Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению активных слоев солнечных модулей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния. Солнечный модуль на основе кристаллического кремния включает пластину поликристаллического или монокристаллического кремния; пассивирующий слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на каждую сторону пластины кремния; р-слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на верхнюю сторону пассивирующего слоя; n-слой, нанесенный на нижнюю сторону пассивирующего слоя; токосъемные слои, нанесенные на р-слой и n-слой. В качестве n-слоя применяют металлические оксиды n-типа, полученного методом магнетронного распыления или методом атомного наслаивания, или методом газофазного осаждения при пониженном давлении. В качестве металлического оксида n-типа используют оксид цинка (ZnO) или SnО, FеО, TiΟ, VO, МnO, CdO и другие металлические оксиды n-типа. Изобретение позволяет повысить производительность ...

Пассивация поверхности кремниевых пластин методом магнетронного распыления

Изобретение относится к пассивации поверхности пластин кремния. Пассивация поверхности кремниевых пластин включает очистку пластин кристаллического кремния, распыление кремния магнетроном с кремниевой мишенью. Процесс распыления кремниевой мишени выполняют в атмосфере аргона (Ar) с добавлением водорода (Н), или в атмосфере аргона (Ar) с добавлением кремнийорганических соединений, или в атмосфере аргона (Ar) с добавлением водорода (Н) и кремнийорганических соединений, с получением пассивирующего слоя аморфного гидрогенизированного кремния повышенного качества, для пассивации поверхности пластины и снижения скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда. В качестве кремнийорганического соединения используют по меньшей мере один химический реагент, выбранный из группы, состоящей из силана (SiH), SiH, SiH, SiF, SiFи других соединений, содержащих кремний. Изобретение позволяет уменьшить дефекты и поверхностную рекомбинацию носителей заряда, повысить время жизни носителей заряда, повысить ...

ДЕРЖАТЕЛЬ ПОДЛОЖЕК

... 1. Держатель подложек, содержащий сплошное основание с посадочными площадками для подложек, отличающийся тем, что посадочные площадки выполнены с посадочной поверхностью, соответствующей габаритам подложек и ограниченной по периметру ограничительными бортиками, а в области укладки подложек на посадочной поверхности выполнены углубления с по меньшей мере одним отверстием в дне для фиксации подложек.2. Держатель подложек по п.1, отличающийся тем, что подложка представляет собой полупроводниковую или диэлектрическую пластину, в частности кремниевую пластину.3. Держатель подложек по п.1, отличающийся тем, что сплошное основание выполнено из алюминиевых или титановых сплавов, стали или композитных материалов.

Двухсторонний гетеропереходный фотоэлектрический преобразователь на основе кремния

Изобретение относится к области электроники, а именно к полупроводниковым приборам, и может быть использовано при изготовлении солнечных элементов, которые используются в энергетике, космических и военных технологиях, горнодобывающей, нефтеперерабатывающей, химической отраслях промышленности и др. Фотоэлектрический преобразователь (ФЭП) включает текстурированную пластину поликристаллического, мультикристаллического, монокристаллического или квазимонокристаллического кремния n-типа (n)c-Si или р-типа (p)c-Si с фронтальной и тыльной поверхностями, причем на фронтальной поверхности последовательно расположены противоэпитаксиальный буферный слой в виде аморфного гидрогенизированного карбида кремния собственной проводимости (i)-a-SixCx-1:H, пассивирующий слой аморфного гидрогенизированного кремния собственной проводимости i-a-Si, легированный слой аморфного гидрогенизированного кремния ((n)a-Si:H) или микрокристаллического кремния (n-mc:Si) n-типа проводимости, токосъемный слой в виде антиотражающего ...

Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния и линия по его производству

Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния и линия по его производству

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к структуре фотопреобразователей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния и к линии по производству фотопреобразователей. Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния включает: текстурированную поликристаллическую или монокристаллическую пластину кремния; пассивирующий слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на каждую сторону пластины кремния; р-слой; n-слой; контактные токосъемные слои в виде прозрачных проводящих оксидов; тыльный токосъемный слой в виде металлического непрозрачного проводящего слоя, при этом в качестве р-слоя и n-слоя применяют металлические оксиды соответственно р-типа и n-типа, при этом слои n-типа и р-типа, пассивирующий и токосъемный слои наносятся методом магнетронного распыления. В качестве металлического оксида n-типа используют оксид цинка (ZnO), или SnO, FeО, ТiO, VO, МnО, CdO, или другие металлические оксиды n-типа. В качестве ...

Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния

Способ и устройство переворота подложек в процессе производства фотопреобразователей

Изобретение относится к технологическому оборудованию, используемому в процессах обработки пластин полупроводников. Способ переворота подложек включает установку первого подложкодержателя с посадочными местами, в которых расположены подложки, на поворотный стол при помощи механизма загрузки, сверху на первый подложкодержатель устанавливается второй подложкодержатель, и они фиксируются между собой, далее производят переворот стола, затем выгружают подложкодержатели механизмом выгрузки с последующим разъединением подложкодержателей таким образом, что пластины остаются на втором держателе подложек для последующей обработки и нанесения слоев на вторую сторону подложек. Загрузку и выгрузку подложек осуществляют в ручном режиме при помощи подкатного столика или в автоматическом - при помощи манипулятора. Устройство переворота подложек содержит механизм загрузки и/или выгрузки, поворотный стол, установленный на станине при помощи шарниров поворотного механизма, на столике установлены два подложкодержателя ...

СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании солнечных элементов, которые используются в энергетике, космических и военных технологиях, горнодобывающей, нефтеперерабатывающей, химической отраслях промышленности и др. Солнечный элемент согласно изобретению включает кристаллическую подложку из кремния n-типа (n)с-Si ориентации (100) с фронтальной и тыльной поверхностями, над фронтальной поверхностью последовательно расположены: промежуточный слой аморфного гидрогенизированного карбида кремния в виде твердого раствора; нелегированный слой аморфного гидрогенизированного кремния (i)a-Si:H; р-легированный слой аморфного гидрогенизированного кремния (p)a-Si:H; слой оксида индия-олова (ITO); серебренная контактная сетка. При этом над тыльной поверхностью последовательно расположены: промежуточный слой аморфного гидрогенизированного карбида кремния в виде твердого раствора; нелегированный слой аморфного гидрогенизированного кремния (i)a-Si:H; n-легированный ...