一种高纯结晶二氧化硅颗粒的制备方法
Номер патента: CN113307275A
Опубликовано: 27-08-2021
Автор(ы): 严诗婷, 王师宇, 袁良杰, 黄荷
Принадлежит: Wuhan University WHU
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-08-2021
Автор(ы): 严诗婷, 王师宇, 袁良杰, 黄荷
Принадлежит: Wuhan University WHU
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Process for the production of high purity silica from waste by-product silica and hydrogen fluoride
Номер патента: US5853685A. Автор: William R. Erickson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-12-29.