Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
06-06-2023 дата публикации

Semiconductor device

Номер: CN116230699A
Автор: JEON HYUNG-JUN, MOON KWANG-JIN
Принадлежит:

A semiconductor device includes: a first semiconductor chip including a first pad and a first insulating layer; and a second semiconductor chip including a second upper pad, a second insulating layer, a second lower pad, and a through electrode connecting the second upper pad and the second lower pad to each other. The semiconductor device includes a third semiconductor chip including a third upper pad, an upper barrier layer, a third insulating layer, a third lower pad, a lower barrier layer, and a dummy electrode structure connecting the third upper pad and the third lower pad to each other. The semiconductor device includes an encapsulant under the first semiconductor chip to encapsulate at least a portion of each of the second semiconductor chip and the third semiconductor chip and cover a side surface of the third lower pad. The semiconductor device includes a bump structure under the encapsulant and the second and third semiconductor chips.

Подробнее
Номер записи: 1
08-08-2023 дата публикации

Semiconductor device

Номер: CN116564933A
Автор: CAO ZHAOHUI, MOON KWANG-JIN, LEE HO-JIN
Принадлежит:

A semiconductor device includes: a first semiconductor substrate having a protruding active pattern; a gate structure; a source/drain region on one side of the gate structure in the active pattern; an interlayer insulating layer on the source/drain region; a contact structure connected to the source/drain region through the interlayer insulating layer; a via structure electrically connected to the contact structure and passing through the interlayer insulating layer and the first semiconductor substrate; a first bonding structure including a first insulating layer on the first semiconductor substrate and a first connection pad in the first insulating layer; a second bonding structure on the first bonding structure including a second insulating layer bonded to the first insulating layer and a second connection pad in the second insulating layer and bonded to the first connection pad; and a second semiconductor substrate disposed on the second bonding structure.

Подробнее
Номер записи: 2