Memory system and method of programming an array of floating gate memory cells
Номер патента: TWI350541B
Опубликовано: 11-10-2011
Автор(ы): Masaaki Higashitani
Принадлежит: SanDisk Corp
Опубликовано: 11-10-2011
Автор(ы): Masaaki Higashitani
Принадлежит: SanDisk Corp
Nonvolatile memory device and method of controlling the same
Номер патента: EP4421811A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.