化合物半導体単結晶製造方法.

Номер патента: JPS6321288A
Опубликовано: 28-01-1988
Автор(ы): Masazumi Sato, 佐藤　正純
Принадлежит: Hitachi Metals Ltd

Реферат: (57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。