Procédé de réalisation d'un siliciure de vanadium supraconducteur sur une couche de silicium
Номер патента: EP4142458B1
Опубликовано: 27-03-2024
Автор(ы): Fabrice Nemouchi, Francois Lefloch, Frederic GUSTAVO, Thierry Farjot, Tom VETHAAK
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA, UNIVERSITE GRENOBLE ALPES
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-03-2024
Автор(ы): Fabrice Nemouchi, Francois Lefloch, Frederic GUSTAVO, Thierry Farjot, Tom VETHAAK
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA, UNIVERSITE GRENOBLE ALPES
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Procédé de réalisation d’un siliciure de vanadium supraconducteur sur une couche de silicium
Номер патента: FR3126547B1. Автор: Fabrice Nemouchi,Francois Lefloch,Thierry Farjot,Frederic GUSTAVO,Tom VETHAAK. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-08-25.