基于Cu膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法.

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基于Cu膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法

基于Cu膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法

Номер патента: CN102674332A
Опубликовано: 19-09-2012
Автор(ы): 张克基, 张凤祁, 张玉明, 邓鹏飞, 郭辉, 雷天民
Принадлежит: Xidian University
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