• Главная
  • Method of forming a semiconductor device in a semiconductor layer and structure thereof

Method of forming a semiconductor device in a semiconductor layer and structure thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US7169670B2. Автор: Min Kyu Lee,Jum Soo Kim,Hee Hyun Chang,Jung Ryul Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-30.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Methods of Arranging L-Shaped Cell Blocks In Semiconductor Devices

Номер патента: US20110286295A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12112981B2. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030057493A1. Автор: Atsuo Hirabayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of manufacturing semiconductor device including isolation process

Номер патента: US20090181510A1. Автор: Yong-Il Kim,Makoto Yoshida,Hyeong-Sun HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor device for use in a solid state imaging device

Номер патента: US7138670B2. Автор: Tsutomu Imai,Tetsuya Miwa,Takayuki Kaida,Seiji Kai. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-21.

Semiconductor element, semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20120238085A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Fabrication method of pixel structure

Номер патента: US09818774B2. Автор: Xiaofeng Yang,Zelin Chen,Xiaotao JIN,Fei OU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11935895B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240203998A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653488B2. Автор: Yi-Ting Lee,Chien-Hao Wu,Hsien-Tang Hu. Владелец: Hannstar Display Nanjing Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing array substrate for use in liquid crystal display device

Номер патента: US20010034073A1. Автор: Kyo-Ho Moon,Hu-Sung Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-25.

Semiconductor devices having a non-volatile memory transistor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020146883A1. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160204137A1. Автор: Yi-Ting Lee,Chien-Hao Wu,Hsien-Tang Hu. Владелец: Hannstar Display Nanjing Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230053370A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09837537B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09935232B2. Автор: Susumu Yamamoto,Gen Toyota,Takamitsu Yoshida,Takamasa Tanaka,Kazumasa Tanida,Shouta Inoue. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240006359A1. Автор: Akira Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Solid-state image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887227B2. Автор: Mineo Shimotsusa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Solid-state image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09704905B2. Автор: Mineo Shimotsusa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

X-ray sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091117A1. Автор: Sung Kyn Heo,Ho Seok Lee. Владелец: VATECHEWOO HOLDINGS Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Method of manufacturing light-emitting element and light-emitting element

Номер патента: US20220320369A1. Автор: Akira Fujioka,Taku YUASA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of manufacturing cmos image sensor

Номер патента: US20080160666A1. Автор: Sun Kyung BANG. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of manufacturing CMOS image sensor

Номер патента: US7659186B2. Автор: Sun Kyung BANG. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20200185494A1. Автор: Rolf Weis,Ahmed Mahmoud,Richard Hensch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09905755B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20080122517A1. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9171777B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09941403B2. Автор: Till Schloesser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US7800428B2. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-21.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating dual gate electrode of CMOS semiconductor device

Номер патента: US7402478B2. Автор: Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-22.

Method of forming device isolation film in semiconductor device

Номер патента: US20040266132A1. Автор: Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of fin selection for improved performance in semiconductor devices

Номер патента: US20240046021A1. Автор: Shellin Liu,Jui-Tse Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US20080305623A1. Автор: Haoren Zhuang,Helen Wang,Scott D. Halle,Len Yuan Tsou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of forming multilayered conductive layers for semiconductor device

Номер патента: US20030235977A1. Автор: Tetsuo Usami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160064663A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929341B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of fabricating topside structure of a semiconductor device

Номер патента: US5989938A. Автор: Hsingya Arthur Wang,Bandali B. Mohamed,Shyam Garg,Bruce Pickelsimer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282712A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282711A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929244B2. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09620564B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4415027A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-14.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US09837371B2. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming tunnel oxide film in semiconductor device

Номер патента: US20040266110A1. Автор: Sang Park,Seung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of forming fine island patterns of semiconductor devices

Номер патента: US20190074182A1. Автор: Shing-Yih Shih,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of forming multilayered wiring structure of semiconductor device

Номер патента: US5258328A. Автор: Takeshi Sunada,Yasukazu Mase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-11-02.

Method of forming metal line layer in semiconductor device

Номер патента: US20050014381A1. Автор: Joon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20170222142A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of forming metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US5670420A. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-23.

Method of making a grooved gate structure of semiconductor device

Номер патента: US5776835A. Автор: Ching-Fa Yeh,Jwinn Lein Su. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-07-07.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20230154797A1. Автор: Seonghyun Yoo,Yeonga KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09613930B2. Автор: Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming structures on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1275138A1. Автор: John George Maltabes,Alain Bernard Charles. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Method of forming structures on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2001078122A1. Автор: John George Maltabes,Alain Bernard Charles. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240096988A1. Автор: Michael Hell,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming dense hole patterns of semiconductor devices

Номер патента: US20190074187A1. Автор: Shing-Yih Shih,Jen-Jui HUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09443807B2. Автор: Markus Zundel,Thomas Ostermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of forming coatings on integrated circuit semiconductor devices

Номер патента: GB1519251A. Автор: . Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1978-07-26.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method for fabricating a semiconductor device and apparatus for inspecting a semiconductor

Номер патента: WO2005086211A1. Автор: Yasunobu Tagusa. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7821059B2. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Apparatus and method of activating impurity atom in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20060105552A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-18.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US20170207189A1. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method for forming a gate for semiconductor devices

Номер патента: US6448166B2. Автор: Heung Jae Cho,Dae Gyu Park,Kwan Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Methods of forming semiconductor contacts and related semiconductor devices

Номер патента: EP2614529A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Jennifer Gao,Jennifer Duc. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-07-17.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Method of fabricating a vertically profiled electrode and semiconductor device comprising such an electrode

Номер патента: US20030153178A1. Автор: Bernd Maile. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method of improving a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20080124899A1. Автор: Wen Lin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10978558B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200119145A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210202700A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11456356B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Method for forming a tungsten plug and a barrier layer in a contact of high aspect ratio

Номер патента: US5990004A. Автор: Yu-Ru Yang,Horng-Bor Lu,Jenn-Tarng Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11817417B2. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20240038714A1. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Method and High Gapfill Capability for Semiconductor Devices

Номер патента: US20090075454A1. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of etching a trench into a semiconductor substrate

Номер патента: US5883012A. Автор: Ping-Chang Lue,Herng-Der Chiou. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090242963A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of fabricating void-free conductive feature of semiconductor device

Номер патента: US20230402313A1. Автор: Cheng-Yan Ji,Chu-Hsiang HSU,Jing Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method of manufacturing same, and management system of semiconductor device

Номер патента: US20130234339A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Yoshiaki Sugizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Method and apparatus for depositing a layer on a semiconductor wafer by vapor deposition in a process chamber

Номер патента: MY166009A. Автор: Brenninger Georg. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-05-21.

Method for treating the dislocation in a GaN-containing semiconductor layer

Номер патента: US8420543B1. Автор: Wei-I Lee,Yin-Hao Wu,Yen-Hsien Yeh,Tzu-Yi Yu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-04-16.

Method for treating the dislocation in a gan-containing semiconductor layer

Номер патента: US20130102128A1. Автор: Wei-I Lee,Yin-Hao Wu,Yen-Hsien Yeh,Tzu-Yi Yu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-04-25.

Method of depositing thin passivating film on microminiature semiconductor devices

Номер патента: US5620909A. Автор: Fan Ren,Jenshan Lin,James R. Lothian. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US6780697B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Method of anodising a surface of a semiconductor device

Номер патента: US09786808B2. Автор: Xi Wang,Jie Cui. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09450085B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20100230718A1. Автор: Franz Hirler,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US09754066B2. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394889A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141239A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor chip, semiconductor device, and process for producing a semiconductor device

Номер патента: US20020093014A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor devices including patterns in a source region

Номер патента: US09698259B2. Автор: Jaehyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394888A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20110165763A1. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141238A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685511B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming alignment mark and fabricating semiconductor device

Номер патента: US5935764A. Автор: Eiichiro Kakehashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-10.

Semiconductor device, a package substrate, and a semiconductor package

Номер патента: US20230154879A1. Автор: Jun Yong Song,Kang Hun KIM,Si Yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20150137226A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device and method for making a semiconductor device

Номер патента: EP3326209A1. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-30.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20080128872A1. Автор: Joerg Schepers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20070166941A1. Автор: Jeong Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Amorphous devices and interconnect system and method of fabrication

Номер патента: US4471376A. Автор: William R. Morcom,Glenn M. Friedman. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1984-09-11.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US20170357745A1. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor devices including patterns in a source region

Номер патента: US20160149031A1. Автор: Jaehyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20190123153A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US9070789B2. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024125771A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Lukas Kranz. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200168575A1. Автор: Chooi Mei Chong,Thomas Bemmerl,Michael Stadler,Edward Myers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of making planar-type bottom electrode for semiconductor device

Номер патента: US20090023264A1. Автор: Hsiao-Che Wu,Wen-Li Tsai,Ming-Yen Li. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Methods of forming magnetic memory cells and semiconductor devices

Номер патента: US20180287053A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Methods of forming magnetic memory cells and semiconductor devices

Номер патента: US20160359105A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12068316B2. Автор: An-Chi Liu,Yu-Cheng Tung,Fu-Che Lee,Gang-Yi Lin,Huixian Lai,Yi-Wang JHAN. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20190267373A1. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09461036B2. Автор: Hisamitsu Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240079410A1. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Diode structures of stacked devices and methods of forming the same

Номер патента: US12094869B2. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices having late-formed isolation structures

Номер патента: US11908857B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240234211A9. Автор: Seulgi Yun,Keetae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming an integrated power device and structure

Номер патента: US20100133610A1. Автор: Stephen P. Robb,Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-03.

Fabricating method of semiconductor structure

Номер патента: US20180061963A1. Автор: Chih-Wei Yang,Po-Wen Su,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wen-Chien Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12046515B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347387A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024055294A1. Автор: Hui Yan,Chunhua ZHOU,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11869892B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210013196A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09613979B2. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor arrangement and method of manufacture

Номер патента: US20240258374A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

3D memory process and structures

Номер патента: US09859292B2. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09893186B2. Автор: Shigenobu Maeda,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jae-Hoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09431537B2. Автор: Shigenobu Maeda,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jae-Hoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449882B1. Автор: Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: US20240290866A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Taesun Kim,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09595476B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583506B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303195A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680031B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685462B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Daisuke Matsushita,Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Contact structure for semiconductor devices and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20020050627A1. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230354717A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor arrangement and method of manufacture

Номер патента: US11894425B2. Автор: Cheng-Bo Shu,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor arrangement and method of manufacture

Номер патента: US20210066456A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240204041A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Mariko Yamashita,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20210167186A1. Автор: HAIYANG Zhang,Yan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240266411A1. Автор: Sheng-Jier Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194772A1. Автор: Qiyue Zhao,Zhiwen DONG,Shaopeng CHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20030057503A1. Автор: Tatsuo Yoneda,Bungo Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20170098649A1. Автор: Manabu Yanagihara,Takahiro Ohori,Chikashi Hayashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321862A1. Автор: Hiroshi Kono. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09905563B2. Автор: Manabu Yanagihara,Takahiro Ohori,Chikashi Hayashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20100187653A1. Автор: Seiji Otake. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-29.

Electronic device having thin film transistor using organic semiconductor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466796B2. Автор: Masahiko Akiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536825B2. Автор: Choong-ho Lee,Jung-Gun You,Wei-Hua Hsu,Hyung-Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984483B2. Автор: Sheng-Jier Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09806079B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Keitaro Imai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20210288177A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09559112B2. Автор: Youngwoo Park,Jungdal CHOI,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of forming a semiconductor device with STI structures on an SOI substrate

Номер патента: US9741625B2. Автор: Ran Yan,Pei-Yu Chou,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09502532B2. Автор: Kwan Heum Lee,Dong Chan Suh,Hong Bum PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240274693A1. Автор: Ming-Hua Yu,Wei-Siang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11715636B2. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

A method of forming a membrane electrode assembly and its use in a fuel cell

Номер патента: EP1054739A4. Автор: Andrew Kindler,Stephen F Dawson. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2007-10-17.

Method of Protecting a Laser Against Damage Caused by Undesired Incident Light in a Resonator

Номер патента: US20090103578A1. Автор: Claus Seibert. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2009-04-23.

Method of protecting a laser against damage caused by undesired incident light in a resonator

Номер патента: US7940820B2. Автор: Claus Seibert. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2011-05-10.

Method of assembling a plurality of lamelliform components of three different types in a predetermined sequency

Номер патента: GB1414796A. Автор: . Владелец: FULEN SOC. Дата публикации: 1975-11-19.

Method of manufacturing p-channel fet device with sige channel

Номер патента: US20160315016A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of manufacturing P-channel FET device with SiGe channel

Номер патента: US09553030B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20170069550A1. Автор: Ran Yan,Pei-Yu Chou,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Manufacturing method of the semiconductor device electrode having three metal layers

Номер патента: US09583580B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming a capacitor structure and capacitor structure

Номер патента: US20170317161A1. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Ming-Cheng Chang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09972644B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming a capacitor structure and capacitor structure

Номер патента: US09941348B2. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Ming-Cheng Chang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09515021B1. Автор: Hung-Lung Hu,Yu-Chih Chen,Chia-Ching Tsai,Szu-Hung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Gate-All-Around Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230261114A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240379857A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-14.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US12148836B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140284618A1. Автор: Makoto Mizukami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200235201A1. Автор: Syunki Narita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09583617B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230155351A1. Автор: Shinya Nishimura,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US12142574B2. Автор: Yao-Te Huang,Jiing-Feng Yang,Yung-Shih Cheng,Hui LEE,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device having element separation region formed from a recess-free trench

Номер патента: US09831113B2. Автор: Yukio Hayakawa,Fumihiko Inoue. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20170271518A1. Автор: Shinichi Ushikura,Ayumu Sato. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09972508B2. Автор: Kei Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12040308B2. Автор: Jin Woong Kim,Sung Kyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of forming a vertical interconnect structure for 3-D FO-WLCSP

Номер патента: US09847324B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US10312320B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor device

Номер патента: US9368616B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20190259828A1. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20180175139A1. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US10580852B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-03-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355642A1. Автор: Wei-Chuan Fang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09911844B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US09779941B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Method to repair edge placement errors in a semiconductor device

Номер патента: US11664274B2. Автор: Charles H. Wallace,Gopinath Bhimarasetti,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-30.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12068250B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09613805B1. Автор: Rudolf Berger,Werner Schustereder,Johannes Laven,Holger Schulze,Roman Baburske,Thomas Gutt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacturing method of oxide semiconductor device

Номер патента: US09412590B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080085472A1. Автор: Hyoung-Joo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Electrical coupling structure, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US11296215B2. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09431501B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20210066482A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20230207618A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9899400B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

A method of forming a silicon oxynitride film with tensile stress

Номер патента: WO2007040749A2. Автор: John Gumpher. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2007-04-12.

Semiconductor device, and production method for semiconductor device

Номер патента: US20240332410A1. Автор: Yuya Tsutsumi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09953841B2. Автор: Kuang-Chao Chen,Yen-Ju Chen,Shih-Ping Hong,Yuan-Chieh Chiu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160087051A1. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12119323B2. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210233846A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device including surface-treated semiconductor layer

Номер патента: US12046656B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240371776A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09779992B2. Автор: Yasuaki Tsuchiya,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09583577B2. Автор: Masaaki Ogawa,Chisato Furukawa,Takako Motai,Wakana Nishiwaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of forming a semiconductor component

Номер патента: US20030129778A1. Автор: Roland Munzner,Georg Bastian. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-07-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of forming metal carbide barrier layers for fluorocarbon films

Номер патента: WO2013043512A1. Автор: Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron America, Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Method of manufacturing nanowire

Номер патента: US7642177B2. Автор: Hans S. Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-05.

Method of manufacturing nanowire

Номер патента: US8258049B2. Автор: Hans S. Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-04.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12080681B2. Автор: Shang-Yun Hou,Wen-Wei Shen,Sung-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of fabricating package structure

Номер патента: US20240363587A1. Автор: Shang-Yun Hou,Wen-Wei Shen,Sung-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device packages and method of making the same

Номер патента: US09653415B2. Автор: Sung-Mao Li,Wei-Hsuan Lee,Chien-Yeh Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device processing method for material removal

Номер патента: US09640495B2. Автор: Timothy L. Olson,William Boyd ROGERS,Ferdinand Aldas. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449974B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12027597B2. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Jia-Ying Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240321985A1. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Jia-Ying Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Charge Compensation Semiconductor Devices

Номер патента: US20190123137A1. Автор: Franz Hirler,Christian Fachmann,Maximilian Treiber,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881920B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570541B2. Автор: Tomonori MIZUSHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of making damascene select gate in memory device

Номер патента: US09443867B2. Автор: Shingo OHSAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080284027A1. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240339332A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240339333A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device, or crystal

Номер патента: US09711590B2. Автор: Takashi Hirao,Kentaro Kaneko,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530899B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Jin-Tae Noh,Bi O Kim,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4882290A. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-11-21.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040235254A1. Автор: Kazuhiro Eguchi,Seiji Inumiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Three-dimensional semiconductor device with connection pattern that contacts vertical channel and source channel

Номер патента: US12075619B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods of forming a conductive line

Номер патента: US20030071356A1. Автор: Jigish Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Manufacturing method of patterned structure of semiconductor device

Номер патента: US09673049B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09601410B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Yi-Hsiu Chen,Cheng-Chun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299129A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11923273B2. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and system for making and cleaning semiconductor device

Номер патента: US8673764B1. Автор: Zhugen Yuan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-03-18.

System for making and cleaning semiconductor device

Номер патента: US09640425B2. Автор: Zhugen Yuan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming patterned hard mask layer

Номер патента: US09543408B1. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Keng-Jen Lin,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US20140191405A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Sang-Yong Park,Kyung-Lyul Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296490A1. Автор: Tatsuya Shiraishi,Masaharu Shimabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Package structure and method of fabrcating the same

Номер патента: US12148732B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Chia-Wei Wang,Hui-Jung TSAI,Yu-Tzu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20110124160A1. Автор: Michio Nemoto. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Method of manufacturing packaged device chip

Номер патента: US20200343108A1. Автор: Youngsuk Kim,Byeongdeck Jang. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Method and apparatus for sweeping overflowed resin on semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US6116487A. Автор: Nobuhiro Nagamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Method of manufacturing bump

Номер патента: US9269620B2. Автор: Hak Hwan Kim,Ho Sun Paek,Kwon Joong Kim,Jung Tae Ok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-23.

Method of manufacturing bump

Номер патента: US20130149858A1. Автор: Hak Hwan Kim,Ho Sun Paek,Kwon Joong Kim,Jung Tae Ok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device utilizing a metal gate material such as tungsten and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100093144A1. Автор: Tae Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Method of manufacturing laminate and kit of adhesive compositions

Номер патента: US20240352281A1. Автор: Yuki Usui,Tetsuya Shinjo,Takahisa OKUNO. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing laminate and kit of adhesive compositions

Номер патента: US20240363387A1. Автор: Yuki Usui,Tetsuya Shinjo,Takahisa OKUNO. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming silicide film

Номер патента: US5963829A. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20210028131A1. Автор: Michael B. Vincent,Abdellatif Zanati. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-01-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11749624B2. Автор: Michael B. Vincent,Abdellatif Zanati. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20050142789A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US6939773B2. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of manufacturing high resistivity silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09853133B2. Автор: Qingmin Liu,Shawn George Thomas. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09847226B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09627203B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device including a gate structure wrapped around a fin structure

Номер патента: US09437698B2. Автор: Tai-Yuan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US5656511A. Автор: Hitoshi Shindo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-08-12.

Method of porosifying part of a semiconductor wafer

Номер патента: US11810779B2. Автор: Bernhard Goller,Ingo Muri,Iris Moder,Sophia Friedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200052100A1. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of porosifying part of a semiconductor wafer

Номер патента: US20220310380A1. Автор: Bernhard Goller,Ingo Muri,Iris Moder,Sophia Friedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09640414B2. Автор: Nobuhiro Kinoshita,Michiaki Sugiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of forming conductive jumper traces

Номер патента: US09508635B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230335395A1. Автор: Kai Hung Lin,Cheng Yan JI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180315669A1. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20200075433A1. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US10553500B2. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device with shallow trench isolation and its manufacture method

Номер патента: US7211480B2. Автор: Hiroyuki Ota,Kengo Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520408B2. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240128326A1. Автор: Takahide Hirasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764304B2. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: US20040063278A1. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: WO2004030069A2. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-08.

Method and Apparatus for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20130220224A1. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Method of manufacturing thin-film solar cell

Номер патента: US09735307B2. Автор: Manabu Tanaka,Masashi Kondou. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160365419A1. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09966445B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US12107137B2. Автор: Yasushi Higuchi,Yuji Kato,Hidetaka Shibata,Mitsuru Okigawa,Atsushi Terai,Fujio Okui,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120421A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230014283A1. Автор: Tetsuya Shoji,Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and termination region structure thereof

Номер патента: US20140312452A1. Автор: Wen-Bin Lin. Владелец: Economic Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Method of forming poly pattern in r-string of lcd drive ic and structure of the same

Номер патента: US20090096064A1. Автор: Byung-Ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Method of forming poly pattern in R-string of LCD drive IC and structure of the same

Номер патента: US7713830B2. Автор: Byung-Ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230087572A1. Автор: Tomonari SHIODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159989A1. Автор: Jeong Pyo Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor laser element and method of making semiconductor laser device

Номер патента: US09692204B2. Автор: Shintaro MIYAMOTO,Koichi Kozu,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of fabricating a semiconductor light-emitting device and the semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20010017375A1. Автор: Shoji Hirata,Hironobu Narui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20220085177A1. Автор: Tsuyoshi Kachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030080412A1. Автор: Masaaki Irie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240322021A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and fault detecting method

Номер патента: US09935577B2. Автор: Yuji Takehara,Daisuke IIJIMA,Katsutoshi Bito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09859463B2. Автор: Korbinian Perzlmaier,Fabian Kopp,Christian Eichinger,Björn Muermann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09831351B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09691904B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09419145B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20130062611A1. Автор: Mayumi Morizuka,Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20160118491A1. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240313107A1. Автор: Hiroshi Kono,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09842940B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Nitride semiconductor device with multi-layer structure electrode having different work functions

Номер патента: US09461135B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of manufacturing thin-film solar cell

Номер патента: US20150243830A1. Автор: Manabu Tanaka,Masashi Kondou. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2015-08-27.

Method of forming semiconductor device with implanted nanosheets

Номер патента: US20230411480A1. Автор: Zhiqiang Wu,Nuo XU,Zhi-Ren Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20200287012A1. Автор: Toru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12021122B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US11069788B2. Автор: Toru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-20.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303566A1. Автор: Hirofumi BABA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12113126B2. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Takako Motai,Keiko Kawamura,Kaori Fuse. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466671B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240097045A1. Автор: Makoto Mizukami,Yoichi Hori,Yuto Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304683A1. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: EP4435872A1. Автор: Hiroshi Kono. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240332380A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20200091338A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060043418A1. Автор: Katsuyoshi Washio,Makoto Miura,Hiromi Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040368B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing light emitting device and method of manufacturing light emitting module

Номер патента: US12119433B2. Автор: Masaya Miyazaki,Kazuyo Iwamoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method of forming monolithic surge protection resistor

Номер патента: EP4338205A1. Автор: Timothy E. Boles,James J. Brogle. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor device and method of forming monolithic surge protection resistor

Номер патента: US12015051B2. Автор: Timothy E. Boles,James J. Brogle. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor module and method of manufacturing semiconductor module

Номер патента: US20240014156A1. Автор: Yasuaki Hozumi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor module and method of manufacturing semiconductor module

Номер патента: US12062630B2. Автор: Yasuaki Hozumi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090065864A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200235265A1. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304606A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of operating a reverse conducting IGBT

Номер патента: US09571087B2. Автор: Anton Mauder,Frank Pfirsch,Carsten Schaeffer,Dorothea Werber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09606012B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Yutaka Akiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Fabrication method of semiconductor device using epitaxial growth process

Номер патента: US5723378A. Автор: Fumihiko Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010033016A1. Автор: Kazumi Tanaka,Masato Sumikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Transistor devices, power devices, and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP4402723A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Bipolar junction transistor guard ring structures and method of fabricating thereof

Номер патента: EP2589083A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

Bipolar junction transistor guard ring structures and method of fabricating thereof

Номер патента: WO2012002999A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US6703686B2. Автор: Takahiko Konishi,Masahiko Takeno. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030222327A1. Автор: Ichiro Omura,Masakazu Yamaguchi,Wataru Saito,Masaru Izumisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11088274B2. Автор: Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-08-10.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210336053A1. Автор: Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US20240315042A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09741824B2. Автор: Huojin Tu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (SoC) applications

Номер патента: US09520494B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US9023253B2. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li,Ran Guo. Владелец: Soltrium Technology Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150162481A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150159026A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor structure and method of overlay measurement of semiconductor structure

Номер патента: US20240266234A1. Автор: Chan Hen YANG,Yun Chen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US09607942B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859376B2. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Article with buffer layer and method of making the same

Номер патента: US09818888B2. Автор: Cheng-Hung Hung,Benjamin Kabagambe,James W. Mccamy,Gary J. Nelis,Zhixun MA,Kwaku K. Koram. Владелец: Vitro SAB de CV. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20170287811A1. Автор: Yi Pei,Mengjie ZHOU. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device and method of designing the same

Номер патента: US20090057829A1. Автор: Nobuaki Umeki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and method of designing the same

Номер патента: US7977124B2. Автор: Nobuaki Umeki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-07-12.

Method of forming gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: US7544564B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US11456576B2. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210119418A1. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor optical component and a method of fabricating it

Номер патента: US6777768B2. Автор: Denis Leclerc,Christophe Ougier,Leon Goldstein,Jean Decobert. Владелец: Oclaro North America Inc. Дата публикации: 2004-08-17.

Optical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060219996A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Mitsuru Ekawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20180062325A1. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor USB device for detecting foreign substances and method of operating the same

Номер патента: US11749954B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Method of establishing a trust relationship for sharing resources between two tenants in a cloud network

Номер патента: US09509698B2. Автор: Ruan He,Xiangjun Qian. Владелец: ORANGE SA. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of separating ear canal wall movement information from sensor data generated in a hearing device

Номер патента: US20240015450A1. Автор: Konstantin Silberzahn,Anne Thielen. Владелец: Sonova AG. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of optimizing neighbor set during soft handoff of a mobile unit in a cdma cellular environment

Номер патента: CA2219616C. Автор: Ahmad Jalali,Ashvin Chheda. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2002-03-26.

Method of optimizing neighbor set during soft handoff of a mobile unit in a CDMA cellular environment

Номер патента: US5946621A. Автор: Ahmad Jalali,Ashvin Chheda. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1999-08-31.

A system and method of analyzing and authenticating scenarios and actions that are taking place in a plant or a factory

Номер патента: US20190268356A1. Автор: Achiel Krauz. Владелец: Halo Digital Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

A system and method of analyzing and authenticating scenarios and actions that are taking place in a plant or a factory

Номер патента: EP3465367A1. Автор: Achiel Krauz. Владелец: Halo Digital Ltd. Дата публикации: 2019-04-10.

Three-dimensional NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12096631B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240215216A1. Автор: Kang Sik Choi,Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20090001425A1. Автор: Hiroshi Morioka,Toru Anezaki,Junichi Ariyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133396B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor devices using carbon nanotubes

Номер патента: US20240381673A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of and system for making a semiconductor device

Номер патента: US20020166099A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020124228A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of hologram exposure, mask for hologram exposure, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20050063030A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor devices and semiconductor systems including a semiconductor device

Номер патента: US20190267051A1. Автор: Kwandong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20090010069A1. Автор: Hiroaki Wada,Norihiro Yamaki,Keiichirou Kikuchi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-01-08.

Method of testing radiation hardness of a semiconductor device

Номер патента: US4168432A. Автор: Richard Williams,Murray H. Woods. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of forming a branching to a pipe, and junction in a pipe

Номер патента: CA2334694C. Автор: Goran Sundholm. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-11.

Method of making a material assembly of a wear proof element used in a rotary axis structure

Номер патента: US6110408A. Автор: Chin Fu Horng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-08-29.

Method of treating disorders that would benefit from increased levels of bilirubin in a subject

Номер патента: WO2008156638A3. Автор: Fritz H Bach,Martin C Carey. Владелец: Martin C Carey. Дата публикации: 2009-05-28.

Method of calibrating of a system which operates depending on a sensor in a motor vehicle

Номер патента: US20010029413A1. Автор: Hardy Haas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Method of and device for determining the nmr- distribution of spin nuclei in a region of a body

Номер патента: CA1194107A. Автор: Cornelis M.J. Van Uijen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-09-24.

System and method of reducing the rate of interrupts generated by a device in microprocessor based systems

Номер патента: US7899956B2. Автор: Yan Zhang,Nelson Sollenberger. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Method of producing complex shapes cutouts holes cavities excavations and the like in a workpiece

Номер патента: US3616351A. Автор: Klaus Otto,Gustav Stark,Karl-Georg Gunther. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1971-10-26.

Method of increasing efficiency in the freezing of individual items of food in a freezing tunnel

Номер патента: CA2295680C. Автор: Ingolfur Arnason. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-16.

Method of increasing efficiency in the freezing of individual items of food in a freezing tunnel

Номер патента: WO1999002932A1. Автор: Ingolfur Arnason. Владелец: Ingolfur Arnason. Дата публикации: 1999-01-21.

Method of determining the presence or absence of a target nucleic acid in a cell sample

Номер патента: EP2890809A1. Автор: Markus Sprenger-Haussels,Christian Kupfer,Peer SCHATZ. Владелец: QIAGEN GmbH. Дата публикации: 2015-07-08.

Method of increasing efficiency in the freezing of individual items of food in a freezing tunnel

Номер патента: EP1009962A1. Автор: Ingolfur Arnason. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-21.

Method of and apparatus for separating foreign objects from moving tobacco particles in a rod making machine

Номер патента: US5267576A. Автор: Uwe Heitmann. Владелец: Koerber AG. Дата публикации: 1993-12-07.

Blow system and a method of use therefor in controlling the quality of recycle cooling water in a cooling tower

Номер патента: US5403521A. Автор: Kunio Takahashi. Владелец: Aqua Unity Co Ltd. Дата публикации: 1995-04-04.

Method of manufacturing a feed beater for an axial-flow crop processor in a combine harvester

Номер патента: EP3247193A1. Автор: Thomas Bojsen. Владелец: AGCO International GMBH. Дата публикации: 2017-11-29.

Method of manufacturing an iron product and use of an iron material in a cylinder head

Номер патента: WO2017137656A1. Автор: Jarkko Laine. Владелец: WÄRTSILÄ FINLAND OY. Дата публикации: 2017-08-17.

Profile spacing element for forming a window comprising more than one glass in a window frame

Номер патента: US4719728A. Автор: Lars Eriksson,Frank Andersson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-01-19.

Method and apparatus for forming a suspension of partly dissolved fly ash in a mineral acid

Номер патента: WO2019201919A1. Автор: Per Bakke,Albert Andre Buer,Odd Henning GROVEN. Владелец: Oiw Process As. Дата публикации: 2019-10-24.

Method of manufacturing a feed beater for an axial-flow crop processor in a combine harvester

Номер патента: US20170339834A1. Автор: Thomas Mygind Bojsen. Владелец: AGCO International GMBH. Дата публикации: 2017-11-30.

Photonic device and methods of forming same

Номер патента: US20230296834A1. Автор: Wei-Kang Liu,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230296928A1. Автор: Wen-Shun Lo,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of accelerating test of semiconductor device

Номер патента: US20070077762A1. Автор: Kenji Yoshida,Hiroshi Nakazawa,Koji Miyamoto,Takeshi Fujimaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US09811626B2. Автор: Kwangok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing slider

Номер патента: US20090238952A1. Автор: Mitsuru Kubo,Satoshi Tomita,Masayuki Hamakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-24.

A method and an apparatus for forming a seal

Номер патента: EP3936313A1. Автор: Paul Cooper,Chris Wilkinson,Lisa BRACKENBURY,Mark MORFITT,Duncan BOND. Владелец: Nomad Foods Europe Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Method of forming a phase shift mask

Номер патента: US20030194614A1. Автор: Hsin-Di Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Method of forming a web from fibrous materials

Номер патента: EP4361333A3. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: OWENS CORNING INTELLECTUAL CAPITAL LLC. Дата публикации: 2024-07-03.

A method of forming a composite article in a mold

Номер патента: CA2648485A1. Автор: David DeBiasi,Jon P. Pavlinac. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor testing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240295599A1. Автор: Takuya Yoshimura,Noritsugu NOMURA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Test methods of semiconductor devices and semiconductor systems used therein

Номер патента: US20180068743A1. Автор: Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Systems and methods of encoding biosensor calibration

Номер патента: RU2688222C2. Автор: Игорь ГОФМАН. Владелец: Асцензия Диабетс Кэар Холдингс АГ. Дата публикации: 2019-05-21.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DETONATOR CARTRIDGE AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120000387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Modifying the Concentration of Reactants in a Microfluidic Device

Номер патента: US20120000778A1. Автор: PARK CHARLES,KAZAKOVA IRINA. Владелец: Caliper Life Sciences, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.