Поисковая фраза, не более 6 слов. Направление перевода. Размерность языковой модели.

Результаты перевода.
Найдено патентов - 5 шт. Доступно для просмотра - 5 шт. Ссылка на API. Ссылка на расширенную таблицу B.6.1 по ГОСТ Р 15.011-2022

Method of growing crystals from solutions and device for realization of this method

Номер патента: RU2285068C1. Автор: Владимир Анатольевич Крамаренко. Владелец: Владимир Анатольевич Крамаренко. Дата публикации: 10-10-2006.
FIELD: fast growing of crystals, type KH 2 PO 4 (KDP) at constant filtration of solution. SUBSTANCE: proposed method includes crystallization for seed from supersaturated solution, removal of part of solution, superheating above saturation temperature, filtration and stabilization of solution temperature in crystallizer to crystallization temperature by means of filtering system. Stabilization of solution temperature is performed by periodic delivery of cleaned solution overheated above saturation temperature from filtering system at simultaneous discharge of the same amount of solution whose temperature is below crystallization temperature from crystallizer. Delivery of superheated solution is continued till moment when temperature of solution contained in crystallizer gets equal to crystallization temperature which is shown by temperature sensor. Provision is made for delivery of solution superheated above saturation temperature. Stabilization of temperature which is better than ±0.05°C is performed at periodic delivery of superheated solution. Proposed method makes it possible to make use of air cooling of foam plastic or porolon thermostats instead of liquid thermostat. Device proposed for realization of this method has bypass passage connected between inlet and outlet branch pipes in parallel with crystallizer. Filtered solution is circulating through this passage at periods when stabilization temperature is attained. Besides that, outlet end of bypass passage in brought out inside outlet branch pipe, thus excluding forming of parasites. EFFECT: enhanced efficiency. 3 cl, 3 dwg

Способ выращивания кристаллов из раствора и устройство для его осуществления

Номер патента: RU2148110C1. Автор: В.А. Крамаренко. Владелец: Крамаренко Владимир Анатольевич. Дата публикации: 27-04-2000.
Изобретение может быть использовано в технике, связанной с получением искусственных кристаллов, в частности группы КДР (KH 2 PO 4 ). Предложен способ выращивания кристаллов на затравку из пересыщенного раствора, включающий перегрев раствора, фильтрацию, охлаждение раствора до температуры кристаллизации и последующую его подачу в кристаллизатор, и устройство для осуществления этого способа, в которых раствор перед подачей в кристаллизатор разделяют на два потока для охлаждения их до разной температуры. Изобретение позволяет улучшить качество выращиваемых кристаллов за счет увеличения концентрации кластеров в пересыщенном растворе. 2 с. и 1 з.п.ф-лы, 1 ил.

Кристаллизатор для выращивания кристаллов из пересыщенного раствора

Номер патента: RU2165486C2. Автор: В.А. Крамаренко. Владелец: Крамаренко Владимир Анатольевич. Дата публикации: 20-04-2001.
Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п. Сущность изобретения: предложен кристаллизатор, состоящий из термостата, емкости для выращивания кристалла, внутри которой размещен кристаллоносец, причем конструкция кристаллоносца, снабженная системой определенным образом выполненных каналов, позволяет выращивать бездефектные кристаллы высокого качества. 4 з.п.ф-лы, 4 ил.
1