一种高密度缺陷碳化硅纳米线的制备方法.

Главная
一种高密度缺陷碳化硅纳米线的制备方法

一种高密度缺陷碳化硅纳米线的制备方法

Номер патента: CN103332692A
Опубликовано: 02-10-2013
Автор(ы): 于海玲, 朱嘉琦, 杨振怀, 韩杰才
Принадлежит: Harbin Institute of Technology
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.