Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год

Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
27-01-2011 дата публикации

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ

Номер: RU2410341C2

Изобретение относится к способу обработки поверхности подложки. Техническим результатом изобретения является обеспечение эффективности очистки поверхности. Способ обработки включает осаждение, по меньшей мере, одной тонкой пленки А на часть поверхности упомянутой подложки, причем стадию осаждения осуществляют способом вакуумного напыления. Затем генерируют с помощью, по меньшей мере, одного линейного ионного источника плазму из ионизированных частиц из газа или смеси газов и, по меньшей мере, одну часть поверхности пленки А подвергают воздействию плазмы для модификации, по меньшей мере, частично, поверхности пленки А ионизированными частицами. После чего осуществляют осаждение, по меньшей мере, одной пленки В на одну часть поверхности пленки А, причем данную стадию осуществляют способом вакуумного напыления. 6 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 табл.

Подробнее
10-12-2009 дата публикации

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ

Номер: RU2008120706A
Принадлежит:

... 1. Способ обработки, по меньшей мере, одной части поверхности, по меньшей мере, одной пленки А, расположенной между подложкой и одной пленкой В покрытия, состоящего из тонких пленок, нанесенных под вакуумом на стеклообразную подложку, отличающийся тем, что ! осуществляют осаждение, по меньшей мере, одной тонкой пленки А на часть поверхности упомянутой подложки, причем стадию осаждения осуществляют способом вакуумного напыления, ! генерируют с помощью, по меньшей мере, одного линейного ионного источника плазму из ионизированных частиц из газа или смеси газов, ! по меньшей мере, одну часть поверхности пленки А подвергают воздействию плазмы для модификации, по меньшей мере частично, поверхности пленки А ионизированными частицами, ! осуществляют осаждение, по меньшей мере, одной пленки В на одну часть поверхности пленки А, причем данную стадию осуществляют способом вакуумного напыления. ! 2. Способ обработки по п.1, отличающийся тем, что пленка А содержит множество пленок Аi, нанесенных друг ...

Подробнее