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06-04-2011 дата публикации

High dielectric constant grid dielectric material forming method and a semiconductor device

Номер: CN101425457B
Автор: 尚·路克·艾佛拉特, 欧阳晖, 莉塔·沃斯, 萝拉·宁斯
Принадлежит: Inter-University Microelectronics Center, Katholieke Universiteit Leuven, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd

本发明提供一种高介电常数栅极介电材料的形成方法与半导体元件，该方法包括下列步骤：提供一半导体基材；清洗该基材；对该基材进行一热处理，其中该热处理在一无氧化环境中进行，导致形成一薄界面层；以及沉积一高介电常数材料于薄界面层之上。本发明的方法能产生均匀且薄的、具有适当的末端的界面层，使其能够相容于后续高介电常数(high-k)材料的沉积，并能改善界面层的粗糙度与品质。同时，本发明的结构能增进在半导体元件中的电荷载流子迁移率。

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Номер записи: 1
21-08-2018 дата публикации

Intermediary layer and its manufacturing method, electronic device and protective device

Номер: CN105702667B
Автор: 戈尔特·海灵, 李介文, 迪米特里·林腾
Принадлежит: Inter-University Microelectronics Center, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd

本公开提供一种中介层及其制造方法、电子装置和保护装置，中阶层包括具有一半导体基底以及电性连接基底通孔电极的一接面金属。该半导体基地包括一主表面及至少局部穿过该半导体基底的一基底通孔电极。接面金属与位于半导体基底的一主表面的一掺杂区接触而构成一肖特基二极管。本公开又提供一种电子装置，其包括上述中介层，也提供使用中介层的一种保护装置，其提供一放电路径通过肖特基二极管至半导体基底，以及提供一种包括半导体基底及肖特基二极管的中介层的制造方法。本公开在所需的工艺步骤最少化下提供额外的功能。

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Номер записи: 2
06-03-2013 дата публикации

Semiconductor device and its manufacture method

Номер: CN101170127B
Автор: 于洪宇, 凯特·乔治·爱得恩, 劳斯·安妮, 卫罗索·安那贝拉, 张守仁
Принадлежит: Inter-University Microelectronics Center, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd

本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止上述功函数调整元素朝上述介电质扩散和/或扩散进入上述介电质。本发明也提供一种半导体装置的制造方法。

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Номер записи: 3
24-04-2013 дата публикации

双功函数半导体装置及其制造方法

Номер: CN101494200B
Автор: 于洪宇, 史蒂芬·库比塞克, 安娜贝拉·费洛索, 张守仁, 赵学柱
Принадлежит: Inter-University Microelectronics Center, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd

一种双功函数半导体装置及其制造方法。该装置包含：一第一晶体管于一基底的一第一区上，其具有一第一栅极堆叠结构，第一栅极堆叠结构具有一第一有效功函数；以及一第二晶体管于基底的一第二区上，其具有一第二栅极堆叠结构，第二栅极堆叠结构具有一第二有效功函数；其中第一栅极堆叠结构与第二栅极堆叠结构各具有一主介电质、一栅极、与一第二介电顶盖层，且第二栅极堆叠结构还额外具有一第一介电顶盖层；第一介电顶盖层是决定第二栅极堆叠结构的第二有效功函数；第二介电顶盖层不会对第二栅极堆叠结构的第二有效功函数造成实质影响；以及金属层是与第二介电顶盖层一起决定第一栅极堆叠结构的第一有效功函数。本发明具有优异的半导体性能。

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Номер записи: 4
01-07-2009 дата публикации

双工函数半导体元件及其制法

Номер: CN101471303A
Автор: 于洪宇, 张守仁, 汤玛斯·Y·哈夫曼, 玻陀斯·杰佛瑞
Принадлежит: Inter-University Microelectronics Center, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd

一种制作双功函数半导体元件的方法，包括提供具有第一区与第二区的基底，于第一区与第二区上形成栅极介电层，于栅极介电层上形成金属栅极层，其中金属栅极层具有第一(初镀)功函数，第一(初镀)功函数可以通过于其上引发应变而调整，以及选择性形成第一应变导电层于第一区的金属栅极层上，第一应变导电层施加选定的应变于金属栅极层上，因而引发第一区的金属栅极层的第一(初镀)功函数产生第一预定功函数偏移(ΔWF1)。本发明还提供以上述方法而制得的双功函数半导体元件。本发明能够使金属氧化物半导体场效应晶体管元件中的启始电压得到改善，并且工艺简单，成本较低。

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Номер записи: 5
19-11-2008 дата публикации

半导体装置及其制造方法

Номер: CN101308788A
Автор: 凡尔薛·史文, 张世勋, 德根特·史蒂芬, 拉纳森·拉尔克, 汤姆薛曼, 爱德曼·克理斯夫
Принадлежит: Inter-University Microelectronics Center, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介电层；形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电层上；形成至少一金属电极层于该稀土元素氧化层上；以及于形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上后，进行退火工艺，以在该含硅的介电层及该稀土元素氧化层之间至少部分区域形成稀土硅酸盐层，其中在形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上之前，并没进行退火工艺。本发明在等效栅极氧化层厚度变薄及有效功函数偏移方面的结果可得到优异的成效。

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Номер записи: 6
01-10-2008 дата публикации

双功函数半导体装置的制造方法

Номер: CN101276786A
Автор: 于洪宇, 张守仁
Принадлежит: Inter-University Microelectronics Center, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd

一种双功函数半导体装置的制造方法，包括：提供第一区域于半导体基底中，且包括至少一个第一电极；提供至少一个第二区域于该半导体基底中，且包括至少一个第二电极；提供第一金属层于该第一区域的第一电极之上且该第一金属层包括至少一个第一金属和至少一个第一功函数调整元素；提供第二金属层于该第二区域的第二电极之上且该第二金属层包括至少一个第二金属；以及对该第一电极施以第一硅化工艺，且对该第二电极施以第二硅化工艺，其中该第一硅化工艺和该第二硅化工艺同时进行。本发明的优点在于通过使用一合金材料的硅化工艺，可使得栅极电极的功函数值具有较广的调整范围。

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Номер записи: 7
26-03-2014 дата публикации

含锗为主的沟道层的晶体管装置的制作方法与微电子装置

Номер: CN103681353A
Автор: 布兰寇·大卫, 汎斯·利塔, 莱斯柏斯·维特斯, 马克·凡·戴尔
Принадлежит: Inter-University Microelectronics Center, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd

本发明提供包含锗为主的沟道层的晶体管装置的制作方法与微电子装置，该方法包括：形成栅极结构于锗为主的沟道层上，锗为主的沟道层位于基板上，且栅极堆叠位于锗为主的沟道层其相反两侧的锗为主的源极区与锗为主的漏极区之间；形成盖层于锗为主的源极区与锗为主的漏极区上，且盖层包括硅与锗；沉积金属层于盖层上；进行温度步骤，使至少部分盖层转变为金属锗硅化物，金属锗硅化物不溶于蚀刻品，且蚀刻品用以溶解金属层；以蚀刻品自基板选择性地移除未消耗的金属层；以及形成金属前介电层。本发明提供的方法，以锗化工艺制作具有锗为主的沟道层以及锗为主的源极与漏极的晶体管装置，并减少形成孔洞。

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Номер записи: 8
10-05-2017 дата публикации

含锗为主的沟道层的晶体管装置的制作方法与微电子装置

Номер: CN103681353B
Автор: 布兰寇·大卫, 汎斯·利塔, 莱斯柏斯·维特斯, 马克·凡·戴尔
Принадлежит: Inter-University Microelectronics Center, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd

本发明提供包含锗为主的沟道层的晶体管装置的制作方法与微电子装置，该方法包括：形成栅极结构于锗为主的沟道层上，锗为主的沟道层位于基板上，且栅极堆叠位于锗为主的沟道层其相反两侧的锗为主的源极区与锗为主的漏极区之间；形成盖层于锗为主的源极区与锗为主的漏极区上，且盖层包括硅与锗；沉积金属层于盖层上；进行温度步骤，使至少部分盖层转变为金属锗硅化物，金属锗硅化物不溶于蚀刻品，且蚀刻品用以溶解金属层；以蚀刻品自基板选择性地移除未消耗的金属层；以及形成金属前介电层。本发明提供的方法，以锗化工艺制作具有锗为主的沟道层以及锗为主的源极与漏极的晶体管装置，并减少形成孔洞。

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Номер записи: 9
13-01-2010 дата публикации

半导体装置及其制造方法

Номер: CN100580883
Автор: 凡尔薛·史文, 张世勋, 德根特·史蒂芬, 拉纳森·拉尔克, 汤姆薛曼, 爱德曼·克理斯夫
Принадлежит: Inter-University Microelectronics Center, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介电层；形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电层上；形成至少一金属电极层于该稀土元素氧化层上；以及于形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上后，进行退火工艺，以在该含硅的介电层及该稀土元素氧化层之间至少部分区域形成稀土硅酸盐层，其中在形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上之前，并没进行退火工艺。本发明在等效栅极氧化层厚度变薄及有效功函数偏移方面的结果可得到优异的成效。

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Номер записи: 10