Method of forming a semiconductor device in a semiconductor layer and structure thereof
Номер патента: US20030222306A1
Опубликовано: 04-12-2003
Автор(ы): Alexander Hoefler, Chi Li, Gowrishankar Chindalore
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-12-2003
Автор(ы): Alexander Hoefler, Chi Li, Gowrishankar Chindalore
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device
Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.