Дрейфовый диод с резким восстановлением обратного сопротивления на основе карбида кремния политипа 4H

Изобретение относится к силовой полупроводниковой электронике, а именно к импульсной высоковольтной технике, и может быть использовано в дрейфовых диодах с резким восстановлением обратного сопротивления (далее ДДРВ) в качестве быстродействующих коммутаторов размыкающего типа для генераторов сверхкоротких импульсов напряжения. Дрейфовый диод с резким восстановлением обратного сопротивления на основе карбида кремния политипа 4H включает однородно легированную подложку n+-типа проводимости, на которой эпитаксиально выращены градиентно-легированный слой p--типа проводимости и однородно легированный слой p+-типа проводимости, а на наружной стороне слоя p+-типа проводимости и наружной стороне подложки сформированы соответственно анодный и катодный омические контакты, дополнительно введен слой с однородным легированием n--типа проводимости, расположенный между подложкой n+-типа проводимости и градиентно-легированным слоем p--типа проводимости. При этом слой p--типа проводимости выполнен градиентно-легированным ...