Latch-up prevention.

Latch-up prevention

Номер патента: US12062721B2
Опубликовано: 13-08-2024
Автор(ы): Kuo-Cheng Chiang, Shih-Cheng Chen, Zhi-Chang Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Latch-up prevention

Номер патента: US20220029023A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Latch-up prevention

Номер патента: US20240363759A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Latch-Up Prevention

Номер патента: US20220157994A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Latch-up prevention in semiconductor circuits

Номер патента: TWI332698B. Автор: Ke Yuan Chen,Bolger Colin. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2010-11-01.

Semiconductor device with single-event latch-up prevention circuitry

Номер патента: US9123545B2. Автор: James D. Burnett,Jianan Yang,Brad J. Garni,Thomas W. Liston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-01.

Semiconductor device with single-event latch-up prevention circuitry

Номер патента: US20140167102A1. Автор: James D. Burnett,Jianan Yang,Brad J. Garni,Thomas W. Liston. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor integrated circuit with latch-up prevention circuit

Номер патента: KR960005995A. Автор: 마사미 마스다,타다시 소메야. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1996-02-23.

ESD protection cell latch-up prevention

Номер патента: US20060044715A1. Автор: Patrick Muggler,Edwin Suryahusada. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-03-02.

Schottky Isolated NMOS for Latch-Up Prevention

Номер патента: US20140061848A1. Автор: Jam-Wem Lee,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Method and system for latch-up prevention

Номер патента: US20210117605A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Stefan Rusu,Kuo-Ji Chen,Wen-Hao Chen,Wun-Jie Lin,Po-Chia Lai,Kuan-Te Li,Yu-Ti Su,David Barry Scott,Shu-Yi YING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SINGLE-EVENT LATCH-UP PREVENTION CIRCUITRY

Номер патента: US20140167102A1. Автор: Yang Jianan,Burnett James D.,Liston Thomas W.,GARNI BRAD J.. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for fabricating a semiconductor device including a latch-up preventing conductive layer

Номер патента: US6605872B1. Автор: Dong Hoon Kim,Joong Jin Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-08-12.

Complementary integrated circuit device equipped with latch-up preventing means

Номер патента: EP0283046A3. Автор: Yukari Sugawara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-09-12.

Latch-up prevention in a two supplies cmos integrated circuit by means of a single integrated mos transistor

Номер патента: GB2202403A. Автор: Carlo Dallavalle. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Ltd. Дата публикации: 1988-09-21.

Latch-up preventer for cmos transistor

Номер патента: JPS6197858A. Автор: Seiji Hashimoto,征史橋本. Владелец: Texas Instruments Japan Ltd. Дата публикации: 1986-05-16.

Latch-up prevention in a two supplies, cmos integrated circuit by means of a single integrated mos transistor

Номер патента: GB2202403B. Автор: Carlo Dallavalle. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1991-07-31.

Adaptive body biasing circuit for latch-up prevention

Номер патента: US09762833B1. Автор: Charles Qingle Wu,Yun Hak Koh. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

High voltage generator with a latch-up prevention function

Номер патента: US5852552A. Автор: JUNG TAE KWON. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-22.

Differential input stage with bias current reduction for latch-up prevention

Номер патента: US6404266B1. Автор: Sean S. Chen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Latch-up prevention circuit for power output devices using inductive loads

Номер патента: CA1162239A. Автор: Gene K. Sendelweck. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1984-02-14.

Latch-up prevention circuitry for integrated circuits with transistor body biasing

Номер патента: EP1832951A3. Автор: Perisetty Srinivas. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2010-04-28.

Signal amplification device, bridge connection type signal amplification device, signal output device, latch-up prevention method, and program

Номер патента: JP5599684B2. Автор: 敦浩甲斐,修黒木. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-01.

Latch-up prevention circuitry for integrated circuits with transistor body biasing

Номер патента: CN101034884A. Автор: S·佩里塞地. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2007-09-12.

Power gate for latch-up prevention

Номер патента: US09646680B2. Автор: Srinivasa Raghavan Sridhara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Power gate for latch-up prevention

Номер патента: US20160019945A1. Автор: Srinivasa Raghavan Sridhara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Latch-up prevention circuit for memory storage system

Номер патента: US20210193191A1. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Sungchieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Latch-up prevention circuit for memory storage system

Номер патента: US20200005834A1. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Sungchieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Automatic latch-up prevention in SRAM

Номер патента: US09496024B1. Автор: Srinivasa Raghavan Sridhara,Parvinder Kumar Rana,Keshav Bhaktavatson Chintamani,Vipul K. Singhal,Malav Shrikant Shah,Atul Ramakant Lele,Premkumar SEETHARAMAN,Sanjeev Kumar Suman,Raviprakash S. Rao,Ajith Subramonia,Bharath Kumar Poluri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Latch-up prevention circuit for memory storage system

POWER GATE FOR LATCH-UP PREVENTION

Номер патента: US20160019945A1. Автор: Sridhara Srinivasa Raghavan. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-21.

Power Gate for Latch-Up Prevention

Номер патента: US20160189768A1. Автор: Sridhara Srinivasa Raghavan. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

LATCH-UP PREVENTION CIRCUIT FOR MEMORY STORAGE SYSTEM

Номер патента: US20210193191A1. Автор: HSU Kuoyuan (Peter),Lin Sungchieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12113105B2. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335590A1. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

PROTECTION DEVICE, COMPLEMENTARY PROTECTION DEVICE, SIGNAL OUTPUT DEVICE, LATCH-UP PREVENTING METHOD, AND COMPUTER-READABLE MEDIUM

Номер патента: US20120069483A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-22.

CMOS STRUCTURE AND LATCH-UP PREVENTING METHOD OF SAME

Номер патента: US20120091536A1. Автор: CHAO Fang-Mei,Chen Ming-I,Chin Ying-Ko,Wang Yi-Chiao. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-04-19.

SINGLE-EVENT LATCH-UP PREVENTION TECHNIQUES FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140027810A1. Автор: Yang Jianan,Burnett James D.,Liston Thomas W.,GARNI BRAD J.,Pham Huy Van. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-01-30.

Schottky Isolated NMOS for Latch-Up Prevention

Номер патента: US20140061848A1. Автор: Lee Jam-Wem,Chang Yi-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-06.

Automatic latch-up prevention device of microcomputer

Номер патента: KR970062861A. Автор: 곽병진. Владелец: Lg 전자 주식회사. Дата публикации: 1997-09-12.

Electrostatic discharge protection circuit with latch-up prevention function

Номер патента: TW506112B. Автор: Dau-Jeng Lu,Chuen-Shiang Lai,Meng-Huang Liou,Shing Su. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-11.

SIGNAL AMPLIFIER, BRIDGE CONNECTION SIGNAL AMPLIFIER SIGNAL OUTPUT DEVICE, LATCH-UP PREVENTION METHOD, AND PROGRAM STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120068764A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-22.

Latch-up prevention circuit of semiconductor device

Номер патента: TW421856B. Автор: Suei-Hung Chen,Jiau-Ren Shr,Jian-Shing Li,Bing-Lung Liau. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-02-11.

Latch-up prevention

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты