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13-05-2016 дата публикации

METHOD FOR GENERATING A LUMINESCENCE CONVERSION MATERIAL LAYER, COMPOSITION THEREFOR AND COMPONENT COMPRISING SUCH A LUMINESCENCE CONVERSION MATERIAL LAYER

Номер: KR0101621130B1
Автор: 페터센 키어슈틴
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명의 실시예는 작동시 1차 복사선을 방출하는 반도체 소자(10)를 포함하는 기판(1) 위에 발광 변환 물질 층(20)을 형성하는 방법을 설명하고, 상기 방법은 다음 방법 단계들을 포함한다:(a) 기판(1)을 제공하는 단계;(b) 발광 변환 물질(25), 매트릭스 물질 및 용매를 포함하는 조성물을 제공하는 단계;(c) 기판(1) 위에 조성물을 제공하는 단계;(d) 기판(1) 위에 발광 변환 물질 층(20)을 형성하기 위해 용매를 적어도 부분적으로 제거하는 단계.

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Номер записи: 1
10-11-2016 дата публикации

광전자 모듈 그리고 광전자 모듈을 제조하기 위한 방법

Номер: KR0101675008B1
Автор: 보그너, 게오르크, 그루버, 슈테판
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 방사선을 방출하는 반도체 소자(1), 전기 소자(2) 및 캐리어 기판(3)을 구비하는 광전자 모듈과 관련이 있다. 캐리어 기판(3)은 상부 면(31) 및 하부 면(33)을 가지며, 이 경우 하부 면(33)에는 제 1 전기 단자들(8)이 배치되어 있고, 상부 면(31)에는 제 2 전기 단자들(5a, 5b, 6a, 6b, 7a, 7b)이 배치되어 있다. 전기 소자(2)는 캐리어 기판(3)의 상부 면(31)에 배치되어 있고, 제 1 전기 단자들(8)에 도전 접속되어 있다. 방사선을 방출하는 반도체 소자(1)는 캐리어 기판(3)으로부터 떨어져서 마주한 상기 전기 소자(2)의 측에 배치되어 있다. 또한, 방사선 방출 반도체 소자(1)는 제 2 전기 단자들(5a, 5b, 6a, 6b, 7a, 7b)에 전기 전도 가능하게 접속된 도체 구조물들(4a, 4b)도 구비한다. 본 발명은 또한 상기와 같은 광전자 모듈을 제조하기 위한 방법과도 관련이 있다.

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Номер записи: 2
06-12-2016 дата публикации

복사 방출 반도체칩

Номер: KR0101679092B1
Автор: 무스버거, 요르겐, 폰 말름, 노르빈, 로데, 패트릭, 호펠, 루츠, 엔글, 칼
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 복사 방출 반도체칩(1)이 제공되고, 상기 복사 방출 반도체칩은 캐리어(5) 및 반도체 몸체(2)를 포함하고, 반도체 몸체는 반도체층 시퀀스를 포함한다. 반도체층 시퀀스를 포함한 반도체 몸체(2)에는 방출 영역(23) 및 보호다이오드영역(24)이 형성된다. 반도체층 시퀀스는 복사의 생성을 위해 제공된 활성 영역(20)을 포함하고, 활성 영역은 제1반도체층(21)과 제2반도체층(22) 사이에 배치된다. 제1반도체층(21)은 캐리어(5)를 등지는 활성 영역(20)의 측에 배치된다. 방출 영역(23)은 리세스(25)를 포함하고, 리세스는 활성 영역을 관통하여 연장된다. 제1반도체층(21)은 방출 영역(23)에서 제1연결층(31)과 전기 전도적으로 결합되고, 이 때 제1연결층은 리세스(25)에서 제1반도체층(21)으로부터 캐리어(5)의 방향으로 연장된다. 보호다이오드영역(24)에서 제1연결층은 제2반도체층(22)과 전기 전도적으로 결합된다. 또한, 복사 방출 반도체칩의 제조 방법이 제공된다.

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Номер записи: 3
01-07-2016 дата публикации

HIGH CURRENT-CARRYING CONTACT OF AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY OR AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP

Номер: KR0101633151B1
Автор: 마우테, 마커스, 엔글, 칼
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 출원은 전자기 복사의 방출 및/또는 수신을 위해 제공된 전방측(120), 상기 전방측(120)에 대향되며 캐리어판(7) 상에 적층되기 위해 제공된 후방측(110), 및 상기 후방측(110)으로부터 전방측(120)으로 가는 방향으로 제1도전형의 층(21), 활성층(22) 및 제2도전형(23)의 층을 순서대로 갖는 활성 반도체 층시퀀스(2)를 포함하는 광전 반도체 몸체(1)에 관한 것이다. 또한, 본 출원은 이러한 반도체 몸체(1)를 포함한 반도체칩에 관한 것이기도 하다.

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Номер записи: 4
22-09-2016 дата публикации

반도체 소자를 위한 지지 몸체, 반도체 소자 및 지지 몸체의 제조 방법

Номер: KR0101659103B1
Автор: 지즐스퍼거, 마이클, 뮈첼, 스테파니
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 반도체 소자, 특히 광전 반도체 소자를 위한 지지 몸체가 제공된다. 지지 몸체는 결합층 및 도체층을 포함하고, 이러한 층은 서로를 향하는 주요면에 의해 결합되어 있다. 결합층, 도체층 또는 결합층 뿐만 아니라 도체층도 적어도 하나의 얇아진 영역을 포함하고, 상기 얇아진 영역에서 그 층 두께는 최대 층 두께보다 얇다. 결합층은 전체적으로 전기 전도성이고 적어도 도체층의 일부에 대해 전기적으로 절연되거나, 결합층이 적어도 일부분에서 전기 절연성이다. 또한, 전기 연결 도체를 포함한 반도체 소자 및 지지 몸체의 제조 방법이 제공된다.

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Номер записи: 5
28-08-2017 дата публикации

모서리 방출 반도체 레이저

Номер: KR0101772240B1
Автор: 라우어, 크리스티안, 고-메즈-이그레시아스, 알바로
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 반도체 몸체(10)를 포함한 모서리 방출 반도체 레이저가 제공되며, 상기 반도체 몸체는 도파로 영역(4)을 포함하고, 이 때 상기 도파로 영역(4)은 제1도파로층(2A), 제2도파로층(2B) 및 레이저빔(17)의 생성을 위해 제1도파로층(1A)과 제2도파로층(2B) 사이에 배치된 활성층(3)을 포함하고, 상기 도파로 영역(4)은 제1클래딩층(1A),과 반도체 몸체(10)의 성장 방향에서 도파로 영역(4) 이후에 위치한 제2클래딩층(1B) 사이에 배치되며, 반도체 몸체(10) 내에는 활성층(3)으로부터 방출된 레이저빔의 래터럴 모드를 선택하기 위한 위상 구조물(6)이 형성되고, 이 때 위상 구조물(6)은 적어도 하나의 홈(7)을 포함하고, 홈은 반도체 몸체(10)의 표면으로부터 제2클래딩층(1B)안으로 연장되며, 제2클래딩층(1B)안에는 제2클래딩층(1B)의 반도체 물질과 다른 반도체 물질로 구성된 적어도 하나의 제1중간층(11)이 매립되며, 홈(7)은 반도체 몸체(10)의 표면(5)으로부터 적어도 부분적으로 제1중간층(11)안에까지 연장된다.

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Номер записи: 6
07-06-2017 дата публикации

광전자 반도체 소자, 조명 장치, 그리고 렌즈

Номер: KR0101744129B1
Автор: 브릭, 페터
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전자 반도체 소자(10)의 적어도 한 가지 실시 예에서, 상기 광전자 반도체 소자는 하나의 기판(12) 그리고 적어도 하나의 광전자 반도체 칩(13)을 구비한다. 상기 반도체 칩(13)은 기판(12)에 부착되어 있고, 상기 기판으로부터 떨어져서 마주한 방사선 통과 면(14)을 구비하며, 이때 상기 방사선 통과 면(14)에 의해서 하나의 평면(P)이 규정되었다. 또한, 상기 광전자 반도체 소자(10)는 방사선 방출 면(2)을 갖는 렌즈(1)도 포함한다. 각각 상기 평면(P) 위에서의 높이(h)와 관련하여, 상기 렌즈(1)는 극소값(5) 그리고 두 개 이상의 극대값(7) 그리고 두 개 이상의 연결 제방(8)(connecting embankment)을 구비한다. 상기 연결 제방(8)들은 각각 하나의 극대값(7)으로부터 다른 하나의 극대값(7)까지 연장되며, 상기 극소값(5)보다는 높고 상기 연결 제방(8)에 인접하는 극대값(7)들보다는 낮은 안장점(6)(saddle point)을 각각 하나씩 포함한다.

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Номер записи: 7
12-01-2017 дата публикации

메사 및 개선된 전류 전도를 갖는 ALGALNN 반도체 레이저

Номер: KR0101695794B1
Автор: 아브라메스쿠, 아드리안 슈테판, 브뤼데를, 게오르그, 아이힐러, 크리스토프, 게르하르트, 스벤, 부름, 테레사, 슈트라우쓰, 우베
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 반도체 레이저를 생성하기 위한 방법, 및 중첩된 층들을 갖는 층 구조를 포함하는 반도체 층(1)에 관한 것으로, 중첩된 층들은 적어도: a. n-도핑 외부층(10), b. 제 3 도파관층(11), c. 액티브 존(6) ― 액티브 존(6)에 광 발생 구조물들이 배열됨 ―, d. 제 2 도파관층(13), e. 블록킹층(14), f. 제 1 도파관층(15), g. p-도핑 외부층(16)의 층 구조를 갖고, 제 1, 제 2, 및 제 3 도파관층들(15, 13, 11)은 적어도 AlxInyGa(1-x-y)N을 갖고, x는 0 내지 1의 값들로 가정될 수 있고, y는 0 내지 1의 값들로 가정될 수 있고, x와 y의 합은 0 내지 1의 값들로 가정될 수 있고, 블록킹층(14)은, 인접한 제 1 도파관층(15)의 Al 함량보다 적어도 2% 더 높은 Al 함량을 갖고, 블록킹층(14)의 Al 함량은 제 1 도파관층(15)부터 제 2 도파관층(13)을 향해 증가되고, 층 구조는 양면 그래듀에이션(9)을 갖고, 양면 그래듀에이션(9)은 블록킹층(14)의 높이로 배열되어서, 블록킹층(14)의 적어도 하나의 부분 또는 전체 블록킹층(14)이 제 1 도파관층(15)보다 폭이 더 크다. 본 발명은 추가로, 반도체 레이저를 생성하기 위한 방법에 관한 것이다.

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Номер записи: 8
05-10-2016 дата публикации

발광모듈

Номер: KR0101662857B1
Автор: 브로크, 스테픈, 휴버, 레이너
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명에 따른 발광모듈(1)은 다수의 복사 방출 반도체 소자(2), 상기 복사 방출 반도체 소자(2)가 그 위에 배치된 하나의 연결 지지부(3) 및 하나의 냉각체(6)를 포함하며, 상기 냉각체(6)는 그 전측 표면에서 상기 연결 지지부(3)와 연결되고 하나의 기본 몸체(4) 및 하나의 수단(5)을 가지며, 상기 수단(5)은 상기 냉각체(6)의 열 저항을 국부적으로 변동시킬 수 있도록 설치되며, 이때 상기 냉각체(6)의 평균 열 저항이 발광모듈(1)의 주 연장 방향을 따라 감소하는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 9
12-01-2018 дата публикации

고효율 변환 ＬＥＤ

Номер: KR0101817995B1
Автор: 바우만, 프랑크, 보이니슈, 노르베르트, 피드러, 팀, 예르만, 프랑크, 랑에, 슈테판, 빈디슈, 라이너
Принадлежит: 오스람 게엠베하, 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 매우 높은 효율성을 허용하는, LuAGaG 타입의 제 1 발광단(luminophore) 및 나이트리도실리케이트(nitridosilicate) 타입의 제 2 발광단을 포함하는 발광단 혼합을 갖는 백색을 발생시키기 위한 변환 LED가 개시된다.

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Номер записи: 10
15-12-2015 дата публикации

OPTOELECTRONIC SEMI-CONDUCTOR BODY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер: KR0101577846B1
Автор: 엔글, 칼, 로드, 패트릭, 호펠, 루츠, 스트라스부르그, 마틴
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전자 반도체 몸체는 전자기 복사를 생성하기에 적합한 활성층(22, 22')을 가지고, 제1 및 제2 주요면을 장착하며 본질적으로 편평한 반도체층 시퀀스(20)를 포함한다. 또한, 상기 반도체 몸체는 상기 반도체층 시퀀스의 상기 활성층을 적어도 2 개의 전기적으로 절연된 부분 활성층(22, 22')으로 분할하기 위해 상기 반도체층 시퀀스의 상기 활성층을 나누는 적어도 하나의 트렌치를 구비한다. 제2 주요면 위에 배치되는 제1 및 제2 연결층(410, 411, 460)은 상기 부분 활성층과 접촉하는 데 이용된다. 이때, 적어도 2 개의 부분 활성층들의 접촉을 위해 제1 및 제2 연결층들은, 2 개의 부분 활성층들이 직렬 연결을 형성하도록 상호 전기적으로 전도되어 연결된다.

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Номер записи: 11
14-11-2016 дата публикации

두 개의 광원을 구비하는 광학 투사 장치

Номер: KR0101675918B1
Автор: 그뢰취, 슈테판, 코쿠어, 지몬, 자바틸, 마티아스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 제 1 광원(1), 제 2 광원(2), 그리고 작동 중에 상기 제 1 광원(1) 및 제 2 광원(2)에 의해서 조명되는 이미징 소자(8)를 구비하는 광학 투사 장치와 관련이 있으며, 이 경우 상기 제 1 광원(1)은 작동 중에 적색 광을 방출하는 발광 다이오드 칩(11)을 포함하고, 그리고 상기 제 2 광원(2)은 작동 중에 녹색 광을 방출하는 제 1 발광 다이오드 칩(21) 및 작동 중에 청색 광을 방출하는 제 2 발광 다이오드 칩(22)을 포함하며, 이때 상기 제 2 발광 다이오드 칩(22)이 제 1 발광 다이오드 칩(21) 상에서 상기 제 1 발광 다이오드 칩(21)의 방사선 출력 면(212)에 배치됨으로써, 결과적으로 작동 중에는 상기 제 1 발광 다이오드 칩(21) 내에서 발생하는 전자기 방사선이 제 2 발광 다이오드 칩(22)을 통과하게 된다.

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Номер записи: 12
12-05-2016 дата публикации

OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT

Номер: KR0101620113B1
Автор: 제이거, 하랄드, 지트즐스퍼거, 마이클
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 구조화된 캐리어스트립(1)을 구비한 연결 캐리어(10) 및 상기 연결 캐리어의 상측(10a)에 고정되어 전기적으로 연결된 광전 반도체칩(4)을 포함하는 광전 소자가 기술되며, 상기 캐리어 스트립에서 간극(2)은 전기 절연 물질(3)로 채워진다.

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Номер записи: 13
04-08-2016 дата публикации

반도체 발광 다이오드 및 반도체 발광 다이오드의 제조 방법

Номер: KR0101645738B1
Автор: 알스테트, 마그누스, 바우어, 조한네스, 젠더, 울리츠, 스트라스부르그, 마틴, 사바틸, 마티아스, 한, 베르톨
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 제안되는 반도체 발광 다이오드(10)는, 적어도 p형 도핑된 발광 다이오드층(4), n형 도핑된 발광 다이오드층(5) 및 상기 p형 도핑된 발광 다이오드층(4)과 n형 도핑된 발광 다이오드층(2) 사이에 위치한 광학적 활성 영역(3); 투명 전도 산화물을 함유한 산화물층(8); 그리고 적어도 하나의 거울층(9)을 포함하고, 이때 상기 산화물층(8)은 발광 다이오드층들(2, 4)과 적어도 하나의 거울층(9) 사이에 배치되고, 상기 발광 다이오드층들(2, 4)을 향한 제1경계면(8a) 및 상기 적어도 하나의 거울층(9)을 향한 제2경계면(8b)을 포함하고, 이때 상기 산화물층(8)의 제2경계면(8b)은 상기 산화물층(8)의 제1경계면(8a)보다 작은 거칠기(R2)를 가지는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 14
22-10-2015 дата публикации

LEAD FRAME FOR OPTOELECTRONIC COMPONENTS AND METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC COMPONENTS

Номер: KR0101562566B1
Автор: 브란들, 마르틴, 게부르, 토비아스, 핀들, 마르쿠스, 슈나이더, 알베르트
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 다수의 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 리드 프레임(1)에 관한 것으로서, 상기 리드 프레임은 다수의 반도체 칩을 위한 다수의 칩 장착면(8)을 갖는 적어도 하나의 장착 영역(2)을 포함한다. 상기 장착 영역(2) 바로 옆, 상기 리드 프레임(1)의 적어도 하나의 주 표면(main surface)(3, 4)에는 리드 프레임(1) 내 기계적 응력(mechanical stresses)을 감소시키기 위한 하나 또는 다수의 홈(groove)(5, 6)이 형성되어 있으며, 상기 하나 또는 다수의 홈은 상기 리드 프레임(1)을 완전히 관통하지는 않는다. 또한, 본 발명은 상기와 같은 유형의 리드 프레임 상에 다수의 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법과도 관련이 있다.

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Номер записи: 15
16-05-2017 дата публикации

조명 장치

Номер: KR0101736408B1
Автор: 사바틸, 마티아스, 폰 말름, 노르빈, 회에펠, 루츠, 일레크, 슈테판, 바르흐만, 베른트, 로데, 파트릭
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 조명 장치에 관한 것이다. 적어도 한 가지 양상에 따르면, 상기 조명 장치는 전방 캐리어(front carrier)(1), 후방 캐리어(rear carrier)(2) 그리고 상기 조명 장치의 작동 중에 광을 방출하고 손실 열(loss heat)을 배출하는 다수의 발광 다이오드 칩들(3)을 포함한다. 상기 후방 캐리어(2)는 적어도 국부적으로 상기 전방 캐리어(1)에 의해 덮여 있다. 상기 발광 다이오드 칩들(3)은 상기 후방 캐리어(2)와 전방 캐리어(1) 사이에 배치되어 상기 캐리어들에 의해 기계적으로 저지된다. 상기 발광 다이오드 칩들은 상기 후방 캐리어(1) 및/또는 전방 캐리어(2)에 의해 전기적으로 콘택팅되어 있다. 상기 전방 캐리어(1)는 열전도 방식으로 상기 발광 다이오드 칩들(3)에 연결되어 있고 상기 발광 다이오드 칩들(3)로부터 떨어져서 마주보는 광 출력 면(light output surface)(101)을 포함하며, 상기 광 출력 면은 상기 발광 다이오드 칩들(3)에 의해 발생되는 손실 열의 일부분을 주위 환경으로 배출하기 위해 형성되어 있다.

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Номер записи: 16
24-09-2015 дата публикации

ELECTRONIC COMPONENT

Номер: KR0101555605B1
Автор: 람헨, 요한, 카이트, 크리스티나, 브라우네, 베르트
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 하우징 바디(1)를 갖는 전자 소자에 관한 것으로, 상기 하우징 바디(1)는 리세스(10) 내에 반도체 칩(3)을 가지며, 이때 상기 리세스 내 반도체 칩(3)은 제 1 유리 전이 온도를 갖는 제 1 플라스틱 재료로 이루어진 캐스팅 컴파운드(6) 내에 매립되며, 제 2 유리 전이 온도를 갖는 제 2 플라스틱 재료로 이루어진 커버 부재(8)가 상기 리세스(10) 위에 배치되고, 상기 제 2 유리 전이 온도는 상기 제 1 유리 전이 온도보다 낮다.

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Номер записи: 17
05-07-2017 дата публикации

발광다이오드칩

Номер: KR0101754435B1
Автор: 마우테, 마르쿠스, 알브레크트, 토니, 카스프르자크-자블로카, 안나
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 발광다이오드칩이 제공되며, 상기 발광다이오드칩은 - 제1(1A) 및 제2영역(1B)을 가진 반도체 몸체(1); - 상기 발광다이오드칩(100)의 구동 시 전자기 복사를 적어도 국부적으로 반도체 몸체(1)의 제1주요면(111)으로 형성된 복사 아웃커플링면(11)을 통해 방출하는, 상기 반도체 몸체(1) 내의 활성 영역(2); - 상기 반도체 몸체(1) 내의 적어도 하나의 트렌치(3)를 포함하고, 이 때 상기 트렌치의 영역 내에서 상기 반도체 몸체(1)의 일부분들이 제거되며, 이 때 - 상기 적어도 하나의 트렌치(3)는 적어도 활성 영역(2)까지 달하고, - 적어도 하나의 트렌치(3)는 제1영역(1A)을 횡 방향으로 완전히 둘러싸고, 그리고 - 제2영역(1B)은 적어도 하나의 트렌치(3) 및 제1영역(1A)을 횡 방향으로 완전히 둘러싼다.

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Номер записи: 18
15-07-2016 дата публикации

광전 소자 및 그 제조 방법

Номер: KR0101640360B1
Автор: 그메인위에서, 니콜라우스, 한, 베르톨드
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 소자(100)는 전자기 복사의 방출을 위해 제공된 활성층(110) 및 주요면(111)을 구비한 제1반도체 층 스택(101)을 포함한다. 상기 주요면에 분리층(103)이 배치되며, 상기 분리층은 반투과형 거울을 형성한다. 광전 소자는 상기 분리층에 배치된 제2반도체 층 스택(102)을 포함하며, 상기 제2반도체 층 스택은 전자기 복사의 방출을 위해 제공된 다른 활성층(120)을 포함한다.

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Номер записи: 19
10-12-2018 дата публикации

서포트, 서포트를 포함하는 광전자 소자 및 양자의 제조 방법

Номер: KR0101927563B1
Автор: 크라우테르 게르트루트
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 서포트 재료를 포함하는 광전자 소자용 서포트(1)에 관한 것으로서, 상기 서포트 재료는 리플렉터 입자들과 다른 한 충전재를 포함하는 폴리에틸렌테레프탈레이트를 갖는다. 또한, 본 발명은 서포트를 포함하는 광전자 소자(101, 102) 및 양자의 제조 방법에 관한 것이다.

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Номер записи: 20
22-02-2016 дата публикации

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер: KR0101596534B1
Автор: 빈더, 마이클, 린코브, 알렉산더, 제일러, 토마스, 브릭, 피터
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 반도체 소자가 제공되며, 상기 광전 반도체 소자는 연결 캐리어(2), 상기 연결 캐리어(2)의 실장면(22) 상에 배치된 광전 반도체칩(1) 및 상기 반도체칩(1)을 둘러싸는 복사 투과성 몸체(3)를 포함하고, 이때 상기 복사 투과성 몸체(3)는 실리콘을 포함하고, 상기 복사 투과성 몸체(3)는 적어도 부분적으로 상기 실장면(22)과 90°미만의 각(β)을 이루는 적어도 하나의 측면(31)을 구비하며, 상기 측면(3)은 개별화 공정에 의해 생성된다.

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12-02-2019 дата публикации

발광 물질 및 연관된 조명 유닛을 포함하는 광원

Номер: KR0101947348B1
Автор: 후켄벡, 바바라, 쿠이, 하일링, 예르만, 프랑크
Принадлежит: 오스람 게엠베하, 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 Si, Re 및 N의 아화학량론 프랙션(sub-stoichiometric fraction)을 포함하는 변경된 오쏘실리케이트들의 부류로부터의 신규한 발광 물질에 관한 것이고, 상기 신규한 발광 물질은 특히 안정화를 위해 부가된다.

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20-06-2017 дата публикации

광전자 소자 그리고 광전자 소자를 제조하기 위한 방법

Номер: KR0101744783B1
Автор: 바르히만, 베른트, 칼텐바허, 악셀, 슈타트, 노르베르트, 베크라이터, 발터, 바이트너, 카를, 비르트, 랄프
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명에 따르면, 광전자 소자는 접속 영역(5)을 갖는 캐리어 몸체(3)를 포함한다. 상기 캐리어 몸체(3) 상에는 반도체 칩(7)이 배치되어 있다. 상기 캐리어 몸체(3)로부터 떨어져서 마주한 상기 반도체 칩(7)의 상부면(8)에는 콘택 영역(10)이 제공되어 있다. 상기 접속 영역(5)은 지지대 없는 라인 구조물(13)에 의해 상기 접촉 영역(10)과 도전 접속되어 있다. 본 발명에서는 광전자 소자를 제조하기 위한 방법이 기술된다.

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28-08-2015 дата публикации

CARRIER SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIPS

Номер: KR0101548442B1
Автор: 건터 에발트 카를 마이클, 플뢰슬 안드레아스, 줄 헤리베트르, 베이트 토마스, 캠프 마티아스, 덴네마르크 젠스, 뵈흠 베른트, 페르즐마이어 코르비니안
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 반도체층 시퀀스를 위한 캐리어 기판에 관한 것으로서, 캐리어 기판이 제1 주 표면(11) 및 이 제1 주 표면의 반대편에 있는 제2 주 표면(12)을 포함한다. 제1 주 표면과 제2 주 표면 사이에 다이오드 구조(2)가 형성되어 적어도 전압의 한 극성을 위해 제2 주 표면으로부터 제1 주 표면을 전기적으로 절연한다. 또한, 본 발명은 캐리어 기판을 포함하는 반도체칩(3)의 제조 방법에 관한 것이다.

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20-06-2018 дата публикации

광전 반도체 모듈 및 다수의 상기 모듈들을 구비한 디스플레이

Номер: KR0101869582B1
Автор: 본 말 노르윈, 본그네르 게오르크, 레이르 요아힘, 그로에츠흐 슈테판
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 작동 중에 발광하는 다수의 발광부들(1)을 포함하는 광전 반도체 모듈(10)에 관한 것이며, 적어도 하나의 발광부(1)의 적어도 2개의 접하는 측면 에지들(11a, 11b)은 서로 0°보다 크고 90°보다 작은 각(α)으로 배치된다. 본 발명은 또한 다수의 상기 모듈(10)을 구비한 디스플레이에 관한 것이다.

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21-09-2016 дата публикации

광전 소자 및 광전 소자의 제조 방법

Номер: KR0101658682B1
Автор: 그로츠, 스테판, 제일러, 토마스, 지즐스퍼거, 마이클, 제이거, 하랄드
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 소자(1)가 제공되고, 상기 광전 소자는 소자(1)의 전기적 접촉을 위한 적어도 2개의 연결부(2), 상기 연결부(2)가 국부적으로 매립된 하우징 몸체(3), 상기 적어도 하나의 연결부(2)와 결합한 냉각체(4)를 포함하고, 상기 하우징 몸체(3)는 플라스틱 물질로 형성되고, 상기 하우징 몸체(3)는 개구부(30)를 가지며, 상기 개구부에서 상기 냉각체(4)가 국부적으로 자유롭게 접근 가능하며, 적어도 하나의 광전 반도체칩(5)은 상기 개구부(30)에서 냉각체(4) 상에 배치되며, 연결부(2) 중 적어도 2개는 각각 칩측 세그먼트(2c)를 포함하고, 상기 칩측 세그먼트는 적어도 하나의 광전 반도체칩(5)을 향해 있고, 상기 적어도 2개의 연결부(2)의 칩측 세그먼트(2c)는 공통의 평면에 배치된다.

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28-03-2016 дата публикации

SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер: KR0101606948B1
Автор: 에이츨러, 크리스토프, 스트라우스, 우위
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 반도체 층 시퀀스를 구비한 반도체 몸체(2)를 포함한 반도체 소자가 기술되며, 상기 반도체 층 시퀀스는 간섭성 복사 생성을 위해 제공된 활성 영역(21) 및 지표층(3)을 포함한다. 반도체 몸체(2)를 수직 방향에서 국부적으로 한정하는 경계면(30)에서 상기 활성 영역을 등지는 측에서, 반도체 몸체(2)는 웹형 영역(4)을 포함하고, 상기 웹형 영역은 수직 방향에서 경계면(30)과 반도체 몸체(2)의 표면(40) 사이에 연장된다. 지표층(3)이 포함하는 물질 조성은 상기 지표층(3)에 인접한 웹형 영역(4)의 물질의 물질 조성과 다르다. 표면(40)으로부터 지표층(3)의 간격은 최대로, 표면(40)으로부터의 경계면(30)의 간격과 같다. 또한, 반도체 소자의 제조 방법이 기술된다.

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04-06-2015 дата публикации

COMPOSITE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR CHIP HAVING A COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE SUBSTRATES AND SEMICONDUCTOR CHIPS

Номер: KR0101526090B1
Автор: 바우어 요하네스, 한 베르트홀트, 해를레 볼커, 엥글 칼, 헤르트코른 요아힘, 타키 테츄야
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 캐리어(2), 유용층(5)을 포함하는 복합 기판(1)에 관한 것으로, 이 경우 유용층은 유전체 결합층(3)에 의해 캐리어(2)에 고정되고, 캐리어(2)는 복사 변환 물질을 포함한다. 또한, 본 발명은 이러한 복합 기판을 포함하는 반도체 칩(10), 복합 기판의 제조 방법 및 복합 기판을 포함하는 반도체 칩의 제조 방법에 관한 것이다.

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24-05-2018 дата публикации

광전 반도체 칩

Номер: KR0101860973B1
Автор: 모트 마커스, 엔글 칼, 타이저 세바스찬, 발터 로버트, 스토케 요한네스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 반도체 물질로 이루어진 반도체 바디(1), p-콘택층(21a) 및 n-콘택층(2)을 포함하는 광전 반도체 칩(10)에 관한 것이다. 반도체 바디(1)는 복사를 생성하기 위해 제공된 활성층(1a)을 포함한다. 반도체 바디는 p-면(1c)과 n-면(1b)을 포함하고, 상기 면들 사이에 활성층(1a)이 배치된다. p-콘택층(21a)은 p-면(1c)의 전기 접촉을 위해 제공된다. n-콘택층(2)은 n-면(1b)의 전기 접촉을 위해 제공된다. n-콘택층(2)은 TCO 층(2a)과 거울층(2b)을 포함하고, 이 경우 TCO 층(2a)은 반도체 바디(1)의 n-면(1b)과 거울층(2b) 사이에 배치된다.

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09-11-2015 дата публикации

RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP

Номер: KR0101567613B1
Автор: 렐, 알프레드, 아이츠러, 크리스토프, 룸볼즈, 크리스챤
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 파장(lambda)의 복사를 생성하기 위한 활성 영역(2) 및 불규칙적으로 배치된 구조 요소들을 가진 구조화된 영역(3)을 포함하는 복사 방출 반도체칩(1)에 관한 것으로, 상기 구조 요소들은 제1굴절률(n1)의 제1물질을 포함하며, 제2굴절률(n2)의 제2물질을 함유한 매질에 의해 둘러싸인다. 또한, 상기와 같은 반도체칩의 제조 방법도 제공된다.

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06-12-2016 дата публикации

광전 소자

Номер: KR0101678244B1
Автор: 람첸, 존한, 지티지엘스퍼거, 마이클
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 반도체칩(2), 접촉 프레임(3), 접촉 캐리어(4), 제1전기 연결 영역(5) 및 상기 제1전기 연결 영역(5)과 전기적으로 절연된 제2전기 연결 영역(6)을 포함한 광전 소자(1)가 제공되며, 상기 전기 연결 영역들은 각각 상기 접촉 프레임(3)의 일부 및 접촉 캐리어(4)의 일부를 포함하고, 이때 접촉 프레임(3)은 함몰부(7)를 구비하며, 함몰부는 제1전기 연결 영역(5)을 적어도 국부적으로 제2전기 연결 영역(6)으로부터 분리하고, 상기 함몰부안에 광전 반도체칩(2)이 삽입되며, 이때 접촉 프레임(3)은 접촉 요소(30)를 포함하여 형성되고, 접촉 요소는 접촉 프레임(3)을 광전 반도체칩(2)과 전기적으로 연결한다.

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08-06-2016 дата публикации

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер: KR0101628420B1
Автор: 엔글, 모리츠, 소르그, 조그 에릭, 제일러, 토마스, 레이치, 마이클, 스트렙플, 울리치
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 반도체 소자가 제공되고, 상기 소자는 적어도 하나의 복사 방출 반도체칩(3); 상기 반도체칩(3)으로부터 구동 시 방출된 전자기 복사의 변환을 위해 상기 반도체칩(3) 뒤에 배치되며, 주변광의 조사 시 유색광을 방출하는 적어도 하나의 변환 부재(4); 및 소자의 전원이 차단된 구동 상태에서 상기 소자에 도달하는 주변광을 산란시키되 상기 소자의 광 출사면(62)이 백색으로 보이게 하는 방식으로 산란시키도록 설계된 광 확산 산란 수단(5)을 포함한다.

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12-10-2015 дата публикации

METHOD FOR PRODUCING AN OPTO-ELECTRONIC COMPONENT AND OPTO-ELECTRONIC COMPONENT

Номер: KR0101559593B1
Автор: 예거, 헤럴드, 브루너, 허벌트, 슈니더, 알버트, 질러, 토마스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 광전 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 제1 주요면(2) 및 상기 제1 주요면(1)과 대향된 제2 주요면(3)을 가진 기판(1)을 준비하는 단계, 전면측(5)으로부터 전자기 복사를 방출하는 데 적합한 반도체 몸체(4)를 상기 기판(1)의 제1 주요면(2)에 고정하는 단계, 및 상기 광전 반도체 몸체(4)의 복사에 대해 투과성인 커버를 적어도 상기 반도체 몸체(4)의 전면측(5)에 걸쳐 도포하는 단계를 포함하며, 상기 커버는 닫힌 상태의 캐비티(18)를 이용하여 광학 부재(19)로 형성되고, 상기 캐비티는 상기 광학 부재(19)의 윤곽선을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명은 광전 소자에 관한 것이기도 하다.

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Номер записи: 33
30-08-2016 дата публикации

복사 방출 몸체 및 복사 방출 몸체의 제조 방법

Номер: KR0101652531B1
Автор: 에버하르트, 프란즈, 윈디시, 레이너, 월터, 로버트, 슈말, 마이클, 알스테트, 마그누스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 전자기 복사의 생성을 위한 활성층(10), 생성된 복사를 반사하는 반사층(50) 및 상기 활성층(10)과 반사층(50)사이에 배치된 적어도 하나의 중간층(40)을 구비한 층 시퀀스를 포함하는 복사 방출 몸체에 관한 것이다. 활성층(10)은 반사층(50)을 향한 경계면(15)에서 거칠기를 포함하고, 반사층(50)은 상기 활성층(10)을 향한 경계면(45)에서 실질적으로 평면이다. 본 발명은 복사 방출 몸체의 제조 방법에 관한 것이기도 하며, 이 때 층 시퀀스는 전자기 복사의 생성을 위한 활성층(10)을 포함하여 기판상에 형성된다. 이 때, 활성층(10)상의 경계면(15)의 거칠기 단계, 그리고 적어도 하나의 중간층(40) 및 반사층(50)의 형성 단계가 수행된다.

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Номер записи: 34
20-09-2018 дата публикации

혼합 광원

Номер: KR0101900987B1
Автор: 쿤 게르하르트, 마르키탄 알레스, 게르트너 크리스티안, 쇼위베크 만프레드, 바르가 호르스트
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 제1 광선 부분을 생성하기 위해 제공된 제1 반도체 컴포넌트(21), 및 제1 광선 부분과 상이한 제2 광선 부분의 광선을 생성하기 위해 제공된 제2 반도체 컴포넌트(22)를 포함하는, 명시된 혼합 광원(1)에 관한 것이며, 제1 반도체 컴포넌트는 제1 열 저항(R1)의 제1 히트 싱크에 제1 실장 포인트(61)에 의해 실장되고; 제2 반도체 컴포넌트는 제2 열 저항(R2)의 제2 히트 싱크에 제2 실장 포인트(62)에 의해 실장되고; 열 저항(R1 및 R2)은 서로 상이하다.

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08-02-2017 дата публикации

가스 충전된 거울을 포함하는 광전 반도체칩

Номер: KR0101704831B1
Автор: 그롤리어, 빈센트, 플로슬, 안드레아스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 반도체칩이 제공되며, 상기 반도체칩은 활성 영역(10)을 구비한 반도체 몸체(1), 거울층(2), 및 상기 반도체 몸체(1)와 거울층(2) 사이에 배치되는 접촉부(3)를 포함하며, 상기 접촉부는 상기 반도체 몸체(2)와 거울층(2) 사이에 간격(D)을 개재하여 적어도 하나의 중공(4)이 상기 거울층(2)과 반도체 몸체(1) 사이에 형성되도록 하고, 이때 상기 적어도 하나의 중공(4)은 가스(40)를 수용한다.

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Номер записи: 36
30-07-2015 дата публикации

OPTOELECTRONIC MODULE AND PROJECTION DEVICE COMPRISING THE OPTOELECTRONIC MODULE

Номер: KR0101540828B1
Автор: 피터슨, 커스틴, 그롯츠, 스테판, 밀러, 스테판, 스파스, 건터, 린더, 노버트, 에이서트, 도미니크, 피터, 마티아스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 가시 파장 범위에서 단색 복사를 방출하기 위한 광전 모듈(11)이 기술된다. 모듈(11)은 UV 복사를 생성하는 복수 개의 발광 다이오드칩(1)을 포함한다. UV 복사는 파장 변환체(2)에 의해 가시 영역의 광, 예컨대 녹색광으로 변환된다. 선택적으로 반사하고 투과하는 2개의 필터(3, 4)를 사용하여, 모듈(11)의 광 아웃커플링이 최적화된다. 상기 모듈(11)은 광원으로서 프로젝션 장치(12)에 장착될 수 있다.

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Номер записи: 37
30-11-2015 дата публикации

OPTICAL-ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Номер: KR0101573095B1
Автор: 그메인위에서, 니콜라우스, 한, 베르톨드
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 소자(100)는 전자기 복사의 방출을 위해 제공된 활성층(110) 및 주요면(111)을 구비한 제1반도체 층 스택(101)을 포함한다. 상기 주요면에 분리층(103)이 배치되며, 상기 분리층은 반투과형 거울을 형성한다. 광전 소자는 상기 분리층에 배치된 제2반도체 층 스택(102)을 포함하며, 상기 제2반도체 층 스택은 전자기 복사의 방출을 위해 제공된 다른 활성층(120)을 포함한다.

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Номер записи: 38
24-07-2017 дата публикации

발광 다이오드 칩

Номер: KR0101760977B1
Автор: 회펠 러츠, 엔글 칼
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 발광 다이오드 칩으로서, n 전도 영역(1), p 전도 영역(2), 상기 n 전도 영역(1)과 상기 p 전도 영역(2) 사이의 활성 영역(3), 상기 p 전도 영역(2)의, 상기 활성 영역(3)을 등지는 면의 미러(mirror) 층(4), 상기 미러 층(4)의, 상기 p 전도 영역(2)을 등지는 면의 봉지(encapsulation) 층(5), 및 상기 봉지 층(5)의, 상기 미러 층(4)을 등지는 면의 컨택(contact) 층(6)을 포함하고, 상기 봉지 층(5)은 미러 층(4)의, 상기 p 전도 영역(2)을 등지는 바닥 영역(43) 및 상기 바닥 영역(43)에 대하여 횡방향으로(transversely) 진행하는 상기 미러 층(4)의 측면 영역(42)을 따라 연장하고, 상기 컨택 층(6)은 상기 n 전도 영역(1)과 마주하는 측으로부터 국지적으로 자유롭게 액세스 가능한 것인 발광 다이오드 칩이 명시된다.

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Номер записи: 39
27-05-2016 дата публикации

SURFACE-MOUNTABLE APPARATUS

Номер: KR0101625253B1
Автор: 쿨만, 베르너, 슈만, 미첼, 호페르, 토마스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 표면 실장형 장치(100)가 제공되며, 상기 장치는 실장측(101), 상기 실장측(101)에 대향된 상측(102), 전기 절연 캐리어판(1), 전기 소자(2) 및 하우징(3)을 포함한다. 캐리어판(1)은 실장측(101)에서 장치(100)를 종결한다. 또한, 캐리어판(1)은 실장측(101)에 대향된 고정측(103)을 포함한다. 소자(2)의 전기 접촉을 위해 캐리어판(1)은 고정측(103)에 배치된 도전로(4), 상기 실장측(101)에 배치된 접촉면(5), 및 관통홀(6)을 포함하고, 이 때 각각의 접촉면(5)은 관통홀(6)을 이용하여 도전로(4)와 전기 전도적으로 결합한다. 소자(2)는 하우징(3)에 의해 둘러싸여 있고, 이 때 적어도 하나의 관통홀(6)은 소자(2)의 하부에 배치된다. 하우징(3) 및 캐리어판(1)은 캐리어판(1)의 평면도에서 서로 같은 높이로 배치된다. 또한, 하우징(3)은 상측(102)에서 장치(100)를 종결한다.

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Номер записи: 40
23-12-2016 дата публикации

반사 층시스템을 포함한 광전 반도체 몸체

Номер: KR0101689413B1
Автор: 월터, 로버트, 그롤리에르, 빈센트, 쉬말, 미첼, 페르즐마이어, 코르비니안, 에베르하트, 프란츠
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 활성 반도체 층시퀀스(10) 및 반사 층시스템(20)을 포함한 광전 반도체 몸체(1)가 제공된다. 반사 층시스템(20)은 반도체 층시퀀스(10)에 인접한 제1복사 투과층(21) 및 상기 반도체 층시퀀스(10)와 등지는 상기 제1복사 투과층(21)의 측에서 금속층(23)을 포함한다. 제1복사투과층(21)은 제1유전체 물질을 포함한다. 제1복사 투과층(21)과 금속층(23) 사이에 제2복사 투과층(22)이 배치되고, 제2복사 투과층은 부착 개선 물질을 포함한다. 금속층(23)은 부착 개선 물질상에 직접적으로 적층된다. 부착 개선 물질은 제1유전체 물질과 상이하며, 상기 제1유전체 물질상에 부착되는 경우에 비해 상기 금속층(23)의 부착이 개선되도록 선택된다.

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Номер записи: 41
24-05-2016 дата публикации

OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC COMPONENTS

Номер: KR0101623986B1
Автор: 일렉, 스테판, 플로쓸, 안드레아스, 헤인들, 알렉산더, 로드, 패트릭, 아이슬러, 디터
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 복사 생성에 적합한 활성 영역(40)을 구비한 반도체 몸체(2) 및 상기 반도체 몸체상에 배치된 2개의 전기 접촉부들(7, 8)을 포함한 광전 소자(1)에 관한 것으로, 상기 접촉부들은 상기 활성 영역과 전기 전도적으로 연결되며, 상기 접촉부들은 반도체 몸체를 등지는 각각 하나의 연결면(70, 80)을 포함하며, 상기 연결면들은 상기 소자의 연결측에 배치되고, 상기 연결측과 다른 소자의 측은 거울 코팅된다. 또한 본 발명은 상기와 같은 소자들을 복수 개로 제조하는 방법에 관한 것이기도 하다.

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Номер записи: 42
06-04-2018 дата публикации

광전자 반도체 컴포넌트 및 광전자 반도체 컴포넌트를 생산하기 위한 방법

Номер: KR0101845840B1
Автор: 에버하트, 안젤라, 휘팅거, 로란트, 슈미트, 라인홀트, 코테르, 슈테판
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전자 반도체 컴포넌트는 발광 물질을 사용하며, 발광 물질은 컨버전 엘리먼트에 적용된다. 컨버전 엘리먼트는 세라믹으로 만들어진 기판을 가지며, 기판에 유리 매트릭스가 적용된다.

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Номер записи: 43
20-11-2017 дата публикации

방사선-방출 반도체 컴포넌트

Номер: KR0101799419B1
Автор: 비트만, 미하엘
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 칩-연결 구역(3), 방사선을 방출하는 반도체 칩(1) 및 광을 흡수하는 물질(4)을 구비하는 방사선-방출 반도체 컴포넌트와 관련이 있으며, 이때 상기 방사선을 방출하는 반도체 칩(1)은 상기 칩-연결 구역(3)에 고정되어 있고, 상기 칩-연결 구역(3)은 상기 방사선을 방출하는 반도체 칩(1)에 의해서 덮이지 않은 장소에서 상기 광을 흡수하는 물질(4)로 덮여 있으며, 그리고 상기 방사선을 방출하는 반도체 칩(1)에는 국부적으로 광을 흡수하는 물질(4)이 없다.

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Номер записи: 44
29-01-2016 дата публикации

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP

Номер: KR0101590235B1
Автор: 잉글 칼, 모트 마커스, 바이마르 안드레아스, 회펠 루쯔, 로데 패트릭, 무스버거 저건, 본 말 노르윈
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 반도체 층 시퀀스(2) 및 캐리어 기판(10)을 포함하는 광전자 반도체 칩이 특정되며, 제 1 전기 접촉층(7) 및 제 2 전기 접촉층(8)은 캐리어 기판(10) 및 반도체 층 시퀀스(2) 사이의 영역들에 적어도 배열되고, 전기 절연층(9)에 의해 서로로부터 전기적으로 절연되며, 반도체 층 시퀀스(2)와 캐리어 기판(10) 사이에 배열되는 미러층(6)을 포함한다. 미러층(6)은 제 1 전기 접촉층(7)의 부분 영역들 및 전기 절연층(9)의 부분 영역들(19)에 접하며, 미러층(6)에 접하는 전기 절연층(9)의 부분 영역들은 어떠한 지점들에서도 광전자 반도체 칩(1)의 주변 매질에 접하게 되지 않도록 하는 방식으로 제 2 전기 접촉층(8)에 의해 커버된다. 반도체 층 시퀀스(2)는 연결 접촉부(14)를 형성하기 위해 제 1 전기 접촉층(7)이 커버되지 않은 컷-아웃(17)을 갖는다.

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26-05-2016 дата публикации

THIN-FILM LED HAVING A MIRROR LAYER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер: KR0101624750B1
Автор: 한, 베르톨, 웨이마르, 안드레아스, 바우어, 요한네스, 사바틸, 마티아스, 플레인, 글렌-아이베스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 장벽층(3), 상기 장벽층(3)에 후속한 제1거울층(2), 상기 제1거울층(2)에 후속한 층 스택(5) 및 상기 층 스택(5)에 후속한 적어도 하나의 접촉 구조체(6)를 포함하는 박막 LED에 관한 것이다. 상기 층 스택(5)은 전자기 복사를 방출하는 적어도 하나의 활성층(5a)을 포함한다. 상기 접촉 구조체(6)는 복사 출사면(4)상에 배치되고, 접촉면(7)을 포함한다. 상기 제1거울층(2)은 상기 접촉 구조체(6)의 접촉면에 대향된 영역에서 홈을 포함하고, 상기 홈은 상기 접촉 구조체(6)의 접촉면(7)보다 크다. 이를 통해 박막 LED의 효율이 증가한다.

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28-06-2016 дата публикации

SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT

Номер: KR0101634406B1
Автор: 제일러, 토마스, 윈디스, 레이너, 그루버, 스테판, 키르슈, 마르쿠스, 무스차웩, 줄리어스, 바데, 토르스텐, 브루너, 허버트, 코럴, 스테펜
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 반도체 장치의 적어도 일 실시예에 따르면, 반도체 장치는 실장측, 서로 대향된 칩 상측 및 칩 하측을 구비한 적어도 하나의 광전 반도체칩 및 적어도 부분적으로 복사 투과성인 적어도 하나의 몸체를 포함하고, 상기 몸체가 구비하는 몸체 하측에는 반도체칩이 설치되되, 상기 칩 상측이 몸체 하측을 향하도록 설치된다. 또한, 반도체 장치는 상기 광전 반도체칩의 전기 접촉을 위해 적어도 2개의 전기 연결부를 포함하고, 이때 상기 연결부는 측방향으로 상기 몸체보다 돌출하지 않으며, 상기 반도체칩을 등지는 연결부의 측에서 반도체 장치를 그 실장측에 한정한다.

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26-10-2015 дата публикации

OPTICAL COMPONENT AND LIGHTING APPARATUS

Номер: KR0101563378B1
Автор: 브릭, 피터, 무스차웩, 줄리어스, 슈와렌베르그, 시몬
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하, 오스람 게엠베하

... 광 부품은, 특히, 제1 주표면(2), 상기 제1 주표면(2)을 등지는 제2 주표면(3)을 가진 캐리어판(1) 및 상기 제1 주표면(2)상의 제1 렌즈 구조(4)를 포함하고, 상기 제1 렌즈 구조(4)는 적어도 제1 다각형 형상을 가진 제1 렌즈 소자(41) 및 제2 다각형 형상을 가진 제2 렌즈 소자(42)를 포함하고, 상기 제1 렌즈 구조(4)는 제1 주표면(2)을 완전히 덮고, 제1 렌즈 소자(41) 및 제2 렌즈 소자(42)는 서로 합동이 아니거나/아니고 캐리어판(1)의 제1 주표면(2)상에서 상기 렌즈 소자들의 배향은 서로 상이하다.

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08-06-2015 дата публикации

METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND COMPONENT ARRANGEMENT HAVING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC COMPONENTS

Номер: KR0101527261B1
Автор: 호펠, 루츠
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 광전 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 A) 성장 기판을 제공하는 단계로서, 상기 성장 기판은 상기 성장 기판상에 배치된 반도체층을 가지고, 상기 반도체층은 구동 시 활성 영역을 생성하기 위한, 성장 기판을 제공하는 단계, B) 반도체층상에 분리 구조물을 마련하는 단계, C) 분리 구조물에 의해 한정된 영역들에서 상기 반도체층상에 복수의 구리층들을 마련하는 단계, D) 분리 구조물을 제거하는 단계, E) 적어도 상기 구리층의 측방 표면들상에 보호층을 마련하는 단계, F) 구리층상에 보조 기판을 마련하는 단계, G) 성장 기판을 제거하는 단계, H) 반도체층, 구리층들 및 보조 기판으로 구성된 결합물을 서로 분리된 소자들로 개별화하는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명은 상기 방법으로 제조된 소자 및 소자 장치에 관한 것이기도 하다.

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26-01-2018 дата публикации

광전자 장치

Номер: KR0101822693B1
Автор: 할브리터 후베르트
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 광전자 소자(21)를 가지는 광전자 장치(1)에 관한 것으로서, 상기 광전자 소자는 복사선의 수용 또는 발생을 위해 제공되어 있으며 주 복사선 통과 표면(210)을 가지며, 이 주 복사선 통과 표면을 통과하는 복사선을 위한 복사선 콘(71)을 정하는 하나의 개구(51)가 상기 소자에 할당되어 있으며, 상기 개구는 주 복사선 통과 표면에 대한 경사 영역(61)을 포함하는 내면(510)을 가진다.

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28-11-2017 дата публикации

가넷 물질, 그 제조방법 및 가넷 물질을 포함한 복사선 방출 구성품

Номер: KR0101802549B1
Автор: 버게넥 크리스터, 웨이 조지 씨, 라우카스 매디스, 징크 나탄 엠, 랑지 스테판
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 화학식 A3-xB5O12:Dx로 표현되는 조성을 갖는 가넷(garnet)과 바륨 함유 산화물을 포함한 물질이 개시된다. 가넷 A3-xB5O12:Dx에서, A는 루테튬, 이트륨, 가돌리늄, 테르븀, 스칸듐, 또다른 희토류 금속 또는 이들의 혼합물들로부터 선택된다. B는 알루미늄, 스칸듐, 갈륨, 인듐, 붕소 또는 이들의 혼합물들로부터 선택된다. D는 크롬, 망간 및 희토류 금속들, 특히 세륨, 프라세오디뮴 또는 가돌리늄으로부터 선택된 적어도 하나의 도펀트이다. 도펀트는 x로 표현되며, 0 ≤ x ≤ 2 이다.

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04-06-2015 дата публикации

HOUSING AND METHOD FOR PRODUCING A HOUSING FOR AN OPTOELECTRONIC COMPONENT

Номер: KR0101526087B1
Автор: 재거 하랄드
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 소자(10)용 하우징(1)을 개시한다. 그러한 하우징(1)은 하우징의 조립을 위해 마련된 조립면, 제1 접속 도전체(31), 제2 접속 도전체(32), 및 하우징 몸체(2)를 포함한다. 하우징 몸체(2)는 연결 영역(21)과 표면 영역(22)을 포함한다. 연결 영역은 제1 접속 도전체와 제2 접속 도전체를 기계적으로 상호 연결한다. 표면 영역은 조립면을 등지는 측에서 연결 영역을 적어도 부분적으로 덮는다. 연결 영역의 재료와 표면 영역의 재료는 서로 다르다. 또한, 하우징(1)을 제조하는 방법을 개시한다.

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15-06-2017 дата публикации

ＬＥＤ 칩

Номер: KR0101743895B1
Автор: 사바틸, 마티아스, 호펠, 루츠, 웨이말, 안드레아스, 엔글, 칼, 바우어, 요하네스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 접촉부(5)로부터 전류 확산층(3)을 경유하여 전기적으로 접촉되는 반도체층 시퀀스(2)를 구비한 발광다이오드칩(1)이 기술된다. 접촉부(5)는 반도체층 시퀀스(2)의 면의 약 1%-8%를 덮는다. 접촉부(5)는 예를 들면 분리된 접촉점(51)으로 구성되며, 상기 접촉점은 격자 상수가 12 ㎛인 규칙적 격자(52)의 노드에 배치된다. 전류 확산층(3)은 예를 들면 인듐주석산화물, 인듐아연산화물 또는 아연산화물을 포함하고, 그 두께는 15 nm 내지 60 nm의 범위를 가진다.

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06-01-2017 дата публикации

카르바졸, 디벤조푸란, 디벤조티오펜 및 디펜조포스폴로부터 선택된 실릴 및 이종원자 치환된 화합물, 및 이의 유기 전자 장치에서의 용도

Номер: KR0101693903B1
Автор: 랑거 니콜레, 쉴드크네히트 크리스티안, 와타나베 소이치, 푹스 에벨린, 바겐블라스트 게르하르트, 렌나르츠 크리스티안, 몰트 올리버, 도르만 코린나, 로 추안지에, 훈체 아르비트, 크라우제 랄프, 슈미트 퀸터, 호이저 카르스텐, 엘스베르겐 반 볼커, 뵈르너 헤르버르트 프리드리히, 키르쉬 슈테판
Принадлежит: 바스프 에스이, 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하, 오엘이디워크스 게엠베하

... 본 발명은 화학식 (I) 또는 (I*)의 카르바졸, 디벤조푸란, 디벤조티오펜 및 디실릴벤조포스폴로부터 선택된 실릴 및 이종원자 치환된 화합물, 유기 전자 장치 용도, 바람직하게는 유기 발광 다이오드에서의 화학식 (I) 또는 (I*)의 용도, 화학식 (I) 및 (I*)의 1 이상의 화합물을 포함하는 유기 발광 다이오드, 화학식 (I) 또는 (I*)의 1 이상의 화합물을 포함하는 유기 발광층, 화학식 (I) 또는 (I*)의 1 이상의 화합물을 포함하는 정공/여기자의 차단층, 1 이상이 본 발명의 유기 발광 다이오드를 포함하는, 고정식 영상 디스플레이 장치, 이동식 영상 디스플레이 장치, 조명 장치, 키보드, 옷 물품, 가구 및 벽지로 구성된 군으로부터 선택되는 장치에 관한 것이다.

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06-02-2017 дата публикации

광전 장치

Номер: KR0101703278B1
Автор: 워스, 랄프, 클레인, 마르크스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 제1 및 상기 제1과 상이한 제2파장 영역에서 혼합광을 방출하기 위한 광전 장치는, 제1 또는 제2전류(41, 42)의 인가 시 제1 또는 제2파장 영역에서의 제1 또는 제2 특징 파장으로, 그리고 제1 또는 제2세기를 가진 광을 방출하는 제1 또는 제2발광다이오드(11, 21)를 구비한 제1 또는 제2반도체 광원(1, 2); 상기 반도체 광원들(1, 2)로부터 각각 방출된 광의 일부(110, 510)를 제1 또는 제2센서 신호(341, 342)로 변환하기 위한 광학 센서(3); 및 제1 및 제2센서 신호(341, 342)에 따라 상기 제1 및 제2전류(41, 42)를 조정하기 위한 조정 장치(4)를 포함하고, 이 때 각각 상기 제1 및 제2반도체 광원(1, 2)으로부터 방출된 광의 특징 파장 및 세기는 제1 또는 상기 제1과 상이한 제2온도 종속성 및/또는 전류 종속성 및/또는 에이징(931, 932, 941, 942)을 가지고, 상기 광학 센서(3)는 상기 제1 또는 제2파장 영역에서 제1 또는 제2파장종속적 민감도를 가지고, 상기 민감도는 제1 및 제2온도 종속성(931, 932, 941, 942)에 맞춰지고, 조정 장치(4)는 제1 및 제2전류(41, 42)를 조정하되, 상기 제2센서 신호에 대한 제1센서 신호(341, 342)가 기결정된 비율을 가지도록 조정한다.

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23-01-2017 дата публикации

광전자 컴포넌트 그리고 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법

Номер: KR0101698886B1
Автор: 크로이터, 게르트루트
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 광전자 컴포넌트에 관한 것으로서, 상기 광전자 컴포넌트는 제 1 열가소성 수지를 갖는 제 1 부분 영역 및 제 2 열가소성 수지를 갖는 제 2 부분 영역을 구비하는 하우징, 상기 하우징 내에 있는 리세스 그리고 상기 리세스 내에 배치된 방사선 방출 소자를 포함하고, 이 경우에는 상기 제 1 열가소성 수지가 방사선 조사에 의해 가교 되었다.

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16-08-2016 дата публикации

ＬＥＤ 칩

Номер: KR0101648592B1
Автор: 사바틸, 마티아스, 호펠, 루츠, 웨이말, 안드레아스, 엔글, 칼, 바우어, 요하네스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 접촉부(5)로부터 전류 확산층(3)을 경유하여 전기적으로 접촉되는 반도체층 시퀀스(2)를 구비한 발광다이오드칩(1)이 기술된다. 접촉부(5)는 반도체층 시퀀스(2)의 면의 약 1%-8%를 덮는다. 접촉부(5)는 예를 들면 분리된 접촉점(51)으로 구성되며, 상기 접촉점은 격자 상수가 12 ㎛인 규칙적 격자(52)의 노드에 배치된다. 전류 확산층(3)은 예를 들면 인듐주석산화물, 인듐아연산화물 또는 아연산화물을 포함하고, 그 두께는 15 nm 내지 60 nm의 범위를 가진다.

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30-05-2018 дата публикации

광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법

Номер: KR0101862818B1
Автор: 브룬너, 헤르베르트, 갈마이어, 한스-크리스토프, 제레빅, 시몬, 프로이스, 슈테판, 숄, 한스요크
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전자 컴포넌트의 다양한 실시예들은, 접촉 측(106) 및 상기 접촉 측(106)과 마주 놓인 방사 커플링-아웃 측(108)을 갖는 광전자 반도체 칩(104)을 포함한다. 상기 광전자 컴포넌트는 칩 캐리어(102)를 가지며, 상기 칩 캐리어(102)에는 상기 반도체 칩(104)이 자신의 접촉 측(106)을 통해 적용된다. 방사 변환 엘리먼트(110)는 상기 방사 커플링-아웃 측(108) 상에 적용된다. 더욱이, 포팅 화합물(112)은 상기 칩 캐리어(102) 상에 적용되고, 상기 포팅 화합물은 상기 반도체 칩(104) 및 상기 방사 변환 엘리먼트(108)를 측면에서 둘러싼다. 상기 포팅 화합물(112)은 반사 포팅 화합물(112)이다. 상기 포팅 화합물(112)은, 실질적으로 동일한 높이로(flush fashion) 상기 방사 변환 엘리먼트(110)의 상부 에지에 연결되어서, 상기 방사 변환 엘리먼트(110)의 최상부 측에는 상기 포팅 화합물(112)이 없다.

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28-09-2017 дата публикации

양자우물구조를 포함한 광전 반도체 몸체

Номер: KR0101782954B1
Автор: 피터 마티아스, 부텐데이크, 라이너, 타키, 테츠야, 오프, 위르겐, 월터, 알렉산더, 메이어, 토비아스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 반도체 몸체가 제공되며, 광전 반도체 몸체는 반도체 물질을 포함하고, 반도체 물질은 제1성분 및 상기 제1성분과 상이한 제2성분으로 구성된다. 반도체 몸체는 양자우물구조를 포함하고, 양자우물구조는 n형 층(1)과 p형 층(5) 사이에 배치된다. 양자우물구조는 이하의 요소들로 구성된다: 개별적 양자 우물층(31) 또는 복수 개의 양자우물층들(31) 및 적어도 하나의 장벽층(32)으로 구성된 층 스택(3), 이 때 각각 연속한 2개의 양자우물층들(31) 사이에 장벽층(32)이 배치되고, 상기 장벽층은 두 양자우물층들(31)에 인접함; 상기 n형층(1) 및 개별 양자우물층(31) 또는 층 스택(3)에 인접한 n형 측 캡핑층(2); 그리고 p형층(5) 및 개별 양자우물층(31) 또는 층 스택(3) 사이에 배치되고 상기 층 스택(3) 또는 개별양자우물층(31)에 인접하는 p형 측 캡핑층(4).

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Номер записи: 59
19-10-2018 дата публикации

광전자 컴포넌트

Номер: KR0101909961B1
Автор: 카츠, 지메온, 갈러, 바스티안, 슈트라쓰부르크, 마르틴, 자바틸, 마티아스, 드레크셀, 필리프, 베르크바우어, 베르너, 만들, 마르틴
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 활성층(10)이 가로 방향으로 상호 간격을 두고 배치된 다수의 구조 소자(6)를 구비하는 광전자 컴포넌트(11)와 관련이 있다. 이 구조 소자(6)는 각각 하나의 양자 우물 구조물(5)을 구비하고, 이 양자 우물 구조물은 Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(이때 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ y1 ≤ 1 및 x1 + y1 ≤ 1)으로 이루어진 적어도 하나의 배리어층(2) 및 Inx2Aly2Ga1-x2-y2N(이때 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 1 및 x2 + y2 ≤ 1)로 이루어진 적어도 하나의 양자 우물층(1)을 포함한다.

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Номер записи: 60
04-09-2015 дата публикации

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING SAID COMPONENT

Номер: KR0101550476B1
Автор: 위글레이터, 워터, 워스, 랄프, 바츠만, 베른드
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 반도체 소자(1)의 적어도 일 실시예에서, 상기 반도체 소자는 연결측(20)을 가진 연결 캐리어(2) 및 상기 연결측에 설치되며 상기 연결 캐리어와 전기적으로 결합된 적어도 하나의 광전 반도체칩(3)을 포함한다. 또한, 반도체 소자는 상기 연결측에 설치되며 상기 연결측을 적어도 부분적으로 덮는 부착 증진 중간 필름(5)도 포함한다. 또한, 반도체 소자는 반도체칩을 적어도 부분적으로 둘러싸는 적어도 하나의 복사 투과성 몰딩 몸체(4)를 포함하며, 상기 몰딩 몸체는 중간 필름을 이용하여 연결 캐리어와 기계적으로 결합한다. 상기와 같이 형성되는 광전 반도체 소자는 오랜 기간 사용가능하며, 양호한 광학 특성을 가진다.

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Номер записи: 61
04-04-2017 дата публикации

반도체 레이저

Номер: KR0101723143B1
Автор: 디니, 디미트리, 쉴가리스, 마르크
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 방사선 발생을 목적으로 제공된 활성 영역(20)을 갖는 반도체 몸체(2) 및 브리지 모양의 영역(3)을 구비하는 반도체 레이저(1)에 관한 것이다. 상기 브리지 모양의 영역(3)은 방출 방향을 따라서 뻗는 종축(30)을 갖고, 상기 종축은 방출 방향으로 뻗는 상기 반도체 몸체의 중심축(25)에 대하여 가로 방향으로 변위 배치되어 있다. 본 발명은 또한 반도체 레이저를 제조하기 위한 방법과도 관련이 있다.

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Номер записи: 62
27-12-2016 дата публикации

광학 조명 장치 및 광학 기록 장치

Номер: KR0101690142B1
Автор: 브란들, 미하엘, 빌름, 알렉산더
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 방사선 검출기(10), 제 1 광원(21) 및 제 2 광원(22)을 포함하는 광학 조명 장치에 관한 것이다. 상기 방사선 검출기(10)는 반도체 칩 및 광학 필터를 포함하고 스펙트럼 감도 분포를 갖는다. 상기 제 1 광원(21)은 백색 방사선을 발생시키기에 적합하다. 상기 제 2 광원(22)은 가시 스펙트럼 영역 내에 있는 단색 방사선을 발생시키기에 적합하며, 이 경우 상기 제 1 광원(21)에 의해 방사된 방사선과 상기 제 2 광원(22)에 의해 방사된 방사선은 파장 스펙트럼을 갖는 혼합 방사선으로 중첩된다. 상기 혼합 방사선의 파장 스펙트럼은 상기 방사선 검출기(10)의 스펙트럼 감도 분포에 맞게 조정된다. 또한, 본 발명은 상기와 같은 유형의 광학 조명 장치를 포함하는 광학 기록 장치에 관한 것이다.

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Номер записи: 63
02-02-2016 дата публикации

EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER CHIP HAVING AT LEAST ONE CURRENT BARRIER

Номер: KR0101591115B1
Автор: 코니그, 하랄드, 라우어, 크리스챤, 뮬러, 마틴, 레우퍼, 마틴, 메이어, 베른드
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 모서리 방출 반도체 레이저칩(1)이 기술되며, 상기 반도체 레이저칩은 폭(B)을 가진 적어도 하나의 접촉 스트립(2), 상기 반도체 레이저칩(1)의 구동 시 전자기 복사를 생성하는 활성 영역(14), 상기 접촉 스트립(2)의 서로 다른 측에 배치되며 상기 접촉 스트립(2)의 종방향으로 연장되는 적어도 2개의 전류 장벽(4)을 포함하며, 상기 전류 장벽(4) 중 적어도 하나와 접촉 스트립(3) 사이의 최대 간격(V)은 상기 최대 간격(V) 대 폭(B)의 비율(V/B)가 1보다 크도록 선택된다.

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Номер записи: 64
18-07-2017 дата публикации

광전자 반도체 칩 그리고 ＡｌＧａＮ을 기본으로 하는 중간층의 용도

Номер: KR0101759273B1
Автор: 페터, 마티아스, 마이어, 토비아스, 그마인비저, 니콜라우스, 타키, 테츠야, 루가우어, 한스-외르겐, 발터, 알렉산더
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 광전자 반도체 칩과 관련이 있으며, 상기 광전자 반도체 칩(100)의 적어도 한 가지 실시 예에서 상기 광전자 반도체 칩은 GaN, InGaN, AlGaN 및/또는 InAlGaN을 기본으로 하는 반도체 층 시퀀스(1)를 포함한다. 상기 반도체 층 시퀀스(1)는 p-도핑된 층 시퀀스(2), n-도핑된 층 시퀀스(4) 및 활성 구역(3)을 구비하며, 이때 상기 활성 구역은 상기 p-도핑된 층 시퀀스(2)와 상기 n-도핑된 층 시퀀스(4) 사이에 배치되어 있다. 또한, 반도체 층 시퀀스(1)는 AlxGa1-xN을 기본으로 하는 적어도 한 개의 중간층(5)도 포함하며, 이때 0 < x ≤ 1이다. 상기 중간층(5)은 상기 n-도핑된 층 시퀀스(4)와 동일한 상기 활성 구역(3)의 측에 배치되어 있고, 점도가 낮은 액체에 대하여 상기 중간층(5)에 인접하는 반도체 층 시퀀스(1) 영역들의 화학 약품 비투과성(specific permeability)보다 낮은 화학 약품 비투과성을 갖는다.

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14-11-2016 дата публикации

광전 소자 조립체

Номер: KR0101676061B1
Автор: 헤르만, 지크프리드
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 소자 조립체(1)의 적어도 하나의 실시예에서, 조립체는 적어도 2개의 광전 개별 부재들(2)을 포함한다. 개별 부재들(2) 중 적어도 2개의 개별 부재는 측방향에서 부분적으로 겹친다. 측면으로 겹치는 적어도 2개의 개별 부재들(2) 사이의 간접적 또는 직접적인 전기 접촉은 일 개별 부재(2)의 캐리어 상측(31)에 위치한 적어도 하나의 도전로(51) 및 다른 개별 부재(2)의 캐리어 하측(32)에 위치한 적어도 하나의 도전로(52)에 의해 이루어진다.

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08-02-2017 дата публикации

광전 반도체칩

Номер: KR0101704985B1
Автор: 아브라메스쿠, 아드리안, 스테판, 퀘렌, 데시레, 아이클러, 크리스토프, 사바틸, 마티아스, 룻젠, 스테판, 스트라우스, 우에
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 반도체칩(1)의 적어도 일 실시예에서, 광전 반도체칩은 질화물 물질계를 기초로 하며, 적어도 하나의 활성 양자 우물(2)을 포함한다. 적어도 하나의 활성 양자 우물(2)은 구동 시 전자기 복사를 생성하도록 설계된다. 또한, 적어도 하나의 활성 양자 우물(2)은 반도체칩(1)의 성장 방향(z)에 대해 평행한 방향에서 연속하여 이어진 N개의 영역들(A)을 포함하고, 이 때 N은 2이상의 자연수이다. 활성 양자 우물(2)의 영역들(A) 중 적어도 2개의 영역은 서로 다른 평균 인듐 함량(c)을 가진다.

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06-10-2015 дата публикации

METHOD FOR PRODUCING A CONVERSION LAMINA AND CONVERSION LAMINA

Номер: KR0101557772B1
Автор: 리히터, 마르쿠스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은, 방사선 방출 반도체 소자를 위한 하나 이상의 변환 박층(4)을 제조하기 위한 변환 박층 제조 방법에 관한 것이며, 내부에 변환 물질을 함유하는 기본 재료(3)는 이중 층 형판(double-layered stencil)(1)에 의해 기판(2) 상에 도포된다. 그 밖에도, 본 발명에 따라, 방사선 방출 반도체 소자를 위한 변환 박층(4)이 제시되며, 이 변환 박층은, 기본 재료(3)와 이 기본 재료 내에 매립된 변환 물질을 포함하고, 변환 박층(4)의 두께(D2)는 60 ㎛(60 ㎛ 포함) 내지 170 ㎛(170 ㎛ 포함)의 범위 안에 있다.

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23-08-2016 дата публикации

각도 필터 부재를 포함한 발광 다이오드칩

Номер: KR0101647150B1
Автор: 스트레우벨, 클라우스, 워스, 랄프
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 제1 파장의 복사를 생성하는 반도체 몸체(1), 상기 제1 파장의 복사로부터 제2 파장의 복사를 생성하는 발광 변환 부재(5) 및 각도 필터 부재(4)를 포함한 발광 다이오드칩에 관한 것으로, 상기 각도 필터 부재는 주 출사 방향에 대한 특정 각도에서 상기 각도 필터 부재에 입사되는 복사를 상기 반도체 몸체의 방향으로 재반사한다.

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03-03-2017 дата публикации

광전 반도체 소자

Номер: KR0101712220B1
Автор: 지츨스퍼거, 미카엘
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 반도체 소자(100)가 제공되고, 본 광전 반도체 소자는 실장면(11) 및 적어도 하나의 관통부(3)를 구비한 캐리어(1)를 포함하고, 이 때 상기 관통부(3)는 실장면(11)으로부터 상기 실장면(11)에 대향된 캐리어(1)의 바닥면(12)까지 연장되고, 본 광전 반도체 소자는 실장면(11) 상에 고정되어 있는 적어도 하나의 광전 반도체칩(2)과 복사 투과성 포팅 몸체(5)를 포함하고, 상기 포팅 몸체는 적어도 하나의 광전 반도체칩(2)을 적어도 국부적으로 둘러싸며, 이 때 포팅 몸체(5)는 적어도 국부적으로 캐리어(1)의 관통부(3) 내에 배치되어 있다.

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01-11-2018 дата публикации

광전자 반도체 칩 그리고 상기 광전자 반도체 칩을 제조하기 위한 방법

Номер: KR0101913631B1
Автор: 부텐다이히, 라이너, 발터, 알렉산더, 페터, 마티아스, 마이어, 토비아스, 타키, 테츠야, 마이발트, 후베르트
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 광전자 반도체 칩(100)에 관한 것이며, 상기 광전자 반도체 칩은 다수의 마이크로 다이오드(11)를 포함하는 제 1 반도체 연속층(1), 활성 영역(12)을 포함하는 제 2 반도체 연속층(2)을 구비하며, 이 경우 상기 제 1 반도체 연속층(1) 및 상기 제 2 반도체 연속층(2)은 질화물-화합물 반도체 재료를 기반으로 하고, 상기 제 1 반도체 연속층(1)은 성장 방향으로 상기 제 2 반도체 연속층(2)보다 선행되어 있고, 상기 마이크로 다이오드들(11)은 상기 활성 영역(12)을 위한 ESD-보호(ESD-protection)를 형성한다.

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01-08-2016 дата публикации

전자 컴포넌트용 하우징, 전자 조립체, 전자 컴포넌트용 하우징 제조 방법 및 전자 조립체 제조 방법

Номер: KR0101643873B1
Автор: 게부어, 토비아스, 슈바르츠, 토마스, 치츨스페르거, 미하엘
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 다양하고 예시적인 실시예들에서, 전자 컴포넌트용 하우징이 제공된다. 상기 하우징은 리드프레임 섹션 및 성형 재료를 포함한다. 리드프레임 섹션은 도전성 재료로 제조되고 제 1 면 및 제 1 면과 마주하는 제 2 면을 갖는다. 리드프레임 섹션은 전자 컴포넌트와 전기 접촉하기 위한 접점 구역을 제 1 면 상에 포함하는 제 1 접점 섹션을 갖는다. 리드프레임 섹션은 전자 컴포넌트를 배열하기 위한 수용 구역을 제 1 면 상에 포함하는 하나 이상의 수용 섹션을 포함한다. 접점 섹션 및 수용 섹션은 서로로부터 물리적으로 분리된다. 접점 섹션은 제 1 면에 대해 수직한 방향으로 수용 섹션보다 더 얇다. 성형 재료는 그 안에 수용 구역 및/또는 접점 구역이 노출되는 수용 오목부를 갖는다. 성형 재료의 일 부분이 접촉 섹션과 수용 섹션 사이에 형성되도록 그리고 리드프레임 섹션의 제 2 면이 접촉 섹션의 구역 내에 성형 재료에 의해 덮이고 리드프레임 섹션의 제 2 면이 수용 섹션의 구역에 성형 재료가 없도록 리드프레임 섹션이 성형 재료에 매립된다.

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18-02-2016 дата публикации

OPTOELECTRONIC COMPONENT

Номер: KR0101591126B1
Автор: 브릭, 피터, 지즐스퍼거, 마이클, 웨버-랩실버, 스벤
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 소자(10)가 제공되며, 상기 광전 소자는 상기 광전 소자의 구동 시 전자기 복사(2)를 방출하는 적어도 하나의 발광 다이오드칩(1) 및 상기 발광 다이오드칩(1)을 옆에서 부분적으로만 둘러싸서 외부 복사(4)를 막는 적어도 하나의 차폐부(3)를 포함하고, 이때, 각 차폐부(3)는 광전 소자(10)의 구성 요소(20, 30, 40, 50)와 일체형으로 형성된다.

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26-07-2017 дата публикации

발광단 및 이러한 발광단을 함유하는 광원

Номер: KR0101756275B1
Автор: 피틀러, 팀, 예르만, 프랑크, 슈트라우스, 요르크
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 하나 이상의 양이온(M) 및 활성제(D)를 포함하고, 소정 비율(x)의 양이온이 Cu에 의해 치환되는, 니트라이드 또는 옥시니트라이드 발광단의 부류로부터의 신규한 발광단에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광단은 광원에 적합하다.

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18-08-2016 дата публикации

발광 다이오드 그리고 발광 다이오드를 제조하기 위한 방법

Номер: KR0101649287B1
Автор: 크라우터, 게르트루트
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 장착 표면(1a)을 갖는 캐리어(1), 상기 장착 표면(1a)에 고정된 하나 이상의 발광 다이오드 칩(2, 2a, 2b, 2c) 및 전자기 방사선(4)을 반사하기 위해 제공된 반사 소자(3)를 포함하는 발광 다이오드에 관한 것이며, 이때 상기 반사 소자(3)는 상기 캐리어(1)에 고정되어 있으며, 그리고 상기 반사 소자(3)는 다공질 폴리테트라플루오로에틸렌을 포함한다.

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23-05-2017 дата публикации

복수의 반도체 컴포넌트들을 갖는 포팅된 광전자 모듈 및 광전자 모듈을 형성하기 위한 방법

Номер: KR0101739064B1
Автор: 바르트, 안드레아스, 브리크, 페터, 휘트만, 미하엘
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 리세스(102)를 갖는 메인 몸체(100)를 포함하는 광전자 반도체 컴포넌트에 관한 것이다. 상기 컴포넌트는 제 1 광전자 엘리먼트(104) 및 제 2 광전자 엘리먼트(106) 및 표면 구조화 엘리먼트(110)를 포함한다. 상기 제 1 광전자 엘리먼트(104) 및 상기 제 2 광전자 엘리먼트(106)는 충전 컴파운드에 의해 상기 리세스 내에 임베딩된다. 구조화된 표면을 갖는 상기 엘리먼트(110)는 상기 충전 컴파운드의 표면을 구성하여, 상기 표면의 적어도 2개의 만곡 영역들(114, 116, 118)이 형성된다. 본 발명은 추가로 광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법에 관한 것이다.

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27-02-2017 дата публикации

정전기 방전 보호부를 구비한 복사 방출 반도체칩 및 그 제조 방법

Номер: KR0101710849B1
Автор: 엔글, 칼, 한, 베르톨, 스트레우벨, 클라우스, 클라인, 말쿠스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 복사 방출 반도체칩(1)이 기술되며, 상기 반도체칩은 캐리어(5), 및 반도체층 시퀀스를 구비한 반도체 몸체(2)를 포함한다. 반도체층 시퀀스는 복사의 생성을 위해 제공된 활성 영역(20), 제1반도체층(21) 및 제2반도체층(22)을 포함한다. 활성 영역은 제1반도체층과 제2반도체층 사이에 배치된다. 제1반도체층은 캐리어를 등지는 활성 영역의 면에 배치된다. 반도체 몸체는 적어도 하나의 리세스(25)를 포함하고, 상기 리세스는 활성 영역을 관통하여 연장된다. 제1반도체층은 제1연결층(31)과 전기 전도적으로 연결되고, 이 때 제1연결층은 리세스에서 제1반도체층으로부터 캐리어의 방향으로 연장된다. 제1연결층은 보호 다이오드(4)에 의해 제2반도체층과 전기적으로 연결된다. 또한, 복사 방출 반도체칩의 제조 방법도 기술된다.

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08-03-2016 дата публикации

OPTOELECTRONIC PROJECTION APPARATUS

Номер: KR0101601348B1
Автор: 본 마름, 노윈, 스트레우벨, 클라우스, 로데, 패트릭, 엔글, 칼, 호펠, 루츠, 무스버거, 저젠
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 구동 시 소정의 이미지(10)를 생성하는 광전 영사 장치가 제공된다. 영사 장치는 반도체 몸체(1)를 포함하고, 반도체 몸체는 전자기 복사의 생성에 적합한 활성층(101) 및 복사 출사측(102)을 포함한다. 반도체 몸체(1)는 영사 장치의 촬상 부재이다. 반도체 몸체(1)의 전기 접촉을 위해 제1접촉층(2) 및 제2접촉층(3)은 복사 출사측(102)의 반대측인 반도체 몸체(1)의 후방측(103)에 설치되고, 분리층(4)에 의해 전기적으로 서로 절연된다.

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07-03-2016 дата публикации

LASER LIGHT SOURCE AND METHOD FOR PRODUCING A LASER LIGHT SOURCE

Номер: KR0101600633B1
Автор: 렐, 앨프레드, 에이츨러, 크리스토프, 슈미드, 울프강, 타우츠, 손크, 레일, 울프강, 디니, 디미트리
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 레이저 광원은 특히 활성 영역(45), 제1 부분 영역(121) 및 그와 다른 제2 부분 영역(122)을 가진 복사 아웃커플링면(12) 및 필터 구조체(5)를 구비한 반도체 층 시퀀스(10)를 포함하고, 상기 활성 영역(45)은 구동 시 제1 파장 영역을 가진 간섭성 제1 전자기 복사(51) 및 제2 파장 영역을 가진 비간섭성 제2 전자기 복사(52)를 생성하고, 상기 간섭성 제1 전자기 복사(51)는 방출 방향(90)을 따라 제1 부분 영역(121)으로부터 방출되며, 비간섭성 제2 전자기 복사(52)는 제1 부분 영역(121) 및 제2 부분 영역(122)으로부터 방출되며, 제2 파장 영역은 제1 파장 영역을 포함하고, 상기 필터 구조체(5)는 상기 활성 영역으로부터 방출된 비간섭성 제2 전자기 복사(52)를 방출 방향(90)을 따라 적어도 부분적으로 감쇄시킨다.

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24-11-2015 дата публикации

MONOLITHIC, OPTOELECTRONIC SEMI-CONDUCTOR BODY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер: KR0101571577B1
Автор: 엔글, 칼, 싱어, 프랭크, 로드, 패트릭, 호펠, 루츠, 스트라스부르그, 마틴
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 전기적으로 절연되는 적어도 두 개의 서브세그먼트로 분할되는 반도체 층 시퀀스를 포함하는 광전자 반도체 본체가 개시된다. 각각의 서브영역에서 상기 반도체 층 시퀀스는 활성층을 포함한다. 또한, 적어도 세 개의 접촉 패드가 포함된다. 제1 배선 레벨은 상기 적어도 두 개의 서브세그먼트들 중 제1 서브세그먼트 및 제1 접촉 패드에 접촉된다. 제2 배선 레벨은 상기 적어도 두 개의 서브세그먼트들 중 제2 서브세그먼트와 제2 접촉 패드에 접촉된다. 제3 배선 레벨은 두 서브세그먼트들을 서로 연결하고 제3 접촉 패드에 접촉된다. 또한, 상기 배선 레벨들은 각각 제1 주요면의 맞은 편에 배치되고, 상기 제1 주요면은 생성된 전자기 복사선의 방출을 위해서 제공된다.

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04-01-2019 дата публикации

반도체 발광 다이오드 및 반도체 발광 다이오드의 제조 방법

Номер: KR0101935642B1
Автор: 알스테트, 마그누스, 바우어, 조한네스, 젠더, 울리츠, 스트라스부르그, 마틴, 사바틸, 마티아스, 한, 베르톨
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 제안되는 반도체 발광 다이오드(10)는, 적어도 p형 도핑된 발광 다이오드층(4), n형 도핑된 발광 다이오드층(5) 및 상기 p형 도핑된 발광 다이오드층(4)과 n형 도핑된 발광 다이오드층(2) 사이에 위치한 광학적 활성 영역(3); 투명 전도 산화물을 함유한 산화물층(8); 그리고 적어도 하나의 거울층(9)을 포함하고, 이때 상기 산화물층(8)은 발광 다이오드층들(2, 4)과 적어도 하나의 거울층(9) 사이에 배치되고, 상기 발광 다이오드층들(2, 4)을 향한 제1경계면(8a) 및 상기 적어도 하나의 거울층(9)을 향한 제2경계면(8b)을 포함하고, 이때 상기 산화물층(8)의 제2경계면(8b)은 상기 산화물층(8)의 제1경계면(8a)보다 작은 거칠기(R2)를 가지는 것을 특징으로 한다.

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25-03-2016 дата публикации

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP

Номер: KR0101606604B1
Автор: 호펠, 루츠, 사바틸, 마티아스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 전자기 복사의 생성을 위한 활성층(4)을 구비한 반도체층 시퀀스(2) 및 투명 전도 산화물을 함유하며 상기 반도체층 시퀀스(2)의 주요면(12)에 배치된 구조화된 전류 확산층(6)을 포함한 광전 반도체칩(1)이 기술되며, 이때 전류 확산층(6)은 상기 주요면(12)의 30% 이상 60% 이하를 덮는다.

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01-02-2017 дата публикации

전자 발광 장치 및 전자 발광 장치의 제조 방법

Номер: KR0101699085B1
Автор: 헤르만, 시그프레이드
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 명세서에 기술되는 전자 발광 장치는 복사 출사면(18), 전류 확산을 위해 제공되며 상기 복사 출사면(18)상에 배치되는 복수 개의 접촉웹(16) 및 상기 복사 출사면(18)의 외부, 바람직하게는 웹(30)상에 배치되어 상기 접촉웹(16)과 전기 전도적으로 연결되는 접촉 구조물(32)을 포함한다.

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27-03-2018 дата публикации

광전 반도체 칩

Номер: KR0101842741B1
Автор: 회펠 루츠
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 광전 반도체 칩에 관한 것으로, 반도체 층 시퀀스(2), 캐리어 기판(10) 및 미러층(6)을 포함하고, 이 경우 제 1 전기 콘택층(7)과 제 2 전기 콘택층(8)은 적어도 부분적으로 캐리어 기판(10)과 반도체 층 시퀀스(2) 사이에 배치되고, 전기 절연층(9)에 의해 서로 전기 절연되고, 상기 미러층은 반도체 층 시퀀스(2)와 캐리어 기판(10) 사이에 배치된다. 반도체 칩(1)은 투명한 캡슐화층(13)을 포함하고, 상기 캡슐화층(13)은 반도체 층 시퀀스(2)의 측면(26), 미러층(6)의 측면(16) 및, 반도체 칩(1)의 측면(15)을 향한, 전기 절연층(9)의 측면(19)을 커버한다.

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Номер записи: 84
03-08-2016 дата публикации

광전자 반도체 컴포넌트

Номер: KR0101645303B1
Автор: 슈나이더, 마르쿠스, 람헨, 요한, 비트만, 미하엘
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 광전자 반도체 컴포넌트와 관련이 있으며,상기 광전자 반도체 컴포넌트는- 기판(1)을 구비하고, 상기 기판은 상부 측(11) 및 상기 상부 측(11)에 마주 놓인 하부 측(12)을 가지며;- 방사선을 방출하는 적어도 하나의 반도체 소자(2)를 구비하며, 상기 방사선 방출 반도체 소자는 상기 상부 측(11)에 배치되어 있고, 방사선 방출 면(6)을 가지며, 반도체 소자(2)의 작동 중에 발생하는 전자기 방사선의 적어도 한 부분이 상기 방사선 방출 면(6)을 통해 반도체 소자(2)를 떠나며, 그리고- 방사선을 흡수하는 층(3)을 구비하고, 상기 방사선 흡수 층은 기판(1)으로부터 떨어져서 마주한 컴포넌트(100)의 외부 면(101)이 적어도 국부적으로는 흑색으로 나타나도록, 상기 컴포넌트(100)에 입사되는 환경 광(ambient light)을 흡수하도록 설계되었으며, 이 경우- 상기 방사선 흡수 층(3)은 상기 방사선 방출 반도체 소자(2) 둘레를 가로 방향(L)으로 완전히 둘러싸고, 상기 방사선 방출 반도체 소자(2)의 측면(23)과 적어도 국부적으로 직접 접촉하며, 그리고- 상기 방사선 방출 면(6)에는 상기 방사선 흡수 층(3)이 없다.

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Номер записи: 85
12-07-2018 дата публикации

광전 반도체 소자

Номер: KR0101878127B1
Автор: 람헨 요한, 라체츠 다피트, 갈마이어 한스-크리슈토프, 그뢰츠 슈테판, 예레빅 지몬
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 반도체 소자(1)의 적어도 하나의 실시 형태에서, 광전 반도체 소자(1)는 캐리어(2) 및 캐리어 상면(20)에 부착되는 적어도 하나의 광전 반도체 칩(3)을 포함한다. 또한, 반도체 소자(1)는 반도체 칩(3)을 전기적으로 접촉시키는 적어도 하나의 본딩 와이어(4) 및 주 방사 측면(30) 상에 부착되고 본딩 와이어(4)를 넘어 돌출하는 적어도 하나의 커버체(5)를 포함한다. 적어도 하나의 반사 글롭 톱(6)이 측방 방향으로 반도체 칩(3)을 에워싸고, 적어도 반도체 칩(3)의 주 방사 측면(30)까지 이른다. 본딩 와이어(4)는 반사 글롭 톱(6)에 의해 완전히 또는 커버체(5)와 함께 반사 글롭 톱(6)에 의해 완전히 덮인다.

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Номер записи: 86
20-06-2018 дата публикации

광전자 반도체 칩, 및 광전자 반도체 칩 제조 방법

Номер: KR0101869586B1
Автор: 게르케 카이, 페르츨마이어 코르비니안, 플뢰테르 리차드, 슈미트 크리스티안
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 적어도 하나의 실시예에서, 광전자 반도체 칩(1)은 전자기 복사선을 생성하기 위한 반도체 층 시퀀스(2)뿐 아니라 은 미러(3)를 포함한다. 은 미러(3)는 반도체 층 시퀀스(2) 상에 배치된다. 은 미러(3)의 은에는 산소가 첨가된다. 은 미러(3)에서 산소의 중량비는 바람직하게는 적어도 10-5이고, 또한 바람직하게는 최대 10%이다.

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Номер записи: 87
24-06-2016 дата публикации

OPTOELECTRONIC COMPONENT

Номер: KR0101633444B1
Автор: 치츨슈페어거, 미하엘, 디첼, 액하르트, 조르크, 외르크, 에리히
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하, 헤라우스 머티리얼즈 테크놀러지 게엠베하 ＆ 코. 카게

... 본 발명은 자신의 상부 면(1c)에 전기 절연 박막(3)을 포함하는 연결 캐리어(1), 상기 연결 캐리어(1)의 상부 면(1c)에 배치된 광전자 반도체 칩(8), 상기 광전자 반도체 칩(8)을 프레임 형태로 둘러싸는 전기 절연 박막(3) 안에 있는 리세스(5), 그리고 상기 광전자 반도체 칩(8)을 둘러싸는 캐스팅 몸체(10)를 구비한 광전자 소자와 관련이 있으며, 이 경우 상기 리세스(5)의 바닥 면(32)은 상기 전기 절연 박막(3)에 의해서 적어도 국부적으로 형성되었고, 상기 캐스팅 몸체(10)는 광전자 반도체 칩(8) 쪽을 향하는 상기 리세스(5)의 외부 에지(51)까지 적어도 국부적으로 도달하며, 그리고 상기 리세스(5)에는 적어도 국부적으로 캐스팅 몸체(5)가 없다.

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29-03-2018 дата публикации

표면 장착 가능한 광전자 소자 그리고 표면 장착 가능한 광전자 소자를 제조하기 위한 방법

Номер: KR0101843402B1
Автор: 치츨슈페어거, 미하엘, 예거, 하랄드
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 방사선 통과 면(10), 광전자 반도체 칩(2) 및 칩 캐리어(3)를 구비한 표면 장착 가능한 광전자 소자(1)와 관련이 있다. 상기 칩 캐리어(3) 내에는 공동(cavity)(31)이 형성되어 있으며, 상기 공동 안에 반도체 칩(2)이 배치되어 있다. 몰딩 바디(5)가 상기 칩 캐리어(3)를 적어도 국부적으로 둘러싸며, 이 경우 상기 칩 캐리어(3)는 방사선 통과 면(10)에 대하여 수직으로 진행하는 수직 방향으로 상기 몰딩 바디(5)를 완전히 관통하여 연장된다. 본 발명은 또한 표면 장착 가능한 광전자 소자를 제조하기 위한 방법과도 관련이 있다.

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12-12-2017 дата публикации

발광 다이오드를 제조하기 위한 방법

Номер: KR0101808197B1
Автор: 슈타우스, 페터, 드레히젤, 필리프
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 하기의 단계들을 포함하는 발광 다이오드를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다:－ 실리콘-표면(1a)을 갖는 캐리어 기판(1)을 제공하는 단계, －상기 실리콘-표면(1a)상에서 연속층(100)을 성장 방향(R)으로 증착하는 단계, 그리고 － 상기 연속층(100) 상에 발광 다이오드 구조(16)를 증착하는 단계, 이때 － 상기 연속층(100)은 갈륨 질화물에 의해 형성된 GaN-층(5)을 포함하고, － 상기 연속층은 실리콘 질화물에 의해 형성된 마스킹 층(12)을 포함하며, 그리고 － 상기 마스킹 층(12)은 상기 성장 방향(R)으로 적어도 GaN-층(5) 부분 다음에 배치된다.

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11-08-2016 дата публикации

광전 반도체 소자

Номер: KR0101647866B1
Автор: 엔글, 모릿츠, 조르크, 요르크 에리히, 짜일러, 토마스, 레일, 요아킴
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 반도체 소자가 제공되며, 상기 광전 반도체 소자는 매트릭스형으로 배치되면서 공통의 캐리어(1)에 적층되며 복사를 방출하는 복수의 반도체칩(2), 상기 반도체칩(2)으로부터 방출된 전자기 복사의 변환을 위해 적어도 하나의 반도체칩(2)보다 뒤에 배치된 적어도 하나의 변환 부재(3), 반도체칩(2)으로부터 방출된 전자기 복사를 확산 산란시키기 위해 상기 각각의 반도체칩(2)보다 뒤에 배치된 적어도 하나의 산란 부재(4)를 포함하고, 이 때 상기 산란 부재(4)는 변환 부재(3)와 직접 접촉한다.

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21-11-2016 дата публикации

냉각된 파장 컨버터를 구비한 캡슐화된 방사선 방출 컴포넌트 그리고 이와 같은 방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법

Номер: KR0101678031B1
Автор: 크로이터, 게르투트, 비르트, 랄프, 랑에, 슈테판, 예르만, 프랑크
Принадлежит: 오스람 게엠베하, 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명의 한 가지 실시 예는 방사선을 방출하는 컴포넌트(1)를 기술하며, 상기 방사선 방출 컴포넌트는 반도체 물질들을 함유하면서 작동 중에 제 1 파장의 제 1 방사선을 방출하는 방사선원(10); 매트릭스 재료 및 무기 충전제를 포함하면서 적어도 부분적으로 제 1 방사선의 빔 경로(11) 내부에 배치되어 있는 투명한 몸체(20); 그리고 적어도 부분적으로 상기 제 1 방사선의 빔 경로(11) 내부에 배치되어 있으면서 상기 제 1 방사선을 길이가 상대적으로 더 긴 제 2 파장의 제 2 방사선으로 적어도 부분적으로 변환시키는 변환기 재료(30)를 포함한다. 이 경우 상기 변환기 재료(30)는 적어도 부분적으로 상기 투명한 몸체(20)의 충전제의 적어도 한 부분과 열 전도 방식으로 접촉하고 있다.

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17-11-2016 дата публикации

광전 반도체칩 및 그 제조 방법

Номер: KR0101677300B1
Автор: 엔글, 칼, 호펠, 루츠, 로드, 패트릭, 사바틸, 마티아스
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 반도체칩이 기술된다. 반도체칩은 제1전도성 타입의 층(21)과 제2전도성 타입의 층(22) 사이에서 복사 생성을 위해 제공된 활성층(23)을 구비한 반도체층 시퀀스(2)를 포함한다. 제1전도성 타입의 층(21)은 반도체층 시퀀스(2)의 전방측(110)에 인접한다. 반도체층 시퀀스(2)는 적어도 하나의 리세스(3)를 포함하고, 상기 리세스는 상기 전방측(110)에 대향된 반도체층 시퀀스(2)의 후방측으로부터 활성층(23)을 관통하여 제1전도성 타입의 층(21)까지 연장된다. 제1전도성 타입의 층(21)은 제1전기 연결층(5)을 이용하여 리세스(3)를 관통하여 전기적으로 연결된다. 상기 제1전기 연결층은 반도체층 시퀀스(2)의 후방측(120)을 적어도 부분적으로 덮는다. 반도체칩은 리세스(3)의 영역에서 접합층(20)을 포함하고, 상기 접합층은 제1전도성 타입의 층(21)의 물질 및 제1전기 연결층(5)의 물질로 구성된 물질 조성물을 포함한다. 또한, 이러한 반도체칩의 제조 방법도 기술된다.

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16-11-2015 дата публикации

CONNECTION CARRIER FOR SEMICONDUCTOR CHIPS AND SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер: KR0101569606B1
Автор: 오베르슈미트 라이문트
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 적어도 하나의 반도체 칩(7)을 위한 접속 캐리어(1)에 관한 것으로, 이 경우 접속 캐리어는 메인 면(20)을 가진 캐리어 바디(2)를 포함한다. 메인 면 위에 제 1 접속면(31) 및 상기 제 1 접속면(31)으로부터 떨어져 있는 제 2 접속면(32)이 형성된다. 접속 캐리어는 기계적인 디커플링 장치(5)를 포함하고, 상기 디커플링 장치는 캐리어 바디로부터 제 1 접속면의 적어도 하나의 영역으로 기계적 힘의 전달을 감소시키기 위해 제공된다. 또한, 본 발명은 이러한 접속 캐리어를 가진 반도체 소자(8)에 관한 것이다.

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Номер записи: 94
16-10-2015 дата публикации

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY

Номер: KR0101561317B1
Автор: 브루닝호프, 스테파니, 에이츨러, 크리스토프
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 반도체 몸체는, 제1주요면(12)상에서 제1영역(14)에는 전자기 복사의 생성에 적합한 에피택시얼 반도체층 시퀀스(20)를, 그리고 상기 제1영역(14)에 인접한 제2영역(22)에서 제1트렌치(24)를 구비하는 기판 및 상기 제1영역(14)의 외부에 배치된 적어도 하나의 제2트렌치(30)를 포함한다. 본 발명은 광전 반도체 몸체 및 광전 반도체 몸체의 제조 방법에 관한 것이다.

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Номер записи: 95
07-09-2016 дата публикации

발광수단 및 적어도 하나의 이러한 발광수단을 포함한 프로젝터

Номер: KR0101655728B1
Автор: 렐, 알프레드, 타우쯔, 손케, 스트라우스, 우웨, 베링거, 마르틴 루돌프, 브루닝호프, 스테파니, 디니, 디미트리, 아이세르트, 도미니크, 아이클러, 크리스토프
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 발광수단(1)의 적어도 일 실시예에서, 발광수단은 360 nm 내지 485 nm의 파장을 가진 1차복사(P)를 방출하도록 구성된 적어도 하나의 반도체 레이저(2)를 포함한다. 또한, 발광수단(1)은, 상기 반도체 레이저(2)보다 뒤에 배치되며 상기 1차복사(P)의 적어도 일부를 상기 1차복사(P)와 상이한 더 큰 파장의 2차 복사(S)로 변환하도록 구성된 적어도 하나의 변환 수단(3)을 포함한다. 발광수단(1)으로부터 방출된 복사(R)는 최대 50 ㎛의 광학적 가간섭성 길이를 보여준다.

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Номер записи: 96
13-05-2016 дата публикации

LUMINOUS MEANS AND PROJECTOR COMPRISING AT LEAST ONE LUMINOUS MEANS OF THIS TYPE

Номер: KR0101621118B1
Автор: 렐, 알프레드, 타우쯔, 손케, 스트라우스, 우웨, 베링거, 마르틴 루돌프, 브루닝호프, 스테파니, 디니, 디미트리, 아이세르트, 도미니크, 아이클러, 크리스토프
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 발광수단(1)의 적어도 일 실시예에서, 발광수단은 360 nm 내지 485 nm의 파장을 가진 1차복사(P)를 방출하도록 구성된 적어도 하나의 반도체 레이저(2)를 포함한다. 또한, 발광수단(1)은, 상기 반도체 레이저(2)보다 뒤에 배치되며 상기 1차복사(P)의 적어도 일부를 상기 1차복사(P)와 상이한 더 큰 파장의 2차 복사(S)로 변환하도록 구성된 적어도 하나의 변환 수단(3)을 포함한다. 발광수단(1)으로부터 방출된 복사(R)는 최대 50 ㎛의 광학적 가간섭성 길이를 보여준다.

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Номер записи: 97
11-08-2017 дата публикации

휴대용 전자 장치

Номер: KR0101767516B1
Автор: 브랜들, 미하엘, 피슬, 롤란트
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하고 작동 중에 광(11)을 방출하는 광원(1) 그리고 상기 광원에 의해서 작동 중에 방출되는 광(11)의 빔 경로 안에 있는 물체(5)를 검출하기 위한 장치(23)를 구비한 휴대용 전자 장치(10)와 관련이 있으며, 이 경우 상기 검출 장치(23)는 물체(5)가 최소 기간 동안 빔 경로 안에서 상기 광원(1)으로부터의 최소 거리(d) 안에서 검출되는 경우에는 상기 광원에 의해서 작동 중에 방출되는 광(11)의 광속(luminous flux)을 감소시키도록 설계되었다.

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Номер записи: 98
16-08-2017 дата публикации

표면 실장 ＬＥＤ 모듈 및 표면 실장 ＬＥＤ 모듈의 제조 방법

Номер: KR0101768720B1
Автор: 그롯츠, 스테판, 권터, 에왈트, 칼, 마이클, 윌름, 알렉산더, 헤르만, 시그프레이드
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 본 발명은 적어도 3 개의 LED 칩들(2a, 2b, 2c)이 배치되는 캐리어 기판(1)을 구비하는 표면 실장 LED 모듈(100)로서, 상기 LED 칩들(2a, 2b, 2c)이 전자기 복사를 생성하기 위해 각각 하나의 활성층을 구비하는 LED 모듈에 관한 것이다. 상기 캐리어 기판(1)은 적어도 3 개의 제1 전기 연결면(8a) 및 적어도 3 개의 제2 전기 연결면(8b)을 구비한다. 상기 LED 칩들(2a, 2b, 2c)은 각각 제1 접촉층(9a)을 구비하고, 이 접촉층(9a)은 각각 제1 연결면(8a)과 전기적으로 전도되게 연결된다. 상기 LED 칩들(2a, 2b, 2c)은 각각 제2 접촉층(9b)을 구비하고, 이 접촉층(9a)은 각각 제2 연결면(8b)과 전기적으로 전도되게 연결된다. 제1 LED 칩(2a)은 적색 스펙트럼 영역에서 복사를 방출하고, 제2 LED 칩(2b)은 녹색 스펙트럼 영역에서 복사를 방출하고, 그리고 제3 LED 칩(2c)은 청색 스펙트럼 영역에서 복사를 방출한다. 상기 LED 칩들(2a, 2b, 2c)은 각각 성장 기판을 구비하지 않는다. 또한 본 발명은 표면 실장 LED 모듈(100)의 제조 방법에 관한 것이다.

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26-11-2015 дата публикации

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT, DEVICE FOR RECORDING IMAGE INFORMATION AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер: KR0101572285B1
Автор: 잉글, 모리츠
Принадлежит: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

... 광전 반도체 소자의 적어도 일 실시예에서, 광전 반도체 소자는 적어도 하나의 연결 캐리어, 상기 연결 캐리어의 전방측에 설치된 적어도 하나의 광전 반도체칩 및 상기 반도체 소자의 전기 접촉을 위한 적어도 2개의 스프링을 포함한다. 스프링은 상기 전방측에 대향된 연결 캐리어의 후방측에 도포되며, 상기 스프링의 스프링력은 상기 연결 캐리어의 후방측에 대해 수직인 분력을 포함한다. 이러한 광전 반도체 소자는 간단히 제조될 수 있고, 매우 간단한 방식으로 외부 장치와 전기적으로 접촉된다.

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