Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 62532. Отображено 100.
05-01-2012 дата публикации

Method for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, apparatus for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, method for selectively growing semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, and semiconductor element using substrate irradiated with focused light

Номер: US20120001302A1
Автор: Hisashi Matsumura, Kazuyoshi Itoh, Shunro Fuke, Yasuo Kanematsu
Принадлежит: Osaka University NUC

An apparatus ( 100 ) for fabricating a semiconductor thin film includes: substrate surface pretreatment means ( 101 ) for pretreating a surface of a substrate; organic layer coating means ( 102 ) for coating, with an organic layer, the substrate thus pretreated; focused light irradiation means ( 103 ) for irradiating, with focused light, the substrate coated with the organic layer, and for forming a growth-mask layer while controlling layer thickness; first thin film growth means ( 104 ) for selectively growing a semiconductor thin film over an area around the growth-mask layer; substrate surface treatment means ( 105 ) for, after exposing the surface of the substrate by removing the growth-mask layer, modifying the exposed surface of the substrate; and second thin film growth means ( 106 ) for further growing the semiconductor thin film and growing a semiconductor thin film over the modified surface of the substrate.

Подробнее
Номер записи: 1
10-10-2001 дата публикации

ЗАТРАВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА (ВАРИАНТЫ)

Номер: RU0000019836U1
Автор: Абдрафиков С.Н., Михалицын А.А., Михалицына О.В.
Принадлежит: Абдрафиков Станислав Николаевич, Михалицын Александр Анатольевич

1. Затравка для выращивания монокристалла кварца, выполненная в форме составной трехсторонней незамкнутой в направлении области +Х рамки из кристаллического кварца, состоящей из базовой затравки - основания и дополнительных элементов - боковых сторон, механически прикрепленных под углом 90 к краям базовой затравки, имеющей срез ZY или XY, причем направления осей Y и Z базовой затравки и дополнительных элементов совпадают, отличающаяся тем, что длина l базовой затравки основания связана с длиной L дополнительных элементов соотношением L=l•tg60-h, где h - размер базовой затравки по оси Х. 2. Затравка для выращивания монокристалла кварца, выполненная в форме составной трехсторонней незамкнутой в направлении области +Х рамки из кристаллического кварца, состоящей из базовой затравки - основания и дополнительных элементов - боковых сторон, механически прикрепленных под углом 90 к краям базовой затравки, имеющей срез ZY или XY, причем направления соей Y и Z базовой затравки и дополнительных элементов совпадают, отличающаяся тем, что дополнительные элементы - боковые стороны продлены в направлении области -Х, образуя с базовой затравкой - основанием вторую трехстороннюю незамкнутую в направлении области - Х рамку, при этом длина дополнительных элементов в направлении области +Х составляет от 1/4 до 1/2L, в направлении области -Х - от 1/2 до 3/4L, а длина l базовой затравки связана с общей длиной L дополнительных элементов - боковых сторон в направлении областей +Х и -Х соотношением L=l•tg60-h, где h - размер базовой затравки по оси Х. 3. Затравка для выращивания монокристалла кварца по п.2, отличающаяся тем, что часть ее, включающая базовую затравку - основание и дополнительные элементы - боковые стороны в направлении области -Х, выполнена монолитной. 4. Затравка для выращивания монокристалла кварца по п.2 или 3, отличающаяся тем, что базовая затравка выполнена составной из двух частей и имеет длину 2l. 5. Затравка для выращивания монокристалла кварца, выполненная в форме ...

Подробнее
Номер записи: 2
05-01-2012 дата публикации

Vapor-phase process apparatus, vapor-phase process method, and substrate

Номер: US20120003142A1
Автор: Eiryo Takasuka, Masaki Ueno, Toshio Ueda, Toshiyuki Kuramoto
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd

A vapor-phase process apparatus and a vapor-phase process method capable of satisfactorily maintaining quality of processes even when different types of processes are performed are obtained. A vapor-phase process apparatus includes a process chamber, gas supply ports serving as a plurality of gas introduction portions, and a gas supply portion (a gas supply member, a pipe, a flow rate control device, a pipe, and a buffer chamber). The process chamber allows flow of a reaction gas therein. The plurality of gas supply ports are formed in a wall surface (upper wall) of the process chamber along a direction of flow of the reaction gas. The gas supply portion can supply a gas into the process chamber at a different flow rate from each of one gas supply port and another gas supply port different from that one gas supply port among the plurality of gas supply ports.

Подробнее
Номер записи: 3
10-11-2004 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ГРАНУЛИРОВАННОГО САПФИРА

Номер: RU0000041645U1
Автор: Антропов В.Ю., Блецкан Н.И., Шкульков А.В.
Принадлежит: Коломойцев Анатолий Алексеевич, Корх Александр Павлович

Устройство для получения гранулированного сапфира, содержащее бункер и вакуумную камеру, сообщающиеся с помощью шибера и трубки, при этом вакуумная камера выполнена со съемным днищем, установленным с возможностью перемещения по вертикальной оси камеры, в крышке камеры выполнено отверстие для подачи инертного газа, в днище камеры выполнено отверстие для отвода инертного газа, в стенке камеры выполнено отверстие для вакуумирования, внутри камеры расположены тигель, выполненный из вольфрама, и кольцевой нагреватель из вольфрамовых прутков, на съемном днище камеры установлен приемник - кристаллизатор с нагревателем, выполненным из нихрома, внутри приемника-кристаллизатора размещена чаша из вольфрама, выполненная с перфорированным дном и закрепленная с помощью стоек, установленных на днище камеры, в дне тигля установлена трубка с соплом на конце, трубка выполнена составной из двух жестко связанных частей, при этом диаметр верхней части трубки больше диаметра нижней части, сопло установлено в конце нижней части трубки, длина которой обеспечивает расположение сопла в верхней части чаши. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 41 645 (13) U1 (51) МПК B01J 2/00 (2000.01) B01J 2/20 (2000.01) C30B 29/20 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004118980/22 , 28.06.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.06.2004 (45) Опубликовано: 10.11.2004 (73) Патентообладатель(и): Коломойцев Анатолий Алексеевич (UA) , Корх Александр Павлович (UA) U 1 4 1 6 4 5 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Устройство для получения гранулированного сапфира, содержащее бункер и вакуумную камеру, сообщающиеся с помощью шибера и трубки, при этом вакуумная камера выполнена со съемным днищем, установленным с возможностью перемещения по вертикальной оси камеры, в крышке камеры выполнено отверстие для подачи инертного газа, в днище камеры выполнено отверстие для отвода инертного ...

Подробнее
Номер записи: 4
10-11-2004 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ГРАНУЛИРОВАННОГО САПФИРА

Номер: RU0000041646U1
Автор: Блецкан Н.И., Гриц В.В., Шкульков А.В.
Принадлежит: Коломойцев Анатолий Алексеевич, Корх Анатолий Павлович

Устройство для получения гранулированного сапфира, содержащее бункер, вакуумную камеру с крышкой и днищем, имеющем отверстие, и приемник-кристаллизатор, при этом бункер и вакуумная камера сообщаются с помощью шибера и трубки, в крышке камеры выполнено отверстие для подачи инертного газа, в днище камеры выполнено отверстие для отвода инертного газа, в стенке камеры выполнено отверстие для вакуумирования, внутри камеры расположены тигель, выполненный из вольфрама, и кольцевой нагреватель из вольфрамовых прутков, в дне тигля установлена трубка с соплом на конце, трубка выполнена составной из двух жестко связанных частей, причем диаметр верхней части трубки больше диаметра нижней части, сопло установлено в конце нижней части трубки, длина которой обеспечивает расположение сопла в верхней части приемника-кристаллизатора, установленного под камерой. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 41 646 (13) U1 (51) МПК B01J 2/00 (2000.01) B01J 2/20 (2000.01) C30B 29/20 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004118981/20 , 28.06.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.06.2004 (45) Опубликовано: 10.11.2004 (73) Патентообладатель(и): Коломойцев Анатолий Алексеевич (UA) , Корх Анатолий Павлович (UA) U 1 4 1 6 4 6 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Устройство для получения гранулированного сапфира, содержащее бункер, вакуумную камеру с крышкой и днищем, имеющем отверстие, и приемник-кристаллизатор, при этом бункер и вакуумная камера сообщаются с помощью шибера и трубки, в крышке камеры выполнено отверстие для подачи инертного газа, в днище камеры выполнено отверстие для отвода инертного газа, в стенке камеры выполнено отверстие для вакуумирования, внутри камеры расположены тигель, выполненный из вольфрама, и кольцевой нагреватель из вольфрамовых прутков, в дне тигля установлена трубка с соплом на конце, трубка выполнена составной из двух жестко связанных ...

Подробнее
Номер записи: 5
10-11-2005 дата публикации

ГАЗОДИНАМИЧЕСКИЙ КРИСТАЛЛИЗАТОР

Номер: RU0000048999U1
Автор: Алексеев А.А., Верба В.С., Гандурин В.А.
Принадлежит: Алексеев Александр Анатольевич, Верба Владимир Степанович, Гандурин Виктор Александрович

Газодинамический кристаллизатор, содержащий тигель с расплавом AlO и направляющий капилляр, опущенный в тигель с расплавом AlО, отличающийся тем, что в него дополнительно введены направляющие трубки для создания формирующего и охлаждающего потоков газокапельных смесей, установленные выше направляющего капилляра. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 48 999 (13) U1 (51) МПК C30B C30B C30B C30B 28/02 28/10 29/50 35/00 (2000.01) (2000.01) (2000.01) (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2005120341/22 , 30.06.2005 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.06.2005 (45) Опубликовано: 10.11.2005 (73) Патентообладатель(и): Верба Владимир Степанович (RU), Гандурин Виктор Александрович (RU), Алексеев Александр Анатольевич (RU) Формула полезной модели Газодинамический кристаллизатор, содержащий тигель с расплавом Al2O3 и R U 4 8 9 9 9 что в него дополнительно введены направляющие трубки для создания формирующего и охлаждающего потоков газокапельных смесей, установленные выше направляющего капилляра. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 направляющий капилляр, опущенный в тигель с расплавом Al 2О3, отличающийся тем, 4 8 9 9 9 (54) ГАЗОДИНАМИЧЕСКИЙ КРИСТАЛЛИЗАТОР R U Адрес для переписки: 121170, Москва, Кутузовский пр-кт, 34, Концерн радиостроения "Вега", В.С. Верба (72) Автор(ы): Верба В.С. (RU) , Гандурин В.А. (RU), Алексеев А.А. (RU) U 1 U 1 4 8 9 9 9 4 8 9 9 9 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 5 10 15 20 25 30 48 999 U1 Полезная модель относится к быстрой кристаллизации монокристальных изделий из модифицированного сапфира. Известны методы Вернейля, Степанова, Чохральского /1/, позволяющие осуществить однофазную кристаллизацию при выращивании тугоплавких монокристаллов из расплава. Наиболее близкой к описываемой полезной модели относится установка А.В.Степанова, использующая капиллярные силы, с помощью которых формируется столбик расплава на поверхности формообразователя. Данный метод ...

Подробнее
Номер записи: 6
10-06-2006 дата публикации

РЕАКЦИОННАЯ ЯЧЕЙКА МНОГОПУАНСОННОГО АППАРАТА ДЛЯ ОТЖИГА АЛМАЗОВ

Номер: RU0000054045U1
Автор: Чепуров Алексей Анатольевич
Принадлежит: ООО "Новогема"

Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления для отжига алмаза, содержащая соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с торцевыми токовводными крышками и токовводными стержнями, запирающие ячейку таблетки, подложку с запрессованным алмазом, расположенную в полости ячейки и выполненную из материала, содержащего оксид магния и циркония, отличающаяся тем, что токовводные крышки выполнены двойными и между ними установлены нагревательные диски, материал которых содержит, мас%: ZrO- 85-90, С - 7-13, CsCl - 2-3, а в подложку введен графит при следующем соотношении компонентов, мас.%: MgO - 75-80, ZrO- 18-23, C - 2-5. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 54 045 (13) U1 (51) МПК C30B 29/04 (2006.01) B01J 3/06 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2005107231/22 , 15.03.2005 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 15.03.2005 (45) Опубликовано: 10.06.2006 (72) Автор(ы): Чепуров Алексей Анатольевич (RU) (73) Патентообладатель(и): ООО "Новогема" (RU) U 1 5 4 0 4 5 R U С - 7-13, CsCl - 2-3, а в подложку введен графит при следующем соотношении компонентов, мас.%: MgO - 75-80, ZrO2 - 18-23, C - 2-5. Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления для отжига алмаза, содержащая соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с торцевыми токовводными крышками и токовводными стержнями, запирающие ячейку таблетки, подложку с запрессованным алмазом, расположенную в полости ячейки и выполненную из материала, содержащего оксид магния и циркония, отличающаяся тем, что токовводные крышки выполнены двойными и между ними установлены нагревательные диски, материал которых содержит, мас%: ZrO2 - 85-90, 5 4 0 4 5 (54) РЕАКЦИОННАЯ ЯЧЕЙКА МНОГОПУАНСОННОГО АППАРАТА ДЛЯ ОТЖИГА АЛМАЗОВ R U Адрес для переписки: 630058, г.Новосибирск, ул. Русская, 41, ООО "Новогема" U 1 U 1 5 4 ...

Подробнее
Номер записи: 7
10-09-2006 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОДАЧИ ПАРОВ ХЛОРИДА ГАЛЛИЯ ПРИ ГАЗОФАЗНОМ ОСАЖДЕНИИ СОЕДИНЕНИЙ AB

Номер: RU0000056402U1
Автор: Гришнова Наталья Дмитриевна, Иванов Валерий Александрович, Котков Анатолий Павлович, Орловский Леонид Александрович, Салганский Юрий Михайлович, Сидоров Виктор Андреевич
Принадлежит: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "НИГАЛ"

Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений АB, содержащее две соединенные между собой емкости, одна из которых предназначена для хранения хлорида галлия, а другая - для дозирования паров хлорида галлия в зону осаждения потоком газа-носителя, отличающееся тем, что устройство содержит термостат, в котором размещены упомянутые емкости, при этом емкость для дозирования жестко закреплена в нем, а емкость для хранения закреплена с возможностью перемещения в вертикальном направлении относительно емкости для дозирования, емкости содержат верхний и боковой патрубки для ввода и вывода газа-носителя соответственно, при этом боковой патрубок емкости для хранения соединен с верхним патрубком емкости для дозирования, и нижние патрубки для перемещения жидкого хлорида галлия из емкости в емкость, соединенные между собой, при этом все соединения выполнены гибкими трубопроводами, а термостат при этом размещен на пьедестале с возможностью поворота на 90 градусов вокруг горизонтальной оси, совпадающей с осью входного патрубка емкости хранения и выходного патрубка емкости дозирования. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 56 402 (13) U1 (51) МПК C30B 25/14 C30B 29/38 C30B 29/40 (2006.01) (2006.01) (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2006109816/22 , 29.03.2006 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 29.03.2006 (45) Опубликовано: 10.09.2006 (73) Патентообладатель(и): ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "НИГАЛ" (RU) Ñòðàíèöà: 1 U 1 5 6 4 0 2 U 1 Формула полезной модели Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений А 3B 5, содержащее две соединенные между собой емкости, одна из которых предназначена для хранения хлорида галлия, а другая - для дозирования паров хлорида галлия в зону осаждения потоком газа-носителя, отличающееся тем, что устройство содержит термостат, в котором размещены упомянутые ...

Подробнее
Номер записи: 8
27-03-2007 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА

Номер: RU0000062116U1
Автор: Киреев Всеволод Вадимович, Кортунова Евгения Васильевна, Лютин Владимир Иванович
Принадлежит: Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук

Устройство для выращивания кристаллов оксида цинка, содержащее герметичный сосуд из коррозионно-стойкого материала и размещенные в верхней его части затравочные пластины, ориентированные параллельно моноэдрическим граням (0001), отличающееся тем, что затравочные пластины размещены в параллельных друг другу вертикальных плоскостях, при этом в каждой плоскости у всех затравочных пластин оси +Z параллельны, а в соседних плоскостях направлены противоположно, причем расстояние между плоскостями, в которых расположены грани положительного моноэдра, в 4-5 раз больше, чем между плоскостями, в которых расположены грани отрицательного моноэдра. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 62 116 (13) U1 (51) МПК C30B 7/10 (2006.01) C30B 29/16 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2006123063/22 , 29.06.2006 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 29.06.2006 (45) Опубликовано: 27.03.2007 (73) Патентообладатель(и): Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) U 1 6 2 1 1 6 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Устройство для выращивания кристаллов оксида цинка, содержащее герметичный сосуд из коррозионно-стойкого материала и размещенные в верхней его части затравочные пластины, ориентированные параллельно моноэдрическим граням (0001), отличающееся тем, что затравочные пластины размещены в параллельных друг другу вертикальных плоскостях, при этом в каждой плоскости у всех затравочных пластин оси +Z параллельны, а в соседних плоскостях направлены противоположно, причем расстояние между плоскостями, в которых расположены грани положительного моноэдра, в 4-5 раз больше, чем между плоскостями, в которых расположены грани отрицательного моноэдра. 6 2 1 1 6 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА R U Адрес для переписки: 119333, Москва, Ленинский пр., 59, Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук, ...

Подробнее
Номер записи: 9
27-06-2008 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Номер: RU0000074389U1
Автор: Антонов Игорь Николаевич, Волков Борис Михайлович, Калагурский Ярослав Иванович, Пивоваров Александр Викторович, Хоренко Александр Васильевич
Принадлежит: Общество с ограниченной отвественностью "ДОМСАТ"

1. Установка для термической обработки монокристаллов, содержащая цилиндрическую герметичную камеру, подключенную к вакуумному насосу и снабженную держателем с обрабатываемым монокристаллом, размещенным на продольной оси этой камеры, и, по меньшей мере, одним прозрачным окном, выполненным на продольной оси этой камеры с возможностью лучевого воздействия через него на монокристалл, и содержащая по меньшей мере, один источник инфракрасного излучения с отражателем, сфокусированным на обрабатываемый монокристалл, управляющее устройство и связанный с ним, по меньшей мере, один термоэлемент, установленный в зоне обрабатываемого монокристалла, отличающаяся тем, что установка дополнительно снабжена импульсным генератором плазмы, размещенным внутри герметичной камеры, емкостным накопителем энергии, запитанным на электрическую систему питания генератора, снабженную управляющим коммутатором, системой подачи, по меньшей мере, одного технологического газа в герметичную камеру и дополнительными источниками инфракрасного излучения, равномерно расположенными вокруг герметичной камеры на уровне обрабатываемого монокристалла в плоскости, перпендикулярной продольной оси герметичной камеры, при этом герметичная камера выполнена составной с разъемом в плоскости, перпендикулярной продольной оси этой камеры, и дополнительно снабжена боковыми прозрачными окнами, выполненными на уровне обрабатываемого монокристалла с возможностью лучевого воздействия на последний, управляющее устройство дополнительно снабжено средством контроля давления внутри герметичной камеры, средством расхода технологического газа и средствами контроля параметров плазмы, импульсный генератор плазмы выполнен в виде двухэлектродного разрядника, изолированного от герметичной камеры посредством диэлектрической трубы с перфорированной внутренней стенкой и снабженной кольцевой внутренней полостью, причем один из электродов разрядника выполнен в виде металлического цилиндра, расположенного внутри диэлектрической трубы с ...

Подробнее
Номер записи: 10
20-11-2008 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ УПОРЯДОЧЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ РАСПЛАВА БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ

Номер: RU0000078217U1
Автор: Мирошниченко Сергей Петрович, Скубилин Михаил Демьянович
Принадлежит: Мирошниченко Сергей Петрович, Скубилин Михаил Демьянович

Установка для упорядоченной кристаллизации расплава бинарных соединений, содержащая вакуумную камеру, в которой размещена теплоизолированная камера, вакуумный насос, соединенный патрубком с вакуумной камерой, источник тепловой энергии, лодочку с шихтой, размещенную на общей оси с источником тепловой энергии, блок электрического питания, соединенный силовым входом с электрической сетью, и блок управления, а также датчик глубины вакуума, соединенный патрубком с вакуумной камерой, датчик температуры расплава, и индикаторы глубины вакуума в вакуумной камере и температуры расплава, соединенные входами с выходами датчиков глубины вакуума и температуры содержимого лодочки, соответственно, отличающаяся тем, что в нее введены канал оптической связи, проходящий через стенки теплоизолированной камеры и вакуумной камеры на внешнюю поверхность вакуумной камеры и ориентированный максимумом диаграммы направленности входа на содержимое лодочки, датчик температуры соединен оптическим входом с выходом канала оптической связи, электромеханический привод перемещения лодочки, соединенный выходом механически с лодочкой, электромагнит, расположенный на общей оси с источником тепловой энергии в вакуумной камере и гальванически соединенный с третьим выходом блока управления, первый задатчик, задатчик температуры содержимого лодочки, первый элемент сравнения, соединенный поразрядно первыми входами с выходами датчика температуры расплава, вторыми входами - с выходами первого задатчика, а первым выходом - с первым управляющим входом блока управления, генератор тактовых импульсов, распределитель импульсов, соединенный сигнальным входом с выходом генератора импульсов, управляющим входом - со вторым выходом первого элемента сравнения, а выходом - пофазно со входами электромеханического привода перемещения лодочки, аналого-цифровой преобразователь, соединенный входом с выходом датчика глубины вакуума, второй задатчик, задатчик глубины вакуума в вакуумной камере, второй элемент сравнения, ...

Подробнее
Номер записи: 11
10-03-2009 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Номер: RU0000081206U1
Автор: Крамаренко Владимир Анатольевич
Принадлежит: Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук

1. Установка для выращивания кристаллов, содержащая кристаллизационный стакан, крышку кристаллизационного стакана, кристаллоносец с затравочным кристаллом, который размещен внутри кристаллизационного стакана и приводится во вращение с помощью установленного в подшипнике приводного вала, и систему уплотнения приводного вала, отличающаяся тем, что с наружной стороны крышки кристаллизационного стакана установлена неподвижная уплотнительная втулка, к торцевой поверхности названной втулки поджимается нижняя рабочая поверхность муфты, имеющей ведомый и ведущий диски, которые уплотняются посредством эластичной мембраны, а с внутренней стороны крышки кристаллизационного стакана концентрично по отношению к приводному валу размещена цилиндрическая ловушка, внутри которой установлен отражательный диск, жестко крепящийся на приводном валу, причем над муфтой установлен прижимной механизм, обеспечивающий поджатие муфты к неподвижной втулке. 2. Установка по п.1, отличающаяся тем, что ведущий диск муфты соединяется с ведомым диском посредством штифтов, входящих в соответствующие пазы в ведомом диске. 3. Установка по п.1, отличающаяся тем, что неподвижная уплотнительная втулка выполнена из фторопласта. 4. Установка по п.1, отличающаяся тем, что приводной вал установлен в опорном подшипнике. 5. Установка по п.1, отличающаяся тем, что прижимной механизм выполнен в виде пластины, неподвижно закрепленной на приводном валу, и пружин, опирающихся одним концом на названную пластину, а другим концом на наружную поверхность ведомого диска муфты. 6. Установка по п.5, отличающаяся тем, что пружины снабжены винтами, с помощью которых обеспечивается регулировка степени сжатия пружин. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 81 206 U1 (51) МПК C30B 7/00 (2006.01) C30B 29/14 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2008132585/22, 08.08.2008 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 08. ...

Подробнее
Номер записи: 12
27-09-2009 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Номер: RU0000087169U1
Автор: Кондратович Вадим Валентинович, Лукьянчук Виталий Викторович, Сухарев Сергей Олегович
Принадлежит: Закрытое акционерное общество "Термотрон-завод"

Установка для получения мультикристаллического кремния, содержащая вакуумную цилиндрическую камеру с водоохлаждаемой рубашкой, закрываемую верхней и нижней выпуклыми крышками, внутри которой расположены тепловые экраны, многозонные нагреватели и опорный графитовый стол с тиглем, отличающаяся тем, что камера в цилиндрической части имеет прямоугольное загрузочное окно, герметично закрываемое вакуумной крышкой с водяным охлаждением, к внутренней поверхности которой прикреплен опорный графитовый стол, имеющий вторую опору внутри камеры, причем крышка выполнена с возможностью горизонтального перемещения вместе со столом с помощью приводного механизма по направляющим, установленным снаружи и внутри камеры, при этом опорный графитовый стол с тиглем при загрузке камеры размещен в ней между установленными со всех сторон тепловыми экранами и многозонными нагревателями. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 87 169 U1 (51) МПК C30B 29/06 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2008151658/22, 25.12.2008 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 25.12.2008 (45) Опубликовано: 27.09.2009 (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "Термотрон-завод" (RU) U 1 8 7 1 6 9 R U Ñòðàíèöà: 1 ru CL U 1 Формула полезной модели Установка для получения мультикристаллического кремния, содержащая вакуумную цилиндрическую камеру с водоохлаждаемой рубашкой, закрываемую верхней и нижней выпуклыми крышками, внутри которой расположены тепловые экраны, многозонные нагреватели и опорный графитовый стол с тиглем, отличающаяся тем, что камера в цилиндрической части имеет прямоугольное загрузочное окно, герметично закрываемое вакуумной крышкой с водяным охлаждением, к внутренней поверхности которой прикреплен опорный графитовый стол, имеющий вторую опору внутри камеры, причем крышка выполнена с возможностью горизонтального перемещения вместе со столом с помощью приводного ...

Подробнее
Номер записи: 13
10-10-2009 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА

Номер: RU0000087426U1
Автор: Березкин Владимир Викторович, Васильев Александр Борисович, Мчедлишвили Борис Викторович, Рябова Татьяна Павловна, Цыганова Татьяна Владимировна
Принадлежит: Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН

Установка для выращивания кристаллов из раствора, содержащая кристаллизатор, внутри которого размещена затравка, нагреватель и холодильник, отличающаяся тем, что за кристаллизатором по ходу движения раствора последовательно размещены насос, резервная емкость, нагреватель и блок фильтрации, названный блок снабжен двумя выходными патрубками, один из которых подключен к резервной емкости, а другой подключен к холодильнику, гидравлически связанному с кристаллизатором, причем в качестве блока фильтрации применен мембранный блок, позволяющий вести фильтрацию в тангенциальном режиме. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 87 426 (13) U1 (51) МПК C30B 7/00 (2006.01) C30B 29/14 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2009122630/22, 16.06.2009 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 16.06.2009 (45) Опубликовано: 10.10.2009 (73) Патентообладатель(и): Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН (RU) U 1 8 7 4 2 6 R U Ñòðàíèöà: 1 ru CL U 1 Формула полезной модели Установка для выращивания кристаллов из раствора, содержащая кристаллизатор, внутри которого размещена затравка, нагреватель и холодильник, отличающаяся тем, что за кристаллизатором по ходу движения раствора последовательно размещены насос, резервная емкость, нагреватель и блок фильтрации, названный блок снабжен двумя выходными патрубками, один из которых подключен к резервной емкости, а другой подключен к холодильнику, гидравлически связанному с кристаллизатором, причем в качестве блока фильтрации применен мембранный блок, позволяющий вести фильтрацию в тангенциальном режиме. 8 7 4 2 6 (54) УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА R U Адрес для переписки: 119333, Москва, Ленинский пр-кт, 59, Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН (72) Автор(ы): Березкин Владимир Викторович (RU), Васильев Александр Борисович (RU), ...

Подробнее
Номер записи: 14
05-01-2012 дата публикации

Methods and apparatus for selective epitaxy of si-containing materials and substitutionally doped crystalline si-containing material

Номер: US20120003819A1
Автор: Alexander Reznicek, Devendra K. Sadana, He Hong, Paul David Brabant, Robert Torres, Jr., Satoshi Hasaka, Terry Arthur Francis, Thomas N. Adam
Принадлежит: International Business Machines Corp, Matheson Tri-Gas Inc

The present invention discloses that under modified chemical vapor deposition (mCVD) conditions an epitaxial silicon film may be formed by exposing a substrate contained within a chamber to a relatively high carrier gas flow rate in combination with a relatively low silicon precursor flow rate at a temperature of less than about 550° C. and a pressure in the range of about 10 mTorr-200 Torr. Furthermore, the crystalline Si may be in situ doped to contain relatively high levels of substitutional carbon by carrying out the deposition at a relatively high flow rate using tetrasilane as a silicon source and a carbon-containing gas such as dodecalmethylcyclohexasilane or tetramethyldisilane under modified CVD conditions.

Подробнее
Номер записи: 15
20-05-2010 дата публикации

ПЛАВИЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА

Номер: RU0000094230U1
Автор: Бурляев Иван Владимирович
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ")

1. Плавильное устройство для выращивания монокристаллов кремния из расплава, включающее кварцевый тигель, размещенный на составной графитовой подставке, состоящей из установленных соосно друг другу верхнего с большим диаметром и нижнего с меньшим диаметром дисков, и обечайки, отличающееся тем, что тигель установлен по отношению к обечайке с возможностью свободной посадки, обечайка закреплена в кольцевом пазу, выполненном в верхнем диске со стороны тигля, при помощи равномерно расположенных в нем фиксаторов, при этом форма обечайки зафиксирована бандажными кольцами, а верхний диск со стороны тигля имеет внутреннюю конусность, внешний угол которой составляет 10-20° либо сферичность радиусом r≥4R 2. Плавильное устройство для выращивания монокристаллов кремния из расплава по п.1, отличающееся тем, что в верхнем диске в зоне, свободной от сопряжения с нижним диском, под острым углом к оси выполнен кольцевой конический паз для стыковки с подъемным приспособлением. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 94 230 (13) U1 (51) МПК C30B 15/10 C30B 29/06 (2006.01) (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2009147430/22, 21.12.2009 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 21.12.2009 (45) Опубликовано: 20.05.2010 (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ") (RU) U 1 9 4 2 3 0 R U Ñòðàíèöà: 1 ru CL U 1 Формула полезной модели 1. Плавильное устройство для выращивания монокристаллов кремния из расплава, включающее кварцевый тигель, размещенный на составной графитовой подставке, состоящей из установленных соосно друг другу верхнего с большим диаметром и нижнего с меньшим диаметром дисков, и обечайки, отличающееся тем, что тигель установлен по отношению к обечайке с возможностью свободной посадки, обечайка закреплена в кольцевом пазу, выполненном в ...

Подробнее
Номер записи: 16
10-06-2010 дата публикации

УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ

Номер: RU0000094976U1
Автор: Борик Михаил Александрович, Вишнякова Мария Анатольевна, Войцицкий Владимир Петрович, Ломонова Елена Евгеньевна, Мызина Валентина Алексеевна, Осико Вячеслав Васильевич
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Новые энергетические технологии"

1. Устройство формирования материала на основе диоксида циркония, содержащее стенку и дно холодного контейнера, где стенку холодного контейнера охватывает скрепляющее кольцо и индуктор, подключенный к высокочастотному генератору, а на дно холодного контейнера помещен теплоизолирующий слой с установленными на нем двумя цилиндрическими обечайками. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что теплоизолирующий слой представляет собой утрамбованные отходы материала и порошкообразную шихту. 3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что внутри обечаек расположены слой порошкообразной шихты с металлическим цирконием и слой отходов материала соответственно, а между стенкой и одной из обечаек расположен слой бумаги и слой, состоящий из порошкообразной шихты и мелких кристаллических отходов материала с размерами не более 3 мм. 4. Устройство по п.2, отличающееся тем, что компоненты шихты содержатся в следующем соотношении, мол.%: 5. Устройство по п.4, отличающееся тем, что компоненты материала состоят из следующих составляющих, вес.%: РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 94 976 (13) U1 (51) МПК C30B 29/22 C01G 25/02 (2006.01) (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2009140196/22, 02.11.2009 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 02.11.2009 (45) Опубликовано: 10.06.2010 9 4 9 7 6 R U Формула полезной модели 1. Устройство формирования материала на основе диоксида циркония, содержащее стенку и дно холодного контейнера, где стенку холодного контейнера охватывает скрепляющее кольцо и индуктор, подключенный к высокочастотному генератору, а на дно холодного контейнера помещен теплоизолирующий слой с установленными на нем двумя цилиндрическими обечайками. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что теплоизолирующий слой представляет собой утрамбованные отходы материала и порошкообразную шихту. 3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что внутри обечаек ...

Подробнее
Номер записи: 17
20-05-2011 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА

Номер: RU0000104557U1
Автор: Власов Антон Юрьевич, Шагаров Борис Анатольевич
Принадлежит: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ)

1. Устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава, содержащее камеру с отверстиями для вытягивания кристалла, подачи и удаления газа, в которой на подставке, установленной на штоке, размещен тигель с расплавом кремния и нагреватель, закрытый верхним экраном и окруженный боковым экраном, отличающееся тем, что боковой экран выполнен из установленных на опорном графитовом кольце внутреннего и внешнего экранов, пространство между которыми заполнено материалом, имеющим коэффициент теплопроводности более низкий, чем у графита, например карбидом кремния, а по наружному периметру внешнего экрана и опорного кольца выполнена обмотка из слоев графитовой ткани. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что внутренний и внешний экраны выполнены из графита. 3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что внутренний и внешний экраны выполнены из графит-графитного композита. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 104 557 (13) U1 (51) МПК C30B 15/00 C30B 15/14 C30B 29/06 (2006.01) (2006.01) (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22) Заявка: 2010151639/05, 15.12.2010 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 15.12.2010 (45) Опубликовано: 20.05.2011 Адрес для переписки: 660014, г.Красноярск, а/я 486, СибГАУ, ОИС (73) Патентообладатель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) (RU) U 1 1 0 4 5 5 7 R U Ñòðàíèöà: 1 ru CL U 1 Формула полезной модели 1. Устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава, содержащее камеру с отверстиями для вытягивания кристалла, подачи и удаления газа, в которой на подставке, установленной на штоке, размещен тигель с расплавом кремния и нагреватель, закрытый верхним экраном и окруженный боковым экраном, отличающееся тем, что боковой экран выполнен из установленных на опорном графитовом кольце внутреннего ...

Подробнее
Номер записи: 18
27-07-2011 дата публикации

РЕАКТОР ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕРЖНЕЙ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Номер: RU0000106894U1
Автор: Сарапулов Кирилл Борисович
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Красноярский машиностроительный завод" (ОАО "Красмаш")

1. Реактор для получения стержней поликристаллического кремния, содержащий неподвижное охлаждаемое основание и охлаждаемый цилиндрический колпак, разделенные горизонтальным разъемом, снабженный патрубками ввода газовой среды и электродами, концентрично расположенным по окружности для подвода электрической мощности от источника силового электропитания, отличающийся тем, что патрубки ввода газовой среды объединены внешним устройством, снабженным съемными заглушками. 2. Реактор по п.1, отличающийся тем, что внешнее устройство имеет форму тора. 3. Реактор по п.1, отличающийся тем, что внешнее устройство имеет форму квадрата. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 106 894 (13) U1 (51) МПК C01B 33/035 (2006.01) C30B 28/14 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22) Заявка: 2011108075/05, 02.03.2011 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 02.03.2011 (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Красноярский машиностроительный завод" (ОАО "Красмаш") (RU) (45) Опубликовано: 27.07.2011 1 0 6 8 9 4 R U Формула полезной модели 1. Реактор для получения стержней поликристаллического кремния, содержащий неподвижное охлаждаемое основание и охлаждаемый цилиндрический колпак, разделенные горизонтальным разъемом, снабженный патрубками ввода газовой среды и электродами, концентрично расположенным по окружности для подвода электрической мощности от источника силового электропитания, отличающийся тем, что патрубки ввода газовой среды объединены внешним устройством, снабженным съемными заглушками. 2. Реактор по п.1, отличающийся тем, что внешнее устройство имеет форму тора. 3. Реактор по п.1, отличающийся тем, что внешнее устройство имеет форму квадрата. Ñòðàíèöà: 1 ru CL U 1 U 1 (54) РЕАКТОР ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕРЖНЕЙ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 1 0 6 8 9 4 Адрес для переписки: 660123, г.Красноярск, пр-кт имени газеты Красноярский рабочий, 29, генеральному ...

Подробнее
Номер записи: 19
10-12-2011 дата публикации

УСТАНОВКА, ПЕЧЬ И НАГРЕВАТЕЛЬ ПЕЧИ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО ОПТИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА СЕЛЕНИД ЦИНКА/СУЛЬФИД ЦИНКА

Номер: RU0000111140U1
Автор: Афанасьев Валерий Давидович, Гань Шо-вэнь, Гарибин Евгений Андреевич, Гусев Павел Евгеньевич, Демиденко Алексей Александрович, Дунаев Анатолий Алексеевич, Зайцев Игорь Николаевич, Крутов Михаил Анатольевич, Линь Фэн, Макаров Дмитрий Иванович, Миронов Игорь Алексеевич, У Чжи-синь, Цзун Цзе, ЧЖАН Тао, Чжао Сяо-лун
Принадлежит: Закрытое акционерное общество "ИНКРОМ" (ЗАО "ИНКРОМ")

1. Установка для изготовления композиционного оптического материала селенид цинка/сульфид цинка, включающая печь, соединенную с пультом управления, вакуумной системой, системой водяного охлаждения и силовым трансформатором, где пульт управления в свою очередь соединен через силовой трансформатор с системой водяного охлаждения, которая также подключена к вакуумной системе. 2. Печь для изготовления композиционного оптического материала селенид цинка/сульфид цинка включает корпус, в котором размещен нагреватель, внутри которого расположен реакционный контейнер, корпус печи закрыт сверху и снизу крышками, а внутри корпуса размещены теплоизоляционные экраны, представленные как теплоизоляционный экран корпуса печи, расположенный между внутренней поверхностью корпуса и нагревателем, теплоизоляционный верхний экран, расположенный под верхней крышкой корпуса печи, и теплоизоляционный нижний экран, расположенный над нижней крышкой печи, в боковых стенках корпуса расположены средства для подсоединения вентиляции печи и вакуумной системы, датчики температуры и вакуума и вентиль напуска воздуха, через нижнюю крышку печи подключен соответствующий датчик для измерения температуры под контейнером, к наружной части дна нагревателя подключены токовводы, а корпус и крышки корпуса выполнены водоохлаждаемыми. 3. Печь по п.2, в которой нагреватель имеет переменную толщину по высоте боковых стенок и выполнен из графита. 4. Нагреватель печи для изготовления композиционного оптического материала селенид цинка/сульфид цинка выполнен из графита в виде цилиндра с прорезями по его высоте, в котором боковые стенки имеют переменную толщину, наименьшую снизу и наибольшую в верхней части. 5. Нагреватель по п.4, в котором переменность толщины вертикальных стенок имеет ступенчатый характер. 6. Нагреватель по п.5, в котором толщина вертикальных стенок имеет трехступенчатый вид. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 111 140 U1 (51) МПК C30B 28/12 (2006.01) C30B 23/06 (2006.01) C30B 29/48 (2006.01) ...

Подробнее
Номер записи: 20
27-04-2012 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Номер: RU0000115361U1
Автор: Закиров Роман Альфритович, Кухтецкий Сергей Владимирович, Панов Петр Иннокентьевич, Парфенов Олег Григорьевич
Принадлежит: Учреждение Российской академии наук Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАН (ИХХТ СО РАН)

1. Устройство для получения поликристаллического кремния, включающее устройство для нагрева алюминия, реактор, устройства дозированного ввода хлорида алюминия и тетрахлорида кремния, вывода кремния из реактора, подачи алюминия, отличающееся тем, что устройство для нагрева алюминия выполнено в форме катушки индуктивности для нагрева и удержания алюминия в форме капли в левитирующем состоянии без соприкосновения со стенками реактора, реактор выполнен в форме вертикального канала с реакционной зоной, устройством термостатирования, устройством удаления кристаллов кремния, выполненным в форме скребка или шнека с полостью, реакционная зона реактора выполнена из оксида алюминия. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что устройство дозированного ввода АlСl выполнено с возможность дозирования АlСl в твердом, жидком или газообразном состоянии. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 115 361 U1 (51) МПК C30B 28/14 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) C01B 33/033 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2011131978/05, 19.09.2011 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 19.09.2011 (45) Опубликовано: 27.04.2012 Бюл. № 12 1 1 5 3 6 1 R U Формула полезной модели 1. Устройство для получения поликристаллического кремния, включающее устройство для нагрева алюминия, реактор, устройства дозированного ввода хлорида алюминия и тетрахлорида кремния, вывода кремния из реактора, подачи алюминия, отличающееся тем, что устройство для нагрева алюминия выполнено в форме катушки индуктивности для нагрева и удержания алюминия в форме капли в левитирующем состоянии без соприкосновения со стенками реактора, реактор выполнен в форме вертикального канала с реакционной зоной, устройством термостатирования, устройством удаления кристаллов кремния, выполненным в форме скребка или шнека с полостью, реакционная зона реактора выполнена из оксида алюминия. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что устройство дозированного ...

Подробнее
Номер записи: 21
20-06-2012 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКООБРАЗНОГО НИТРИДА АЛЮМИНИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ

Номер: RU0000117153U1
Автор: Афонин Юрий Дмитриевич, Баранов Михаил Владимирович, Бекетов Аскольд Рафаилович, Бекетов Дмитрий Аскольдович, Елагин Андрей Александрович, Шишкин Роман Александрович
Принадлежит: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина"

1. Установка для получения порошкообразного нитрида алюминия высокой чистоты газофазным способом, состоящая из цилиндрической реакционной камеры, выполненной из жаропрочной стали и покрытой футеровочным материалом, расположенной на стальной пространственной раме и герметично соединенной с устройствами подачи азотсодержащих газов, подачи исходной шихты и выгрузки готового продукта, снабжена устройством нагрева, системами водного охлаждения, фильтрации и герметизации, отличающаяся тем, что цилиндрическая реакционная камера выполнена с возможностью вращения вокруг горизонтальной оси, футерована нитридом алюминия, расположена горизонтально на стальной пространственной раме, оснащена устройством для изменения угла наклона горизонтальной цилиндрической реакционной камеры, устройством нагрева в виде графитового нагревателя, создающего необходимый градиент температур вдоль горизонтальной цилиндрической реакционной камеры, установка снабжена системой очистки получаемого продукта от микропримесей. 2. Установка по п.1, характеризующаяся тем, что футеровочный материал, расположенный внутри цилиндрической реакционной камеры, выполнен в виде колец. 3. Установка по п.1, характеризующаяся тем, что в качестве системы очистки полученного материала от микропримесей использована печь отгонки солей, герметично соединенная с перчаточным боксом. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК C30B 29/38 C01B 21/072 B82B 3/00 B82Y 40/00 (13) 117 153 U1 (2006.01) (2006.01) (2006.01) (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2011149418/05, 05.12.2011 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 05.12.2011 (45) Опубликовано: 20.06.2012 Бюл. № 17 (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (RU) 1 1 7 1 5 3 R U Формула полезной модели 1. Установка для ...

Подробнее
Номер записи: 22
10-09-2012 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ВОЛОКОН ИЗ ТУГОПЛАВКИХ МАТЕРИАЛОВ

Номер: RU0000120103U1
Автор: Бирюков Владимир Павлович, Гудушаури Элгуджа Георгиевич, Дроздов Юрий Николаевич, Михайлин Борис Николаевич, Фишков Алексей Анатольевич
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт машиноведения им. А.А. Благонравова Российской академии наук

Устройство для получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов, содержащее вакуумную камеру роста волокна с входным окном для лазерного излучения, размещенные в вакуумной камере плоское поворотное зеркало, параболическое зеркало, питатель, трубку для питателя, подающие ролики для подачи питателя и вытяжные ролики для подачи затравки, отличающееся тем, что оно снабжено блоком регулирования скоростей подачи питателя и затравки, содержащим привод вращения подающих роликов с блоком его управления, привод вращения вытяжных роликов для подачи затравки с блоком его управления, датчик скорости вращения роликов для подачи затравки, измеритель скорости вращения роликов для подачи затравки с анализатором скорости, блок памяти и блок синхронизации скоростей вращения подающих и вытяжных роликов, при этом выход блока управления привода вращения подающих роликов соединен со входом блока синхронизации скоростей вращения подающих и вытяжных роликов, выход которого соединен с одним из входов блока управления привода вращения вытяжных роликов, а другой вход блока управления привода вращения вытяжных роликов соединен с выходом измерителя привода вращения роликов для подачи затравки с анализатором, один вход которого соединен с датчиком скорости вращения роликов для подачи затравки, а другой - с блоком памяти. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 120 103 U1 (51) МПК C30B 13/22 (2006.01) C30B 13/28 (2006.01) C30B 29/62 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2012109854/05, 15.03.2012 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 15.03.2012 (45) Опубликовано: 10.09.2012 Бюл. № 25 1 2 0 1 0 3 R U Формула полезной модели Устройство для получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов, содержащее вакуумную камеру роста волокна с входным окном для лазерного излучения, размещенные в вакуумной камере плоское поворотное зеркало, параболическое зеркало, питатель, трубку для питателя ...

Подробнее
Номер записи: 23
20-12-2012 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ СЛОЖНЫХ ОКСИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ ИЗ РАСТВОРА-РАСПЛАВА НА ЗАТРАВКУ

Номер: RU0000123011U1
Автор: Брагин Дмитрий Сергеевич, Десятов Виталий Алексеевич, Кратковский Виктор Адольфович, Крыгин Владимир Васильевич, Тик Александр Августович, Шварцман Григорий Исаакович
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл Т"

Установка для выращивания монокристаллов, например сложных оксидных соединений из раствора-расплава на затравку, содержащая термическую камеру омического нагрева с регулятором температуры, тигель с раствором-расплавом с размещенным над ним кристаллодержателем с затравочным кристаллом, при этом кристаллодержатель связан с механизмами вращения и перемещения, датчик веса и систему управления, отличающаяся тем, что она снабжена датчиком для фиксирования момента касания затравочного кристалла поверхности раствора-расплава и устройством для определения положения затравочного кристалла, регулятор температуры выполнен программным, механизмы вращения и перемещения снабжены программными блоками управления, а датчик веса выполнен тензометрическим, при этом одной плоскостью соединен с неподвижной частью механизма вращения, противоположной плоскостью - с подвижной частью механизма перемещения и электрически связан с электронными весами, все программные элементы связаны с внешним компьютером в стандарте RS 232. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 123 011 U1 (51) МПК C30B 15/20 (2006.01) C30B 29/22 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2012123292/05, 05.06.2012 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 05.06.2012 (45) Опубликовано: 20.12.2012 Бюл. № 35 (73) Патентообладатель(и): Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл Т" (RU) 1 2 3 0 1 1 R U Формула полезной модели Установка для выращивания монокристаллов, например сложных оксидных соединений из раствора-расплава на затравку, содержащая термическую камеру омического нагрева с регулятором температуры, тигель с раствором-расплавом с размещенным над ним кристаллодержателем с затравочным кристаллом, при этом кристаллодержатель связан с механизмами вращения и перемещения, датчик веса и систему управления, отличающаяся тем, что она снабжена датчиком для фиксирования момента касания затравочного кристалла поверхности раствора-расплава и ...

Подробнее
Номер записи: 24
27-03-2013 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ РАЗДЕЛЕНИЯ И ПОДГОТОВКИ ХЛОРИСТОГО ВОДОРОДА И ХЛОРСИЛАНОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ЛИНИИ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Номер: RU0000126325U1
Автор: Гапиенко Анатолий Александрович, Котляренко Олег Николаевич, Кригер Александр Сергеевич, Оноприенко Андрей Андреевич, Скильсара Василий Михайлович
Принадлежит: ЧАСТНОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ЗАВОД ПОЛУПРОВОДНИКОВ"

Установка для разделения и подготовки хлористого водорода и хлорсиланов технологической линии производства поликристаллического кремния, содержащая ректификационную колонну, верхняя часть которой сообщена через дефлегматор со сборником флегмы, на выходе из которого установлен насос, выход которого сообщается с верхней частью ректификационной колонны и с накопителем хлористого водорода, а также систему трубопроводов с запорно-регулирующей арматурой, отличающаяся тем, что установка снабжена испарителем хлористого водорода и двумя конденсаторами хлористого водорода, первый из которых сообщен с накопителем хлористого водорода, а второй сообщен с испарителем хлористого водорода, при этом нижняя часть испарителя соединена посредством трубопровода с накопителем хлористого водорода и дополнительными трубопроводами со входом насоса и с дефлегматором. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК C01B 33/02 C01B 33/03 B01D 3/00 B01D 5/00 B01D 53/00 C01B 7/07 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА C30B 29/06 ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ F25J 3/06 (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: (13) 126 325 U1 (2006.01) (2006.01) (2006.01) (2006.01) (2006.01) (2006.01) (2006.01) (2006.01) ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2012127081/05, 28.06.2012 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.06.2012 27.06.2012 UA U201207943 (73) Патентообладатель(и): ЧАСТНОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ЗАВОД ПОЛУПРОВОДНИКОВ" (UA) (45) Опубликовано: 27.03.2013 Бюл. № 9 1 2 6 3 2 5 R U Формула полезной модели Установка для разделения и подготовки хлористого водорода и хлорсиланов технологической линии производства поликристаллического кремния, содержащая ректификационную колонну, верхняя часть которой сообщена через дефлегматор со сборником флегмы, на выходе из которого установлен насос, выход которого сообщается с верхней частью ректификационной колонны и с накопителем хлористого водорода, а также систему трубопроводов с запорно-регулирующей арматурой, отличающаяся тем, что установка снабжена испарителем хлористого водорода и двумя ...

Подробнее
Номер записи: 25
10-04-2013 дата публикации

СИСТЕМА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ КОНДЕНСАЦИИ ПАРОГАЗОВОЙ СМЕСИ

Номер: RU0000126617U1
Автор: Бондарь Константин Николаевич, Малый Анатолий Васильевич, Сиренко Сергей Иванович
Принадлежит: ЧАСТНОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ЗАВОД ПОЛУПРОВОДНИКОВ"

1. Система низкотемпературной конденсации парогазовой смеси, образующейся на участке синтеза трихлорсилана, связанная по газовой фазе с системой основной конденсации парогазовой смеси, содержащая два охлаждаемых рекуперативных теплообменника, на входы которых по трубопроводам, обеспечивающим подключение по газовой фазе к системе основной конденсации, на охлаждение подается парогазовая смесь, конденсатор, охлаждаемый жидким азотом, с которым посредством трубопроводов по газовой фазе сообщаются указанные рекуперативные теплообменники, по меньшей мере одну емкость для сбора конденсата, с которой посредством трубопроводов сообщаются рекуперативные теплообменники и конденсатор, по меньшей мере одну емкость для хранения жидкого азота, сообщающуюся посредством трубопровода с конденсатором, при этом трубопроводы снабжены регулируемой запорной арматурой, отличающаяся тем, что рекуперативные теплообменники подключены по газовой фазе к системе основной конденсации парогазовой смеси параллельно друг другу, при этом для охлаждения парогазовой смеси в одном рекуперативном теплообменнике используется поток испарившегося при охлаждении конденсатора азота, а во втором рекуперативном теплообменнике - обратный поток охлажденных газов. 2. Система по п.1, отличающаяся тем, что рекуперативные теплообменники являются двухходовыми кожухотрубными теплообменниками. 3. Система по п.1, отличающаяся тем, что конденсатор является трехходовым кожухотрубным теплообменником. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 126 617 U1 (51) МПК B01D 5/00 (2006.01) C01B 33/03 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2012130792/05, 19.07.2012 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 19.07.2012 Приоритет(ы): (30) Конвенционный приоритет: (72) Автор(ы): Малый Анатолий Васильевич (UA), Бондарь Константин Николаевич (UA), Сиренко Сергей Иванович (UA) 27.06.2012 UA U201208021 (45) Опубликовано: 10.04.2013 Бюл. ...

Подробнее
Номер записи: 26
20-03-2014 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕТЕРОФАЗНЫХ РАВНОВЕСИЙ И ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Номер: RU0000138742U1
Автор: Богатов Николай Маркович, Волошин Михаил Анатольевич, Гамазов Александр Александрович
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "КубГУ")

Устройство для исследования гетерофазных равновесий и выращивания монокристаллов с гетерогенными летучими компонентами, состоящее из двухзонной печи, расположенной вертикально и состоящей из двух печей, одна из них снабжена немагнитным водоохлаждаемым кожухом, а другая соединена с ушком для подъема печей, и прозрачного теплоизолирующего кольца между печами, в которые помещена запаянная ампула с нелетучими компонентами в тигле, который скреплен со штоком, укрепленным на сердечнике электромагнита, взаимодействующего с якорем, в котором установлена пробирка с летучим компонентом, отличающееся тем, что на магнитном сердечнике установлен мановакуумметр, указатель которого находится в зазоре между печами, а верхняя часть тигля имеет коаксиальную внутреннюю перегородку с цилиндрическим кольцевым каналом прямоугольного сечения, на верхней части тигля установлен цилиндрический колпачок с вырезом в нижней части и с тонкими стержнями, концы которых находятся в зазоре между печами, при этом колпачок расположен так, что в верхней части тигля между внутренней поверхностью тигля и наружной поверхностью колпачка и внутренней поверхностью колпачка и поверхностью цилиндрического канала прямоугольного сечения образованы зазоры, а на наружной поверхности дна ампулы расположен цилиндрический выступ с примыкающими к нему светопроводами, в котором расположен цилиндрический выступ якоря, перекрывающий прохождение света через светопроводы. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 138 742 U1 (51) МПК C30B 11/06 (2006.01) G01N 25/02 (2006.01) C30B 29/46 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2013121892/05, 13.05.2013 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 13.05.2013 (45) Опубликовано: 20.03.2014 Бюл. № 8 1 3 8 7 4 2 R U Формула полезной модели Устройство для исследования гетерофазных равновесий и выращивания монокристаллов с гетерогенными летучими компонентами, состоящее из двухзонной печи, расположенной ...

Подробнее
Номер записи: 27
20-11-2014 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА

Номер: RU0000147799U1
Автор: Крамаренко Владимир Анатольевич
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук (ИК РАН)

1. Устройство для выращивания кристаллов из раствора, содержащее кристаллизационный стакан, снабженный цилиндрической крышкой, на которой герметично установлен конденсатор растворителя, в крышке со стороны конденсатора выполнена кольцевая канавка, образующая полость для сбора растворителя, подключенная через канал в крышке к накопителю растворителя, размещенному вне кристаллизатора, отличающееся тем, что крышка снабжена формирователем капель растворителя, который гидравлически через горизонтальный канал соединен с полостью для сбора растворителя, причем названный формирователь снабжен вертикальным каналом, через который капли растворителя поступают в кристаллизационный стакан, и имеет счетчик капель растворителя, сливающихся из полости для сбора растворителя через формирователь капель в кристаллизационный стакан. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что счетчик капель растворителя имеет два электрода, один из которых размещен внутри канала в формирователе капель, заполненном растворителем, а другой установлен вне формирователя капель под выходным отверстием канала. 3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что входное отверстие канала, ведущего к накопителю растворителя, расположено на 2-4 мм ниже горизонтального входного отверстия формирователя капель. 4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что формирователь капель выполнен съемным. Ц 147799 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ 7 ВУ’? 147 799 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 05.04.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 15.01.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 15.01.2021 Бюл. №2 Стр.: 1 па 667 ЕП

Подробнее
Номер записи: 28
10-07-2015 дата публикации

ТИГЕЛЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ВЫСОКОЛЕТУЧИХ МАТЕРИАЛОВ

Номер: RU0000153101U1
Автор: Богдашич Ольга Владимировна, Бучинская Ирина Игоревна, Дымшиц Юрий Меерович, Каримов Денис Нуриманович, Киреев Всеволод Вадимович, Соболев Борис Павлович
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, (ИК РАН)

1. Тигель для выращивания кристаллов высоколетучих материалов, содержащий цилиндрический контейнер, имеющий полость для шихты и крышку, отличающийся тем, что крышка с цилиндрической боковой поверхностью поджимается к контейнеру посредством нажимного элемента в форме стакана, причем сопрягающиеся поверхности контейнера и крышки эквидистантны, а между цилиндрической боковой поверхностью крышки и внутренней цилиндрической поверхностью нажимного элемента имеется кольцевой зазор. 2. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что все детали тигля выполнены из графита. 3. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что нижняя сторона крышки имеет сферическую форму, причем радиус закругления нижней стороны крышки (R) больше её диаметра. 4. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что кольцевой зазор между крышкой и нажимным элементом составляет по радиусу 0,5 - 2 мм. 5. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что эквидистантные поверхности контейнера и крышки являются коническими. 6. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что эквидистантные поверхности контейнера и крышки являются сферическими. 7. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что сопряжение крышки с контейнером посредством нажимного элемента осуществляется резьбовым соединением между нажимным элементом и контейнером. 8. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что в крышке имеется несквозной затравочный канал. 153101 Ц ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 153 101” 44 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 28.11.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 05.10.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 05.10.2021 Бюл. №28 Стр.: 1 ОГО | па ЕП

Подробнее
Номер записи: 29
27-08-2015 дата публикации

ФОРМООБРАЗОВАТЕЛЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ИЗ РАСПЛАВА ТУГОПЛАВКИХ СОЕДИНЕНИЙ КРИСТАЛЛОВ ЭЛЛИПТИЧЕСКОЙ ФОРМЫ

Номер: RU0000154654U1
Автор: Выбыванец Валерий Иванович, Конарев Сергей Анатольевич, Кравецкий Дмитрий Яковлевич, Цыплухин Дмитрий Юрьевич
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ")

Формообразователь для выращивания из расплава тугоплавких соединений кристаллов эллиптической формы, включающий внешнюю цилиндрическую втулку и коаксиально размещенную в ней с капиллярным зазором внутреннюю вставку, на торцевой поверхности которой выполнены глухие отверстия, отличающийся тем, что верхняя часть формообразователя срезана под углом α к горизонтальной оси с образованием торцевой поверхности эллиптической формы с заданными сопряженными большой осью D и малой осью d, удовлетворяющими соотношению d/D = cos α, при этом глухие отверстия на торцевой поверхности вставки выполнены перпендикулярно эллиптической поверхности. И 1 154654 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ“ 154 654 91 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 31.12.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 18.10.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 18.10.2021 Бюл. №29 Стр.: 1 па уч9у@9 ЕП

Подробнее
Номер записи: 30
10-10-2015 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ

Номер: RU0000155461U1
Автор: Брантов Сергей Константинович
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН)

Устройство для непрерывного выращивания кристаллических слоев кремния, включающее тигель для расплава, нагреватель тигля, подложку из гибкой углеродной фольги, соединенную с механизмом ее перемещения, и капиллярный питатель, связанный с расплавом в тигле жгутом из углеродной нити, отличающееся тем, что капиллярный питатель снабжен независимым нагревателем, а тигель снабжен механизмом для его вертикального перемещения. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК C30B 15/34 C30B 29/06 C30B 28/10 C30B 29/64 (13) 155 461 U1 (2006.01) (2006.01) (2006.01) (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2015109343/05, 17.03.2015 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 17.03.2015 (72) Автор(ы): Брантов Сергей Константинович (RU) Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 17.03.2015 (45) Опубликовано: 10.10.2015 Бюл. № 28 R U 1 5 5 4 6 1 Формула полезной модели Устройство для непрерывного выращивания кристаллических слоев кремния, включающее тигель для расплава, нагреватель тигля, подложку из гибкой углеродной фольги, соединенную с механизмом ее перемещения, и капиллярный питатель, связанный с расплавом в тигле жгутом из углеродной нити, отличающееся тем, что капиллярный питатель снабжен независимым нагревателем, а тигель снабжен механизмом для его вертикального перемещения. Стр.: 1 U 1 U 1 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ 1 5 5 4 6 1 Адрес для переписки: 142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, 2, ИФТТ РАН R U (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) (RU) U 1 U 1 1 5 5 4 6 1 1 5 5 4 6 1 R U R U Стр.: 2 RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 155 461 U1 Полезная модель относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей). Известно ...

Подробнее
Номер записи: 31
10-10-2015 дата публикации

ЗАТРАВКОДЕРЖАТЕЛЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ КИРОПУЛОСА

Номер: RU0000155617U1
Автор: Соловьёв Сергей Николаевич
Принадлежит: Акционерное общество "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова")

Затравкодержатель для выращивания тугоплавких кристаллов методом Киропулоса, образованный из деталей цилиндрической формы, соединенных между собой последовательно, а именно втулки, промежуточного элемента, стакана с отверстием в центральной части дна для установки затравочного кристалла с учетом образования зазора между ним и торцом промежуточного элемента и штифта, установленного в соосных поперечных отверстиях стакана и промежуточного элемента, для дополнительного закрепления стакана на промежуточном элементе, при этом втулка имеет внутреннюю резьбу и больший внутренний диаметр поперечного сечения со стороны штока для закрепления на штоке, отличающийся тем, что втулка выполнена в виде цилиндра с одинаковым наружным диаметром поперечного сечения по всей длине и с увеличенной толщиной стенок со стороны, противоположной от штока, в которой выполнена внутренняя резьба для закрепления во втулке промежуточного элемента, имеющего в средней части выступ в виде ободка с наружным диаметром затравкодержателя, при этом при закреплении на штоке между торцом штока и обращенным к нему промежуточным элементом образован зазор, с противоположной стороны ободка на промежуточный элемент плотно надет стакан. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК C30B 15/32 C30B 17/00 C30B 29/20 C30B 29/26 C30B 29/28 (13) 155 617 U1 (2006.01) (2006.01) (2006.01) (2006.01) (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2014150759/05, 15.12.2014 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 15.12.2014 (45) Опубликовано: 10.10.2015 Бюл. № 28 1 5 5 6 1 7 R U Формула полезной модели Затравкодержатель для выращивания тугоплавких кристаллов методом Киропулоса, образованный из деталей цилиндрической формы, соединенных между собой последовательно, а именно втулки, промежуточного элемента, стакана с отверстием в центральной части дна для установки затравочного кристалла с учетом образования зазора между ним и торцом промежуточного ...

Подробнее
Номер записи: 32
20-12-2015 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА β-GaО

Номер: RU0000158160U1
Автор: Балбашов Анатолий Михайлович, Ворончихина Мария Евгеньевна, Кривов Сергей Анатольевич, Лазукин Александр Вадимович
Принадлежит: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ")

Устройство для выращивания монокристалла β-GaО, содержащее расходуемый поликристаллический стержень β-GaО, установленный над затравочным монокристаллом β-GaО в колбе из кварцевого стекла, нагреватель, выполненный с эллипсоидальным отражателем и лампой, которая расположена в этом отражателе, отличающееся тем, что оно снабжено секциями диэлектрического слоя с электродом поверхностного разряда, расположенным в нижней части колбы из кварцевого стекла, и электродом-осадителем, установленным в верхней части указанной колбы, при этом отражатель нагревателя расположен оптической осью вертикально, а нагреватель снабжен дополнительным верхним эллиптическим отражателем, также расположенным оптической осью вертикально. Ц 158160 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 158 160” 44 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 11.09.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 01.06.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 01.06.2021 Бюл. №16 Стр.: 1 О98< р па ЕП

Подробнее
Номер записи: 33
10-01-2016 дата публикации

ТИГЕЛЬ ДЛЯ ГРУППОВОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ ВЕРТИКАЛЬНОЙ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Номер: RU0000158508U1
Автор: Богдашич Ольга Владимировна, Дымшиц Юрий Меерович, Каримов Денис Нуриманович, Киреев Всеволод Вадимович, Никифоров Вячеслав Геннадиевич, Соболев Борис Павлович
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, (ИК РАН)

1. Тигель для группового выращивания кристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации, содержащий контейнер, в котором выполнено несколько вертикальных ростовых ячеек, отличающийся тем, что в нижней части ростовых ячеек с зазором размещены цилиндрические, различные по высоте вкладыши, фиксирующиеся в ростовых ячейках посредством винтов, причем высота вкладышей определяется по формуле где - длина вкладыша в ячейке с номером i, k - коэффициент, подбираемый из конкретных условий кристаллизации для каждого эксперимента, - высота, задаваемая градиентом температуры в ростовой камере с учетом температуры плавления состава, загруженного в ячейку с номером i. 2. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что ростовые ячейки по длине имеют коническую часть сверху и цилиндрическую часть снизу, причем длина конической части составляет от 0,25 до 0,5 от высоты ячейки, а конусность этой части составляет от 1:20 до 1:50. 3. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что зазор между вкладышами и цилиндрической поверхностью ячеек составляет 0,05-0,1 мм. 4. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что контейнер, вкладыши и винты выполнены из графита. 5. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что верхний торец вкладышей выполнен плоским. 6. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что в верхнем торце вкладышей выполнена коническая выемка. 7. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что во вкладыше выполнен сквозной затравочный канал. 8. Тигель по п. 1, отличающийся тем, что во вкладыше выполнен глухой затравочный канал. И 1 158508 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 158 508” 94 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 30.05.2021 Дата внесения записи в Государственный реестр: 29.06.2022 Дата публикации и номер бюллетеня: 29.06.2022 Бюл. №19 Стр.: 1 па 380939 ЕП

Подробнее
Номер записи: 34
27-03-2016 дата публикации

ЯЧЕЙКА МНОГОПУАНСОННОГО АППАРАТА ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ И ТЕМПЕРАТУРЫ

Номер: RU0000160653U1
Автор: Дымшиц Анна Михайловна, Литасов Константин Дмитриевич, Шарыгин Игорь Сергеевич, Шацкий Антон Фарисович
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН)

1. Ячейка многопуансонного аппарата высокого давления и температуры в виде трехсегментного октаэдра с усеченными ребрами и вершинами, выполненная из керамического тугоплавкого материала с низкой теплопроводностью, содержащая соосно установленные в центральном сегменте вертикальный цилиндрический нагреватель, по торцам которого размещены токовводные пластины, и капсулу с исследуемым веществом и маркером давления, выполненный вдоль горизонтальной оси центрального сегмента ячейки канал для прохождения рентгеновских лучей, заполненный рентгенопрозрачным материалом, керамические вставки, запирающие капсулу, и канал для прохождения рентгеновских лучей, термопару, термоэлектроды которой установлены в сквозной прорези, выполненной в центральном сегменте ячейки вдоль плоскости, перпендикулярной каналу для прохождения рентгеновских лучей таким образом, чтобы рабочий спай термопары располагался над или под капсулой, отличающаяся тем, что в качестве рентгенопрозрачного материала использован порошок алмаза, каждый термоэлектрод термопары выполнен составным из внешней проволоки диаметром 0,15 мм и внутренней проволоки диаметром 0,05 мм, совмещенных внахлест и установленных в выполненной в центральном сегменте ячейки сквозной прорези с возможностью скольжения относительно друг друга при сжатии ячейки, причем один конец внутренней проволоки закреплен на наружной стороне центрального сегмента ячейки, а капсула имеет вертикальную перегородку, изолирующую исследуемое вещество от маркера давления. 2. Ячейка по п. 1, отличающаяся тем, что вдоль совмещенных внутренней и внешней проволок установлены дополнительные отрезки проволоки из такого же материала диаметром 0,1 мм для обеспечения надежности контакта между внутренней и внешней проволоками при их скольжении относительно друг друга при сжатии ячейки. И 1 160653 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 160 653” 44 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия ...

Подробнее
Номер записи: 35
10-09-2016 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАТРАВКИ КРИСТАЛЛИЗАТОРА

Номер: RU0000164524U1
Автор: Крамаренко Владимир Анатольевич
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук (ИК РАН)

1. Устройство для затравки кристаллизатора, имеющего корпус с крышкой и платформу-кристаллоносец с полостью для размещения затравочного модуля, содержащее предназначенную для введения внутрь кристаллизатора трубку, в верхней части которой размещен затравочный модуль, и нагреватель, отличающееся тем, что верхняя часть трубки заключена внутри корпуса, снабженного стопором, предназначенным для фиксации затравочного модуля внутри трубки до момента его установки в полости платформы-кристаллоносца кристаллизатора, нагреватель установлен внутри названного корпуса, причем заключенная внутри корпуса часть трубки и нагреватель целиком охватываются тепловым экраном. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что торцевые отверстия в верхней и нижней частях трубки закрыты пробками, а через верхнюю пробку внутрь трубки подведен термодатчик. 3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве нагревателя применен электрический элемент сопротивления. 4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что корпус выполнен из прозрачного материала, например органического стекла. 5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что трубка выполнена стеклянной с отверстием, ось которого перпендикулярна оси трубки, и крепится к корпусу посредством разъемного соединения, например винтами через упругие, например, резиновые прокладки. 6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что затравочный модуль имеет корпус со сквозным винтовым отверстием, в который входит пробка, имеющая высоту, меньшую высоты корпуса, пространство между торцом корпуса и торцом пробки предназначено для размещения затравки, неподвижно фиксирующейся с помощью клея. 7. Устройство по п. 6, отличающееся тем, что корпус затравочного модуля имеет коническую форму. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 164 524 U1 (51) МПК C30B 7/00 (2006.01) C30B 35/00 (2006.01) C30B 29/14 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2016111158/05, 25.03.2016 (24) Дата начала отсчета ...

Подробнее
Номер записи: 36
13-01-2017 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ДИСКРЕТНЫХ ЗОН РАСТВОРИТЕЛЯ В КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ

Номер: RU0000167969U1
Автор: Середин Борис Михайлович
Принадлежит: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова"

Полезная модель относится к полупроводниковой технологии и предназначена для получения методом термомиграции монокристаллических кремниевых объемных элементов в приборных структурах различного назначения. Устройство для получения дискретных зон растворителя в кремниевых подложках состоит из: крышки с полостями для растворителя и направленной кристаллизации при погружении растворителя в подложку; основания; штифтов; штока; бункеров загрузки и приемки подложек, расположенных под вращающемся диском; каркаса; нагревателя; выталкивающей цилиндрической пружины; принимающей цилиндрической пружины. И 1 167969 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ 7 ВУ‘’” 167 969” 91 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 17.05.2019 Дата внесения записи в Государственный реестр: 11.03.2020 Дата публикации и номер бюллетеня: 11.03.2020 Бюл. №8 Стр.: 1 па 696491 ЕП

Подробнее
Номер записи: 37
07-02-2017 дата публикации

Установка для выращивания монокристаллов

Номер: RU0000168533U1
Автор: Виктор Евгеньевич Гинсар, Константин Сергеевич Титов
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью &#34;ЛАБОРАТОРИЯ ОПТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ&#34;

Заявляемая полезная модель относится к установкам для выращивания монокристаллов из расплава, а более конкретно к установкам, функционирующим по методу Бриджмена. Установка может применяться для выращивания крупноразмерных монокристаллов бромида. Задачей настоящей полезной модели является создание установки с управляемым по радиусу тепловым потоком. Контроль и управление радиальными тепловыми потоками позволяют сформировать выгнутую в сторону расплава изотерму кристаллизации, при которой разрастание происходит из центра к периферии и можно производить селекцию зародышей в варианте спонтанного зародышеобразования или разращивать затравочный кристалл, установленный на оси рабочего объема. Варьируя осевой (ориентированный в вертикальном направлении) и радиальный (от оси к периферии) градиенты температуры можно определить область оптимальных режимов работы нагревателей, при которых кристалл растет без дефектов и с постоянной линейной скоростью. Решение поставленной задачи и необходимый технический результат достигаются тем, что в установке для выращивания крупноразмерных монокристаллов из расплава используется специализированное термическое оборудование, в составе которого используются термические блоки, изготовленные с конфигурацией и размерами согласно предварительно выполненным расчетам по трехмерной математической задаче теплопроводности, а также система терморегулирования высокой точности, включающая прецизионные аналого-цифровые преобразователи сигналов термопар, блок компьютерной обработки цифровой информации и блок программного обеспечения, формирующего пакет команд управления многоканальным электроприводом термических блоков. Указанные технические и программные нововведения позволяют обеспечить стабильность динамики фронта кристаллизации и его формы в течение всего процесса кристаллизации материала. Кроме стабилизации нормальной скорости роста кристалла для повышения его однородности, термическое оборудование обладает дополнительной возможностью контролируемого ...

Подробнее
Номер записи: 38
18-04-2017 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ β-GaO ИЗ СОБСТВЕННОГО РАСПЛАВА

Номер: RU0000170190U1
Автор: Бугров Владислав Евгеньевич, Крымов Владимир Михайлович, Маслов Виктор Николаевич, Николаев Владимир Иванович, Романов Алексей Евгеньевич, Ширшнев Павел Сергеевич
Принадлежит: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО)

Полезная модель относится к устройствам для выращивания из расплава профилированных монокристаллов и может быть использовано для получения монокристаллов оксида галлия (β-GaO). Устройство для выращивания профилированных монокристаллов β-GaO из собственного расплава включает тигель с расплавом, затравку и формообразователь с системой подачи расплава к фронту кристаллизации. В отличие от прототипа, формообразователь выполнен в виде плавающей на поверхности расплава пластины с формообразующим отверстием, затравка расположена над формообразующим отверстием с функцией предотвращения испарения расплава через это отверстие до начала затравления и вытягивания, а число отверстий в формообразователе может быть более одного. Тигель и формообразователь выполнены из высокотемпературной модификации оксида алюминия (α-AlO). Следствием приведенных отличий является достигаемый технический результат - более дешевые монокристаллы GaO. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 170 190 U1 (51) МПК C30B 15/34 (2006.01) C30B 29/16 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22) Заявка: 2016134366, 22.08.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 22.08.2016 Дата регистрации: Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 22.08.2016 (45) Опубликовано: 18.04.2017 Бюл. № 11 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: WO 2013073497 A1, 23.05.2013. RU U 1 1 7 0 1 9 0 R U (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ β-Ga2O3 ИЗ СОБСТВЕННОГО РАСПЛАВА (57) Реферат: Полезная модель относится к устройствам для формообразующим отверстием, затравка выращивания из расплава профилированных расположена над формообразующим отверстием монокристаллов и может быть использовано для с функцией предотвращения испарения расплава получения монокристаллов оксида галлия (βчерез это отверстие до начала затравления и Ga2O3). вытягивания, а число отверстий в формообразователе может быть более одного. ...

Подробнее
Номер записи: 39
08-08-2017 дата публикации

Устройство для получения совершенных монокристаллов карбида кремния с дополнительными регулирующими контурами индукционного нагрева

Номер: RU0000173041U1
Автор: Алтухов Виктор Иванович, Казаров Бениамин Агопович, Касьяненко Ирэна Салаватовна, Осмоловский Лев Михайлович, Санкин Александр Викторович
Принадлежит: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Кавказский федеральный университет"

Получение совершенных монокристаллов карбида кремния является необходимой составляющей производства диодов, светодиодов, транзисторов, микросхем и спецприборов как элементной базы силовой микроэлектроники. Для выращивания совершенных монокристаллов предлагается устройство для получения монокристаллического карбида кремния - SiC, отличающееся тем, что для поддержания в ростовой камере температуры порядка 2500°С и требуемого ростового градиента температур 1÷4°С/мм применяется высокочастотный основной нагревательный контур (индукционный нагреватель) на мощных IGBT транзисторах, дополненный четырьмя управляемыми регулирующими колебательными контурами, позволяющими плавно и точно поддерживать необходимые значения градиента температур распределенной системы по оси тигля. Необходимые значения параметров сублимации удается поддерживать в оптимальном режиме путем управления четырьмя дополнительными управляемыми регулирующими контурами точной настройки, питающимися от основного нагревательного контура за счет индукционной связи. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (51) МПК C30B 23/06 C23C 14/26 C30B 30/04 C30B 29/36 (11) (13) 173 041 U1 (2006.01) (2006.01) (2006.01) (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22) Заявка: 2017105577, 20.02.2017 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 20.02.2017 Дата регистрации: Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 20.02.2017 (45) Опубликовано: 08.08.2017 Бюл. № 22 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: KR 20140041250 A, 04.04.2014. WO 1 7 3 0 4 1 R U (54) Устройство для получения совершенных монокристаллов карбида кремния с дополнительными регулирующими контурами индукционного нагрева (57) Реферат: Получение совершенных монокристаллов нагреватель) на мощных IGBT транзисторах, карбида кремния является необходимой дополненный четырьмя управляемыми составляющей производства диодов, светодиодов, регулирующими колебательными контурами, транзисторов, микросхем и ...

Подробнее
Номер записи: 40
25-08-2017 дата публикации

УСТАНОВКА ОЧИСТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Номер: RU0000173401U1
Автор: Белоусов Виктор Сергеевич, Грибов Андрей Витальевич, Звероловлев Владимир Михайлович, Звероловлев Илья Владимирович, Кочеткова Татьяна Федоровна
Принадлежит: Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ"

Полезная модель относится к области электронной техники, а конкретнее к технологии индивидуальной очистки изделий электронной техники, и может быть использована на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью акустического (ультра- и мегазвукового) воздействия в производстве полупроводниковых приборов на основе пластин большого диаметра. Установка очистки полупроводниковых пластин, содержащая корпус отмывочной камеры, пластину, держатель пластины, выполненный в виде фиксирующих прижимных роликов, оснащенную пьезоизлучателем мегазвуковых колебаний фронтальную форсунку с соплом для подачи моющей жидкости на рабочую поверхность пластины, тыльную форсунку с соплом для подачи моющей жидкости на нерабочую поверхность пластины, характеризующаяся тем, что фронтальная форсунка закреплена неподвижно, сопло форсунки выполнено в виде щели длиной не менее радиуса пластины, расположенной вдоль радиуса пластины, а прижимные ролики установлены на прикрепленных к основанию корпуса втулках, причем количество роликов составляет не менее шести роликов, и не менее четырех роликов имеют возможность синхронного вращения. Новым в установке является то, что функцию вращающегося держателя пластины выполняют прижимные ролики, а вместо перемещающейся вдоль поверхности пластины используют неподвижную щелевую форсунку. Предложенная новая совокупность признаков увеличивает надежность устройства и повышает качество очистки. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) H01L 21/304 (2006.01) B08B 3/02 (2006.01) B08B 3/04 (2006.01) B08B 3/08 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА B08B 3/12 (2006.01) ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ B08B 1/04 (2006.01) B08B 11/02 (2006.01) C30B 35/00 (2006.01) (12) 2017104191, 09.02.2017 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 09.02.2017 25.08.2017 (72) Автор(ы): Белоусов Виктор Сергеевич (RU), Звероловлев Владимир Михайлович (RU), Звероловлев Илья Владимирович (RU), Кочеткова Татьяна Федоровна (RU), Грибов Андрей ...

Подробнее
Номер записи: 41
13-10-2017 дата публикации

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава

Номер: RU0000174447U1
Автор: Полушкин Валерий Геннадиевич, Полушкин Леонид Валерьевич
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерный Центр Новых Технологий"

Полезная модель относится к установкам для выращивания монокристаллов из расплава, а более конкретно к установкам, функционирующим по методу горизонтально направленной кристаллизации. Установка может применяться для выращивания крупноразмерных монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, например, легированного ионами эрбия. Цель полезной модели - повышение эксплуатационных характеристик, создание устройства для выращивания в условиях регулируемого теплообмена крупногабаритных монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, например, легированного ионами эрбия, методом горизонтально направленной кристаллизации из расплава с возможностью достижения стабильности работы в автоматическом режиме, в том числе при кратковременных отключениях электропитания в сети, с усовершенствованными системой визуализации, системой охлаждения и теплоизоляции кристаллизационной камеры. Техническая задача - разработка устройства с обеспечением возможности восстановления питания нагревателя в автоматическом режиме, разработка системы визуализации в зоне затравления, а также достижение возможности использования независимо регулируемых контуров охлаждения кристаллизационной камеры, системы вакуумирования и системы управления напряжением нагревателя, и использования комбинированного варианта теплоизоляции кристаллизационный камеры с применением керамики и тугоплавких металлов. Заявляемое устройство должно обеспечивать контролируемую геометрию кристалла, низкие значения плотности структурных дефектов и термических напряжений в кристалле, снижение интенсивности массообмена расплава и конструкций теплового узла, увеличение срока службы теплового узла и снижение затрат на его изготовление, обеспечение экономии потребляемых энергоресурсов. Поставленная цель достигнута, а техническая задача решена тем, что устройство для выращивания монокристаллов из расплава содержит кристаллизационную камеру с размещенным в ней тепловым узлом, состоящим из пруткового нагревателя и тепловых экранов, отличающееся тем, ...

Подробнее
Номер записи: 42
30-08-2018 дата публикации

Установка для синтеза стеклообразного люминесцентного аналога рубина

Номер: RU0000182763U1
Автор: Баркалая Гиви Онисеевич, Гандурин Виктор Александрович, Ширшнев Павел Сергеевич
Принадлежит: Баркалая Гиви Онисеевич, Гандурин Виктор Александрович, Ширшнев Павел Сергеевич

Узел приготовления композитного материала установки для синтеза стеклообразного люминесцентного аналога рубина. Полезная модель относится к выращиванию тугоплавких монокристаллов и кристаллизационным установкам, в частности, к люминесцентному стеклу, повторяющему характеристики люминесценции кристалла рубина и может быть использовано в качестве активных лазерных сред волоконных лазеров, даун-конверторов оптического излучения, чувствительных элементов оптических датчиков температуры и давления. Узел приготовления композитного материала установки для синтеза стеклообразного люминесцентного аналога рубина, включающий управляемые дозаторы KO, AlO, ВО, SbO, смеситель, вход которого технологически связан с выходами управляемых дозаторов KO, AlO, ВО, SbO, отличающийся тем, что в него дополнительно введены управляемые дозаторы LiO, CrO, NHHF, технологически связанные со смесителем, микро-ЭВМ, оперативно-запоминающее устройство (ОЗУ), постоянное запоминающее устройство (ПЗУ), блок клавиатуры, блок индикации, таймер, выход которого соединен с входом смесителя, первый и второй порты ввода, соединенные, соответственно, с выходами дозаторов KO, AlO, BO, SbO, и дополнительных дозаторов LiO, CrO, NHHF, порт вывода информации, соединенный с входами всех дозаторов, при этом все порты ввода и вывода, ОЗУ, ПЗУ, блок клавиатуры, таймер и блок индикации соединены через шину адреса и данных с микро-ЭВМ. Ц 182763 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 182 763” 44 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 17.02.2019 Дата внесения записи в Государственный реестр: 20.01.2020 Дата публикации и номер бюллетеня: 20.01.2020 Бюл. №2 Стр.: 1 па ССЗ ЕП

Подробнее
Номер записи: 43
07-09-2018 дата публикации

МИКРОФЛЮИДНАЯ ЯЧЕЙКА ДЛЯ УСЛОВИЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ БЕЛКОВ ИЗ ХАРАКТЕРИСТИК МАЛОУГЛОВОГО РАССЕЯНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ

Номер: RU0000182997U1
Автор: Волков Владимир Владимирович, Дьякова Юлия Алексеевна, Ковальчук Михаил Валентинович, Конарев Петр Валерьевич, Марченкова Маргарита Александровна, Писаревский Юрий Владимирович, Попов Антон Михайлович
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"

Полезная модель относится к устройствам для определения условий кристаллизации белковых макромолекул и может быть использована для получения белковых кристаллов с целью определения структуры белковых молекул, имеющих промышленное и медицинское значение. Техническим результатом является возможность быстрого определения оптимальных условий кристаллизации белков. Для его достижения предложена микрофлюидная ячейка для определения условий кристаллизации белков по характеристикам малоуглового рассеяния рентгеновских лучей, содержащая корпус с центрально расположенным отверстием, в котором сформирована кристаллизационная камера, соединенная микроканалами с отверстиями для ввода и вывода растворов белков, на внешних сторонах которой установлены окна из материала, прозрачного для рентгеновского и оптического излучения. Окна изготовлены из слюды или кварцевого стекла. Корпус состоит из трех термически спаянных пластин, изготовленных из полиметилметакрилата. 2 з.п.ф., 7 ил., 1 табл. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) (19) RU (11) (13) 182 997 U1 (51) МПК C30B 7/00 (2006.01) C30B 29/58 (2006.01) G01N 23/201 (2006.01) G01N 23/083 (2006.01) G01N 23/20008 (2018.01) G01N 33/68 (2006.01) G01N 21/51 (2006.01) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК C30B 7/00 (2018.05); C30B 29/58 (2018.05); G01N 23/201 (2018.05); G01N 23/083 (2018.05); G01N 23/20008 (2018.05); G01N 33/6803 (2018.05); G01N 21/51 (2018.05); G01N 2223/054 (2018.05); G01N 2223/1016 (2018.05); G01N 2223/203 (2018.05); G01N 2223/317 (2018.05); G01N 2223/602 (2018.05); G01N 2223/604 (2018.05); G01N 2223/612 (2018.05); G01N 2223/637 (2018.05) 2018122827, 22.06.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 22.06.2018 07.09.2018 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 22.06.2018 (45) Опубликовано: 07.09.2018 Бюл. № 25 U 1 Throughput Microfluidics and Small-Angle Xray Scattering to Study Protein Crystallization from Solution, "Analytical Chemistry", 2017, 89(4), pp.2282- ...

Подробнее
Номер записи: 44
27-11-2018 дата публикации

Устройство для выращивания кристаллов из раствора

Номер: RU0000185230U1
Автор: Крамаренко Владимир Анатольевич
Принадлежит: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук"

Полезная модель относится к области выращивания искусственных кристаллов, а более конкретно к устройствам для выращивания кристаллов из пересыщенного раствора, например кристаллов KDP (дигидрофосфата калия), DKDP (дигидрофосфата калия), TGS (триглицинсульфата) и подобных. В устройстве для выращивания кристаллов из раствора, содержащем кристаллизационный стакан, снабженный цилиндрической крышкой, на которой герметично установлен конденсатор растворителя, в крышке со стороны конденсатора выполнена кольцевая канавка, образующая полость для сбора растворителя, которая подключена к ячейке формирователя капель растворителя, ячейка формирователя капель растворителя размещена вне полости крышки снаружи кристаллизационного стакана. Ячейка выполнена пустотелой, снабженной формирователем капель и двумя электродами, полость ячейки формирователя капель через каналы гидравлически подключена к полости для сбора растворителя в крышке стакана и к полости кристаллизатора, причем выходное отверстие гидравлического канала, через которое растворитель возвращается в кристаллизационный канал, располагается ниже отверстия гидравлического канала, через которое растворитель поступает из кольцевой канавки в ячейку формирователя капель. Ячейка формирователя капель выполнена съемной. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 185 230 U1 (51) МПК C30B 7/00 (2006.01) C30B 35/00 (2006.01) C30B 29/14 (2006.01) C30B 29/54 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК C30B 7/00 (2018.08); C30B 35/005 (2018.08); C30B 29/14 (2018.08); C30B 29/54 (2018.08); Y10T 117/1024 (2018.08) (21)(22) Заявка: 2018134325, 01.10.2018 01.10.2018 Дата регистрации: 27.11.2018 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 01.10.2018 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 147799 U1, 20.11.2014. RU (45) Опубликовано: 27.11.2018 Бюл. № 33 1 8 5 2 3 0 R U 2531186 С1, 20.10.2014. SU 96229 А1, 01.01.1953. (54) Устройство для ...

Подробнее
Номер записи: 45
11-03-2019 дата публикации

УЗЕЛ ПОДАЧИ ГАЗА УСТАНОВКИ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ФТОРИДОВ МЕТОДОМ ГОРИЗОНТАЛЬНО НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Номер: RU0000187518U1
Автор: Рябченков Владимир Васильевич, Саркисов Степан Эрвандович, Юсим Валентин Александрович
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"

Полезная модель относится к дополнительному оборудованию установки для выращивания кристаллов фторидов методом горизонтально направленной кристаллизации, а именно к приемному отделению углеграфитового термоизоляционного модуля. Техническим результатом предлагаемой полезной модели является возможность варьирования величиной температурного градиента в зоне фронта роста кристалла. Для его достижения предложен узел подачи газа установки для выращивания кристаллов фторидов методом горизонтально направленной кристаллизации, состоящий из вакуумного игольчатого натекателя, установленного на стальном водоохлаждаемом корпусе, соединенного муфтой и графитовыми соединительными патрубками с каналом подачи газа, представляющего собой центральную штольню с отводами, в отверстия которых вставлены форсунки, выполненного в графитовой плите приемного теплоизоляционного модуля. Непосредственно в зону роста кристалла по каналу подачи газа непрерывно подают инертный газ аргон. 1 з.п. ф-лы, 4 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 187 518 U1 (51) МПК C30B 11/00 (2006.01) C30B 35/00 (2006.01) C30B 29/12 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК C30B 11/006 (2018.08); C30B 35/005 (2018.08); C30B 29/12 (2018.08); Y10T 117/1092 (2018.08) (21)(22) Заявка: 2018144276, 14.12.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 14.12.2018 (45) Опубликовано: 11.03.2019 Бюл. № 8 2608891 С1, 26.01.2017. (54) УЗЕЛ ПОДАЧИ ГАЗА УСТАНОВКИ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ФТОРИДОВ МЕТОДОМ ГОРИЗОНТАЛЬНО НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ (57) Реферат: Полезная модель относится к направленной кристаллизации, состоящий из дополнительному оборудованию установки для вакуумного игольчатого натекателя, выращивания кристаллов фторидов методом установленного на стальном водоохлаждаемом горизонтально направленной кристаллизации, а корпусе, соединенного муфтой и графитовыми именно к приемному ...

Подробнее
Номер записи: 46
30-04-2020 дата публикации

Функциональный трехмерный компонент оптоэлектронного прибора

Номер: RU0000197477U1
Автор: Березовская Тамара Нарциссовна, Большаков Алексей Дмитриевич, Котляр Константин Павлович, Резник Родион Романович, Цырлин Георгий Эрнстович, Шевчук Дмитрий Степанович, Штром Игорь Викторович
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук" (СПБАУ РАН им. Ж.И. Алферова)

Полезная модель относится к полупроводниковым приборам и может найти применение в промышленном производстве светоизлучающих устройств и фоточувствительных элементов. Функциональный трехмерный компонент оптоэлектронного прибора представляет собой бесподложечный массив однонаправленных нитевидных нанокристаллов нитрида индий-галлия, имеющих переменное по высоте поперечное сечение с утонениями на обоих концах и частично сросшихся в серединной по высоте зоне. Достигаемый технический результат - обеспечение конструктивной прочности (целостности) ФТК, сформированного в виде массива ННК нитрида индий-галлия, достаточной для его функционирования после отделения от подложки при высоком оптическом качестве материала ННК. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК C30B 29/62 (2006.01) C30B 29/38 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01) C30B 23/08 (2006.01) C30B 33/06 (2006.01) C30B 33/10 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА B82B 3/00 (2006.01) ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ B82Y 20/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) G02B 1/02 (2006.01) (12) (13) 197 477 U1 H01L 21/02 (2006.01) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК (21)(22) Заявка: 2019140444, 09.12.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 30.04.2020 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 09.12.2019 (45) Опубликовано: 30.04.2020 Бюл. № 13 U 1 1 9 7 4 7 7 R U (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: CN 109795982 A, 24.05.2019. EP 1796180 В1, 07.06.2017. WO 2005017962 A2, 24.02.2005. KEVIN D. GOODMAN et al., Green luminescence of InGaN nanowires grown on silicon substratesby molecular beam epitaxy, "Journal of Applied Physics", 2011,109, 084336. (54) Функциональный трехмерный компонент оптоэлектронного прибора (57) Реферат: Полезная модель относится к галлия, имеющих переменное по высоте полупроводниковым приборам и может найти поперечное сечение с утонениями на обоих концах применение в промышленном производстве и частично сросшихся в серединной по высоте светоизлучающих устройств и зоне. ...

Подробнее
Номер записи: 47
23-11-2020 дата публикации

Тепловой узел для выращивания монокристаллов

Номер: RU0000200993U1
Автор: Гражданников Сергей Александрович, Исаенко Людмила Ивановна, Криницын Павел Геннадьевич, Курусь Алексей Федорович, Лобанов Сергей Иванович
Принадлежит: Гражданников Сергей Александрович, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН)

Полезная модель относится к устройствам для выращивания монокристаллов, в том числе многокомпонентных халькогенидных соединений, методом Бриджмена-Стокбаргера или методом вертикальной направленной кристаллизации. Тепловой узел для выращивания монокристаллов включает в себя корпус 1, крышку, механизм перемещения и коаксиально расположенные внутри корпуса одна над другой две независимые зоны нагрева 2, 3, которые разделены между собой диафрагмой 6 и отделены от корпуса теплоизоляцией 7. Внутри зон нагрева 2, 3 коаксиально расположена шахта. Причем над диафрагмой 6 коаксиально зоне нагрева расположена вставка 8, выполненная из теплопроводного материала. Технический результат заключается в обеспечении высокого осевого температурного градиента в зоне кристаллизации при исключении риска перегрева расплава в процессе кристаллизации исходного вещества. Тепловой узел является надежным, простым и удобным в использовании, обладает вариативностью подбора возможных условий выращивания монокристаллов, в том числе и монокристаллов веществ, расплавы которых подвержены термическому разложению, и может быть реализована с использованием промышленного производства. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) (19) RU (11) (13) 200 993 U1 (51) МПК C30B 11/00 (2006.01) C30B 11/02 (2006.01) C30B 11/14 (2006.01) C30B 29/46 (2006.01) C30B 35/00 (2006.01) F27B 1/02 (2006.01) F27B 1/09 (2006.01) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК C30B 11/003 (2020.08); C30B 11/006 (2020.08); C30B 11/02 (2020.08); C30B 11/14 (2020.08); C30B 29/46 (2020.08); C30B 35/00 (2020.08); F27B 1/02 (2020.08); F27B 1/08 (2020.08); Y10T 117/1068 (2020.08); Y10T 117/1092 (2020.08); Y10S 117/91 (2020.08) (21)(22) Заявка: 2020120048, 10.06.2020 10.06.2020 Дата регистрации: Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 10.06.2020 (45) Опубликовано: 23.11.2020 Бюл. № 33 Адрес для переписки: 630090, г. Новосибирск, пр-кт Академика Коптюга, 3, ИГМ СО РАН, Королевой Л.И. 2 0 0 9 9 3 U 1 (56) ...

Подробнее
Номер записи: 48
13-09-2021 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА В ВИДЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЛЕНТ С ТЕКСТУРИРОВАННЫМИ ПЛЕНКАМИ RBaCuO

Номер: RU0000206446U1
Автор: Абдюханов Ильдар Мансурович, Панцырный Виктор Иванович, Раков Дмитрий Николаевич
Принадлежит: Акционерное общество "Наука и инновации"

Полезная модель относится к области высокотемпературной сверхпроводимости, изготовлению высокотемпературных сверхпроводников, более конкретно - к устройству для изготовления высокотемпературного сверхпроводника в виде металлических лент с текстурированными пленками RBaCuO (R-123) путем направленной кристаллизации тонких аморфных пленок R-Ba-Cu-O, где R - редкоземельный элемент. Устройство содержит цилиндрическую печь кристаллизации 5, внутри которой расположены термопара 8, датчик давления газа и соосный цилиндрический нагреватель 1 с возможностью подведения к нему через штуцер электропитания. Печь кристаллизации 1 также снабжена штуцером вакуумной откачки 4, двумя штуцерами подачи и слива охлаждающей воды, и штуцером подачи технологических газов. Штуцер вакуумной откачки 4 выполнен с возможностью соединения с форвакуумным и турбомолекулярным насосами. Штуцеры подачи и слива охлаждающей воды выполнены с возможностью охлаждения стенок печи кристаллизации 5. Штуцер подачи технологических газов выполнен с возможностью соединения с клапаном-дозатором 2 для открытия и закрытия баллонов с технологическими газами с учетом показаний датчика давления газа. В качестве технологических газов можно использовать азотно-кислородные или кислородные смеси с различным содержанием кислорода в каждом из трех баллонов. Техническим результатом полезной модели является повышение производительности процесса изготовления сверхпроводников. 2 пр., 8 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (51) МПК C30B 35/00 C30B 11/00 C30B 29/22 H01B 12/06 (11) (13) 206 446 U1 (2006.01) (2006.01) (2006.01) (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК C30B 35/00 (2021.02); C30B 11/00 (2021.02); C30B 29/22 (2021.02); H01B 12/06 (2021.02); Y10S 505/70 (2021.02); Y10S 505/78 (2021.02) (21)(22) Заявка: 2020140944, 11.12.2020 11.12.2020 Дата регистрации: Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 11.12.2020 (45) Опубликовано: 13.09.2021 Бюл. № 26 2 0 6 4 4 6 ...

Подробнее
Номер записи: 49
21-01-2022 дата публикации

Устройство для выращивания монокристаллов

Номер: RU0000208899U1
Автор: Кулешов Юрий Валерьевич, Лысов Александр Валерьянович, Мельник Константин Петрович, Тик Александр Августович, Шварцман Григорий Исаакович
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "КрОМ"

Полезная модель относится к электронной и полупроводниковой промышленности, в частности к устройствам выращивания монокристаллов из раствора-расплава на затравку. Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее несущий каркас 1, на котором установлен термический блок 3, тигель 5 с размещенным над ним кристаллодержателем 8 с затравочным кристаллом, связанный с механизмом вращения 10 и механизмом перемещения 11, закрепленным на несущем каркасе 1, датчик веса 9 кристаллодержателя 8 и систему управления 12, при этом термический блок 3 с термостатированным кожухом 4, содержащим систему автоматического поддержания заданной температуры, расположены на опорной площадке 2 несущего каркаса, под которой установлен тигель 5 с датчиком веса 6 исходных реактивов, связанный с закрепленным на несущем каркасе 1 механизмом вертикального движения 7 тигля 5 внутри термического блока 3 и за пределы опорной площадки 2. Технический результат - улучшение качества получаемых монокристаллов и достижение точности выбора оптимальных характеристик распределения температурного поля по высоте тигля. 1 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 208 899 U1 (51) МПК C30B 15/28 (2006.01) C30B 29/10 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК C30B 15/28 (2021.08); C30B 29/10 (2021.08); Y10T 117/1008 (2021.08); Y10T 117/1024 (2021.08); Y10T 117/1032 (2021.08) (21)(22) Заявка: 2021121753, 21.07.2021 21.07.2021 Дата регистрации: 21.01.2022 (45) Опубликовано: 21.01.2022 Бюл. № 3 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 123011 U1, 20.12.2012. RU 2555481 С1, 10.07.2015. RU 2507319 C1, 20.02.2014. 2 0 8 8 9 9 R U (54) Устройство для выращивания монокристаллов (57) Реферат: Полезная модель относится к электронной и полупроводниковой промышленности, в частности к устройствам выращивания монокристаллов из раствора-расплава на затравку. Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее несущий каркас 1, на котором ...

Подробнее
Номер записи: 50
12-01-2012 дата публикации

Hybrid Silicon Wafer and Method of Producing the Same

Номер: US20120009374A1
Автор: Hiroshi Takamura, Ryo Suzuki
Принадлежит: Nippon Mining and Metals Co Ltd

Provided is a hybrid silicon wafer in which molten state polycrystalline silicon and solid state single-crystal silicon are mutually integrated, comprising fine crystals having an average crystal grain size of 8 mm or less at a polycrystalline portion within 10 mm from a boundary with a single-crystal portion. Additionally provided is a method of manufacturing a hybrid silicon wafer, wherein a columnar single-crystal silicon ingot is sent in a mold in advance, molten silicon is cast around and integrated with the single-crystal ingot to prepare an ingot complex of single-crystal silicon and polycrystalline silicon, and a wafer shape is cut out therefrom. The provided hybrid silicon wafer comprises the functions of both a polycrystalline silicon wafer and a single-crystal wafer.

Подробнее
Номер записи: 51
19-01-2012 дата публикации

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер: US20120012814A1
Автор: Hajime Nago, Koichi Tachibana, Shinya Nunoue, Tomonari SHIODA, Toshiki Hikosaka, Yoshiyuki Harada
Принадлежит: Toshiba Corp

According to one embodiment, a semiconductor light emitting device includes an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and a light emitting part provided therebetween. The light emitting part includes a plurality of light emitting layers. Each of the light emitting layers includes a well layer region and a non-well layer region which is juxtaposed with the well layer region in a plane perpendicular to a first direction from the n-type semiconductor layer towards the p-type semiconductor layer. Each of the well layer regions has a common An In composition ratio. Each of the well layer regions includes a portion having a width in a direction perpendicular to the first direction of 50 nanometers or more.

Подробнее
Номер записи: 52
02-02-2012 дата публикации

Mold shape to optimize thickness uniformity of silicon film

Номер: US20120027996A1
Автор: Balram Suman, Glen Bennett Cook, Prantik Mazumder
Принадлежит: Corning Inc

A method of making a solid layer of a semiconducting material involves selecting a mold having a leading edge thickness and a different trailing edge thickness such that in respective plots of solid layer thickness versus effective submersion time for submersion of the leading and trailing edges into molten semiconducting material, a thickness of the solid layer adjacent to the leading and trailing edges are substantially equal. The mold is submersed into and withdrawn from the molten semiconducting material to form a solid layer of semiconducting material over an external surface of the mold.

Подробнее
Номер записи: 53
02-02-2012 дата публикации

Method for fabricating group iii-nitride semiconductor

Номер: US20120028446A1
Автор: Hao-Chung Kuo, Ming-Hua Lo, Yuh-Jen Cheng
Принадлежит: Individual

A method of fabricating a group III-nitride semiconductor includes the following steps of forming a first patterned mask layer with a plurality of first openings deposited on an epitaxial substrate; epitaxially growing a group III-nitride semiconductor layer over the epitaxial substrate and covering at least part of the first patterned mask layer; etching the group III-nitride semiconductor layer to form a plurality of second openings, which are substantially at least partially aligned with the first openings; and epitaxially growing the group III-nitride semiconductor layer again.

Подробнее
Номер записи: 54
02-02-2012 дата публикации

Method for determining cop generation factors for single-crystal silicon wafer

Номер: US20120029834A1
Автор: Shuichi Inami
Принадлежит: Sumco Corp

A whole determination area of a targeted wafer is concentrically divided in a radial direction, COP density is obtained in each divided determination segment, a maximum value of the COP density is set as COP density RADIUSMAX , a minimum value of the COP density is set as COP density RADIUSMIN , a value computed by “(COP density RADIUSMAX −COP density RADIUSMIN )/COP density RADIUSMAX ” is compared to a predetermined set value, and a non-crystal-induced COP and a crystal-induced COP are distinguished from each other based on a clear criterion, thereby determining the COP generation factor. Therefore, a rejected wafer in which a determination of the crystal-induced COP is made despite being the non-crystal-induced COP can be relieved, so that a wafer production yield can be enhanced.

Подробнее
Номер записи: 55
09-02-2012 дата публикации

Diamond semiconductor element and process for producing the same

Номер: US20120034737A1
Автор: Kenji Ueda, Makoto Kasu, Toshiki Makimoto, Yoshiharu Yamauchi
Принадлежит: Nippon Telegraph and Telephone Corp

A process of producing a diamond thin-film includes implanting dopant into a diamond by an ion implantation technique, forming a protective layer on at least part of the surface of the ion-implanted diamond, and firing the protected ion-implanted diamond at a firing pressure of no less than 3.5 GPa and a firing temperature of no less than 600° C. A process of producing a diamond semiconductor includes implanting dopant into each of two diamonds by an ion implantation technique and superimposing the two ion-implanted diamonds on each other such that at least part of the surfaces of each of the ion-implanted diamonds makes contact with each other, and firing the ion implanted diamonds at a firing pressure of no less than 3.5 GPa and a firing temperature of no less than 600° C.

Подробнее
Номер записи: 56
16-02-2012 дата публикации

Crucible for silicon suitable for producing semiconductors

Номер: US20120037065A1
Автор: Florian Arzberger, Rolf Wagner
Принадлежит: HC Starck GmbH

A crucible for producing a silicon suitable for producing a semiconductor includes a plurality of components and at least one unclosed joint gap.

Подробнее
Номер записи: 57
23-02-2012 дата публикации

Method of processing of nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor wafer, method of producing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер: US20120043645A1
Автор: Hidenori Mikami, Keiji Ishibashi, Naoki Matsumoto
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd

A nitride semiconductor wafer is planar-processed by grinding a bottom surface of the wafer, etching the bottom surface by, e.g., KOH for removing a bottom process-induced degradation layer, chamfering by a rubber whetstone bonded with 100 wt %-60 wt % #3000-#600 diamond granules and 0 wt %-40 wt % oxide granules, grinding and polishing a top surface of the wafer, etching the top surface for eliminating a top process-induced degradation layer and maintaining a 0.5 μm-10 μm thick edge process-induced degradation layer.

Подробнее
Номер записи: 58
08-03-2012 дата публикации

Method for synthesizing metal oxide nanocyrstals

Номер: US20120055795A1
Автор: Angela M. Belcher, Dong Soo Yun
Принадлежит: Massachusetts Institute of Technology

Method for synthesizing metal oxide nanocrystals. The method includes forming a precursor solution including the metal oxide cation and introducing a selected metal oxide binding virus into the solution. Electrical pulses are generated across the solution whereby highly crystalline nanowires are formed.

Подробнее
Номер записи: 59
22-03-2012 дата публикации

High-Purity Tellurium Dioxide Single Crystal and Manufacturing Method Thereof

Номер: US20120070366A1
Автор: Guoging Wu, Hanbin Zhao, Linyao Tang, Lizhen Gu, Xueji Yin, Yong Zhu, Zengwei Ge
Принадлежит: RESEARCH AND DEVELOPEMENT CENTER SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS, Shanghai Institute of Ceramics of CAS

A high-purity tellurium dioxide (TeO 2 ) single crystal and its manufacturing method are provided. The method comprises the following procedures: firstly performing a first single crystal growth, and then dissolving the resulting single crystal again, thereafter adding a precipitation agent to form powder, and finally performing a second single crystal growth of as-prepared powder to obtain the high purity single crystal. The TeO 2 single crystal prepared according to present invention is of high purity, especially with a content of radioactive impurities such as U and Th decreased to a level of 10 −13 g/g.

Подробнее
Номер записи: 60
22-03-2012 дата публикации

Method for fabricating wafer product and method for fabricating gallium nitride based semiconductor optical device

Номер: US20120070929A1
Автор: Hideaki Nakahata, Katsushi Akita, Kensaku Motoki, Shin Hashimoto, Shinsuke Fujiwara
Принадлежит: Koha Co Ltd, Sumitomo Electric Industries Ltd

Provided is a method for fabricating a wafer product including an active layer grown on a gallium oxide substrate and allowing an improvement in emission intensity. In step S 105 , a buffer layer 13 comprised of a Group III nitride such as GaN, AlGaN, or AlN is grown at 600 Celsius degrees on a primary surface 11 a of a gallium oxide substrate 11 . After the growth of the buffer layer 13 , while supplying a gas G 2 , which contains hydrogen and nitrogen, into a growth reactor 10 , the gallium oxide substrate 11 and the buffer layer 13 are exposed to an atmosphere in the growth reactor 11 at 1050 Celsius degrees. A Group III nitride semiconductor layer 15 is grown on the modified buffer layer. The modified buffer layer includes, for example, voids. The Group III nitride semiconductor layer 15 can be comprised of GaN and AlGaN. When the Group III nitride semiconductor layer 15 is formed of these materials, excellent crystal quality is obtained on the modified buffer layer 14.

Подробнее
Номер записи: 61
29-03-2012 дата публикации

Supporting substrate, bonded substrate, method for manufacturing supporting substrate, and method for manufacturing bonded substrate

Номер: US20120074404A1
Автор: Kazuhiro Ushita
Принадлежит: Bridgestone Corp

Provided is a supporting substrate ( 30 ) to be bonded on a single crystalline wafer composed of a single crystalline body. The supporting substrate is provided with a silicon carbide polycrystalline substrate ( 10 ) composed of a silicon carbide polycrystalline body, and a coat layer ( 20 ) deposited on the silicon carbide polycrystalline substrate ( 10 ). The coat layer ( 20 ) is composed of silicon carbide or silicon and is in contact with the single crystalline wafer, and the arithmetic average roughness of the contact surface ( 22 ) of the coat layer ( 20 ) in contact with the single crystalline wafer is 1 nm or less.

Подробнее
Номер записи: 62
29-03-2012 дата публикации

Technique to modify the microstructure of semiconducting materials

Номер: US20120074528A1
Автор: Glen Bennett Cook, Lili Tian, Mallanagouda Dyamanagouda Patil, Natesan Venkataraman, Prantik Mazumder
Принадлежит: Corning Inc

A method of treating a sheet of semiconducting material comprises forming a sinterable first layer over each major surface of a sheet of semiconducting material, forming a second layer over each of the first layers to form a particle-coated semiconductor sheet, placing the particle-coated sheet between end members, heating the particle-coated sheet to a temperature effective to at least partially sinter the first layer and at least partially melt the semiconducting material, and cooling the particle-coated sheet to solidify the semiconducting material and form a treated sheet of semiconducting material.

Подробнее
Номер записи: 63
29-03-2012 дата публикации

Silicon carbide substrate, epitaxial wafer and manufacturing method of silicon carbide substrate

Номер: US20120077346A1
Автор: Makoto Sasaki, Shin Harada
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd

An SiC substrate includes the steps of preparing a base substrate having a main surface and made of SiC, washing the main surface using a first alkaline solution, and washing the main surface using a second alkaline solution after the step of washing with the first alkaline solution. The SiC substrate has the main surface, and an average of residues on the main surface are equal to or larger than 0.2 and smaller than 200 in number.

Подробнее
Номер записи: 64
05-04-2012 дата публикации

Suppression Of Crystal Growth Instabilities During Production Of Rare-Earth Oxyorthosilicate Crystals

Номер: US20120080645A1
Автор: A. Andrew Carey, Mark S. Andreaco, Piotr Szupryczynski
Принадлежит: Siemens Medical Solutions USA Inc

Disclosed are a method of growing a rare-earth oxyorthosilicate crystal and a crystal grown using the method. A melt is prepared by melting a first substance including at least one rare-earth element and a second substance including at least one element from group 7 of the periodic table. A seed crystal is brought into contact with the surface of the melt and withdrawn to grow the crystal.

Подробнее
Номер записи: 65
12-04-2012 дата публикации

Heterogeneous substrate, nitride-based semiconductor device using same, and manufacturing method thereof

Номер: US20120086017A1
Автор: Hyung Do YOON, Jae Hyoun Park, Kwang Hyeon BAIK, Sung Min Hwang, Yong Gon SEO
Принадлежит: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE

Provided are a heterogeneous substrate, a nitride-based semiconductor device using the same, and a manufacturing method thereof to form a high-quality non-polar or semi-polar nitride layer on a non-polar or semi-polar plane of the heterogeneous substrate by adjusting a crystal growth mode. A base substrate having one of a non-polar plane and a semi-polar plane is prepared, and a nitride-based nucleation layer is formed on the plane of the base substrate. A first buffer layer is grown faster in the vertical direction than in the lateral direction on the nucleation layer. A lateral growth layer is grown faster in the lateral direction than in the vertical direction on the first buffer layer. A second buffer layer is formed on the lateral growth layer. A silicon nitride layer having a plurality of holes may be formed between the lateral growth layer on the first buffer layer and the second buffer layer.

Подробнее
Номер записи: 66
19-04-2012 дата публикации

Low-temperature synthesis of colloidal nanocrystals

Номер: US20120090533A1
Автор: Jacqueline T. Siy, Michael H. Bartl
Принадлежит: University of Utah Research Foundation UURF

Low-temperature organometallic nucleation and crystallization-based synthesis methods for the fabrication of semiconductor and metal colloidal nanocrystals with narrow size distributions and tunable, size- and shape-dependent electronic and optical properties. Methods include (1) forming a reaction mixture in a reaction vessel under an inert atmosphere that includes at least one solvent, a cationic precursor, an anionic precursor, and at least a first surface stabilizing ligand while stirring at a temperature in a range from about 50° C. to about 130° C. and (2) growing nanocrystals in the reaction mixture for a period of time while maintaining the temperature, the stirring, and the inert-gas atmosphere.

Подробнее
Номер записи: 67
19-04-2012 дата публикации

IN-SITU DEFECT REDUCTION TECHNIQUES FOR NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al, Ga, In)N

Номер: US20120091467A1
Автор: Arpan Chakraborty, James S. Speck, Kwang-Choong Kim, Steven P. DenBaars, Umesh K. Mishra
Принадлежит: UNIVERSITY OF CALIFORNIA

A method for growing reduced defect density planar gallium nitride (GaN) films is disclosed. The method includes the steps of (a) growing at least one silicon nitride (SiN x ) nanomask layer over a GaN template, and (b) growing a thickness of a GaN film on top of the SiN x nanomask layer.

Подробнее
Номер записи: 68
03-05-2012 дата публикации

Method of imaging in crystalline colloidal arrays

Номер: US20120103211A1
Автор: Jessica M. Williamson, Sean Purdy
Принадлежит: PPG Industries Ohio Inc

A method of printing an image that diffracts radiation is disclosed. The method includes assembling an ordered periodic array of particles on a substrate, wherein the array of particles diffracts radiation in a wavelength band dependent on viewing angle; printing an imaging composition onto a portion of the array in a configuration of an image; shifting the wavelength band of radiation diffracted and changing the refractive index by the printed portion of the array so that the printed portion diffracts radiation at a different wavelength band and reflectivity intensity from a remaining portion of the array; and fixing the printed portion of the array, such that the printed portion of the array diffracts radiation and exhibits the image.

Подробнее
Номер записи: 69
03-05-2012 дата публикации

Group iii nitride semiconductor element and epitaxial wafer

Номер: US20120104433A1
Автор: Fumitake Nakanishi, Masaki Ueno, Yohei Enya, Yusuke Yoshizumi
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd

A primary surface 23 a of a supporting base 23 of a light-emitting diode 21 a tilts by an off-angle of 10 degrees or more and less than 80 degrees from the c-plane. A semiconductor stack 25 a includes an active layer having an emission peak in a wavelength range from 400 nm to 550 nm. The tilt angle “A” between the (0001) plane (the reference plane S R3 shown in FIG. 5 ) of the GaN supporting base and the (0001) plane of a buffer layer 33 a is 0.05 degree or more and 2 degrees or less. The tilt angle “B” between the (0001) plane of the GaN supporting base (the reference plane S R4 shown in FIG. 5 ) and the (0001) plane of a well layer 37 a is 0.05 degree or more and 2 degrees or less. The tilt angles “A” and “B” are formed in respective directions opposite to each other with reference to the c-plane of the GaN supporting base.

Подробнее
Номер записи: 70
03-05-2012 дата публикации

Iii nitride semiconductor substrate, epitaxial substrate, and semiconductor device

Номер: US20120104558A1
Автор: Keiji Ishibashi
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd

In a semiconductor device 100 , it is possible to prevent C from piling up at a boundary face between an epitaxial layer 22 and a group III nitride semiconductor substrate 10 by the presence of 30×10 10 pieces/cm 2 to 2000×10 10 pieces/cm 2 of sulfide in terms of S and 2 at % to 20 at % of oxide in terms of O in a surface layer 12 . By thus preventing C from piling up, a high-resistivity layer is prevented from being formed on the boundary face between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10 . Accordingly, it is possible to reduce electrical resistance at the boundary face between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10 , and improve the crystal quality of the epitaxial layer 22 . Consequently, it is possible to improve the emission intensity and yield of the semiconductor device 100.

Подробнее
Номер записи: 71
03-05-2012 дата публикации

Method and apparatus for treating diamond using liquid metal saturated with carbon

Номер: US20120107212A1
Автор: A. Marshall Stoneham, Philip H. Taylor
Принадлежит: Designed Materials Ltd

A method of treating a diamond, the method comprising: (i) providing a liquid metal saturated with carbon with respect to graphite precipitation; (ii) lowering the temperature of the liquid metal such that the liquid metal is saturated with carbon with respect to diamond precipitation; (iii) immersing a diamond in the liquid metal; and (iv) removing the diamond from the metal.

Подробнее
Номер записи: 72
03-05-2012 дата публикации

Showerhead for cvd depositions

Номер: US20120108076A1
Автор: Brian E. Goodlin, Qidu Jiang
Принадлежит: Texas Instruments Inc

A CVD showerhead that includes a circular inner showerhead and at least one outer ring showerhead. At least two process gas delivery tubes are coupled to each showerhead. Also, a dual showerhead that includes a circular inner showerhead and at least one outer ring showerhead where each showerhead is coupled to oxygen plus a gas mixture of lead, zirconium, and titanium organometallics. A method of depositing a CVD thin film on a wafer. Also, a method of depositing a PZT thin film on a wafer.

Подробнее
Номер записи: 73
10-05-2012 дата публикации

Generating and detecting radiation

Номер: US20120113417A1
Автор: Alexander Giles Davies, Christopher Wood, David Graham Moodie, Edmund Linfield, John Cunningham, Michael James Robertson, Paul John Cannard, Xin Chen
Принадлежит: Individual

A method of generating radiation comprises: manufacturing a structure comprising a substrate supporting a layer of InGaAs, InGaAsP, or InGaAlAs material doped with a dopant, said manufacturing comprising growing said layer such that said dopant is incorporated in said layer during growth of the layer; illuminating a portion of a surface of the structure with radiation having photon energies greater than or equal to a band gap of the doped InGaAs, InGaAsP, or InGaAlAs material so as to create electron-hole pairs in the layer of doped material; and accelerating the electrons and holes of said pairs with an electric field so as to generate radiation. In certain embodiments the dopant is Fe. Corresponding radiation detecting apparatus, spectroscopy systems, and antennas are described.

Подробнее
Номер записи: 74
10-05-2012 дата публикации

Method to Manufacture Large Uniform Ingots of Silicon Carbide by Sublimation/Condensation Processes

Номер: US20120114545A1
Автор: Mark Loboda, Seung Ho Park, Victor Torres
Принадлежит: Dow Corning Corp

This invention relates to a method for the manufacture of monolithic ingot of silicon carbide comprising: i) introducing a mixture comprising polysilicon metal chips and carbon powder into a cylindrical reaction cell having a lid; ii) sealing the cylindrical reaction cell of i); iii) introducing the cylindrical reaction cell of ii) into a vacuum furnace; iv) evacuating the furnace of iii); v) filling the furnace of iv) with a gas mixture which is substantially inert gas to near atmospheric pressure; vi) heating the cylindrical reaction cell in the furnace of v) to a temperature of from 1600 to 2500° C.; vii) reducing the pressure in the cylindrical reaction cell of vi) to less than 50 torr but not less than 0.05 torr; and viii) allowing for substantial sublimation and condensation of the vapors on the inside of the lid of the cylindrical reaction cell of vii).

Подробнее
Номер записи: 75
10-05-2012 дата публикации

Method of sige epitaxy with high germanium concentration

Номер: US20120115310A1
Автор: WEI Ji, Yan Miu
Принадлежит: Individual

The present invention discloses a method of SiGe epitaxy with high germanium concentration, a germanium concentration can be increased by reducing the percentage of silane and germane during introduction silane and germane. With the same flow of germanium source, the germanium concentration is significantly increased as the germane flow is reduced, therefore a defect-free SiGe epitaxial film with a germanium atomic percentage of 25˜35% can be obtained. The present invention can balance epitaxial growth rate and germanium doping concentration by using existing equipments to obtain a high germanium concentration, and the epitaxial growth rate is only reduced a little, which can keep the SiGe epitaxial layer having no defect to meet the requirements of devices and can maintain sufficient throughput.

Подробнее
Номер записи: 76
17-05-2012 дата публикации

Method of production of sic single crystal

Номер: US20120118221A1
Автор: Akinori Seki, Hiroaki Saitoh, Katsunori Danno, Yoichiro Kawai
Принадлежит: Toyota Motor Corp

The present invention provides a method of production of an SiC single crystal using the solution method which prevents the formation of defects due to seed tough, i.e., causing a seed crystal to touch the melt, and thereby causes growth of an Si single crystal reduced in defect density. The method of the present invention is a method of production of an SiC single crystal by causing an SiC seed crystal to touch a melt containing Si in a graphite crucible to thereby cause growth of the SiC single crystal on the SiC seed crystal, characterized by making the SiC seed crystal touch the melt, then making the melt rise in temperature once to a temperature higher than the temperature at the time of touch and also higher than the temperature for causing growth.

Подробнее
Номер записи: 77
17-05-2012 дата публикации

Additive for the crystallization of proteins, use and process

Номер: US20120123088A1
Автор: Anthony W. Coleman, Antoine Leydier, Frederic Huche, Pierre G. Falson, Rachel Rima Matar Merheb
Принадлежит: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS

The present invention relates to the use and to a process involving at least one calix[n]arene derivative substituted by at least one acid functional group on the upper face and at least one aliphatic chain of variable length on the other face, as an additive for crystallization of a polar and/or positively charged molecule. The use and the process of the present invention have the advantage of enabling, facilitating and/or accelerating the crystallization of polar and/or positively charged molecules, especially of membrane proteins that are in solution or soluble, which had previously proved to be very difficult.

Подробнее
Номер записи: 78
24-05-2012 дата публикации

Crystal Growth Atmosphere For Oxyorthosilicate Materials Production

Номер: US20120126171A1
Автор: A. Andrew Carey, Mark S. Andreaco, Piotr Szupryczynski
Принадлежит: Siemens Medical Solutions USA Inc

A method of growing a rare-earth oxyorthosilicate crystal, and crystals grown using the method are disclosed. The method includes preparing a melt by melting a first substance including at least one first rare-earth element and providing an atmosphere that includes an inert gas and a gas including oxygen.

Подробнее
Номер записи: 79
31-05-2012 дата публикации

Vitreous silica crucible

Номер: US20120132133A1
Автор: Eriko Suzuki, Hiroshi Kishi, Toshiaki Sudo
Принадлежит: Japan Super Quartz Corp

The present invention provides a vitreous silica crucible which can suppress buckling and sidewall lowering of the crucible without fear of mixing of impurities into silicon melt. According to the present invention, provided is a vitreous silica crucible for pulling a silicon single crystal, wherein a ratio I2/I1 is 0.67 to 1.17, where I1 and I2 are area intensities of the peaks at 492 cm −1 and 606 cm −1 , respectively, in Raman spectrum of vitreous silica of the region having a thickness of 2 mm from an outer surface to an inner surface of a wall of the crucible.

Подробнее
Номер записи: 80
31-05-2012 дата публикации

Protein crystallization using molecularly imprinted polymers

Номер: US20120135442A1
Автор: Naomi Esther Chayen, Subrayal Medapati Venkt Reddy
Принадлежит: UNIVERSITY OF SURREY

The invention relates to a method comprising: providing a molecularly imprinted polymer imprinted with a first peptide or protein; exposing said molecularly imprinted polymer to a supersaturated solution of a second peptide or protein; and forming a nucleus of and/or growing a crystal of said second peptide or protein on said molecularly imprinted polymer.

Подробнее
Номер записи: 81
07-06-2012 дата публикации

Vitreous silica crucible

Номер: US20120137964A1
Автор: Hiroshi Kishi, Ken Kitahara, Toshiaki Sudo
Принадлежит: Japan Super Quartz Corp

The present invention provides a vitreous silica crucible which can suppress buckling and sidewall lowering of the crucible and the generation of cracks. According to the present invention, a vitreous silica crucible is provided for pulling a silicon single crystal having a wall, the wall including a non-doped inner surface layer made of natural vitreous silica or synthetic vitreous silica, a mineralizing element-maldistributed vitreous silica layer containing dispersed island regions each containing a mineralizing element, and wherein the vitreous silica of the island regions and the vitreous silica of a surrounding region of the island regions is a combination of mineralizing element-doped natural vitreous silica and non-doped synthetic vitreous silica, or a combination of mineralizing element-doped synthetic vitreous silica and non-doped natural vitreous silica, and the inner surface layer is made of vitreous silica of a different kind from that of the island region.

Подробнее
Номер записи: 82
07-06-2012 дата публикации

High pressure chemical vapor deposition apparatuses, methods, and compositions produced therewith

Номер: US20120138952A1
Автор: Nikolaus Dietz
Принадлежит: Georgia State University Research Foundation Inc

A composition, reactor apparatus, method, and control system for growing epitaxial layers of group III-nitride alloys. Super-atmospheric pressure is used as a process parameter to control the epitaxial layer growth where the identity of alloy layers differ within a heterostructure stack of two or more layers.

Подробнее
Номер записи: 83
07-06-2012 дата публикации

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер: US20120138956A1
Автор: Atsushi Yamada, Kenji Imanishi, Sanae Shimizu, Toyoo Miyajima
Принадлежит: Fujitsu Ltd

A compound semiconductor device includes: a substrate; an electron transit layer formed over the substrate; an electron supply layer formed over the electron transit layer; and a buffer layer formed between the substrate and the electron transit layer and including Al x Ga 1-x N(0≦x≦1), wherein the x value represents a plurality of maximums and a plurality of minimums in the direction of the thickness of the buffer layer, and the variation of x in any area having a 1 nm thickness in the buffer layer is 0.5 or less.

Подробнее
Номер записи: 84
14-06-2012 дата публикации

Quaternary chalcogenide wafers

Номер: US20120145970A1
Автор: Alex Sergey Ionkin, Brian M. Fish
Принадлежит: EI Du Pont de Nemours and Co

Disclosed herein are processes for making quaternary chalcogenide wafers. The process comprises heating a mixture of quaternary chalcogenide crystals and flux and then cooling the mixture to form a solidified mixture comprising ingots of quaternary chalcogenide and flux. The process also comprises isolating one or more ingots of quaternary chalcogenide from the solidified mixture and mounting at least one ingot in a polymer binder to form a quaternary chalcogenide-polymer composite. The process also comprises optionally slicing the quaternary chalcogenide-polymer composite to form one or more quaternary chalcogenide-polymer composite wafers. The quaternary chalcogenide wafers are useful for forming solar cells.

Подробнее
Номер записи: 85
14-06-2012 дата публикации

Nanowire preparation methods, compositions, and articles

Номер: US20120148861A1
Автор: David R. Whitcomb, Doreen C. Lynch, William D. Ramsden
Принадлежит: Individual

Nanomaterial preparation methods, compositions, and articles are disclosed and claimed. Such methods can provide nanomaterials with improved morphologies relative to previous methods. Such materials are useful in electronic applications.

Подробнее
Номер записи: 86
21-06-2012 дата публикации

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер: US20120153261A1
Автор: Hyun-gi Hong, Jun-Youn Kim, Su-hee Chae, Young-jo Tak
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

Example embodiments relate to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device may include a pre-seeding layer and a nucleation layer. The pre-seeding layer may include a first material for pre-seeding and a second material for masking so as to reduce tensile stress.

Подробнее
Номер записи: 87
28-06-2012 дата публикации

Photoreduction processing method of three-dimensional metal nanostructure

Номер: US20120160058A1
Автор: Nobuyuki Takeyasu, Satoshi Kawata, Takuo Tanaka
Принадлежит: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research

In a method of producing a metal structure by photoreducing metal ion, a substance capable of suppressing growth of metal crystal is added to a medium in which metal ion is dispersed to prevent growth of the metal crystal produced by photoreduction of the metal ion, thereby processing resolution of a metal structure formed of the metal crystal is improved.

Подробнее
Номер записи: 88
28-06-2012 дата публикации

Epitaxial substrate and method for manufacturing epitaxial substrate

Номер: US20120161152A1
Автор: Makoto Miyoshi, Mikiya Ichimura, Mitsuhiro Tanaka, Shigeaki Sumiya, Sota Maehara
Принадлежит: NGK Insulators Ltd

Provided is a crack-free epitaxial substrate having a small amount of warping, in which a silicon substrate is used as a base substrate. The epitaxial substrate includes a (111) single crystal Si substrate, a buffer layer, and a crystal layer. The buffer layer is formed of a first lamination unit and a second lamination unit being alternately laminated. The first lamination unit includes a composition modulation layer and a first intermediate layer. The composition modulation layer is formed of a first unit layer and a second unit layer having different compositions being alternately and repeatedly laminated so that a compressive strain exists therein. The first intermediate layer enhances the compressive strain existing in the composition modulation layer. The second lamination unit is a second intermediate layer that is substantially strain-free.

Подробнее
Номер записи: 89
05-07-2012 дата публикации

Method of manufacturing vitreous silica crucible

Номер: US20120167627A1
Автор: Eriko Suzuki, Toshiaki Sudo
Принадлежит: Japan Super Quartz Corp

There is provided a method of manufacturing a vitreous silica crucible having a suitably controlled inner surface property. The present invention provides a method of manufacturing a vitreous silica crucible by heating and fusing a silica powder layer in a rotating mold by arc discharge generated by carbon electrodes including: a preparation process for determining optimal fusing temperatures during heating and fusing the silica powder layer at plural points of different heights of the silica powder layer; a temperature measuring process for measuring actual temperatures during heating and fusing the silica powder layer at the plural points; a temperature controlling process for controlling the actual temperatures at the plural points so that the actual temperatures matches the optimal fusing temperatures at the respective points.

Подробнее
Номер записи: 90
05-07-2012 дата публикации

Method and device for producing silicon blocks

Номер: US20120167817A1
Автор: Bernhard Freudenberg, Doreen NAUERT, Marc Dietrich, Mark Hollatz, Markus Apel, Melanie Hentsche
Принадлежит: SOLARWORLD INNOVATIONS GMBH

A method for producing silicon blocks comprises providing a crucible for receiving a silicon melt, with a base and a plurality of side walls connected to the base, attaching nuclei at least on an inner side of the base of the crucible, the nuclei having a melt temperature, which is greater than the melt temperature of silicon, filling the crucible with the silicon melt, solidifying the silicon melt beginning on the nuclei and removing the solidified silicon from the crucible.

Подробнее
Номер записи: 91
05-07-2012 дата публикации

Halogen assisted physical vapor transport method for silicon carbide growth

Номер: US20120167825A1
Автор: Hudson M. Hobgood, Stephan G. Mueller, Valeri F. Tsvetkov
Принадлежит: Individual

A physical vapor transport growth technique for silicon carbide is disclosed. The method includes the steps of introducing a silicon carbide powder and a silicon carbide seed crystal into a physical vapor transport growth system, separately introducing a heated silicon-halogen gas composition into the system in an amount that is less than the stoichiometric amount of the silicon carbide source powder so that the silicon carbide source powder remains the stoichiometric dominant source for crystal growth, and heating the source powder, the gas composition, and the seed crystal in a manner that encourages physical vapor transport of both the powder species and the introduced silicon-halogen species to the seed crystal to promote bulk growth on the seed crystal.

Подробнее
Номер записи: 92
05-07-2012 дата публикации

Light emitting diode chip and method for manufacturing the same

Номер: US20120168797A1
Автор: Po-Min Tu, Shih-Cheng Huang
Принадлежит: Advanced Optoelectronic Technology Inc

A method for manufacturing a light emitting diode chip, comprising steps: providing a substrate with a first patterned blocking layer formed thereon; growing a first n-type semiconductor layer on the substrate between the constituting parts of first patterned blocking layer, and stopping the growth of the first n-type semiconductor layer before the first n-type semiconductor layer completely covers the first patterned blocking layer; removing the first patterned blocking layer, whereby a plurality of first holes are formed at position where the first patterned blocking layer is originally existed; continuing the growth of the first n-type semiconductor layer until the first holes are completely covered by the first n-type semiconductor layer; and forming an active layer and a p-type current blocking layer on the first n-type semiconductor layer successively.

Подробнее
Номер записи: 93
19-07-2012 дата публикации

Methods for epitaxial silicon growth

Номер: US20120180716A1
Автор: Er-Xuan Ping, Jingyan Zhang
Принадлежит: Micron Technology Inc

Methods of cleaning substrates and growing epitaxial silicon thereon are provided. Wafers are exposed to a plasma for a sufficient time prior to epitaxial silicon growth, in order to clean the wafers. The methods exhibit enhanced selectivity and reduced lateral growth of epitaxial silicon. The wafers may have dielectric areas that are passivated by the exposure of the wafer to a plasma.

Подробнее
Номер записи: 94
19-07-2012 дата публикации

Semiconductor element and manufacturing method of the same

Номер: US20120181531A1
Автор: Akira Ohtomo, Atsushi Tsukazaki, Ken Nakahara, Masashi Kawasaki, Shunsuke Akasaka
Принадлежит: ROHM CO LTD

A semiconductor element includes a semiconductor layer mainly composed of Mg x Zn 1-x O (0<=x<1), in which manganese contained in the semiconductor layer as impurities has a density of not more than 1×10 16 cm −3 .

Подробнее
Номер записи: 95
26-07-2012 дата публикации

Scintillator Crystal Materials, Scintillators And Radiation Detectors

Номер: US20120186061A1
Автор: Albert Hort, Christian Stoller, Donna Simonetti, John J. Simonetti
Принадлежит: Schlumberger Technology Corp

The present disclosure describes a scintillation crystal having the general formula RE(1−y)M y F 3X A 3(1−x) , wherein RE is selected from the group consisting of La, Gd, Y, Lu, or mixtures thereof; A is selected from Cl, Br or I, and M is an activator ion selected from the group consisting of Ce 3+ , Pr 3+ or Eu 3+ and combinations thereof containing two or all three activator ions and further optionally comprising Ho, Er, Tm, or Yb also in the 3+ oxidation state. We also disclose a scintillation detector including a scintillation crystal, and downhole tools and methods of oil exploration utilizing such scintillation crystals.

Подробнее
Номер записи: 96
26-07-2012 дата публикации

Semiconductor Device

Номер: US20120187374A1
Автор: Jae-won Lee, Jun-Youn Kim, Young-jo Tak
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

According to example embodiments, a semiconductor device includes a first layer and second layer. The first layer includes a nitride semiconductor doped with a first type dopant. The second layer is below the first layer and includes a high concentration layer. The high concentration layer includes the nitride semiconductor doped with the first type dopant and has a doping concentration higher than a doping concentration of the first layer.

Подробнее
Номер записи: 97
26-07-2012 дата публикации

Hybrid Silicon Wafer

Номер: US20120187409A1
Автор: Hiroshi Takamura, Ryo Suzuki
Принадлежит: JX Nippon Mining and Metals Corp

A hybrid silicon wafer which is a silicon wafer having a structure wherein monocrystalline silicon is embedded in polycrystalline silicon that is prepared by the unidirectional solidification/melting method. The longitudinal plane of crystal grains of the polycrystalline portion prepared by the unidirectional solidification/melting method is used as the wafer plane, and the monocrystalline silicon is embedded so that the longitudinal direction of the crystal grains of the polycrystalline portion forms an angle of 120° to 150° relative to the cleaved surface of the monocrystalline silicon. Thus provided is a hybrid silicon wafer comprising the functions of both a polycrystalline silicon wafer and a monocrystalline wafer.

Подробнее
Номер записи: 98
26-07-2012 дата публикации

Method for lift-off of light-emitting diode substrate

Номер: US20120190148A1
Автор: Jiansen Zheng, Jyh-Chiarng Wu, Kang-Wei Peng, Kechuang Lin, Sheng-Hsien Hsu, Su-Hui Lin
Принадлежит: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd

The present invention discloses a method for lift-off of an LED substrate. By eroding the sidewall of a GaN epitaxial layer, cavity structures are formed, which may act in cooperation with a non-fully filled patterned sapphire substrate from epitaxial growth to cause the GaN epitaxial layer to separate from the sapphire substrate. The method according to an embodiment of the present invention can effectively reduce the dislocation density in the growth of a GaN-based epitaxial layer; improve lattice quality, and realize rapid lift-off of an LED substrate, and has the advantages including low cost, no internal damage to the GaN film, elevated performance of the photoelectric device and improved luminous efficiency.

Подробнее
Номер записи: 99
26-07-2012 дата публикации

Method for making gallium nitride substrate

Номер: US20120190172A1
Автор: Jian-Shihn Tsang
Принадлежит: Hon Hai Precision Industry Co Ltd

A method for making a GaN substrate for growth of nitride semiconductor is provided. The method first provides a GaN single crystal substrate. Then an ion implanting layer is formed inside the GaN single crystal substrate, which divides the GaN single crystal substrate into a first section and a second section. After that, the GaN single crystal substrate is connected with an assistant substrate through a connecting layer. Thereafter, the GaN single crystal substrate is heated whereby the ion implanting layer is decompounded. Finally, the second section is separated from the first section. The first section left on a surface of the assistant substrate is provided for growth of nitride semiconductor thereon.

Подробнее
Номер записи: 100