P-ALGAN LAYER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE.

Главная
P-ALGAN LAYER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

P-ALGAN LAYER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120248387A1
Опубликовано: 04-10-2012
Автор(ы):
Принадлежит: DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Термины и условия
Политика конфиденциальности

P-ALGAN LAYER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

Главная

Проекты и услуги

Контакты