Поиск патентов

Настройки

Глубина выборки

Укажите год

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Ключевые слова. Может быть несколько по одной на строку

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка

Автор

Ведите корректный номера.

Владелец

Ведите корректный номера.

Классы IPC

Ведите корректный номера.

Классы CPC

Ведите корректный номера.

Начиная с года

Укажите год

Заканчивая годом

Укажите год

Применить Всего найдено 127915. Отображено 100.

05-01-2012 дата публикации

High-temperature activation process

Номер: US20120000247A1

Автор: Daniel Burgard, James Hinkle, Joshua Conley, Stephen Murphy, Thomas Truman

Принадлежит: Individual

A method for processing a coated glass substrate may include a high-temperature activation process.

Подробнее

Номер записи: 1

05-01-2012 дата публикации

Multi-directional solar energy collector system

Номер: US20120000509A1

Автор: Cheng-Hong Chen

Принадлежит: Epistar Corp

The present disclosure provides a multi-directional solar energy collector system. It comprises a light concentration device which includes one or plural light concentration lens and one or plural chambers. By means of the light concentration device, the incoming light can be concentrated once or multiple time, then is guided to the solar cell. The system is able to collect incoming light from various directions without consuming additional power.

Подробнее

Номер записи: 2

05-01-2012 дата публикации

Graphene Solar Cell

Номер: US20120000516A1

Автор: Ageeth A. Bol, Ahmed Maarouf, Amal Kasry, Dennis M. Newns, George S. Tulevski, Glenn J. Martyna, Razvan A. Nistor

Принадлежит: Egypt Nanotechnology Center EGNC, International Business Machines Corp

A solar cell includes a semiconductor portion, a graphene layer disposed on a first surface of the semiconductor portion, and a first conductive layer patterned on the graphene layer, the first conductive layer including at least one bus bar portion and a plurality of fingers extending from the at least one bus bar portion.

Подробнее

Номер записи: 3

05-01-2012 дата публикации

Graphene Solar Cell And Waveguide

Номер: US20120000521A1

Автор: Ageeth A. Bol, Ahmed Maarouf, Amal Kasry, Dennis M. Newns, George S. Tulevski, Glenn J. Martyna, Marcelo Kuroda, Razvan A. Nistor

Принадлежит: Egypt Nanotechnology Center EGNC, International Business Machines Corp

A solar cell includes a semiconductor portion, a graphene layer disposed on a first surface of the semiconductor portion, and a first conductive layer patterned on the graphene layer, the first conductive layer including at least one bus bar portion, a plurality of fingers extending from the at least one bus bar portion, and a refractive layer disposed on the first conductive layer.

Подробнее

Номер записи: 4

05-01-2012 дата публикации

CIGS Solar Cell and Method for Manufacturing thereof

Номер: US20120000531A1

Автор: Yan-Way LI

Принадлежит: GCSOL Tech CO Ltd

A CIGS solar cell includes a glass substrate, a light absorbing surface and a photoelectric transducer structure. The glass substrate includes a plurality of arrayed protrusions. The arrayed protrusions protrude from at least one surface of the glass substrate, wherein the depth from the top of the arrayed protrusions to the bottom of the arrayed protrusions is predetermined. The light absorbing surface is located on the top of the arrayed protrusions, the side of the arrayed protrusions and the surface of the glass substrate between the arrayed protrusions. The photoelectric transducer structure includes an n-type semiconductor layer, an i-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer.

Подробнее

Номер записи: 5

05-01-2012 дата публикации

Barrier assembly with encapsulant and photovoltaic cell

Номер: US20120003448A1

Автор: Alan K. Nachtigal, Andrew J. Henderson, Mark A. Roehrig, Mark D. Weigel, Samuel Kidane

Принадлежит: 3M Innovative Properties Co

An assembly that includes a barrier film interposed between a first polymeric film substrate and a first major surface of a pressure sensitive adhesive layer is provided. The first polymeric film substrate has a first coefficient of thermal expansion that is, in some embodiments, up to 50 parts per million per Kelvin. The pressure sensitive adhesive layer has a second major surface opposite the first major surface that is disposed on a second polymeric film substrate. The second polymeric film substrate is typically resistant to degradation by ultraviolet light. In some embodiments, the second polymeric film substrate has a second coefficient of thermal expansion that is at least 40 parts per million per Kelvin higher than the first coefficient of thermal expansion. The assembly is transmissive to visible and infrared light.

Подробнее

Номер записи: 6

05-01-2012 дата публикации

High Throughput Solar Cell Ablation System

Номер: US20120003788A1

Автор: Gabriel Harley, John Viatella, Peter John Cousins, Thomas Pass

Принадлежит: Individual

A solar cell is formed using a solar cell ablation system. The ablation system includes a single laser source and several laser scanners. The laser scanners include a master laser scanner, with the rest of the laser scanners being slaved to the master laser scanner. A laser beam from the laser source is split into several laser beams, with the laser beams being scanned onto corresponding wafers using the laser scanners in accordance with one or more patterns. The laser beams may be scanned on the wafers using the same or different power levels of the laser source.

Подробнее

Номер записи: 7

10-04-2016 дата публикации

Оптоэлектронный волоконный тиристор, управляемый инфракрасным излучением

Номер: RU0000161219U1

Автор: Александр Сергеевич Корсаков, Александр Сергеевич Шмыгалев, Лия Васильевна Жукова, Степан Владимирович Фатьянов

Принадлежит: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина"

Оптоэлектронный волоконный тиристор, управляемый инфракрасным излучением, включающий источник излучения, кремниевую тиристорную структуру, катод, анод и оптоволоконный канал, отличающийся тем, что источник излучения выполнен в виде СО-лазера, а в качестве оптоволоконного канала используют инфракрасные световоды на основе твердых растворов галогенидов серебра AgClBri. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 31/02 (13) 161 219 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ТИТУЛЬНЫЙ (21)(22) Заявка: ЛИСТ ОПИСАНИЯ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2015131211/28, 27.07.2015 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 27.07.2015 (45) Опубликовано: 10.04.2016 Бюл. № 10 R U 1 6 1 2 1 9 (57) Формула полезной модели Оптоэлектронный волоконный тиристор, управляемый инфракрасным излучением, включающий источник излучения, кремниевую тиристорную структуру, катод, анод и оптоволоконный канал, отличающийся тем, что источник излучения выполнен в виде СО-лазера, а в качестве оптоволоконного канала используют инфракрасные световоды на основе твердых растворов галогенидов серебра AgClxBri1-x. Стр.: 1 U 1 U 1 (54) ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ВОЛОКОННЫЙ ТИРИСТОР, УПРАВЛЯЕМЫЙ ИНФРАКРАСНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ 1 6 1 2 1 9 Адрес для переписки: 620002, г. Екатеринбург, К-2, ул. Мира, 19, УрФУ, центр интеллектуальной собственности, Маркс Т.В. (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (RU) R U Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 27.07.2015 (72) Автор(ы): Шмыгалев Александр Сергеевич (RU), Фатьянов Степан Владимирович (RU), Корсаков Александр Сергеевич (RU), Жукова Лия Васильевна (RU) U 1 U 1 1 6 1 2 1 9 1 6 1 2 1 9 R U R U Стр.: 2

Подробнее

Номер записи: 8

27-11-2016 дата публикации

Термоэлектрический генератор

Номер: RU0000166483U1

Автор: Рустем Султанхамитович Кашаев

Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВПО "КГЭУ")

1. Термоэлектрический генератор, включающий последовательно соединенные первый блок термоэлементов (ТЭ), блок управления, который выполняет функции переключения направления, стабилизации и регулировки тока ТЭ для зарядки аккумулятора, инвертор, первую емкость, наполненную первым теплоаккумулирующим материалом (ТАМ), радиатор с пористым капиллярным веществом, способным поглощать и испарять влагу, к которому через первый блок ТЭ прикреплена первая емкость с первым ТАМ, способным поглощать и накапливать тепло за счет изменений температуры окружающей среды и генерировать тепло за счет экзотермического фазового перехода (ЭФП) под воздействием изменений температуры окружающей среды, отличающийся тем, что дополнительно введены солнечные батареи, солнечный коллектор (СК), наполненный незамерзающей, теплопроводящей жидкостью и имеющий внутреннюю свето- и теплопоглощающую поверхность, вторая и третья дополнительные емкости, наполненные соответственно вторым и третьим ТАМ, а также второй, третий и четвертый блоки ТЭ, причем солнечные батареи прикреплены к верхней стороне СК, к нижней стороне СК прикреплен второй блок ТЭ, к нижней стороне которого прикреплена вторая емкость, к нижней поверхности которой прикреплен третий блок ТЭ, к нижней стороне которого прикреплена третья емкость, к нижней поверхности которой прикреплен четвертый блок ТЭ, нижней поверхностью контактирующий с первой емкостью.2. Термоэлектрический генератор по п. 1, отличающийся тем, что первый, второй и третий ТАМ имеют разные температуры ЭФП.3. Термоэлектрический генератор по п. 1, отличающийся тем, что он содержит «n» дополнительных емкостей с «n» ТАМ с разными РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 166 483 U1 (51) МПК H02S 10/30 (2014.01) H01L 31/042 (2014.01) H01J 45/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ТИТУЛЬНЫЙ (21)(22) Заявка: ЛИСТ ОПИСАНИЯ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2016104154/06, 09.02.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 09.02.2016 (72) Автор(ы): ...

Подробнее

Номер записи: 9

06-02-2017 дата публикации

Кремниевый p-i-n фотодиод с низкими темновыми токами

Номер: RU0000168495U1

Автор: Александр Владимирович Петров, Александр Сергеевич Ионов, Валентин Александрович Ласткин, Валерий Владимирович Гаврушко

Принадлежит: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета", федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого"

Полезная модель относится к p-i-n фотодиодам на основе кремния, чувствительным к излучению в спектральном диапазоне 0,6-1,1 мкм. Кремниевый p-i-n фотодиод содержит высокоомную подложку р-типа, защитный окисел и диффузионные n-области фоточувствительного слоя и охранного кольца на освещаемой стороне, диффузионную область р-типа на тыльной стороне, при этом под слоем окисла содержится ионнолегированный бором слой с поверхностной концентрацией 10-10см. Особенностями таких фотодиодов являются высокое быстродействие и смещенная в длинноволновую область спектральная характеристика, что дает возможность регистрировать лазерное излучение в ближнем ИК диапазоне. Технический результат полезной модели - снижение темнового тока фотодиода и повышение стабильности характеристик. 3ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 168 495 U1 (51) МПК H01L 31/068 (2012.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ФОРМУЛА ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (21)(22) Заявка: 2016112215, 31.03.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 31.03.2016 06.02.2017 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 31.03.2016 Адрес для переписки: 173003, г.Великий Новгород, ул. Б. СанктПетербургская, 41, НовГУ, Центр патентования (54) Кремниевый p-i-n фотодиод с низкими темновыми токами U 1 окисел и диффузионные n+-области фоточувствительного слоя и охранного кольца на освещаемой стороне, диффузионную область р+-типа на тыльной стороне, отличающийся тем, что под слоем окисла содержится ионнолегированный бором слой с поверхностной R U 1 6 8 4 9 5 концентрацией 1011-1012 см-2. Стр.: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Кремниевый p-i-n-фотодиод, содержащий высокоомную подложку р-типа, защитный 1 6 8 4 9 5 (45) Опубликовано: 06.02.2017 Бюл. № 4 (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого" (RU), Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (RU) R U ...

Подробнее

Номер записи: 10

05-04-2017 дата публикации

Радиоизотопный источник электрического питания

Номер: RU0000169881U1

Автор: Александр Сергеевич АЛЕКСЕЕВ, Алексей Валентинович Беринцев, Алексей Сергеевич Кадочкин, Андрей Викторович Жуков, Владимир Дмитриевич Рисованый, Вячеслав Викторович Светухин, Сергей Геннадьевич Новиков

Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Электросервис"

Полезная модель относится к области энергетики и может быть использована для преобразования энергии радиоактивного распада в электрическую.Радиоизотопный источник электрического питания содержит корпус, снабженный внешними электрическими контактами, соединенными посредством электрических проводов с внешними электрическими контактами первого и второго полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей, между которыми расположен радиолюминесцентный источник оптического излучения. При этом радиолюминесцентный источник оптического излучения представляет собой гранулированный радиолюминофор с металлическими частицами радиоизотопаNi со средним размером менее 3 мкм и содержанием более 0,1%, которые растворены в оптически-прозрачном компаунде, выполненном в виде слоя толщиной 100-150 мкм, а спектральные диапазоны поглощения фотоэлектрических преобразователей согласованы со спектральным диапазоном оптического излучения радиолюминесцентного источника оптического излучения. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 169 881 U1 (51) МПК G21H 1/12 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ФОРМУЛА ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (21)(22) Заявка: 2016124524, 20.06.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 20.06.2016 05.04.2017 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 20.06.2016 Адрес для переписки: 432063, Ульяновская обл., г. Ульяновск, ул. Железной Дивизии, 5Б, ООО "Электросервис", Новикову Сергею Геннадьевичу (73) Патентообладатель(и): Общество с ограниченной ответственностью "Электросервис" (RU) (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: US 20110100439 A1, 05.05.2011. RU 2388087 C2, 27.04.2010. RU 95114068 A, 20.08.1997. EP 387624 A, 19.09.1990. US 5510665 A1, 23.04.1996 . U 1 1 6 9 8 8 1 R U (57) Формула полезной модели 1. Радиоизотопный источник электрического питания, содержащий корпус, снабженный внешними электрическими контактами, соединенными посредством электрических проводов с внешними электрическими ...

Подробнее

Номер записи: 11

18-04-2017 дата публикации

Фотоприемное устройство

Номер: RU0000170234U1

Автор: Андрей Вячеславович Марущенко, Владимир Владимирович Карпов, Николай Сергеевич Кузнецов, Павел Дмитриевич Гиндин

Принадлежит: Открытое акционерное общество "Швабе-Фотосистемы"

Полезная модель относится к области инфракрасной техники и касается фотоприемного устройства. Фотоприемное устройство включает в себя закрепленную в корпусе с входным окном и заполненную аккумулирующим холод материалом накопительную камеру, на торце которой расположен приемник излучения, а в отверстие основания вмонтирована трубка подачи хладагента. На торцевой поверхности накопительной камеры, противоположной той, на которой закреплен приемник излучения, выполнено одно или несколько дренажных отверстий. Технический результат заключается в уменьшении времени выхода на рабочий режим и увеличении времени автономной работы. 1 з.п. ф-лы. 1 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 170 234 U1 (51) МПК H01L 31/024 (2014.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ФОРМУЛА ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (21)(22) Заявка: 2016143063, 02.11.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 02.11.2016 18.04.2017 (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Швабе-Фотосистемы" (RU) Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 02.11.2016 Адрес для переписки: 117545, Москва, Днепропетровский пр-д, 4А, стр. 3А, ОАО "Швабе-Фотосистемы", Управление стратегического планирования и информационных технологий подготовка командира взвода ПЗРК 9К38 "Игла". Учебное пособие. Издательство Томского политехнического университета, 2011 г., стр. 22. RU 160522 U1, 20.03.2016. US 4791298 A1, 13.12.1988. JP H07302919 A, 14.11.1995. U 1 1 7 0 2 3 4 R U (57) Формула полезной модели 1. Фотоприемное устройство, содержащее закрепленную в корпусе с входным окном и заполненную материалом, аккумулирующим холод, накопительную камеру, на торце которой расположен приемник излучения, а в отверстие основания вмонтирована трубка подачи хладагента, отличающееся тем, что на торцевой поверхности накопительной камеры, противоположной той, на которой закреплен приемник излучения, выполнено одно или несколько дренажных отверстий. 2. Фотоприемное устройство по п. 1, ...

Подробнее

Номер записи: 12

03-05-2017 дата публикации

Комбинированная система глубокого охлаждения фотоприемных устройств

Номер: RU0000170671U1

Автор: Алексей Петрович Фоменко, Валентина Григорьевна Яковлева, Владимир Александрович Федотов, Владимир Николаевич Слободчиков, Геннадий Юрьевич Соломин, Елена Аркадьевна Одинцова, Людмила Геннадьевна Константинова, Наталья Евгеньевна Подшивалова, Руслан Радикович Шафигуллин, Юлия Валентиновна Цветкова

Принадлежит: Акционерное общество "Конструкторское бюро точного машиностроения имени А.Э. Нудельмана"

Полезная модель относится к области криогенной техники и криогенных холодильных машин, работающих по обратному циклу Стерлинга, может быть использована для охлаждения приемников инфракрасного излучения, лазеров, элементов радиоэлектронной аппаратуры и других объектов, выполняющих исследования в космосе.Комбинированная система глубокого охлаждения фотоприемных устройств (СГО ФПУ) содержит две микрокриогенные системы (МКС) по циклу Стерлинга хладопроизводительностью 10 Вт каждая, тепловые трубы от МКС к криостату, криостат с плавящимся веществом, закрепленный через теплоизолирующие втулки с герметичным корпусом, медные хладопроводы от криостата к фотоприемным устройствам, при этом две МКС циклически работают поочередно. В качестве криогенного вещества использован Аргон.Обеспечено продление общего ресурса активной работы аппаратуры системы глубокого охлаждения фотоприемных устройств порядка 7-10 лет, при этом уменьшено механическое (вибрационное) и электромагнитное воздействие, создаваемое при работе МКС, на работу аппаратуры космического аппарата. 1 з.п. ф-лы, фиг. 1 РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 170 671 U1 (51) МПК F25B 9/14 (2006.01) G12B 15/00 (2006.01) H01L 31/024 (2014.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ФОРМУЛА ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (21)(22) Заявка: 2016147373, 02.12.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 02.12.2016 03.05.2017 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 02.12.2016 Адрес для переписки: 117342, Москва, ул. Введенского, вл. 8, АО "КБточмаш им. А.Э. Нудельмана" (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Конструкторское Бюро точного машиностроения имени А.Э. Нудельмана" (RU) (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 2206027 C2, 10.06.2003. RU U 1 R U 1 7 0 6 7 1 (54) Комбинированная система глубокого охлаждения фотоприемных устройств (57) Формула полезной модели 1. Комбинированная система глубокого охлаждения фотоприемных устройств, содержащая герметичный ...

Подробнее

Номер записи: 13

04-09-2017 дата публикации

Фотоприемное устройство с хладопроводом

Номер: RU0000173645U1

Автор: Андрей Вячеславович Марущенко, Владимир Владимирович Карпов, Николай Сергеевич Кузнецов, Павел Дмитриевич Гиндин

Принадлежит: Открытое акционерное общество "Швабе-Фотосистемы"

Полезная модель относится к инфракрасной технике, в частности к полупроводниковым матричным охлаждаемым фотоприемным устройствам (МФПУ) для обнаружения инфракрасного (ИК) излучения, криостатируемым газокриогенными машинами охлаждения (ГКМ) и предназначена для применения в тепловизионных системах, устанавливаемых на стационарных или подвижных объектах. Техническим результатом является увеличение эффективности теплового контакта с большой площадью охлаждения фоточувствительного поля, и достигается тем, что в конструкции фотоприемного устройства, криостатируемого ГКМ, содержащего криостат с входным окном, охлаждаемую диафрагму, хладопровод с подложкой, на поверхности которого расположена матрица или набор матриц, в хладопроводе в зазор, между подложкой и наконечником холодного пальца, установлены подпружиненные, независимые друг от друга минихладопроводы, имеющие каждый свой гибкий хладопровод, состоящий, например из пучка графитовых нитей. Предложенная конструкция дает возможность равномерному распределению тепловой и механической нагрузок и увеличивает эффективность теплового контакта. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. Ц 1 173645 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ 19 11 ве $ ` а = (3 ВУ +3 648 ул (51) МПК ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ НОГ. 310052 (2014.01) (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22) Заявка: 2017112931, 14.04.2017 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 14.04.2017 Дата регистрации: 04.09.2017 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 14.04.2017 (45) Опубликовано: 04.09.2017 Бюл. № 25 Адрес для переписки: 117545, Москва, Днепропетровский пр-д, 4А, стр. ЗА, ОАО "Швабе-Фотосистемы", Управление стратегического планирования и информационных технологий (72) Автор(ы): Гиндин Павел Дмитриевич (КО), Карпов Владимир Владимирович (КП), Кузнецов Николай Сергеевич (КП), Марущенко Андрей Вячеславович (КП) (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Швабе-Фотосистемы" (КО) (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: 0534194119А), 18 ...

Подробнее

Номер записи: 14

19-06-2018 дата публикации

Многоэлементный кремниевый фотодиод

Номер: RU0000180600U1

Автор: Андрей Вячеславович Марущенко, Владимир Владимирович Карпов, Михаил Егорович Козырев, Николай Сергеевич Кузнецов, Павел Дмитриевич Гиндин

Принадлежит: Акционерное общество "Московский завод "САПФИР"

Многоэлементный кремниевый фотодиод относится к области полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению с длиной волны от 0,4 мкм до 1,1 мкм, и предназначен для применения в качестве приемников и датчиков инфракрасного излучения в составе оптических датчиков в системах фотоэлектрической автоматики, в устройствах бесконтактного измерения температуры, вычислительной и измерительной техники, программно-управляемом оборудовании. Задачей, решаемой предлагаемой полезной моделью, является измерение освещенности в заданной точке. Техническим результатом является создание фотодиода, принимающего инфракрасное излучение одновременно со всех направлений, что позволяет определить степень освещенности в любой точке с конкретного направления. Новым в предлагаемой полезной модели является конструкция держателя сферической формы с множеством граней, на которых размещены фоточувствительные элементы, залитые прозрачной в заданном спектральном диапазоне сферической оболочкой. За счет применения держателя сферической формы фоточувствительные элементы размещаются по всей поверхности сферы, и инфракрасное излучение принимается одновременно со всех направлений, при этом не требуется перемещение и сканирование конструкции. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 180 600 U1 (51) МПК H01L 31/042 (2014.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 31/042 (2018.05) (21)(22) Заявка: 2018108564, 12.03.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 19.06.2018 (45) Опубликовано: 19.06.2018 Бюл. № 17 1 8 0 6 0 0 R U (54) Многоэлементный кремниевый фотодиод (57) Реферат: Многоэлементный кремниевый фотодиод относится к области полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению с длиной волны от 0,4 мкм до 1,1 мкм, и предназначен для применения в качестве приемников и датчиков инфракрасного излучения в составе оптических датчиков в системах фотоэлектрической автоматики, в устройствах ...

Подробнее

Номер записи: 15

05-07-2018 дата публикации

Двухканальный матричный инфракрасный приемник излучения фасеточного типа

Номер: RU0000181197U1

Автор: Вадим Борисович Кулагов

Принадлежит: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Гириконд"

Полезная модель относится к области оптического приборостроения и касается приемника инфракрасного излучения. Приемник включает в себя фотогальванические элементы на основе селенида свинца, снабженные оптическими фильтрами, обладающие чувствительностью в двух различных спектральных диапазонах. Фотогальванические элементы, в количестве не менее 12, выполненные на отдельных подложках в виде прямоугольников и равнобедренных треугольников, скомпонованы в объемную матричную структуру, размещенную на конструкционной основе в форме правильной усеченной пирамиды, на гранях и верхнем основании, таким образом, чтобы максимально заполнить поверхность конструкционной основы, при этом фотогальванические элементы разных спектральных каналов чувствительности чередуются как по окружности вокруг оптической оси, так и в радиальном направлении. Технический результат заключается в увеличении поля зрения и применении селекции источника излучения как по спектральным характеристикам, так и пространственному расположению. 5 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 181 197 U1 (51) МПК H01L 31/042 (2014.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 31/042 (2018.05) (21)(22) Заявка: 2017147089, 29.12.2017 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 05.07.2018 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 29.12.2017 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 2634805 C2, 03.11.2017. US 1 8 1 1 9 7 Дата регистрации: (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Гириконд" (RU) R U 29.12.2017 (72) Автор(ы): Кулагов Вадим Борисович (RU) 5714773 A1, 03.02.1998. RU 2296370 C2, 27.03.2007. US 2016123801 A1, 05.05.2016. (45) Опубликовано: 05.07.2018 Бюл. № 19 1 8 1 1 9 7 R U (54) ДВУХКАНАЛЬНЫЙ МАТРИЧНЫЙ ИНФРАКРАСНЫЙ ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ ФАСЕТОЧНОГО ТИПА (57) Реферат: Полезная модель относится к области на конструкционной основе в форме правильной оптического приборостроения и касается ...

Подробнее

Номер записи: 16

28-03-2019 дата публикации

Гибкий фотоэлектрический модуль

Номер: RU0000188060U1

Автор: Михаил Валерьевич Лифшиц

Принадлежит: Общество С Ограниченной Ответственностью "Товарищество Энергетических И Электромобильных Проектов"

Полезная модель относится к области электротехники, а именно к модулям для преобразования энергии солнечного излучения в электричество и может быть использована для электропитания потребителей и заряда аккумуляторов. Гибкий фотоэлектрический модуль содержит единичные фотоэлектрические преобразователи, расположенные внутри центрального электроизолирующего полимерного слоя, расположенные по обеим его сторонам прозрачные защитные электроизолирующие полимерные слои и токосъёмные элементы с низкотемпературным припоем. Каждый токосъёмный элемент образован параллельными проводящими проволоками и прикреплёнными перпендикулярно им поперечными шинами. Проволоки вмонтированы в защитный слой напротив фотоэлектрического преобразователя и покрыты низкотемпературным припоем. Шины расположены между фотоэлектрическими преобразователями и выступают над защитным слоем на толщину центрального слоя. Центральный слой выполнен из гибкого плоского листа с окнами под фотоэлектрические преобразователи и поперечные шины. Полезная модель позволяет упростить изготовление гибкого фотоэлектрического модуля. 1 з.п. ф-лы, 4 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 188 060 U1 (51) МПК H01L 31/05 (2014.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 31/05 (2019.02) (21)(22) Заявка: 2019103927, 12.02.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.03.2019 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 12.02.2019 (45) Опубликовано: 28.03.2019 Бюл. № 10 1 8 8 0 6 0 R U (54) Гибкий фотоэлектрический модуль (57) Реферат: Полезная модель относится к области электротехники, а именно к модулям для преобразования энергии солнечного излучения в электричество и может быть использована для электропитания потребителей и заряда аккумуляторов. Гибкий фотоэлектрический модуль содержит единичные фотоэлектрические преобразователи, расположенные внутри центрального электроизолирующего полимерного слоя, расположенные по обеим его сторонам прозрачные ...

Подробнее

Номер записи: 17

15-01-2020 дата публикации

Гибридный фотоприёмный модуль для низкоуровневой телевизионной камеры наблюдения

Номер: RU0000195121U1

Автор: Владимир Викторович Чернокожин, Елена Васильевна Рыкова, Елена Владиславовна Жукова, Петр Борисович Константинов, Татьяна Юрьевна Дмитриева, Юрий Васильевич Брашеван

Принадлежит: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"

Полезная модель относится к электронной технике, в частности, к устройству низкоуровневой телевизионной камеры наблюдения. Гибридный фотоприёмный модуль для низкоуровневой телевизионной камеры наблюдения содержит электронно-оптический преобразователь с выходным окном в виде газонепроницаемого волоконно-оптического элемента с люминесцентным экраном на торце, расположенным в вакуумном объёме электронно-оптического преобразователя, и сборку сенсора изображения с газонепроницаемым волоконно-оптическим элементом, один торец которого контактирует с сенсором изображения, а другой - с торцом волоконно-оптического элемента электронно-оптического преобразователя, противоположного торцу с люминесцентным экраном. При этом между контактирующими торцами волоконно-оптических элементов расположена оптически прозрачная плёнка. Техническим результатом предложенной полезной модели является устранение интерференционных пятен. 1 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 195 121 U1 (51) МПК H01L 31/0232 (2014.01) H01J 31/50 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 31/0232 (2019.08); H01J 31/502 (2019.08) (21)(22) Заявка: 2019129721, 20.09.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 15.01.2020 (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU) (45) Опубликовано: 15.01.2020 Бюл. № 2 (54) Гибридный фотоприёмный модуль для низкоуровневой телевизионной камеры наблюдения (57) Реферат: Полезная модель относится к электронной оптическим элементом, один торец которого технике, в частности, к устройству контактирует с сенсором изображения, а другой низкоуровневой телевизионной камеры - с торцом волоконно-оптического элемента наблюдения. Гибридный фотоприёмный модуль электронно-оптического преобразователя, для низкоуровневой телевизионной камеры противоположного торцу с люминесцентным наблюдения содержит электронно-оптический экраном. При этом ...

Подробнее

Номер записи: 18

05-02-2020 дата публикации

Полупроводниковый приемник инфракрасного излучения

Номер: RU0000195799U1

Автор: Глеб Георгиевич Коновалов, Сергей Иванович Лансков, Юрий Павлович Яковлев

Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "АИБИ"

Полупроводниковый приемник инфракрасного (ИК) излучения содержит полупроводниковую подложку (1) AIIIBV с первой активной областью (2) на основе гетероструктуры, выполненной из твердых растворов AIIIBV, первый омический контакт (4), нанесенный на поверхность (3) активной области (2), и второй омический контакт (7), нанесенный на поверхность (6) периферийной области полупроводниковой подложки (1), противолежащей поверхности с первой активной областью (2). Вокруг первой активной области (2) на полупроводниковой подложке(1) выполнена вторая кольцевая активная область (8) на основе гетероструктуры, выполненной из твердых растворов AIIIBV, электрически отделенная от первой активной области (2). На активную область (8) нанесен третий омический контакт (10). В полупроводниковом приемнике ИК излучения обеспечена возможность проверки его работоспособности в любой момент времени. 6 з.п. ф-лы, 3 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 195 799 U1 (51) МПК H01L 31/0304 (2006.01) H01L 31/09 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 31/0304 (2019.08); H01L 31/09 (2019.08) (21)(22) Заявка: 2019127110, 27.08.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: (73) Патентообладатель(и): Общество с ограниченной ответственностью "АИБИ" (RU) 05.02.2020 (45) Опубликовано: 05.02.2020 Бюл. № 4 1 9 5 7 9 9 R U (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИЕМНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (57) Реферат: Полупроводниковый приемник областью (2). Вокруг первой активной области инфракрасного (ИК) излучения содержит (2) на полупроводниковой подложке(1) полупроводниковую подложку (1) AIIIBV с выполнена вторая кольцевая активная область первой активной областью (2) на основе (8) на основе гетероструктуры, выполненной из гетероструктуры, выполненной из твердых твердых растворов AIIIBV, электрически растворов AIIIBV, первый омический контакт (4), отделенная от первой активной области (2). На нанесенный на поверхность (3) ...

Подробнее

Номер записи: 19

08-07-2021 дата публикации

Многоплощадочный кремниевый p-i-n-фоточувствительный элемент с двухслойной диэлектрической пленкой

Номер: RU0000205303U1

Автор: Александра Сергеевна Ким, Алексей Николаевич Колкий

Принадлежит: Акционерное общество "НПО "Орион"

Полезная модель относится к полупроводниковым фотоприемным приборам, реализующим обнаружение излучения с длиной волны 1,06 мкм. Область применения - различные электронно-оптические системы, в которых требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения в диапазоне 10-40 нс.Многоплощадочный кремниевый p-i-n-фоточувствительный элемент (ФЧЭ) выполнен на пластине высокоомного кремния р-типа проводимости с фоточувствительными площадками и охранным элементом n+-типа проводимости с дополнительным диэлектрическим покрытием в виде пленки Al2O3, расположенной над периферийной областью ФЧЭ, зазорами между фоточувствительными площадками и охранным кольцом и между фоточувствительными площадками.Технический результат полезной модели - увеличение процента выхода годных ФЧЭ, уменьшение темновых токов фоточувствительных площадок и охранного кольца, снижение шумов и повышение стабильности электрических параметров изделия, что достигается за счет нанесения дополнительного диэлектрического покрытия в виде пленки Al2O3, расположенной над периферийной областью ФЧЭ, зазорами между фоточувствительными площадками и охранным кольцом и между фоточувствительными площадками. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 205 303 U1 (51) МПК H01L 31/028 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 31/028 (2021.05) (21)(22) Заявка: 2021106300, 10.03.2021 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "НПО "Орион" (RU) Дата регистрации: 08.07.2021 (45) Опубликовано: 08.07.2021 Бюл. № 19 2 0 5 3 0 3 R U (54) Многоплощадочный кремниевый p-i-n-фоточувствительный элемент с двухслойной диэлектрической пленкой (57) Реферат: Полезная модель относится к ФЧЭ, зазорами между фоточувствительными полупроводниковым фотоприемным приборам, площадками и охранным кольцом и между реализующим обнаружение излучения с длиной фоточувствительными площадками. волны 1,06 мкм. Область применения - ...

Подробнее

Номер записи: 20

22-07-2021 дата публикации

Модуль умного окна

Номер: RU0000205602U1

Автор: Анатолий Петрович Пушкарев, Анвар Абдулахадович Захидов, Дмитрий Станиславович Гец, Лев Евгеньевич Зеленков, Сергей Владимирович Макаров, Сергей Станиславович Аношкин, Эдуард Юрьевич Даниловский

Принадлежит: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО)

Полезная модель относится к фотоэлектрическим преобразователям и светоизлучающим приборам и может использоваться в качестве полупрозрачных фасадных панелей и окон, а также полупрозрачных энергосберегающих светоизлучающих элементов дизайна. Предлагаемый модуль умного окна содержит раму (1), блок управления и питания (6), слой тонкопленочного фотоэлектрического преобразователя (3) и полупрозрачный фотолюминесцентный слой (4), возбуждаемый по всей поверхности слоя светодиодами (2) с длиной волны излучения 395-410 нм, встроенными в раму модуля так, что свет от них распространяется параллельно плоскости окна. Слои отделены от окружающей среды и друг друга стеклами (5). Технический результат - имитация излучения окном естественного света. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) (19) RU (11) (13) 205 602 U1 (51) МПК E06B 5/00 (2006.01) H01L 31/00 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) F21S 9/00 (2006.01) F21S 9/02 (2006.01) F21S 9/03 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК E06B 5/00 (2021.02); H01L 31/00 (2021.02); H01L 31/04 (2021.02); F21S 9/00 (2021.02); F21S 9/02 (2021.02); F21S 9/03 (2021.02); B82Y 30/00 (2021.02) (21)(22) Заявка: 2020139722, 03.12.2020 03.12.2020 Дата регистрации: 22.07.2021 (45) Опубликовано: 22.07.2021 Бюл. № 21 Адрес для переписки: 197101, Санкт-Петербург, Кронверкский пр., 49, лит. А, Университет ИТМО, ОИС 2 0 5 6 0 2 U 1 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: JP 2015151798 A, 24.08.2015. KR 1020140004428 A, 13.01.2014. CN 205320003 U, 15.06.2016. CN 101560864 B, 09.11.2011. RU 178288 U1, 28.03.2018. RU 86973 U1, 20.09.2009. (54) Модуль умного окна (57) Реферат: Полезная модель относится к фотоэлектрическим преобразователям и светоизлучающим приборам и может использоваться в качестве полупрозрачных фасадных панелей и окон, а также полупрозрачных энергосберегающих светоизлучающих элементов дизайна. Предлагаемый модуль умного окна содержит раму (1 ...

Подробнее

Номер записи: 21

12-01-2012 дата публикации

Thin Silicon Sheets for Solar Cells

Номер: US20120006409A1

Автор: Andrew William Blakers, Klaus Johannes Weber

Принадлежит: Transform Solar Pty Ltd

A thin layer of single-crystal silicon is produced by forming first trenches in a silicon substrate having (111) orientation; forming narrower second trenches at the base of the trenches; anisotropically etching lateral channels ( 4 ) from the second trenches, until adjacent etch fonts ( 16 ) substantially meet; and detaching said layer from the substrate. The trenches may be arranged so that the resultant layer has rows of slots, with the slots in adjacent rows being mutually offset. Solar cells may be formed on strips having two electrical contacts on the same face ( 6 ) of each strip ( 5 ).

Подробнее

Номер записи: 22

12-01-2012 дата публикации

Methods for Interconnecting Solar Cells

Номер: US20120006483A1

Автор: Jack I. Hanoka, Peter F. Vandermeulen

Принадлежит: 7AC Technologies Inc

Methods for interconnecting solar cells to form solar cell modules are disclosed. The methods utilize a non-EVA polymer as the encapsulant and the temperature and pressure conditions of a lamination process to effect interconnection.

Подробнее

Номер записи: 23

19-01-2012 дата публикации

Connection sheet for solar battery cell electrode, process for manufacturing solar cell module, and solar cell module

Номер: US20120012153A1

Автор: Ikuo Sakurai, Masakatsu Hotta, Syuichi Azechi, Takeshi Hashimoto

Принадлежит: Shin Etsu Chemical Co Ltd

Disclosed is a connection sheet for a solar battery cell electrode, which is a polymer sheet for use in the connection between an electrode for extracting an electric power from a solar battery cell and a wiring member through an electrically conductive adhesive material by heating and pressurizing, and which is intercalated between a heating/pressurizing member and the wiring member upon use.

Подробнее

Номер записи: 24

19-01-2012 дата публикации

Solar cell module and method for manufacturing the solar cell module, and mobile device with the solar cell module and method for manufacturing the mobile device

Номер: US20120012159A1

Автор: In Taek Song, Jin Mun Ryu, Seung Yun Oh, Tae Young Kim

Принадлежит: Samsung Electro Mechanics Co Ltd

The present invention provides a solar cell module. The solar cell module includes a floodlight panel with a light transmission property; solar cells each of which has a light-receiving surface with electrode pads and a non-light-receiving surface opposite to the light-receiving surface, the solar cells being adhered to the floodlight panel so that the light-receiving surface faces the floodlight panel; and a conductive bonding film which is interposed between the floodlight panel and the solar cells and bonds the floodlight panel to the solar cells, wherein the conductive bonding film is used to electrically connect the electrode pads of the solar cells adjacent to one another.

Подробнее

Номер записи: 25

19-01-2012 дата публикации

Solar battery module and method for manufacturing solar battery module

Номер: US20120012162A1

Автор: Masakazu Kobayashi

Принадлежит: Individual

A solar battery module ( 1 ) serving includes a first plate-like member ( 11 ) having translucency and serving as a light receiving face, a second plate-like member ( 12 ) having translucency, a solar battery ( 13 ), and a translucent sealing resin portion ( 14 ) provided for sealing the solar battery ( 13 ) between the first plate-like member ( 11 ) and the second plate-like member ( 12 ). The second plate-like member ( 12 ) has a lead-wire lead-out hole ( 12 h) through which a lead wire ( 17 ) connected to the solar battery ( 13 ) is led out, and the translucent sealing resin portion ( 14 ) is formed extending between the lead wire ( 17 ) and the lead-wire lead-out hole ( 12 h).

Подробнее

Номер записи: 26

19-01-2012 дата публикации

Light harvesting system employing microstructures for efficient light trapping

Номер: US20120012741A1

Автор: Sergiy Victorovich Vasylyev

Принадлежит: Sergiy Victorovich Vasylyev

A light harvesting system employing a focusing array and a photoresponsive layer in which a plurality of microstructured areas is formed. Light received by the focusing array is injected transmissively into the photoresponsive layer through the microstructured areas. The injected light is retained in the photoresponsive layer by at least a total internal reflection and is propagated within the layer until it is substantially absorbed.

Подробнее

Номер записи: 27

19-01-2012 дата публикации

Black silicon based metal-semiconductor-metal photodetector

Номер: US20120012967A1

Автор: Anyuan Zhang, Guodong Zhao, JING Jiang, Wei Li, Yadong Jiang, Zhengyu Guo, Zhiming Wu

Принадлежит: University of Electronic Science and Technology of China

A black silicon based metal-semiconductor-metal photodetector includes a silicon substrate and a black silicon layer formed on the silicon substrate. An interdigitated electrode pattern structure is formed on the black silicon layer, which can be a planar or U-shaped structure. A thin potential barrier layer is deposited at the interdigitated electrode pattern structure. An Al or transparent conductive ITO thin film is deposited on the thin potential barrier layer. A passivation layer is provided on the black silicon layer. In the black silicon based metal-semiconductor-metal photodetector, the black silicon layer, as a light-sensitive area, can respond to ultraviolet, visible and near infrared light.

Подробнее

Номер записи: 28

19-01-2012 дата публикации

Solar cell system

Номер: US20120013288A1

Автор: In Taek Song, Jin Mun Ryu, Seung Yun Oh, Tae Young Kim

Принадлежит: Samsung Electro Mechanics Co Ltd

Disclosed herein is a solar cell system. The solar cell system includes: a solar cell module configured of a single cell and converting solar light irradiated to the cell into electric energy; and a controller boosting voltage generated from the cell and storing the boosted voltage in a battery, differently controlling a level obtained by boosting the voltage of the cell according to a storage state of the battery, light quantity of solar light and external temperature, and limiting the boosted level to a voltage level or less corresponding to a maximum output point varied according to the light quantity and the external temperature. The solar cell system can obtain the maximum output regardless of the change in external temperature or light quantity of solar light, thereby making it possible to improve efficiency of the system.

Подробнее

Номер записи: 29

19-01-2012 дата публикации

Display device and method of operation thereof

Номер: US20120013595A1

Автор: Atsuhito Murai, Hajime Imai, Hideki Kitagawa, Takuya Watanabe, Yoshiharu Kataoka

Принадлежит: Sharp Corp

A display device includes, in a display region, a first circuit including a photodiode ( 62 b ), a first capacitor ( 62 c ), a second capacitor ( 62 d ), and an output amplifier ( 62 a ). A cathode of the photodiode ( 62 b ), one end of the first capacitor ( 62 c ), one end of the second capacitor ( 62 d ), and an input of the output amplifier ( 62 a ) are connected with one another via a first node (netA). An electrode at the other end of the second capacitor ( 62 d ) is provided on a substrate having a display surface of a display panel, and an electrode at the one end of the second capacitor ( 62 d ) is positioned to be away from the display surface in a thickness direction of the display panel in such a manner as to face the electrode at the other end of the second capacitor ( 62 d ).

Подробнее

Номер записи: 30

19-01-2012 дата публикации

Support structures for various apparatuses including opto-electrical apparatuses

Номер: US20120015163A1

Автор: Gang He, Melissa Archer, Thomas J. Gmitter

Принадлежит: Awbscqemgk Inc

Present embodiments generally relate to support structures for thin film components and methods for fabricating the support structures. In one embodiment, an apparatus comprises a device structure including portions of an electronic device; a support structure coupled to the device structure; wherein the support structure supplements features of the device structure and the support structure includes: a metal component coupled to the device structure; and a non-metal component coupled to the metal component. The support component can supplement structural and mechanical integrity of the device structure and functional operations of the device structure. In one embodiment, the metal component includes at least one layer of metal material and the non-metal component includes at least one layer of non metal material (e.g., polymeric material, etc.). The metal component can have greater stiffness characteristics with respect to the device structure and the non-metal component can have greater flexibility characteristics with respect to the metal layer component. The support structure can be configured to reflect light towards the device structure. The support structure can also be configured to conduct electricity from the device structure.

Подробнее

Номер записи: 31

26-01-2012 дата публикации

Photovoltaic (pv) module with improved bus tape to foil ribbon contact

Номер: US20120017965A1

Автор: Rajendra Rambhau Kabade

Принадлежит: Primestar Solar Inc

A photovoltaic a substrate having a plurality of individual serially connected solar cells defined thereon. A bus tape is applied along respective ones of said cells at generally opposite longitudinal ends of the substrate for collecting the charge generated by the plurality of solar cells. A conductive member is interconnected between the bus tapes and is disposed beneath the bus tapes and in direct conductive contact with the respective cells. A junction box is configured for delivering the generated charge to an external load or other component, with the conductive member connected to the junction box.

Подробнее

Номер записи: 32

26-01-2012 дата публикации

Buffer layer formation

Номер: US20120017983A1

Автор: Markus E. Beck

Принадлежит: Individual

Manufacturing a photovoltaic device can include a vapor transport deposition process.

Подробнее

Номер записи: 33

26-01-2012 дата публикации

Photovoltaic device and method for manufacturing the same

Номер: US20120017986A1

Автор: Mitsunori Nakatani

Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp

The method includes: steps of forming an n-type diffusion layer having an n-type impurity diffused thereon at a first surface side of a p-type silicon substrate; forming a reflection prevention film on the n-type diffusion layer; forming a back-surface passivation film made of an SiONH film on a second surface of the silicon substrate; forming a paste material containing silver in a front-surface electrode shape on the reflection prevention film; forming a front surface electrode that is contacted to the n-type diffusion layer by sintering the silicon substrate; forming a paste material containing a metal in a back-surface electrode shape on the back-surface passivation film; and forming a back surface electrode by melting a metal in the paste material by irradiating laser light onto a forming position of the back surface electrode and by solidifying the molten metal.

Подробнее

Номер записи: 34

26-01-2012 дата публикации

Articles comprising phyllosilicate composites containing mica

Номер: US20120017992A1

Автор: Kostantinos Kourtakis

Принадлежит: EI Du Pont de Nemours and Co

Disclosed is a mica paper composite and a process for making the mica paper composite. Articles comprising the mica paper composite are also disclosed.

Подробнее

Номер записи: 35

26-01-2012 дата публикации

Method and system for application of an insulating dielectric material to photovoltaic module substrates

Номер: US20120021536A1

Автор: Robert Dwayne Gossman, Scott Daniel Feldman-Peabody, Tammy Jane Lucas

Принадлежит: Primestar Solar Inc

A method and related system are provided for depositing a dielectric material into voids in one or more of the semiconductor material layers of a photovoltaic (PV) module substrate. A first side of the substrate is exposed to a light source such that light is transmitted through the substrate and any voids in the semiconductor material layers on the opposite side of the substrate. The light transmitted through the voids is detected and a printer is registered to the pattern of detected light to print a dielectric material and fill the voids.

Подробнее

Номер записи: 36

02-02-2012 дата публикации

Charge control of solar cell passivation layers

Номер: US20120024336A1

Автор: Jeong-Mo Hwang

Принадлежит: Amtech Systems Inc

The present invention relates to the charge control of the front and back passivation layers of a solar cell, which allows a common passivation material to be used on both the front and back surfaces of a solar cell. A solar cell according to one embodiment of the present invention comprises an emitter and a base. The cell further includes a first passivation layer adjacent the emitter, the first passivation layer having a charge. The cell also includes a second passivation layer adjacent the base, the second passivation layer having a charge opposite to the charge of the first passivation layer, wherein the first passivation layer and the second passivation layer include a common passivation material. The first and second passivation layers can include any suitable dielectric material capable of holding either a positive or a negative charge, and each of the first and second passivation layers can be charged at any suitable point during manufacture of the cell, including during or after deposition of the passivation layer(s).

Подробнее

Номер записи: 37

02-02-2012 дата публикации

Photovoltaic Module Including Transparent Sheet With Channel

Номер: US20120024339A1

Автор: Chris Eberspacher

Принадлежит: Applied Materials Inc

Photovoltaic modules and methods for making photovoltaic modules are disclosed. In one or more embodiments of the invention, the photovoltaic module includes a transparent sheet with a channel to accommodate a conductive member.

Подробнее

Номер записи: 38

02-02-2012 дата публикации

Intra-laminate disk layer for thin film photovoltaic devices and their methods of manufacture

Номер: US20120024349A1

Автор: Troy Alan Berens

Принадлежит: Primestar Solar Inc

Photovoltaic devices including an insulating layer and an intra-laminate disk layer on a plurality of thin film layers are provided. A first conductive strip, defining a first lead, is positioned on the insulating layer and connected to a first bus bar. A second conductive strip is positioned on the insulating layer and connected to a second bus bar. An adhesive layer is over the device and defines an adhesive gap through which the first lead and the second lead extend. An encapsulating substrate is on the adhesive layer, and defines a connection aperture through which the first lead and the second lead extend. The intra-laminate disk layer is positioned under the adhesive gap defined by the adhesive layer and the connection aperture defined by the encapsulating substrate. Methods of manufacturing photovoltaic devices are also provided.

Подробнее

Номер записи: 39

02-02-2012 дата публикации

Thermoformable photovoltaic backsheet

Номер: US20120024353A1

Автор: Jiaxin Jason Ge, Mark A. Aubart, Michael T. Burchill, Ravi R. Gupta, Robert A. Wanat, Steven B. Lacock

Принадлежит: Arkema France SA

The invention relates to high Tg monolithic and multi-layer thermoformable film or sheet useful as a backsheet on a photovoltaic module (PV). A methacrylic-based material is preferred. The film or sheet is formed of a composition having a Tg greater than 110° C. The methacrylic composition may be a blend of a polymethyl methacrylate polymer and a miscible or semi-miscible high Tg polymer, or may be a copolymer containing primarily methyl methacrylate monomer units. The backsheet is optionally covered with a fluoropolymer or acrylic/fiuoropolymer covering on the outside (side facing the environment). The back-sheet can be clear, white, and/or pigmented. The film or sheet is especially useful in concentrating photovoltaic modules (CPV), and is also useful in thin film photovoltaic modules.

Подробнее

Номер записи: 40

02-02-2012 дата публикации

Back contacting and interconnection of two solar cells

Номер: US20120024368A1

Автор: Andreas Bentzen, Erik Sauar

Принадлежит: Renewable Energy Corp ASA

Method for producing back contacts on silicon solar cells and an interconnection between silicon solar cells where the front surface has been fully treated and the back surface has been processed to the point where the said solar cells can be contacted on the back surface. The method further includes: a) attaching the solar cells onto a transparent superstrate, thereby forming a structure, b) depositing a passivating layer onto the back surface of the structure, c) depositing a silicon material layer onto the back surface of the structure, d) separating the silicon material layer by first areas, e) providing contact sites in areas, f) depositing a metal layer onto the back surface of the structure, g) heating the structure to form silicide, h) optionally opening the metal layer in areas, and i) depositing metal onto the silicide. Device includes solar cells with back contacts and interconnections produced by the method.

Подробнее

Номер записи: 41

02-02-2012 дата публикации

Solar energy concentrator

Номер: US20120024374A1

Автор: Chanda Bartlett Walker, Richard Morris Knox

Принадлежит: RayDyne Energy Inc

A solar concentrator assembly comprises a segmented wave-guide assembly, a reflective mirror assembly, and an optical target-providing unit. A segmented waveguide assembly comprises a plurality of wave-guide segments, each segment comprising a set of surfaces disposed so as to support TIR propagation of solar energy and a turn mirror affixed thereto and disposed to receive solar energy from a mirror of the reflective mirror assembly and reflect said solar energy into the wave-guide segment at angles compatible with TIR propagation. The reflective mirror assembly comprises a plurality of mirrors each being aligned to reflect the solar energy to a turn mirror affixed to each wave-guide segment. The optical target providing unit converts solar energy from the light propagated in the wave-guide assembly to a different form of energy.

Подробнее

Номер записи: 42

02-02-2012 дата публикации

Intermixing of cadmium sulfide layers and cadmium telluride layers for thin film photovoltaic devices and methods of their manufacture

Номер: US20120024380A1

Автор: Mark Jeffrey Pavol, Scott Daniel Feldman-Peabody

Принадлежит: Primestar Solar Inc

Cadmium telluride thin film photovoltaic devices are generally disclosed including an intermixed layer of cadmium sulfide and cadmium telluride between a cadmium sulfide layer and a cadmium telluride layer. The intermixed layer generally has an increasing tellurium concentration and decreasing sulfur concentration extending in a direction from the cadmium sulfide layer towards the cadmium telluride layer. Methods are also generally disclosed for manufacturing a cadmium telluride based thin film photovoltaic device having an intermixed layer of cadmium sulfide and cadmium telluride.

Подробнее

Номер записи: 43

02-02-2012 дата публикации

Photodetector structure and method of manufacturing the same

Номер: US20120025265A1

Автор: Ho-Chul Ji, Kyoung Ho Ha, Kyoung Won Na, Pil-Kyu Kang

Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

A method of manufacturing a photodetector structure is provided. The method includes forming a structural layer by making a trench in a bulk silicon substrate and filling the trench with a cladding material, forming a single-crystallized silicon layer on the structural layer, and forming a germanium layer on the single-crystallized silicon layer.

Подробнее

Номер записи: 44

02-02-2012 дата публикации

Integrated circuit combination of a target integrated circuit and a plurality of cells connected thereto using the top conductive layer

Номер: US20120025342A1

Автор: Ofer Navon, Ram Friedlander, Reuven Holzer, Shani Keysar

Принадлежит: SOL CHIP Ltd

A target integrated circuit (TIC) having a top conductive layer (TCL) that may be connected to a plurality of cells that are further integrated over the TIC. Each of the plurality of cells comprises two conductive layers, a lower conductive layer (LCL) below the cell and an upper conductive layer (UCL) above the cell. Both conductive layers may connect to the TCL of the TIC to form a super IC structure combined of the TIC and the plurality of cells connected thereto. Accordingly, conductivity between the TIC as well as auxiliary circuitry to the TIC maybe achieved.

Подробнее

Номер записи: 45

02-02-2012 дата публикации

Device, system, and method for sectioning and coupling multiple photovoltaic strings

Номер: US20120025621A1

Автор: Eric Seymour, Jack Arthur Gilmore

Принадлежит: Advanced Energy Industries Inc

A photovoltaic system has a power converter connected by power rails to a plurality of photovoltaic strings, each string has serially connected photovoltaic panels and switches. The switches divide each string into sections, and the strings are distributed in electrical parallel paths over a plurality of arrays with one section per string in each array. A first set of strings to be brought online with the power converter is initialized. A drive signal is sent to switches in the initial set of strings to couple the sections in each string of the initial set so that the set of strings come online with the power converter providing voltage and current to the power converter.

Подробнее

Номер записи: 46

02-02-2012 дата публикации

Methods of temporally varying the laser intensity during scribing a photovoltaic device

Номер: US20120028404A1

Автор: Jonathan Mack Frey

Принадлежит: Primestar Solar Inc

Methods for laser scribing a film stack including a plurality of thin film layers on a substrate are provided. A pulse of a laser beam is applied to the film stack, where the laser beam has a power that varies as a function of time during the pulse according to a predetermined power cycle. For example, the pulse can have a pulse lasting about 0.1 nanoseconds to about 500 nanoseconds. This pulse of the laser beam can be repeated across the film stack to form a scribe line through at least one of the thin film layers on the substrate. Such methods are particularly useful in laser scribing a cadmium telluride thin-film based photovoltaic device.

Подробнее

Номер записи: 47

02-02-2012 дата публикации

Hybrid photovoltaic cells and related methods

Номер: US20120028406A1

Автор: James Harris, Nigel Pickett

Принадлежит: Nanoco Technologies Ltd

Embodiments of the present invention involve photovoltaic (PV) cells comprising a semiconducting nanorod-nanocrystal-polymer hybrid layer, as well as methods for fabricating the same. In PV cells according to this invention, the nanocrystals may serve both as the light-absorbing material and as the heterojunctions at which excited electron-hole pairs split.

Подробнее

Номер записи: 48

09-02-2012 дата публикации

Solar Wall Apparatus and Method

Номер: US20120031018A1

Автор: Narinder Singh Kapany

Принадлежит: Narinder Singh Kapany

A construction panel includes a pane, a construction substrate, and a frame that form an air gap there between. An electrical generator, a water circulator, and an air venting system are in the air gap. First and second reflective coatings are respectively on first surfaces of the pane and the construction substrate. The first surfaces face the air gap. The reflective coatings reflect IR to heat water in the water circulator and heat air in the air gap. First and second antireflective coatings are respectively on a second surface of the pane and on the first reflective coating. The second surface faces away from the air gap. The antireflective coatings transmit electromagnetic radiation to the electrical generator for electricity generation. The heated water, heated air, and electricity may be used in a building to which the construction panel is attached. The solar-construction panel includes a multiple-pane window integrally formed therein.

Подробнее

Номер записи: 49

09-02-2012 дата публикации

Opposing Row Linear Concentrator Architecture

Номер: US20120031394A1

Автор: Brian Wares, Charles Almy, Ryan Linderman, Zachary S. Judkins

Принадлежит: Individual

A solar concentrator assembly is disclosed. The solar concentrator assembly comprises a first reflective device having a first reflective front side and a first rear side, a second reflective device having a second reflective front side and a second rear side, the second reflective device positioned such that the first reflective front side faces the second rear side, and a support assembly coupled to and supporting the first and second reflective devices, the second reflective device positioned to be vertically offset from the first reflective device.

Подробнее

Номер записи: 50

09-02-2012 дата публикации

Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays

Номер: US20120031461A1

Автор: Daniel Luch

Принадлежит: Daniel Luch

This invention comprises manufacture of photovoltaic cells by deposition of thin film photovoltaic junctions on metal foil substrates. The photovoltaic junctions may be heat treated if appropriate following deposition in a continuous fashion without deterioration of the metal support structure. In a separate operation, an interconnection substrate structure is provided, optionally in a continuous fashion. Multiple photovoltaic cells are then laminated to the interconnection substrate structure and conductive joining methods are employed to complete the array. In this way the interconnection substrate structure can be uniquely formulated from polymer-based materials employing optimal processing unique to polymeric materials. Furthermore, the photovoltaic junction and its metal foil support can be produced in bulk without the need to use the expensive and intricate material removal operations currently taught in the art to achieve series interconnections.

Подробнее

Номер записи: 51

09-02-2012 дата публикации

Back protective sheet for solar cell module, production method of same and solar cell module

Номер: US20120031474A1

Автор: Takeshi Mori

Принадлежит: Lintec Corp

A back protective sheet for a solar cell module in which a fluorine resin layer containing a pigment is formed on at least one side of a base sheet, wherein the density of the pigment in the direction of thickness of the fluorine resin layer is higher on the side opposite from the base sheet than on the side facing the base sheet.

Подробнее

Номер записи: 52

09-02-2012 дата публикации

Compositionally-graded band gap heterojunction solar cell

Номер: US20120031476A1

Автор: Alexander Reznicek, Daniel A. Inns, Devendra K. Sadana, Harold J. Hovel, Jee H. Kim, Stephen W. Bedell

Принадлежит: International Business Machines Corp

A photovoltaic device includes a composition modulated semiconductor structure including a p-doped first semiconductor material layer, a first intrinsic compositionally-graded semiconductor material layer, an intrinsic semiconductor material layer, a second intrinsic compositionally-graded semiconductor layer, and an n-doped first semiconductor material layer. The first and second intrinsic compositionally-graded semiconductor material layers include an alloy of a first semiconductor material having a greater band gap width and a second semiconductor material having a smaller band gap with, and the concentration of the second semiconductor material increases toward the intrinsic semiconductor material layer in the first and second compositionally-graded semiconductor material layers. The photovoltaic device provides an open circuit voltage comparable to that of the first semiconductor material, and a short circuit current comparable to that of the second semiconductor material, thereby increasing the efficiency of the photovoltaic device.

Подробнее

Номер записи: 53

09-02-2012 дата публикации

Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste

Номер: US20120031481A1

Автор: Do-Hyang Kim, Eun-sung Lee, Jung Yun Won, Sang-mock Lee, Sang-Soo JEE, Se-Yun Kim

Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

A conductive paste including a conductive powder, a metallic glass having a supercooled liquid region, and an organic vehicle.

Подробнее

Номер записи: 54

09-02-2012 дата публикации

Gas barrier film and electronic device

Номер: US20120031485A1

Автор: Shigeto OKUJI, Shinichi Hoshi

Принадлежит: Lintec Corp

Disclosed is a gas barrier film, which demonstrates superior gas barrier properties and surface smoothness, demonstrates a high degree of adhesion between layers and is resistant to cracking when bent, and an electronic device provided therewith. A gas barrier film of the present invention has a base, and a polyorganosiloxane layer and an inorganic material layer sequentially provided on at least one side of the base, and the inorganic material layer is deposited by dynamic ion mixing method.

Подробнее

Номер записи: 55

09-02-2012 дата публикации

Nanoparticle Plasmon Scattering Layer for Photovoltaic Cells

Номер: US20120031486A1

Автор: J. Wallace Parce, Jian Chen

Принадлежит: Nanosys Inc

The present invention relates to nanoparticle compositions for use in photovoltaic cells. Nanoparticles are utilized to provide increased scattering and also wavelength shifting to increase the efficiency of the photovoltaic cells. Exemplary nanoparticles include colloidal metal and fluorescent nanoparticles.

Подробнее

Номер записи: 56

09-02-2012 дата публикации

Method for producing a textured plate for a photovoltaic device

Номер: US20120031489A1

Автор: Ben Slager

Принадлежит: SOLAR EXCEL BV

A method for producing a polymeric cover plate with a surface relief texture, whereby the at least one surface relief structure is made of structures, whereby each structure has a height of at least 0.5 mm, the method including thermally softening a polymer, bringing the softened polymer via pressure into contact with a mold which contains an inverse image of the desired surface relief texture, and hardening the softened polymer, while maintaining the pressure between the polymer and the mold.

Подробнее

Номер записи: 57

09-02-2012 дата публикации

Production Process For A Semi-Conductor Device And Semi-Conductor Device

Номер: US20120032310A1

Автор: Bernhard KLÖTER, Maximilian Scherff, Peter Engelhart, Stefan BORDIHN

Принадлежит: Q Cells SE

A process for producing a semiconductor device comprises the following process steps: provision of a semiconductor substrate ( 1 ); formation of a functional layer ( 2 ) on a semiconductor surface ( 11 ) of the semiconductor substrate ( 1 ); and production of at least one doped section ( 3 ) on the semiconductor surface ( 11 ) by driving a dopant into the semiconductor substrate ( 1 ) from the functional layer ( 2 ). The functional layer ( 2 ) is formed in such a way that it passivates the semiconductor surface ( 11 ), acting as a passivation layer upon completion of the semiconductor device.

Подробнее

Номер записи: 58

09-02-2012 дата публикации

Distributed maximum power point tracking system, structure and process

Номер: US20120032665A1

Автор: II Argil E. Shaver, Ronald M. Newdoll

Принадлежит: NEWDOLL ENTERPRISES LLC

Distributed maximum power point tracking systems, structures, and processes are provided for power generation structures, such as for but not limited to a solar panel arrays. In an exemplary solar panel string structure, distributed maximum power point tracking (DMPPT) modules are provided, such as integrated into or retrofitted for each solar panel. The DMPPT modules provide panel level control for startup, operation, monitoring, and shutdown, and further provide flexible design and operation for strings of multiple panels. The strings are typically linked in parallel to a combiner box, and is then toward and enhanced inverter module, which is typically connected to a power grid. Enhanced inverters are controllable either locally or remotely, wherein system status is readily determined, and operation of one or more sections of the system are readily controlled. The system provides increased operation time, and increased power production and efficiency, over a wide range of operating conditions.

Подробнее

Номер записи: 59

09-02-2012 дата публикации

Buffer layer deposition for thin-film solar cells

Номер: US20120034726A1

Автор: Jeffrey S. Britt, Scot Albright, Urs Schoop

Принадлежит: Global Solar Energy Inc

Improved methods and apparatus for forming thin-film buffer layers of chalcogenide on a substrate web. Solutions containing the reactants for the buffer layer or layers may be dispensed separately to the substrate web, rather than being mixed prior to their application. The web and/or the dispensed solutions may be heated by a plurality of heating elements.

Подробнее

Номер записи: 60

09-02-2012 дата публикации

Electrical interconnects for photovoltaic modules and methods thereof

Номер: US20120034799A1

Автор: Thomas Peter Hunt

Принадлежит: Alion Inc

System and method for interconnecting photovoltaic modules. The system includes a first photovoltaic module and a second photovoltaic module. The first photovoltaic module includes a first bus bar and a first interconnect tab connected to the first bus bar. The second photovoltaic module includes a second bus bar and a second interconnect tab connected to the second bus bar. The system for interconnecting photovoltaic modules additionally includes a module interconnector configured to interconnect the first and the second photovoltaic modules. The module interconnector includes an interconnection component and an interconnection protector. Additionally, the system for interconnecting photovoltaic modules includes a first connection component connecting the interconnection component to the first interconnect tab of the first photovoltaic module and a second connection component connecting the interconnection component to the second interconnect tab of the second photovoltaic module.

Подробнее

Номер записи: 61

16-02-2012 дата публикации

Solar cell panel

Номер: US20120037200A1

Автор: Jongdae Kim, Jongkyoung Hong

Принадлежит: Individual

A solar cell panel is discussed. The solar cell panel includes a plurality of solar cells each including a substrate and an electrode part positioned on a surface of the substrate, an interconnector for electrically connecting at least one of the plurality of solar cells to another of the plurality of solar cells, and a conductive adhesive film including a resin and a plurality of conductive particles dispersed in the resin. The conductive adhesive film is positioned between the electrode part of the at least one of the plurality of solar cells and the interconnector to electrically connect the electrode part of the at least one of the plurality of solar cells to the interconnector. A width of the interconnector is equal to or greater than a width of the conductive adhesive film.

Подробнее

Номер записи: 62

16-02-2012 дата публикации

Solar system and solar tracking method for solar system

Номер: US20120037204A1

Автор: Tien-Hsiang Sun

Принадлежит: VisEra Technologies Co Ltd

The invention provides a solar system and a solar tracking method for a solar system. An exemplary embodiment of a solar system includes a substrate comprising a solar cell array disposed thereon. An optical element array is disposed over the substrate to concentrate sunbeams onto the solar cell array. An actuator is affixed to the substrate, wherein the actuator shifts the substrate along an axis direction. A feedback module is electrically coupled to the substrate and the actuator, wherein the feedback module respectively measures a first, a second and a third voltage of the solar cell array corresponding to the first, the second and the third position, and finds a maximum voltage among the first, second and third voltages, thereby defining a maximum feedback position at which the maximum voltage occurs.

Подробнее

Номер записи: 63

23-02-2012 дата публикации

Integrated photovoltaic module

Номер: US20120042588A1

Автор: Robert Warren Erickson, JR.

Принадлежит: University of Colorado

The disclosed embodiments increase the power generated by a photovoltaic (PV) array, when the PV panels within the PV array are not uniformly illuminated or oriented or when PV panels are mismatched (e.g., have varying performance characteristics) and/or operate at non-uniform temperatures. It also provides simpler interconnection and wiring of the elements (e.g., PV panels) of the array. A dc-dc converter comprised of a DC transformer is coupled to each PV panel in a photovoltaic array to generate an increased dc voltage from a lower dc voltage produced by the PV panel. The outputs of the dc-dc converters are connected in parallel to a dc bus, which distributes the resulting voltage. As a result, the energy generated by the PV array is increased, the costs of system design and installation are reduced, and it becomes feasible to install PV arrays in new locations such as on gabled or non-planar roofs.

Подробнее

Номер записи: 64

23-02-2012 дата публикации

Photovoltaic device front contact

Номер: US20120042927A1

Автор: Chungho Lee

Принадлежит: Chungho Lee

A photovoltaic module may contain a front contact configured to transfer electrical current from the module.

Подробнее

Номер записи: 65

23-02-2012 дата публикации

Solar concentrator

Номер: US20120042949A1

Автор: Eli Shifman

Принадлежит: Aerosun Technologies AG

Apparatus ( 24 ), including a photovoltaic cell ( 22 ) and a concave primary reflector ( 26 ) configured to focus a first portion of incoming radiation toward a focal point ( 30 ). The apparatus also includes a secondary reflector ( 38 ), which is positioned between the concave primary reflector and the focal point so as to direct the focused radiation toward the photovoltaic cell, and which has a central opening ( 44 ) aligned with the photovoltaic cell. The apparatus further includes a transmissive concentrator ( 54 ), positioned so as to focus a second portion of the incoming radiation through the central opening onto the photovoltaic cell.

Подробнее

Номер записи: 66

23-02-2012 дата публикации

Tailoring the band gap of solar cells made of liquid silane by adding germanium

Номер: US20120042951A1

Автор: Bernhard Stuetzel, Wolfgang Fahrner

Принадлежит: EVONIK DEGUSSA GmbH

The present invention relates to a method for decreasing or increasing the band gap shift in the production of photovoltaic devices by means of coating a substrate with a formulation containing a silicon compound, e.g., in the production of a solar cell comprising a step in which a substrate is coated with a liquid-silane formulation, the invention being characterized in that the formulation also contains at least one germanium compound. The invention further relates to the method for producing such a photovoltaic device.

Подробнее

Номер записи: 67

01-03-2012 дата публикации

Primary locating feature

Номер: US20120048261A1

Автор: Brian Matthew Cobb, Christopher John Kuntze, Jeremy Alan Panasiewicz, Stephen Robert Roddy, Steven J. Mori

Принадлежит: Magna International Inc

A solar collector assembly with at least one primary locator feature. The solar collector assembly has housing having at least one wall and at least one mirror for directing rays of light toward a secondary objective. Each mirror of the solar collector assembly has a back side and a reflective side and at least one primary locating feature for connecting the mirror to the housing. The primary locating feature has a guide bushing that is operably connected to the at least one wall of the housing. A stud of the primary locating feature has a first end connected to a mirror bracket and second end extending through the guide bushing. The stud has a longitudinal axis that extends between the mirror bracket and the guide bushing for allowing the mirror to be positioned along the longitudinal axis relative to the at least one wall of the housing.

Подробнее

Номер записи: 68

01-03-2012 дата публикации

Photovoltaic device interconnect

Номер: US20120048333A1

Автор: Jianjun Wang, Oleh P. Karpenko

Принадлежит: Individual

Scribing and deposition processes can be used to interconnect cells within photovoltaic modules.

Подробнее

Номер записи: 69

01-03-2012 дата публикации

Solar cell element, and solar cell module including the same

Номер: US20120048336A1

Автор: Naoya Ito

Принадлежит: Kyocera Corp

It is aimed to provide a solar cell element and a solar cell module capable of reducing an output drop in a case where a crack occurs in the solar cell element. In order to achieve this object, the solar cell element includes a substrate body including a photoelectric conversion part, a plurality of first electrodes located at intervals on one main surface of the substrate body, and a crack guiding part located in a region positioned between a pair of adjacent first electrodes among the plurality of first electrodes when the substrate body is viewed or viewed through in plan view from the one main surface side and configured to guide a position of a crack occurring in the substrate body upon application of a load to the substrate body.

Подробнее

Номер записи: 70

01-03-2012 дата публикации

Outdoor base station house having thin film solar cells

Номер: US20120048343A1

Автор: Chang Chi Mei, Chi-Jen Liu, Yee Shyi Chang

Принадлежит: An Ching New Energy Machinery and Equipment Co Ltd

An outdoor base station house having thin film solar cells, comprising: a sentry-box-shaped building body, at least a thin film solar cell, and a power source module. Said sentry-box-shaped building body is provided with a top portion, and said thin film solar cells are arranged on said top portion of said sentry-box-shaped building body. Said thin film solar cells absorb green light, blue light, and ultraviolet light, and convert them into electrical energy, and reflect part of infrared light and said ultraviolet light that are not absorbed. Red light, orange light, yellow light pass through said thin film solar cells and reach inside of said sentry-box-shaped building body. Said power source module is disposed inside said sentry-box-shaped building body, and stores electrical energy converted by thin film solar cells for supplying it to a wireless communication base station.

Подробнее

Номер записи: 71

01-03-2012 дата публикации

Bifacial solar cell module

Номер: US20120048353A1

Автор: Eunjoo Lee, Jemin Yu, Jongkyoung Hong, Seiyoung Mun, Taeki Woo, Taeyoon Kim

Принадлежит: LG ELECTRONICS INC

A bifacial solar cell module comprises: a plurality of bifacial solar cells; a light transmitting first substrate positioned at a first surface side of the bifacial solar cells; a light transmitting second substrate positioned at a second surface side of the bifacial solar cells; and a seal member positioned between the first substrate and the second substrate and made of a sealing material of at least one layer, wherein at least one of the first substrate and the second substrate is made of an ethylene tetrafluoroethylene copolymer (ETFE) copolymer in which light transmittance is 85% or more and light absorptance is 5% or less in an entire wavelength band.

Подробнее

Номер записи: 72

01-03-2012 дата публикации

Front side substrate of photovoltaic panel, photovoltaic panel and use of a substrate for a front side of a photovoltaic panel

Номер: US20120048364A1

Автор: Selvaraj Venkataraj, Stephane Auvray, Thien Hai Dao

Принадлежит: Saint Gobain Glass France SAS

A photovoltaic panel has an absorbent photovoltaic material, particularly based on cadmium, said panel including a front side substrate, particularly a transparent glass substrate with a transparent electrode coating, where the antireflection coating placed above the metal functional layer opposite the substrate has a single antireflection layer, based on mixed zinc tin oxide over its whole thickness, or where the antireflection coating placed above the metal functional layer opposite the substrate has at least two antireflection layers including, on the one hand, an antireflection layer which is closer to the functional layer and is based on mixed zinc tin oxide over its whole thickness and, on the other, an antireflection layer which is further from the functional layer and is not based on mixed zinc tin oxide over its whole thickness.

Подробнее

Номер записи: 73

01-03-2012 дата публикации

Sealing material for solar cell and solar cell module including same

Номер: US20120048373A1

Автор: Do-Young Park, Nam-Choul Yang, Si-Young Cha, Yi-Hyun Chang

Принадлежит: Samsung SDI Co Ltd

A sealing material for a solar cell and a solar cell including the same, and the sealing material includes a polymer resin having a vicat softening point at 100° C. or 130° C. or between 100° C. and 130° C.

Подробнее

Номер записи: 74

01-03-2012 дата публикации

Film used for solar cell module and module thereof

Номер: US20120048375A1

Автор: Chung-Hua Yang, Jui-Kai Hu, Tsun-Min Hsu, Yu-Ming Sun

Принадлежит: Individual

The present invention is directed to a film used for a solar cell module and the module thereof, in which the film includes a substrate and at least one light-regulating layer, and the light-regulating layer includes a fluoro resin and a plurality of light diffusing additives. By applying the film of the subject invention in a solar cell module, the film can make the solar cell have good light utilization.

Подробнее

Номер записи: 75

01-03-2012 дата публикации

Silicon-based photovoltaic device produced by essentially electrical means

Номер: US20120048376A1

Автор: Boris Gilman

Принадлежит: Alexander Shkolnik

A photovoltaic device that includes a silicon substrate, selective emitters and field-induced emitters (inversion type) on one side of a silicon substrate; selective back-surface field (BSF) regions or front-surface field (FSF) regions on the other side of the silicon substrate (accumulation-type regions), insulating films on both sides of the silicon substrate, fixed charges of the opposite signs on the opposite sides of the silicon substrate built in the insulating films, respectively, and self-aligned contact regions at least to the selective emitters. A majority of the aforementioned components are produced only by essentially electrical means and without conventional thermal diffusion and masking processes. Entire devices can be manufactured according to a simple method and are characterized by high efficiency, reduced cost, and increased throughput in the field of solar cell fabrication.

Подробнее

Номер записи: 76

01-03-2012 дата публикации

Infrared sensor and manufacturing method thereof

Номер: US20120049066A1

Автор: Tzong-Sheng Lee

Принадлежит: UniMEMS Manufacturing Co Ltd

A manufacturing method for an infrared sensor includes the following steps: providing a wafer having several chips and a substrate; forming four soldering portions, a thermistor, and an infrared sensing layer on the bottom surface of each chip, wherein the soldering portions are connected electrically to the thermistor and the infrared sensing layer; disposing a soldering material onto at least one bonding location for each soldering portion; backside-etching each chip of the wafer to form a sensing film and a surrounding wall around the sensing film; bonding the wafer and the substrate; heating the soldering materials to connect the substrate and each chip of the wafer; disposing an infrared filter on the surrounding wall of each chip; cutting the wafer and the substrate to form a plurality of individual infrared sensors. The instant disclosure further provides an associated infrared sensor.

Подробнее

Номер записи: 77

01-03-2012 дата публикации

Optoelectronic semiconductor bodies having a reflective layer system

Номер: US20120049228A1

Автор: Franz Eberhard, Korbinian Perzlmaier, Michael Schmal, Robert Walter, Vincent Grolier

Принадлежит: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

An optoelectronic semiconductor body ( 1 ) having an active semiconductor layer sequence ( 10 ) and a reflective layer system ( 20 ) is described. The reflective layer system ( 20 ) comprises a first radiation-permeable layer ( 21 ), which adjoins the semiconductor layer sequence ( 10 ), and a metal layer ( 23 ) on the side of the first radiation-permeable layer ( 21 ) facing away from the semiconductor layer sequence ( 10 ). The first radiation-permeable layer ( 21 ) contains a first dielectric material. Between the first radiation-permeable layer ( 21 ) and the metal layer ( 23 ) there is disposed a second radiation-permeable layer ( 22 ) which contains an adhesion-improving material. The metal layer ( 23 ) is applied directly to the adhesion-improving material. The adhesion-improving material differs from the first dielectric material and is selected such that the adhesion of the metal layer ( 23 ) is improved in comparison with the adhesion on the first dielectric material.

Подробнее

Номер записи: 78

01-03-2012 дата публикации

Thin film photoelectric conversion module and fabrication method of the same

Номер: US20120049310A1

Автор: Chen-Pang FU, Chi-Chiu Leung, Chung-Pui CHAN, Hi-Ki LAM, Hsieh-Hsin Yeh, Jia-Wei Ma, Tze-Kin Yuen, Wa-Sze Tsang, Yang-Yang Zhou

Принадлежит: Du Pont Apollo Ltd

A thin film photoelectric conversion module is provided. The thin film photoelectric conversion module includes a substrate and a plurality of photoelectric conversion cells formed on the substrate and connected to each other in series to form a series-connected array. The thin film photoelectric conversion module further comprises a plurality of first electrode rows extending along a current flow direction and a resistive material electrically connected to adjacent two of the first electrode rows, wherein the resistive material has an electrical resistivity no less than 10 −9 ohm-cm, wherein when the resistive material is a material different from that of the first electrode rows, the resistive material makes adjacent two of the first electrode rows at least partially connected, and when the resistive material is a material the same as that of the first electrode rows, the resistive material makes adjacent two of the first electrode rows partially connected.

Подробнее

Номер записи: 79

08-03-2012 дата публикации

Junction box

Номер: US20120055529A1

Автор: Chih-Chan Ger, Tsung-Liang Hung

Принадлежит: Ampower Technology Co Ltd

A junction box connected to a plurality of solar cell panels connected in series and under control a control device, includes a plurality of diodes, two ports, a switch, and a communication module. The plurality of diodes is forwardly connected in series to form a diode string with two ends, and each of the plurality of diodes is electrically connected to a corresponding one of the plurality of solar cell panels in parallel. The two ports are respectively connected to the two ends of the diode string and the plurality of solar cell panels, and output DC power of the plurality of solar cell panels. The switch is connected between the diode string and the two ports. The communication module is connected to the switch, and receives control signals from the control device to turn on or off the switch to control output of the DC power of the solar cell panels from the two ports.

Подробнее

Номер записи: 80

08-03-2012 дата публикации

Junction box and solar power system

Номер: US20120055530A1

Автор: Chih-Chan Ger, Tsung-Liang Hung, Yun-Bing Wang

Принадлежит: Ampower Technology Co Ltd

A solar power system includes a plurality of photovoltaic (PV) modules and a control device. Each PV module includes a plurality of solar cell panels connected in series and a junction box. The junction box detects parameters of the corresponding PV module, generates a reporting signal, and transmits the reporting signal to the control device. The control device receives the reporting signals from the plurality of PV modules, compares a stored amount of the plurality of PV modules with an amount of the received reporting signals to determine if the plurality of PV modules are abnormal, and generates a state indication signal according to the determination. The control device further transmits the state indication signal to corresponding junction boxes according to identifications of the corresponding PV modules in the received reporting signals to make the corresponding junction boxes indicate states accordingly.

Подробнее

Номер записи: 81

08-03-2012 дата публикации

Multi-stack semiconductor device

Номер: US20120056306A1

Автор: Chang-Shiang Yang, Chih-Hsien Chien, Ke-Hsuan Liu

Принадлежит: Sun Well Solar Corp

A multi-stack semiconductor device comprises: a substrate; a first conductive layer, a first group of the semiconductor material layers and a second group of the semiconductor material layers. The first conductive layer is formed on the substrate scribed by laser on the bottom of the first conductive layer to form a plurality of the first scribe lines. The first group of the semiconductor material layers is formed on the first conductive layer, and the second group of the semiconductor material layers is formed on the first group of the semiconductor material layers. The first group of the semiconductor material layers and the second group of the semiconductor material layers are simultaneously scribed by laser on bottom of the first group of the semiconductor material layers to form a plurality of the second scribe lines. Each second scribe line is comprised of a plurality of the second pores. The second conductive layer is formed on the second group of the semiconductor material layers and is scribe by laser on the bottom of the first group of the semiconductor material layers to form a plurality of the third scribe lines. The second pores are shortened for shortening the horizontal distance of the first scribe lines and the second scribe lines and/or the horizontal distance of the second scribe lines and the third scribe lines.

Подробнее

Номер записи: 82

08-03-2012 дата публикации

Method of fabricating epitaxial structures

Номер: US20120058591A1

Автор: Brad M. Siskavich

Принадлежит: Spire Corp

A method of fabricating epitaxial structures including applying an etch stop to one side of a substrate and then growing at least one epitaxial layer on a first side of said substrate, flipping the substrate, growing a second etch stop and at least one epitaxial layer on a second side of the substrate, applying a carrier medium to the ultimate epitaxial layer on each side, dividing the substrate into two parts generally along an epitaxial plane to create separate epitaxial structures, removing any residual substrate and removing the etch stop.

Подробнее

Номер записи: 83

15-03-2012 дата публикации

Process for coating glass onto a flexible stainless steel substrate

Номер: US20120060559A1

Автор: Damien Francis Reardon, Salah Boussaad

Принадлежит: EI Du Pont de Nemours and Co

The present disclosure relates to a method of manufacturing of a glass coated metal product. This invention also relates to a coated metallic substrate material that is suitable for manufacturing flexible solar cells and other articles in which a passivated stainless steel surface is desirable.

Подробнее

Номер записи: 84

15-03-2012 дата публикации

Fabrication Of Solar Cells With Silicon Nano-Particles

Номер: US20120060904A1

Автор: David D. Smith, Taeseok Kim

Принадлежит: SunPower Corp

A solar cell structure includes silicon nano-particle diffusion regions. The diffusion regions may be formed by printing silicon nano-particles over a thin dielectric, such as silicon dioxide. A wetting agent may be formed on the thin dielectric prior to printing of the nano-particles. The nano-particles may be printed by inkjet printing. The nano-particles may be thermally processed in a first phase by heating the nano-particles to thermally drive out organic materials from the nano-particles, and in a second phase by heating the nano-particles to form a continuous nano-particle film over the thin dielectric.

Подробнее

Номер записи: 85

15-03-2012 дата публикации

Nanowires formed by employing solder nanodots

Номер: US20120060905A1

Автор: Devendra K. Sadana, Jae-Woong Nah, Jeehwan Kim, Keith E. Fogel, Kuen-Ting Shiu

Принадлежит: International Business Machines Corp

A photovoltaic device and method include depositing a metal film on a substrate layer. The metal film is annealed to form islands of the metal film on the substrate layer. The substrate layer is etched using the islands as an etch mask to form pillars in the substrate layer.

Подробнее

Номер записи: 86

15-03-2012 дата публикации

Energy conversion device for photovoltaic cells

Номер: US20120060918A1

Автор: Mark B. Spitzer

Принадлежит: Photonic Glass Corp

An energy conversion device is provided for use, for example, in a photovoltaic solar cell. The device includes an up conversion composite material disposed in cavities in a semiconductor material or in a heat spreader bonded to the solar cell. The up conversion composite material is formed from a mixture of at least two different up conversion materials formed as crystal grains dispersed within an optically transmitting dispersion medium. The up conversion materials may include a crystal material doped with dopant atoms capable of absorbing photons having wavelengths longer than an absorption edge of the semiconductor material and emitting photons having wavelengths shorter than the absorption edge. In this manner, more photons can be utilized in the solar cell and optical coupling between the semiconductor material and the up conversion material is increased,

Подробнее

Номер записи: 87

15-03-2012 дата публикации

Semiconductor for sensing infrared radiation and method thereof

Номер: US20120061572A1

Автор: Robert HANNEBAUER

Принадлежит: Hanvision Co Ltd, Lumiense Photonics Inc

The bolometric sensing circuit includes a pixel array comprising pixels, each pixel comprising a sensor configuration to comprise a light receiving portion to convert incident photons into heat and a sensing portion integrated with the light receiving portion and having a resistance varying according to the converted heat; an output portion to output a common mode voltage that represents a voltage of the sensing portion from which accumulated heat has been removed in response to a heat removing voltage to thermally reset the sensing portion, and output a sensed voltage that represents a voltage of the sensing portion which has accumulated heat for an integration period after being thermally reset; and a processor to subtract the common mode voltage from the sensed voltage to produce a signal voltage that represents a change in resistance of the sensing portion due to the heat accumulated for the integration period.

Подробнее

Номер записи: 88

15-03-2012 дата публикации

Reducing thermal gradients to improve thermopile performance

Номер: US20120063093A1

Автор: Kalin V. Lazarov, Walter Meinel

Принадлежит: Texas Instruments Inc

With infrared (IR) sensors, repeatability and accuracy can become an issue when there are thermal gradients between the sensor and an underlying printed circuit board (PCB). Conventionally, a large thermal mass is included in the sensor packaging to reduce the effect from such thermal gradients, but this increase costs and size of the sensor. Here, however, a PCB is provided that includes an isothermal cage included therein that generally ensures that the temperature of the underlying PCB and sensor are about the same by including structural features (namely, the isothermal cage) that generally ensure that the thermal time constant for a path from a heat source to the thermopile (which is within the sensor) is approximately the same as thermal time constants for paths through the PCB.

Подробнее

Номер записи: 89

15-03-2012 дата публикации

Uv resistant clear laminates

Номер: US20120063952A1

Автор: Frank J. Csillag, Keith C. Hong

Принадлежит: Saint Gobain Performance Plastics Corp

A multilayer construct includes a fluoropolymer first layer; a UV resistant fluoropolymer adhesive layer, and a third layer, wherein the fluoropolymer adhesive layer is between the first and third layers. The adhesive layer can optionally include an ultraviolet radiation absorber.

Подробнее

Номер записи: 90

22-03-2012 дата публикации

Solar cell and method for manufacturing the same

Номер: US20120067417A1

Автор: Akira Miyazawa, Hideyo Iida, Keisuke Ohhira, Tomohiro Machida, Toshiei Yamazaki, Yoshifumi Tonomura

Принадлежит: Namics Corp, Sharp Corp

A solar cell containing an electrode, wherein the electrode is formed by firing a conductive paste, wherein the conductive paste includes an organic binder, a solvent, conductive particles, glass frits and a compound containing Al, Ga, In or Tl. A method for producing a solar cell by forming an electrode by firing a conductive paste, wherein the conductive paste includes an organic binder, a solvent, conductive particles, glass frits and a compound containing Al, Ga, In or Tl.

Подробнее

Номер записи: 91

22-03-2012 дата публикации

Metamaterial Integrated Solar Concentrator

Номер: US20120067419A1

Автор: Sanjeet Das

Принадлежит: US Department of Navy

An optical device including a metamaterial layer having a negative index of refraction for at least one wavelength in the visible range of 400-700 nm, a photovoltaic cell, and an optical waveguide arranged between the metamaterial layer and the photovoltaic cell. The optical waveguide has a first face and second face arranged opposite the first face, the first face having a larger area than the second face, the metamaterial layer positioned at the first face of the optical waveguide and the photovoltaic cell positioned at the second face of the optical waveguide. The optical device can be a solar collector. The optical waveguide can have a trapezoidal cross section, with the side faces of the waveguide having an angle of tilt sufficient to ensure total internal reflection for all incidence angles within the metamaterial's acceptance cone.

Подробнее

Номер записи: 92

22-03-2012 дата публикации

Flexible Monocrystalline Thin Silicon Cell

Номер: US20120067423A1

Автор: Anthony Lochtefeld, Chris Leitz

Принадлежит: Amberwave Inc

A device, system, and method for solar cell construction and layer transfer are disclosed herein. An exemplary method of solar cell construction involves providing a silicon donor substrate. A porous layer is formed on the donor substrate. A first portion of a solar cell is constructed on the porous layer of the donor substrate. The solar cell and donor substrate are bonded to a flexible substrate. The flexible substrate and the first portion of a solar cell are then separated from the donor substrate at the porous layer. A second portion of a solar cell may then be constructed on the first portion of a solar cell providing a single completed solar cell.

Подробнее

Номер записи: 93

22-03-2012 дата публикации

Aluminum base material, metal substrate having insulating layer employing the aluminum base material, semiconductor element, and solar battery

Номер: US20120067425A1

Автор: Hirokazu Sawada, Ryouzou Kaito, Shigenori Yuuya

Принадлежит: Fujifilm Corp

A metal substrate with an insulating layer, which is capable of being produced by a simple process, exhibits heat resistance during semiconductor processing, is superior in voltage resistance, and has small leakage current, and an Al base material that realizes the metal substrate are provided. The metal substrate with an insulating layer is formed by administering anodic oxidation on at least one surface of the Al base material. The Al base material includes only precipitous particles of a substance which is anodized by anodic oxidation as precipitous particles within an Al matrix.

Подробнее

Номер записи: 94

22-03-2012 дата публикации

Infrared light detector

Номер: US20120068158A1

Автор: Patrick Nickels, Susumu Komiyama

Принадлежит: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY

Provided is an infrared light detector 100 with a plurality of first electronic regions 10 which are electrically independent from each other and arranged in a specific direction, formed by dividing a single first electronic region. An outer electron system which is electrically connected to each of the plurality of first electronic regions 10 in a connected status is configured such that an electron energy level of excited sub-bands of each of the plurality of first electron regions 10 in a disconnected status is sufficiently higher than a Fermi level of each of second electronic regions 20 opposed to each of the first electronic regions 10 in a conduction channel 120.

Подробнее

Номер записи: 95

22-03-2012 дата публикации

Method for Determining a Spatial Arrangement of Photovoltaic Module Groups in a Photovoltaic Installation

Номер: US20120068687A1

Автор: Bjoern Magnussen, Jens Klein, Tobias Gunkel

Принадлежит: SMA Solar Technology AG

A method for determining a spatial arrangement of photovoltaic module groups in a photovoltaic installation includes measuring a sequence of values of an illumination-dependent electrical characteristic variable of different photovoltaic module groups while the photovoltaic installation is subject to light incidence with an incidence intensity which varies over time and spatially. The relative spatial arrangement of the photovoltaic module groups with respect to one another is then determined by comparing sequences of measured values associated with different photovoltaic module groups.

Подробнее

Номер записи: 96

22-03-2012 дата публикации

Optical element producing a modulated region of increased light intensity and optically enhanced photovoltaic cell and led lighting device including the same

Номер: US20120069580A1

Автор: Jose Manuel Rodriguez-Parada, Mark E. Lewittes, Rebekah Ann Derryberry, Roger Harquail French, Ronald Jack Riegert

Принадлежит: EI Du Pont de Nemours and Co

An optical element has a plano-piano body formed of a first material having a greater refraction index n 1 and a second material having a lesser refraction index n 2 . Both indices are greater than one. The absolute value of the index contrast, log 10 (n 1 /n 2 ), is in the range from about 0.001 to about 0.17, preferably from about 0.01 to about 0.05. The materials have an induced absorbance rate ΔAbs/Dose less than or equal to about 0.4, preferably less than or equal to about 0.2. The materials are arranged such that an interface with at least one cusp is defined therebetween. The cusp has an apex pointed toward the material having the greater index of refraction. The cusp is operative to produce a region of increased light intensity on one surface of the optical element in response to light incident on the other surface of the optical element.

Подробнее

Номер записи: 97

22-03-2012 дата публикации

Tandem thin-film silicon solar cell and method for manufacturing the same

Номер: US20120070935A1

Автор: Seung-Yeop Myong

Принадлежит: Individual

A tandem thin-film silicon solar cell comprises a transparent substrate, a first unit cell positioned on the transparent substrate, the first unit cell comprising a p-type window layer, an i-type absorber layer and an n-type layer, an intermediate reflection layer positioned on the first unit cell, the intermediate reflection layer including a hydrogenated n-type microcrystalline silicon oxide of which the oxygen concentration is profiled to be gradually increased and a second unit cell positioned on the intermediate reflection layer, the second unit cell comprising a p-type window layer, an i-type absorber layer and an n-type layer.

Подробнее

Номер записи: 98

29-03-2012 дата публикации

Solution-processed inorganic photo-voltaic devices and methods of production

Номер: US20120073622A1

Автор: Bao Lei, Shenghan Li, Wei-Jen Hou, Yang Yang

Принадлежит: UNIVERSITY OF CALIFORNIA

Methods of producing photo-voltaic devices include spray coating deposition of metal chalcogenides, contact lithographic methods and/or metal ion injection. Photo-voltaic devices include devices made by the methods, tandem photo-voltaic devices and bulk junction photovoltaic devices.

Подробнее

Номер записи: 99

29-03-2012 дата публикации

Ethylene resin composition, sealing material for solar cell, and solar cell module utilizing the sealing material

Номер: US20120073631A1

Автор: Fumito Takeuchi, Hirofumi Zenkoh, Hiroshi Mori, Jun Tokuhiro, Kazuhiro Yarimizu, Shigenobu Ikenaga, Takanobu Murofushi, Takashi Hakuta

Принадлежит: Mitsui Chemicals Inc

The purpose of the present invention is to provide an ethylene resin composition which has excellent properties including adhesion properties, electrically insulating properties, transparency, moldability and process stability and can be produced without requiring any cross-linking procedure if necessary to improve productivity; and others. The ethylene resin composition contains a modified product produced by modifying an ethylene polymer (A) that meets all of the requirements a) to e) mentioned below with an ethylenically unsaturated silane compound (B). a) The density is 900 to 940 kg/m 3 . b) The melting peak temperature is 90 to 125 DEG C as determined by DSC. c) The melt flow rate (MFR2) is 0.1 to 100 g/10 minutes as measured at 190° C. and a load of 2.16 kg in accordance with JIS K-6721. d) The Mw/Mn ratio is 1.2 to 3.5. e) The content of metal residues is 0.1 to 50 ppm.

Подробнее

Номер записи: 100