Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
23-06-2023 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING FINFET AND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: CN116313802A
Автор: ZHANG ZHECHENG, LIN JYH-HAN, ZENG HONGHUI
Принадлежит:

The embodiment of the invention provides a method for manufacturing a fin field effect transistor, which comprises the following steps of: patterning a substrate to form grooves, and forming semiconductor fins extending along a first direction between the grooves; forming an insulator in the groove; forming a dielectric layer to cover the semiconductor fin and the insulator; forming a first dummy gate strip and a second dummy gate strip extending in a second direction perpendicular to the first direction on the dielectric layer, wherein the width of the first dummy gate strip is smaller than that of the second dummy gate strip; forming a first spacer and a second spacer which are different in thickness on the side walls of the first dummy gate strip and the second dummy gate strip respectively; removing the first and second dummy gate strips and thinning only a portion of the dielectric layer below and in contact with the first dummy gate strip to form a thinned portion including a recess ...

Подробнее
Номер записи: 1
18-04-2023 дата публикации

FINFET DEVICE WITH EMBEDDED AIR GAP AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер: CN115985912A
Автор: ZHANG ZHECHENG, LIN JYH-HAN
Принадлежит:

A semiconductor device includes a first gate structure disposed over a substrate. The first gate structure extends in a first direction. A second gate structure is disposed over the substrate. The second gate structure extends along the first direction. The dielectric material is disposed between the first gate structure and the second gate structure. An air gap is disposed within the dielectric material. The embodiment of the invention relates to a FINFET device with an embedded air gap and a method of manufacturing the same.

Подробнее
Номер записи: 2