Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
27-12-2008 дата публикации

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАТ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ КРЮЧАТОВА В.И.

Номер: RU2342812C2
Автор: Крючатов Владимир Иванович (RU)
Принадлежит: ФГУП "Казанский научно-исследовательский институт радиоэлектроники" (RU)

Изобретение относится к электротехнике, в частности к технологии изготовления плат гибридных интегральных схем, и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности, приборостроении и вычислительной технике. Технический результат - повышение качества и снижение трудоемкости изготовления плат гибридных интегральных схем. Достигается тем, что технологические перемычки образуют из проводящего слоя многослойной структуры с получением на заготовке рисунка проводников, полученного фотолитографической обработкой, и последующим селективным травлением проводящего и резистивного слоев между проводниками и пленочными технологическими перемычками, а после электролитического осаждения дополнительного проводящего и защитного слоя проводника выполняют селективное химическое стравливание пленочных технологических перемычек. На подложку наносят трехслойное покрытие, состоящее из слоя адгезива, на который осаждают проводящий и защитный слой, на последний наносят фоторезист, соответствующий рисунку ...

Подробнее
Номер записи: 1
27-08-2008 дата публикации

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

Номер: RU2332741C1
Автор: Крючатов Владимир Иванович (RU)
Принадлежит: ФГУП "Казанский научно-исследовательский институт радиоэлектроники" (RU)

Изобретение относится к области электротехники, в частности к технологии изготовления тонкопленочных резисторов, и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности, приборостроении и вычислительной технике. Техническим результатом является повышение надежности резисторов путем уменьшения контактного сопротивления ρk в месте нанесения проводникового слоя на резистивный и снижения трудоемкости изготовления резисторов. Способ изготовления тонкопленочных резисторов включает в себя нанесение на подложку резистивного слоя, очистку поверхности резистивного слоя, по меньшей мере, на площади адгезионного контакта с проводниковым слоем двухслойной структуры, раствором, содержащим 80,0 г двухромовокислого калия (K2Cr2O7) на 1,0 л и серной кислоты (H2SO4) в пределах 3÷40 с при температуре раствора в пределах 20÷22°С, исключающих остатки органических соединений, с одной стороны, и, с другой, адсорбцию хрома на поверхности резистивного слоя, с последующей промывкой, например, в деионизированной ...

Подробнее
Номер записи: 2