) RU (11) 27 267 (13) U1 (51) МПК H01L 27/00 (2000.01) H05K 1/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2002111795/20 , 06.05.2002 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 06.05.2002 (46) Опубликовано: 10.01.2003 (72) Автор(ы): Доберштейн С.А. 2 7 2 6 7 R U (57) Формула полезной модели Модуль ПАВ, содержащий два фильтра на ПАВ с малыми потерями на отдельных пьезоэлектрических пластинах, соединенных через малошумящий усилитель, расположенными в одном корпусе, отличающийся тем, что в модуле ПАВ использован безвыводной металлокерамический корпус для поверхностного монтажа, а фильтры на ПАВ выполнены на пьезоэлектрических пластинах со значением k 2≥0,05, где k - коэффициент электромеханической связи. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) МОДУЛЬ ПАВ 2 7 2 6 7 (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения R U Адрес для переписки: 644009, г.Омск, ул.Масленникова, 231, ФГУП ОНИИП (71) Заявитель(и): Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения RU 27 267 U1 RU 27 267 U1 RU 27 267 U1 RU 27 267 U1 RU 27 267 U1

Подробнее
Номер записи: 12
20-07-2004 дата публикации

УСТРОЙСТВО ПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

Номер: RU0000039224U1
Автор: Артемов А.Д., Южик И.Б.
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Новосибирский приборостроительный завод"

1. Устройство питания для электронно-оптического преобразователя, содержащее два параллельно расположенных генератора, к каждому из которых подсоединены умножители напряжения, отличающееся тем, что в него введены преобразователь и источник опорного напряжения, устройство ключевое, микроконтроллер, интегратор автоматической регулировки яркости и цифроаналоговые преобразователи, при этом вход микроконтроллера подключен к выходу интегратора автоматической регулировки яркости, а два выхода подключены к цифроаналоговым преобразователям. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительно снабжено шиной данных для цифровой регулировки уровней напряжений микроканальной пластины, экрана и тока автоматической регулировки яркости. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 39 224 (13) U1 (51) МПК H01L 27/142 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004103393/20 , 09.02.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 09.02.2004 (46) Опубликовано: 20.07.2004 (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Новосибирский приборостроительный завод" (RU) U 1 3 9 2 2 4 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели 1. Устройство питания для электронно-оптического преобразователя, содержащее два параллельно расположенных генератора, к каждому из которых подсоединены умножители напряжения, отличающееся тем, что в него введены преобразователь и источник опорного напряжения, устройство ключевое, микроконтроллер, интегратор автоматической регулировки яркости и цифроаналоговые преобразователи, при этом вход микроконтроллера подключен к выходу интегратора автоматической регулировки яркости, а два выхода подключены к цифроаналоговым преобразователям. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительно снабжено шиной данных для цифровой регулировки уровней напряжений микроканальной пластины, экрана и тока ...

Подробнее
Номер записи: 13
27-05-2005 дата публикации

ВТОРИЧНЫЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

Номер: RU0000045862U1
Автор: Артемов А.Д., Дейснер А.А., Южик И.Б.
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Новосибирский приборостроительный завод" (ФГУП "ПО "НПЗ"), Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральное конструкторское бюро точного приборостроения" (ФГУП "ЦКБ "Точприбор")

Устройство питания для электронно-оптического преобразователя, содержащее два параллельно расположенных генератора, к каждому из которых подсоединены умножители напряжения, преобразователь и источник опорного напряжения, устройство ключевое, микроконтроллер, интегратор автоматической регулировки яркости и цифроаналоговые преобразователи, при этом вход микроконтроллера подключен к выходу интегратора автоматической регулировки яркости, а два выхода подключены к цифроаналоговым преобразователям, отличающееся тем, что оно снабжено схемой защиты от засветок высокого уровня, выполненной на микроконтроллере. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 45 862 (13) U1 (51) МПК H01L 27/142 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2005101225/22 , 19.01.2005 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 19.01.2005 (45) Опубликовано: 27.05.2005 4 5 8 6 2 R U Формула полезной модели Устройство питания для электронно-оптического преобразователя, содержащее два параллельно расположенных генератора, к каждому из которых подсоединены умножители напряжения, преобразователь и источник опорного напряжения, устройство ключевое, микроконтроллер, интегратор автоматической регулировки яркости и цифроаналоговые преобразователи, при этом вход микроконтроллера подключен к выходу интегратора автоматической регулировки яркости, а два выхода подключены к цифроаналоговым преобразователям, отличающееся тем, что оно снабжено схемой защиты от засветок высокого уровня, выполненной на микроконтроллере. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) ВТОРИЧНЫЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ 4 5 8 6 2 (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Новосибирский приборостроительный завод" (ФГУП "ПО "НПЗ") (RU) , Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральное конструкторское бюро точного приборостроения" (ФГУП "ЦКБ " ...

Подробнее
Номер записи: 14
10-12-2005 дата публикации

МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ КОДОВЫЙ ФОТОПРИЕМНИК

Номер: RU0000050048U1
Автор: Кичина Н.Н., Кравченко Н.В., Лобиков Ю.В., Огнева О.В., Тришенков М.А., Филачев А.М., Хакуашев П.Е.
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" (ФГУП "НПО "ОРИОН")

1. Многоэлементный кодовый фотоприемник, содержащий полупроводниковую подложку одного типа проводимости с областями противоположного типа проводимости, образующими фоточувствительные площадки, размещенные в виде основных и дополнительных разрядов, отличающийся тем, что фоточувствительные площадки каждого разряда размещены в соответствии с кодом Грея, они содержат токопроводящие дорожки по периметру и электрически соединены между собою с помощью других токопроводящих дорожек, изолированных от полупроводниковой подложки. 2. Устройство по п.1, дополнительно содержащее стоп-область, проводимость которой того же типа, но значительно выше по значению, чем проводимость подложки, причем стоп-область размещена на поверхности подложки, свободной от фоточувствительных площадок. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 50 048 (13) U1 (51) МПК H01L 27/00 (2000.01) H01L 31/00 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2005118450/22 , 14.06.2005 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 14.06.2005 (45) Опубликовано: 10.12.2005 5 0 0 4 8 R U Формула полезной модели 1. Многоэлементный кодовый фотоприемник, содержащий полупроводниковую подложку одного типа проводимости с областями противоположного типа проводимости, образующими фоточувствительные площадки, размещенные в виде основных и дополнительных разрядов, отличающийся тем, что фоточувствительные площадки каждого разряда размещены в соответствии с кодом Грея, они содержат токопроводящие дорожки по периметру и электрически соединены между собою с помощью других токопроводящих дорожек, изолированных от полупроводниковой подложки. 2. Устройство по п.1, дополнительно содержащее стоп-область, проводимость которой того же типа, но значительно выше по значению, чем проводимость подложки, причем стоп-область размещена на поверхности подложки, свободной от фоточувствительных площадок. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ КОДОВЫЙ ...

Подробнее
Номер записи: 15
10-08-2006 дата публикации

ЧИП СВЧ-ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

Номер: RU0000055508U1
Автор: Божков Владимир Григорьевич, Геннеберг Владимир Александрович
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП")

1. Чип СВЧ-интегральной схемы с удаленной частью подложки эпитаксиального арсенида галлия i-n-n типа, содержащий функциональные элементы и электрические выводы питания и управления полоскового типа, отличающийся тем, что упомянутые электрические выводы шириной h сформированы вдоль границ чипа с возможностью их изгиба у основания и переориентации в пространстве перед монтажом чипа в корпус или держатель. 2. Чип СВЧ-интегральной схемы по п.1, отличающийся тем, что внешняя грань электрических выводов на торце у их основания закруглена радиусом не менее h/2, а на внутренней грани электрических выводов расположен диагональный щелевой вырез протяженностью не более h/4 с отступом от упомянутого торца не менее h. 3. Чип СВЧ-интегральной схемы по п.1, отличающийся тем, что против щелевого диагонального выреза на внешней грани электрических выводов расположен полукруглый вырез радиусом не менее h/2. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 55 508 (13) U1 (51) МПК H01L 27/02 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2006109737/22 , 27.03.2006 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 27.03.2006 (45) Опубликовано: 10.08.2006 (73) Патентообладатель(и): ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ" (ОАО "НИИПП") (RU) U 1 5 5 5 0 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели 1. Чип СВЧ-интегральной схемы с удаленной частью подложки эпитаксиального арсенида галлия i-n +-n типа, содержащий функциональные элементы и электрические выводы питания и управления полоскового типа, отличающийся тем, что упомянутые электрические выводы шириной h сформированы вдоль границ чипа с возможностью их изгиба у основания и переориентации в пространстве перед монтажом чипа в корпус или держатель. 2. Чип СВЧ-интегральной схемы по п.1, отличающийся тем, что внешняя грань электрических выводов на торце у их основания закруглена радиусом не менее h/2, а ...

Подробнее
Номер записи: 16
27-08-2006 дата публикации

КРЕМНИЕВЫЙ PIN-ФОТОДИОД БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ

Номер: RU0000056069U1
Автор: Кравченко Николай Владимирович, Огнева Ольга Викторовна, Филачев Анатолий Михайлович, Хакуашев Павел Евгеньевич, Чинарева Инна Викторовна
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" (ФГУП "НПО "ОРИОН")

Кремниевый pin-фотодиод большой площади, содержащий подложку р-типа проводимости, на которой сформирован фоточувствительный элемент (область с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки), отличающийся тем, что для его изготовления используются пластины толщиной ~400 мкм с удельным сопротивлением, лежащем строго в интервале 10-14 кОм·см. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 56 069 (13) U1 (51) МПК H01L 31/00 H01L 27/00 (2006.01) (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2005136094/22 , 21.11.2005 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 21.11.2005 (45) Опубликовано: 27.08.2006 (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" (ФГУП "НПО "ОРИОН") (RU) U 1 5 6 0 6 9 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Кремниевый pin-фотодиод большой площади, содержащий подложку р-типа проводимости, на которой сформирован фоточувствительный элемент (область с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки), отличающийся тем, что для его изготовления используются пластины толщиной ~400 мкм с удельным сопротивлением, лежащем строго в интервале 10-14 кОм·см. 5 6 0 6 9 (54) КРЕМНИЕВЫЙ PIN-ФОТОДИОД БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ R U Адрес для переписки: 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2, ФГУП "НПО "ОРИОН", патентно-лицензионный отдел (72) Автор(ы): Филачев Анатолий Михайлович (RU), Кравченко Николай Владимирович (RU), Хакуашев Павел Евгеньевич (RU), Огнева Ольга Викторовна (RU), Чинарева Инна Викторовна (RU) RU 5 10 15 20 56 069 U1 Заявляемый кремниевый pin-фотодиод (ФД) большой площади относится к области полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению с длиной волны 0,9 мкм и 1,06 мкм, и предназначен для использования в оптико-электронных системах определения координат источников излучения, в том числе в условиях высокой фоновой засветки. Известен аналог - кремниевый pin-фотодиод большой площади ...

Подробнее
Номер записи: 17
27-05-2007 дата публикации

ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА (ВАРИАНТЫ)

Номер: RU0000063600U1
Автор: Володин Евгений Борисович, Гиндин Павел Дмитриевич, Ежов Виктор Петрович, Карпов Владимир Владимирович, Климов Александр Эдуардович, Смолин Олег Витальевич, Сусов Евгений Васильевич, Шумский Владимир Николаевич
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Московский завод "Сапфир"

1. Фотоприемное устройство инфракрасного диапазона, содержащее кремниевую подложку и фоточувствительные элементы из материала PbSnTe, легированного In, соединенные со схемой обработки сигнала, отличающееся тем, что фоточувствительные элементы размещены непосредственно на кремниевой подложке, в которой под фоточувствительными элементами расположена область обеднения противоположного подложке типа проводимости с выполненными в ней подконтактными областями, соединенными с размещенной в подложке сверхбольшой интегральной схемой (СБИС) мультиплексора обработки сигнала. 2. Фотоприемное устройство инфракрасного диапазона по п.1, отличающееся тем, что фоточувствительные элементы выполнены в виде фоторезисторов. 3. Фотоприемное устройство инфракрасного диапазона по п.1, отличающееся тем, что фоточувствительные элементы выполнены в виде фотодиодов. 4. Фотоприемное устройство инфракрасного диапазона, содержащее кремниевую подложку и фоточувствительные элементы на основе многокомпонентного соединения, соединенные со схемой обработки сигнала, отличающееся тем, что фоточувствительные элементы выполнены из материала PbSnGeTe, легированного In, и размещены непосредственно на кремниевой подложке, в которой под фоточувствительными элементами расположена область обеднения противоположного подложке типа проводимости с выполненными в ней подконтактными областями, соединенными с размещенной в подложке СБИС мультиплексора обработки сигнала. 5. Фотоприемное устройство инфракрасного диапазона по п.4, отличающееся тем, что фоточувствительные элементы выполнены в виде фоторезисторов. 6. Фотоприемное устройство инфракрасного диапазона по п.4, отличающееся тем, что фоточувствительные элементы выполнены в виде фотодиодов. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 63 600 (13) U1 (51) МПК H01L 27/14 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2007105173/22 , 13.02.2007 (24) Дата начала отсчета срока ...

Подробнее
Номер записи: 18
27-11-2007 дата публикации

СВЕРХСКОРОСТНАЯ ГИБРИДНАЯ ВИДЕОГРАФИЧЕСКАЯ СИСТЕМА

Номер: RU0000068716U1
Автор: Фельдман Григорий Геннадьевич
Принадлежит: Фельдман Григорий Геннадьевич

Сверхскоростная гибридная видеографическая система, включающая скоростную телевизионную камеру, компьютер, электронно-оптический преобразователь (ЭОП), состоящий из: фотокатода, фокусирующего электрода, анода, двух пар отклоняющих пластин, люминесцентного экрана и микроканальной усилительной пластины, которая выполнена с возможностью работы в качестве электронного затвора и усилителя тока одновременно. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 68 716 (13) U1 (51) МПК G02B 6/42 (2006.01) H01L 27/148 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2007106227/22 , 20.02.2007 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 20.02.2007 (45) Опубликовано: 27.11.2007 (72) Автор(ы): Фельдман Григорий Геннадьевич (RU) (73) Патентообладатель(и): Фельдман Григорий Геннадьевич (RU) U 1 6 8 7 1 6 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Сверхскоростная гибридная видеографическая система, включающая скоростную телевизионную камеру, компьютер, электронно-оптический преобразователь (ЭОП), состоящий из: фотокатода, фокусирующего электрода, анода, двух пар отклоняющих пластин, люминесцентного экрана и микроканальной усилительной пластины, которая выполнена с возможностью работы в качестве электронного затвора и усилителя тока одновременно. 6 8 7 1 6 (54) СВЕРХСКОРОСТНАЯ ГИБРИДНАЯ ВИДЕОГРАФИЧЕСКАЯ СИСТЕМА R U Адрес для переписки: 127410, Москва, ул. Стандартная, 25, кв.52, Е.В. Мохову U 1 U 1 6 8 7 1 6 6 8 7 1 6 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 68 716 U1 Область применения Полезная модель относится к телевизионной технике и может быть использовано в системах наблюдения быстропротекающих процессов. Уровень техники Для исследований в различных областях науки и техники, таких как квантовая электроника, физика плазмы, аэродинамика, баллистика, биология и многих других используют скоростные видеокамеры, которые регистрируют различные стадии быстропротекающих процессов. ...

Подробнее
Номер записи: 19
27-11-2007 дата публикации

ВТОРИЧНЫЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

Номер: RU0000068779U1
Автор: Артемов Алексей Дмитриевич, Дейснер Александр Александрович, Южик Игорь Борисович
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Новосибирский приборостроительный завод" (ФГУП "ПО "НПЗ"), Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральное конструкторское бюро точного приборостроения" (ФГУП "ЦКБ "Точприбор")

Вторичный источник питания для электронно-оптического преобразователя, содержащий преобразователь напряжения, микроконтроллер с температурным датчиком, аналого-цифровым преобразователем и схемой защиты от засветок высокого уровня, первый и второй цифроаналоговые преобразователи, источник опорного напряжения, интегратор автоматической регулировки яркости, ключевое устройство, генератор синусоидальных сигналов фотокатодов и микроканальной пластины, генератор синусоидальных сигналов экрана, умножитель напряжений фотокатодов и микроканальной пластины, умножитель напряжений экрана, при этом вход преобразователя напряжений, первый вход генератора синусоидальных сигналов фотокатодов и микроканальной пластины и первый вход генератора синусоидальных сигналов экрана соединены с входной шиной питания, выход преобразователя напряжений соединен с первым входом микроконтроллера, первым входом первого цифроаналогового преобразователя, первым входом второго цифроаналогового преобразователя, входом источника опорного напряжения, второй вход микроконтроллера соединен с шиной данных, третий вход микроконтроллера соединен с выходом источника опорного напряжения, первый и второй выходы микроконтроллера соединены соответственно со вторыми входами первого и второго цифроаналоговых преобразователей, третьи входы первого и второго цифроаналоговых преобразователей соединены с выходом источника опорного напряжения, выход первого цифроаналогового преобразователя соединен со вторым входом генератора синусоидальных сигналов фотокатодов и микроканальной пластины, выход второго цифроаналогового преобразователя соединен со вторым входом генератора синусоидальных сигналов экрана, выход генератора синусоидальных сигналов фотокатодов и микроканальной пластины соединен с первым входом умножителя напряжений фотокатодов и микроканальной пластины, первый выход генератора синусоидальных сигналов экрана соединен со входом умножителя напряжений экрана, а второй со входами ключевого устройства и интегратора ...

Подробнее
Номер записи: 20
20-01-2008 дата публикации

МНОГОСЛОЙНЫЙ КВАЗИМОНОЛИТНЫЙ СУБМОДУЛЬ СВЧ

Номер: RU0000070410U1
Автор: Аржанов Сергей Николаевич, Баров Александр Анатольевич, Гюнтер Виктор Яковлевич
Принадлежит: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ ФИРМА "МИКРАН"

1. Многослойный квазимонолитный субмодуль СВЧ-диапазона, включающий подложку с расположенными в ней кристаллами СВЧ МИС и диэлектрические слои, отличающийся тем, что с лицевой стороны подложки выполнены прецизионные углубления для кристаллов СВЧ МИС и расположена пассивная часть топологии, а на поверхность подложки нанесены диэлектрические слои толщиной 20-30 мкм, причем через сформированные в каждом диэлектрическом слое межслойные отверстия кристаллы СВЧ МИС соединены с токоведущими проводниками пассивной части топологии субмодуля. 2. Многослойный квазимонолитный субмодуль СВЧ-диапазона по п.1, отличающийся тем, что в качестве органического диэлектрика применяется полиимидный лак или парилен. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 70 410 (13) U1 (51) МПК H01L 27/02 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2007125369/22 , 21.06.2007 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 21.06.2007 (45) Опубликовано: 20.01.2008 (73) Патентообладатель(и): ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ ФИРМА "МИКРАН" (RU) U 1 7 0 4 1 0 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели 1. Многослойный квазимонолитный субмодуль СВЧ-диапазона, включающий подложку с расположенными в ней кристаллами СВЧ МИС и диэлектрические слои, отличающийся тем, что с лицевой стороны подложки выполнены прецизионные углубления для кристаллов СВЧ МИС и расположена пассивная часть топологии, а на поверхность подложки нанесены диэлектрические слои толщиной 20-30 мкм, причем через сформированные в каждом диэлектрическом слое межслойные отверстия кристаллы СВЧ МИС соединены с токоведущими проводниками пассивной части топологии субмодуля. 2. Многослойный квазимонолитный субмодуль СВЧ-диапазона по п.1, отличающийся тем, что в качестве органического диэлектрика применяется полиимидный лак или парилен. 7 0 4 1 0 (54) МНОГОСЛОЙНЫЙ КВАЗИМОНОЛИТНЫЙ СУБМОДУЛЬ СВЧ R U Адрес для переписки: ...

Подробнее
Номер записи: 21
27-04-2008 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Номер: RU0000072788U1
Автор: Игнатьев Александр Анатольевич, Куликов Михаил Николаевич, Ляшенко Александр Викторович, Романченко Лариса Александровна, Солопов Александр Александрович
Принадлежит: ОАО "НИИ-Тантал"

Устройство для измерения магнитного поля, содержащее первичный преобразователь магнитного поля, электронную систему обработки сигнала, индикатор сигнала, отличающееся тем, что первичный преобразователь магнитного поля помещен внутрь проводящего немагнитного цилиндра или кольца, при этом центр цилиндра или кольца совпадает с центром магниточувствительного элемента преобразователя магнитного поля, а ось симметрии цилиндра или кольца совпадает с направлением магниточувствительной оси первичного преобразователя магнитного поля. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 72 788 (13) U1 (51) МПК H01L 43/08 (2006.01) G01R 33/05 (2006.01) H01L 27/14 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2007125198/22 , 03.07.2007 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 03.07.2007 (45) Опубликовано: 27.04.2008 (73) Патентообладатель(и): ОАО "НИИ-Тантал" (RU) U 1 7 2 7 8 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Устройство для измерения магнитного поля, содержащее первичный преобразователь магнитного поля, электронную систему обработки сигнала, индикатор сигнала, отличающееся тем, что первичный преобразователь магнитного поля помещен внутрь проводящего немагнитного цилиндра или кольца, при этом центр цилиндра или кольца совпадает с центром магниточувствительного элемента преобразователя магнитного поля, а ось симметрии цилиндра или кольца совпадает с направлением магниточувствительной оси первичного преобразователя магнитного поля. 7 2 7 8 8 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ R U Адрес для переписки: 410040, г.Саратов, пр-кт 50 лет Октября, 110А, ОАО "НИИ-Тантал" (72) Автор(ы): Игнатьев Александр Анатольевич (RU), Куликов Михаил Николаевич (RU), Ляшенко Александр Викторович (RU), Романченко Лариса Александровна (RU), Солопов Александр Александрович (RU) RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 72 788 U1 Полезная модель относится к области магнитных измерений и может быть ...

Подробнее
Номер записи: 22
20-01-2009 дата публикации

ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ С КОНДУКТИВНЫМ ОТВОДОМ ТЕПЛА

Номер: RU0000080068U1
Автор: Гаскель Алексей Владимирович, Данченков Павел Иванович, Карих Алексей Анатольевич, Соловьев Алексей Александрович
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Лантан"

1. Источник электропитания с кондуктивным отводом тепла, содержащий печатную плату с электронными компонентами, модули вторичного питания с теплоотводящими пластинами, отличающийся тем, что модули вторичного питания присоединены через теплоотводящие пластины к стенке корпуса электронного блока. 2. Источник по п.1, отличающийся тем, что модули вторичного питания присоединены к стенке корпуса электронного блока через крепежные отверстия теплоотводящих пластин. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 80 068 U1 (51) МПК H01L 27/00 (2006.01) H05K 1/00 (2006.01) H01M 6/40 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2008136165/22, 09.09.2008 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 09.09.2008 (45) Опубликовано: 20.01.2009 (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Лантан" (RU) U 1 8 0 0 6 8 R U Ñòðàíèöà: 1 ru CL U 1 Формула полезной модели 1. Источник электропитания с кондуктивным отводом тепла, содержащий печатную плату с электронными компонентами, модули вторичного питания с теплоотводящими пластинами, отличающийся тем, что модули вторичного питания присоединены через теплоотводящие пластины к стенке корпуса электронного блока. 2. Источник по п.1, отличающийся тем, что модули вторичного питания присоединены к стенке корпуса электронного блока через крепежные отверстия теплоотводящих пластин. 8 0 0 6 8 (54) ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ С КОНДУКТИВНЫМ ОТВОДОМ ТЕПЛА R U Адрес для переписки: 105082, Москва, ул. Б. Почтовая, 55/59, Открытое акционерное общество "Лантан", генеральному директору Б.Н. Рябову (72) Автор(ы): Гаскель Алексей Владимирович (RU), Данченков Павел Иванович (RU), Карих Алексей Анатольевич (RU), Соловьев Алексей Александрович (RU) U 1 U 1 8 0 0 6 8 8 0 0 6 8 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 80 068 U1 Предлагаемый источник электропитания с кондуктивным отводом тепла относится к области радиоэлектроники, в частности, ...

Подробнее
Номер записи: 23
20-03-2009 дата публикации

СПИНОВЫЙ ТРАНЗИСТОР С ДОПОЛНИТЕЛЬНЫМ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫМ КАНАЛОМ СТАБИЛИЗАЦИИ ФАЗОВОГО СДВИГА

Номер: RU0000081598U1
Автор: Баграев Николай Таймуразович, Клячкин Леонид Ефимович
Принадлежит: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский политехнический университет" (ГОУ СПбГПУ)

Спиновый транзистор, выполненный на основе полевого транзистора с узким продольным каналом проводимости носителей тока, содержащий соединенные между собой контакты исток-сток, вертикальные затворы, отличающийся тем, что к нему параллельно подсоединен двумерный канал проводимости носителей тока, ширина которого превосходит ширину продольного канала проводимости спинового транзистора. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 81 598 U1 (51) МПК H01L 21/335 (2006.01) H01L 27/088 (2006.01) H01L 29/772 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2008142236/22, 15.10.2008 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 15.10.2008 (45) Опубликовано: 20.03.2009 (73) Патентообладатель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский политехнический университет" (ГОУ СПбГПУ) (RU) U 1 8 1 5 9 8 R U Ñòðàíèöà: 1 ru CL U 1 Формула полезной модели Спиновый транзистор, выполненный на основе полевого транзистора с узким продольным каналом проводимости носителей тока, содержащий соединенные между собой контакты исток-сток, вертикальные затворы, отличающийся тем, что к нему параллельно подсоединен двумерный канал проводимости носителей тока, ширина которого превосходит ширину продольного канала проводимости спинового транзистора. 8 1 5 9 8 (54) СПИНОВЫЙ ТРАНЗИСТОР С ДОПОЛНИТЕЛЬНЫМ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫМ КАНАЛОМ СТАБИЛИЗАЦИИ ФАЗОВОГО СДВИГА R U Адрес для переписки: 195251, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 29, ГОУ "СанктПетербургский политехнический университет", первому проректору А.И. Рудскому (72) Автор(ы): Баграев Николай Таймуразович (RU), Клячкин Леонид Ефимович (RU) U 1 U 1 8 1 5 9 8 8 1 5 9 8 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 81 598 U1 Полезная модель относится к электронной технике, в частности, к транзисторам. Известны спиновые транзисторы, описанные в работах: Timp G., Baranger H.U., de Vegvar P., ...

Подробнее
Номер записи: 24
20-07-2009 дата публикации

ИНФРАКРАСНЫЙ ПОДСВЕТЧИК С ОПТИМИЗИРОВАННОЙ ДИАГРАММОЙ НАПРАВЛЕННОСТИ СИСТЕМЫ ВИДЕОНАБЛЮДЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

Номер: RU0000085035U1
Автор: Вето Александр Владимирович, Скакун Александр Владиславович
Принадлежит: Вето Александр Владимирович, Скакун Александр Владиславович

1. Инфракрасный подсветчик с оптимизированной диаграммой направленности системы видеонаблюдения, содержащий круговой ряд светоизлучающих диодов, равномерно концентрично размещенных вокруг объектива, оси излучения светоизлучающих диодов расположены под углом к оптической оси объектива, расходясь от нее, при этом ось излучения каждого светоизлучающего диода расположена в одной плоскости с соответствующим радиусом кругового ряда, а соединительные ножки каждого светоизлучающего диода концентрично размещены вокруг объектива, соединены с источником электрического питания и расположены в плоскостях, параллельных плоскости, в которой расположена ось излучения соответствующего светоизлучающего диода, отличающийся тем, что в нем между светоизлучающими диодами и объективом размещены дополнительные концентрические круговые ряды, образованные светоизлучающими диодами и расположенные концентрично круговому ряду светоизлучающих диодов, при этом оси излучения светоизлучающих диодов каждого кругового ряда отклонены от осей излучения светоизлучающих диодов смежных рядов в направлении от объектива на угол, соответствующий половине угла излучения, при котором сила света соответствует 50% от максимального значения, кроме того, оси излучения светоизлучающих диодов, образующих дополнительные концентрические круговые ряды, расположены в одной плоскости с соответствующими радиусами кругового ряда. 2. Подсветчик по п.1, отличающийся тем, что оси излучения светоизлучающих диодов смежного объективу дополнительного кругового ряда параллельны оптической оси объектива. 3. Подсветчик по п.1, отличающийся тем, что соединительные ножки светоизлучающих диодов каждого дополнительного кругового ряда расположены в плоскостях, параллельных плоскости, в которой расположена ось излучения соответствующего светоизлучающего диода. 4. Подсветчик по п.1, отличающийся тем, что радиус кругового ряда является радиусом окружности, проходящей через центры круглых оснований светоизлучающих диодов кругового ряда. 5. ...

Подробнее
Номер записи: 25
20-07-2009 дата публикации

УСТРОЙСТВО ПОДСВЕТКИ

Номер: RU0000085036U1
Автор: Вето Александр Владимирович, Дмитриев Владимир Павлович
Принадлежит: Вето Александр Владимирович, Дмитриев Владимир Павлович

1. Устройство подсветки, содержащее источник излучения, соединенный с пороговым устройством, которое соединено с входным устройством, отличающееся тем, что входное устройство является светопринимающим диодом, принимающим волны, имеющие меньшую длину волны, чем длины волн, излучаемых источником излучения. 2. Устройство подсветки по п.1, отличающееся тем, что источник излучения является источником инфракрасного излучения, излучающим волны в диапазоне 0,8-1 мкм. 3. Устройство подсветки по п.1, отличающееся тем, что светопринимающий диод имеет ширину полосы пропускания 20±10 нм. 4. Устройство подсветки по п.1, отличающееся тем, что светопринимающий диод является диодом, принимающим волны в диапазоне 0,3-0,7 мкм. 5. Устройство подсветки по п.1, отличающееся тем, что светопринимающий диод является диодом, принимающим волны синего видимого света. 6. Устройство подсветки по п.1, отличающееся тем, что светопринимающий диод является диодом, принимающим волны зеленого видимого света. 7. Устройство подсветки по п.1, отличающееся тем, что светопринимающий диод является диодом, принимающим волны красного видимого света. 8. Устройство подсветки по п.1, отличающееся тем, что источник излучения выполнен в виде множества светоизлучающих диодов, излучающих волны в инфракрасном диапазоне. 9. Устройство подсветки по п.1, отличающееся тем, что между светопринимающим диодом и пороговым устройством установлен, по меньшей мере, один усилитель сигналов. 10. Устройство подсветки по п.8, отличающееся тем, что светоизлучающие диоды, излучающие волны в инфракрасном диапазоне, и светопринимающий диод расположены в одной плоскости. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 85 036 U1 (51) МПК H01L 27/32 H01L 27/30 (2006.01) (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2009102773/22, 28.01.2009 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.01.2009 (45) Опубликовано: 20.07.2009 (73) ...

Подробнее
Номер записи: 26
05-01-2012 дата публикации

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер: US20120003800A1
Автор: Changhyun LEE, Hansoo Kim, Jaehoon Jang, Kihyun Kim, Sunghoi Hur, Sunil Shim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

Methods of forming nonvolatile memory devices according to embodiments of the invention include techniques to form highly integrated vertical stacks of nonvolatile memory cells. These vertical stacks of memory cells can utilize dummy memory cells to compensate for process artifacts that would otherwise yield relatively poor functioning memory cell strings when relatively large numbers of memory cells are stacked vertically on a semiconductor substrate using a plurality of vertical sub-strings electrically connected in series.

Подробнее
Номер записи: 27
10-10-2009 дата публикации

ГЕТЕРОЭЛЕКТРИК (ВАРИАНТЫ)

Номер: RU0000087567U1
Автор: Займидорога Олег Антонович, Проценко Игорь Евгеньевич, Рудой Виктор Моисеевич
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Новые энергетические технологии"

1. Гетероэлектрик для воздействия на электромагнитные поля, состоящий из носителя и введенного в носитель активного начала, представляющего собой наночастицы вещества, отличного от вещества указанного носителя, расположенные в указанном носителе так, что среднее расстояние между указанными наночастицами меньше или порядка корня кубического из поляризуемости указанных наночастиц в веществе указанного носителя, отличающийся тем, что указанные наночастицы выполнены композитными в виде ядра и одной или нескольких оболочек из материалов, выбранных из группы: проводники, полупроводники или диэлектрики так, что соотношение толщин указанных оболочек и радиуса указанного ядра обеспечивает значение диэлектрической функции гетероэлектрика, отличное от значений диэлектрических функций указанных носителя и активного начала, на длине волны электромагнитного поля, для воздействия на которое предназначен указанный гетероэлектрик, а указанные оболочки имеют толщины не менее 5 атомных/молекулярных слоев. 2. Гетероэлектрик для воздействия на электромагнитные поля, состоящий из носителя и введенного в носитель активного начала, представляющего собой наночастицы вещества, отличного от вещества указанного носителя, причем указанные наночастицы имеют, по меньшей мере, один максимум в частотной зависимости поляризуемости в веществе данного носителя, отличающийся тем, что указанные наночастицы выполнены композитными из материалов, выбранных из группы: проводники, полупроводники или диэлектрики, и представляют собой ядро в одной или нескольких оболочках, причем, по меньшей мере, одна из оболочек и/или ядро композитной наночастицы выполнены из металла, соотношение толщин указанных оболочек и радиуса указанного ядра обеспечивает положение максимума в частотной зависимости поляризуемости наночастиц в веществе данного носителя, совпадающее, в пределах ширины пика частотной зависимости, с частотой электромагнитного поля, для преобразования которого предназначен указанный гетероэлектрик, а ...

Подробнее
Номер записи: 28
27-10-2009 дата публикации

ДЕТЕКТОР УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер: RU0000088211U1
Автор: Козырев Юрий Дмитриевич, Либерова Галина Владимировна, Лобиков Юрий Валентинович, Мирошниченко Марина Олеговна, Сидоров Михаил Сергеевич, Хромова Татьяна Анатольевна
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН"

Детектор ультрафиолетового излучения, содержащий коллекторную область подложки, тонкую высоколегированную область эмиттера, просветляющую пленку двуокиси кремния на рабочей стороне коллекторной области подложки, отличающийся тем, что содержит тонкую низколегированную область базы и металлизацию, закорачивающую низколегированную область базы и коллекторную область подложки. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 88 211 (13) U1 (51) МПК H01L 31/101 (2006.01) H01L 27/082 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2009125794/22, 06.07.2009 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 06.07.2009 (45) Опубликовано: 27.10.2009 Адрес для переписки: 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2, ФГУП "НПО "Орион", патентно-лицензионный отдел (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион" (RU) U 1 8 8 2 1 1 R U Ñòðàíèöà: 1 ru CL U 1 Формула полезной модели Детектор ультрафиолетового излучения, содержащий коллекторную область подложки, тонкую высоколегированную область эмиттера, просветляющую пленку двуокиси кремния на рабочей стороне коллекторной области подложки, отличающийся тем, что содержит тонкую низколегированную область базы и металлизацию, закорачивающую низколегированную область базы и коллекторную область подложки. 8 8 2 1 1 (54) ДЕТЕКТОР УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ R U (72) Автор(ы): Либерова Галина Владимировна (RU), Лобиков Юрий Валентинович (RU), Мирошниченко Марина Олеговна (RU), Сидоров Михаил Сергеевич (RU), Хромова Татьяна Анатольевна (RU), Козырев Юрий Дмитриевич (RU) U 1 U 1 8 8 2 1 1 8 8 2 1 1 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 88 211 U1 Заявляемый кремниевый детектор относится к области полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению ультрафиолетового диапазона, и предназначен для использования в устройствах детектирования лазерного излучения, спектрофотометрии, в системах обнаружения пламени ...

Подробнее
Номер записи: 29
10-11-2009 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ БЛОК ГЕНЕРАТОРА ТРАНСПОРТНОГО СРЕДСТВА

Номер: RU0000088478U1
Автор: Потешкин Валерий Александрович
Принадлежит: ООО "Фирма "АСТРО"

Полупроводниковый выпрямительный блок генератора транспортного средства, содержащий основания-радиаторы с гнездами под выпрямительные диоды, выпрямительные диоды, токопроводящие соединения выпрямительных диодов, отличающийся тем, что выпрямительные диоды выполнены бескорпусными, закреплены в гнездах оснований-радиаторов и залиты электроизоляционным компаундом, а токопроводящие соединения выполнены в виде единой металлической пластины, концы которой скреплены с полюсами бескорпусных выпрямительных диодов. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 88 478 (13) U1 (51) МПК H01L 27/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2009123881/22, 22.06.2009 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 22.06.2009 (45) Опубликовано: 10.11.2009 (72) Автор(ы): Потешкин Валерий Александрович (RU) (73) Патентообладатель(и): ООО "Фирма "АСТРО" (RU) U 1 8 8 4 7 8 R U Ñòðàíèöà: 1 ru CL U 1 Формула полезной модели Полупроводниковый выпрямительный блок генератора транспортного средства, содержащий основания-радиаторы с гнездами под выпрямительные диоды, выпрямительные диоды, токопроводящие соединения выпрямительных диодов, отличающийся тем, что выпрямительные диоды выполнены бескорпусными, закреплены в гнездах оснований-радиаторов и залиты электроизоляционным компаундом, а токопроводящие соединения выполнены в виде единой металлической пластины, концы которой скреплены с полюсами бескорпусных выпрямительных диодов. 8 8 4 7 8 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ БЛОК ГЕНЕРАТОРА ТРАНСПОРТНОГО СРЕДСТВА R U Адрес для переписки: 440039, г.Пенза-39, а/я 1504, НПК "Старт", А.Ю. Комарову U 1 U 1 8 8 4 7 8 8 8 4 7 8 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 88 478 U1 Полезная модель относится к системам электроснабжения транспортных средств, а именно к полупроводниковым выпрямительным блокам генератора транспортного средства. Известен блок полупроводниковый выпрямительный мод. БПВ46- ...

Подробнее
Номер записи: 30
10-03-2010 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (ВАРИАНТЫ)

Номер: RU0000092243U1
Автор: Заддэ Виталий Викторович, Кузнецов Александр Николаевич, Стребков Дмитрий Семенович, Чепа Алексей Васильевич
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Новые энергетические технологии"

1. Полупроводниковый фотопреобразователь, содержащий базовую область, выполненную в виде пластины полупроводникового материала p-или n-типа проводимости, диодные структуры с n-p (p-n) переходами на рабочей поверхности, на которую падает излучение, и изотипные p-p (n-n) переходы на противоположной поверхности, плоскости p-n (n-p) переходов и изотипных переходов параллельны рабочей поверхности, p-n (n-p) переходы выполнены в виде отдельных участков, скоммутированных с помощью контактов к легированному слою, расстояние между отдельными участками с p-n (n-p) переходами не превышает удвоенной диффузионной длины неосновных носителей заряда в базовой области, отличающийся тем, что фотопреобразователь на рабочей поверхности в базовой области, свободной от p-n (n-p) переходов, содержит изолированные области с дополнительными изотипными p-p (n-n) переходами, которые выполнены между каждыми двумя соседними участками с p-n (n-p) переходами, плоскости дополнительных изолированных изотипных переходов параллельны рабочей поверхности, над дополнительными изотипными переходами расположены контактные полосы, которые изолированы от дополнительных изотипных переходов пассивирующей окисной пленкой и соединены изолированной от базовой области контактной полосой с контактом к легированному слою диодных структур, а участки базовой области, свободные от контактов, содержат пассивирующую просветляющую пленку. 2. Полупроводниковый фотопреобразователь, содержащий базовую область, выполненную в виде пластины полупроводникового материала p-или n-типа проводимости, диодные структуры с n-p (p-n) переходами на рабочей поверхности, на которую падает излучение, и изотипные р-p (n-n) переходы на тыльной поверхности, плоскости p-n переходов и изотипных переходов параллельны рабочей поверхности, p-n (n-p) переходы выполнены в виде отдельных участков, скоммутированных с помощью контактов к легированному слою, расстояние между отдельными участками с p-n (n-p) переходами не превышает удвоенной диффузионной ...

Подробнее
Номер записи: 31
20-05-2010 дата публикации

ФЛЭШ-ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Номер: RU0000094378U1
Автор: Гриценко Владимир Алексеевич
Принадлежит: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН)

1. Флэш-элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку со сформированными в ней с планарной стороны истоком и стоком, последовательно выполненные на подложке между истоком и стоком туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор, отличающийся тем, что запоминающий слой выполнен из диэлектрика с большим значением диэлектрической проницаемости в диапазоне от 10 до 100, с концентрацией электронных и дырочных ловушек, свойственной запоминающей среде. 2. Флэш-элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что запоминающий слой выполнен из диэлектрика с большим значением диэлектрической проницаемости в диапазоне от 10 до 100, с концентрацией электронных и дырочных ловушек, свойственной запоминающей среде, любого из перечисленных: TiO, TaO, AlTaO, AlHfO, TaON, HfO, HfSiON, HfON, ErO, LaO, ZrO, ZrON, ZrHfO, AlZrO, ZrSiO, GdO, YO, GaO, AlON. 3. Флэш-элемент памяти по п.1 или 2, отличающийся тем, что запоминающий слой выполнен толщиной 4,0÷30,0 нм. 4. Флэш-элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что туннельный слой выполнен из оксида кремния толщиной 2,0÷5,0 нм. 5. Флэш-элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что блокирующий слой выполнен из оксида кремния или диэлектрика с диэлектрической проницаемостью, большей, чем у оксида кремния. 6. Флэш-элемент памяти по п.5, отличающийся тем, что блокирующий слой выполнен из любого диэлектрика: ВаТаО, BaSrTiO, BaSrNbO, PbZnNbО, PbZrTiO, LiNbO, BiLaTiO, BiSrCuO, BiTiO, SrBiTaO, SrBiTaVO, SrTiNbO, SrNbO, SrTaO, SrZrO, PbTiO, LaAlO, KTaO, TiO, TaO, AlTaO, TaON, HfO, HfSiON, HfON, ErO, LaO, ZrO, ZrON, ZrSiO, GdO, YO, SiON, AlON, AlO. 7. Флэш-элемент памяти по п.1, или 5, или 6, отличающийся тем, что блокирующий слой выполнен толщиной 3,0÷100,0 нм. 8. Флэш-элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что затвор выполнен из поликремния, или тугоплавкого металла, или силицида тугоплавкого металла. 9. Флэш-элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что ...

Подробнее
Номер записи: 32
27-08-2010 дата публикации

ФЛЭШ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Номер: RU0000097215U1
Автор: Гриценко Владимир Алексеевич
Принадлежит: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИПФ СО РАН)

1. Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку с выполненными в ней с планарной стороны истоком и стоком, блокирующий слой, запоминающий слой, туннельный слой и проводящий затвор, отличающийся тем, что блокирующий слой размещен на планарной стороне подложки между истоком и стоком, запоминающий слой выполнен на блокирующем, туннельный слой выполнен на запоминающем слое, а проводящий затвор - на туннельном слое, при этом запоминающий слой выполнен в виде нанокластеров из материала, имеющего значение величины работы выхода, препятствующее стеканию заряда, захваченного запоминающей средой, в сравнении с нитридом кремния. 2. Флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что подложка выполнена из кремния р-типа проводимости, блокирующий слой выполнен из оксида кремния (SiO), туннельный слой выполнен из оксида кремния (SiO), а затвор - из поликремния n-типа проводимости. 3. Флэш элемент памяти по п.1 или 2, отличающийся тем, что туннельный слой выполнен толщиной 1,5÷2,5 нм, блокирующий слой выполнен толщиной около 4 нм. 4. Флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что запоминающий слой выполнен в виде нанокластеров из материала, имеющего значение величины работы выхода, препятствующее стеканию заряда, захваченного запоминающей средой в сравнении с нитридом кремния, а именно, металла с большой величиной потенциального барьера для стекания заряда, более 3,1 эВ. 5. Флэш элемент памяти по п.1 или 4, отличающийся тем, что запоминающий слой выполнен из нанокластеров, диаметр которых равен 0,5÷5,0 нм. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 97 215 (13) U1 (51) МПК H01L 27/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2010118983/28, 11.05.2010 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 11.05.2010 (45) Опубликовано: 27.08.2010 (73) Патентообладатель(и): Учреждение Российской академии наук ...

Подробнее
Номер записи: 33
10-09-2010 дата публикации

МОЩНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

Номер: RU0000097565U1
Автор: Войтович Виктор Евгеньевич, Гордеев Александр Иванович, Думаневич Анатолий Николаевич
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб")

Мощный полупроводниковый прибор для высокочастотного переключения, содержащий интегрально собранные в трех и более выводных корпусах или кристаллодержателях кристаллы мощного кремниевого (Si) n-канального высоковольтного полевого транзистора с изолированным затвором, кремниевого (Si) сверхбыстродействующего диода, катод которого подключен к стоку кремниевого полевого транзистора, карбид-кремниевого (SiC) высоковольтного сверхбыстродействующего диода, анод которого подключен к истоку кремниевого (Si) полевого транзистора, а катод - к аноду кремниевого (Si) диода, образуя трехвыводной транзисторно-диодный ключ с полевым управлением, отличающийся тем, что вместо кристалла высоковольтного сверхбыстродействующего карбид-кремниевого (SiC) диода используются кристаллы высоковольтных сверхбыстродействующих диодов на основе p-i-n структур соединений галлия-мышьяка (GaAs) или p-i-n гетероэпитаксиальных структур на основе соединений галлия-мышьяка/галлия-алюминия-мышьяка (GaAs/AlGaAs). РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 97 565 (13) U1 (51) МПК H01L 27/02 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2010107580/22, 03.03.2010 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 03.03.2010 (45) Опубликовано: 10.09.2010 (73) Патентообладатель(и): Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") (RU) U 1 9 7 5 6 5 R U Ñòðàíèöà: 1 ru CL U 1 Формула полезной модели Мощный полупроводниковый прибор для высокочастотного переключения, содержащий интегрально собранные в трех и более выводных корпусах или кристаллодержателях кристаллы мощного кремниевого (Si) n-канального высоковольтного полевого транзистора с изолированным затвором, кремниевого (Si) сверхбыстродействующего диода, катод которого подключен к стоку кремниевого полевого транзистора, карбид-кремниевого (SiC) высоковольтного сверхбыстродействующего диода, анод которого подключен к истоку кремниевого (Si) ...

Подробнее
Номер записи: 34
10-01-2011 дата публикации

РЕЛЕ ТВЕРДОТЕЛЬНОЕ

Номер: RU0000101267U1
Автор: Федосов Владимир Семенович
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Протон" ОАО "Протон"

Реле твердотельное, характеризующееся тем, что оно состоит из светодиода, оптически связанного с ним кристалла фотоприемника и подключенных к нему кристаллов ДМОП-транзисторов, прикрепленных к траверсе рамки, которая имеет продолжение, выходящее за габариты корпуса и объединяющее два и более соседних выводов со стороны каждого ДМОП-транзистора. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 101 267 (13) U1 (51) МПК H01L 27/14 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22) Заявка: 2010134182/28, 16.08.2010 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 16.08.2010 (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Протон" ОАО "Протон" (RU) (45) Опубликовано: 10.01.2011 R U 1 0 1 2 6 7 Формула полезной модели Реле твердотельное, характеризующееся тем, что оно состоит из светодиода, оптически связанного с ним кристалла фотоприемника и подключенных к нему кристаллов ДМОП-транзисторов, прикрепленных к траверсе рамки, которая имеет продолжение, выходящее за габариты корпуса и объединяющее два и более соседних выводов со стороны каждого ДМОП-транзистора. Ñòðàíèöà: 1 ru CL U 1 U 1 (54) РЕЛЕ ТВЕРДОТЕЛЬНОЕ 1 0 1 2 6 7 Адрес для переписки: 302040, г.Орел, ул. Лескова, 19, ОАО "Протон" R U Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 16.08.2010 (72) Автор(ы): Федосов Владимир Семенович (RU) U 1 U 1 1 0 1 2 6 7 1 0 1 2 6 7 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 101 267 U1 Полезная модель относится к электронной технике и может быть использована для коммутации электрических цепей. Известно реле твердотельное, состоящее из кристаллов светодиода, фотоприемника, двух ДМОП-транзисторов, размещенных в пластмассовом DIPкорпусе (Data Sheet Series C46F/C47F ф.Tеledyne Relays, http: //www.teledynerelays.com/pdf/industrial/c46c47.pdf). Недостатком данной конструкции является высокое тепловое сопротивление между кристаллом ДМОП-транзистора и окружающей средой, которое приводит к перегреву и ...

Подробнее
Номер записи: 35
27-11-2011 дата публикации

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ДИНАМИЧЕСКОГО ОПЕРАТИВНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Номер: RU0000110866U1
Автор: Агеев Олег Александрович, Коноплев Борис Георгиевич, Рукомойкин Андрей Васильевич, Солодовник Максим Сергеевич
Принадлежит: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южный федеральный университет"

Элемент памяти динамического оперативного запоминающего устройства (ДОЗУ), состоящий из полуизолирующей полупроводниковой подложки, на которой сформирована инвертированная структура селективно легированного гетероструктурного транзистора, содержащая буферный слой нелегированного полупроводника, первый нелегированный барьерный слой широкозонного полупроводника, легирующий дельта-слой, второй нелегированный барьерный слой широкозонного полупроводника, проводящий нелегированный слой узкозонного упругонапряженного полупроводника, третий нелегированный барьерный слой широкозонного полупроводника, области стока и истока и металлизированные контакты к ним, на которой между областями стока и истока сформирована мезоструктура, содержащая массив квантовых точек из нелегированного узкозонного полупроводника между барьерными слоями нелегированного широкозонного полупроводника, к которой сформирован металлизированный контакт с барьером Шоттки управляющего электрода (затвора), отличающийся тем, что буферный слой сформирован на сверхрешетке и имеет композитную структуру переменного состава, слой проводящего канала выполнен из ненапряженного узкозонного полупроводника, мезоструктура содержит два массива с определенным числом вертикально и латерально упорядоченных квантовых точек заданного размера. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 27/108 (13) 110 866 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2011128060/28, 07.07.2011 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 07.07.2011 (45) Опубликовано: 27.11.2011 Бюл. № 33 1 1 0 8 6 6 Адрес для переписки: 347928, Ростовская обл., ГСП-17А, г. Таганрог, пер. Некрасовский, 44, Технологический институт Федерального государственного автономного образовательного учреждения ВПО "Южный федеральный университет" в г. Таганроге (ТТИ ЮФУ) (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное автономное образовательное учреждение ...

Подробнее
Номер записи: 36
10-12-2011 дата публикации

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С УВЕЛИЧЕННЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ПРОБОЯ

Номер: RU0000111351U1
Автор: Голант Евгений Исайевич, Журавлев Константин Сергеевич, Лапин Владимир Григорьевич, Лукашин Владимир Михайлович, Пашковский Андрей Борисович
Принадлежит: Государственное учреждение "Научно-исследовательский институт микроэлектроники и информационно-измерительной техники Московского государственного института электроники и математики (технического университета)"

1. Полевой транзистор с увеличенным напряжением пробоя, содержащий полуизолирующую подложку, расположенный на ней активный слой полупроводника, а также исток, сток и затвор, расположенные на свободной поверхности полупроводника, при этом затвор образует с полупроводником контакт Шоттки, отличающийся тем, что в активном слое полупроводника выполнена выемка переменной глубины, в которой расположена нижняя часть затвора. 2. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что участок выемки с максимальной глубиной расположен между серединой контакта Шоттки и краем контакта Шоттки со стороны истока. 3. Полевой транзистор по п.2, отличающийся тем, что глубина выемки увеличивается от нуля под краем контакта Шоттки со стороны истока до максимальной глубины и уменьшается от максимальной глубины до нуля под краем контакта Шоттки со стороны стока. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 27/095 (13) 111 351 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2011136159/28, 31.08.2011 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 31.08.2011 (45) Опубликовано: 10.12.2011 Бюл. № 34 1 1 1 3 5 1 R U Формула полезной модели 1. Полевой транзистор с увеличенным напряжением пробоя, содержащий полуизолирующую подложку, расположенный на ней активный слой полупроводника, а также исток, сток и затвор, расположенные на свободной поверхности полупроводника, при этом затвор образует с полупроводником контакт Шоттки, отличающийся тем, что в активном слое полупроводника выполнена выемка переменной глубины, в которой расположена нижняя часть затвора. 2. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что участок выемки с максимальной глубиной расположен между серединой контакта Шоттки и краем контакта Шоттки со стороны истока. 3. Полевой транзистор по п.2, отличающийся тем, что глубина выемки увеличивается от нуля под краем контакта Шоттки со стороны истока до максимальной глубины и уменьшается от максимальной глубины до ...

Подробнее
Номер записи: 37
10-01-2012 дата публикации

УСТРОЙСТВО ОСВЕЩЕНИЯ

Номер: RU0000112571U1
Автор: Бойко Владимир Иванович, Гордиенко Виктор Романович, Рязанцев Борис Георгиевич, Хандогин Владимир Иванович
Принадлежит: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ЭЛиПС"

1. Устройство освещения, содержащее светодиодный блок, состоящий из одной либо нескольких пар встречно параллельно соединенных светодиодов, выводы питания которых подсоединены к вторичной обмотке трансформатора, выполненной в виде теплоотводящей пластины, пропущенной внутри сердечника трансформатора, первичная обмотка которого связана с источником напряжения стабилизированного переменного тока, при этом на одной из выступающих за пределы сердечника сторон теплоотводящей пластины установлены аноды светодиодов одного направления включения, а на другой - второго, при этом катоды светодиодов соединены соответственно с анодами светодиодов противоположного направления включения. 2. Устройство освещения по п.1, отличающееся тем, что введено несколько дополнительных идентичных трансформаторов, при этом первичные обмотки всех трансформаторов соединены последовательно, а теплоотводящая пластина, являющаяся их общей вторичной обмоткой, пропущена через сердечники всех трансформаторов, на одной из выступающих за пределы сердечника каждого из трансформаторов сторон теплоотводящей пластины установлены аноды светодиодов одного направления, а на другой - второго, причем катоды светодиодов соединены с анодами светодиодов противоположного направления, а аноды светодиодных пар распределены на пластине равномерно в соответствии с количеством сердечников трансформаторов. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 112 571 U1 (51) МПК H05B 37/00 (2006.01) H01L 27/32 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2011137123/07, 09.09.2011 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 09.09.2011 (73) Патентообладатель(и): ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ЭЛиПС" (RU) (45) Опубликовано: 10.01.2012 Бюл. № 1 1 1 2 5 7 1 R U Формула полезной модели 1. Устройство освещения, содержащее светодиодный блок, состоящий из одной либо нескольких пар встречно параллельно соединенных светодиодов, выводы питания которых ...

Подробнее
Номер записи: 38
20-11-2012 дата публикации

ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО

Номер: RU0000122203U1
Автор: Антонов Александр Владимирович, Гавриленко Владимир Изяславович, Дворецкий Сергей Алексеевич, Жолудев Максим Сергеевич, Михайлов Николай Николаевич, Спирин Кирилл Евгеньевич
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук

1. Фотоприемное устройство, содержащее чувствительный к терагерцовому излучению фотоприемный элемент, представляющий собой многослойную полупроводниковую гетероструктуру с рабочим детекторным слоем - квантовой ямой, и средство поддержания температуры этой гетероструктуры, обеспечивающей эффективный фототек в фотоприемном элементе, характеризующееся тем, что фотоприемный элемент выполнен в виде эпитаксиально последовательно сформированных на подложке GaAs (013) слоев: буферного слоя ZnTe, буферного слоя CdTe, двух барьерных слоев CdHgTe толщиной 100 нм с расположенным между ними рабочим детекторным слоем HgCdTe толщиной 30 нм и покровного слоя CdTe толщиной 40 нм, размещен при температуре 4,2 K в криостате и снабжен дополнительным средством оптического возбуждения указанной гетероструктуры в виде источника излучения видимого диапазона. 2. Фотоприемное устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве дополнительного средства оптического возбуждения гетероструктуры фотоприемного элемента использован синий светодиод с длиной волны излучения 420-490 нм. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 27/14 (13) 122 203 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2012123757/28, 07.06.2012 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 07.06.2012 (45) Опубликовано: 20.11.2012 Бюл. № 32 (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук (RU) 1 2 2 2 0 3 R U Формула полезной модели 1. Фотоприемное устройство, содержащее чувствительный к терагерцовому излучению фотоприемный элемент, представляющий собой многослойную полупроводниковую гетероструктуру с рабочим детекторным слоем - квантовой ямой, и средство поддержания температуры этой гетероструктуры, обеспечивающей эффективный фототек в фотоприемном элементе, характеризующееся тем, что фотоприемный элемент выполнен в виде эпитаксиально последовательно ...

Подробнее
Номер записи: 39
10-03-2013 дата публикации

2,5D МИКРОСХЕМА С СИСТЕМОЙ ЗАЩИТЫ ОТ ИССЛЕДОВАНИЯ

Номер: RU0000125772U1
Автор: Семенов Антон Валерьевич, Титова Галина Геннадиевна, Фроловичева Татьяна Николаевна
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации

1. 2,5D микросхема, состоящая из основания корпуса, двух или более кристаллов интегральных схем, между которыми в процессе работы происходит обмен конфиденциальной информацией, кремниевую планку-переходник, состоящую из подложки со сквозными отверстиями в кремнии, слоя межсоединений и одну или несколько вставок из материала с эффектом памяти формы, размещенную между основанием корпуса и слоем межсоединений планки-переходника под скоплениями межсоединений в предварительно протравленных отверстиях кремниевой подложки планки переходника, характеризующаяся тем, что при детектировании нарушения целостности корпуса вставка (или вставки) механически разрушает слой межсоединений планки-переходника между кристаллами, не позволяя восстановить связи между ними, причем вставка из материала с эффектом памяти формы имеет температуру трансформации выше максимальной рабочей температуры 2,5D микросхемы; внутренний объем 2,5D микросхемы заполняется полимеризованным наполнителем с температурой размягчения выше температуры трансформации упомянутой вставки с эффектом памяти формы, при этом в зависимости от того, какой кристалл интегральной схемы необходимо защитить, вставки размещаются между переходником со сквозными отверстиями в кремнии и кристаллами, находящимися над ним, причем в целях затруднения обратного проектирования 2,5D микросхемы межсоединения между кристаллами выполняются с применением обфускации. 2. Микросхема по п.1, в плоскости кристалла имеет решетчатую структуру из металла с памятью формы, которая затрудняет рентгеновские исследования такой микросхемы. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 27/00 (13) 125 772 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2012140339/28, 20.09.2012 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 20.09.2012 (45) Опубликовано: 10.03.2013 Бюл. № 7 1 2 5 7 7 2 R U Формула полезной модели 1. 2,5D микросхема, состоящая из основания корпуса, двух или более ...

Подробнее
Номер записи: 40
27-04-2013 дата публикации

ГЕТЕРОГЕННАЯ 3D МИКРОСХЕМА, ПРЕДНАЗНАЧЕННАЯ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ КОНФИДЕНЦИАЛЬНЫХ ДАННЫХ

Номер: RU0000127513U1
Автор: Семенов Антон Валерьевич, Титова Галина Геннадиевна, Фроловичева Татьяна Николаевна
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации

1. 3D микросхема, состоящая из корпуса, одного или более кристаллов энергонезависимой памяти, содержащих конфиденциальную информацию и расположенных один над другим, связь между которыми осуществляется с помощью сквозных отверстий в кремнии или с помощью разварки проводников, а также одного управляющего кристалла, включающего, по крайней мере, функциональные блоки шифрования, получения физически неклонируемой функции, и статической оперативной памяти для вычисления физически неклонируемой функции, причем описанный кристалл выполняет функцию доступа к данным и шифрования всех данных, записываемых на кристаллы памяти и дешифрования данных, считываемых с кристаллов памяти «на лету»; к управляющему кристаллу, использующему физически неклонируемую функцию, прилегает вставка из материала с эффектом памяти формы, расположенная внутри корпуса таким образом, чтобы при обнаружении изменения температуры вследствие нарушения целостности корпуса полупроводникового прибора, происходило разрушение кристалла, содержащего физически неклонируемую функцию и криптографическое ядро, и характеризующаяся тем, что в независимости от количества и взаимного расположения кристаллов памяти доступ к конфиденциальной информации, содержащейся во всех кристаллах памяти, невозможен за счет разламывания кристалла, содержащего криптографическое ядро и функциональный блок для получения физически неклонируемой функции на большое число обломков, причем вставка из материала с эффектом памяти формы имеет температуру трансформации выше максимальной рабочей температуры прибора; внутренний объем прибора заполняется полимеризованным наполнителем с температурой размягчения выше температуры трансформации упомянутой вставки с эффектом памяти формы, а трансформированная форма вставки выбирается таким образом, чтобы при трансформации происходило разламывание управляющего кристалла по крайней мере по двум непараллельным осям. 2. Устройство по п.1, в котором управляющий кристалл находится в середине стека кристаллов ...

Подробнее
Номер записи: 41
10-05-2013 дата публикации

ФОТОПРИЕМНЫЙ МОДУЛЬ НА ОСНОВЕ PbS

Номер: RU0000128008U1
Автор: Беляковская Нелли Александровна, Бочков Владимир Дмитриевич, Бычковский Ярослав Сергеевич, Дражников Борис Николаевич, Казарова Юлия Анатольевна, Кондюшин Илья Сергеевич
Принадлежит: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации

Фотоприемный модуль, содержащий фоточувствительный элемент на основе PbS, изготовленный в виде многоэлементной линейки, и БИС-считывания, отличающийся тем, что выполнен в виде гибридной сборки с использованием метода перевернутого монтажа (Flip-chip), где индиевые столбики, нанесенные на контактные площадки ламелей фоточувствительного элемента, стыкуются с индиевыми столбиками БИС-считывания, выполненной по р-канальной технологии, образуя электрическую и механическую связь. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 27/14 (13) 128 008 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2012146018/28, 29.10.2012 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 29.10.2012 (45) Опубликовано: 10.05.2013 Бюл. № 13 (73) Патентообладатель(и): Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU) R U 1 2 8 0 0 8 Формула полезной модели Фотоприемный модуль, содержащий фоточувствительный элемент на основе PbS, изготовленный в виде многоэлементной линейки, и БИС-считывания, отличающийся тем, что выполнен в виде гибридной сборки с использованием метода перевернутого монтажа (Flip-chip), где индиевые столбики, нанесенные на контактные площадки ламелей фоточувствительного элемента, стыкуются с индиевыми столбиками БИСсчитывания, выполненной по р-канальной технологии, образуя электрическую и механическую связь. Стр.: 1 U 1 U 1 (54) ФОТОПРИЕМНЫЙ МОДУЛЬ НА ОСНОВЕ PbS 1 2 8 0 0 8 Адрес для переписки: 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2, ОАО "НПО "Орион", патентно-лицензионный отдел R U Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 29.10.2012 (72) Автор(ы): Бочков Владимир Дмитриевич (RU), Дражников Борис Николаевич (RU), Бычковский Ярослав Сергеевич (RU), Казарова Юлия Анатольевна (RU), Беляковская Нелли Александровна (RU), Кондюшин Илья Сергеевич (RU) U 1 U 1 1 2 8 0 0 8 1 2 8 0 0 8 R U R U Стр.: 2 RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 128 008 U1 Заявляемая ...

Подробнее
Номер записи: 42
20-05-2013 дата публикации

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Номер: RU0000128396U1
Автор: Ерофеев Николай Иванович, Каминский Владимир Васильевич, Маркова Юлия Вадимовна
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "СмС тензотерм Рус"

1. Гибридный элемент для преобразования световой энергии в электрическую, содержащий фотоэлектрический преобразователь, отличающийся тем, что в фотоэлектрическом преобразователе для повышения эффективности преобразования и повышения временной стабильности преобразователя в качестве последнего каскада применен термоэлектрический элемент, работающий на основе термовольтаического эффекта. 2. Гибридный элемент по п.1, отличающийся тем, что в качестве термоэлектрического элемента на основе термовольтаического эффекта применен элемент на основе сульфида самария. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 27/142 (13) 128 396 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2012149347/28, 20.11.2012 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 20.11.2012 (73) Патентообладатель(и): Общество с ограниченной ответственностью "СмС тензотерм Рус" (RU) (45) Опубликовано: 20.05.2013 Бюл. № 14 R U 1 2 8 3 9 6 Формула полезной модели 1. Гибридный элемент для преобразования световой энергии в электрическую, содержащий фотоэлектрический преобразователь, отличающийся тем, что в фотоэлектрическом преобразователе для повышения эффективности преобразования и повышения временной стабильности преобразователя в качестве последнего каскада применен термоэлектрический элемент, работающий на основе термовольтаического эффекта. 2. Гибридный элемент по п.1, отличающийся тем, что в качестве термоэлектрического элемента на основе термовольтаического эффекта применен элемент на основе сульфида самария. Стр.: 1 U 1 U 1 (54) ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ 1 2 8 3 9 6 Адрес для переписки: 123610, Москва, Краснопресненская наб., 12, оф.1347, В.Н. Кастальскому R U Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 20.11.2012 (72) Автор(ы): Каминский Владимир Васильевич (RU), Маркова Юлия Вадимовна (RU), Ерофеев Николай Иванович (RU) RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 128 396 U1 Полезная модель относится к области преобразования световой ...

Подробнее
Номер записи: 43
27-01-2014 дата публикации

ТЕПЛОВОЙ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ С КОРРЕКЦИЕЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ

Номер: RU0000137155U1
Автор: Певцов Евгений Филиппович, Сергеев Андрей Алексеевич, Чуйко Андрей Викторович, Шнякин Александр Андреевич
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики" (МГТУ МИРЭА)

1. Тепловой многоэлементный приемник излучения, содержащий матрицу выполненных из сегнетоэлектрического материала поляризованных пироэлектрических детекторов излучения, представляющих собой тонкопленочные конденсаторные структуры с одним общим электродом и отдельным для каждого детектора сигнальным электродом, объединенных в результате гибридной сборки или в общем технологическом цикле изготовления с электронной интегральной схемой считывания и вывода сигналов, задающей тактовую диаграмму работы приемника для адресации и управления коммутацией элементов матрицы в режимах накопления и вывода, в которую входят узлы преобразования пироэлектрических зарядов, образующихся на каждом сигнальном электроде детекторов под действием пироэлектрического эффекта, в напряжения, и общие для всей матрицы модуль формирования выходного сигнала матрицы, электронный счетчик для организации циклов накопления и обработки сигналов, генератор поляризующего напряжения, отличающийся тем, что в электронную интегральную схему считывания и вывода сигналов введены интегрированные с ней источник опорного напряжения и отдельные для каждого детектора блоки коррекции неоднородности чувствительности, причем выходы коррекции каждого блока коррекции неоднородности чувствительности соединены с сигнальными электродами конденсаторных структур пироэлектрических детекторов излучения, а входы синхронизации соединены с выходом электронного счетчика, входы опорного напряжения соединены с выходом источника опорного напряжения, входы поляризации соединены с выходом генератора поляризующего напряжения, сигнальные входы соединены с выходами узлов преобразования пироэлектрических зарядов в напряжения, а сигнальные выходы - с модулем формирования выходного сигнала матрицы. 2. Тепловой многоэлементный приемник излучения по п.1, отличающийся тем, что каждый блок коррекции неоднородности чувствительности детекторов содержит аналоговый переключатель сравнения, аналоговый переключатель поляризации, компаратор напряжений и ...

Подробнее
Номер записи: 44
27-02-2014 дата публикации

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИНФРАКРАСНЫЙ КАСКАД НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ InAs/GaAsN НА ПОДЛОЖКЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Номер: RU0000138028U1
Автор: Алферов Жорес Иванович, Гудовских Александр Сергеевич, Егоров Антон Юрьевич
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего профессионального образования и науки Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук

1. Фотоэлектрический инфракрасный каскад на основе наногетероструктуры InAs/GaAsN на подложке арсенида галлия, отличающийся тем, что его активная область состоит из чередующихся сверхтонких слоев узкозонного бинарного соединения InAs и более толстых слоев - тройного твердого раствора GaAsN с большей шириной запрещенной зоны, где расстояние между сверхтонкими слоями узкозонного бинарного соединения InAs выбирается таким образом, чтобы обеспечить эффективное перекрытие волновых функций носителей заряда, локализованных в области этих слоев, в диапазоне 6-11 нм, а толщина сверхтонких слоев узкозонного бинарного соединения InAs менее 0,5 нм, то есть выбирается таким образом, чтобы предотвратить формирование трехмерных островов арсенида индия на эпитаксиальной поверхности. 2. Фотоэлектрический инфракрасный каскад на основе наногетероструктуры InAs/GaAsN на подложке арсенида галлия по п.1, отличающийся тем, что при его реализации используются только слои бинарных соединений InAs, GaAs, и тройных твердых растворов GaAsN. 3. Фотоэлектрический инфракрасный каскад на основе наногетероструктуры InAs/GaAsN на подложке арсенида галлия по п.1, отличающийся тем, что минимальная энергия оптических переходов в сверхрешетках меняется посредством изменения периода сверхрешетки и элементного состава образующих сверхрешетку слоев GaAsN, которые изменяются лишь посредством изменения потока галлия на эпитаксиальную поверхность. 4. Фотоэлектрический инфракрасный каскад на основе наногетероструктуры InAs/GaAsN на подложке арсенида галлия по п.1, отличающийся тем, что включает подложку арсенида галлия или подложку германия. И 1 138028 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 138 028” 44 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 24.05.2021 Дата внесения записи в Государственный реестр: 29.06.2022 Дата ...

Подробнее
Номер записи: 45
27-06-2014 дата публикации

КОНДЕНСАТОР ЭФФЕКТА ПОЛЯ

Номер: RU0000142318U1
Автор: Батырев Александр Сергеевич, Шивидов Николай Климович
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Калмыцкий государственный университет"

Конденсатор эффекта поля, включающий стеклянную пластину, отличающийся тем, что на стеклянную пластину со стороны полупрозрачного проводящего слоя SnO приложена П-образная пластина таким образом, что отверстия в них совпадают, а медный слой располагается с противоположной от стеклянной пластины стороне, на П-образной пластине закреплены посредством пайки две наплавки, к ним посредством винтового соединения прикреплены держатели прижимных пластин, к держателям припаяны прижимные пластины, к каждой прижимной пластине припаивается металлический прижимной ус, в прижимную пластину ввинчиваются поворотные и прижимные винты, на стеклянной пластине в центре, со стороны полупрозрачного проводящего слоя SnO крепится с помощью клея тонкая слюдяная пластинка, имеющая размеры 1 см × 1 см. 142318 И 1 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 142 348” 44 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 21.02.2019 Дата внесения записи в Государственный реестр: 20.01.2020 Дата публикации и номер бюллетеня: 20.01.2020 Бюл. №2 Стр.: 1 ЗСУ па ЕП

Подробнее
Номер записи: 46
20-07-2014 дата публикации

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ МОП ТРАНЗИСТОР ДЛЯ НИЗКОВОЛЬТНЫХ СХЕМ

Номер: RU0000143321U1
Автор: Русанов Александр Валерьевич, Скляр Валерий Александрович, Ткачев Александр Юрьевич
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники"

Интегральный МОП транзистор для низковольтных схем, представляет собой полевой транзистор с индуцированным каналом, отличительной особенностью которого является электрическое соединение затвора с карманом, образующее управляющий электрод прибора; сток и исток интегрального МОП транзистора при этом остаются без изменений. 143321 И 1 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ 7 ВУ’? 143 321? 91 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 12.02.2019 Дата внесения записи в Государственный реестр: 18.12.2019 Дата публикации и номер бюллетеня: 18.12.2019 Бюл. №35 Стр.: 1 ЕССЗЯ па ЕП

Подробнее
Номер записи: 47
27-09-2014 дата публикации

ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ТИПА FETRAM

Номер: RU0000146021U1
Автор: Агеев Олег Алексеевич, Алябьева Наталья Ивановна, Солодовник Максим Сергеевич
Принадлежит: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет)

Энергонезависимый элемент памяти типа FeTRAM, состоящий из структуры полевого транзистора, включающего кремниевую подложку, области стока и истока с металлизированными контактами к ним, металлический контакт управляющего электрода (затвор), и емкостной структуры с барьерным слоем диэлектрика и функциональным слоем ферроэлектрика в подзатворной области между областями истока и стока, отличающийся тем, что структура полевого транзистора содержит нелегированный буферный слой переменного состава SiGe с линейно возрастающей долей германия, отрелаксированный нелегированный буфер фиксированного состава SiGe, дельта-легированный слой, нелегированный слой SiGe спейсера, нелегированный Si канал со слоем двумерного электронного газа, материал которого находится в упруго растянутом состоянии, второй нелегированный слой SiGe спейсера, а емкостная структура включает слой диэлектрика SiN, выступающего в качестве диффузионного и потенциального барьера, буферный слой диэлектрика DyScO и функциональный слой монокристаллического мультиферроика BiFeO. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 27/00 (13) 146 021 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2014119227/28, 13.05.2014 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 13.05.2014 (45) Опубликовано: 27.09.2014 Бюл. № 27 1 4 6 0 2 1 R U Формула полезной модели Энергонезависимый элемент памяти типа FeTRAM, состоящий из структуры полевого транзистора, включающего кремниевую подложку, области стока и истока с металлизированными контактами к ним, металлический контакт управляющего электрода (затвор), и емкостной структуры с барьерным слоем диэлектрика и функциональным слоем ферроэлектрика в подзатворной области между областями истока и стока, отличающийся тем, что структура полевого транзистора содержит нелегированный буферный слой переменного состава SixGe1-x с линейно возрастающей долей германия, отрелаксированный нелегированный буфер ...

Подробнее
Номер записи: 48
27-11-2014 дата публикации

МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ СИЛОВОЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000148258U1
Автор: Бономорский Олег Игоревич, Воронин Игорь Павлович, Воронин Павел Анатольевич, Лапин Евгений Сергеевич
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Энергомодуль", Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации

1. Многокристальный силовой модуль, выполненный по трехуровневой схеме с фиксированной нулевой точкой, содержащий четыре кристалла полупроводниковых ключей, четыре кристалла встречно-параллельных диодов, два кристалла фиксирующих диодов, шесть керамических плат с двусторонним металлическим покрытием, базовую плату - теплоотвод, три силовых вывода на стороне постоянного тока модуля и один силовой вывод на стороне переменного тока модуля, в котором каждый кристалл полупроводникового ключа с кристаллом встречно-параллельного диода, а также каждый кристалл фиксирующего диода нижним основанием установлены на верхнем основании одноименной керамической платы, при этом сами керамические платы нижним основанием установлены на базовой плате - теплоотводе, отличающийся тем, что на верхнем основании каждой керамической платы сформирована дополнительная контактная площадка, которая при помощи проводящих проволок соединена с контактными площадками на верхних основаниях кристаллов ключей и диодов, расположенных на данной плате, при этом верхнее основание первой керамической платы соединена с первым силовым выводом на стороне постоянного тока модуля, верхнее основание шестой керамической платы соединена со вторым силовым выводом на стороне постоянного тока модуля, а дополнительная контактная площадка четвертой керамической платы соединена с третьим силовым выводом на стороне постоянного тока модуля, на верхнем основании пятой керамической платы сформирована вторая дополнительная контактная площадка, которая соединена с силовым выводом на стороне переменного тока модуля, соединения между керамическими платами выполнены ленточными проводящими шинами, при этом дополнительная контактная площадка первой керамической платы соединена с верхним основанием второй керамической платы, которая в свою очередь соединена с верхним основанием пятой керамической платы, дополнительная контактная площадка второй керамической платы и верхнее основание третьей керамической платы соединены со второй ...

Подробнее
Номер записи: 49
27-11-2014 дата публикации

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ МЕМРИСТОРНЫХ НАНОСТРУКТУР

Номер: RU0000148262U1
Автор: Авилов Вадим Игоревич, Агеев Олег Алексеевич, Смирнов Владимир Алексеевич
Принадлежит: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет)

Элемент памяти на основе мемристорных наноструктур, состоящий из изолированной подложки, нижнего контактного электрода, запоминающего слоя из сплошной пленки оксида металла и верхнего контактного электрода, отличающийся тем, что запоминающий слой выполнен в виде изолированных наноразмерных структур оксида металла, каждая из которых относится к одной ячейке массива элемента памяти. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 148 262 U1 (51) МПК H01L 27/108 (2006.01) B82B 1/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2014111863/28, 27.03.2014 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 27.03.2014 (45) Опубликовано: 27.11.2014 Бюл. № 33 R U 1 4 8 2 6 2 Формула полезной модели Элемент памяти на основе мемристорных наноструктур, состоящий из изолированной подложки, нижнего контактного электрода, запоминающего слоя из сплошной пленки оксида металла и верхнего контактного электрода, отличающийся тем, что запоминающий слой выполнен в виде изолированных наноразмерных структур оксида металла, каждая из которых относится к одной ячейке массива элемента памяти. Стр.: 1 U 1 U 1 (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ МЕМРИСТОРНЫХ НАНОСТРУКТУР 1 4 8 2 6 2 Адрес для переписки: 347928, Ростовская обл., г. Таганрог, ГСП-17А, Некрасовский пер., 44, Южный федеральный университет (73) Патентообладатель(и): федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) (RU) R U Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 27.03.2014 (72) Автор(ы): Агеев Олег Алексеевич (RU), Смирнов Владимир Алексеевич (RU), Авилов Вадим Игоревич (RU) RU 5 10 148 262 U1 Предполагаемая полезная модель относится к области электроники и вычислительной техники, конкретно к электрически перепрограммируемым запоминающим устройствам и может быть использована при создании интегральных схем с наноразмерными элементами памяти. Известен аналог ...

Подробнее
Номер записи: 50
27-12-2014 дата публикации

ЭЛЕМЕНТ РЕЗИСТИВНОЙ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ

Номер: RU0000149246U1
Автор: Антонов Иван Николаевич, Белов Алексей Иванович, Горшков Олег Николаевич, Касаткин Александр Петрович, Михайлов Алексей Николаевич, Шарапов Александр Николаевич, Шенина Мария Евгеньевна
Принадлежит: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского"

1. Элемент энергонезависимой резистивной памяти, включающий электроды и активную область, выполненную между электродами и содержащую слой стабилизированного диоксида циркония, отличающийся тем, что активная область дополнительно содержит слой из GeO, выполненный между верхним электродом и слоем стабилизированного диоксида циркония, при этом верхний электрод выполнен из циркония, на который нанесен слой золота. 2. Элемент энергонезависимой резистивной памяти по п. 1, отличающийся тем, что нижний электрод выполнен из проводника с высокой удельной электропроводностью, нанесенного на подложку. 3. Элемент энергонезависимой резистивной памяти по п. 2, отличающийся тем, что нижний электрод выполнен из титана, на который нанесен слой нитрида титана, нанесенных на подложку. 4. Элемент энергонезависимой резистивной памяти по п. 1, отличающийся тем, что слой стабилизированного диоксида циркония в качестве стабилизирующей добавки содержит 9÷20 мол.% оксида иттрия. И 1 149246 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 149 246” 4 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ МЕЭК Восстановление действия патента Дата, с которой действие патента восстановлено: 02.02.2022 Дата внесения записи в Государственный реестр: 02.02.2022 Дата публикации и номер бюллетеня: 02.02.2022 Бюл. №4 Стр.: 1 па ЭУСбУ ЕП

Подробнее
Номер записи: 51
27-01-2015 дата публикации

ОГРАНИЧИТЕЛЬ СВЧ МОЩНОСТИ

Номер: RU0000150029U1
Автор: Гузовский Андрей Бернатович, Мосейкин Дмитрий Михайлович, Татаринов Сергей Владимирович, Шелгунова Галина Сергеевна
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Государственный Рязанский приборный завод"

Ограничитель СВЧ мощности в микрополосковом исполнении, содержащий pin-диоды, попарно объединенные в группы посредством подключения анода одного pin-диода к катоду другого, соединенные между собой и с разделительными конденсаторами на входе и выходе схемы микрополосковыми линиями, отличающийся тем, что в каждой группе один из pin-диодов соединен с корпусом посредством катода, а другой - посредством анода, при этом группа pin-диодов на входе ограничителя является наименее чувствительной и имеет наибольшее напряжение пробоя, а каждая последующая группа pin-диодов выполнена с возможностью увеличения уровня чувствительности и уменьшения величины напряжения пробоя. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 27/00 (13) 150 029 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2014139041/28, 26.09.2014 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 26.09.2014 (45) Опубликовано: 27.01.2015 Бюл. № 3 R U 1 5 0 0 2 9 Формула полезной модели Ограничитель СВЧ мощности в микрополосковом исполнении, содержащий pinдиоды, попарно объединенные в группы посредством подключения анода одного pinдиода к катоду другого, соединенные между собой и с разделительными конденсаторами на входе и выходе схемы микрополосковыми линиями, отличающийся тем, что в каждой группе один из pin-диодов соединен с корпусом посредством катода, а другой посредством анода, при этом группа pin-диодов на входе ограничителя является наименее чувствительной и имеет наибольшее напряжение пробоя, а каждая последующая группа pin-диодов выполнена с возможностью увеличения уровня чувствительности и уменьшения величины напряжения пробоя. Стр.: 1 U 1 U 1 (54) ОГРАНИЧИТЕЛЬ СВЧ МОЩНОСТИ 1 5 0 0 2 9 Адрес для переписки: 390000, г. Рязань, ул. Семинарская, 32, ОАО "ГРПЗ", отд. 149, Калинкину В.И. (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Государственный Рязанский приборный завод" (RU) R U Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 26.09 ...

Подробнее
Номер записи: 52
20-08-2015 дата публикации

КВАЗИМОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ

Номер: RU0000154145U1
Автор: Айзенштат Геннадий Исаакович, Ющенко Алексей Юрьевич
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП")

Квазимонолитная интегральная схема СВЧ усилителя мощности, выполненная на теплоотводящем основании и содержащая дискретные транзисторы, а также согласующие устройства для входных и выходных цепей транзисторов, выполненных в виде пассивных монолитных интегральных схем на полуизолирующем материале, отличающаяся тем, что в состав пассивных СВЧ интегральных схем введены делители и сумматоры мощности. Ц 154145 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ 7 ВУ‘’” 154 145? 91 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 13.01.2021 Дата внесения записи в Государственный реестр: 03.03.2022 Дата публикации и номер бюллетеня: 03.03.2022 Бюл. №7 Стр.: 1 ЧуУтУо па ЕП

Подробнее
Номер записи: 53
20-11-2015 дата публикации

МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МИКРОСХЕМА

Номер: RU0000156867U1
Автор: Абашин Евгений Викторович, Брюхно Николай Александрович, Громов Владимир Иванович, Степанов Максим Витальевич, Фроликова Алина Юрьевна
Принадлежит: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

Мощная полупроводниковая микросхема, состоящая из полупроводниковой подложки со сформированным в ней мощным полупроводниковым прибором и схемой управления, первым слоем тонкой металлизации для подачи сигнала управления и коммутации, диэлектрическим слоем с отверстием к первому слою металлизации и со сформированным поверх диэлектрического слоя методом электроосаждения вторым слоем толстой металлизации из меди, отличающаяся тем, что окна к первому слою металлизации выполняют шириной не менее 1,1 толщины второго слоя металлизации. И 1 156867 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВО” 156 867“ 44 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 22.07.2021 Дата внесения записи в Государственный реестр: 21.07.2022 Дата публикации и номер бюллетеня: 21.07.2022 Бюл. №21 Стр.: 1 па 498991 ЕП

Подробнее
Номер записи: 54
10-02-2016 дата публикации

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ НАНОРАЗМЕРНОЙ СТРУКТУРЫ

Номер: RU0000159171U1
Автор: Авилов Вадим Игоревич, Агеев Олег Алексеевич, Смирнов Владимир Александрович
Принадлежит: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет)

Элемент памяти на основе наноразмерной структуры, состоящий из изолированной подложки, нижнего контактного электрода, запоминающего слоя, выполненного из сплошной пленки оксида металла, и верхнего контактного электрода, отличающийся тем, что запоминающий слой выполнен в виде одного слоя оксида металла. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 159 171 U1 (51) МПК H01L 27/108 (2006.01) B82B 1/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2015132701/28, 05.08.2015 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 05.08.2015 (45) Опубликовано: 10.02.2016 Бюл. № 4 (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ НАНОРАЗМЕРНОЙ СТРУКТУРЫ U 1 1 5 9 1 7 1 R U Стр.: 1 U 1 Формула полезной модели Элемент памяти на основе наноразмерной структуры, состоящий из изолированной подложки, нижнего контактного электрода, запоминающего слоя, выполненного из сплошной пленки оксида металла, и верхнего контактного электрода, отличающийся тем, что запоминающий слой выполнен в виде одного слоя оксида металла. 1 5 9 1 7 1 Адрес для переписки: 347928, Ростовская обл., г. Таганрог, ГСП-17А, Некрасовский пер., 44, Южный федеральный университет (73) Патентообладатель(и): федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) (RU) R U Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 05.08.2015 (72) Автор(ы): Авилов Вадим Игоревич (RU), Агеев Олег Алексеевич (RU), Смирнов Владимир Александрович (RU) RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 159 171 U1 Предполагаемая полезная модель относится к области электроники и вычислительной техники, конкретно к электрически перепрограммируемым запоминающим устройствам и может быть использована при создании интегральных схем с наноразмерными элементами памяти. Известен аналог заявляемого объекта «Элемент энергонезависимой резистивной памяти» [US Патент №8,873,276 от 21 октября 2013 года], содержащий верхний и нижний проводящие ...

Подробнее
Номер записи: 55
20-04-2016 дата публикации

МИКРОРАЗМЕРНЫЙ ГЕНЕРАТОР С ОПТИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ

Номер: RU0000161399U1
Автор: Кожевников Илья Олегович, Михайлов Александр Иванович
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского"

Микроразмерный генератор токовых колебаний с оптическим управлением, содержащий полуизолирующую подложку из n-GaAs и два омических контакта на поверхности подложки, каждый из которых включает контактный металлический слой композиции AuGe/Ni/Au, n-слой GaAs, расположенный между контактным слоем и подложкой, n-слой GaAs, расположенный между n-слоем и подложкой, и буферный n-слой GaAs, расположенный между n-слоем и подложкой, отличающийся тем, что подложка выполнена легированной хромом, омические контакты выполнены в форме правильных треугольников, направленных друг к другу одной из вершин, расположенных на расстоянии 0.02 - 0.05 мм. И 1 161399 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 164 399” 44 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 14.05.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 16.02.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 16.02.2021 Бюл. №5 Стр.: 1 па 66$19 1 ЕП

Подробнее
Номер записи: 56
20-04-2016 дата публикации

МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МИКРОСХЕМА

Номер: RU0000161515U1
Автор: Брюхно Николай Александрович, Громов Владимир Иванович, Севастьянов Юрий Николаевич, Фроликова Алина Юрьевна
Принадлежит: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

Мощная полупроводниковая микросхема, состоящая из полупроводниковой подложки со сформированным в ней мощным полупроводниковым прибором и схемой управления, первым слоем тонкой металлизации из алюминия, диэлектрического покрытия с окнами к первому слою металлизации, второго слоя металлизации из алюминия и третьего слоя толстой металлизации из меди, состоящего из адгезионного, затравочного слоев и слоя меди, полученного методом электроосаждения, отличающаяся тем, что второй слой металлизации из алюминия выполнен в виде участков в области контактных окон к первому слою металлизации из алюминия с размерами, равными максимальному размеру контактного окна + 6 ошибок совмещения второго слоя металлизации + 6 ошибок травления второго слоя металлизации, а третий слой металлизации из меди наносится непосредственно на второй слой металлизации из алюминия. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 27/04 (13) 161 515 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2015141636/28, 30.09.2015 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.09.2015 (73) Патентообладатель(и): ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" (RU) (45) Опубликовано: 20.04.2016 Бюл. № 11 1 6 1 5 1 5 R U Формула полезной модели Мощная полупроводниковая микросхема, состоящая из полупроводниковой подложки со сформированным в ней мощным полупроводниковым прибором и схемой управления, первым слоем тонкой металлизации из алюминия, диэлектрического покрытия с окнами к первому слою металлизации, второго слоя металлизации из алюминия и третьего слоя толстой металлизации из меди, состоящего из адгезионного, затравочного слоев и слоя меди, полученного методом электроосаждения, отличающаяся тем, что второй слой металлизации из алюминия выполнен в виде участков в области контактных окон к первому слою металлизации из алюминия с размерами, равными максимальному размеру контактного окна + 6 ошибок совмещения второго слоя металлизации + 6 ошибок травления ...

Подробнее
Номер записи: 57
27-04-2016 дата публикации

МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МИКРОСХЕМА

Номер: RU0000161589U1
Автор: Брюхно Николай Александрович, Громов Владимир Иванович, Севастьянов Юрий Николаевич, Фроликова Алина Юрьевна
Принадлежит: ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

Мощная полупроводниковая микросхема, состоящая из полупроводниковой подложки со сформированным в ней мощным полупроводниковым прибором и схемой управления, слоем тонкой металлизации из алюминия, диэлектрического покрытия с окнами к первому слою металлизации, второго слоя толстой металлизации из меди, полученного методом электроосаждения и состоящего из барьерного, затравочного слоев и слоя меди, отличающаяся тем, что перед барьерным слоем сформирован буферный слой из алюминия толщиной до 0,05-0,5 мкм, причем первый слой металлизации из алюминия должен быть легирован кремнием с концентрацией 0,5-1% (вес). РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 27/04 (13) 161 589 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2015142316/28, 05.10.2015 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 05.10.2015 (73) Патентообладатель(и): ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" (RU) (45) Опубликовано: 27.04.2016 Бюл. № 12 R U 1 6 1 5 8 9 Формула полезной модели Мощная полупроводниковая микросхема, состоящая из полупроводниковой подложки со сформированным в ней мощным полупроводниковым прибором и схемой управления, слоем тонкой металлизации из алюминия, диэлектрического покрытия с окнами к первому слою металлизации, второго слоя толстой металлизации из меди, полученного методом электроосаждения и состоящего из барьерного, затравочного слоев и слоя меди, отличающаяся тем, что перед барьерным слоем сформирован буферный слой из алюминия толщиной до 0,05-0,5 мкм, причем первый слой металлизации из алюминия должен быть легирован кремнием с концентрацией 0,5-1% (вес). Стр.: 1 U 1 U 1 (54) МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МИКРОСХЕМА 1 6 1 5 8 9 Адрес для переписки: 241037, г. Брянск, ул. Красноармейская, 103, ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ", Технический отдел R U Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 05.10.2015 (72) Автор(ы): Брюхно Николай Александрович (RU), Громов Владимир Иванович (RU), Севастьянов Юрий Николаевич (RU), Фроликова Алина ...

Подробнее
Номер записи: 58
27-06-2016 дата публикации

КРЕМНИЕВЫЙ ФОТОУМНОЖИТЕЛЬ ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ОДИНОЧНЫХ ФОТОНОВ

Номер: RU0000162937U1
Автор: Плешко Анатолий Дмитриевич, Попова Елена Викторовна, Филиппов Дмитрий Евгеньевич
Принадлежит: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ)

Кремниевый фотоэлектронный умножитель для регистрации одиночных фотонов, содержащий кремниевую подложку и два электрода с контактными площадками, расположенными на фронтальной поверхности устройства, первый из которых соединен через металлические шины со множеством фоточувствительных ячеек, размещенных в слаболегированном эпитаксиальном слое, а второй электрод соединен с сильнолегированным слоем, размещенным между кремниевой подложкой и эпитаксиальным слоем и имеющим проводимость, обратную проводимости кремниевой подложки, отличающийся тем, что дополнительно введен третий электрод, размещенный на нижней поверхности кремниевой подложки, которая имеет удельное сопротивление менее одного Ом∙см. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 27/144 (13) 162 937 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2015153184/28, 10.12.2015 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 10.12.2015 (45) Опубликовано: 27.06.2016 Бюл. № 18 1 6 2 9 3 7 R U Формула полезной модели Кремниевый фотоэлектронный умножитель для регистрации одиночных фотонов, содержащий кремниевую подложку и два электрода с контактными площадками, расположенными на фронтальной поверхности устройства, первый из которых соединен через металлические шины со множеством фоточувствительных ячеек, размещенных в слаболегированном эпитаксиальном слое, а второй электрод соединен с сильнолегированным слоем, размещенным между кремниевой подложкой и эпитаксиальным слоем и имеющим проводимость, обратную проводимости кремниевой подложки, отличающийся тем, что дополнительно введен третий электрод, размещенный на нижней поверхности кремниевой подложки, которая имеет удельное сопротивление менее одного Ом∙см. Стр.: 1 U 1 U 1 (54) КРЕМНИЕВЫЙ ФОТОУМНОЖИТЕЛЬ ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ОДИНОЧНЫХ ФОТОНОВ 1 6 2 9 3 7 Адрес для переписки: 115409, Москва, Каширское шоссе 31, НИЯУ МИФИ отдел интеллектуальной собственностью УНИ, Бейгул Г.В. (73) Патентообладатель(и ...

Подробнее
Номер записи: 59
20-11-2016 дата публикации

КРЕМНИЕВЫЙ ФОТОПРИЕМНИК С ЗАДАВАЕМОЙ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ

Номер: RU0000166199U1
Автор: Гаврушко Валерий Владимирович, Ионов Александр Сергеевич, Ласткин Валентин Александрович
Принадлежит: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета", Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого"

Дифференциальный фотоприемник на основе кремния, состоящий из двух фотодиодов, один из которых содержит ионно-легированный слой мышьяка, отличающийся тем, что длинноволновая граница чувствительности, выраженная в мкм, по уровню λ при изменении дозы легирования Q от 200 до 2000 мкКл/см определяется зависимостью: λ=0,35·exp(Q/Q), где Q=6750 мкКл/см. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 27/14 (13) 166 199 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2016108099/28, 04.03.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 04.03.2016 (45) Опубликовано: 20.11.2016 U 1 1 6 6 1 9 9 R U Стр.: 1 U 1 (54) КРЕМНИЕВЫЙ ФОТОПРИЕМНИК С ЗАДАВАЕМОЙ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ (57) Реферат: Полезная модель относится к области оптообласти, что скажется на протяженности области и микроэлектроники и может быть использовано собирания фотоносителей и виде спектральной в приборах контроля ультрафиолетового характеристики фотоприемника. Меняя дозу излучения. Фотоприемник состоит из двух легирования мышьяком можно задавать кремниевых фотодиодов, при этом один из длинноволновую границу чувствительности. фотодиодов содержит тонкий ионноВыраженное в мкм численное значение λ0,5 при легированный поверхностный слой с заданным изменении дозы Q от 200 до 2000 мкКл/см2 содержанием примеси. Полезный сигнал может определяется зависимостью: быть получен путем вычитания фототоков двух каналов. Величина дозы ионно-легированного слоя будет менять концентрацию структурных дефектов и значение встроенного тормозящего где Q0=6750 мкКл/см2. электрического поля в приповерхностной 1 6 6 1 9 9 Адрес для переписки: 173003, Великий Новгород, ул. Б. СанктПетербургская, 41, НовГУ, Центр патентования (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого" (RU), Открытое акционерное общество "ОКБПланета" (RU) R ...

Подробнее
Номер записи: 60
10-12-2016 дата публикации

МАТРИЧНЫЙ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПРИБОР

Номер: RU0000166741U1
Автор: Завадский Юрий Иванович, Константинов Пётр Борисович, Костюков Евгений Вильевич, Скрылёв Александр Сергеевич, Чернокожин Владимир Викторович
Принадлежит: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"

1. Матричный фоточувствительный прибор, содержащий, по крайней мере, полупроводниковый кристалл с системой фоточувствительных элементов в виде фотодиодов и элементы переноса заряда, отличающийся тем, что фоточувствительные элементы выполнены в виде углублений в полупроводниковом кристалле, поперечные сечения которых, параллельные поверхности кристалла, уменьшаются по мере удаления вглубь кристалла. 2. Фоточувствительный прибор по п. 1, отличающийся тем, что фоточувствительные элементы выполнены в углублениях в виде пирамид. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 27/148 (13) 166 741 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2016121701/07, 01.06.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 01.06.2016 (45) Опубликовано: 10.12.2016 U 1 1 6 6 7 4 1 R U Стр.: 1 U 1 (54) МАТРИЧНЫЙ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПРИБОР (57) Реферат: Полезная модель относится к области отличающаяся тем, что фоточувствительные производства матричных фоточувствительных элементы выполнены в виде углублений в приборов 0000 (МФП) как на основе ПЗС, так и полупроводниковом кристалле, поперечные на основе КМОП, и может быть использована сечения которых, параллельные поверхности при изготовлении указанных приборов. кристалла, уменьшаются по мере удаления вглубь Предложен МФП, содержащий, по крайней кристалла. В частности, фоточувствительные мере, полупроводниковый кристалл с системой элементы могут быть выполнены в виде пирамид. фоточувствительных элементов в виде 1 з.п. ф-лы, 1 ил. фотодиодов и элементы переноса заряда, 1 6 6 7 4 1 Адрес для переписки: 105187, Москва, Окружной пр-д, 27, АО "НПП "Пульсар", зам. генерального директора по научной работе Колковскому Ю.В. (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Научнопроизводственное предприятие "Пульсар" (RU) R U Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 01.06.2016 (72) Автор(ы): Константинов Петр Борисович (RU), Чернокожин Владимир Викторович (RU), Завадский ...

Подробнее
Номер записи: 61
20-12-2016 дата публикации

ЭЛЕМЕНТ РЕЗИСТИВНОЙ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ

Номер: RU0000167132U1
Автор: Алексеева Людмила Геннадьевна, Иванов Алексей Сергеевич, Куницын Андрей Сергеевич, Лучинин Виктор Викторович, Петров Анатолий Арсеньевич
Принадлежит: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (СПбГЭТУ "ЛЭТИ")

1. Элемент резистивной энергонезависимой памяти, включающий электроды и активную область, выполненную между электродами и содержащую слой, ограничивающий ток, поверх нижнего электрода и слой переключения сопротивления поверх слоя, ограничивающего ток, отличающийся тем, что слой переключения сопротивления выполнен из оксида свинца PbO, слой, ограничивающий ток, выполнен из аморфного оксида свинца PbO, при этом толщины этих слоев составляют от 30 до 300 нм. 2. Элемент резистивной энергонезависимой памяти по п. 1, отличающийся тем, что электроды выполнены из Pt. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 167 132 U1 (51) МПК H01L 27/115 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2016123578/28, 14.06.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 14.06.2016 (45) Опубликовано: 20.12.2016 U 1 1 6 7 1 3 2 R U Стр.: 1 U 1 (54) ЭЛЕМЕНТ РЕЗИСТИВНОЙ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ (57) Реферат: Полезная модель относится к области переключения сопротивления выполнен из оксида вычислительной техники, а именно к свинца PbOx, слой, ограничивающий ток, запоминающим устройствам. Элемент выполнен из аморфного оксида свинца PbO, при резистивной энергонезависимой памяти содержит этом толщины этих слоев составляют от 30 до электроды и активную область, выполненную 300 нм. Заявляемая полезная модель обеспечивает между электродами и содержащую слой, повышение селективности со снижением ограничивающий ток, поверх нижнего электрода вероятности ошибки при считывании информации и слой переключения сопротивления поверх слоя, с элемента в массиве памяти. 1 ил. ограничивающего ток, при этом слой 1 6 7 1 3 2 Адрес для переписки: 197376, Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, 5, СПГЭТУ, патентный отдел, М.Т. Грохочинской (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина ...

Подробнее
Номер записи: 62
14-03-2017 дата публикации

Матричный квазиоптический приемник электромагнитного излучения

Номер: RU0000169300U1
Автор: Игорь Владиленович Минин, Олег Владиленович Минин
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ)

Использование: для систем визуализации. Сущность полезной модели заключается в том, что матричный квазиоптический приемник электромагнитного излучения содержит подложку и размещенные на ней один или несколько приемных элементов, чувствительных к электромагнитному излучению, и микрокомпонентов, выполненных из диэлектрических или полупроводниковых материалов с коэффициентом преломления материала, лежащим в диапазоне от 1.4 до примерно 2, расположенных рядом с каждым приемным элементом со стороны падающего электромагнитного излучения и центрированных с ним, формирующих и направляющих фотонные струи в соответствующий приемный элемент, при этом характерный размер микрокомпонентов составляет более характерного размера приемного элемента, микрокомпоненты выполнены в форме кубика с величиной ребра не менее 0.5λ. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения габаритов матричного квазиоптического приемника с одновременным повышением чувствительности и разрешающей способности. 3 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 169 300 U1 (51) МПК H01L 27/14 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ФОРМУЛА ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (21)(22) Заявка: 2016127375, 08.11.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 08.11.2016 (72) Автор(ы): Минин Игорь Владиленович (RU), Минин Олег Владиленович (RU) 14.03.2017 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 08.11.2016 Адрес для переписки: 630108, г. Новосибирск, ул. Плахотного, 10, ФГБОУ ВО "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 155915 U1, 20.10.2015. US 20120060913 A1, 15.03.2012. RU 153680 U1, 27.07.2015. WO 2002084340 A1, 24.10.2002. RU 153686 U1, 27.07.2015. 1 6 9 3 0 0 (45) Опубликовано: 14.03.2017 Бюл. № 8 R U (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" ( ...

Подробнее
Номер записи: 63
28-03-2017 дата публикации

Фотоприемное устройство

Номер: RU0000169683U1
Автор: Барабанов Антон Борисович, Куликов Владимир Борисович, Маслов Дмитрий Вадимович, Солодков Алексей Аркадьевич
Принадлежит: Российская Федерация от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России)

Использование: для создания оптико-электронных систем. Сущность полезной модели заключается в том, что фотоприемное устройство содержит гибридную фоточувствительную схему (ГФС) на основе структур с квантовыми ямами, размещенную в вакуумном криостатируемом корпусе (ВКК), интегрированном с микрокриогенной системой, при этом электрическая связь между токоведущими дорожками на посадочном месте ГФС и контактами на керамическом цоколе ВК осуществляется с помощью никелевых выводов, а микрокриогенная система имеет конструкцию компрессора с линейный приводом. Технический результат: повышение надежности ФПУ. 1 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 169 683 U1 (51) МПК H01L 27/14 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22) Заявка: 2016143132, 02.11.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 02.11.2016 Дата регистрации: (45) Опубликовано: 28.03.2017 Бюл. № 10 Адрес для переписки: 107497, Москва, Щёлковское ш., 77, ОАО "ЦНИИ "Циклон" (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: Барабанов А.Б., Бирюлин П.В., U 1 1 6 9 6 8 3 R U (54) Фотоприемное устройство (57) Реферат: Использование: для создания оптикоэлектронных систем. Сущность полезной модели заключается в том, что фотоприемное устройство содержит гибридную фоточувствительную схему (ГФС) на основе структур с квантовыми ямами, размещенную в вакуумном криостатируемом корпусе (ВКК), интегрированном с микрокриогенной системой, при этом Стр.: 1 электрическая связь между токоведущими дорожками на посадочном месте ГФС и контактами на керамическом цоколе ВК осуществляется с помощью никелевых выводов, а микрокриогенная система имеет конструкцию компрессора с линейный приводом. Технический результат: повышение надежности ФПУ. 1 ил. U 1 Куликов В.Б., Солодков А.А., Тарасов В.В, Чалый В.П. Исследование температурных характеристик матричных ФПУ на основе структур с квантовыми ямами. Труды конференции. XXII Международная научно-техническая ...

Подробнее
Номер записи: 64
04-05-2017 дата публикации

СВЧ КОНДЕНСАТОР ДЛЯ ЦЕПЕЙ СОГЛАСОВАНИЯ РАДИОФОТОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Номер: RU0000170735U1
Автор: Алтынников Андрей Геннадиевич, Козырев Андрей Борисович, Михайлов Анатолий Константинович, Платонов Роман Андреевич, Пташник Сергей Викторович, Тумаркин Андрей Вилевич
Принадлежит: Государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный университет народного хозяйства"

Использование: для работы в адаптивных СВЧ цепях согласования радиофотонных элементов. Сущность полезной модели заключается в том, что сегнетоэлектрический СВЧ конденсатор содержит изолирующую подложку, на которой расположены N электродов, где N не меньше двух, покрытые сегнетоэлектрической пленкой, на которой расположены N+1 электродов, каждый из которых частично перекрывает площадь одного или двух нижних электродов, образуя последовательное соединение для СВЧ сигнала двух или более сегнетоэлектрических емкостных сэндвич элементов, на изолирующей подложке дополнительно расположены два электрода для подачи управляющего напряжения и N полосковых линий, каждая из которых соединяет один из нижних электродов емкостных сэндвич элементов с одним из электродов для подачи управляющего напряжения, причем все элементы на изолирующей подложке выполнены из одного материала, а на сегнетоэлектрической пленке дополнительно расположены две контактные площадки, каждая из которых перекрывает площадь одного из электродов для подачи управляющего напряжения и предназначена для подключения к внешней цепи управления, причем все элементы на сегнетоэлектрической пленке выполнены из одного материала. Технический результат: обеспечение возможности упрощения технологического процесса изготовления. 4 ил. Ц 170735 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ 7 ВУ‘’” 4170 735° 91 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ КНУК Выдача дубликата патента Дата выдачи дубликата: 24.03.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 24.03.2020 Дата публикации и номер бюллетеня: 24.03.2020 Бюл. №9 Стр.: 1 па 10 ЕП

Подробнее
Номер записи: 65
28-06-2017 дата публикации

Ячейка для снятия фоторезистивных свойств полупроводников

Номер: RU0000172110U1
Автор: Батырев Александр Сергеевич, Бисенгалиев Рустем Александрович, Костенко Ольга Юрьевна, Шивидов Николай Климович
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Калмыцкий государственный университет имени Б.Б. Городовикова"

Полезная модель относится к полупроводниковым приборам, в частности к устройствам для снятия спектра фоточувствительности полупроводниковых кристаллов. Техническим результатом является простая конструкция для снятия спектров фотопроводимости с образцов полупроводниковых кристаллов малых и средних размеров без склейки образцов к электродам. Ячейка для снятия фоторезистивных свойств полупроводников содержит стеклотекстолитовую пластину с медной фольгой, на которой закреплены посредством пайки две наплавки, винты фиксации, поворотные винты, прижимные винты, прижимные усы, при этом держатели прижимной пластины и прижимные пластины имеют другую форму, более удобную для фиксации образцов, а стеклотекстолитовая пластина имеет вырез посередине, благодаря которому после использования образцов при низких температурах конденсированная на образце влага не скапливается между образцом и пластиной. 1 ил. 172110 И 1 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 172 1407 44 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 17.12.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 05.10.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 05.10.2021 Бюл. №28 Стр.: 1 ОСД па ЕП

Подробнее
Номер записи: 66
30-11-2017 дата публикации

Матричный фотоприемник

Номер: RU0000175334U1
Автор: Бобков Владимир Иванович, Дли Максим Иосифович, Жбанова Вера Леонидовна, Мешалкин Валерий Павлович
Принадлежит: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ")

Использование: для производства интегральных многоэлементных матричных фотоприемников. Сущность полезной модели заключается в том, что матричный фотоприемник содержит подложку p-типа, на которой расположена группа ячеек, выполненная в виде первой и второй ячеек, чередующихся между собой в шахматном порядке, на поверхности первой ячейки расположен первый электрод, на поверхности второй ячейки расположен второй электрод, при этом первая ячейка содержит две зоны проводимости, а именно слой В p-типа с потенциальной ямой для заряда синих оттенков спектра, находящийся в непосредственном контакте со слоем R n-типа с потенциальной ямой для заряда красных оттенков спектра, который, в свою очередь, находится в непосредственном контакте с подложкой p-типа, при этом слой В p-типа расположен на расстоянии от 0,15 до 0,3 мкм от поверхности подложки p-типа, слой R n-типа расположен на расстоянии от 1,7 до 2,5 мкм от поверхности подложки p-типа, вторая ячейка содержит две зоны проводимости, а именно слой G p-типа с потенциальной ямой для заряда зеленых оттенков спектра, находящийся в непосредственном контакте со слоем R n-типа с потенциальной ямой для заряда красных оттенков спектра, который, в свою очередь, находится в непосредственном контакте с подложкой p-типа, при этом слой G p-типа расположен на расстоянии от 0,55 до 0,7 мкм от поверхности подложки p-типа, слой R n-типа 12 расположен на расстоянии от 1,7 до 2,5 мкм от поверхности подложки p-типа. Технический результат: обеспечение возможности улучшения пространственно-частотной характеристики матричного фотоприемника по красному цвету. 4 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 175 334 U1 (51) МПК H01L 27/146 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22) Заявка: 2017123735, 05.07.2017 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 05.07.2017 Дата регистрации: Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 05.07.2017 (45) Опубликовано: 30.11.2017 Бюл. № 34 Стр.: 1 U ...

Подробнее
Номер записи: 67
17-01-2018 дата публикации

Дифференциальный фотоприемник с улучшенной пространственной характеристикой

Номер: RU0000176331U1
Автор: Гаврушко Валерий Владимирович, Ионов Александр Сергеевич, Кадриев Олег Равильевич, Ласткин Валентин Александрович, Петров Александр Владимирович
Принадлежит: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета", Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого"

Полезная модель относится к дифференциальным фотоприемникам и может быть использована в приборах контроля ультрафиолетового и видимого излучений. Дифференциальный фотоприемник содержит два встречно включенных фотодиода одинаковой площади, каждый фотодиод разбит на ряд параллельно соединенных друг с другом областей, расположенных в корпусе, имеющем входное окно, которое имеет матовую поверхность. Технический результат полезной модели заключается в снижении неравномерности пространственного распределения чувствительности в длинноволновой области спектра. 5 ил. И 1 176331 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ЭВО“” 176 331“ 94 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ МЕЭК Восстановление действия патента Дата, с которой действие патента восстановлено: 06.04.2021 Дата внесения записи в Государственный реестр: 06.04.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 06.04.2021 Бюл. №10 Стр.: 1 па ЕСД ЕП

Подробнее
Номер записи: 68
02-07-2018 дата публикации

Интегральный датчик перегрева ключа

Номер: RU0000180943U1
Автор: Андрей Михайлович Цырлов, Михаил Александрович Черкасов
Принадлежит: Акционерное общество "Протон" (АО "Протон")

Полезная модель относится к коммутационной технике и может быть использована в качестве встроенного устройства контроля управления силовым ключевым устройством. Технический результат заключается в точном контроле перегрева тепловыделяющего кристалла ключевого МОП транзистора, расположенного на одном кристалле с сенсором.Для достижения данного технического результата встроенный температурный датчик, формирователь опорного напряжения, аналоговый компаратор сигналов и схема управления затвором МОП транзистора выполнены в едином КМОП базисе и располагаются на одном кристалле с ключевым МОП транзистором, при этом настройка и регулировка температуры перегрева устанавливаются посредством дополнительного вывода. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 180 943 U1 (51) МПК H02H 9/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК G01K 7/00 (2006.01); H01L 27/00 (2006.01); H03M 1/00 (2006.01); H02H 9/00 (2006.01); H03K 17/00 (2006.01) (21)(22) Заявка: 2017132135, 13.09.2017 13.09.2017 (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Протон" (АО "Протон") (RU) Дата регистрации: 02.07.2018 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 2244936 C2, 20.01.2005. RU (45) Опубликовано: 02.07.2018 Бюл. № 19 1 8 0 9 4 3 R U (54) ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ПЕРЕГРЕВА КЛЮЧА (57) Реферат: Полезная модель относится к коммутационной формирователь опорного напряжения, технике и может быть использована в качестве аналоговый компаратор сигналов и схема встроенного устройства контроля управления управления затвором МОП транзистора силовым ключевым устройством. Технический выполнены в едином КМОП базисе и результат заключается в точном контроле располагаются на одном кристалле с ключевым перегрева тепловыделяющего кристалла МОП транзистором, при этом настройка и ключевого МОП транзистора, расположенного регулировка температуры перегрева на одном кристалле с сенсором. устанавливаются посредством дополнительного Для достижения ...

Подробнее
Номер записи: 69
03-08-2018 дата публикации

Элемент памяти на основе ассиметричных мемристорных наноструктур

Номер: RU0000182101U1
Автор: Владимир Александрович Смирнов, Марина Владимировна Ильина, Олег Алексеевич Агеев, Роман Викторович Томинов
Принадлежит: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет)

Полезная модель относится к области электроники и вычислительной техники, конкретно к электрически перепрограммируемым запоминающим устройствам, и может быть использована при создании интегральных схем с наноразмерными элементами памяти. Элемент памяти на основе асимметричных мемристорных наноструктур состоит из изолирующей подложки, нижнего проводящего контакта, запоминающего слоя и верхнего проводящего контакта. При этом запоминающий слой выполнен в виде асимметричных мемристорных наноструктур, имеющих форму усеченного конуса. Технический результат заключается в увеличении быстродействия элемента памяти. 3 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 182 101 U1 (51) МПК H01L 27/00 (2006.01) B82B 1/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 27/00 (2018.05); B82B 1/00 (2018.05) (21)(22) Заявка: 2018112923, 09.04.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 03.08.2018 (45) Опубликовано: 03.08.2018 Бюл. № 22 2016380192 A1, 29.12.2016. US 2005243630 A1, 03.11.2005. RU 2602765 C1, 20.11.2016. (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ АССИМЕТРИЧНЫХ МЕМРИСТОРНЫХ НАНОСТРУКТУР (57) Реферат: Полезная модель относится к области нижнего проводящего контакта, запоминающего электроники и вычислительной техники, слоя и верхнего проводящего контакта. При этом конкретно к электрически перепрограммируемым запоминающий слой выполнен в виде запоминающим устройствам, и может быть асимметричных мемристорных наноструктур, использована при создании интегральных схем с имеющих форму усеченного конуса. Технический наноразмерными элементами памяти. Элемент результат заключается в увеличении памяти на основе асимметричных мемристорных быстродействия элемента памяти. 3 ил. наноструктур состоит из изолирующей подложки, R U 1 8 2 1 0 1 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 148262 U1, 27.11.2014. US Стр.: 1 U 1 U 1 Адрес для переписки: 347922, Ростовская обл., г. Таганрог, Некрасовский ...

Подробнее
Номер записи: 70
30-10-2018 дата публикации

РАДИАЦИОННО-СТОЙКИЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ДЛЯ СТАТИЧЕСКИХ ОПЕРАТИВНЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МЕТАЛЛ-ОКИСЕЛ-ПОЛУПРОВОДНИК ТРАНЗИСТОРАХ

Номер: RU0000184546U1
Автор: Герасимов Юрий Михайлович, Григорьев Николай Геннадьевич, Кобыляцкий Андрей Вадимович, Петричкович Ярослав Ярославович
Принадлежит: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС")

Использование: для создания радиационно-стойкого элемента памяти. Сущность полезной модели заключается в том, что радиационно-стойкий элемент памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах содержит подложку p-типа и «карман» n-типа, активные области триггерных транзисторов n- и p-типов и управляющих транзисторов n-типов, дополнительно содержит контакты p+ и n+ к подложке и «карману», подключенные к шинам нулевого потенциала и питания соответственно и располагающиеся в каждом элементе матрицы памяти рядом с границей между подложкой и «карманом», между смежными элементами памяти одной строки и между внутренними узлами триггера элемента памяти, при этом длина и ширина канала n-канальных и p-канальных транзисторов триггера элемента памяти увеличены. Технический результат: обеспечение возможности повышения стойкости к внешним радиационным факторам. 4 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 184 546 U1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ MG9K Прекращение действия патента на полезную модель (группу полезных моделей) в связи с выдачей патента на идентичный объект Ранее выданный патент на полезную модель: R U (11) Номер патента: 184546 Дата прекращения действия патента: 24.06.2019 Патент, выданный на идентичное изобретение (11) Номер патента: 2692307 Дата внесения записи в Государственный реестр: 24.06.2019 Дата публикации и номер бюллетеня: 24.06.2019 Бюл. №18 1 8 4 5 4 6 Дата публикации сведений о выдаче патента: 24.06.2019 R U 1 8 4 5 4 6 U 1 U 1 Стр.: 1

Подробнее
Номер записи: 71
31-10-2018 дата публикации

Фотодиэлектрический чувствительный элемент для регистрации оптического излучения

Номер: RU0000184584U1
Автор: Дмитрий Евгеньевич Шашин
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет"

Полезная модель относится к области измерительной техники и касается фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации оптического излучения. Фотодиэлектрический чувствительный элемент включает в себя оптически прозрачную подложку и электроды встречно-штыревой конфигурации с расстоянием между штырями электродов 5 мкм, расположенные между прозрачной подложкой из оптического стекла марки КВ и тонкой пленкой оксида цинка с сопротивлением 10Ом⋅см. На поверхности тонкой пленки сформированы контактные площадки для проводящих выводов. Пленка оксида цинка формируется методом реактивного магнетронного распыления с дальнейшим отжигом при температуре 500C. Измерение оптического излучения осуществляется посредством изменения диэлектрической проницаемости тонкой пленки оксида цинка под действием оптического излучения. Технический результат заключается в устранении темнового тока при регистрации оптического излучения. 1 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 184 584 U1 (51) МПК H01L 27/14 (2006.01) H01G 9/20 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 27/14 (2006.01); H01G 9/20 (2006.01) (21)(22) Заявка: 2018126379, 17.07.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет" (RU) Дата регистрации: 31.10.2018 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 267146 C1, 03.08.2017. CN (45) Опубликовано: 31.10.2018 Бюл. № 31 103346171 A, 09.10.2013. US 9059417 B1, 16.06.2015. UA 81905 C2, 25.10.2008. пленкой оксида цинка с сопротивлением 1011 Ом⋅см. На поверхности тонкой пленки R U 1 8 4 5 8 4 (54) Фотодиэлектрический чувствительный элемент для регистрации оптического излучения (57) Реферат: Полезная модель относится к области сформированы контактные площадки для измерительной техники и касается проводящих выводов. ...

Подробнее
Номер записи: 72
19-03-2019 дата публикации

Одиночная излучательная ВТСП мезоструктура на основе соединений висмута

Номер: RU0000187779U1
Автор: Вопилкин Евгений Александрович, Краев Станислав Алексеевич, Панкратов Андрей Леонидович, Ревин Леонид Сергеевич
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН)

Использование: для создания излучательной ВТСП мезоструктуры на основе соединений висмута. Сущность полезной модели заключается в том, что излучательная ВТСП мезоструктура на основе соединений висмута состоит из излучающей части мезоструктуры, золотых или серебряных контактных площадок и подложки толщиной от 20 мкм и более, выполненной из не являющегося сверхпроводником металла с высокой теплопроводностью, наращенного на одну из контактных площадок. Технический результат: обеспечение возможности улучшения теплоотвода, что обеспечивает стабильную работу мезоструктуры. 8 ил. Ц 187779 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ 7 ВУ’” 187 779? 41 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 15.12.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 05.10.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 05.10.2021 Бюл. №28 Стр.: 1 па 61141481 ЕП

Подробнее
Номер записи: 73
06-05-2019 дата публикации

ПОДЛОЖКА ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛАНАРНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ ПРОВОДНИКА

Номер: RU0000188983U1
Автор: Мастеров Дмитрий Вячеславович, Павлов Сергей Алексеевич, Панкратов Андрей Леонидович, Парафин Алексей Евгеньевич, Ревин Леонид Сергеевич
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН)

Использование: для создания планарных структур на основе эпитаксиальных пленок. Сущность полезной модели заключается в том, что подложка для формирования планарной структуры на основе эпитаксиальной пленки проводника, представляющая собой монокристаллическую пластину с параметрами решетки, близкими к параметрам решетки осаждаемого проводника настолько, чтобы был возможен рост эпитаксиальной пленки осаждаемого проводника на данной монокристаллической пластине, и с поверхностью, подготовленной (epi-ready) к росту эпитаксиальной пленки осаждаемого проводника, при этом на ней сформирована задающая маска, представляющая собой слой нетекстурированного поликристалла, препятствующий последующему росту на нем эпитаксиальной пленки осаждаемого проводника, в котором вскрыты окна для роста эпитаксиальной пленки осаждаемого проводника. Технический результат: обеспечение возможности упрощения процесса создания при сохранении электрофизических характеристик. 5 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 188 983 U1 (51) МПК H01L 27/18 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 27/18 (2019.02) (21) (22) Заявка: 2018127952, 30.07.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.07.2018 06.05.2019 (45) Опубликовано: 06.05.2019 Бюл. № 13 Адрес для переписки: 603950, г. Нижний Новгород, ул. Ульянова, 46, Бокс-120, ИПФ РАН, патентная группа, Кузнецовой Л.О. Парафин, Новый подход к формированию топологии планарных структур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBCO, Физика твердого тела, том 59, вып. 11, 2017. Д.В. Мастеров, С.А. Павлов, А.Е. Парафин, П.А. Юнин, Исследование планарных структур, полученных на модифицированных подложках Al 2 O 3 , определяющих (см. прод.) U 1 1 8 8 9 8 3 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: Д.В. Мастеров, С.А. Павлов, А.Е. (54) ПОДЛОЖКА ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛАНАРНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ ПРОВОДНИКА (57) Реферат: Использование: для ...

Подробнее
Номер записи: 74
09-10-2019 дата публикации

РАДИАЦИОННО СТОЙКОЕ СТАТИЧЕСКОЕ ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО (ОЗУ) НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МЕТАЛЛ-ОКИСЕЛ-ПОЛУПРОВОДНИК ТРАНЗИСТОРАХ

Номер: RU0000192998U1
Автор: Герасимов Юрий Михайлович, Григорьев Николай Геннадьевич, Кобыляцкий Андрей Вадимович, Петричкович Ярослав Ярославович
Принадлежит: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы"

Использование: для области микроэлектроники. Сущность полезной модели заключается в том, что радиационно стойкое статическое оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах содержит блоки адресных формирователей, блоки буферных формирователей данных, схему управления, схему разрешения выходов, также содержит два накопителя, два блока обнаружения и исправления ошибок, блок формирователей адресных и управляющих сигналов, который соединен с накопителями, которые соединены с блоками обнаружения и исправления ошибок, которые соединены с блоками буферных формирователей данных, выходы которых являются выходами устройства, причем выходы блоков адресных формирователей и схемы управления соединены с входами блока формирователей адресных и управляющих сигналов, выход которого соединен со входом схемы разрешения выходов, выходы которой соединены с входами блоков буферных формирователей данных, при этом каждый накопитель выполнен в виде матрицы ячеек памяти и содержит блоки, состоящие из базовых субблоков, которые содержат разрядные секции основных разрядов и разрядные секции контрольных разрядов, которые относятся к разным словам и конструктивно расположены таким образом, что разряды одного слова разнесены на расстояние, достаточное для исключения многократных сбоев в разрядах шины данных, относящихся к одному информационному слову. Технический результат: обеспечение возможности повышения устойчивости к одиночным сбоям при воздействии отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). 3 з.п. ф-лы, 2 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 192 998 U1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ MG9K Прекращение действия патента на полезную модель (группу полезных моделей) в связи с выдачей патента на идентичный объект Ранее выданный патент на полезную модель: R U (11) Номер патента: 192998 Дата прекращения действия патента: 02.07.2020 Патент, выданный на идентичное изобретение (11) Номер ...

Подробнее
Номер записи: 75
05-02-2020 дата публикации

КРЕМНИЕВЫЙ КОНДЕНСАТОР

Номер: RU0000195783U1
Автор: Брюхно Николай Александрович, Котова Маргарита Юрьевна, Макарцева Олеся Викторовна
Принадлежит: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

Полезная модель относится к области электронной техники, а именно к конструкции кремниевых конденсаторов, применяемых в СВЧ технике. Техническим результатом данной полезной модели упрощение изготовления за счет исключения работы с толстыми изолирующими слоями. Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известных кремниевых конденсаторов, в предлагаемом кремниевом конденсаторе, содержащем кремниевую подложку, слой, изолирующий подложку, первый электрод, изолирующий слой конденсатора, второй электрод, контактные площадки электродов, линию разделения конденсаторов на отдельные кристаллы и защитный элемент, изолирующий линию разделения от контактных площадок электродов, в предлагаемом - защитный элемент, изолирующий линию разделения, выполнен в виде канавки в подложке глубиной 5≤h≤30 мкм, по дну которой проходит линия разделения. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 195 783 U1 (51) МПК H01L 29/02 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01) H01L 29/41 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 29/02 (2019.08); H01L 27/10 (2019.08); H01L 29/41 (2019.08) (21)(22) Заявка: 2019136461, 12.11.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" (RU) 05.02.2020 (45) Опубликовано: 05.02.2020 Бюл. № 4 1 9 5 7 8 3 R U (54) КРЕМНИЕВЫЙ КОНДЕНСАТОР (57) Реферат: Полезная модель относится к области электронной техники, а именно к конструкции кремниевых конденсаторов, применяемых в СВЧ технике. Техническим результатом данной полезной модели упрощение изготовления за счет исключения работы с толстыми изолирующими слоями. Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известных кремниевых конденсаторов, в предлагаемом кремниевом конденсаторе, содержащем кремниевую Стр.: 1 подложку, слой, изолирующий подложку, первый электрод, изолирующий слой конденсатора, второй электрод, контактные площадки ...

Подробнее
Номер записи: 76
03-06-2020 дата публикации

ДЕТЕКТОР РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С СОСТАВНЫМ СЦИНТИЛЛЯТОРОМ

Номер: RU0000197875U1
Автор: Дабагов Анатолий Рудольфович, Путилин Андрей Николаевич, Спорыш Владимир Игоревич, Супонников Дмитрий Александрович
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "МТ"

Использование: для изготовления устройств рентгеновского исследования биологических образцов и объектов и систем неразрушающего контроля. Сущность полезной модели заключается в том, что детектор рентгеновского излучения состоит из слоя сцинтиллятора на поверхности многоэлементного фоточувствительного сенсора, расположенного на подложке, осуществляющей механическую стабильность всей конструкции, при этом слой сцинтиллятора, характеристики которого отличаются для различных пространственных зон как по толщине, так и по пространственному расположению относительно пиксельной структуры фоточувствительного сенсора, обеспечивает неоднородную чувствительность и разрешение. Технический результат: обеспечение возможности детектирования изображения с отличающимися характеристиками рентгеновской и контрастной чувствительности. 7 з.п. ф-лы, 7 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 197 875 U1 (51) МПК H01L 27/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 27/14658 (2019.08); G01T 1/20 (2019.08) (21)(22) Заявка: 2019109497, 01.04.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 03.06.2020 (45) Опубликовано: 03.06.2020 Бюл. № 16 1 9 7 8 7 5 R U (54) ДЕТЕКТОР РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С СОСТАВНЫМ СЦИНТИЛЛЯТОРОМ (57) Реферат: Использование: для изготовления устройств отличаются для различных пространственных рентгеновского исследования биологических зон как по толщине, так и по пространственному образцов и объектов и систем неразрушающего расположению относительно пиксельной контроля. Сущность полезной модели структуры фоточувствительного сенсора, заключается в том, что детектор рентгеновского обеспечивает неоднородную чувствительность и излучения состоит из слоя сцинтиллятора на разрешение. Технический результат: обеспечение поверхности многоэлементного возможности детектирования изображения с фоточувствительного сенсора, расположенного отличающимися характеристиками рентгеновской на ...

Подробнее
Номер записи: 77
18-02-2021 дата публикации

Мемристивный синапс

Номер: RU0000202461U1
Автор: Андреева Наталья Владимировна, Герасимова Марина Игоревна, Лучинин Виктор Викторович, Мазинг Дмитрий Сергеевич, Романов Александр Анатольевич, Рындин Евгений Адальбертович
Принадлежит: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)"

Мемристивный синапс относится к области микро- и наноэлектроники, а именно, к разработке элементной базы для аппаратной реализации нейрокомпьютерных (нейроморфных) систем. Мемристивный синапс (мемристивный элемент с адаптивными свойствами) на основе тонкопленочных металлооксидных гетероструктур (Pt/TiO/AlO/Pt) может использоваться в качестве электронного эквивалента синапса при реализации архитектуры нейроморфных систем. Мемристивный синапс содержит платиновые электроды и активную область, выполненную в виде последовательности тонкопленочных слоев оксидов титана и алюминия. Для достижения адаптивного изменения уровня сопротивления элемента - мемристивного синапса используется слой оксида титана в фазе анатаза, толщиной от 20 до 60 нм, который формируется методом атомно-слоевого осаждения поверх нижнего электрода и служит резервуаром кислородных вакансий для переключающегося слоя. Активным (переключающимся) слоем является аморфный слой оксида алюминия, толщиной от 4 до 6 нм, выполненный поверх слоя оксида титана, методом атомно-слоевого осаждения. Аналоговая (многоуровневая) перестройка резистивного состояния мемристивного синапса обеспечивается путем контролируемого изменения концентрации кислородных вакансий в токовом шнуре, формируемом при биполярном переключении относительно наиболее высокоомного уровня сопротивления элемента. Заявляемая полезная модель обеспечивает увеличение диапазона энергонезависимого переключения сопротивления мемристивного синапса до 7 порядков по величине, стабильность промежуточных по сопротивлению уровней и не требует процедуры дополнительной предварительной электрической «формовки» для активации эффектов резистивного энергонезависимого переключения. 3 илл. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 202 461 U1 (51) МПК H01L 27/24 (2006.01) H01L 45/00 (2006.01) B82B 1/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 27/2472 (2020.08); H01L 27/14 (2020.08); H01L 45/04 (2020 ...

Подробнее
Номер записи: 78
06-05-2021 дата публикации

Полевой транзистор с вертикальным каналом для СВЧ - техники

Номер: RU0000204091U1
Автор: Гусев Евгений Эдуардович, Махиборода Максим Александрович, Филиппов Николай Александрович
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Сенсор Микрон"

Полезная модель относится к области полупроводниковой электроники. Данное техническое решение может быть использовано в СВЧ-технике для транзисторов в малошумящих усилителях. В результате использования предлагаемого устройства обеспечивается повышение быстродействия, улучшение энергоэффективности, повышение локальности воздействия электронным пучком, осуществляется возможность изменения направления протекания тока. Данный результат достигается за счет того, что формируют транзистор, содержащий исток, сток, вертикальный канал, затвор, причем матрица каналов выполнена в виде цилиндрической формы, каналы расположены соосно, область канала - вакуумное пространство, матрица затворов чередуется с матрицей каналов. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 204 091 U1 (51) МПК H01L 29/732 (2006.01) H01L 27/092 (2006.01) H01L 21/8238 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 29/872 (2021.02); H01L 27/00 (2021.02); H01L 27/0629 (2021.02) (21)(22) Заявка: 2020143047, 25.12.2020 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: (73) Патентообладатель(и): Общество с ограниченной ответственностью "Сенсор Микрон" (RU) 06.05.2021 (45) Опубликовано: 06.05.2021 Бюл. № 13 2 0 4 0 9 1 R U (54) Полевой транзистор с вертикальным каналом для СВЧ - техники (57) Реферат: Полезная модель относится к области осуществляется возможность изменения полупроводниковой электроники. Данное направления протекания тока. техническое решение может быть использовано Данный результат достигается за счет того, в СВЧ-технике для транзисторов в малошумящих что формируют транзистор, содержащий исток, усилителях. сток, вертикальный канал, затвор, причем В результате использования предлагаемого матрица каналов выполнена в виде устройства обеспечивается повышение цилиндрической формы, каналы расположены быстродействия, улучшение соосно, область канала - вакуумное пространство, энергоэффективности, повышение локальности ...

Подробнее
Номер записи: 79
19-07-2021 дата публикации

КРЕМНИЕВАЯ СТРУКТУРА С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ДЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ МИКРОСХЕМ В МАЛОГАБАРИТНЫХ КОРПУСАХ

Номер: RU0000205507U1
Автор: Брюхно Николай Александрович, Бутарев Игорь Юрьевич, Жарковский Евгений Михайлович, Куфтов Иван Владимирович
Принадлежит: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"

Предлагаемая полезная модель относится к конструкции кремниевых структур с диэлектрической изоляцией для высоковольтных микросхем, а именно - для микросхем в малогабаритных корпусах с напряжением питания более 200 В. Техническим результатом предлагаемой полезной модели является повышение пробивного напряжения без увеличения прямого падения напряжения и толщины кристалла. Указанный технический результат достигается тем, что кремниевая структура с диэлектрической изоляцией для высоковольтных микросхем, состоящая из подложки на основе кремния, изолированных диэлектриком от подложки кремниевых монокристаллических карманов с двумя скрытыми слоями, первым легированным мышьяком, и выходящим на рабочую поверхность структуры по боковым стенкам карманов, вторым на дне кармана легированный фосфором дозой в интервале (2,5-3,5)⋅10 ионов/см и глубиной больше глубины залегания мышьяка на 4-6 мкм и высоковольтным планарным переходом на рабочей стороне кремниевой структуры с диэлектрической изоляцией, состоящим из плоской части, по периферии которой расположены элементы, повышающие напряжение пробоя планарного перехода, при этом второй скрытый слой сформирован только под плоской частью планарного перехода. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 205 507 U1 (51) МПК H01L 27/04 (2006.01) H01L 21/76 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 27/04 (2021.05); H01L 21/76 (2021.05) (21)(22) Заявка: 2021106298, 10.03.2021 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 19.07.2021 (45) Опубликовано: 19.07.2021 Бюл. № 20 2 0 5 5 0 7 R U (54) КРЕМНИЕВАЯ СТРУКТУРА С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ДЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ МИКРОСХЕМ В МАЛОГАБАРИТНЫХ КОРПУСАХ (57) Реферат: Предлагаемая полезная модель относится к двумя скрытыми слоями, первым легированным конструкции кремниевых структур с мышьяком, и выходящим на рабочую диэлектрической изоляцией для высоковольтных поверхность структуры по боковым стенкам микросхем, ...

Подробнее
Номер записи: 80
13-09-2021 дата публикации

Многокристальный силовой модуль

Номер: RU0000206439U1
Автор: Воронин Игорь Павлович, Воронин Павел Анатольевич, Кузин Сергей Юрьевич
Принадлежит: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ")

Полезная модель относится к радиоэлектронной технике, в частности к силовым микросборкам, и направлена на повышение надежности работы устройства за счет устранения проблем статической и динамической неравномерности распределения напряжения между полупроводниковыми ключами многокристальной сборки. Многокристальный силовой модуль, выполненный по трехуровневой схеме с фиксированной нулевой точкой, содержащий четыре кристалла полупроводниковых ключей, четыре кристалла встречно-параллельных диодов, два кристалла фиксирующих диодов, шесть керамических плат с двусторонним металлическим покрытием, базовую плату - теплоотвод, три силовых вывода на стороне постоянного тока модуля и один силовой вывод на стороне переменного тока модуля. На верхнем основании каждой керамической платы сформирована дополнительная контактная площадка. При этом дополнительные контактные площадки на всех шести керамических платах выполнены в виде верхнего металлизированного основания каждой из шести дополнительных керамических плат, которые нижним металлизированным основанием припаяны к верхнему металлизированному основанию одноименной керамической платы. Значения диэлектрической проницаемости дополнительных керамических плат, расположенных на пятой и шестой керамических платах, выбраны большими, чем значения диэлектрической проницаемости дополнительных керамических плат, расположенных на первой, второй, третьей и четвертой керамических платах. Значения сопротивлений изоляции для диэлектриков дополнительных керамических плат, расположенных на первой четвертой керамических платах, выбраны большими, чем значения сопротивления изоляции для диэлектриков дополнительных керамических плат, расположенных на второй и третьей керамических платах. 1 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 206 439 U1 (51) МПК H01L 27/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 27/00 (2021.05) (21)(22) Заявка: 2021115234, 27.05.2021 (24) Дата начала ...

Подробнее
Номер записи: 81
17-09-2021 дата публикации

Ограничитель СВЧ мощности

Номер: RU0000206619U1
Автор: Артём Меджлумович Сарибекян, Руслан Робертович Кинзябулатов
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "АРГУС-ЭТ"

Полезная модель относится к радиотехнике и может быть использован в качестве защитного устройства на входе приемных каналов электронной аппаратуры для защиты от сигналов высокого уровня СВЧ-мощности, а также сигналов с частотами вне рабочей полосы пропускания. Ограничитель выполнен на основе микрополосковой линии в виде каскадов с pin-диодами, причем один из каскадов соединен с землей через дроссель, один конец линии является входом ограничителя, а другой конец - его выходом. Входной полосок микрополосковой линии дополнительно соединен с двумя разомкнутыми микрополосками, концы которых соединены с анодами дополнительных pin-диодов, катоды которых соединены с землей, а катоды pin-диодов в остальных каскадах также соединены с землей. Достигаемым техническим результатом является увеличение быстродействия ограничителя СВЧ-мощности. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 206 619 U1 (51) МПК H01L 27/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 27/00 (2021.05) (21)(22) Заявка: 2021115031, 25.05.2021 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: (73) Патентообладатель(и): Общество с ограниченной ответственностью "Аргус-ЭТ" (RU) Дата регистрации: 17.09.2021 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 2097877 C1, 27.11.1997. RU 2258278 C2, 10.08.2005. US 20020180552 A1, 05.12.2002. US 0008918068 B1, 23.12.2014. (45) Опубликовано: 17.09.2021 Бюл. № 26 2 0 6 6 1 9 R U (54) Ограничитель СВЧ мощности (57) Реферат: Полезная модель относится к радиотехнике и может быть использован в качестве защитного устройства на входе приемных каналов электронной аппаратуры для защиты от сигналов высокого уровня СВЧ-мощности, а также сигналов с частотами вне рабочей полосы пропускания. Ограничитель выполнен на основе микрополосковой линии в виде каскадов с pinдиодами, причем один из каскадов соединен с землей через дроссель, один конец линии является Стр.: 1 входом ограничителя, а другой конец - его ...

Подробнее
Номер записи: 82
14-10-2021 дата публикации

Вторичный источник питания для электронно-оптического преобразователя

Номер: RU0000207151U1
Автор: Крюков Дмитрий Владимирович
Принадлежит: Крюков Дмитрий Владимирович

Полезная модель относится к области электротехники и может быть использована для получения необходимых высоковольтных напряжений, обеспечивающих работоспособность электронно-оптического преобразователя (ЭОП), в широком диапазоне уровней освещенности плоскости фотокатода. Техническим результатом полезной модели является создание вторичного источника питания для электронно-оптического преобразователя, с обеспечением новых и более высоких технических и эксплуатационных характеристик. Заявленный технический результат обеспечивается тем, что вторичный источник питания для электронно-оптического преобразователя согласно полезной модели, характеризуется тем, что он содержит преобразователь напряжения питания, включающий блок защиты от подачи обратного напряжения питания, первый стабилизатор напряжения питания устройства, второй стабилизатор напряжения питания микроконтроллера цифро-аналоговый преобразователь управляющего напряжения фотокатода (ФК), управляемый инвертор напряжения питания микроканальной пластины (МКП), управляемый инвертор напряжения питания экрана, преобразователь тока экрана в напряжение, управляемый инвертор напряжения питания фотокатода, умножитель напряжения питания микроканальной пластины, умножитель напряжения питания экрана, умножитель напряжения питания фотокатода, высоковольтный ключ управления запирающим напряжением фотокатода, высоковольтный ключ управления отпирающим напряжением фотокатода, блок защиты фотокатода от сверхтока. Кроме того, устройство содержит схему формирования управляющего сигнала для микроконтроллера, которая включает в себя три резистора и стабилитрон. В целом, совокупность существенных признаков, согласно формуле полезной модели, решает поставленную задачу, расширение арсенала технических средств данного назначения, с обеспечением созданному вторичному источнику питания для электронно-оптического преобразователя возможности внешнего, ручного регулирования коэффициента преобразования МКП, возможности оперативного изменения ...

Подробнее
Номер записи: 83
18-11-2021 дата публикации

ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДЕТЕКТОР МИЛЛИМЕТРОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер: RU0000207821U1
Автор: Минин Игорь Владиленович, Минин Олег Владиленович
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Сибирский государственный университет геосистем и технологий»

Полезная модель относится к технике измерений, в частности к измерению интенсивности электромагнитного излучения миллиметрового диапазона длин волн. Задачей полезной модели является создание малогабаритного пироэлектрического детектора, обладающего высокой чувствительностью в миллиметровой области электромагнитного излучения. Технический результат: реализация возможности детектирования электромагнитного излучения в миллиметровой области с высокой чувствительностью. 1 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 207 821 U1 (51) МПК G01J 5/00 (2006.01) G01J 5/02 (2006.01) H01L 27/14 (2006.01) H01L 31/0392 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК G01J 5/00 (2021.08); G01J 5/02 (2021.08); H01L 27/14 (2021.08); H01L 31/0392 (2021.08) (21)(22) Заявка: 2021121364, 20.07.2021 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 18.11.2021 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 20.07.2021 (45) Опубликовано: 18.11.2021 Бюл. № 32 2 0 7 8 2 1 R U (54) ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДЕТЕКТОР МИЛЛИМЕТРОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (57) Реферат: Полезная модель относится к технике миллиметровой области электромагнитного измерений, в частности к измерению излучения. интенсивности электромагнитного излучения Технический результат: реализация миллиметрового диапазона длин волн. возможности детектирования электромагнитного Задачей полезной модели является создание излучения в миллиметровой области с высокой малогабаритного пироэлектрического детектора, чувствительностью. 1 ил. обладающего высокой чувствительностью в Стр.: 1 U 1 U 1 Адрес для переписки: 630108, г. Новосибирск, ул. Плахотного, 10, ФГБОУ ВО "СГУГИТ", Карпик Александр Петрович (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 2606516 C2, 10.01.2017. Паулиш А.Г., Кузнецов С.А., "Селективный пироэлектрический детектор миллиметрового излучения с ультратонким резонансным метапоглотителем", Письма в ЖТФ, 2016, том 42, вып. 22, стр.64-71. RU 2655714 C1, 29.05.2018. RU 160810 U1, 10 ...

Подробнее
Номер записи: 84
12-01-2012 дата публикации

Reconfigurable Multilayer Circuit

Номер: US20120007038A1
Автор: Dmitri Borisovich Strukov, R. Stanley Williams, Yevgeniy Eugene Shteyn
Принадлежит: Hewlett Packard Development Co LP

A reconfigurable multilayer circuit ( 400 ) includes a complimentary metal-oxide-semiconductor (CMOS) layer ( 210 ) having control circuitry, logic gates ( 515 ), and at least two crossbar arrays ( 205, 420 ) which overlie the CMOS layer ( 210 ). The at least two crossbar arrays ( 205, 420 ) are configured by the control circuitry and form reconfigurable interconnections between the logic gates ( 515 ) within the CMOS layer ( 210 ).

Подробнее
Номер записи: 85
12-01-2012 дата публикации

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер: US20120007049A1
Автор: Jung Hee Lee, Ki Yeol Park, Woo Chul Jeon, Young Hwan Park
Принадлежит: Samsung Electro Mechanics Co Ltd

The present invention provides a nitride-based semiconductor device. The nitride-based semiconductor device includes: a base substrate having a diode structure; an epi-growth film disposed on the base substrate; and an electrode part disposed on the epi-growth film, wherein the diode structure includes: first-type semiconductor layers; and a second-type semiconductor layer which is disposed within the first-type semiconductor layers and has both sides covered by the first-type semiconductor layers.

Подробнее
Номер записи: 86
12-01-2012 дата публикации

Area Sensor and Display Apparatus Provided With An Area Sensor

Номер: US20120007090A1
Автор: Hajime Kimura, Jun Koyama, Masato Yonezawa, Shunpei Yamazaki, Yu Yamazaki
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd

An area sensor of the present invention has a function of displaying an image in a sensor portion by using light-emitting elements and a reading function using photoelectric conversion devices. Therefore, an image read in the sensor portion can be displayed thereon without separately providing an electronic display on the area sensor. Furthermore, a photoelectric conversion layer of a photodiode according to the present invention is made of an amorphous silicon film and an N-type semiconductor layer and a P-type semiconductor layer are made of a polycrystalline silicon film. The amorphous silicon film is formed to be thicker than the polycrystalline silicon film. As a result, the photodiode according to the present invention can receive more light.

Подробнее
Номер записи: 87
12-01-2012 дата публикации

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер: US20120007094A1
Автор: Takashi Hamada, Yasuyuki Arai
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd

A semiconductor device includes a thin film transistor. The thin film transistor includes a semiconductor film over a substrate, in which the semiconductor film includes a pair of first regions, a pair of second regions interposed between the pair of first regions, and a channel formation region interposed between the pair of second regions. A concentration of an impurity in the pair of second regions is smaller than a concentration of the impurity in the pair of first regions. The thin film transistor includes an insulating film, in which a portion of the insulating film is provided over the semiconductor film. The thin film transistor includes a conductive film over the portion, and the conductive film includes a taper shape.

Подробнее
Номер записи: 88
12-01-2012 дата публикации

Solid imaging device

Номер: US20120007149A1
Автор: Hisanori Suzuki, Kentaro Maeta, Masaharu Muramatsu, Yasuhito Yoneta
Принадлежит: Hamamatsu Photonics KK

In a solid-state imaging device 1 , an overflow gate (OFG) 5 has a predetermined electric resistance value, while voltage application units 16 1 to 16 5 are electrically connected to the OFG 5 at connecting parts 17 1 to 17 5 . Therefore, when voltage values V 1 to V 5 applied to the connecting parts 17 1 to 17 5 by the voltage application units 16 1 to 16 5 are adjusted, the OFG 5 can yield higher and lower voltage values in its earlier and later stage parts, respectively. As a result, the barrier level (potential) becomes lower and higher in the earlier and later stage parts, so that all the electric charges generated in an earlier stage side region of photoelectric conversion units 2 can be caused to flow out to an overflow drain (OFD) 4 , whereby only the electric charges generated in a later stage side region of the photoelectric conversion units 2 can be TDI-transferred.

Подробнее
Номер записи: 89
12-01-2012 дата публикации

Protecting bond pad for subsequent processing

Номер: US20120007199A1
Автор: Helen Hongwei Li, Jeanne M. McNamara, John T. Gasner, Joy Ellen Jones, Phillip J. Benzel
Принадлежит: INTERSIL AMERICAS LLC

A method for opening a bond pad on a semiconductor device is provided. The method comprises removing a first layer to expose a first portion of the bond pad and forming a protective layer over the exposed first portion of the bond pad. The method further comprises performing subsequent processing of the semiconductor device and removing the protective layer to expose a second portion of the bond pad.

Подробнее
Номер записи: 90
12-01-2012 дата публикации

Monolithic photodetector

Номер: US20120007201A1
Автор: Christophe Aumont, Cyril Fellous, Francois Roy, Nicolas Hotellier
Принадлежит: STMICROELECTRONICS SA

A photodetector including a photodiode formed in a semiconductor substrate and a waveguide element formed of a block of a high-index material extending above the photodiode in a thick layer of a dielectric superposed to the substrate, the thick layer being at least as a majority formed of silicon oxide and the block being formed of a polymer of the general formula R 1 R 2 R 3 SiOSiR 1 R 2 R 3 where R 1 , R 2 , and R 3 are any carbonaceous or metal substituents and where one of R 1 , R 2 , or R 3 is a carbonaceous substituent having at least four carbon atoms and/or at least one oxygen atom.

Подробнее
Номер записи: 91
19-01-2012 дата публикации

Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, radiological imaging apparatus and method of manufacturing the same, and method of testing solid-state imaging device

Номер: US20120012753A1
Автор: Harumichi Mori, Kazuki Fujita, Ryuji Kyushima
Принадлежит: Hamamatsu Photonics KK

A solid-state imaging device according to one embodiment includes a plurality of signal output units. Each of the plurality of signal output units includes a first input terminal electrode group that includes a plurality of terminal electrodes for inputting a reset signal, a hold signal, a horizontal start signal, and a horizontal clock signal and a first output terminal electrode that provides output signals. The solid-state imaging device further includes a second input terminal electrode group that includes a plurality of terminal electrodes for receiving the reset signal, the hold signal, the horizontal start signal, and the horizontal clock signal, a plurality of switches that switch an electrode group which is connected with integrating circuits, holding circuits, and a horizontal shift register between the first input terminal electrode group and the second input terminal electrode group, and a second output terminal electrode.

Подробнее
Номер записи: 92
19-01-2012 дата публикации

Semiconductor device

Номер: US20120012837A1
Автор: Kiyoshi Kato, Shuhei Nagatsuka, Shunpei Yamazaki
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd

A semiconductor device with a novel structure in which stored data can be retained even when power is not supplied, and does not have a limitation on the number of write cycles. The semiconductor device includes a memory cell including a first transistor, a second transistor, and an insulating layer placed between a source region or a drain region of the first transistor and a channel formation region of the second transistor. The first transistor and the second transistor are provided to at least partly overlap with each other. The insulating layer and a gate insulating layer of the second transistor satisfy the following formula: (t a /t b )×(ε ra /ε rb )<0.1, where t a represents the thickness of the gate insulating layer, t b represents the thickness of the insulating layer, ε ra represents the dielectric constant of the gate insulating layer, and ε rb represents the dielectric constant of the insulating layer.

Подробнее
Номер записи: 93
19-01-2012 дата публикации

Display device and electronic device including the same

Номер: US20120012847A1
Автор: Jun Koyama, Shunpei Yamazaki
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd

One embodiment of the present invention provides a highly reliably display device in which a high mobility is achieved in an oxide semiconductor. A first oxide component is formed over a base component. Crystal growth proceeds from a surface toward an inside of the first oxide component by a first heat treatment, so that a first oxide crystal component is formed in contact with at least part of the base component. A second oxide component is formed over the first oxide crystal component. Crystal growth is performed by a second heat treatment using the first oxide crystal component as a seed, so that a second oxide crystal component is formed. Thus, a stacked oxide material is formed. A transistor with a high mobility is formed using the stacked oxide material and a driver circuit is formed using the transistor.

Подробнее
Номер записи: 94
19-01-2012 дата публикации

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер: US20120012851A1
Автор: Hideaki Kuwabara, Jun Koyama, Shunpei Yamazaki, Yasuyuki Arai
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd

A pixel TFT formed in a pixel region is formed on a first substrate by a channel etch type reverse stagger type TFT, and patterning of a source region and a drain region, and patterning of a pixel electrode are performed by the same photomask. A driver circuit formed by using TFTs having a crystalline semiconductor layer, and an input-output terminal dependent on the driver circuit, are taken as one unit. A plurality of units are formed on a third substrate, and afterward the third substrate is partitioned into individual units, and the obtained stick drivers are mounted on the first substrate.

Подробнее
Номер записи: 95
19-01-2012 дата публикации

Light emitting device

Номер: US20120012888A1
Автор: Jun Koyama, Munehiro Azami, Shunpei Yamazaki, Tatsuya Arao
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd

A light emitting device is provided which can prevent a change in gate voltage due to leakage or other causes and at the same time can prevent the aperture ratio from lowering. A capacitor storage is formed from a connection wiring line, an insulating film, and a capacitance wiring line. The connection wiring line is formed over a gate electrode and an active layer of a TFT of a pixel, and is connected to the active layer. The insulating film is formed on the connection wiring line. The capacitance wiring line is formed on the insulating film. This structure enables the capacitor storage to overlap the TFT, thereby increasing the capacity of the capacitor storage while keeping the aperture ratio from lowering. Accordingly, a change in gate voltage due to leakage or other causes can be avoided to prevent a change in luminance of an OLED and flickering of screen in analog driving.

Подробнее
Номер записи: 96
19-01-2012 дата публикации

Vertically Fabricated BEOL Non-Volatile Two-Terminal Cross-Trench Memory Array with Two-Terminal Memory Elements and Method of Fabricating the Same

Номер: US20120012897A1
Автор: Paul Besser, Robin Cheung, Wen Zhong Kong
Принадлежит: Unity Semiconductor Corp

A non-Flash non-volatile cross-trench memory array formed using an array of trenches formed back-end-of-the-line (BEOL) over a front-end-of-the-line (FEOL) substrate includes two-terminal memory elements operative to store at least one bit of data that are formed at a cross-point of a first trench and a second trench. The first and second trenches are arranged orthogonally to each other. At least one layer of memory comprises a plurality of the first and second trenches to form a plurality of memory elements. The non-volatile memory can be used to replace or emulate other memory types including but not limited to embedded memory, DRAM, SRAM, ROM, and FLASH. The memory is randomly addressable down to the bit level and erase or block erase operation prior to a write operation are not required.

Подробнее
Номер записи: 97
19-01-2012 дата публикации

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер: US20120012944A1
Автор: Jae-Yun YI
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc

A semiconductor device includes a memory block including a transistor region and a memory region. A variable resistance layer of the memory region acts as a gate insulating layer in the transistor region.

Подробнее
Номер записи: 98
19-01-2012 дата публикации

Magnetic memory

Номер: US20120012955A1
Автор: Hiroyuki Yamamoto, Jun Hayakawa, Katsuya Miura, Kenchi Ito
Принадлежит: HITACHI LTD

Provided is a magnetic random access memory to which spin torque magnetization reversal is applied, the magnetic random access memory being thermal stable in a reading operation and also being capable of reducing a current in a wiring operation. A magnetoresistive effect element formed by sequentially stacking a fixed layer, a nonmagnetic barrier layer, and a recording layer is used as a memory element. The recording layer adopts a laminated ferrimagnetic structure. The magnetic memory satisfies the expression M s 2 (t/w)>|J ex |>(2k B TΔ)/S, in which k B is a Boltzmann constant, T is an operating temperature of the magnetic memory, S is an area parallel to a film surface of the magnetoresistive effect element, t and M s are respectively a film thickness and a saturated magnetization of the ferromagnetic layer having a smaller film thickness among two ferromagnetic layers which are constituent members of the laminated ferrimagnetic structure, w is a length of a short side of the recording layer, Δ is a thermal stability index of the magnetic memory, and J ex is exchange coupling energy acting between the two ferromagnetic layers of the recording layer.

Подробнее
Номер записи: 99
19-01-2012 дата публикации

Charged particle collector for a cmos imager

Номер: US20120012958A1
Автор: Dan Wesley Chilcott, John Richard Troxell, William J. Baney
Принадлежит: ITT Manufacturing Enterprises LLC

Charged particle sensing devices and methods of forming charged particle sensing devices are provided. The charged particle sensing device includes a source of charged particles, a plurality of collector electrodes for receiving a first portion of the charged particles and a grid formed around and spaced apart from the plurality of collector electrodes. The grid receives a second portion of the charged particles and directs backscattered charged particles, generated responsive to the second portion, to adjacent collector electrodes.

Подробнее
Номер записи: 100