Интегральная структура

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СТРУКТУРА, выполненная на полупроводниковой подложке , содержащая полевой транзистор с верхним и нижним затворами и биполярный р-п-р транзистор, изолированные друг от друга р-п переходом,. причем канал полевого и база р-п-р транзисторов имеют равномерное рас .пределение примеси противоположного подложке типа проводимости, верхний затвор полевого и эмиттер р-п-р-тран знсторов, а также нижний затвор полевого и коллектор р-п-р транзисторов выполнены в виде одинаковьк .областей и имеют одноименный тин проводимости , отличают а я с я тем, что, с целью повышения максимально допустимого рабочего напряжения структуры, в базе р-п-р транзистбра выполнена дополнительная об- fS ласть того же типа проводимости, при мыкающая к эмиттеруi а градиент кон (Л ;центрации примеси в ней не менее с ...