Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 4. Отображено 4.
11-10-2019 дата публикации

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ОТОБРАЖАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ И СИСТЕМА

Номер: RU2702802C1
Автор: МАЦУМОТО Синдзи (JP), АРАЕ Саданори (JP), АБЕ Юкико (JP), СОНЕ Юдзи (JP), КУСАЯНАГИ Минехиде (JP), САОТОМЕ Риоити (JP), НАКАМУРА Юки (JP), УЕДА Наоюки (JP)
Принадлежит: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД. (JP)

Изобретение относится к полевым транзисторам и устройствам отображения изображения. Полевой транзистор включает в себя электрод затвора, электрод истока и электрод стока, активный слой, который сформирован между электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, который сформирован между электродом затвора и активным слоем, активный слой включает в себя по меньшей мере два вида оксидных полупроводниковых слоев, в том числе слой A и слой B, причем активный слой включает в себя три или более оксидных полупроводниковых слоев, в том числе два или более слоев A, и при этом активный слой является многослойной структурой АВА из трех слоев, которые представляют собой слой А, слой В и слой А, размещенные друг над другом в этом порядке, один из слоев А находится в контакте с изолирующим слоем затвора, и другой из слоев А находится в контакте с электродом истока и электродом стока. 4 н. и 14 з.п. ф-лы, 13 ил., 2 табл.

Подробнее
Номер записи: 1
10-01-2015 дата публикации

ЖИДКОСТЬ ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ДЛЯ ОБРАЗОВАНИЯ МЕТАЛЛООКСИДНОЙ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ, МЕТАЛЛООКСИДНАЯ ТОНКАЯ ПЛЕНКА, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Номер: RU2013129806A
Автор: АБЕ Юкико (JP), СОНЕ Юдзи (JP), НАКАМУРА Юки (JP), УЕДА Наоюки (JP)
Принадлежит:

... 1. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, включающая:неорганическое соединение индия;по меньшей мере, одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка; ипростой гликолевый эфир.2. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1,в которой неорганическим соединением индия является, по меньшей мере, одно, выбранное из группы, состоящей из нитрата индия, сульфата индия и хлорида индия;в которой неорганическим соединением магния является, по меньшей мере, одно, выбранное из группы, состоящей из нитрата магния, сульфата магния и хлорида магния; ив которой неорганическим соединением цинка является, по меньшей мере, одно, выбранное из группы, состоящей из нитрата цинка, сульфата цинка и хлорида цинка.3. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1, причем жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки удовлетворяет следующему ...

Подробнее
Номер записи: 2
06-07-2018 дата публикации

ОКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК Р-ТИПА, КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ОКСИДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА Р-ТИПА, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКСИДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА Р-ТИПА, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КОМПОНЕНТ, ОТОБРАЖАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ И СИСТЕМА

Номер: RU2660407C2
Автор: АРАЕ Саданори (JP), СОНЕ Юдзи (JP), УЕДА Наоюки (JP), НАКАМУРА Юки (JP), АБЕ Юкико (JP), САОТОМЕ Риоити (JP), МАЦУМОТО Синдзи (JP)
Принадлежит: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД. (JP)

Изобретение относится к оксидному полупроводнику p-типа, композиции для получения оксидного полупроводника p-типа, способу получения оксидного полупроводника p-типа, полупроводниковому компоненту, отображающему элементу, устройству отображения изображений и системе отображения информации об изображении. Оксидный полупроводник p-типа содержит оксид металла, содержащий таллий (Tl), где оксид металла легирован дырками и при этом оксид металла не содержит элемента Cu. Изобретение обеспечивает получение оксидного полупроводника p-типа, который имеет свойства электропроводности, делающие его полезным в качестве активного слоя полупроводникового компонента. 7 н. и 7 з.п. ф-лы, 13 ил., 2 табл.

Подробнее
Номер записи: 3
24-06-2019 дата публикации

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ, ЭЛЕМЕНТ ОТОБРАЖЕНИЯ, УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ И СИСТЕМА

Номер: RU2692401C1
Автор: УЕДА Наоюки (JP), МАЦУМОТО Синдзи (JP), СОНЕ Юдзи (JP), АРАЕ Саданори (JP), АБЕ Юкико (JP), КУСАЯНАГИ Минехиде (JP), НАКАМУРА Юки (JP), САОТОМЕ Риоити (JP)
Принадлежит: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД. (JP)

Способ изготовления полевого транзистора включает в себя изолирующий слой затвора и электрод, включающий в себя первую электропроводную пленку и вторую электропроводную пленку, последовательно наслоенные на предопределенную поверхность изолирующего слоя затвора. Способ включает в себя этапы формирования оксидной пленки, включающей в себя элемент A, который является щелочноземельным металлом, и элемент B, который является по меньшей мере одним элементом из Ga, Sc, Y и лантанида, в качестве изолирующего слоя затвора; формирования первой электропроводной пленки, которая растворяется в органическом щелочном растворе, на оксидной пленке; формирования второй электропроводной пленки на первой электропроводной пленке; травления второй электропроводной пленки с помощью травильного раствора, имеющего более высокую скорость травления для второй электропроводной пленки по сравнению со скоростью травления для первой электропроводной пленки; и травления первой электропроводной пленки с помощью органического ...

Подробнее
Номер записи: 4