具有新型量子垒的发光二极管外延片及其制备方法
Номер патента: CN105633228A
Опубликовано: 01-06-2016
Автор(ы): 孙玉芹, 王江波, 董彬忠
Принадлежит: HC Semitek Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-06-2016
Автор(ы): 孙玉芹, 王江波, 董彬忠
Принадлежит: HC Semitek Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for preparing nitride light emitting diode (LED) and nondestructive interface separation
Номер патента: US12051766B1. Автор: Fang Liu,Bo Shen,Duo LI,Yucheng Guo,Zhaoying Chen,Xinqiang Wang,Bowen SHENG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-30.