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02-07-2020 дата публикации

Optimised fabrication methods for a structure to be assembled by hybridisation and a device comprising such a structure

Номер: US20200211989A1
Автор: Bernard Jeannet
Принадлежит:

A method of fabrication of a semiconducting structure intended to be assembled to a second support by hybridisation. The semiconducting structure comprising an active layer comprising a nitrided semiconductor. The method comprises a step for the formation of at least one first and one second insert and during this step, a nickel layer is formed in contact with the support surface, and a localised physico-chemical etching step of the active layer, a part of the active layer comprising the active region being protected by the nickel layer. 1. Method of fabrication of a semiconducting structure intended to be connected by hybridisation to a second support , the method for fabricating a semiconducting structure including the following steps:supply a first support that comprises a substrate and at least one active layer, said active layer (comprising at least one nitrided semiconducting material, at least one active region of said semiconducting structure and at least one first connection zone and at least one second connection zone of said active region being arranged in said active layer, the first connection zone and the second connection zone of said active region flush with a surface of the first support,formation of at least one first insert body and one second insert body in electrical contact with the first and second connection zones respectively, said formation step comprising formation of a nickel layer covering a portion of the surface of the first support, said nickel layer being arranged on the support surface at the active region, at least partially covering the first and second connection zones,localised physico-chemical etching of the active layer, the localisation of the etching being provided by protecting part of the active layer comprising the active region by the nickel layer,physico-chemical etching of the nickel layer, the etching being stopped after the release of at least part of the surface of the first support of said nickel layer, the part of ...

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Номер записи: 1
02-07-2021 дата публикации

A method of self-aligned connection of a structure to a support, device obtained from such a method, and the structure and support implemented by such a method

Номер: FR3105877A1
Автор: Bertrand Delaet, Jeannet Bernard, Marion DOUMA
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA

L’invention concerne un procédé de connexion par hybridation d’une structure semiconductrice (100) sur un support (200). Le procédé comprend les étapes de : fourniture d’une structure semiconductrice (100) comprenant au moins un deux organes primaires de connexion comprenant chacun un premier élément d’alignement magnétique (122, 126) comprenant un matériau ferromagnétique ; fourniture du support (200), le support (200) comprenant au moins deux organes secondaires de connexion (221, 225) comprenant chacun un deuxième élément d’alignement magnétique (222, 226) comprenant un matériau ferromagnétique, au moins les uns parmi les premier élément d’alignement magnétique (122, 126) et le deuxièmes éléments d’alignement magnétique (222, 226) sont des aimants permanents ; et le placement et libération de la structure semiconductrice (100) à distance du support (200) pour obtenir un alignement des premiers éléments d’alignement magnétique (122, 126) avec les deuxièmes éléments d’alignement magnétique (222, 226) correspondant. Figure pour l’abrégé : figure 1C The invention relates to a method of connection by hybridization of a semiconductor structure (100) on a support (200). The method includes the steps of: providing a semiconductor structure (100) comprising at least one of two primary connection members each comprising a first magnetic alignment element (122, 126) comprising a ferromagnetic material; provision of the support (200), the support (200) comprising at least two secondary connection members (221, 225) each comprising a second magnetic alignment element (222, 226) comprising a ferromagnetic material, at least one of first magnetic alignment element (122, 126) and second magnetic alignment element (222, 226) are permanent magnets; and placing and releasing the semiconductor structure (100) away from the support (200) to obtain alignment of the first magnetic alignment elements (122, 126) with the corresponding second magnetic alignment elements (222, 226). Figure ...

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Номер записи: 2
29-01-2021 дата публикации

Optimized manufacturing processes of a structure intended to be assembled by hybridization and of a device comprising such a structure

Номер: FR3091411B1
Автор: Jeannet Bernard
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA

L’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure semiconductrice (100) destiné à être assemblée à un deuxième support (201) par hybridation. La structure semiconductrice (100) comprenant une couche active (115) comprenant un semiconducteur nitruré. Le procédé comprend une étape de formation d’au moins un premier et un deuxième inserts (145A, 145B, 146A, 146B) lors de laquelle étape une couche de nickel (148) est formée en contact avec la surface support (101, 110, 111, 112, 113, 121, 131), et une étape de gravure physico-chimique localisée de la couche active (111, 112, 113), une partie de la couche active (111, 112, 113) comprenant la région active (115) étant protégée par la couche de nickel (148). Figure pour l’abrégé : figure 1 The invention relates to a method of manufacturing a semiconductor structure (100) intended to be assembled to a second support (201) by hybridization. The semiconductor structure (100) comprising an active layer (115) comprising a nitrided semiconductor. The method comprises a step of forming at least a first and a second insert (145A, 145B, 146A, 146B) during which step a layer of nickel (148) is formed in contact with the support surface (101, 110, 111, 112, 113, 121, 131), and a localized physico-chemical etching step of the active layer (111, 112, 113), part of the active layer (111, 112, 113) comprising the active region ( 115) being protected by the nickel layer (148). Figure for the abstract: figure 1

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Номер записи: 3
20-06-2024 дата публикации

Procédé de préparation d'un empilement en vue d'un collage

Номер: WO2024126599A1
Автор: Bernard Aventurier, Eléonore PRINCE, Florian FEDELI, Jeannet Bernard, Virginie MAFFINI ALVARO
Принадлежит: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

L'invention concerne un procédé de préparation d'un empilement (1) comprenant la fourniture d'un empilement comprenant un substrat (10) surmonté d'une pluralité de structures (1000). Chaque structure comprend un plot (100) comprenant un sommet (101) et au moins un flanc (103), une première couche (200) surmontant le substrat, la première couche recouvrant une partie du flanc du plot, une deuxième couche (300) recouvrant au moins le sommet du plot. La structure comprend une portion de retrait (500) recouvrant une partie supérieure (104) du flanc du plot et formée par au moins l'une parmi la première couche et la deuxième couche, et une portion de recouvrement (600), recouvrant une partie inférieure (105) du flanc et s'étendant depuis la portion de retrait. La portion de retrait est ensuite retirée en laissant en place la portion de recouvrement pour former une protrusion.

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Номер записи: 4
21-06-2024 дата публикации

Procédé de préparation d’un empilement en vue d’un collage

Номер: FR3143841A1
Автор: Bernard Aventurier, Eléonore PRINCE, Florian FEDELI, Jeannet Bernard, Virginie MAFFINI ALVARO
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA

Titre : Procédé de préparation d’un empilement en vue d’un collage L’invention concerne un procédé de préparation d’un empilement (1) comprenant la fourniture d’un empilement comprenant un substrat (10) surmonté d’une pluralité de structures (1000). Chaque structure comprend un plot (100) comprenant un sommet (101) et au moins un flanc (103), une première couche (200) surmontant le substrat, la première couche recouvrant une partie du flanc du plot, une deuxième couche (300) recouvrant au moins le sommet du plot. La structure comprend une portion de retrait (500) recouvrant une partie supérieure (104) du flanc du plot et formée par au moins l’une parmi la première couche et la deuxième couche, et une portion de recouvrement (600), recouvrant une partie inférieure (105) du flanc et s’étendant depuis la portion de retrait. La portion de retrait est ensuite retirée en laissant en place la portion de recouvrement pour former une protrusion. Figure pour l’abrégé : Fig.2J

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Номер записи: 5