Plasma enhanced chemical vapor deposited vertical resistor
Номер патента: GB2186116A
Опубликовано: 05-08-1987
Автор(ы): Leopoldo D Yau, Shih-Ou Chen, Yih Shung Lin
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-08-1987
Автор(ы): Leopoldo D Yau, Shih-Ou Chen, Yih Shung Lin
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Embedded Resistors for ReRAM Cells
Номер патента: US20150179937A1. Автор: Yun Wang,Chien-Lan Hsueh. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.