Halfgeleider lichtemitterende inrichting met een GaN-gebaseerde halfgeleiderlaag, werkwijze voor het vervaardigen daarvan en een werkwijze voor het vervaardigen van een GaN-gebaseerde halfgeleiderlaag.
Номер патента: NL1010698A1
Опубликовано: 03-06-1999
Автор(ы): Michio Kadota, Yasushi Nanishi
Принадлежит: Murata Manufacturing Co
Опубликовано: 03-06-1999
Автор(ы): Michio Kadota, Yasushi Nanishi
Принадлежит: Murata Manufacturing Co
Halfgeleider lichtemitterende inrichting met een GaN-gebaseerde halfgeleiderlaag, werkwijze voor het vervaardigen daarvan en een werkwijze voor het vervaardigen van een GaN-gebaseerde halfgeleiderlaag.
Номер патента: NL1010698C2. Автор: Michio Kadota,Yasushi Nanishi. Владелец: Murata Manufacturing Co. Дата публикации: 1999-09-15.