Dual Silicide Structure and Methods Thereof
Номер патента: US20210272855A1
Опубликовано: 02-09-2021
Автор(ы): Chih-Hao Wang, Chun-Hsiung Lin, Shih-Cheng Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-09-2021
Автор(ы): Chih-Hao Wang, Chun-Hsiung Lin, Shih-Cheng Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated circuits with dual silicide contacts and methods for fabricating same
Номер патента: US20160049490A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Wei,Jeremy A. Wahl,Shao Ming Koh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-18.