10-11-2008 дата публикации
Номер: RU0000078005U1
1. Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между истоком и стоком последовательно выполнены туннельный слой, запоминающий слой в виде плавающего затвора из поликремния, блокирующий слой и затвор, отличающийся тем, что блокирующий слой выполнен из диэлектрика со значением диэлектрической проницаемости большим, чем у материала туннельного слоя. 2. Флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что в качестве диэлектрика для блокирующего слоя использован материал со значением диэлектрической проницаемости от 5 до 2000. 3. Флэш элемент памяти по п.2, отличающийся тем, что в качестве диэлектрика для блокирующего слоя использован материал: ВаТа0, BaSrTiO, BaSrNbO, PbZnNbO, PbZrTiОз, LiNbO, BiLaTiO, BiSrCuO, BiTiO, SrBiTaO, SrBiTaVO, SrTiNbO, SrNbO, SrTaO, SrZrO, PbTiO, LaAlO, КТаО, TiO, TaO, AlTaO, TaON, HfO, HfSiON, HfON, ErO, LaO, ZrO, ZrON, ZrSiO, GdO, YO, SiON, AlO, AlON. 4. Флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что туннельный слой выполнен из оксида кремния толщиной 3,5-8,0 нм. 5. Флэш элемент памяти по п.2, отличающийся тем, что туннельный слой выполнен из оксида кремния толщиной 3,5-8,0 нм. 6. Флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что блокирующий слой выполнен толщиной 7,0-100,0 нм. 7. Флэш элемент памяти по п.2, отличающийся тем, что блокирующий слой выполнен толщиной 7,0-100,0 нм. 8. Флэш элемент памяти по п.3, отличающийся тем, что блокирующий слой выполнен толщиной 7,0-100,0 нм. 9. Флэш элемент памяти по п.4, отличающийся тем, что блокирующий слой выполнен толщиной 7,0-100,0 нм. 10. Флэш элемент памяти по п.5, отличающийся тем, что блокирующий слой выполнен толщиной 7,0-100,0 нм. 11. Флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что затвор выполнен из поликремния, или тугоплавкого металла, или силицида тугоплавкого металла. 12. Флэш элемент памяти по п.2, отличающийся тем, что затвор выполнен из поликремния, ...
Подробнее
