Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год

Применить Всего найдено 4. Отображено 4.
02-03-2017 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE PROVIDED WITH SAID SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: WO2017033082A1
Принадлежит:

A light emitting device that has an oxide semiconductor film and emits near-infrared light is provided. The device is a semiconductor device provided with a transistor. The transistor is provided with: a first gate electrode; a first insulating film upon the first gate electrode; an oxide semiconductor film having a region which overlaps the first gate electrode with the first insulating film therebetween; a second insulating film upon the oxide semiconductor film; a second gate electrode having a region which overlaps the oxide semiconductor film with the second insulating film therebetween; and a third insulating film upon the oxide semiconductor film and the second gate electrode. The oxide semiconductor film has a channel region that is in contact with the second insulating film, the channel region has a region that emits light, and the emitted light includes near-infrared light.

Подробнее
28-07-2004 дата публикации

半导体器件以及其制作方法

Номер: CN0001516253A
Принадлежит:

... 本发明的目的是提供一种低成本,小体积,并且高集成化的半导体器件。本发明利用转移技术,将用半导体薄膜形成的半导体元件转移到用半导体衬底形成的半导体元件之上,从而制作半导体器件。跟常规的MCP相比,本发明可以用更低成本,并更高产量地大量生产半导体器件,而且可以减少每个半导体器件的生产成本。 ...

Подробнее
22-02-2018 дата публикации

DISPLAY DEVICE

Номер: WO2018033822A1
Принадлежит:

The present invention provides a semiconductor device having a wide display area and improved portability. Provided is a display device having a first display panel, a second display panel, and a first adhesive layer, wherein: the second display panel is larger in area than the first display panel; the first display panel has a first substrate, a second substrate, and a reflective liquid crystal element and a first transistor that are positioned between the first substrate and the second substrate; the second display panel has a flexible first resin layer, a flexible second resin layer, and a light-emitting element and a second transistor that are positioned between the first resin layer and the second resin layer; the liquid crystal element has a function of reflecting light toward the second substrate side; the light-emitting element has a function of emitting light toward the second resin layer side; and the first substrate and a portion of the second resin layer are bonded via the first ...

Подробнее
11-08-2004 дата публикации

半导体器件及其制作方法

Номер: CN0001519933A
Принадлежит:

... 本发明提供一种崭新的半导体安装技术,该技术不依靠硅片的背面加工就可以实现半导体器件的薄型化。借助于安装集成电路膜,使安装该集成电路膜的半导体器件的薄型化成为可能。在此,“集成电路膜”指的是使用利用在玻璃衬底或石英衬底上形成的半导体膜制成的集成电路而制成的膜状的集成电路。本发明利用转移技术制作集成电路膜。 ...

Подробнее