• Главная
  • Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Asymmetric semiconductor memory device having electrically floating body transistor

Номер патента: US09524970B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20180012893A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20170221900A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20180308848A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20150221650A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Method of maintaining the state of semiconductor memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09793277B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of maintaining the state of semiconductor memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09653467B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20170053919A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of maintaining the state of semiconductor memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US8514623B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-08-20.

Asymmetric Semiconductor Memory Device Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20230354581A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20190096889A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20200168609A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20140340972A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20200335503A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Method of maintaining the state of semiconductor memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US10748904B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Dual-port semiconductor memory and first in first out (FIFO) memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09812456B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Dual-port semiconductor memory and first in first out (FIFO) memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09589963B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory cell comprising first and second transistors and methods of operating

Номер патента: US09905564B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory device comprising electrically floating body transistor

Номер патента: US09831247B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device comprising electrically floating body transistor

Номер патента: US09431401B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09460790B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device having an electrically floating body transistor

Номер патента: US09704869B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device having an electrically floating body transistor

Номер патента: US09450090B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory cell comprising first and second transistors and methods of operating

Номер патента: US11974425B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory Device Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20240260252A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device having electrically floating body transistor

Номер патента: US09893067B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality

Номер патента: US09761311B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device comprising electrically floating body transistor

Номер патента: US11910589B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device comprising an electrically floating body transistor

Номер патента: US11882684B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory Device Comprising an Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20240107741A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

A Memory Device Comprising An Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20210159227A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han. Владелец: Zeno Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory Device Comprising Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20240224496A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Content Addressable Memory Device Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20210358547A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of operating semiconductor devices

Номер патента: US7990779B2. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Sang-Moo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-02.

Semiconductor memory device including cell isolation structure using inactive transistors

Номер патента: US8022499B2. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor memory device and method of producing the same

Номер патента: US20230301065A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of operating semiconductor devices

Номер патента: US20100118623A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Sang-Moo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09928910B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09646693B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device comprising electrically floating body transistor

Номер патента: US09799392B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Neal Berger. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods of writing junction-isolated depletion mode ferroelectric memory devices

Номер патента: US20040257853A1. Автор: Craig Salling,Brian Huber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor memory and method of writing data into the semiconductor memory

Номер патента: US20080144359A1. Автор: Keiichi Hashimoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

METHOD OF CERTIFYING SAFETY LEVELS OF SEMICONDUCTOR MEMORIES IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20210383052A1. Автор: WU Ching-Wei,FUJIWARA Hidehiro,WAN He-Zhou,YANG Xiu-Li,BU MING-EN. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220384525A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240147738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US11895849B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20210399052A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming and operating an assisted charge memory device

Номер патента: US7474562B2. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Chao-I Wu,Ming-Chang Kuo,Ming-Hsin Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-06.

Methods of forming phase change storage cells for memory devices

Номер патента: US20070018157A1. Автор: Horii Hideki. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-25.

Methods of forming phase change storage cells for memory devices

Номер патента: US7387938B2. Автор: Horii Hideki. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-17.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory and operation method thereof

Номер патента: US20050174832A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Charge trap memory devices

Номер патента: US20210242230A1. Автор: Robert Katz,Darren L. Anand,Toshiaki Kirihata,Dan Moy,Norman W. Robson,Faraz Khan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory device comprising an electrically floating body transistor and methods of using

Номер патента: US12046675B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Dinesh Maheshwari. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device comprising an electrically floating body transistor and methods of using

Номер патента: US11769832B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Dinesh Maheshwari. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory and method of operating semiconductor memory

Номер патента: EP1059673A3. Автор: Hideharu Nagasawa,Takashi Hiroshima,Hideaki Fujiwara,Shoji Sudo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-14.

A memory device and method of controlling leakage current within such a memory device

Номер патента: GB2513701A. Автор: Bo Zheng,Gus Yeung,Fakhruddin Ali Bohra. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2014-11-05.

Method of verifying layout of vertical memory device

Номер патента: US09929172B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Ki-Won Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonvolatile memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20210233929A1. Автор: Tae Hun Kim,Seung Won Lee,Min Cheol Park,Jun Hee Lim,Hye Ri Shin,Si Yeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Method of verifying layout of vertical memory device

Номер патента: US20170243882A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Ki-Won Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-24.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory module and method of arranging terminals in the semiconductor memory module

Номер патента: KR100791003B1. Автор: 백승덕,강선원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-03.

Memory system including a nonvolatile memory device, and an erasing method thereof

Номер патента: US11894092B2. Автор: Wontaeck Jung,Buil Nam,Myoungho Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210193225A1. Автор: Jong-Chul Park,Youn-yeol Lee,Seul-bee LEE,Kyung-sub LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

METHOD OF INITIALIZING AND PROGRAMING 3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170125109A1. Автор: LEE Sang Ho,PARK Byung Gook,KWON Dae Woong,KIM Do Bin. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

A memory device and method of performing access operations within such a memory device

Номер патента: GB201412312D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2014-08-27.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09768184B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210191809A1. Автор: Kijun Lee,Yeonggeol Song,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09454999B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349465B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US09536613B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Stacked semiconductor memory device with compound read buffer

Номер патента: US20110138087A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: EP3955123A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US20220051733A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Three-dimensional semiconductor device with connection pattern that contacts vertical channel and source channel

Номер патента: US12075619B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of controlling a semiconductor memory device

Номер патента: US09929173B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09601207B2. Автор: Eun Seok Choi,Se Hoon Kim,Jung Ryul Ahn,Yong Dae PARK,In Geun Lim,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of adjusting operating conditions for semiconductor memory device

Номер патента: US11763904B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20230116292A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210335402A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20230377619A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US7553728B2. Автор: Makoto Mizukami,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Method of adjusting operating conditions for semiconductor memory device

Номер патента: US20230069683A1. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of adjusting operating conditions for semiconductor memory device

Номер патента: US20220059175A1. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Memory device comprising electrically floating body transistor

Номер патента: US20230326516A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Neal Berger. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device comprising electrically floating body transistor

Номер патента: US12094526B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Neal Berger. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device comprising electrically floating body transistor

Номер патента: US09496053B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Neal Berger. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Content addressable memory device having electrically floating body transistor

Номер патента: US12080349B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09543952B2. Автор: Ki Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device and method of controlling leakage current within such a memory device

Номер патента: US20140286096A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Yew Keong Chong,Sanjay Mangal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2014-09-25.

A memory device and method of controling leakage current within such a memory device

Номер патента: GB201403904D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

Method of fabricating an array substrate for Liquid Crystal Display Device with driving circuit

Номер патента: KR100924493B1. Автор: 유상희. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2009-11-03.

Method of manufacturing a three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09799657B2. Автор: Kihyun Hwang,Bio Kim,Jintae Noh,Hanvit Yang,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods of operating a magnetic random access memory device with low critical current density

Номер патента: KR100642638B1. Автор: 박재현,정원철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-10.

Methods of operating a magnetic random access memory device having a heat-generating structure

Номер патента: KR100653708B1. Автор: 박재현,정원철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-04.

Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

Номер патента: WO2013054098A1. Автор: Atsufumi Hirohata,Kevin O'Grady,Gonzalo Vallejo Fernandez. Владелец: UNIVERSITY OF YORK. Дата публикации: 2013-04-18.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20160078921A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Device and method of controlling refresh operation for dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US09672894B2. Автор: Young-hun Kim,In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of prefetch and restore in semiconductor memory device and circuit thereof

Номер патента: KR100349371B1. Автор: 김태윤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-21.

Memory device and method of controlling an auto-refresh in the memory device

Номер патента: KR102443275B1. Автор: 김진욱,진영재. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-09-15.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Cmos device, method of manufacturing cmos device, and semiconductor memory device including cmos device

Номер патента: US20240074175A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Sense amplifier, method of operating the same, and volatile memory device including the same

Номер патента: US20240339151A1. Автор: Dongil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20230225121A1. Автор: Tomoya INDEN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Apparatus and method of generating clock signal of semiconductor memory

Номер патента: US20070297547A1. Автор: Young Do Hur. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Nanowire memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120178233A1. Автор: Jung-Hoon Lee,Jin-Gyoo Yoo,Cheol-soon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-12.

METHOD OF COUNTING NUMBER OF CELLS IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20220093160A1. Автор: Kim Minseok,KIM Hyunggon. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

METHODS OF FORMING A DEVICE, AND RELATED DEVICES, MEMORY DEVICES, AND ELECTRONIC SYSTEMS

Номер патента: US20200111800A1. Автор: Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210335402A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of selecting operating characteristics of a resistive memory device

Номер патента: US20080112206A1. Автор: An Chen,Swaroop Kaza,Sameer Haddad,Tzu-Ning Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-05-15.

method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: KR101588293B1. Автор: 이진욱,황상원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-26.

Method of manufacturing an embedded split-gate flash memory device

Номер патента: US09443946B2. Автор: Jing Zhang,Liqun Zhang,Huilin MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of manufacture of vertical split gate flash memory device

Номер патента: US6087222A. Автор: Shui-Hung Chen,Di-Son Kuo,Chrong Jung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

Method of operating a controller and a memory device related to recovering data

Номер патента: US20240185933A1. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US20040125656A1. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US6831864B2. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20170133095A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20180197615A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of initializing and programming 3D non-volatile memory device

Номер патента: US9947413B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and method of performing setting operation in semiconductor memory device

Номер патента: US9312003B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Chika Tanaka,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Method of singulating LED wafer substrates into dice with LED device with Bragg reflector

Номер патента: US09419185B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-08-16.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US09640227B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming metal line of semiconductor memory device

Номер патента: US20080003814A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Hee Hong,Cheol Mo Jeong,Jung Geun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Apparatus and method of generating DBI signal in semiconductor memory apparatus

Номер патента: US7408483B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-05.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A3. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A2. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-19.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A2. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210166769A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP3915115A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: US20210151084A1. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A3. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-30.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US9305609B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210280258A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of manufacturing a lead for an active implantable medical device with a chip for electrode multiplexing

Номер патента: US11564605B2. Автор: Jean-Francois Ollivier. Владелец: SORIN CRM SAS. Дата публикации: 2023-01-31.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and methods of operation

Номер патента: EP4207202A2. Автор: Taeyoung Oh,Sungyong Cho,Kiheung KIM,Kyungsoo Ha,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor memory device and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US11901025B2. Автор: Jungmin YOU,Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device and method of layouting auxiliary pattern

Номер патента: US09455271B1. Автор: Yuji Setta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210208965A1. Автор: Sanguhn CHA,Juseong HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20180277546A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210104527A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220285356A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11950405B2. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of reading stored data and semiconductor memory device

Номер патента: US20020159312A1. Автор: Koji Furumi,Gen Kasai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

METHOD OF MANUFACTURING AN EMBEDDED SPLIT-GATE FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150295056A1. Автор: Zhang Jing,ZHANG Liqun,MA Huilin. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory and method for entering its operation mode

Номер патента: US20040080993A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Takashi Kusakari,Takato Shimoyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12105644B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US20240345967A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory devices, methods of operating semiconductor memory devices and memory systems

Номер патента: US20180158494A1. Автор: Min-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit and a method for controlling an operation thereof

Номер патента: US09564190B2. Автор: Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit and a method for controlling an operation thereof

Номер патента: US09443565B2. Автор: Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200365226A1. Автор: Taewon Kim,Yesin RYU,Yoonna OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140064005A1. Автор: Woong-Ju JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: US20020097622A1. Автор: Kuninori Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

Memory device including voltage regions and method of operating same

Номер патента: SG10201804015PA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,CHO SEOK-JIN,JANG JIN-HOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240282394A1. Автор: Chang Beom WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor devices having airgaps and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09773795B2. Автор: Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory devices including an air gap and methods of fabricating the same

Номер патента: US9166012B2. Автор: Jong-Min Lee,Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Manufacturing method of multi-layer capacitor of semiconductor memory device

Номер патента: KR940009633B1. Автор: 김재갑. Владелец: 정몽헌. Дата публикации: 1994-10-15.

Method of forming a contact in a flash memory device

Номер патента: GB2427755B. Автор: Dominik Olligs,Nicolas Nagel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-10.

Method of fabricating a capacitor for semiconductor memory device

Номер патента: KR940006677B1. Автор: 양수길,최원택. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-07-25.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE69511320T2. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jeong-Hyong Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-13.

Method of making a capacitor to semiconductor memory cell

Номер патента: KR960003004B1. Автор: 전영권. Владелец: 금성일렉트론주식회사. Дата публикации: 1996-03-02.

Method of making a capacitor and semiconductor memory cell

Номер патента: KR950010876B1. Автор: 김재갑. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1995-09-25.

METHODS OF FORMING A DEVICE, AND RELATED DEVICES, MEMORY DEVICES, AND ELECTRONIC SYSTEMS

Номер патента: US20200111920A1. Автор: Sills Scott E.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Gandhi Ramanathan. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Switching device, method of fabricating the same, and non-volatile memory device having the same

Номер патента: US10892409B2. Автор: Hyeong Joon Kim,Young Seok Kim,Ji Woon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-12.

METHOD OF FORMING A METAL SULFIDE ALLOY AND AN ELECTRONIC DEVICE WITH THE METAL SULFIDE ALLOY

Номер патента: US20160056039A1. Автор: Kim Hyungjun,SONG Jeong-Gyu,PARK Jusang. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

METHODS OF FORMING PMOS FINFET DEVICES AND MULTIPLE NMOS FINFET DEVICES WITH DIFFERENT PERFORMANCE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20170141227A1. Автор: JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

METHODS OF FORMING AN APPARATUS, AND RELATED APPARATUSES, MEMORY DEVICES, AND ELECTRONIC SYSTEMS

Номер патента: US20200194438A1. Автор: Lin Yu Jen,TSAI Chia Wei,Enomoto Oscar O.,Liu Chin Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Method of forming a floating gate in flash memory device

Номер патента: KR100426487B1. Автор: 박성기,김기석,이근우,심근수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-14.

Method of forming a resistor in a flash memory device

Номер патента: KR100672160B1. Автор: 박병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Method of read operation of nonvolatile semiconductor memory and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: EP1235229B1. Автор: Mitsuteru Fujitsu Limited Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-08.

Method of read operation of nonvolatile semiconductor memory and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: TW519753B. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-02-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049469A1. Автор: Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods of operating a magnetic random access memory device and related devices and structures

Номер патента: US20060083054A1. Автор: Won-Cheol Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-20.

Methods of operating a magnetic random access memory device and related devices and structures

Номер патента: US7369428B2. Автор: Won-Cheol Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-06.

Method of reading data in non-volatile memory device, and device thereof

Номер патента: US20120033502A1. Автор: Jae Hong Kim,Kyoung Lae Cho,Hee Seok EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-09.

FLIP-FLOP CIRCUIT, METHOD OF CONTROLLING A FLIP-FLOP CIRCUIT AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170243624A1. Автор: FOONG Huey Chian. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of controlling copy-back operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: CN1881473B. Автор: 成镇溶,元参规. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-17.

Methods of Performing Error Detection/Correction in Nonvolatile Memory Devices

Номер патента: US20110209031A1. Автор: Yong June Kim,Junjin Kong,KyoungLae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-25.

Methods of performing error detection/correction in nonvolatile memory devices

Номер патента: US8839080B2. Автор: Yong June Kim,Junjin Kong,KyoungLae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-16.

Method of controlling copy-back operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: US20080068884A1. Автор: Jin Yong,Sam Kyu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Method of controlling copy-back operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: CN101373638B. Автор: 成镇溶,元参规. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

ESD protection device with a tunable holding voltage for a high voltage programming pad

Номер патента: US8724272B2. Автор: Da-Wei Lai,Ying-Chang LIN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-05-13.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240237338A9. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230389315A1. Автор: Jae Young Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11980027B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240090214A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of forming isolation film of semiconductor memory device

Номер патента: KR100822606B1. Автор: 이상수,신승우,동차덕,정우리,손현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-16.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: EP0827197A3. Автор: Akihiro Nakamura,Masanori Noda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-03-11.

Method of forming a capacitor dielectric structure

Номер патента: US20030199135A1. Автор: Yueh-Chuan Lee,Wen-Sheng Lee,Jin-Shing Huang,Shih-Lung Chen. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Method of forming a capacitor dielectric structure

Номер патента: US20030119238A1. Автор: Yueh-Chuan Lee,Wen-Sheng Lee,Jin-Shing Huang,Shih-Lung Chen. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Structure of 3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11856776B2. Автор: Li Hong XIAO,Li Xun Gu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Structure of 3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220013541A1. Автор: Li Hong XIAO,Li Xun Gu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Gate Patterns of Nonvolatile Memory Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20100308396A1. Автор: Wan Sup SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Flash memory structure and method of forming the same

Номер патента: US11856775B2. Автор: Chung-Te Lin,Yung-Yu Chen,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Flash Memory Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210233931A1. Автор: Chung-Te Lin,Yung-Yu Chen,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Flash memory structure and method of forming the same

Номер патента: US10978473B2. Автор: Chung-Te Lin,Yung-Yu Chen,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Flash Memory Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20200258899A1. Автор: Chung-Te Lin,Yung-Yu Chen,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Flash memory structure and method of forming the same

Номер патента: US20240099005A1. Автор: Chung-Te Lin,Yung-Yu Chen,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming gate spacer in non-volatile memory device

Номер патента: KR100611079B1. Автор: 임헌영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-09.

Method of Forming Gate electrode in non-volatile memory device

Номер патента: KR100840791B1. Автор: 박희정,김진성,이영철,인찬국,양재현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-06-23.

Method of forming a gate in a flash memory device

Номер патента: KR100671626B1. Автор: 이정웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Manufacturing method of a charge trap type non-volatile memory device

Номер патента: KR101566921B1. Автор: 이학선,신경섭,최정동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-11-09.

Method of manufacturing a dielectric layer in a memory device that includes nitriding step

Номер патента: US7361560B2. Автор: Ki-chul Kim,Jai-Dong Lee,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Method of fabricating the floating gate of flash memory device

Номер патента: CN1988111A. Автор: 金成均. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-27.

Method of fabricating the floating gate in flash memory device

Номер патента: KR100661236B1. Автор: 김성균. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-12-22.

Fabricating method of electrically erasable and programmable read only memory device

Номер патента: KR100512464B1. Автор: 김동욱,한창훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-07.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11778805B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12082395B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240373620A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system and method of operating method thereof

Номер патента: US20220012181A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120112155A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20140160868A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

Device and method to reduce wordline RC time constant in semiconductor memory devices

Номер патента: US7570504B2. Автор: Huy Thanh Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-04.

Non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US20230052035A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-16.

Methods of testing repair circuits of memory devices

Номер патента: US20240290414A1. Автор: Taeyun Kim,Taewon Kim,Sanghee KANG,Kiho Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US7593266B2. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US11882704B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219934A1. Автор: ByeongJu Bae,Duckhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

secure non-volatile memory device and method of protecting data therein

Номер патента: US20100002511A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of manufacturing sealed body and method of manufacturing light-emitting device

Номер патента: US09666755B2. Автор: Akihisa Shimomura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11805710B2. Автор: Heejung Kim,Taehong Min,Chorong Park,Joohee SEO,Eunsuk HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240234339A9. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140103283A1. Автор: Kwon Hong,Kee-Jeung Lee,Beom-Yong Kim,Woo-young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Memory device, memory system including memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US20240004557A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Storage device and method of operating of the storage device

Номер патента: US20210096773A1. Автор: Kyu Tae Park,Jin Yong Seong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Disturb-resistant non-volatile memory device using via-fill and etchback technique

Номер патента: US09831289B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09734008B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09733870B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device and method of reading data from the semiconductor memory device

Номер патента: US20040257896A1. Автор: Seong-ho Jeung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor memory/integrated circuit device with discriminator for diagnostic mode of operation

Номер патента: EP0520696A2. Автор: Seiichi c/o NEC Corporation Morigami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-12-30.

Method of forming isolation film of semiconductor memory device

Номер патента: KR101002474B1. Автор: 김은수,조휘원,조종혜. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-12-17.

Method of Forming Isolation Layer of Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20080206957A1. Автор: Min Sik Jang,Kwang Hyun Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of Forming Isolation Layer of Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20090170321A1. Автор: Whee Won Cho,Jong Hye Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of forming isolation structure of semiconductor memory device

Номер патента: US20080242047A1. Автор: Doo Ho Choi,Kwang Hyun Yun,Wan Sup SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Manufacturing method of capacitor of highly integrated semiconductor memory device

Номер патента: KR940009612B1. Автор: 조현진,오경석,안지홍. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-10-15.

Method of forming capacitor of a semiconductor memory device

Номер патента: US6673668B2. Автор: Ki-Seon Park,Kyong-Min Kim,Han-Sang Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

METHOD OF FABRICATING A THREE-DIMENTIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130164894A1. Автор: KIM Hansoo,SON Byoungkeun,Kim Jinho,Lee Wonjun,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

METHOD OF ADJUSTING OPERATING CONDITIONS FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220059175A1. Автор: Suzuki Shinji. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-02-24.

MEMORY SYSTEM INCLUDING A MEMORY DEVICE, AND METHODS OF OPERATING THE MEMORY SYSTEM AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190147965A1. Автор: YOON SANG-YONG,YIM HYE-JIN. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

METHOD OF FABRICATING A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150318302A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Method of forming pad layer in semiconductor memory device

Номер патента: KR970054130A. Автор: 이주영,장순규. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

Method of fabricating capacitor in ferroelectric semiconductor memory device

Номер патента: KR100717767B1. Автор: 최은석,염승진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-11.

Method of fabricating storage capacitor in semiconductor memory device, and storage capacitor structure

Номер патента: US6911372B2. Автор: Wook-sung Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-28.

Repair circuit and method of repairing defects in a semiconductor memory device

Номер патента: US20070133323A1. Автор: Byung-Hoon Jeong,Hyung-Jik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of inputting address in a non volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: KR100953062B1. Автор: 박영수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-13.

Method of writing data to a semiconductor memory device

Номер патента: US7257032B2. Автор: Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa,Masaki Fujiu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-14.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE19813457C2. Автор: Woong-Lim Choi,Kyeong-Man Ra. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Method of driving and testing a semiconductor memory device

Номер патента: US6940769B2. Автор: Shun-Ker Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-06.

Method of Reading Serial Data from Semiconductor Memory and Semiconductor Memory

Номер патента: KR960015575A. Автор: 요시유끼 이시다. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-05-22.

Method of manufacturing a capacitor for semiconductor memory devices

Номер патента: TW471097B. Автор: Dong-Su Park,Se-Min Lee. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2002-01-01.

Method of operating memory controller and nonvolatile memory device including same

Номер патента: KR102409405B1. Автор: 김영관. Владелец: 주식회사 노바칩스. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: US20190371373A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Three-dimensional non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US20230200091A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

METHODS OF FORMING AND OPERATING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING DUMMY CHIPS

Номер патента: US20180323160A1. Автор: Shih Shing-Yih,Shih Neng-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making and operating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: KR100267870B1. Автор: 요시미츠 야마우찌. Владелец: 마찌다 가쯔히꼬. Дата публикации: 2000-10-16.

Method of producing metal-oxide film- semiconductor memory

Номер патента: JPS5827360A. Автор: ジヨン・エル・マツコラム. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1983-02-18.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240015973A1. Автор: Wei Xu,Bo Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan,Fazhan WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240138148A1. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210249597A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Disturb-resistant non-volatile memory device using via-fill and etchback technique

Номер патента: US20140319450A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240136305A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

METHOD OF PROVIDING AN OPERATING VOLTAGE IN A MEMORY DEVICE AND A MEMORY CONTROLLER FOR THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130250691A1. Автор: KIM Moo Sung,Hahn Wook Ghee. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF PERFORMING ACCESS OPERATIONS WITHIN SUCH A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150049563A1. Автор: Chong Yew Keong,Maiti Bikas,Kinkade Martin Jay. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2015-02-19.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF PERFORMING A WRITE OPERATION IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160118091A1. Автор: Hoxey Paul Darren,ASENOV Plamen Asenov,NEW David Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING LEAKAGE CURRENT WITHIN SUCH A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140269091A1. Автор: Zheng Bo,Yeung Gus,Bohra Fakhruddin Ali. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

SWITCHING DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20190221739A1. Автор: Kim Young Seok,PARK Ji Woon,Kim Hyeong Joon. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

METHOD OF PROVIDING AN OPERATING VOLTAGE IN A MEMORY DEVICE AND A MEMORY CONTROLLER FOR THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140347935A1. Автор: KIM Moo Sung,Hahn Woo Ghee. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD OF PROVIDING AN OPERATING VOLTAGE IN A MEMORY DEVICE AND A MEMORY CONTROLLER FOR THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150325304A1. Автор: KIM Moo Sung,Hahn Wook Ghee. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Method of programming a multi-bit non-volatile memory device and multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: EP1892721A3. Автор: Hyun-Sun Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-30.

Non-volatile memory device and method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20100315881A1. Автор: Jae-ho Kim,Hyun-Sil Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of fabricating flat-cell mask read-only memory devices

Номер патента: US20030153153A1. Автор: Hee-Jueng Lee,Myung-Ho Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-08-14.

METHODS OF COMMAND BASED AND CURRENT LIMIT CONTROLLED MEMORY DEVICE POWER UP

Номер патента: US20190027196A1. Автор: Pekny Ted,Yu Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METHOD OF PERFORMING WEAR MANAGEMENT IN NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160078966A1. Автор: Li Tseng-Ho,Chen Yung-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

METHOD OF FORMING METAL OXIDE LAYER AND MAGNETIC MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160133831A1. Автор: KIM Ki Woong,Lim Woo Chang,LEE YunJae,Lee Joonmyoung,PARK Yongsung. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

METHOD OF INITIALIZING AND PROGRAMING 3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170133095A1. Автор: LEE Sang Ho,PARK Byung Gook,KWON Dae Woong,KIM Do Bin. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

METHODS OF ENHANCING SPEED OF READING DATA FROM MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210166769A1. Автор: Liang Ke,Xiang Li. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

SYSTEM AND METHOD OF COMMAND BASED AND CURRENT LIMIT CONTROLLED MEMORY DEVICE POWER UP

Номер патента: US20160180892A1. Автор: Pekny Ted,Yu Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

METHOD OF INITIALIZING AND PROGRAMING 3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180197615A1. Автор: LEE Sang Ho,PARK Byung Gook,KWON Dae Woong,KIM Do Bin. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

METHOD OF MANUFACTURING A THREE-DIMENSIONAL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200194441A1. Автор: LEE Da Som,KWON Eun Mee. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

SYSTEM AND METHOD OF COMMAND BASED AND CURRENT LIMIT CONTROLLED MEMORY DEVICE POWER UP

Номер патента: US20170221532A1. Автор: Pekny Ted,Yu Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

METHODS OF ENHANCING SPEED OF READING DATA FROM MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210280258A1. Автор: Liang Ke,Xiang Li. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

METHODS OF COMMAND BASED AND CURRENT LIMIT CONTROLLED MEMORY DEVICE POWER UP

Номер патента: US20200294555A1. Автор: Pekny Ted,Yu Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Method of forming a isolation film in flash memory device

Номер патента: KR100418304B1. Автор: 이성은. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-14.

Method of forming an isolation layer in flash memory device

Номер патента: KR100972681B1. Автор: 이상수,동차덕,정우리,손현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of forming bit line contact holes in a semiconductor device with reduced photolithography process

Номер патента: KR100341663B1. Автор: 하대원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-24.

Method of reading page data of nand flash memory device

Номер патента: KR101348354B1. Автор: 황선모. Владелец: 주식회사 디에이아이오. Дата публикации: 2014-01-08.

Method of forming concave type capacitor for ferroelectric memory device

Номер патента: KR100418589B1. Автор: 권순용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-14.

Method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: CN101266838B. Автор: 朴成济. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-16.

Method of forming staircase structures for three-dimensional memory device double-sided routing

Номер патента: WO2020000296A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: US8760951B2. Автор: Jin Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

METHOD OF CONVERSION CONVERSION FOR A DOUBLE CONNECTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: SE9002149L. Автор: J-K Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-11-05.

Method of forming contact plug in a flash memory device

Номер патента: KR20080030309A. Автор: 김완수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-04.

Method of writing, erasing, and controlling memory for memory device

Номер патента: US7188210B2. Автор: Shinpei Komatsu,Yumi Ishii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-06.

Method of reading page data of nand flash memory device

Номер патента: KR20130133935A. Автор: 황선모. Владелец: 주식회사 디에이아이오. Дата публикации: 2013-12-10.

Method of operating semiconductor device

Номер патента: US20100127759A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Sang-Moo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530789B2. Автор: Joonhee Lee,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Manufacturing method of semiconductor memory device with air gap isolation layers

Номер патента: US09293360B2. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Reference cells for spin torque based memory device

Номер патента: WO2011084905A2. Автор: John K. DeBrosse,Daniel C. Worledge. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of smart saving high-density data and memory device

Номер патента: US20170060467A1. Автор: Marco Castellano,Marco Leo,Paolo Rosingana,Alessandro Giuliano Locardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of & apparatus for determining ac calibration errors & apparatus using device with ac calibration errors

Номер патента: GB8811874D0. Автор: . Владелец: John Fluke Manufacturing Co Inc. Дата публикации: 1988-06-22.

Vertically stacked diode-trigger silicon controlled rectifier

Номер патента: US12125842B2. Автор: Souvick Mitra,Anindya Nath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Device for electrostatic discharge protection using silicon controlled rectifier

Номер патента: EP4404262A1. Автор: Jinwoo Jung,Chanhee Jeon,Kyoungil Do,Jooyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Vertical internally-connected trench cell (V-ICTC) and formation method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030098483A1. Автор: John Walsh,Brian Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of assembling and efficient manufacture of high performance electronic device with cabled interconnects

Номер патента: US20230012133A1. Автор: Michael D. Long. Владелец: Amphenol Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

METHOD OF ASSEMBLING AND EFFICIENT MANUFACTURE OF HIGH PERFORMANCE ELECTRONIC DEVICE WITH CABLED INTERCONNECTS

Номер патента: US20230012133A1. Автор: Long Michael D.. Владелец: Amphenol Corporation. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US09424905B2. Автор: Jungwoo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09922687B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09431076B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US20150162080A1. Автор: Jungwoo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972405B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09812223B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US09406366B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20110128783A1. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20100259993A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20120120731A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

High performance silicon controlled rectifier devices

Номер патента: US20240304612A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy,Sagar Premnath KARALKAR. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

High performance silicon controlled rectifier devices

Номер патента: EP4428924A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy,Sagar Premnath KARALKAR. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor memory device and driving method of the same

Номер патента: US09606743B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of operating memory device using different read conditions

Номер патента: US09472275B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON,Young-Hoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Silicon controlled rectifiers

Номер патента: US20240347528A1. Автор: Steven M. Shank,Souvick Mitra,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy,Sagar P. Karalkar. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09711515B1. Автор: Masaru Kito,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device, controller, memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240274217A1. Автор: Jin Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240321365A1. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672913B1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Controller for controlling semiconductor memory device and method of operating the controller

Номер патента: US12046295B2. Автор: Sang Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4443434A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240331783A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US10658051B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-19.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US10541036B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-21.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09564230B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472291B2. Автор: Jung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349481B2. Автор: Seiichi Aritome,Angelo Visconti,Mattia Robustelli,Soo Jin Wi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09972397B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and method of operating the same

Номер патента: US09679657B2. Автор: Kyoung Jin PARK,Byeong Il HAN,Sung Ho Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device to selectively perform a single sensing operation or a multi-sensing operation

Номер патента: US09570190B2. Автор: Ka Young CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory modules including a mirroring circuit and methods of operating the same

Номер патента: US20230186954A1. Автор: KyuDong Lee,Gyuchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Controller and method of operating the same

Номер патента: US20210255941A1. Автор: Sung Kwan Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and operating method of biasing memory blocks

Номер патента: US09842653B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Page buffer, semiconductor memory device with page buffer, and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US11842773B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor memory device outputting status fail signal and operating method thereof

Номер патента: US09959938B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device with adaptive voltage scaling based on error information

Номер патента: US09786356B2. Автор: Jonathan Liu,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230229344A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory system having lower pages and upper pages performing status read operation and method of operating the same

Номер патента: US9691448B2. Автор: Sok Kyu Lee,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of operating microelectronic package

Номер патента: US20220157800A1. Автор: Lin Ma,Alessandro Minzoni,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device, method of operating the same and memory system including the same

Номер патента: US09466345B2. Автор: Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Controller and method of operating the same

Номер патента: US20220130465A1. Автор: Ji Hong Kim,Min Kyung Choi,Ji Yeun KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Integrated circuit memory devices with per-bit redundancy and methods of operation thereof

Номер патента: US20020110029A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12089417B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09741454B2. Автор: Sang Kyu Lee,Chang Geun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09466339B2. Автор: Jong Soon Leem. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Nonvolatile memory devices with common source line voltage compensation and methods of operating the same

Номер патента: US8446769B2. Автор: BoGeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device with modified command and associated methods and systems

Номер патента: US11755412B2. Автор: Debra M. Bell,Joshua E. Alzheimer,Todd M. BUERKLE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device structure

Номер патента: US09966349B2. Автор: John Moore,Joseph F. Brooks. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09490013B1. Автор: Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210012849A1. Автор: Jaeho Lee,Kyungryun Kim,Yoonna OH,Hohyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049875B2. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A3. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Ramin Ghodsi. Дата публикации: 2008-07-03.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180226129A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180005696A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device with different parity regions

Номер патента: US09977712B2. Автор: Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US09966144B2. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Wear leveling for a memory device

Номер патента: US09710376B2. Автор: Robert Baltar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory device and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US20240221860A1. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20080025086A1. Автор: Lu-Ping chiang,Po-An Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210319838A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A2. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6489644B1. Автор: Jeong Min Seon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028220A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11929126B2. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor memory device and operation method

Номер патента: US20220413748A1. Автор: Makoto Senoo,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US20230129949A1. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory device, semiconductor memory module and operation methods thereof

Номер патента: US20150124542A1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20180269223A1. Автор: Takashi Ohashi,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Memory device performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20240274210A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device for performing erase verify operation on cell string group basis and method of operating the same

Номер патента: US20240312539A1. Автор: Jun Young KWEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US12125553B2. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of operating storage devices

Номер патента: US09928902B2. Автор: Sang-Won Hwang,Joon-Soo KWON,Seung-Cheol Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory device, memory system, and method of operating the device

Номер патента: US09904491B2. Автор: Dong-Uk Kim,Jin-Ho Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09852796B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Kee-Ho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device having memory cells arranged three-dimensionally and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806088B2. Автор: Takuya INATSUKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US09785380B2. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09672931B2. Автор: Myung-Hoon Choi,Seok-min Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09607694B1. Автор: Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443868B1. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of writing data of a nonvolatile semiconductor memory device including setting and removing operations

Номер патента: US09355722B2. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070145486A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20120314518A1. Автор: Sang Oh Lim,Ho Youb Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20150262656A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12099639B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Device and method of manufacturing for a snow and water sport sliding device with a pneumatic core

Номер патента: US20240050833A1. Автор: Krista Schmidinger. Владелец: Moss Cos. Дата публикации: 2024-02-15.

Device and method of manufacturing for a snow and water sport sliding device with a pneumatic core

Номер патента: US11883736B2. Автор: Krista Schmidinger. Владелец: Moss Cos. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory Cell Comprising First and Second Transistors and Methods of Operating

Номер патента: US20240243492A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082410B2. Автор: Hyung Joon Kim,Hyun Jung Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US11716914B2. Автор: Juan Boon Tan,Jianxun Sun,Tupei Chen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Controller, memory system and operating method of the controller

Номер патента: US20200310982A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Raid system including nonvolatile memory and operating method of the same

Номер патента: US20180150354A1. Автор: Ju Pyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240074189A1. Автор: Hyun Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory element and method of manufacturing the same, and memory device

Номер патента: US20120145987A1. Автор: Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Apparatus and method of batch assembly

Номер патента: US09918420B2. Автор: Kevin Huang,Wei-Lun Sung,Chihchung (Gary) Chen. Владелец: Imec Taiwan Co. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of positioning by using image

Номер патента: US20040140952A1. Автор: Shu-fen Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20090159558A1. Автор: Stéphane CHOLET. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Protecting a memory device from becoming unusable

Номер патента: US09606853B2. Автор: Nitin V. Sarangdhar,Sudhakar Otturu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

MEMORY CONTROLLER, METHOD OF CONTROLLING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING BOTH

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Kim Jungug. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Memory element, method of manufacturing the same, and semiconductor memory device

Номер патента: JP5446393B2. Автор: 潤 角野. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-03-19.

Method of fabricating a buried bit line and memory device including the same

Номер патента: TWI220315B. Автор: Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Method of merging blocks for a semiconductor memory device

Номер патента: KR101635446B1. Автор: 박기태,김민석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-07-04.

Method of and apparatus for controlling a machine or a device with a system of operating places

Номер патента: CZ328288A3. Автор: Urs Meyer,Markus Erni. Владелец: Rieter Ag Maschf. Дата публикации: 1993-03-17.

Method of designing semiconductor device

Номер патента: US10552566B2. Автор: Jin Young Park,Myung Jin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-04.

Method of driving an electro-optical device

Номер патента: US5424752A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Akira Mase,Masaaki Hiroki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-13.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230354722A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of forming gate of flash memory device

Номер патента: US20080003754A1. Автор: Cheol Mo Jeong,Jung Geun Kim,Whee Won Cho,Seong Hwan Myung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Metadata registers for a memory device

Номер патента: US20240126438A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Olivier Alavoine,Michael Hawjing Lo,Pankaj Sharadchandra Deshmukh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11744165B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Metadata registers for a memory device

Номер патента: WO2024086414A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Olivier Alavoine,Pankaj Deshmukh,Michael Hawjing Lo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods of Performing Error Detection/Correction in Nonvolatile Memory Devices

Номер патента: US20140082458A1. Автор: KIM Yong June,KONG JUNJIN,CHO Kyounglae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-20.

METHOD OF SMART SAVING HIGH-DENSITY DATA AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170060467A1. Автор: Leo Marco,Castellano Marco,Rosingana Paolo,Locardi Alessandro Giuliano. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Management method of metadata for preventing data loss and memory device using the same

Номер патента: US10782895B2. Автор: Chia-Hao Hsu,Cheng-Kuang Hsieh. Владелец: Wiwynn Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Boot method of dual basic input/output system (BIOS) and electronic device with same

Номер патента: CN107766102B. Автор: 纪文伟,陈育男,陈晓礼. Владелец: USI Electronics Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US7413953B2. Автор: Jong Woon Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US09727401B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Controller for semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210042221A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Controller including map table, memory system including semiconductor memory device, and method of operating the same

Номер патента: US09690698B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4451156A1. Автор: Jisoo Kim,Hyungsup KIM,Myeongjong Lee,Seongchan Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor memory device with floating gate electrode

Номер патента: US5687119A. Автор: Keun Hyung Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-11.

Storage control system with data management mechanism of parity and method of operation thereof

Номер патента: WO2014085702A1. Автор: Robert W. Ellis,Ryan Jones. Владелец: SMART Storage Systems, Inc.. Дата публикации: 2014-06-05.

Storage control system with data management mechanism of parity and method of operation thereof

Номер патента: US09671962B2. Автор: Robert W. Ellis,Ryan Jones. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with user defined operations and associated methods and systems

Номер патента: US12045129B2. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with user defined operations and associated methods and systems

Номер патента: US20240370332A1. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US20160259674A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Storage device and a method of operating the same

Номер патента: US20240220103A1. Автор: JinHyuk Lee,Dongeun Shin,Dohyeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods of operating memory devices within a communication protocol standard timeout requirement

Номер патента: US09423960B2. Автор: Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20200409854A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20190324915A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20210247932A1. Автор: Seok Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20240202067A1. Автор: Dong Kim,Changkyu Seol,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jinsoo Lim,Inhoon Park,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory devices

Номер патента: WO1999021235A1. Автор: John Martin Shannon. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-04-29.

Method of coating shearing member of dry type electric razor device with compounded agent containing solid lubricant

Номер патента: JPS5617670A. Автор: Buarutaa Buerunaa. Владелец: Braun GmbH. Дата публикации: 1981-02-19.

Control method of sliding a vehicle door by a powered sliding device

Номер патента: US6618997B2. Автор: Kazuhito Yokomori. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-16.

An arrangement and a method of lifting off pieces of meat from a transport device with hooks

Номер патента: EP1592305B1. Автор: Thomas Peter Iversen. Владелец: Slagteriernes Forskningsinstitut. Дата публикации: 2006-11-02.

Method of forming a gate pattern in flash memory device

Номер патента: KR100673195B1. Автор: 양인권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Pressure actuated valves and methods of use

Номер патента: CA3089081A1. Автор: David B. Malcolm. Владелец: MALCO LLC. Дата публикации: 2022-02-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAINTAINING THE STATE OF SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING ELECTRICALLY FLOATING BODY TRANSISTOR

Номер патента: US20120014188A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20120230123A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

Method of and pumping unit for lifting of formation fluid

Номер патента: RU2220325C1. Автор: А.П. Осипов,В.Н. Миланич. Владелец: Миланич Владимир Николаевич. Дата публикации: 2003-12-27.

Recording method of multi-valued memory and semiconductor memory device

Номер патента: JP2923643B2. Автор: 仁 三輪,博昭 小谷. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-07-26.

Method of Forming Conductive Lines of Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20120009770A1. Автор: Woo Won Sic. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

Power supply method of Vpp active detector of semiconductor memory device

Номер патента: KR980011468A. Автор: 김병철,서동일. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

A new method of increasing access cycle time in a memory device is achieved

Номер патента: TW200613972A. Автор: Chiun-chi Shen,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-01.

A new method of increasing access cycle time in a memory device is achieved

Номер патента: TWI259953B. Автор: Chiun-chi Shen,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-11.

Method of fabricating capacitor in the semiconductor memory device

Номер патента: KR100250683B1. Автор: 임찬. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-04-01.

Method of fabricating a capacitor for semiconductor memory device

Номер патента: KR940007389B1. Автор: 김경훈,박문규,강성훈. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-08-16.

METHOD OF OPERATING MEMORY CONTROLLER, MEMORY CONTROLLER, MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20120265927A1. Автор: Cho Kyoung-Lae,Kong Jun-Jin,Kim Jae-Hong. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

Method of manufacturing stack capacitors of semiconductor memory

Номер патента: TW200943534A. Автор: Chih-Shan Chen,Wen-Fu Yu,Chien-Hua Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-10-16.

Method of manufacturing capacitor electrode for semiconductor memory

Номер патента: JP3093225B2. Автор: 尚克 池上. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Memory device and method of controlling a write operation within a memory device

Номер патента: US20120230122A1. Автор: Kim Daeyeon,Chandra Vikas. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2012-09-13.

Memory device and method of performing a read operation within a memory device

Номер патента: US20130077416A1. Автор: Hold Betina. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

Method of Executing Wear Leveling in a Flash Memory Device According to Ambient Temperature Information and Related Flash Memory Device

Номер патента: US20140050026A1. Автор: Li Tseng-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

METHOD OF READING DATA IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120099391A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-04-26.

Method of locking artificial interface by an embedded information storage device with huggermugger function

Номер патента: TWI258082B. Автор: Keng-Yen Kuo. Владелец: Fine Art Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-11.

Method of locking artificial interface by an embedded information storage device with huggermugger function

Номер патента: TW200540624A. Автор: Keng-China Kuo. Владелец: Fineart Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-16.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ADAPTIVE DATA READER AND METHOD OF OPERATING

Номер патента: US20120000982A1. Автор: Gao WenLiang,Cherry Craig D.. Владелец: Datalogic Scanning, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

AVIONICS DEVICE, SYSTEMS AND METHODS OF DISPLAY

Номер патента: US20120001773A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MEDICAL DEVICES WITH PROXIMITY DETECTION

Номер патента: US20120003933A1. Автор: . Владелец: WELCH ALLYN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GAMING SYSTEM AND A METHOD OF GAMING

Номер патента: US20120004021A1. Автор: Shai-Hee Michael A.. Владелец: Aristocrat Technologies Australia Pty Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

IMPLANTABLE HEART ASSIST SYSTEM AND METHOD OF APPLYING SAME

Номер патента: US20120004495A1. Автор: . Владелец: Thoratec Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Inductive Powered Surgical Device with Wireless Control

Номер патента: US20120004652A1. Автор: Moua Tony,Craig Jason L.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ION MOBILITY SPECTROMETRY SYSTEMS AND ASSOCIATED METHODS OF OPERATION

Номер патента: US20120004862A1. Автор: Davis Eric J.,Hill,JR. Herbert H.. Владелец: WASHINGTON STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

EMITTER WIRE CLEANING DEVICE WITH WEAR-TOLERANT PROFILE

Номер патента: US20120000486A1. Автор: . Владелец: TESSERA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INKJET PRINTER WITH FLOAT VALVE PRESSURE REGULATOR

Номер патента: US20120001989A1. Автор: Silverbrook Kia,Low David Jeremy. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Estimation of Traffic Information, Device of Estimation of Traffic Information and Car Navigation Device

Номер патента: US20120004836A1. Автор: . Владелец: Xanavi Informatics Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE WITH ENCAPSULATED REACH-THROUGH REGION

Номер патента: US20120001681A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

FASTENER DRIVING DEVICE WITH DUST BLOWER

Номер патента: US20120000031A1. Автор: LIU Jim,Lee Sean,Liao Benson. Владелец: STANLEY FASTENING SYSTEMS, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF EVALUATING REPRODUCE SIGNAL AND OPTICAL DISC DEVICE

Номер патента: US20120002526A1. Автор: Minemura Hiroyuki,Eto Soichiro,Kurokawa Takahiro,Kusaba Shuichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEOTIDE SEQUENCES ENCODING GSH1 POLYPEPTIDES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004114A1. Автор: . Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY AND PIONEER HI-BRED INTERNATIONAL. Дата публикации: 2012-01-05.